β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法
【課題】 β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を高収率で製造する方法を提供する。
【解決手段】 バリウムアルコキシドを触媒として用い、カルボニル化合物とアミドとをアルドール反応させ、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を製造する。
【解決手段】 バリウムアルコキシドを触媒として用い、カルボニル化合物とアミドとをアルドール反応させ、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を製造する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、カルボニル化合物とアミドとのアルドール反応によるβ−ヒドロキシカルボン酸アミド化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルドール反応は、アルデヒドとカルボニル化合物からβ−ヒドロキシカルボニル化合物を生成する有用な反応である。カルボニル化合物としては、アルデヒド、ケトン、エステルが主に用いられ、チオエステルやアミド類等も用いられるが、これらは通常、酸又は塩基触媒により活性化する必要がある。また、ルイス酸触媒を用い、ケイ素エノラート等の活性化されたカルボニル化合物誘導体のアルドール反応が効率よく進行することも知られている（非特許文献1）。
一方、カルボニル化合物を強塩基などにより活性化せずに直接用いるアルドール反応も報告されている。特に、光学活性なプロリンを触媒として用い、アルデヒドやケトンをアルデヒドに直接不斉付加する反応は高い光学収率で効率よく進行する。（非特許文献2）
一方、エステル及びこれと同じ酸化状態を持つ化合物（チオエステル、アミド等）の直接的触媒的付加反応は、付加体のその後の変換が容易であると言った理由から工業的にも重要である。しかしながら、従来、それらの反応では化学量論量以上の塩基が必要であった。（非特許文献3）
【０００３】
【非特許文献１】S. G. Nelson; Tetrahedron Asymmetry 1998, 9, 357.
【非特許文献２】B. List; Tetrahedron 2002, 58, 5573.
【非特許文献３】D. A. Evans; W. Downey; J. L. Hubbs; J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 8706.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した従来技術の場合、求核剤にアミドを用いて温和な条件下でアルドール反応によりβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を高収率で得ることが困難である。
β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体は種々の化合物（β−ヒドロキシ酸、β−ヒドロキシエステル、β−ヒドロキシアルデヒド、１，３−アミノアルコールなど）に変換可能であり、有用な合成中間体である。
従って、本発明は、求核剤としてアミドを用いる温和な条件下でのアルドール反応により、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を高収率で製造する方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような課題を解決するために、本発明者らは、触媒にバリウム化合物を用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明の完成に至った。
【０００６】
即ち、本発明のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法は、バリウムアルコキシドを触媒として用い、カルボニル化合物とアミドとをアルドール反応させる。
前記アミドは次式
【化１】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基）で表されることが好ましい。
【０００７】
前記カルボニル化合物が次式
【化２】
（Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表されることが好ましい。
【０００８】
前記式（I）におけるＲ３が４−アルコキシフェニル基であることが好ましい。
前記β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体が次式
【化３】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基、Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表されることが好ましい。
【０００９】
反応系にフェノール化合物を添加することが好ましい。
前記フェノール化合物が次式
【化４】
（Ｒ６はメチル基、又は置換基を有していても良いフェニル基）で表されることが好ましい。
【００１０】
