【課題】高電圧処理能力および改善された実行能力を有する効率的なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】第１および第２のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタを有し、第２のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタは、第１のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタよりも大きな降伏電圧を有する。さらに、第１のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタと並列に配置されるシリコンダイオードを有し、この並列配置は、第２のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタと直列に接続、効率的な３端子デバイスであり、第１端子は第２のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタのゲート、第１のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタのソースおよびシリコンダイオードのアノードに結合する。第２端子は第１のＩＩＩ−Ｖ族トランジスタのゲートと結合し、第３端子は第２ＩＩＩ−Ｖ族トランジスタのドレインと結合する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体デバイスを使用する電池駆動のドライバと同程度に効率的な圧電アクチュエータ用のシングルチップドライバを提供する。
【解決手段】圧電アクチュエータ用のドライバは、単一の半導体デバイスとしてパッケージされる、好ましくは単一の半導体ダイの上に形成されるパルス幅変調器３３および出力増幅器３４を含む。ドライバは、好ましくはプログラム可能な利得を有する出力増幅器３４に電力を供給する第１の昇圧コンバータを含む。第１の昇圧コンバータのスイッチングトランジスタのゲートを駆動するための第２の増幅器は、第２の昇圧コンバータによって電力が供給される。圧電アクチュエータ２２は、電池駆動の電子デバイスのキーボードまたはディスプレイに対して触覚フィードバックを提供する。 （もっと読む）

【課題】消費電力低下および速度向上が可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路２は、第１入力端子１１、第２入力端子１２、第１出力端子２１、第２出力端子２２、第１ＰＭＯＳトランジスタ３１、第２ＰＭＯＳトランジスタ３２、第１ＮＭＯＳトランジスタ４１、第２ＮＭＯＳトランジスタ４２、第１ブートストラップ回路５１および第２ブートストラップ回路５２を備える。第１ブートストラップ回路５１は、第１充電用スイッチ５１１，第１転送用スイッチ５１２，第１容量部５１３および第１インバータ回路５１４を含む。第２ブートストラップ回路５２は、第２充電用スイッチ５２１，第２転送用スイッチ５２２，第２容量部５２３および第２インバータ回路５２４を含む。 （もっと読む）

【課題】回路面積の削減しつつ、消費電流やピーク電流の増大を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】昇圧回路は、第１ないし第４の整流素子と、第１ないし第４のＭＯＳトランジスタと、第１ないし第４のキャパシタと、スイッチ回路と、を備える。スイッチ回路は、第１のＭＯＳトランジスタの他端と第３の整流素子の一端との間の第１の接続点、および、第２のＭＯＳトランジスタの他端と第４の整流素子の一端との間の第２の接続点に接続された低レベル端子と、第３のＭＯＳトランジスタの他端、および、第４のＭＯＳトランジスタの他端に接続された高レベル端子と、を有し、低レベル端子の電圧または高レベル端子の電圧を切り換えて、出力端子に出力するスイッチ回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】短時間で出力電圧が昇圧規定電圧に達し、その後は小さいリップル幅を有するチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】チャージポンプ回路１００は、制御部１０と発振回路２０と昇圧部３０とを有する。発振回路２０は、予め定められた周期のパルス信号を出力する。昇圧部３０は、電圧を昇圧する複数個の昇圧回路を備え、制御部１０が出力する昇圧信号に応じて電荷量を出力する。制御部１０におけるコンパレータ回路１３は、昇圧部３０から出力される電圧と、予め定められた規定電圧とを比較し、比較結果に応じて昇圧信号Ｃｏｎｔ４〜Ｃｏｎｔ１を出力し、昇圧部３０からの供給電荷量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 高速動作するコンパレータを必要とせず、所望の電圧値の電圧を精度良く出力することができるチャージポンプを提供する。
【解決手段】 チャージポンプ１は、出力用キャパシタＣ１、Ｃ２、フライングキャパシタＣ３、入力電源ＨＰＶＤＤ、ＳＰＶＤＤとの間に介在するスイッチ回路２０と、制御部１０とを具備する。制御部１０は、スイッチ回路２０を介して入力電源によるフライングキャパシタＣ３の充電とフライングキャパシタＣ３から出力用キャパシタＣ２への電圧の再分配を行わせる。制御部１０は、入力電源ＳＰＶＤＤにフライングキャパシタＣ３の充電を行わせる際、ＰチャネルトランジスタＰ５のコンダクタンスまたは出力電流値を漸次増加させ、フライングキャパシタＣ３の充電電圧ＣＰが予め与えられた基準電圧ＶＬＭＴを越えたのを検出して当該トランジスタをＯＦＦさせる充電制御手段を具備する。 （もっと読む）

【課題】入力信号の振幅に対して動作マージンの広い回路を提供。
【解決手段】第１の電源と出力端子とを接続する第１のトランジスタと、第１のトランジスタのゲート端子に第１の入力信号を印加する、第１のトランジスタと同じ導電型の第２のトランジスタと、を備え、第１の入力信号に対してレベル反転して遅延させ、さらに直流バイアスされた第２の入力信号を、第２のトランジスタのゲート端子に入力する。 （もっと読む）

電圧調整器のチャージポンプ回路の各スイッチング素子は、並列に接続される比較的大型のＭＯＳトランジスタと関連付けられた、比較的小型のＭＯＳトランジスタを備える。第１の動作モードにおいて、小型のトランジスタのみがスイッチングされ、一方、第２の動作モードにおいて、大型のトランジスタがスイッチングされる。このようにして、第１の動作モードにおけるスイッチング損失を減少させることができる。
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信頼性を向上させるため、スイッチング性能向上のための接続バルクと均一電圧分布のためのバイアス抵抗器とを備えるスイッチが説明される。一例示的設計において、スイッチ（７００）はスタックに結合された複数のトランジスタ（７１０ａ−ｋ）と、スタック内の少なくとも１つの中間ノードへ結合された少なくとも１つの抵抗器（７４０ａ−ｋ）とを含む。トランジスタは、（ｉ）スタック内の第１のトランジスタへ印加される第１の電圧と、（ｉｉ）第１の電圧より低く、トランジスタのバルクノードへ印加される、第２の電圧（Ｖ_ＢＵＬＫ）とを有する。抵抗器（７４０ａ−ｋ）は、トランジスタ（７１０ａ−ｋ）がオフのときにトランジスタ（７１０ａ−ｋ）の整合バイアス状態を維持する。一例示的設計では、各トランジスタのソースおよびドレイン間に１つの抵抗器が結合される。別の例示的設計では、各中間ノードと第１の電圧との間に１つの抵抗器が結合される。この抵抗器は各トランジスタのソースを第１の電圧に維持する。
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第１端子、第２端子、第１端子と第２端子の間に結合される第１電子制御スイッチ、及び第１端子の電位が第２端子の電位より第一値だけ高い場合に第１電子制御スイッチを閉じるように配置された第１電荷ポンプとから構成される低電圧降下単方向電子バルブ。第１電荷ポンプは第２端子電位より第一値だけ高い第１端子電位を継続して維持するように第１電子制御スイッチと閉ループに配置される。 （もっと読む）