【課題】電源電圧の全範囲にわたって論理回路の論理閾値を線形に制御可能にする。
【解決手段】論理閾値制御電圧を論理閾値制御回路に入力させ、前記論理閾値制御回路の出力を論理回路の出力端子に接続させ、前記論理回路の論理閾値を電源電圧の全範囲にわたって変換する。 （もっと読む）

【課題】 サブスレッショルドリーク電流を低減した論理ゲートを提供する。
【解決手段】 ソースに第１の電圧が印加され、ゲートに第１の入力信号が入力され、ドレインから第１の出力信号を出力する第１のトランジスタと、ソースに第１の電圧よりも低い第２の電圧が印加され、ゲートに第２の入力信号が入力され、ドレインから第２の出力信号を出力する第２のトランジスタと、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタのドレイン間に接続され、第１のトランジスタと第２のトランジスタを接続または切り離す接続切換部とを有する構成である。 （もっと読む）

【課題】リーク電流遮断回路を備える半導体装置において、別途データ保持回路の配置領域や記憶手段を設けることなく、そのデータが破壊されるのを防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】データ保持回路を含む内部回路と、電源側およびグランド側のリーク電流遮断回路とを備える。例えば、グランド側のリーク電流遮断回路は、内部回路を構成するグランド側トランジスタのソースとグランドとの間を電気的に接続状態または遮断状態とするスイッチと、グランド側トランジスタのソースの電位がグランドの電位と略等しいことを検出するとスイッチを遮断状態とし、グランド側トランジスタのソースの電位がデータ保持回路にデータを保持するために必要なローレベルの最高電位よりも低い所定の電位まで上昇したことを検出するとスイッチを接続状態とする制御回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 入力回路のしきい値を調整することなく、製造ばらつきに関わらず安定して動作するトレラント入力回路を提供する。
【解決手段】 入力パッド１と入力回路２との間にＮチャネルＭＯＳトランジスタにてなる降圧素子Ｔr3を介在させ、降圧素子Ｔr3のゲートに入力回路の電源ＶDDを供給して、入力パッド１に入力される高電圧信号を、電源ＶDD電圧以下に降圧して入力回路２に供給するトレラント入力回路であって、入力パッド１に高電圧信号が入力されたとき、降圧素子Ｔr3のバックゲート電圧を上昇させるバックゲート電圧制御回路を備えた。 （もっと読む）

【課題】 １００Ｖ超の高耐圧素子を用い、かつ容量性負荷を駆動させる場合でも、ハイレベルとミドルレベルの間の電位差を高耐圧素子の耐圧の範囲内で、自由に設定することを目的とする。
【解決手段】 各ドレインが出力端子４に接続された、ハイレベルトランジスタ６とミドルレベルトランジスタ７とロウレベルトランジスタ８の３個のトランジスタを有し、それぞれオン時にハイレベル、ミドルレベル、ロウレベルを出力する。さらにミドルレベルトランジスタ７と出力端子４の間に、カソードが出力端子４に接続された逆流防止ダイオード２９を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ回路を用いた差動出力回路において、電源・温度・プロセス等の変動による影響により、不所望の大きさのＶＣＭ変動が発生している。
【解決手段】 本発明による低振幅差動出力回路は、相互に相補である正相駆動信号ＭＩＮＴと逆相駆動信号ＭＩＮＢとによる差動信号であるメインバッファ駆動信号ＭＩＮＴ／ＭＩＮＢを出力するプレバッファ回路１と、プレバッファ１に接続され、メインバッファ駆動信号ＭＩＮＴ／ＭＩＮＢに応答して差動出力信号ＯＵＴＴ／ＯＵＴＢを出力するメインバッファ回路２とを備え、正相駆動信号ＭＩＮＴと逆相駆動信号ＭＩＮＢは、第１の電位ＶＤＤと第２の電位ＧＮＤとの電位差を振幅とし、正相駆動信号ＭＩＮＢと逆相駆動信号ＭＩＮＢは、前記第１の電位と前記第２の電位との中間の電位と、前記第１の電位との間の電位で同電位となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路の性能の最適化と消費電力の低減を実現すること。
【解決手段】 各機能回路ブロック４００ａ〜４００ｎは、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造のシリコン基板上に形成されたＭＩＳ（Metal Insulated Semiconductor）トランジスタにより構成され、高電位側電位と、低電位側電位と、ＰチャネルＭＩＳトランジスタの基板電位と、ＮチャネルＭＩＳトランジスタの基板電位とからなる電位組を少なくとも一つ有し、複数の電源配線は、前記電位組に含まれるそれぞれの電位へ電圧を供給し、コントローラ２００は、前記複数の電源配線それぞれへ発生させる電圧の値を決定し、決定した値の電圧を発生させることを電源制御ＩＣ３００へ指示し、電源制御ＩＣ３００は、コントローラ２００の指示に基づいて、前記複数の電源配線それぞれへ電圧を発生する。
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【課題】 論理入力信号やノイズのレベルに適切に対応することが可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】 レベルシフト回路において、一端にて論理入力信号が入力される容量素子と、容量素子の他端に接続された入力に対して第１の論理反転レベルを有する第１の論理反転回路および第２の論理反転レベルを有する第２の論理反転回路を含み、第１と第２の論理反転回路の出力極性が一致することで第２の論理振幅を有する論理出力信号を反転する論理出力回路と、容量素子の他端に入力の一端と出力が接続され、前記第１の論理反転レベルよりも低く第２の論理反転レベルよりも高い第３の論理反転レベルを有する第３の論理反転回路と、第１および第２の論理反転回路と第２の論理振幅に対応する電源とを接続し、前記第１の論理反転レベルおよび前記第２の論理反転レベルを設定する論理反転レベル設定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧で高速高精度な動作を行なうことができるＭＯＳ型トランジスタを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ゲート入力部１２およびボディ入力部１４を有する少なくとも１つのＭＯＳ型トランジスタ１０と、ゲート入力部１２に第１制御信号（ゲート電圧Ｖ_g（ｔ））を送出する第１出力部２２、およびボディ入力部１４に第２制御信号（ボディ電圧Ｖ_b（ｔ））を送出する第２出力部２４を有する制御回路２０とを備える。制御回路２０は、ゲート電圧Ｖ_g（ｔ）の印加によってＭＯＳ型トランジスタ１０をＯＮ状態にした後、ＭＯＳ型トランジスタ１０がＯＮ状態にある間にＭＯＳ型トランジスタ１０の閾値を上昇させるように、ボディ電圧Ｖ_b（ｔ）のレベルを変化させる。 （もっと読む）

【課題】 ３^３＾２＝１９６８３種類存在する全ての二変数三値論理関数回路を実現するために必要となる基本回路の種類を著しく削減するとともに、スイッチング時間の非対称性も著しく小さくすることができる三値論理関数回路を提供する。
【解決手段】 二変数三値論理演算を行う三値論理関数回路は、第１の入力ａを構成する３つの論理値−１，０，１に応じて、一変数三値論理関数回路Ｃ１，Ｄ１，Ｃ２，Ｄ２，Ｃ３，Ｄ３によって３つのトランスファーゲートＴ１，Ｔ２，Ｔ３を導通又は遮断し、第２の入力ｂに接続される３つの一変数三値論理関数回路Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３の出力を選択する。 （もっと読む）