前記バリウムアルコキシドがバリウム-tert-ブトキシドであることが好ましい。
反応系に脱水剤を添加することが好ましい。
前記式（I）中のＲ２がtert-ブチル基であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を過剰の塩基等を用いることなく温和な反応条件の下、高収率で得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明に係る製造方法は、バリウムアルコキシドを触媒として用い、カルボニル化合物とアミドとをアルドール反応させ、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を得るものである。
本反応に使用可能なカルボニル化合物として、１）アルデヒドとしては、置換基を有していてもよいアリールアルデヒド、アルキルアルデヒド、脂環式アルデヒド、ヘテロ環式アルデヒド、α、β−不飽和アルデヒドなどを例示でき、２）ケトンとしては、前記アルデヒドにおけるアルデヒド基の水素原子がパーフルオロアルキル基に置換したケトン類を例示できる。
【００１３】
本発明においては、下記式（Ｉ）のごとく、アミドの窒素原子がさらにウレタン型構造を形成していることが必須である。
前記アミドは次式
【化１】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基）で表されることが好ましい。
特に、Ｒ２がtert-ブチル基であることが好ましく、Ｒ３が４−アルコキシフェニル基であることが好ましい。
【００１４】
前記カルボニル化合物が次式
【化２】
（Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表されることが好ましい。
【００１５】
触媒としてバリウムアルコキシドを用いる。バリウムアルコキシドとしては、バリウム-tert-ブトキシド、バリウムイソプロポキシドを例示することができる。
【００１６】
反応系にフェノール化合物を添加することが好ましい。
特に、フェノール化合物が次式
【化４】
（Ｒ６はメチル基、又は置換基を有していても良いフェニル基）で表されることが好ましい。
【００１７】
反応系にゼオライトなどの脱水剤を添加することが好ましい。この理由の一つは、本反応が湿気により阻害されるためと考えられる。
【００１８】
本反応の反応温度は−２０℃〜４０℃程度が好ましく、より好ましくは０℃〜室温である。反応時間は１時間から１００時間が好ましく、より好ましくは２４時間から７２時間である。反応に用いる溶媒は非プロトン性極性溶媒であり、好ましくはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）などである。
【００１９】
以上のようにして、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を製造することができる。β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体は種々の化合物（β−ヒドロキシ酸、β−ヒドロキシエステル、β−ヒドロキシアルデヒド、１，３−アミノアルコールなど）に変換可能であり、医薬品などファインケミカルの合成中間体として有用である。
β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体としては、次式
【化３】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基、Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表されるものを得ることができる。
【実施例】
【００２０】
以下、実施例にて本発明を例証するが本発明を限定することを意図するものではない。
なお、１Ｈ−ＮＭＲは JEOL JNM-LA400を使用し、ＣＤＣｌ３を溶媒とし、テトラメチルシラン (δ＝０、１Ｈ ＮＭＲ)を内部標準物質として測定した。分取薄層クロマトグラフィーにはWakogel B-5Fを使用した。全ての反応はアルゴン雰囲気下で実施し、溶媒は定法に従い蒸留したものを使用した。
【００２１】
<製造例１>(N-tert-ブトキシカルボニル)アセチルアニシジドの製造
パラアセトアニシジド（5g, 30.3 mmol, from TCI）のアセトニトリル（15 mL）溶液に、ジ-tert-ブチルジカルボネート（7.3 g, 33.3 mmol）を加え、さらにN,N-ジメチルアミノピリジン（370 mg, 3.03 mmol）を加えた。室温で８時間撹拌後、10%硫酸水素カリウム水溶液を加えて反応を停止した。酢酸エチルにて抽出後、併せた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧留去した後、ヘキサンから再結晶することで標題化合物を85%の収率で得た（6.83 g）。
1H NMR (CDCl3) δ 1.39 (s, 9H), 2.55 (s, 3Hz), 3.82 (s, 3H), 6.9-7.0 (m, 4H) 。
【００２２】
<製造例２>(N-tert-ブトキシカルボニル)プロピオニルアニシジドの製造
パラアセトアニシジドに代えてパラプロピオニルアニシジドを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。標題化合物を75%の収率で得た。
