【課題】プラズマ処理装置の状態を高感度で検出し管理することで、長期間安定に処理を行う。
【解決手段】真空処理室１０と、プラズマ生成用高周波電源１６と、入射波５３の処理装置における反射波５４から装置の状態を推定する、波形発生器３２およびＶＣＯ３３、方向性結合器３４、検出器３５、測定データ処理部３６とを有する測定装置部３を備えたプラズマ処理装置において、プラズマ放電のない状態の処理装置内に周波数を掃引した測定用高周波５３を導入し、反射波５４の吸収スペクトル周波数の変動をモニタすることで処理装置の状態変化を管理する。 （もっと読む）

【課題】安全且つ容易に高電圧放電部の動作を確認することができる高電圧放電部の動作確認方法を提供する。
【解決手段】高電圧放電部が動作しているときに前記高電圧放電部に発生する高周波ノイズを高周波ノイズ受信用アンテナＡ１で電気信号に変換し、前記電気信号を増幅回路（エミッタ接地増幅回路の後段にエミッタフォロワ回路を接続した増幅回路）で増幅し、前記増幅回路が出力する増幅信号に基づいて発光ダイオードＰＤ１のオン／オフを制御し、発光ダイオードＰＤ１のオン／オフにより前記高電圧放電部が動作しているか否かを確認することを特徴とする高電圧放電部の動作確認方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中の電子密度を精度よく容易に測定すること。
【解決手段】プラズマ生成室２の一方側の側壁からプラズマ生成領域を介して他方側の側壁に向かって誘電体からなる管状部材４を設け、この内部にて、アンテナ部５２を有する同軸ケーブル５１と、前記アンテナ部５２の進行方向の前方側に間隙を介して設けられた導電性部材５３とを備えたアンテナプローブ５を摺動させる。前記同軸ケーブル５１にネットワークアナライザ７を接続し、これにより高周波の軸対称モードにおける吸収周波数を求め、さらにこの吸収周波数に基づいて、プラズマ中の電子密度を演算する。前記アンテナプローブ５を用いることにより得られる吸収周波数の信頼性が高くなるので、前記電子密度を高い精度で求めることができる。またアンテナプローブ５は管状部材４の内部を摺動させればよいので、気密性を確保しながら容易に移動でき、測定が容易となる。 （もっと読む）

【課題】中央部の放電空間における温度上昇を抑制することができるプラズマ発生体を提供する。
【解決手段】一方向に配列された複数の誘電体３と、該各誘電体３の内部に配設された導電体５とを有し、導電体５間に電圧を印加することにより誘電体３間の放電空間にプラズマを発生可能なプラズマ発生体であって、誘電体３が４つ以上であり、誘電体の配列方向の中央部における誘電体の内部に配設された第１導電体の電気抵抗値は、端部における誘電体の内部に配設された第２導電体の電気抵抗値よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】複数の高周波電源を用いてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において少なくとも一つの高周波電源に過大な反射波が生じたときに当該高周波電源の出力を停止すると共に他の高周波電源の出力を瞬時に停止させること。
【解決手段】複数の高周波電源は各々、発振器と、通信部と、この通信部により停止信号を受信して発振器の出力を停止する出力停止部と、を備え、前記複数の高周波電源のうちの少なくとも一つの高周波電源の出力停止部は、当該高周波電源の発振器から出力される高周波を監視し、高周波の異常時に当該発振器の出力を停止すると共に前記通信部に停止信号を出力する。そして前記少なくとも一つの高周波電源の通信部と他の高周波電源の通信部とを、前記監視部からの停止信号を他の高周波電源に直接送信するために接続する。これによりプラズマの不安定な状態が続くことを抑え、被処理体へのダメージが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】大気圧下において、高強度、かつ、大体積のレーザー光誘起プラズマを、低出力のレーザー光を用いて容易な制御により実現できるようなされたプラズマ生成方法及びプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】光源１０１から発せられた光を物質Ｐに集光させこの物質Ｐにブレークダウン閾値以上のエネルギーを与え、光の集光位置に向けて電磁波発振器１０５により電磁波を放射し、光照射により生成されたプラズマにエネルギーを供給する。光と電磁波とを同期的に制御して、光の照射タイミングと電磁波の放射タイミングとを制御する。その結果、電子が加速され、その電子が中性の原子と衝突することにより、中性原子が電離される。電離により生成された電子も同様に働くので、雪崩式に電離が進行する。これにより、プラズマ中のエネルギー密度が高くなり、プラズマが拡大する。 （もっと読む）

【課題】プラズマのちらつきの程度を高精度に検出し、これをもとにプラズマの安定度を高精度に判定する。
【解決手段】真空処理室２と、該真空処理室内に被処理基板を載置して保持する下部電極３、前記真空処理室に処理ガスを供給するガス供給手段４と、前記真空処理室内に供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段５と、
生成されたプラズマを観察するための観察窓１４と、該観察窓を介して前記プラズマを撮像する撮像装置１５と、該撮像装置で撮像したビデオデータを解析する解析装置１６を備え、該解析装置は、ビデオデータを解析してプラズマのちらつきの程度を判定する。 （もっと読む）

【課題】チャージアップの測定中にセンサ機能の経時劣化が起きる等の課題を解決する。
【解決手段】プラズマプロセス検出用センサ３０は、ウェットエッチングにより、上部電極３５のホール直径Ｄ１０を殆ど広げることなく、絶縁膜３４のホール直径Ｄ１１を広げるようにしている。そのため、センサ３０をプラズマ４１に曝した場合、コンタクトホール底へ入射する正イオンｈは絶縁膜３４のホール本体内壁面に衝突し難くなる。その結果、絶縁膜３４のホール本体内壁面はダメージを受け難くなり、電気伝導をアシストする欠陥準位の発生を抑制することができる。よって、プラズマエッチング条件の環境下で、チャージアップの測定中にセンサ機能の経時劣化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセス等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムで精度良くモニタリングする。
【解決手段】電圧源３５によって負のバイアス電圧−３０Ｖをモニタ対象物４０に印加すると共に、ＲＦバイアス電圧をプラズマ処理装置３０に印加し、モニタ対象物４０に対してプラズマ処理を行うと、プラズマ３２から発生した紫外光ＵＶにより、分離した２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２上のＳｉＯ２膜４３に、正孔ｈと電子ｅのペアが発生する。ポリＳｉ電極４２−１，４２−２に負のバイアス電圧−３０Ｖを印加することで、２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２間の間隙にトラップされた正孔ｈを誘導電流として電流計３６によりリアルタイムで計測できる。この誘導電流を紫外光ＵＶによるＳｉＯ２膜４３へのダメージの定量的指標としてモニタリングしている。 （もっと読む）

【課題】実パターン上のチャージアップをリアルタイムに測定し、更に、自己整合バイアスのウェハ内面分布を測定する。
【解決手段】ウェハ表面の異なる箇所に複数のセンサ５０を貼着し、プラズマチャンバ内のステージ上に載置する。ＲＦバイアスを印加し、プラズマチャンバ内にプラズマ３２を発生させてウェハをプラズマ３２に曝す。ウェハをプラズマ３２に曝すと、電子遮蔽効果によって各センサ５０内のコンタクトホール５６の底に、チャージアップが発生する。即ち、コンタクトホールパターン表面とコンタクトホール５６の底との間に電荷の偏りができる。そのため、上部電極５５と下部電極５３に異なる電位が発生する。この時、上部電極５５及び下部電極５３の両方又は一方の電位を測定し、あるいは、上部電極５５及び下部電極５３間の電位差Δを測定し、モニタリングする。 （もっと読む）