【課題】入力の整合回路における損失の低減、並びに、回路の簡略化及び小型化が可能な電力分配合成器を提供する。
【解決手段】入力信号が入力される１次巻線としての環状の第１金属配線、及び、２次巻線としての複数の第２金属配線を有し、入力インピーダンスの整合をとるとともに、入力信号を複数の分配信号に分配する入力側トランスフォーマ１２０と、出力信号が出力される２次巻線としての環状の第３金属配線、及び、１次巻線としての複数の第４金属配線を有し、複数の分配信号を合成することで出力信号を出力するとともに、出力インピーダンスの整合をとる出力側トランスフォーマ１３０とを備え、入力側トランスフォーマ１２０が有する金属配線と出力側トランスフォーマ１３０が有する金属配線とは、互いに異なる金属配線層を用いて構成され、かつ、平面視した場合に交差している。 （もっと読む）

【課題】他の回路との磁気的結合による干渉を引き起こしにくい無線周波送信機回路のための差動シングルエンド変換回路を提供する。
【解決手段】異なる位相を有する複数の差動入力波形から無線周波波形を受信するための複数の入力３６１ａ、３６１ｂと、波形を複数の差動入力波形から非反転入力波形とほぼ同じ位相に反転させるためのインバータ回路３６６とを具備する回路が開示される。回路は、反転及び非反転入力波形を出力波形に組み合わせるためのコンバイナノード３６８をさらに具備する。 （もっと読む）

【課題】段間の整合状態を観測して整合回路の調整を行うことのできる高周波半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数の半導体増幅素子７、８を直列に接続して増幅を行う多段型の高周波半導体モジュールであって、パッケージ３内に配置される回路基板４、５，６に、半導体増幅素子７、８間の段間における高周波信号をモニタするためのモニタ回路を具備する。 （もっと読む）

【課題】製造上の素子の特性ばらつきや電源電圧の変更やばらつきに対しても安定化させる。
【解決手段】入力端子２と、入力端子に入力された入力信号を増幅するトランジスタ１と、トランジスタの出力信号を出力する出力端子３と、トランジスタの出力信号の帰還量として振幅を調整して出力する帰還量調整回路１０と、トランジスタに供給されるバイアス電流を生成するバイアス回路９と、帰還量調整回路の出力電圧と参照電圧とを比較して入力信号が前記トランジスタの利得抑圧を発生させることを判定したときトランジスタのバイアス電流を増加させるようにバイアス回路を動作させる差動電圧比較器１１と、参照電圧を生成して差動電圧比較器の一方の入力端に印加させる第１の第１の入力バイアス回路１２と、帰還量調整回路の出力電圧にバイアス電圧を付加して差動電圧比較器の他方の入力端に印加させる第２の第２の入力バイアス回路１３と、を備える低雑音増幅器。 （もっと読む）