1H NMR (CDCl3) δ 1.16 (t, 3H, J = 7.2 Hz), 1.39 (s, 9H), 2.88 (q, 2H, J = 7.2 Hz), 3.81 (s, 3H), 6.8-7.0 (m, 4H)
【００２３】
<実施例１>
バリウム-tert-ブトキシド(8.5 mg、高純度化学株式会社製)とモレキュラーシーブス5A（100 mg, アルドリッチ社製）の混合物に、p-メトキシフェノール(8.2 mg) のテトラヒドロフラン溶液(0.5 mL) を室温で加え、１０分間攪拌した。この混合液を０℃に冷却し、製造例１で製造した(N-tert-ブトキシカルボニル)アセチルアニシジド(95.5 mg) のテトラヒドロフラン溶液(0.5 mL)、及びベンズアルデヒド(31.8 mg) のテトラヒドロフラン溶液(0.5 mL) を順次加えた。そのままの温度で４８時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止し、塩化メチレンで抽出した。有機相を炭酸ナトリウムで乾燥し、乾燥剤を濾別した後、減圧下で溶媒を留去した。残渣を分取薄層クロマトグラフィーにて精製し、3-(p-メトキシフェニルアミノ)-3-オキソ-1-フェニルプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(109mg、収率 98％)。反応式を式Ｖ（Bocはtert-ブトキシカルボニル基を示す）に示す。
1H NMR (CDCl3) δ 1.40 (s, 9H), 2.75 (dd, 1H, J = 14, 4.8 Hz), 2.96 (dd, 1H, J = 14, 8.4 Hz), 3.77 (s, 3H), 6.04 (dd, 1H, J = 9.0, 4.8 Hz), 6.82 (m, 2H), 7.3-7.4 (m, 8H)。
【化５】
【００２４】
<実施例２>
ベンズアルデヒドに代えてアニスアルデヒドを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。1-(4-メトキシフェニル) -3-(4-メトキシフェニルアミノ)- 3-オキソプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 80％)。
1H NMR (CDCl3) δ 1.40 (s, 9H), 2.75 (dd, 1H, J = 14, 4.8 Hz), 2.96 (dd, 1H, J = 14, 8.4 Hz), 3.77 (s, 3H), 6.04 (dd, 1H, J = 9.0, 4.8 Hz), 6.82 (m, 2H), 7.3-7.4 (m, 8H)。
【００２５】
<実施例３>
ベンズアルデヒドに代えてp-トルアルデヒドを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。3-(4-メトキシフェニルアミノ)- 1-(4-メチルフェニル) -3-オキソプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 95％)。
1H NMR (CDCl3) δ 1.40 (s, 9H), 2.33 (s, 3H), 2.74 (dd, 1H, J = 15, 4.8 Hz), 2.96 (dd, 1H, J = 15, 8.6 Hz), 3.77 (s, 3H), 6.00 (dd, 1H, J = 8.6, 4.8 Hz), 6.81 (m, 2H), 7.1-7.5 (m, 7H)。
【００２６】
<実施例４>
ベンズアルデヒドに代えてp-クロロベンズアルデヒドを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。3-(4-メトキシフェニルアミノ)- 1-(4-クロロフェニル) -3-オキソプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 83％)。
1H NMR (CDCl3) δ 1.41 (s, 9H), 2.70 (dd, 1H, J = 15, 5.2 Hz), 2.94 (dd, 1H, J = 15, 8.6 Hz), 3.78 (s, 3H), 6.00 (dd, 1H, J = 8.6, 4.8 Hz), 6.82 (m, 2H), 7.3-7.4 (m, 7H)。
【００２７】
<実施例５>
ベンズアルデヒドに代えて1-ナフトアルデヒドを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。3-(4-メトキシフェニルアミノ)- 1-(ナフタレン-1-イル) -3-オキソプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 98％)。
1H NMR (CDCl3) δ 1.38 (s, 9H), 2.83 (dd, 1H, J = 15, 4.1 Hz), 3.05 (dd, 1H, J = 15, 9.3 Hz), 3.75 (s, 3H), 6.21 (dd, 1H, J = 9.3, 4.8 Hz), 6.80 (m, 2H), 7.3-7.9 (m, 10H)。
【００２８】
<実施例６>
