【課題】電圧伝達経路における電圧降下が小さい過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】入力電圧と第１の電圧とを入力して、昇圧した第２の電圧を、電圧伝達経路１１０の遮断または導通を制御するスイッチ回路ＳＷのＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに供給する昇圧回路ＣＰと、ＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに蓄積された電荷を放電する放電回路ＤＣＧとを備える。 （もっと読む）

【課題】チャージポンプ回路を駆動するクロックバッファ回路に流れる瞬時電流を抑制すること。
【解決手段】
第１のトランジスタ（Ｔ１１）のドレインを第１のキャパシタ（Ｃ１１）によって第１の制御信号（ＤＣＬＫ１０）に応じて昇圧駆動する第１のバッファと、第１のトランジスタ（Ｔ１１）のゲートを第２のキャパシタ（Ｃ１２）によって第２の制御信号（ＧＣＬＫ１０）に応じて昇圧駆動する第２のバッファとから構成される電圧変換回路おいて、
第１のバッファは，第１の制御信号（ＤＣＬＫ１０）の遷移時の駆動能力が，第２の制御信号（ＧＣＬＫ１０）の遷移時の駆動能力よりも低いことを特徴とする電圧変換回路。 （もっと読む）

【課題】入力信号が有する２値の電位に関わらず、正常に動作させることが可能なデジタ
ル回路の提案を課題とする。
【解決手段】半導体装置の一態様は、入力端子、容量素子、スイッチ、トランジスタ、配
線、及び出力端子を有し、前記入力端子は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続さ
れ、前記配線は、前記スイッチを介して前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、前記トランジス
タのソース又はドレインの他方は、前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送経路におけるインピーダンス変動の変動を抑え、高周波信号の挿入損失を向上させることができるスイッチ回路を提供すること
【解決手段】本発明にかかるスイッチ回路１０は、入力端子１１と出力端子１２との間において信号を伝達する第１の伝送路上に設けられたＦＥＴ１４と、入力端子１３と出力端子１２との間において信号を伝達する第２の伝送路上に設けられたＦＥＴ１５と、入力端子１３とＦＥＴ１５との間に一端が第２の伝送路と接続され、他端がオープンスタブ１７である第３の伝送路と、第３の伝送路上に設けられたＦＥＴ１６と、を備え、第１の伝送路上を信号が伝達される場合、ＦＥＴ１４及びＦＥＴ１６がオン状態となり、ＦＥＴ１５がオフ状態となるように制御されるものである。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のゲート電流を所望の電流値に高精度に設定でき、スイッチング損失の低減が可能な電圧駆動型スイッチングデバイスの駆動回路を得る。
【解決手段】ＩＧＢＴ１のゲート端子に接続され、駆動用パルス信号２のオン／オフゲート制御信号に基づき、ＩＧＢＴ１をターンオン／ターンオフさせるゲート信号を前記ゲート端子に出力するゲート駆動定電流回路が示されている。このゲート駆動定電流回路は、正電源３とＧＮＤ電位４間に直列に接続された第１の抵抗５と第１のトランジスタ１５と第２の抵抗６と制御信号伝達トランジスタ７、および正電源３とＩＧＢＴ１のゲート端子間に直列に接続されたゲートオン抵抗８と定電流出力トランジスタ９を備え、第１のトランジスタ１５のベース端子は第１のトランジスタ１５のコレクタ端子と短絡接続されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子駆動回路において、スイッチング素子のスイッチング損失を抑制する。
【解決手段】 ゲート電圧検出回路２０１は、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓを検出し、このゲート電圧がスイッチング素子１１の閾値電圧未満に設定された所定電圧未満のとき、Ｈレベルの昇圧指示信号を出力する。電圧制御回路１０３は、前記昇圧指示信号がＬレベルの間は、制御電源１０２の所定電圧Ｖ１をそのまま出力し、前記昇圧指示信号がＨレベルの間は、前記所定電圧Ｖ１を昇圧した電圧Ｖ２を出力する。駆動信号出力回路１０４は、ＰＷＭパルス出力回路１１１から出力されるＰＷＭパルスの電圧を電圧制御回路１０３から出力される電圧に増幅する。従って、駆動信号出力回路１０４からスイッチング素子１１への駆動信号は、前記ＰＷＭパルスがＨレベルになった時に、先ず昇圧された電圧Ｖ２となり、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓが所定電圧にまで上昇すると、所定電圧Ｖ１となる。 （もっと読む）

【課題】ゲートコレクタ間容量が大きい場合でも、キャパシタンスを大きくすることなく、ターンオン損失を低減することができる電圧駆動型素子を駆動するための駆動回路を提供することにある。
【解決手段】本発明では、駆動回路の最終段トランジスタＴｒ１の出力点とＩＧＢＴのゲート端子Ｇとの間を、ゲート抵抗Ｒｇ１を介して接続し、ゲート抵抗Ｒｇ１にコンデンサＣｅｘの一端を接続し、コンデンサＣｅｘの他端を駆動回路の電源Ｖｃｃへ接続している。ＩＧＢＴのゲートエミッタ間容量Ｃｇｅに蓄積された電荷が、ＩＧＢＴのゲートコレクタ間容量Ｃｇｃへ放電された後、コンデンサＣｅｘを介して、電源Ｖｃｃから少なくともゲートエミッタ間容量Ｃｇｅを充電する。 （もっと読む）

【課題】高電位側スイッチ素子の十分な駆動電圧を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、入力電圧用端子、出力用端子、接地電位用端子、電源電圧用端子、第１端子を有し、入力電圧用端子と出力用端子との間にソースードレイン経路を有する第１ＭＯＳを含む第１チップ、出力用端子と接地電位用端子との間にソースードレイン経路を有する第２ＭＯＳを含む第２チップ、第１ＭＯＳのゲートにその出力が接続された第１駆動回路、第２ＭＯＳのゲートにその出力が接続された第２駆動回路、電源電圧用端子に接続されたドレインと、第１端子に接続されたソースとを有するＰＭＯＳとを含む第３チップが一つのパッケージ内に封止され、第１端子と出力用端子との間に容量が接続可能とされ、第２ＭＯＳがオンとされるとき、ＰＭＯＳはオンとされ、第２ＭＯＳがオフとされるとき、ＰＭＯＳはオフとされる。 （もっと読む）

【課題】 負荷への通電を妨げることなく、昇圧した電圧が低下することを防止することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】 複数相の駆動回路のうちの少なくとも２相間において昇圧用コンデンサ４７，６７と第３の電源４５，６５との接続部に設けられ、昇圧された電圧が出力される昇圧電源端子１０，１３同士の電気的な接続または遮断を選択する少なくとも１つのスイッチ回路１０２と、少なくとも１つのスイッチ回路１０２を制御する少なくとも１つのスイッチ制御回路１１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】一導電型のＴＦＴのみを用いて回路を構成することにより工程削減が可能であり
、かつ出力信号の電圧振幅が正常に得られる表示装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】出力ノードに接続されているＴＦＴ２０３のゲート−ソース間に容量２０５
を設け、ＴＦＴ２０１、２０２からなる回路は、ノードαを浮遊状態とする機能を有する
。ノードαが浮遊状態のとき、容量２０５によるＴＦＴ２０３のゲート−ソース間の容量
結合を利用してノードαの電位をＶＤＤよりも高い電位とし、これによって、ＴＦＴのし
きい値に起因する振幅減衰が生ずることなく、正常にＶＤＤ−ＧＮＤ間の振幅を持った出
力信号を得ることが出来る。 （もっと読む）