【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４、第二石英板５、及び、冷媒ケース１６によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５と冷媒ケース１６とは、ボルト１９をタップ１８にねじ込むことにより、固定される。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】放射導体の先端近傍を内包する空間内での放電用ガスの流れをより均一にする。
【解決手段】筒体１１ａの一方の端部が閉塞板１１ｂで閉塞されて筒体１１ａの他方の端部側が開放端に形成された筐体１１と、閉塞板１１ｂに立設された放射器１４とを備え、筐体１１の内部には、閉塞板１１ｂ側の内部空間ＳＢ１と、放射器１４の先端近傍を内包して筒長方向に沿って延び、かつ内部空間ＳＢ１に供給された放電用ガスＧを筒長方向に沿って放射器１４の先端近傍を経由して筐体１１の他方の端部から外方へ放出する内部空間ＳＢ２と、筒体１１ａに設けられたガス放出口２２ｃから放出された放電用ガスＧを筒長方向に沿って内部空間ＳＢ１に誘導する誘導流路ＳＡとが形成されて、放電用ガスＧの供給状態において、内部空間ＳＢ２から放出される放電用ガスＧの気流に乗って放射器１４の先端近傍から筐体１１の開放端を越えて伸びるプラズマＰを発生させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマによる劣化を回避しつつ点火機構を簡略化する。
【解決手段】一方の端部が閉塞板１１ｂで閉塞され、かつ他方の端部が開放端に形成された筒状の筐体１１と、閉塞板１１ｂの内面に筐体１１の筒長方向に沿って延出するように立設されると共に入力した高周波信号Ｓ１を放射する棒状の放射器１４とを備え、閉塞板１１ｂ側から開放端側に向かう気流を筐体１１内に発生させるように筐体１１内にガス供給部４によって放電用ガスＧが供給され、かつ放射器１４が高周波信号Ｓ１を放射している状態において、放射器１４の先端近傍から気流に乗って筐体１１の外方へ伸びるプラズマＰを発生させるプラズマ処理装置１であって、放射器１４との間で放電Ｄを発生させてプラズマＰを点火する点火導体５ａを有する点火機構５を備え、放電電極としての点火導体５ａの先端は、放射器１４の先端よりも気流の上流側に配設されている。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】多段階の工程を経ることなくＴＦＥを得ることができ、かつ副生成物が少なく、環境に配慮したＴＦＥの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、平均粒子径が５０μｍ以下のＣａＦ_２粉末とＣとを、誘導結合型熱プラズマ中に同時に供給し、前記熱プラズマ中でフッ化炭素のラジカルを生成する工程と、前記ラジカルを急冷する工程とを有するＴＦＥの製造方法を提供する。また、ＣａＦ_２粉末とＣ粉末とを、ＣａＦ_２粉末の単位時間当たりの供給量が、この供給量と前記Ｃ粉末の単位時間当たりの供給量との合計に対して９モル％〜３５モル％の割合となるように、誘導結合型熱プラズマ中に同時に供給し、前記熱プラズマ中でフッ化炭素のラジカルを生成する工程と、前記ラジカルを急冷する工程とを有するＴＦＥの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に接合された石英管１２内に配置され、石英ブロック４は、石英管１２及び石英管１５内を流れる水によって冷却される。誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバのチャンバ内部空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバのチャンバ内部空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３及び石英管１５が石英ブロック４に接合され、石英ブロック４は、ソレノイドコイル３及び石英管１５内を流れる水によって冷却される。誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】接合深さが浅く、かつ、高ドーズの拡散層を形成するとともに、浅い食い込みでファイアスルーを行うことで、高効率の太陽電池を製造する方法を提供すること。
【解決手段】リンを含むプラズマを基板に照射して半導体基板にｐｎ接合を形成した後、基板の表面にシリコン窒化膜を形成する。次いで、導電性ペースト塗布膜を形成、乾燥させ、ＩＣＰトーチユニットを用いて加熱し焼成する。ＩＣＰトーチユニットにおいて、全体としてコイルをなす銅棒が、石英ブロックに設けられた銅棒挿入穴内に配置され、石英ブロックは、銅棒挿入穴及び冷却水配管内を流れる水によって冷却される。ＩＣＰトーチユニットの最下部にプラズマ噴出口が設けられる。長尺チャンバ内部の空間にガスを供給しつつ、銅棒に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間にプラズマを発生させ、基材に照射する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）