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国際特許分類[H03K17/30]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | パルス技術 (16,231) | 電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの (5,698) | スイッチ動作の前に所定のしきい値を設けるための変形 (99)

国際特許分類[H03K17/30]に分類される特許

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【課題】 簡単な構成で基板電圧を制御することにより、動作部の動作速度の向上及び低消費電力化を図ることが可能な集積回路を提供する。
【解決手段】 スイッチ回路を多段接続してなる論理回路群を複数備えてなる集積回路であって、論理回路群の少なくとも1つが、特定のスイッチ回路の制御信号を用いて他のスイッチ回路の一部または全部の基板電圧を制御するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】入力電源電圧が出力段のトランジスタの閾値電圧以下の低い領域にあっても、出力電圧の不要な持ち上がりを抑圧し、確実な回路動作を実現する。
【解決手段】出力用NMOSトランジスタ11のバックゲートは、定電流源25が接続されたバックゲート駆動用NMOSトランジスタ12のドレインに接続されており、出力用NMOSトランジスタ11が未だオンとならない入力電源電圧が低い領域にあっては、バックゲートに正の電圧が印加される一方、入力電源電圧が上昇すると、出力用NMOSトランジスタ11と共にバックゲート駆動用NMOSトランジスタ12がオンとされることで、バックゲートはグランドレベルとされるため、出力用NMOSトランジスタ11の閾値電圧の引き下げと、出力電圧の持ち上がりが抑制されるようになっている。 (もっと読む)


【課題】 性能を落とすことなく低電圧化が可能な電流スイッチを提供することを目的にする。
【解決手段】 正電源と負電源の間に基準電流源とバイアス回路を接続し、この接続点を第1のエミッタフォロアに入力して、この第1のエミッタフォロアが、差動入力信号が入力される差動対回路を駆動し、差動対回路の出力を第2のエミッタフォロアに入力して、この第2のエミッタフォロアの出力を電流出力部に入力するようにした。また、これらの回路を構成するトランジスタのエミッタ面積と抵抗の比を所定の比率に調整するようにした。出力部のエミッタ結合対と負電源の間のトランジスタを省略できるので、低電圧化することができる。 (もっと読む)


【課題】 駆動する定電流駆動差動出力ドライバーのコモンモードノイズを低減でき、かつ、回路構成が簡単でチップ面積の増大を防止することのできるプリドライバー回路を提供する。
【解決手段】 プリドライバー回路1Aは、入力信号in_pが入力されて出力信号pre_out_n1を出力するインバータ11と、入力信号in_pの信号レベルを反転した入力信号in_nが入力されて出力信号pre_out_p1を出力するインバータ12と、インバータ11およびインバータ12が接続されるVDD電源にソースが接続され、インバータ11の出力端子にドレインが接続され、入力信号in_nがゲートへ入力されるPMOSトランジスタ13と、VDD電源にソースが接続され、インバータ12の出力端子にドレインが接続され、入力信号in_pがゲートへ入力されるPMOSトランジスタ14とを備える。 (もっと読む)


【課題】少数のMOSで構成することができ、基板電流を回避することができる、3値論理インバータ回路を提供すること。
【解決手段】第1から第4のMOSを備え、第1から第4のMOSのゲート端子に、共通の入力信号を入力可能とし、第1のMOS及び前記第3のMOSにおける、サブストレート端子を第1の基板電圧に接続すると共に、ソース端子を第1の信号電圧に接続し、第2のMOS及び前記第4のMOSにおける、サブストレート端子を第2の基板電圧に接続すると共に、ソース端子を第2の信号電圧に接続し、第3のMOSのドレイン及び第4のMOSのドレインを相互に接続すると共にこの接続点を第2のMOSのソース端子に接続し、あるいは、第1のMOSのドレイン及び第2のMOSのドレインを相互に接続すると共にこの接続点を第3のMOSのソース端子に接続した。 (もっと読む)