(N-tert-ブトキシカルボニル)アセチルアニシジドに代えて製造例２で製造した(N-tert-ブトキシカルボニル)プロピオニルアニシジドを用い、p-メトキシフェノールに代えて2,2'-ビフェノール モノメチルエーテルを使用したこと以外は、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。3-(4-メトキシフェニルアミノ)-２−メチル-3-オキソ1-フェニルプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 87％、シン-体／アンチ-体＝５／９５)。
1H NMR (CDCl3) アンチ-体：δ 1.00 (d, 3H, J = 6.9 Hz), 1.34 (s, 9H), 2.83 (dq, 1H, J = 9.6, 6.9 Hz), 3.79 (s, 3H), 5.67 (d, 1H, J = 9.6 Hz), 6.8-6.9 (m, 2H), 7.3-7.4 (m, 5H), 7.4-7.5 (m, 2H), 7.51 (brs, 1H)。
【００２９】
<実施例７>
(N-tert-ブトキシカルボニル)アセチルアニシジドに代えて(N-tert-ブトキシカルボニル)プロピオニルアニシジドを用い、p-メトキシフェノールに代えて2,2'-ビフェノール モノメチルエーテルを使用したこと以外は、他の条件は実施例３と同様にして反応及び後処理を行った。3-(4-メトキシフェニルアミノ)-２−メチル-3-オキソ1-(4-メチルフェニル)プロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 85％、シン-体／アンチ-体＝２／９８)。
1H NMR (CDCl3) アンチ-体：δ 1.00 (d, 3H, J = 6.9 Hz), 1.33 (s, 9H), 2.35 (s, 1H), 2.82 (dq, 1H, J = 9.6, 6.9 Hz), 3.78 (s, 3H), 5.64 (d, 1H, J = 9.6 Hz), 6.8-6.9 (m, 2H), 7.1-7.3 (m, 4H), 7.4-7.5 (m, 2H), 7.47 (s, 1H); detectable peaks of syn isomer δ 5.68 (d, 1H, J = 8.3 Hz)。
【００３０】
<実施例８>
ベンズアルデヒドに代えてトリフルオロメチルフェニルケトンを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。1-(1,1,1-トリフルオロメチル)-3-(4-メトキシフェニルアミノ)- 3-オキソプロピル-1-フェニル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 85％)。
【００３１】
<実施例９〜１４>
ベンズアルデヒドに代えて表１に示す種々のアルデヒドを使用したこと以外は、他の条件は実施例１と同様にして、反応及び後処理を行った（下式VI）。基質一般性の検討について得られた結果を表１に示す。
【化６】
【００３２】
【表１】
【００３３】
<実施例１５>
添加剤としてフェノールの効果を検討するため、表２に示す構造の種々のフェノール化合物を用いたこと以外は、他の条件は実施例１と同様にして、反応及び後処理を行った（下式VII）。フェノール化合物の構造がシン／アンチ選択性に及ぼす影響について得られた結果を表２に示す。いずれの場合も良好なアンチ選択性が認められ、２位にアリール基を有するフェノールの場合は高収率、高アンチ選択性が得られた。
【化７】
【００３４】
【表２】
【００３５】
<実施例１６〜２５>
ベンズアルデヒドに代えて種々のアルデヒドを使用したこと以外は、他の条件は実施例６と同様にして反応及び後処理を行った（下式VIII）。基質一般性の検討についての結果を表3に示す。
【化８】
【００３６】
【表３】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、カルボニル化合物とアミドとのアルドール反応によるβ−ヒドロキシカルボン酸アミド化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルドール反応は、アルデヒドとカルボニル化合物からβ−ヒドロキシカルボニル化合物を生成する有用な反応である。カルボニル化合物としては、アルデヒド、ケトン、エステルが主に用いられ、チオエステルやアミド類等も用いられるが、これらは通常、酸又は塩基触媒により活性化する必要がある。また、ルイス酸触媒を用い、ケイ素エノラート等の活性化されたカルボニル化合物誘導体のアルドール反応が効率よく進行することも知られている（非特許文献1）。
一方、カルボニル化合物を強塩基などにより活性化せずに直接用いるアルドール反応も報告されている。特に、光学活性なプロリンを触媒として用い、アルデヒドやケトンをアルデヒドに直接不斉付加する反応は高い光学収率で効率よく進行する。（非特許文献2）
一方、エステル及びこれと同じ酸化状態を持つ化合物（チオエステル、アミド等）の直接的触媒的付加反応は、付加体のその後の変換が容易であると言った理由から工業的にも重要である。しかしながら、従来、それらの反応では化学量論量以上の塩基が必要であった。（非特許文献3）
【０００３】
【非特許文献１】S. G. Nelson; Tetrahedron Asymmetry 1998, 9, 357.
