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国際特許分類[H05H1/00]の内容

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本発明は、密封された筐体内に用意されたオブジェクトの洗浄および/または殺菌方法に関し、筐体の内部容積と周囲との間に気圧差をもたらし、オブジェクトの前記洗浄および/または殺菌方法のための筐体内部のみにプラズマを発生させる。また、本発明は、これを可能にする装置に関する。装置10は、真空ポンプ2を使って空気が抜かれる真空チャンバ1と、筐体8内に適切なガスのプラズマを発生させるように構成されたプラズマ源3とを備え、筐体8は、真空チャンバの周囲に対して略密封して閉じられる。筐体8は、可塑性タイプでも、剛性材料から製造されてもよい。筐体が剛性のときの場合、筐体内部の気圧は、外の気圧より低くてもよい。
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【課題】プラズマ処理装置のプラズマ状態を高感度で高精度に測定し長期間安定に処理を行う。
【解決手段】プラズマ2からの高周波信号を受信するシート状電極21と、電極21に接続された信号線31と、電極21からの高周波信号を外部に出力する信号出力手段と、高周波信号から目的とする物理量を検出する物理量検出部22,過去の測定データなどを記憶する測定データ記憶部24,過去の測定データと検出部22で検出した新たな測定データを比較しプラズマの変動量の信号を出力する測定処理部23,測定処理部22からの信号に応じて装置パラメータを操作しプラズマ状態を安定化するよう制御する制御部16からなる制御手段を備え、シート状電極21信号線31が、プラズマ2に接する真空処理室1の内壁の表面/内筒5の表面に少なくとも2層以上に形成した誘電体保護膜の間に形成され、シート状電極21が電場/磁場を出力するプラズマ処理装置。 (もっと読む)


【課題】例えば、欧州のRoHS指令に対応できる製品であるか否かを、製造ラインや製品形態において、簡便、かつ、高速に検査し、規制値以上のものをスクリーニングすることができる物質分析装置を提供する。
【解決手段】スパークプラグの高電圧放電により生成したマイクロプラズマをマイクロ波エネルギでアシストし被測定物の少なくとも一部をプラズマ化させるマイクロ波併用プラズマ生成手段と、分光分析手段とを備え、プラズマ生成手段によりプラズマを生成し、被測定物の少なくとも一部をプラズマ化させ、分光分析手段による発光分析により、特定の物質を検出する。 (もっと読む)


【課題】被加工試料端部でのイオンシースの歪みに伴う加工特性劣化抑制または抑制条件の維持を可能とし、ウエハ端部での良品取得率を向上させ歩留まり向上を可能とする。
【解決手段】プラズマ処理装置において、フォーカスリング9の内周部近辺に微細孔10を設け、該微細孔10底部に電流検出手段11を配置し、フォーカスリング9に高周波電力分配手段16介して高周波電力を供給してフォーカスリング9に印加する高周波電力量に応じて変化する電流検出手段11での検出電流量からイオンシース18の歪み具合を検出し、さらにそれを補正するようにフォーカスリング9に印加する高周波電力量を制御部21で判断し制御する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理室の温度を正確に特定の状態とし、プラズマ処理の特性を一定に保って、高精度のプラズマ処理を実施することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室1内で被処理物wをプラズマ処理するプラズマ処理装置において、プラズマ処理室1内部の温度とプラズマ生成条件とを関連付けて格納するデータベース25と、データベース25からプラズマ処理室1内部の温度とプラズマ生成条件との相関式を格納するモデル式格納部26と、相関式の作成および最適なプラズマ生成条件の算出を行う演算部24を備えた計算機21とを備え、プラズマ処理の状態を監視するプロセスモニタ31と、プロセスモニタが出力した値とプラズマ処理室の温度とを関連付けてデータベース25に格納し、計算機21がプラズマ処理室の温度が概略一定になるようなプラズマ処理条件を算出し、これに基づいてプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置。 (もっと読む)


【課題】プラズマ放電の状態を適正に監視して、異常放電の予兆を検出することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置における放電状態監視方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室内のプラズマ放電の変化に応じて放電検出センサ23に誘発され、信号記録部20に記録された電位変化の信号を信号解析部30によって検出して行われる放電状態監視のための解析処理において、電極部と処理対象物との間で発生する異常放電(第一アーク放電)の信号を第一検出部33によって検出したカウンタ値N3と、処理室内の異物堆積により発生する微小アーク放電(第二アーク放電)の信号を第二検出部35によって検出したカウンタ値N4に基づき、異常放電判定部39によって差(N3−N4)を求めて判定用のしきい値a2と比較して、処理室内における異常放電の発生の可能性の有無を判定する。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】プラズマ処理システムの処理チャンバ内の安定化プラズマを特定するための方法が提供される。方法は、処理チャンバ内においてストライクステップを実行してプラズマを発生させることを含む。ストライクステップは、処理チャンバ内において十分に高いガス圧を印加すること及び処理チャンバ内において低い高周波(RF)電力を維持することを含む。方法は、また、ストライクステップ中に、基板表面にごく接近している処理チャンバの表面上にあるプローブヘッドを利用して特性パラメータ測定結果の集合を収集することを含む。方法は、更に、特性パラメータ測定結果の集合を所定の範囲と照らして比較することを含む。もし特性パラメータ測定結果の集合が所定の範囲内である場合は、安定化プラズマが存在する。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】プラズマ処理チャンバ内のプロセスパラメータを測定するための装置が提供されている。装置は、上側電極の開口部内に配置されたプローブ構造を備える。プローブ構造は、プローブヘッドを備えており、プローブヘッドは、ヘッド部およびフランジ部を備える。装置は、さらに、上側電極とフランジ部との間に配置されたO−リングを備える。装置は、さらに、プローブ構造が上側電極に触れないようにするために、ヘッド部と上側電極の開口部との間に配置される電気絶縁材料から形成されたスペーサを備える。スペーサは、フランジ部の下側を支持するよう構成されたディスク部を備える。スペーサは、さらに、ヘッド部を囲むよう構成された中空円筒部を備える。スペーサは、O−リングと処理チャンバの開口部との間に直角経路を形成して、O−リングと処理チャンバへの開口部との間の直接的な見通し経路を防止する。 (もっと読む)


【課題】
プラズマ・パラメータを正確に計測し、プラズマを安定して供給可能とするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
複数の電極102と、該電極の間の距離を調節する電極移動手段111bと、加熱手段を有するプローブ302と、前記電極間の電圧値及び電流値を計測する計測手段401と、該計測手段で得られた値を解析し、プラズマの状態を検知する解析手段400とを具備する。
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【解決手段】基板処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内のプラズマ不安定性を検出するための構成が提供される。該構成は、処理チャンバの表面上に配され、少なくとも1つのプラズマプロセスパラメータを測定するように構成される、プローブ構成を含む。プローブ構成は、プラズマ対向センサ及び測定コンデンサを含み、プラズマ対向センサは、測定コンデンサの第1の板に接続される。プローブ構成は、また、測定コンデンサの第2の板に接続される検出構成も含む。該検出構成は、測定コンデンサを流れる誘起電流を、プラズマ不安定性を検出するために処理されるデジタル信号の集合に変換するように構成される。 (もっと読む)


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