【課題】放電検出センサによって放電状態の監視を行う構成において、放電状態の検出を適正に行うことができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ処理の実行に際して設定された処理条件によってテスト放電を実行して取得された電位変化のデータに基づいて、判定パラメータ設定部３４によって放電開始判定時間３６、放電開始判定閾値３７および異常放電判定閾値３８を設定し、プラズマ処理実行段階において放電開始判定時間が経過するまでに検出された電位変化を放電開始判定閾値と比較してプラズマ放電が正常に開始されたか否かを判定し、放電開始判定時間が経過した後に検出された電位変化を異常放電判定閾値と比較して異常放電の有無を判定する。これにより、判定パラメータを適正且つ容易に設定して放電状態の検出を適正に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマの消費電力の経時変化を小さくし、プラズマ処理を安定化する。
【解決手段】プラズマ源の電源系６１は測定装置２２と制御装置２３と交流電源２４を有している。測定装置２２はアンテナ１２の電圧を測定し、測定結果を測定値として出力する。制御装置２３には、交流電源２４の出力電力の値と、アンテナ１２の電圧であるアンテナ電圧の値とから、プラズマの消費電力の変動量を求め、変動量が小さくなるような出力電力の修正値を求め、その修正値を交流電源２４から出力させる。アンテナ１２の電圧測定と、修正値の算出を繰り返しおこなうと、プラズマの消費電力が一定値になる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ光の強度の実際の値と測定値とのずれを較正することができ、またプラズマの発生領域に対し、複数の位置のプラズマ光の強度を精度よく測定できるプラズマ測定装置を提供する。
【解決手段】前記プラズマ測定装置は、プラズマが発光する光の強度を測定する受光手段と、前記受光手段で測定された前記プラズマが発光する光の強度を較正するための較正用光源と、一端側がプラズマ発光領域に向けて並べて配置され、他端側が前記受光手段に接続された測定用の光ファイバーと、他端側が前記較正用光源に接続された較正用の光ファイバーとを備えた光ファイバーユニットと、を有し、前記プラズマが発光する光は、前記測定用の光ファイバーを介し前記受光手段に入射し、前記較正用光源が発光する光は、前記較正用の光ファイバー及び前記測定用の光ファイバーを介し前記受光手段に入射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のプラズマを好適に制御するための方法を提供する。
【解決手段】真空プラズマ処理装置の高周波バイアス電源への反射電力量に不連続が起こる傾向を、高周波バイアス電源の出力電力を制御して、真空処理チャンバ内のプラズマ５０に供給される電力が実質的に一定になるようにして抑える。高周波バイアス電源の出力電力を、高周波バイアス電源とワークピースホルダ処理装置の電極とを接続するマッチングネットワーク１０８の容量変化よりも非常に速く変化させる。プラズマの容量インピーダンス成分を、チャンバ内のプラズマシースの厚みを光学的に測定することによって求める。 （もっと読む）

プラズマチャンバ内のイオンエネルギーを調整するためのシステム、方法、および装置を開示する。例示的システムは、イオンエネルギー制御部分を含み、イオンエネルギー制御部分は、基板の表面に衝突するイオンのエネルギーの所望の分布を示す、少なくとも１つのイオンエネルギー設定に応答して、少なくとも１つのイオンエネルギー制御信号を提供する。コントローラは、スイッチモード電源に結合され、コントローラは、少なくとも２つの駆動制御信号を提供する。加えて、スイッチモード電源は、基板支持部、イオンエネルギー制御部分、およびコントローラに結合される。スイッチモード電源は、基板の表面に衝突するイオンのエネルギーの所望の分布を生じさせるように、駆動信号およびイオンエネルギー制御信号に応答して、基板に電力を印加するように構成される、スイッチング構成要素を含む。
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【課題】 高価な測定装置を用いることなく、高圧力プラズマの電子密度および／また電子衝突周波数測定が可能な測定方法及び測定装置を実現する。
【解決手段】 本発明の高圧力プラズマの電子密度、電子衝突周波数の測定方法及びプラズマ特性測定装置１によれば、プローブ１０を高圧力プラズマＰに挿入し、高周波発振器２１によりプローブ１０に周波数を掃引しながら高周波パワーを供給し、反射係数スペクトル表示部２５により、プローブ１０から反射されるパワーにより得られる反射係数のスペクトルを測定し、プローブ１０の共振スペクトルを検出し、当該共振スペクトルから共振周波数及び共振の半値幅を算出し、プラズマ特性算出部２６において、当該共振周波数及び共振の半値幅に基づいて、高圧力プラズマの電子密度および／また電子衝突周波数を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、持続的に真空アーク放電を保持することができる真空アーク放電発生装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、真空中でアーク電源を介して接続される陰極と陽極との間にアーク放電を発生させ、前記陰極と前記陽極と前記アーク電源とが真空アークプラズマを介して主閉回路を形成する真空アーク放電発生装置において、装置内に副陽極を配置し、少なくとも前記陰極と前記副陽極と前記アーク電源とが真空アークプラズマを介した副閉回路を形成し、前記副閉回路に副陽極を介してアーク放電の状態を計測するモニター装置を配設することを特徴とする真空アーク放電発生装置である。 （もっと読む）

【課題】In-situでパターン側壁の抵抗及びそのパターン側壁に流れる電流を測定する。
【解決手段】プラズマチャンバ１内に設置された２個のセンサ１０−１，１０−２の片方にのみ、外部抵抗素子７を接続している。そのため、２個のセンサ１０−１，１０−２の上部電極１５及び下部電極１３間抵抗は互いに異なり、In-situにおいて異なる上部電極１５及び下部電極１３間の電位差が得られ、且つ、一方のセンサ１０−１の上部電極１５及び下部電極１３間にワイヤ１７−１１，１７−１２にて並列接続された外部抵抗素子７の抵抗値は既知であるため、In-situにおいてコンタクトホール１個当りのコンタクトホール側壁１６aの抵抗値が得られる。更に、コンタクトホール１個当りの抵抗が得られれば、コンタクトホール１個当りのコンタクトホール側壁１６aに流れる電流値を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】少数のターゲットにて反応性ガスをＯＮ／ＯＦＦするだけで複数の膜種を成膜する際に、膜の種類の切替え時間を大幅に短縮し、高品質の膜を効率的に安定して確保できるスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】第１のターゲット材料をスパッタリングして基板上に成膜する第１のスパッタ工程と、前記第１のターゲット材料とは異なる第２のターゲット材料をスパッタリングして前記基板上に成膜する第２のスパッタ工程と、前記第１のスパッタ工程と前記第２のスパッタ工程との間で、前記基板を前記複数のターゲット材料から遮蔽しつつ、前記第１および第２のターゲット材料をそれぞれ成膜レートが変化するようにスパッタリングするプリスパッタ工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】複数膜種のエッチング終点の検出を容易な構成で確実に実施できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 （もっと読む）