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国際特許分類[H03F3/19]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | 増幅器 (10,074) | 増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器 (6,434) | 高周波増幅器,例.無線周波増幅器 (626) | 半導体装置のみをもつもの (431)

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【課題】RF(Radio Frequency)で動作する、シングルエンド出力であるフィードバック型の広帯域増幅器において、特に二次歪み耐性に優れたフィードバック型の広帯域増幅器を実現する。
【解決手段】入力信号を電圧−電流変換して出力するMOSトランジスタQ1の出力電流を第1の抵抗素子R1によって出力電圧に変換し、該出力電圧をMOSトランジスタQ1の入力に第2の抵抗素子R2によってフィードバックする。さらに、第1のバイアス回路(VG1+R3)からMOSトランジスタQ1の入力へバイアスを供給する。そして、このバイアス値を、MOSトランジスタQ1のドレイン電流が流れるように、且つ、MOSトランジスタQ1のドレイン電流をゲート電圧で二回微分した成分の絶対値が極小となるように設定する。 (もっと読む)


【課題】消費電力を削減することができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】本発明のバイアス回路は、コレクタが第1の電源に、エミッタが第1の抵抗器R2を介して第2の電源にそれぞれ接続する第1のトランジスタQ2と、第1のトランジスタQ2にベース電圧を供給する電圧供給回路3と、電圧供給回路3と第3の電源との間に介在するスイッチ素子2と、を備え、前記第2の電源は、スイッチ素子2がオフされるとき、第1のトランジスタQ2のベースにその接合部飽和電圧以上のレベルの電圧が印加されても、第1のトランジスタQ2のベース−エミッタ間の電位差を第1のトランジスタQ2の接合部飽和電圧を下回るレベルにする電位を第1のトランジスタQ2のエミッタに供給する。 (もっと読む)


【課題】パススルーモード時の通過特性を向上できかつ低電源電圧化に対応できるパススルー付き増幅器を提供する。
【解決手段】パススルーモード時に、信号伝達用トランジスタ(M1)とともにバイアス制御用トランジスタ(M2)をオンさせて、出力端子OUTの電圧をバイアス制御用トランジスタ及び抵抗(R1)を介してグランド電位に維持させる。これにより、信号伝達用トランジスタの制御端子には電源電圧が印加され、信号伝達用トランジスタの一方の主端子はグランド電位に維持されるので、信号伝達用トランジスタのオン抵抗が最大限に減少する。 (もっと読む)


【課題】高周波増幅装置のダイナミック利得特性を一定にし、高効率に動作させ高周波増幅装置の非線形歪みを低減した高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】印加される電源電圧に基づき入力信号を増幅するソース接地又はエミッタ接地された高周波電力増幅器7、入力信号の包絡線成分を検出する第1の包絡線検出手段3、第1の包絡線検出手段で検出された包絡線成分に従った電源電圧を生成して高周波電力増幅器のドレイン電圧又はコレクタ電圧供給端子に印加するドレイン電圧又はコレクタ電圧生成手段4〜6、高周波増幅装置の瞬時入力信号に対する瞬時出力信号のダイナミック利得特性が一定となるように、入力信号の包絡線成分に従って高周波電力増幅器へのゲート電圧又はベース電圧を生成し高周波電力増幅器の入力信号も入力されるゲート電圧又はベース電圧供給端子に印加するゲート電圧又はベース電圧調整手段8〜11、を備えた。 (もっと読む)


【課題】外部部品を必要とせず、異なる周波数帯域で整合をとることができ、低コスト化を図ることができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】増幅器の入力側、出力側に接続するインピーダンス制御回路を備え、このインピーダンス制御回路は、インピーダンス素子とスイッチ素子の直列回路で構成する。そして、スイッチ素子は、スイッチ素子制御端子が開放状態あるいは接地状態に制御されることで、スイッチング動作される構成とする。 (もっと読む)


【課題】差動増幅器が持つ周波数帯域を広げることができるジャイレータ回路、及びこのジャイレータ回路を有する広帯域増幅器及び無線通信装置を提供すること。
【解決手段】ベースを差動入力端子T1,T2とし、コレクタを差動出力端子T3,T4とする一対のトランジスタQ3,Q4からなる第1のトランスコンダクタンスアンプ31と、第1のトランスコンダクタンスアンプ31の差動出力端子T3,T4間に接続されたコンデンサC1と、エミッタを差動入力端子T5,T6とし、コレクタを差動出力端子T7,T8とする一対のトランジスタQ5,Q6からなる第2のトランスコンダクタンスアンプ32とを有し、第1のトランスコンダクタンスアンプ31の差動入力端子T1,T2と第2のトランスコンダクタンスアンプ32の差動出力端子T7,T8とを分離した状態としてジャイレータ回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】動作モードとして線形動作モードと非線形動作モードとを切り替える送信回路において、回路規模を増大させずに、温度変化或いは個体バラツキに起因して動作モード切り替え時に発生する出力パワーのばらつきを補償して送信信号の品質低下を抑えること。
【解決手段】ゲイン設定部160は、可変利得増幅器140を線形動作させる値であって、かつ、送信信号の設定パワーレベルに応じた可変利得増幅器140のターゲットレベルと、パワー検出部150により検出された可変利得増幅器140の出力信号のパワーレベルとの比較結果(出力誤差レベル)に応じ値に、可変利得増幅器140のゲイン(ターゲットゲイン)を設定する。そして、可変利得増幅器140は、ゲイン設定部160により設定されたターゲットゲインに応じて、振幅位相変調信号又は位相変調信号(位相経路信号)を増幅する。 (もっと読む)


【課題】素子特性の相違に起因するドレイン電流のばらつきを低減することが可能な増幅装置を得る。
【解決手段】増幅装置3Bは、入力端子12に入力された入力信号S1を増幅することにより、出力端子14から出力信号S2を出力する増幅素子10と、増幅素子10の近傍に配置され、増幅素子10の温度に応じて出力値が変化する温度検出素子41と、温度検出素子41の出力値に基づいて、増幅素子10を流れるドレイン電流Idの電流値を既定値に近付けるための出力電圧V6を生成し、当該出力電圧V6に基づくバイアス電圧V7を増幅素子10のゲート電極Gに印加するオペアンプ11と、を備える。 (もっと読む)


【課題】
無線周波数(RF)電力増幅装置。
【解決手段】
電力増幅システムは、電力トランジスター(354、358)およびバイアス回路類(310)を含む電力制御装置およびパワーアンプ(220)を含んでいる。
バイアス回路類は、電力制御装置によって供給される電圧における変化全体にわたって、実質上一次的な動作で自動的に電力トランジスターを維持するような方式によって、1つ以上の電力トランジスター(354、358)の基部に電流を提供する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の変動、また周囲温度の変化や製造バラツキによるトランジスタの電流増幅率のバラツキによらず、高周波信号増幅回路の消費電流を安定化することである。
【解決手段】高周波信号増幅回路1は、アンテナ2から出力された高周波信号を増幅するNPNトランジスタ14と、NPNトランジスタ14により増幅された高周波信号をフィルタリングするバンドパスフィルタ21と、バンドパスフィルタ21によりフィルタリングされた高周波信号を増幅するNPNトランジスタ25と、NPNトランジスタ25に入力する電源用の電流を一定にする電流安定化回路50と、を備える (もっと読む)


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