【課題】 複数の増幅手段を接地電位と直流電源との間に接続していても、電源の省電力化を図る
【解決手段】 高周波信号を順に増幅するように増幅器６、８、集積増幅回路１２の入出力が接続され、集積増幅回路１２の出力信号をエミッタ共通接続のダブルエミッタトランジスタ２０がベース電極に受けて増幅し、コレクタ電極から出力し、エミッタ電極２０ｅ１、２０ｅ２が接地電位点に接続されている。エミッタ電極２０ｅ１と接地電位点との間に、増幅器６及び集積増幅回路１２の電源端子Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが、直列に接続され、エミッタ電極２０ｅ２と接地電位点との間に、増幅器８の２つの電源端子Ｅ、Ｆが接続されている。 （もっと読む）

【課題】再帰フィルタ回路のエミッタフォロア回路の数を低減し、回路規模が小さい再帰型フィルタ回路を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタ（Ｔｒ）１０１を流れる電流Ｉinとフィードバック電流Ｉfbとを加算して電流Iを生成するノードＢ、電流Iをテール電流とし、ゲインを変更する制御信号が入力されるバイポーラＴｒ１０６及びバイポーラＴｒ１０３を含む差動対１００、バイポーラＴｒ１０６に流れる電流を電圧に変換する抵抗素子１０５を含む可変ゲイン増幅部、変換後の電圧を増幅して出力信号を生成するバイポーラＴｒ１１３を含む出力部１１５、可変容量素子１０４を含むハイパス部、ハイパス部から出力された信号をバッファリングする回路１１４、バッファリングされた信号を、可変容量素子１０９を介して周波数帯域制限するローパス部を含む移相部によって再帰型フィルタを構成する。 （もっと読む）

【課題】ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、製造ばらつき、温度変動や電源電圧変動などに伴う利得変化を抑制することができるようにする。
【解決手段】周囲温度に応じて入力電力検波回路７から出力された検波電圧Ａを規格化するとともに、出力電力検波回路８から出力された検波電圧Ｂを規格化し、その検波電圧Ｂの規格化電圧Ｂを検波電圧Ａの規格化電圧Ａで除算して利得を算出する利得算出回路１１を設け、利得算出回路１１により算出された利得が所望の利得と一致するように、可変減衰器制御回路１３が可変減衰器５における高周波信号の減衰量を制御する。 （もっと読む）

【課題】高利得の増幅器であっても空間ループを原因とした異常発振を確実に防止することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】誘電体基板２上に形成されたマイクロストリップ線路３と、このマイクロストリップ線路３に接続された増幅素子１と、誘電体基板２上に載置された増幅素子１を収容する収容部７ａが形成された金属筐体７と、この金属筐体７の収容部７ａに嵌合するとともに、増幅素子１と対向する面側に第１の溝部８ｂが形成された金属体８と、金属体８の第１の溝部８ｂに嵌挿される第１の導電性ラバー９とを備え、金属筐体７の収容部７ａに金属体８を嵌合した時、第１の導電性ラバー９が誘電体基板２上に実装されている増幅素子１を押圧して、増幅素子１上の空間ループを遮断する。 （もっと読む）

【課題】バイアス電流の制御電圧の設定範囲を拡大させつつ、バイアス回路の構成の自由度を向上させ、簡単かつ小規模な構成で複数の通信方式への対応を実現する高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路１２を、入力されるベース電流に応じたバイアス電流を増幅器１１に供給するトランジスタＱ５と、基準電圧Ｖｒｅｆに応じた電流を流すトランジスタＱ３と、トランジスタＱ３に流れる電流に応じて、トランジスタＱ５のベース電流を補正することにより、トランジスタＱ５の温度特性を補償するトランジスタＱ２と、トランジスタＱ５のベースに接続され、制御電圧ＶＳＷの切り替えに応じてトランジスタＱ５のベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部（トランジスタＱ４及び抵抗Ｒ５〜Ｒ７）とで構成する。増幅器１１は、バイアス回路１２から供給されるバイアス電流を用いて、入力される高周波信号を増幅する。 （もっと読む）

