国際特許分類[H03K17/60]の内容
電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | パルス技術 (16,231) | 電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの (5,698) | 特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの (2,578) | 能動素子として半導体装置を用いるもの (2,114) | 装置がバイポーラトランジスタであるもの (134)
国際特許分類[H03K17/60]の下位に属する分類
制御回路と出力回路の間が電気的に絶縁されたもの (10)
ダーリントン接続
いくつかの入力または出力端子をもつスイッチング装置,例.マルチプレクサ,分配器 (17)
誘導性負荷をもつもの (11)
電流をどちらの方向にも任意に通過させるためのスイッチング装置;電流を任意に逆転させるためのスイッチング装置 (22)
交流電流または交流電圧をスイッチするために特に適合したもの (1)
国際特許分類[H03K17/60]に分類される特許
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通信ドライバ回路
【課題】外乱ノイズが侵入した場合でも、通信線の信号レベルの変動をより確実に防止できる通信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】通信ドライバ部11は、信号バス17にノイズが印加されると、信号レベル変化阻止回路14が、出力段がオープンコレクタタイプで構成される反転増幅回路13の出力信号がローレベル側に変化することを阻止するように動作する。
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高圧パルス発生装置
【課題】小型且つ低価格な高圧パルス発生装置を提供する。
【解決手段】高圧パルス発生装置は、パルス信号を発生するパルス発生部1と、高圧側電圧VDDを生成する高圧側電源2と、低圧側電圧VSSを生成する低圧側電源3と、前記パルス信号に応じて、入力された前記高圧側電圧VDDと前記低圧側電圧VSSとを何れか一方ずつ交互に出力端子O1から出力するスイッチング部4と、前記パルス信号の周波数と、前記高圧側電圧VDDと、前記低圧側電圧VSSとを制御する制御部5と、を備える。
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半導体遮断回路
【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部11が、短絡や過電流が発生したと判断して半導体遮断器12が電流を遮断するとき、スイッチS3,S4の電気的接続状態をオン状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を低い状態にして、半導体遮断器12のゲート電圧VGを半導体遮断器12が遮断を開始する閾値電圧V1よりもやや高いレベルまで短時間で一気に減少させる。次に、スイッチS1,S3の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を高い状態にして、半導体遮断器12のゲート電圧VGを半導体遮断器12が遮断を完了する閾値電圧V2よりもやや低いレベルまで緩やかに減少させる。
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半導体遮断回路
【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部11が、短絡や過電流が発生したと判断し、半導体遮断器12にて電流の遮断を開始するように制御する。半導体遮断器12が電流を素早く遮断することができるように、半導体遮断器12のゲート電圧を、半導体遮断器12が遮断を開始する閾値電圧V1に向けて急激に減少させていく。その後、半導体遮断器12のゲート電圧が閾値電圧V1に達すると、半導体遮断器12のゲート電圧が、半導体遮断器12が遮断を完了する閾値電圧V2になるまで、スイッチS2の電気的接続状態をオン状態、オフ状態に交互に切り替えて、半導体遮断器12のゲート電圧を徐々に減少させていく。
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電気負荷の電流制御装置
【課題】常温環境のみで初期校正を行ない、実用温度環境においても正確な電流制御を行なう。
【解決手段】所定の温度特性を有する電流検出抵抗126の側近位置に温度センサ171を配置して、校正環境と実用環境における抵抗値を推定すると共に、目標負荷電流に対応した校正環境における実測負荷電流を制御特性データとして記憶し、目標負荷電流に対応した補正目標電流を算出し、電流検出抵抗の変動比率に基づく換算目標電流を電流制御の目標電流として制御する。温度センサ171では完全には検知できない電流検出抵抗126の発熱による抵抗変動分は、制御特性データの中で補正され、制御特性の線形性が改善される。
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負荷駆動回路
【課題】 負側共通負荷も正側共通負荷も、高信頼性を保ちつつ低コストで駆動する。
【解決手段】 直流電源8の正電極10に接続可能な正の電源端子4と、直流電源8の負電極12に接続可能な負の電源端子6と、負荷接続端子20a、20bとを、負荷駆動回路2は有している。負荷接続端子20a、20bと対応して、正負の電源端子4、6間に並列にスイッチング回路14a、14bが接続されている。スイッチング回路14a、14bでは、正の電源端子4側に位置する吐き出しトランジスタ16a、16bと、負の電源端子6側に位置する吸い込みトランジスタ18a、18bとを直列に接続してある。吸い込みトランジスタと吐き出しトランジスタとの相互接続点が、対応する負荷接続端子20a、20bに接続されている。
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負荷制御装置
【課題】負荷への電力投入時における突入電流による素子の破壊又は劣化を防止しうる負荷制御装置を提供する。
【解決手段】操作スイッチ4から起動信号を受信したときに、制御部13は、第1電源部14への電力を供給する電源が第2電源部15から第3電源部16に切り替わる前に、主開閉部11に対して主スイッチ素子11aを導通させるための初期駆動信号を出力する。
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負荷制御装置
【課題】スイッチ素子の発熱を抑制して小型化を図りつつ、開閉タイミングを正確に制御して、調光制御等の高度な負荷制御を行うことができる負荷制御装置を提供する
【解決手段】操作部28に入力された操作に応じて、制御部13が交流電源の1/2周期のうちトランジスタ構造の主開閉部11を導通させるために計数される主開閉部導通時間を設定し、電圧検出部18が第3電源部16に入力される電圧が所定の閾値に達したときから計数される第1所定時間と、主開閉部導通時間とが重複している時間だけ、主開閉部11を導通させることにより調光制御する。
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整流回路、該整流回路の制御回路及びこれらそれぞれの回路を内蔵した集積回路素子
【要 約】
【課 題】 低順方向電圧降下、逆流しない整流回路を実現する。
【解決手段】 第3半導体素子の電流路の他端の電位が第2半導体素子の電流路の他端の電位と同一又は超えるとき、該第2半導体素子の電流路は導通し該第2半導体素子の電流路の一端の電位が伝達される第1制御端の電位は低下し第1半導体素子の電流路は非導通であり、前記第3半導体素子の電流路の他端の電位が前記第2半導体素子の電流路の他端の電位未満のとき、該第2半導体素子の電流路は非導通し該第2半導体素子の電流路の一端の電位が伝達される前記第1制御端の電位は上昇し前記第1半導体素子の電流路が導通する前記第2半導体素子の電流路の他端と前記第3半導体素子の電流路の他端間を整流作用電流路とすることを特徴とする整流回路。
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半導体装置
【課題】要求仕様に応じて電気的特性を適切に切り替えることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置101は、スイッチング損失および飽和電圧損失が互いに異なる複数の半導体スイッチ素子11,12と、複数の半導体スイッチ素子11,12のいずれかを選択し、選択した半導体スイッチ素子を駆動する選択駆動部51と、複数の半導体スイッチ素子11,12および選択駆動部51を収容するケースKとを備える。
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