【課題】異常放電が発生した場合であっても連続運転が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】電極１１が配置された真空チャンバー１０と、電極１１に交流電圧２０ａを印加する交流電源２０と、電極１１からの反射波に含まれる高周波成分を分離する方向性結合器３１と、方向性結合器３１からの分離出力３１ａに基づいて異常放電を検出する異常放電検出回路３０と、異常放電の検出に応答して、交流電源２０による交流電圧２０ａの印加パターンを変化させる制御回路４０とを備える。これにより、作製するデバイスに実質的な影響を与えることなく、異常放電を制御することが可能となることから、異常放電を検出するたびに装置を停止させるなどの処置を行う必要がなくなり、連続運転を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】上下電極間のプラズマ内を流れる高周波電流量を正確に検出し，さらにプラズマ内の高周波電流の流れを把握する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１の処理容器２内に，処理空間Ｋの中心軸周りの磁界の強さを検出する２つのコイル状のプローブ４０，４１が設けられる。プローブ４０，４１は，コイルの軸が処理空間Ｋの中心軸の周方向に向けられる。下部プローブ４０は，下部電極１２付近の高さに設けられ，上部プローブ４１は，上部電極２０付近の高さに設けられる。各プローブ４０，４１は，コイルに生じる誘導起電力を，磁界の強さとして検出し，コンピュータ５１がその誘導起電力から所定の算出原理により高周波電流量Ａｚ１，Ａｚ２を算出する。各プローブ４０，４１における高周波電流量Ａｚ１，Ａｚ２の差を求めて，上下電極間でプラズマ領域Ｐから流出する損出高周波電流量Ａｒを算出する。 （もっと読む）

【課題】過剰にエネルギーを投入することなく、排気ガスを効果的に処理することが可能なプラズマ反応装置を提供する。
【解決手段】複数の単位電極２が所定間隔を隔てて階層的に積層されてなるプラズマ発生電極１と、プラズマ発生電極１を内部に配設するケース体１１と、単位電極２に電圧を印加する電源２１とを備え、電源２１から単位電極間２にパルス電圧を印加することによって単位電極２間に形成される空間３にプラズマを発生させ、空間３内に導入された排ガスを反応処理することが可能なプラズマ反応装置１００であって、ケース体１１に、プラズマによる発光を外部から検知するための光透過部１２が形成され、光透過部１２を通じて、プラズマによる発光を検知することが可能な光検出手段３１と、光検出手段３１で検知した光Ｐの強度に応じて、単位電極２に印加される電気エネルギーを制御する制御手段４１とを更に備えたプラズマ反応装置１００。 （もっと読む）

【課題】反応室内の状態変化又は異常の発生箇所を判別し、更に状態変化又は異常の発生が予測される箇所とその種類を予測することのできるプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】反応室と、静電吸着用電極を備えた試料台と、ガス放出板と、高周波電源と、バイアス用高周波電源と、静電吸着用電源と、を備えたプラズマ処理装置において、静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ（Ｉｐ）、プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生成側インピーダンスモニタ（Ｚｐ）、バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側インピーダンスモニタ（Ｚｂ）、のうちの何れか一つを備え、そのモニタ値より、前記インナ部品の異常放電、静電吸着用電極の絶縁被膜の絶縁劣化、前記ガス放出板の異常放電、のうちの何れか一つの発生の有無を判定する制御装置を備えた。 （もっと読む）

プラズマにおけるイオン種を監視する飛行時間型イオンセンサは、ハウジングを含む。ハウジング内にはドリフトチューブが配置される。プラズマからのイオンを引き付けるよう、ハウジング内のドリフトチューブの第１の端部に抽出器電極が配置される。抽出器電極の近傍のドリフトチューブの第１の端部には複数の電極が配置される。複数の電極は、引き付けられたイオンの少なくとも一部がドリフトチューブに入り、ドリフトチューブの第２の端部の方へ移動するようバイアスされる。ドリフトチューブの第２の端部の近傍にはイオン検出器が配置される。イオン検出器は、引き付けられたイオンの少なくとも一部に関連する到着時間を検出する。 （もっと読む）

【課題】高精度なデバイスプロセスを実現する半導体装置の製造方法、およびそれに用いるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】例えば、インピーダンス測定器をノードＮ１に接続し、マッチングボックス１５の経路を遮断した状態でチャンバ１０等を含むプラズマ処理装置を計測する。プラズマ処理装置は等価回路によって表現でき、この計測結果を用いて等価回路の各パラメータを算出する。算出した各パラメータの内、主にチャンバ１０に対応した容量パラメータＣ’が規格に適合するようにチャンバ１０の内壁関連の状態（例えば、チャンバ下部カバーリング１４ａやチャンバ下部カバー１１ａの寸法、材質等）を調整する。そして、この調整が行われた状態で半導体装置を製造する。なお、プラズマ処理装置に、予めチャンバ１０の内壁関連の状態を可変調整できる機能を設けておくことも可能である。 （もっと読む）

【課題】安定したプラズマを長時間出力する。
【解決手段】ＰＷＭ制御部９０１は、光量センサ３９により測定されたプラズマ発生ノズル３１から放出されるプルームＰの光量が目標光量範囲を保つように、マイクロ波発生装置２０を制御するためのＰＷＭ信号のデューティー比を調整して、マイクロ波のパワーを調整する。バイアス電流調整部９０３は、熱電対３８により測定されたプルームＰの温度が目標温度範囲を保つように、マイクロ波発生装置２０を制御するためのバイアス電流を調整して、マイクロ波のパワーを調整する。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスを可能にする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に設けられる保護管３６の外周面に光センサユニット３８を取付け、点灯されていることが検出されると、ＣＰＵ９０１は、メモリ９０３に記憶される点灯時間を積算して更新し、メモリ９０４に予め記憶されている閾値点灯時間となると、交換時期であることを操作部９５に表示する。したがって、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスが可能になり、メンテナンスのコストを抑えつつも、安定したプルームＰを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】長時間安定したプラズマを放出する。
【解決手段】電極ピン３８は、プラズマ発生ノズル３１から放出されるプラズマ中のイオンを取り込み、電流計９６１は、電極ピン３８により取り込まれたイオンのイオン電流値を測定し、センサ入力部９６に出力する。ＰＷＭ制御部９０１は、センサ入力部９６から出力されたイオン電流値が、目標イオン範囲に属するように、マイクロ波出力制御部９１にＰＷＭ信号を生成させ、マイクロ波のパワーを調整する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により複数のプラズマ発生ノズルのうちいずれかのプラズマ発生ノズルの状態を精度良く監視する。
【解決手段】マイクロ波発生装置２０により発生されたマイクロ波を伝搬する導波管１０と、マイクロ波を受信し、受信したマイクロ波のエネルギーに基に、処理ガス供給源９２１から供給されるガスをプラズマ化して放出するプラズマ発生ノズル３１が導波管１０に複数個配列して取り付けられたプラズマ発生部３０と、プラズマ発生ノズル３１から放出されたプルームの画像を撮影する撮影部１００と、撮影部１００により撮影されたプルームの画像を基に、複数個配列されたプラズマ発生ノズル３１のうち、正常な状態のプラズマを放出することができない欠陥ノズルを検出する欠陥ノズル検出部９４１とを備える。 （もっと読む）