【課題】分布定数線路の長さの誤差または製造ばらつき等による特性変動を抑制すること。
【解決手段】制御端子と、第１端子と、第２端子と、を有する第１トランジスタＴ１と、制御端子に前記第１トランジスタの第２端子が接続し、第２端子に直流電源が接続される第２トランジスタＴ２と、前記第２トランジスタの第１端子から前記第１トランジスタの第２端子に直流電流を供給する、互いに独立した配線からなる複数の直流経路１１、１２と、前記複数の直流経路内にそれぞれ直列に設けられた分布定数線路Ｌ１１、Ｌ１２と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】ＲＦで動作するシングルエンド出力であるフィードバック型の広帯域増幅器における二次歪み耐性を向上させる。
【解決手段】主増幅ＭＯＳトランジスタＱ１を含むシングルエンド出力であるフィードバック型の主増幅器３１０における電圧−電流変換抵抗素子Ｒ１と並列に主増幅器３１０とは逆極性のＭＯＳトランジスタで構成されたバイパス回路３２０を設け、このバイパス回路３２０の副増幅ＭＯＳトランジスタＱ３へのバイアス値を所定値に合わせ込むことによって、主増幅器３１０に生じる二次歪成分のみに対し逆極性で且つ相似な特性を呈するバイパス作用信号を生成し、該バイパス作用信号で主増幅器３１０に生じる二次歪成分をバイパス回路３２０側に引き込むことによって、主増幅器３１０とバイパス回路３２０とを含む広帯域増幅器３００の二次歪み耐性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】高い周波数までの二次歪成分を除去し、出力電流信号の線形性を向上させることができ、二次歪耐性（IIP２）を向上させることができる広帯域増幅器を実現する。
【解決手段】第１及び第２のＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２による差動対が発生する二次歪成分電流と逆極性の電流信号を差動対の負荷電流源となる第３及び第４のＭＯＳトランジスタＱ３，Ｑ４によって発生し、逆極性の二次歪電流を相互に打ち消し合うように作用させて線形性を向上させ、更に、第１及び第２のＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２の入力へのバイアスを設定する第１のバイアス回路を第１及び第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流が流れるように、且つ、該ドレイン電流をゲート電圧で二回微分した成分の絶対値が極小となるようなバイアス値を得るようにし、且つ、第３及び第４のＭＯＳトランジスタＱ３，Ｑ４のサイズを二次歪み成分が主成分である電流を生成するように設定する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器と方向性結合器を多層基板内に一体化した高周波モジュールであって、小型、低コスト、高性能な高周波モジュール及び、高周波モジュールを搭載することで、小型化、低コスト化が可能な無線装置を提供する。
【解決手段】多層基板と前記多層基板の上層部で構成された高周波電力増幅器と前記多層基板の内層の上下２層を用いた方向性結合器と、前記高周波電力増幅器と前記方向性結合器の間にある内層のグランドパターンと、前記内層のグランドパターンと裏面のグランドパターン間に設けられている前記高周波電力増幅器用の多数のサーマルビアが方向性結合器と同じ層にある前記高周波電力増幅器用のバイアスラインとの間に設けられている高周波モジュールとする。このことによって小型、低コスト、高性能な高周波モジュールが実現出来る。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧を用いて高性能な電子回路を提供すること。
【解決手段】信号が入力される制御端子と第１端子と第２端子とを有する第１トランジスタＴ１と、第１トランジスタの第２端子が接続された制御端子と第１端子と第２端子とを有する第２トランジスタＴ２と、第２トランジスタの第２端子が接続された制御端子と第１端子と第２端子とを有する第３トランジスタＴ３と、第２および第３トランジスタの少なくとも一方における第１および第２端子間を経由し、経由したトランジスタよりも前段に位置するトランジスタの第２端子に直流電流を供給する第１直流経路３１と、第２および第３トランジスタの少なくとも一方における第１および第２端子間を経由し、経由したトランジスタよりも前段に位置するトランジスタの第２端子に直流電流を供給する第１直流経路とは異なる第２直流経路３２と、第１および第２直流経路の間を共通に接続する共通接続点Ｎ１と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】部品の使用点数を減少させて実装面積を縮小すると共に、信号のスイッチ通過による通過損失を抑制する高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】整合回路２３，２５，２６，２７と少なくとも１以上の高周波電力増幅素子２４とを有する高周波電力増幅器２１であって、前記整合回路は２つのリアクタンス素子３７，３８，３９，４０が直列に接続された第１の整合ライン４１及び第２の整合ライン４２が並列に接続された回路と、前記第１の整合ラインの前記リアクタンス素子間及び前記第２の整合ラインの前記リアクタンス素子間とグランドに接続され何れか一方を選択可能なスイッチ４３とを有し、該スイッチを切替えることで前記第１の整合ライン及び前記第２の整合ラインの何れか一方に信号を伝搬させ、他方を前記グランドに接続させる。 （もっと読む）