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国際特許分類[H03F3/19]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 増幅器 (10,074) | 増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器 (6,434) | 高周波増幅器,例.無線周波増幅器 (626) | 半導体装置のみをもつもの (431)

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【課題】電力検出機能を具備するとともに優れた高周波特性を有する高周波回路を提供する。
【解決手段】アンテナANTと複数の送受信系の送信回路及び受信回路との接続を切り換える高周波スイッチ回路SWを有する高周波回路であって、高周波スイッチ回路SWと送信回路との間に、第1の分波回路DIP1と各送受信系の送信信号の電力検出手段PDとを備え、高周波スイッチ回路SWと受信回路との間に第2の分波回路DIP2を備え、電力検出手段PDにより得られた複数の送受信系の信号が入力し検波信号を出力する検波回路15を備えることを特徴とする高周波回路。 (もっと読む)


【課題】電力増幅部が無バイアス状態になることなく、バイアス回路の切り替えが可能な送信回路を提供する。
【解決手段】第1のバイアス回路24は、電力増幅部17に第1のバイアス信号を供給する。第2のバイアス回路25は、電力増幅部17に第2のバイアス信号を供給する。第1の遅延回路22は、第1のバイアス回路24の動作の切り替えを第1の遅延時間だけ遅延させる。第2の遅延回路23は、第2のバイアス回路25の動作の切り替えを第2の遅延時間だけ遅延させる。電力増幅部17の動作モードの切り替え時に、増幅用トランジスタ171が無バイアス状態にならないように、第1のバイアス回路24、及び第2のバイアス回路25の両方が所定期間だけ同時に動作する。 (もっと読む)


【課題】出力波形の劣化が少なく、しかも抵抗ばらつきに強く、集積化に適した電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路(100)は、基準電源(41,42)とエミッタホロワ回路(43)とバイアス印加素子(10,11)とエミッタ接地増幅回路(5)とを含む。上記基準電源からのバイアス用電圧を上記エミッタホロワ回路により、上記バイアス印加素子を介して上記エミッタ接地増幅回路のベースに印加することでバイアス電流を供給する。上記エミッタホロワ回路のベースとコレクタとの間に、上記ベースを接地するための容量素子(101)を接続する。この容量素子(101)の接続により、上記エミッタホロワ回路のベースと上記基準電源との間には、アイソレーションのために比較的大きな抵抗を挿入することができ、それによって、基準電源を構成するトランジスタのベース−エミッタ間の非線形成分の影響を小さくして出力波形の劣化の低減を図る。 (もっと読む)


【課題】雑音指数の劣化を抑圧しつつ、インピーダンス整合の広帯域化を可能とした低雑音増幅器を提供する。
【解決手段】低雑音増幅器は、増幅回路201と、バイパス回路202と、広帯域化用並列回路104とに大別されて構成されてなり、高周波信号入力端子1と入力インピーダンス整合回路2の相互の接続点とグランドとの間に接続された広帯域化用並列回路104は、キャパシタ102とインダクタ103とが並列接続されてなり、その共振周波数が低雑音増幅器の所望の周波数帯域の中心周波数付近となる一方、共振周波数より高い周波数、及び、共振周波数より低い周波数においては、それぞれ所望のリアクタンスとなるよう、キャパシタ102及びインダクタ103の回路定数が設定されて、インピーダンス整合の広帯域化が図られたものとなっている。 (もっと読む)


低雑音トランスコンダクタンス増幅を提供するためのデバイスが提示される。前記デバイスは、差動RF入力信号を受信するように構成されたPMOSトランスコンダクタンス部と、前記PMOSトランスコンダクタンス部に結合されたPMOSカスコード部と、前記RF差動入力信号を受信するように構成されたNMOSトランスコンダクタンス部と、前記NMOSトランスコンダクタンス部に結合されたNMOSカスコード部と、を含み、前記PMOSカスコード部及びNMOSカスコード部は、差動直交出力信号及び差動同相出力信号を提供する。RF信号を増幅するための方法も提示される。前記方法は、差動RF入力信号を受信することと、前記差動RF入力信号を電流信号に変換することと、前記電流信号をバッファリングして差動直交出力信号及び差動同相出力信号を提供すること、とを含む。
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【課題】新たに整合回路を設けることなく、高利得動作時と低利得動作時のインピーダンスを同程度に合わせることができるようにして、回路全体の小形化を図ることができる高周波増幅器及び高周波多段増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】増幅素子3の入力インピーダンスに相当する抵抗値を有する抵抗5及びスイッチ6からなる直列回路が増幅素子3の入力側に接続されており、高利得動作を実現する際にスイッチ6がオフされて増幅素子3が動作状態に設定され、低利得動作を実現する際にスイッチ6がオンされて増幅素子3が非動作状態に設定されるように構成する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の変動による増幅率の変動を低減でき、かつ、高周波域で良好なNF特性を有する高周波増幅器を提供すること。
【解決手段】高周波増幅器は、コレクタに電源電圧が印加されるエミッタ接地された第1のバイポーラトランジスタと、第1のバイポーラトランジスタのエミッタに接続された抵抗と、第1のバイポーラトランジスタのエミッタに、抵抗と並列に接続されたコンデンサと、を備える。第1のバイポーラトランジスタのベースに信号が入力され、第1のバイポーラトランジスタのコレクタから増幅信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】温度検出素子を用いることなく、立ち上げ時の発熱による増幅信号の歪み増加を抑えることができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】この電力増幅器によれば、スピードアップ回路122は増幅部をなす増幅トランジスタ103による電力増幅の開始時にバイアス回路111,電源回路112によるバイアス電源部が増幅トランジスタ103に供給するバイアスを過渡的に増加させる。これにより、増幅トランジスタ103による電力増幅の開始時に増幅トランジスタ103の電力増幅率を過渡的に上げる。これにより、増幅トランジスタ103の発熱による温度変動が回路全体で平衡状態になるまでの時間を短縮し変調波信号等の増幅信号の歪みを低減する。 (もっと読む)


【課題】本発明が解決しようとする課題は、パワーアンプ、特に静電誘導トランジスタを最終段に用いたオーディオ用パワーアンプの最終段のトランジスタに流れる電流を制限した回路を提供することである。
【解決手段】本発明による静電誘導トランジスタを用いたパワーアンプ回路の過大電流制限回路では、2つの出力段静電誘導トランジスタの間に挿入した電流検出素子と、この検出素子で検出した電流の大きさを増幅する増幅器と、増幅器の出力で前記出力段静電誘導トランジスタのゲート・ソース間の電圧を変えるスイッチとを有することで、電流が過大になったことを検知して、制限する作用をするものである。 (もっと読む)


【課題】解決しようとする課題は、静電誘導トランジスタを最終段に用いたオーディオ用パワーアンプにおいて、スピーカをドライブするチョークコイルを不要とし、且つ、出力用静電誘導トランジスタの特性選別も容易になり、正負のバランスのよいアンプを提供することである。
【解決手段】本発明では、同一導電型、特に特性の揃ったNチャネル静電誘導トランジスタ2つを出力段としてシリーズに重ねて、両者をシリーズ接続した電圧の同じ電源で各々バイアスし、両Nチャネル静電誘導トランジスタの中間端子と電源の中間端子からスピーカを駆動するようにしたものである。 (もっと読む)


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