【課題】被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理中の試料表面からの複数波長の干渉光を検出する検出器11、試料の処理中の任意の時刻に得られた前記干渉光に関する実偏差パターンデータとこの試料の処理前に得られた別の試料の処理に関する複数波長の干渉光のデータであって前記膜の複数の厚さに各々対応する複数の標準偏差パターンとを比較してその偏差を演算するパターン比較手段15、これらの間の偏差と予め設定された偏差とを比較して試料のその時点の膜の厚さに関するデータを出力する偏差比較手段115、前記膜の厚さに関するデータを時系列データとして記録する残膜厚さ時系列データ記録手段18、前記膜の厚さデータを用いて所定量のエッチングが終了したことを判定する終点判定器230を備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】ウェハ処理特性を安定化するプラズマ処理装置または方法を提供する。
【解決手段】内部に減圧されて処理対象のウェハ１７１を処理するためのプラズマが形成される処理室１１０を有する真空容器と、この真空容器の上部でこれを構成し前記処理室の上方に配置されその下方の前記処理室内の空間に前記プラズマを形成するための電界が透過する誘電体製の板部材１１１と、前記板部材の上方に配置され温度を検出する検出器１８１と、この検出器が検出した結果に応じて前記プラズマの形成を調節する制御部とを備え、前記検出器が、前記プラズマが形成される前の第一の時刻とこのプラズマが形成された後所定の時間後の第二の時刻とこの所定時間後の時刻の後の前記プラズマが形成中の任意の第三の時刻における放射エネルギーの量に基づいて前記第三の時刻の温度を検出する。 （もっと読む）

【課題】円筒状内部等へのプラズマ処理にあたって、簡素にかつ詳細にプラズマ状態を計測する方法とそれに用いる電流計測器を提供する。
【解決手段】基材内表面から外面に通じる孔４を設け、円筒状内表面に照射されたイオン３の一部は孔４を通過し、基材表面に平行に設置された可動プローブ５に入射し、電流計６によって電流量を計測し、基材内表面と可動プローブの間隔と前記孔の中心線から電流が計測された可動プローブの位置までの間隔との幾何学的関係から、荷電粒子による電流量および荷電粒子の可動プローブ５への入射角を計測する。 （もっと読む）

【課題】円筒状内部等へのプラズマ処理にあたって、簡素にかつ詳細にプラズマ状態を計測する方法とそれに用いる電流計測器を提供する。
【解決手段】基材内表面から外面に通じる孔４を設け、円筒状内表面に照射されたイオン３の一部は孔４を通過し、基材表面に平行に設置されたプローブ５に入射し、電流計６によって電流量を計測し、基材内表面とプローブの間隔と前記孔の中心線から電流が計測されたプローブの位置までの間隔との幾何学的関係から、荷電粒子による電流量および荷電粒子のプローブへの入射角を計測する。 （もっと読む）

【課題】円筒状内部等へのプラズマ処理にあたって、簡素にかつ詳細にプラズマ状態を計測する方法とそれに用いる電流計測器を提供する。
【解決手段】基材１の内表面から外表面に通ずるように荷電粒子を取り込むための孔４と、該孔からプラズマ中の荷電粒子が入射するプローブ５と、該孔より取り込んだプラズマ２中の荷電粒子が入射する前記プローブ５に電圧を印加する直流電源６を設け、該プローブ５に電圧を印加したときに該プローブ５に流れる電流を電流計７で計測し、前記プローブ５に印加する電圧と前記プローブに流れる電流との関係から、荷電粒子による電流量および荷電粒子のプローブへの入射角θを計測することを特徴とするプラズマ状態計測方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造を安定して効率よく行うため、処理室内壁の堆積物の状態やプラズマ内部をリアルタイムでモニタを行い、常時管理しながら処理する方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室の内壁状態やプラズマの内部状態を把握するために、プラズマ処理室の内壁にプローブ基盤２１９を配置し、このプローブ基盤２１９にパルス化したバイアス電力を掛け、コンデンサ２２２の電圧変化を解析することにより、処理室内壁状態とプラズマ内部状態をリアルタイムでモニタし、そのデータ値からプラズマ処理装置を制御することにより、効率の良い処理を行い、且つ処理室内のプラズマを直接管理して、安定した半導体装置の製造を行う。 （もっと読む）

【課題】
ウエハ面内における入射イオンエネルギーの分布関数の均一性を高め、ウエハ面内で均一なプラズマ処理（エッチング等）を実現する。
【解決手段】
プラズマ処理装置において、ウエハ２を戴置するための戴置電極４のバイアス印加部分をウエハ２の中心付近と外周付近で内側電極４−１と外側電極４−２に分割し、ウエハ２に入射するイオンを加速するための第１のバイアス電力２１−１と第２のバイアス電力２１−２をそれぞれ２つに分岐し、電力分配器２９−１、２９−２を用いて内側電極４−１と外側電極４−２に電力比を調整して供給する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには安価に済むプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ２中のイオンの質量分析を行える質量分析器３（又は１９）と該プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して各電圧Ｖｂごとに、他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Ｘを求め、得られた各電圧Ｖｂと質量分析条件Ｘのデータに、式Ｖｂ＝ａＸ² −Ｖｐ（Ｖｐはプラズマ電位）を回帰式として該回帰式を最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該式におけるａ及びＶｐをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Ｖｐを求め、併せてイオン種を同定するためのａを求めるプラズマ電位計測方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体Ｍ１（Ｍ２）。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】静電プローブ法により真空チャンバ内プラズマ密度ｎ及び電子温度Ｔｅを求め、それにより得られた該プラズマ密度ｎ及びプラズマ電位Ｔｅに基づいて、被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度Ｊを、Ｊ＝ｎｑ〔√（ｋ・Ｔｅ／Ｍ）〕・ｅｘｐ（−１／２）（該式においてｑはイオン電荷量、ｋはボルツマン定数、Ｍはイオン質量）を用いて算出し、算出されるイオン電流密度が、被処理物品へ目的とする処理を施すためのイオン照射量を示すイオン電流密度へ向かうようにプラズマ密度を調整すべくプラズマ生成装置を制御するプラズマ処理方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内の高周波パラメータを精度よく測定できるように高周波測定装置を校正する方法を提供する。
【解決手段】第１の３つの基準負荷の高周波測定装置による測定インピーダンスと真値から校正パラメータXを算出し(S1,2)、高周波測定装置の接続点とプラズマ処理装置のチャンバー内との間で測定されたＳパラメータから校正パラメータX'を算出し（S3,4）、校正パラメータX,X'を用いて校正した電圧信号と電流信号からチャンバー内のインピーダンスを算出し(S5)、S5で算出されたインピーダンスを含み、第１の３つの基準負荷より狭い範囲を囲むことになる第２の３つの基準負荷を決定し(S6)、第２の３つの基準負荷の高周波測定装置による測定インピーダンスと真値から校正パラメータX”を算出し(S7,8)、検出された電圧信号と電流信号とを校正パラメータX,X’,X”を用いて校正する(S9)。 （もっと読む）