【課題】 イコライザによるイコライジングのレベル設定を変える必要がなく、また、キャパシタによる面積の増大を解消し微細化に適した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 伝送されてきた信号をイコライズする機能を有する半導体集積回路において、受信した信号を差動増幅するバッファ101と、バッファ101から出力された信号を受信し、増幅するバッファ102と、バッファ101から出力された信号を受信し、バッファ102よりも高いコモンモード電圧で増幅するバッファ103と、バッファ101から出力された信号を受信し、バッファ102よりも低いコモンモード電圧で増幅するバッファ104と、信号の状態からバッファ102、103、104の出力信号の内、少なくとも一つの出力信号を選び出し、選び出された出力信号をサンプリングするサンプラー105を備えることを特徴としている。 (もっと読む)


本発明は、トランジスタの差動対を用い、かつ低供給電圧Vcc下で動作できる電流スイッチに関する。本発明によれば、共にカスケードされたそれぞれ2つのトランジスタの2つの差動対(T1、T1b;T2、T2b)を含む電流スイッチが提供されるが、第2の対(T2、T2b)は、入力部(E、Eb)の状態によって反転する相補電流出力部(H、Hb)を有する。第1の対(T1、T1b)は、電流源を通して接地(GND)され、値Ioの電流を供給し、電圧Vbiasのバイアスをかけられるトランジスタ(Ts1)を含み、N.Vbe+Vbiasに等しい電圧を供給されるが、ここで、Nは整数(好ましくは1に等しい)であり、Vbeは、トランジスタ(Ts1)のベース−エミッタ電圧である。第2の対(T2、T2b)は、抵抗器(R2)を通して直接接地される。本発明は、サンプルホールド回路、マルチプレクサ、高速低電圧論理回路等のオン−オフ制御に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】 簡単なバルク電位制御の回路構成で回路面積の増大を防ぐことができ、MOSトランジスタのしきい値電圧の絶対値を調整することができると共にしきい値電圧のばらつき幅を低減させることができ、安定した低電圧動作を行うこと。
【解決手段】 しきい値電圧を制御したいトランジスタT2のバルク端子bを、同しきい値電圧を有し、ゲート端子gとドレイン端子dを短絡したダイオード接続型のトランジスタT1のゲート端子gと接続することで、しきい値電圧に応じたバルク電位を発生させ、しきい値の絶対値及びばらつき幅を抑制することを可能とする。 (もっと読む)


二つの論理値(VDD,VSS)の一つを二つの電圧レベルのどちらかで表すことによって、システムのある部分(10)から別の部分(14)へ導体(12)に沿って論理値を伝達する電気的駆動回路を提供する。コンデンサ(CR1)が、駆動回路を含むチップとそれがマウントされている基板との間の接地・電源基準差を減少させる。コンデンサは、電源と接地との減結合をももたらす。他の態様では、制御スルーレートランプが入射波、外向きの波、ターンオンを開始させ、およびこれについての回路を説明する。制御スルーレートランプを完了するのにかかる時間は調整可能である。この構成によって、消費電力を低減し、同時に所望の信号特性を得ることができる。
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【課題】 電子スイッチの強電波による誤動作を抑制できるようにする。
【解決手段】 比較回路COM21の負入力端子に供給される電圧値が電波非検出で、かつ、遊技球非検出を示す電圧値V1である場合、弁別閾値となる電圧値V41を電波非検出で、かつ、遊技球検出を示す電圧値V2と電波検出を示す電圧値V3との中間電圧値V41hiに切り替え、比較回路COM21の負入力端子に供給される電圧値が電圧値V2である場合、弁別閾値となる電圧値V41を電圧値V1と電圧値V3との中間電圧値V41loに切り替えるようにしたので、電波が検出されると、電子スイッチ21により遊技球31は検出されるものの、カウントするための比較回路COM21の動作が保持されることになる。本発明は、パチンコ遊技台に適用することができる。 (もっと読む)


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