【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置及び方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板を支持するための長手方向軸を持つコンベヤと、少なくとも１つの基板上に反応生成物の層を堆積するためのそれぞれ少なくとも１つのプラズマトーチを持つ少なくとも２つのモジュールと、前記コンベヤと前記少なくとも２つのモジュールとを含むチャンバと、排気システムとを備え、前記少なくとも１つのプラズマトーチは、少なくとも１つの基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。他の実施形態では、基板を支持する手段と、反応物を供給する手段と、前記基板上に生成物を堆積するためのプラズマトーチと、前記基板に対して前記プラズマトーチを振動させる手段とを備え、前記プラズマトーチは、前記基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。 （もっと読む）

【課題】固体試料がアブレーションされてできた試料エアロゾルをアブレーションチャンバーからICP-MS装置にスムースに提供することができ、しかもアブレーションチャンバー内の洗浄性能に優れたレーザーアブレーション質量分析装置を提供する。
【解決手段】ＬＡ装置１０とＩＣＰ−ＭＳ装置２０からなるレーザーアブレーション質量分析装置１００において、アブレーションチャンバー３は外管３２と内管３１の二重管構造の管路からなり、内管３１の内部が第１の流路３１ａ、その外側が第２の流路３２ａであり、流路３１ａとＩＣＰ−ＭＳ装置２０が導入路４で流体連通され、チャンバー３は固体試料Ｓとの間に隙間Ｇを設けた姿勢で固定され、流路３１ａおよび流路３２ａにキャリアガスを固体試料Ｓに向かう方向に導入し、流路３２ａを流れるキャリアガスが固体試料Ｓ表面で反射して流路３１ａに導かれ、試料エアロゾルＡＥを導入路４に導くようになっている。 （もっと読む）

【課題】特定の生成物や副次生成物の生成量を低減可能とされた被処理物の処理方法及び処理装置、さらには、特定の生成物が生成するように制御可能とされた被処理物の処理方法及び処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の被処理物の処理方法は、温度変化することにより成分状態が変化する気体を含む被処理物が活性化状態にある時に、前記被処理物が特定の成分に変化させられる温度領域以下に前記被処理物を急冷することによって、前記特定の成分が存在する温度領域の保持時間を短くして前記被処理物の成分状態を変化させる処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、粒径のばらつきが小さい微粒子を製造することができる製造装置および微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】微粒子の製造装置は、微粒子製造用の原料を熱プラズマ炎中に間歇的に供給する原料供給手段と、内部に熱プラズマ炎が発生されるものであり、原料供給手段により間歇的に供給される原料を熱プラズマ炎で蒸発させて気相状態の混合物とするプラズマトーチと、プラズマトーチの内部に熱プラズマ炎を発生させるプラズマ発生手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。蓋６の下面にマニホールド８、１０やガス供給穴９、１１となる溝が形成されており、２つの部材の表面に沿って染み出してくる構成である。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。石英管４、真鍮ブロック５、蓋６には冷媒流路が設けられ、冷媒としての水が流れることによって各部材が冷却される。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、コイルは複数の導体棒３を接続したもので、石英管４の内部に配置されており、石英管４の内側の半円柱部分が筒状チャンバ内部の空間７に露出する。導体棒３と石英管４の内部に水が流れることによって石英管４と導体棒３が冷却される。プラズマ噴出口１２からプラズマを基材２に照射することにより、基材２上の薄膜１６をプラズマ処理することができる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することのできるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットの基幹部となる筒状チャンバは、内管１及び外管２からなる二重管と、蓋３、４と、カバー５と、ガスノズル６と、プラズマノズル７とからなる。冷媒流路１３、１４、１７には冷却水が流れる。基材載置台１９上に基材２０が載置された状態で、筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル１８に高周波電力を供給することにより、プラズマＰを発生させ、プラズマ噴出口２１から基材２０に照射する。プラズマトーチユニットと基材載置台１９とを相対的に移動しながら基材表面を熱処理することができる。 （もっと読む）