【非特許文献２】B. List; Tetrahedron 2002, 58, 5573.
【非特許文献３】D. A. Evans; W. Downey; J. L. Hubbs; J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 8706.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した従来技術の場合、求核剤にアミドを用いて温和な条件下でアルドール反応によりβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を高収率で得ることが困難である。
β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体は種々の化合物（β−ヒドロキシ酸、β−ヒドロキシエステル、β−ヒドロキシアルデヒド、１，３−アミノアルコールなど）に変換可能であり、有用な合成中間体である。
従って、本発明は、求核剤としてアミドを用いる温和な条件下でのアルドール反応により、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を高収率で製造する方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような課題を解決するために、本発明者らは、触媒にバリウム化合物を用いることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明の完成に至った。
【０００６】
即ち、本発明のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法は、バリウムアルコキシドを触媒として用い、カルボニル化合物とアミドとをアルドール反応させる。
前記アミドは次式
【化１】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基）で表されることが好ましい。
【０００７】
前記カルボニル化合物が次式
【化２】
（Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表されることが好ましい。
【０００８】
前記式（I）におけるＲ３が４−アルコキシフェニル基であることが好ましい。
前記β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体が次式
【化３】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基、Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表されることが好ましい。
【０００９】
反応系にフェノール化合物を添加することが好ましい。
前記フェノール化合物が次式
【化４】
（Ｒ６はメチル基、又は置換基を有していても良いフェニル基）で表されることが好ましい。
【００１０】
前記バリウムアルコキシドがバリウム-tert-ブトキシドであることが好ましい。
反応系に脱水剤を添加することが好ましい。
前記式（I）中のＲ２がtert-ブチル基であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を過剰の塩基等を用いることなく温和な反応条件の下、高収率で得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明に係る製造方法は、バリウムアルコキシドを触媒として用い、カルボニル化合物とアミドとをアルドール反応させ、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を得るものである。
本反応に使用可能なカルボニル化合物として、１）アルデヒドとしては、置換基を有していてもよいアリールアルデヒド、アルキルアルデヒド、脂環式アルデヒド、ヘテロ環式アルデヒド、α、β−不飽和アルデヒドなどを例示でき、２）ケトンとしては、前記アルデヒドにおけるアルデヒド基の水素原子がパーフルオロアルキル基に置換したケトン類を例示できる。
【００１３】
本発明においては、下記式（Ｉ）のごとく、アミドの窒素原子がさらにウレタン型構造を形成していることが必須である。
前記アミドは次式
【化１】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基）で表されることが好ましい。
特に、Ｒ２がtert-ブチル基であることが好ましく、Ｒ３が４−アルコキシフェニル基であることが好ましい。
【００１４】
前記カルボニル化合物が次式
【化２】
（Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表されることが好ましい。
【００１５】
触媒としてバリウムアルコキシドを用いる。バリウムアルコキシドとしては、バリウム-tert-ブトキシド、バリウムイソプロポキシドを例示することができる。
【００１６】
反応系にフェノール化合物を添加することが好ましい。
特に、フェノール化合物が次式
【化４】
（Ｒ６はメチル基、又は置換基を有していても良いフェニル基）で表されることが好ましい。
【００１７】
反応系にゼオライトなどの脱水剤を添加することが好ましい。この理由の一つは、本反応が湿気により阻害されるためと考えられる。
【００１８】
本反応の反応温度は−２０℃〜４０℃程度が好ましく、より好ましくは０℃〜室温である。反応時間は１時間から１００時間が好ましく、より好ましくは２４時間から７２時間である。反応に用いる溶媒は非プロトン性極性溶媒であり、好ましくはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）などである。
【００１９】
