【課題】従来よりも高い精度でＳｉＨ_４ガスなどのガスの濃度を測定することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、レーザ光照射窓を備える成膜容器と、薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給部と、原料ガスに希ガスを添加する希ガス添加部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、レーザ光照射窓から成膜容器の内部にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、レーザ光照射部から照射されたレーザ光による、成膜容器の内部の空間の応答を検出する検出部と、検出部が検出した結果に基づいて、原料ガス供給部が供給する原料ガスの流量を制御する制御部と、を備えることを特徴とする薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】高周波電力を設定値に保つ出力制御と増幅回路を保護する保護制御とを、簡単な構成で、正確かつ安定に行わせることができる高周波電源装置を提供する。
【解決手段】電力増幅部６の出力から高周波検出部８を通して得た進行波検出信号Ｓf と高周波信号発生部４の出力を分波して得た基準高周波信号とを乗算する乗算部１１の出力から直流分を検出することにより進行波電力の基本周波数成分を検出し、高周波検出部８から得た反射波検出信号Ｓr を検波することにより検出した全反射波電力成分から、反射波検出信号と基準高周波信号とを乗算する乗算部１５の出力から直流分と基本周波数の２倍の周波数成分とを除去した信号を検波することにより検出したスプリアス周波数成分を減算することにより反射波電力成分の基本周波数成分を検出し、検出した進行波電力及び反射波電力成分の基本周波数成分を用いて電力増幅部６を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生を極大化でき、プラズマ密度を制御できる常圧プラズマ装置を提供する。
【解決手段】常圧プラズマ装置は、反応ガスを注入するための注入口１１が形成されたハウジング１０と、ハウジング１０の内部に複数層で備えられる高電圧電極１１０と、高電圧電極１１０を覆う誘電体１２０と、高電圧を発生させて高電圧電極１１０に印加する高電圧発生部と、誘電体１２０の両側に隣接するように配置される接地電極１３０、及び反応によって生成されるプラズマの密度を制御する制御部で構成される。 （もっと読む）

【課題】イオンのエネルギーおよびフラックスの装置間差を低減することが可能な制御装置、プラズマ処理装置、及び制御方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の制御装置は、処理室内に配され被処理基板が載置される電極と、前記電極に電力を供給する第１の電源回路と、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に電力を供給する第２の電源回路とを有するプラズマ処理装置を制御する制御装置であって、前記第１の電源回路から出力されるパラメータを検知する検知部と、前記検知部により検知されたパラメータが目標値に一致するように、前記第１および前記第２の電源回路により供給される電力を制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ１内の測定対象プラズマ２のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ１内に質量分析器３を配置し、前記プラズマ２と前記質量分析器３との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器３内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高精度なプラズマ処理が可能となるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】測定記憶ユニット３０１に格納された高周波バイアス電圧Ｖｅｓｃと高周波バイアス電流Ｉｅｓｃと、測定記憶ユニット３０１に格納された静静電チャック機構の抵抗分Ｒｅｓｃと誘導分Ｌｅｓｃと容量成分Ｃｅｓｃと、積分定数Ａと、を用いて被処理基板の電圧Ｖｗを推定する計算ユニット３０２と、計算ユニット３０２で推定された被処理基板の電圧Ｖｗに基づいて、高周波バイアス電源１１７の制御信号を作成し、前記制御信号を高周波バイアス電源１１７に送信する制御ユニット３０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバの使用のために故障を検出する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバ内でプラズマ処理が開始され、前記プラズマ処理に関するプラズマパラメータデータが、平面イオン流束（ＰＩＦ）タイプのプローブ１１０の使用により得られ、プローブ１１０の感知表面１１７は、プラズマに曝され、かつ前記プラズマチャンバ内のシャワーヘッド電極１１８の表面と同じ平面にあり、故障状態を示すために前記プラズマパラメータデータが評価される。 （もっと読む）

【課題】スパークなどの望ましくない寄生的な影響を最小化することのできる実用的なスパーク管理装置を提供する。
【解決手段】電力を負荷装置に供給するよう動作可能な高電圧電源と、前記負荷装置における１つ以上の電磁パラメータを監視するよう動作可能なセンサと、前記負荷におけるスパーク前の状態を識別するために前記１つ以上の電磁パラメータに応答する第１の検出器と、前記高電圧電源が、前記スパーク前の状態に応答して前記電力の大きさを所望のレベルに速やかに変えることを可能にするよう前記第１の検出器に接続された第２の検出器とを含む。 （もっと読む）

【課題】重粒子線治療装置に必要な数の重粒子イオンを安定して生成することができる重粒子線治療用重粒子イオン発生装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る重粒子線治療用重粒子イオン発生装置は、レーザ光の照射によってプラズマを発生する物質と、物質を収納する容器と、レーザ光を発生するレーザ光源と、物質上に前記レーザ光の焦点が形成されるようにレーザ光を集光する集光手段と、物質から発生したプラズマから重粒子イオンをクーロン力によって引き出し、容器の外部に送り出す電極手段と、物質から発生するプラズマを観測し、物質に接する領域のプラズマ径からレーザ光の集光径を求める観測手段と、物質の位置または集光手段の位置を調節する位置調節手段と、観測手段で求めた集光径が所定の基準集光径となるように、位置調節手段による物質の位置調節を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマドーピングプロセス中の所定のドーパント濃度での終点検出のための方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー内で基板を位置決めするステップと、基板の上にプラズマを生成し、プラズマによって生成される光を基板を通って伝送するステップであって、ここで光は、基板の表側に入り、裏側から出る、ステップと、基板の下に位置決めされるセンサーによって光を受け取るステップとを包含する。さらに、センサーによって受け取られる光に比例する信号を生成するステップと、ドーピングプロセス中にドーパントを基板に注入するステップと、ドーピングプロセス中にセンサーによって受け取られる光の減少する量に比例する多重光信号を生成するステップと、いったん基板が最終ドーパント濃度を有するとセンサーによって受け取られる光に比例する終点信号を生成するステップと、ドーピングプロセスを中止する。 （もっと読む）