【課題】 不要波の出力を抑制することのできる小型なバイアス回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 半導体素子３に電力を供給するバイアス回路において、インダクタ５及びキャパシタ６が直列に接続された直列回路と、直列回路に並列に接続されて並列回路を構成するインダクタ７と、接地されたキャパシタ８とインダクタ７との間に接続され、外部から電力が供給されるバイアス端子９を備えて、直列回路および並列回路の共振により、半導体素子３の不要波を除去し所望の周波数のみを伝達する。 （もっと読む）

【課題】高効率化の為に回路規模を大きくすることなく歪補償を行う高周波用電力増幅器、および歪補償方法を提供する。
【解決手段】カプラ２で分岐された入力信号の一方をカプラ４へ向けて出力し、他方を９０°ハイブリッドの入力端子ｐ１、他方を可変ＡＴＴ６を介して歪み発生ダイオード１１，１２が接続される入力端子ｐ２へ入力する。そして入力端子ｐ３で位相調整を行い、出力端子ｐ４から予歪を与える歪補償信号を生成し、カプラ４で一方の信号と重畳して増幅器５へ供給する。ダイオード１１は歪みを発生すると共に入力信号を検波した信号を可変ＡＴＴを制御する制御部９へ出力することにより、ダイオードが発生する歪み量を調整して増幅器５に対する歪補償を行う。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ系ＢｉＦＥＴ（ＨＢＴ＋ＦＥＴ）プロセスを用いた基準電圧発生回路に適した、低い基準電圧で動作できるエミッタフォロワ型バイアス回路を提供する。
【解決手段】エミッタフォロワ型バイアス回路は、増幅段トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のベースにバイアス電圧を供給するバイアス回路Ｂｉａｓ１，Ｂｉａｓ２である。このバイアス回路は、基準電圧を昇圧するデプレションモードＦＥＴであるＦｄｂ１と、Ｆｄｂ１により昇圧された基準電圧に応じてバイアス電圧を発生させるエミッタフォロワ回路とを備える。このように基準電圧を昇圧するデプレションモードＦＥＴを設けたことで、低い基準電圧で動作できる。 （もっと読む）

【課題】高速に起動・シャットダウンが可能な高周波増幅回路を実現すること。
【解決手段】バイアス電圧Ｖａ、Ｖｂの供給が停止されると、高周波信号を増幅するトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３はオフとなる。また、同時にトランジスタＴｒ４、Ｔｒ５がオフとなり、キャパシタＣ１、Ｃ２の放電は遮断される。そのため、キャパシタＣ１、Ｃ２には一定の電荷が保持される。その結果、高周波増幅回路１は高速にシャットダウンされる。また、バイアス電圧Ｖａ、Ｖｂが供給されると、キャパシタＣ１、Ｃ２には一定の電荷が保持されるため、キャパシタＣ１、Ｃ２が充電されるまでの時間は非常に短くなる。そのため、高高周波増幅回路１は高速に起動される。 （もっと読む）

【課題】増幅回路の雑音指数の劣化を抑制すること。
【解決手段】送信端子Ｔｘから入力された送信信号を前記共通端子ＡＮＴに接続する送信スイッチＳＷ１と、前記共通端子から入力された受信信号を増幅し、受信端子Ｒｘに出力する増幅回路９０と、前記共通端子から他のスイッチを介さず入力された前記受信信号を前記増幅回路に接続する第１受信スイッチＳＷ２と、前記共通端子と前記受信端子との間で前記第１受信スイッチとは並列に接続され、前記共通端子から入力された前記受信信号を前記増幅回路とは別の経路で前記受信端子に接続する第２受信スイッチＳＷ３と、を具備する電子回路。 （もっと読む）