以上のようにして、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体を製造することができる。β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体は種々の化合物（β−ヒドロキシ酸、β−ヒドロキシエステル、β−ヒドロキシアルデヒド、１，３−アミノアルコールなど）に変換可能であり、医薬品などファインケミカルの合成中間体として有用である。
β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体としては、次式
【化３】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基、Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表されるものを得ることができる。
【実施例】
【００２０】
以下、実施例にて本発明を例証するが本発明を限定することを意図するものではない。
なお、１Ｈ−ＮＭＲは JEOL JNM-LA400を使用し、ＣＤＣｌ３を溶媒とし、テトラメチルシラン (δ＝０、１Ｈ ＮＭＲ)を内部標準物質として測定した。分取薄層クロマトグラフィーにはWakogel B-5Fを使用した。全ての反応はアルゴン雰囲気下で実施し、溶媒は定法に従い蒸留したものを使用した。
【００２１】
<製造例１>(N-tert-ブトキシカルボニル)アセチルアニシジドの製造
パラアセトアニシジド（5g, 30.3 mmol, from TCI）のアセトニトリル（15 mL）溶液に、ジ-tert-ブチルジカルボネート（7.3 g, 33.3 mmol）を加え、さらにN,N-ジメチルアミノピリジン（370 mg, 3.03 mmol）を加えた。室温で８時間撹拌後、10%硫酸水素カリウム水溶液を加えて反応を停止した。酢酸エチルにて抽出後、併せた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧留去した後、ヘキサンから再結晶することで標題化合物を85%の収率で得た（6.83 g）。
1H NMR (CDCl3) δ 1.39 (s, 9H), 2.55 (s, 3Hz), 3.82 (s, 3H), 6.9-7.0 (m, 4H) 。
【００２２】
<製造例２>(N-tert-ブトキシカルボニル)プロピオニルアニシジドの製造
パラアセトアニシジドに代えてパラプロピオニルアニシジドを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。標題化合物を75%の収率で得た。
1H NMR (CDCl3) δ 1.16 (t, 3H, J = 7.2 Hz), 1.39 (s, 9H), 2.88 (q, 2H, J = 7.2 Hz), 3.81 (s, 3H), 6.8-7.0 (m, 4H)
【００２３】
<実施例１>
バリウム-tert-ブトキシド(8.5 mg、高純度化学株式会社製)とモレキュラーシーブス5A（100 mg, アルドリッチ社製）の混合物に、p-メトキシフェノール(8.2 mg) のテトラヒドロフラン溶液(0.5 mL) を室温で加え、１０分間攪拌した。この混合液を０℃に冷却し、製造例１で製造した(N-tert-ブトキシカルボニル)アセチルアニシジド(95.5 mg) のテトラヒドロフラン溶液(0.5 mL)、及びベンズアルデヒド(31.8 mg) のテトラヒドロフラン溶液(0.5 mL) を順次加えた。そのままの温度で４８時間攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止し、塩化メチレンで抽出した。有機相を炭酸ナトリウムで乾燥し、乾燥剤を濾別した後、減圧下で溶媒を留去した。残渣を分取薄層クロマトグラフィーにて精製し、3-(p-メトキシフェニルアミノ)-3-オキソ-1-フェニルプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(109mg、収率 98％)。反応式を式Ｖ（Bocはtert-ブトキシカルボニル基を示す）に示す。
1H NMR (CDCl3) δ 1.40 (s, 9H), 2.75 (dd, 1H, J = 14, 4.8 Hz), 2.96 (dd, 1H, J = 14, 8.4 Hz), 3.77 (s, 3H), 6.04 (dd, 1H, J = 9.0, 4.8 Hz), 6.82 (m, 2H), 7.3-7.4 (m, 8H)。
【化５】
【００２４】
<実施例２>
ベンズアルデヒドに代えてアニスアルデヒドを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。1-(4-メトキシフェニル) -3-(4-メトキシフェニルアミノ)- 3-オキソプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 80％)。
1H NMR (CDCl3) δ 1.40 (s, 9H), 2.75 (dd, 1H, J = 14, 4.8 Hz), 2.96 (dd, 1H, J = 14, 8.4 Hz), 3.77 (s, 3H), 6.04 (dd, 1H, J = 9.0, 4.8 Hz), 6.82 (m, 2H), 7.3-7.4 (m, 8H)。
【００２５】
<実施例３>
ベンズアルデヒドに代えてp-トルアルデヒドを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。3-(4-メトキシフェニルアミノ)- 1-(4-メチルフェニル) -3-オキソプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 95％)。
1H NMR (CDCl3) δ 1.40 (s, 9H), 2.33 (s, 3H), 2.74 (dd, 1H, J = 15, 4.8 Hz), 2.96 (dd, 1H, J = 15, 8.6 Hz), 3.77 (s, 3H), 6.00 (dd, 1H, J = 8.6, 4.8 Hz), 6.81 (m, 2H), 7.1-7.5 (m, 7H)。
【００２６】
<実施例４>
ベンズアルデヒドに代えてp-クロロベンズアルデヒドを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。3-(4-メトキシフェニルアミノ)- 1-(4-クロロフェニル) -3-オキソプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 83％)。
1H NMR (CDCl3) δ 1.41 (s, 9H), 2.70 (dd, 1H, J = 15, 5.2 Hz), 2.94 (dd, 1H, J = 15, 8.6 Hz), 3.78 (s, 3H), 6.00 (dd, 1H, J = 8.6, 4.8 Hz), 6.82 (m, 2H), 7.3-7.4 (m, 7H)。
【００２７】
<実施例５>
ベンズアルデヒドに代えて1-ナフトアルデヒドを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。3-(4-メトキシフェニルアミノ)- 1-(ナフタレン-1-イル) -3-オキソプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 98％)。
1H NMR (CDCl3) δ 1.38 (s, 9H), 2.83 (dd, 1H, J = 15, 4.1 Hz), 3.05 (dd, 1H, J = 15, 9.3 Hz), 3.75 (s, 3H), 6.21 (dd, 1H, J = 9.3, 4.8 Hz), 6.80 (m, 2H), 7.3-7.9 (m, 10H)。
【００２８】
<実施例６>
(N-tert-ブトキシカルボニル)アセチルアニシジドに代えて製造例２で製造した(N-tert-ブトキシカルボニル)プロピオニルアニシジドを用い、p-メトキシフェノールに代えて2,2'-ビフェノール モノメチルエーテルを使用したこと以外は、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。3-(4-メトキシフェニルアミノ)-２−メチル-3-オキソ1-フェニルプロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 87％、シン-体／アンチ-体＝５／９５)。
1H NMR (CDCl3) アンチ-体：δ 1.00 (d, 3H, J = 6.9 Hz), 1.34 (s, 9H), 2.83 (dq, 1H, J = 9.6, 6.9 Hz), 3.79 (s, 3H), 5.67 (d, 1H, J = 9.6 Hz), 6.8-6.9 (m, 2H), 7.3-7.4 (m, 5H), 7.4-7.5 (m, 2H), 7.51 (brs, 1H)。
【００２９】
<実施例７>
(N-tert-ブトキシカルボニル)アセチルアニシジドに代えて(N-tert-ブトキシカルボニル)プロピオニルアニシジドを用い、p-メトキシフェノールに代えて2,2'-ビフェノール モノメチルエーテルを使用したこと以外は、他の条件は実施例３と同様にして反応及び後処理を行った。3-(4-メトキシフェニルアミノ)-２−メチル-3-オキソ1-(4-メチルフェニル)プロピル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 85％、シン-体／アンチ-体＝２／９８)。
1H NMR (CDCl3) アンチ-体：δ 1.00 (d, 3H, J = 6.9 Hz), 1.33 (s, 9H), 2.35 (s, 1H), 2.82 (dq, 1H, J = 9.6, 6.9 Hz), 3.78 (s, 3H), 5.64 (d, 1H, J = 9.6 Hz), 6.8-6.9 (m, 2H), 7.1-7.3 (m, 4H), 7.4-7.5 (m, 2H), 7.47 (s, 1H); detectable peaks of syn isomer δ 5.68 (d, 1H, J = 8.3 Hz)。
【００３０】
<実施例８>
ベンズアルデヒドに代えてトリフルオロメチルフェニルケトンを使用し、他の条件は実施例１と同様にして反応及び後処理を行った。1-(1,1,1-トリフルオロメチル)-3-(4-メトキシフェニルアミノ)- 3-オキソプロピル-1-フェニル tert-ブチルカルボナートを得た(収率 85％)。
【００３１】
<実施例９〜１４>
ベンズアルデヒドに代えて表１に示す種々のアルデヒドを使用したこと以外は、他の条件は実施例１と同様にして、反応及び後処理を行った（下式VI）。基質一般性の検討について得られた結果を表１に示す。
【化６】
【００３２】
【表１】
【００３３】
<実施例１５>
添加剤としてフェノールの効果を検討するため、表２に示す構造の種々のフェノール化合物を用いたこと以外は、他の条件は実施例１と同様にして、反応及び後処理を行った（下式VII）。フェノール化合物の構造がシン／アンチ選択性に及ぼす影響について得られた結果を表２に示す。いずれの場合も良好なアンチ選択性が認められ、２位にアリール基を有するフェノールの場合は高収率、高アンチ選択性が得られた。
【化７】
【００３４】
【表２】
【００３５】
<実施例１６〜２５>
ベンズアルデヒドに代えて種々のアルデヒドを使用したこと以外は、他の条件は実施例６と同様にして反応及び後処理を行った（下式VIII）。基質一般性の検討についての結果を表3に示す。
【化８】
【００３６】
【表３】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリウムアルコキシドを触媒として用い、カルボニル化合物とアミドとをアルドール反応させる、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項２】
前記アミドは次式
【化１】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基）で表される、請求項１記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項３】
前記カルボニル化合物が次式
【化２】
（Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表される、請求項１又は２に記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記式（I）におけるＲ３が４−アルコキシフェニル基である、請求項１〜３のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項５】
前記β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体が次式
【化３】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基、Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項６】
反応系にフェノール化合物を添加する、請求項１〜５のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造。
【請求項７】
前記フェノール化合物が次式
【化４】
（Ｒ６はメチル基、又は置換基を有していても良いフェニル基）で表される、請求項６に記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項８】
前記バリウムアルコキシドがバリウム-tert-ブトキシドである、請求項１〜７のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項９】
反応系に脱水剤を添加する、請求項１〜８のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項１０】
前記式（I）中のＲ２がtert-ブチル基である、請求項２ないし９のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項１】
バリウムアルコキシドを触媒として用い、カルボニル化合物とアミドとをアルドール反応させる、β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項２】
前記アミドは次式
【化１】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基）で表される、請求項１記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項３】
前記カルボニル化合物が次式
【化２】
（Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表される、請求項１又は２に記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記式（I）におけるＲ３が４−アルコキシフェニル基である、請求項１〜３のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項５】
前記β−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体が次式
【化３】
（Ｒ１は水素原子、ヘテロ環、又は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ２は置換基を有していても良い炭化水素基、Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基、Ｒ４は置換基を有していても良いアリール基、アルキル基、ヘテロ環、アルケニル基、又はアルキニル基、Ｒ５は水素原子又はパーフルオロアルキル基）で表されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項６】
反応系にフェノール化合物を添加する、請求項１〜５のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造。
【請求項７】
前記フェノール化合物が次式
【化４】
（Ｒ６はメチル基、又は置換基を有していても良いフェニル基）で表される、請求項６に記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項８】
前記バリウムアルコキシドがバリウム-tert-ブトキシドである、請求項１〜７のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項９】
反応系に脱水剤を添加する、請求項１〜８のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【請求項１０】
前記式（I）中のＲ２がtert-ブチル基である、請求項２ないし９のいずれかに記載のβ−ヒドロキシカルボン酸アミド誘導体の製造方法。
【公開番号】特開２００７−２３８５０７（Ｐ２００７−２３８５０７Ａ）
【公開日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−６３５６５（Ｐ２００６−６３５６５）
【出願日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【出願人】（５０３３６０１１５）独立行政法人科学技術振興機構 (1,734)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【出願人】（５０３３６０１１５）独立行政法人科学技術振興機構 (1,734)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]