アクティブマトリックス型表示装置
【課題】有機ＥＬ素子等の発光素子によって構成される画素の高開口率化を可能とし、アクティブマトリックス型表示装置の高精細化を図ることができるようにする。
【解決手段】有機ＥＬ素子２０のカソード電極（上部電極）と接続され、Ｒ画素２０ｂのみに隣接して配置された上層補助配線５４（上部電極接続配線）と、カソード電極の電気抵抗を調整するために上層補助配線５４と接続された下層補助配線５５（抵抗調整配線）とを有する。
【解決手段】有機ＥＬ素子２０のカソード電極（上部電極）と接続され、Ｒ画素２０ｂのみに隣接して配置された上層補助配線５４（上部電極接続配線）と、カソード電極の電気抵抗を調整するために上層補助配線５４と接続された下層補助配線５５（抵抗調整配線）とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリックス状に配列された複数の発光素子を備え、駆動手段によって各発光素子を発光させるアクティブマトリックス型表示装置に係るものである。そして、詳しくは、発光素子によって構成される画素の高開口率化を可能とし、アクティブマトリックス型表示装置の高精細化を図ることができるようにした技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、アクティブマトリックス型表示装置において、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）を使用した有機ＥＬディスプレイが知られている。この有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列するとともに、有機ＥＬ素子を駆動する駆動手段を設けたものである。そして、有機ＥＬ素子は、アノード電極とカソード電極との間に、有機物の正孔輸送層や有機物の発光層を積層した有機物層を配置した電流発光素子である。このような有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子の有機物層に電子と正孔とを注入することによって発光する。そのため、有機ＥＬ素子に流れる電流値を駆動手段によってコントロールすることにより、発色の階調を得ることができる。
【０００３】
ここで、有機ＥＬディスプレイには、各有機ＥＬ素子を駆動するための信号線が配線されている。さらにまた、各有機ＥＬ素子を駆動するための走査線及び電源線も配線されている。さらに、各有機ＥＬ素子の間には、補助配線が配置されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−５８８１５号公報
【０００４】
図６は、上記の特許文献１に開示された補助配線１５４を有する有機ＥＬディスプレイ１１０の配線構造の参考例を示す平面図である。
図６に示すように、有機ＥＬディスプレイ１１０は、有機ＥＬ素子１２０がｍ行×ｎ列（図６では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。なお、有機ＥＬ素子１２０は、光の三原色中の青を発光するＢ画素と、赤を発光するＲ画素と、緑を発光するＧ画素とが一組として配列されている。
【０００５】
ここで、有機ＥＬディスプレイ１１０は、各有機ＥＬ素子１２０を駆動するための信号線１５１、走査線１５２、及び電源線１５３を有している。そして、信号線１５１は、有機ＥＬ素子１２０の各列ごとに配線され、走査線１５２及び電源線１５３は、有機ＥＬ素子１２０の各行ごとに配線されている。
【０００６】
また、有機ＥＬディスプレイ１１０には、補助配線１５４が配線されている。この補助配線１５４は、有機ＥＬ素子１２０の上部電極であるカソード電極の電気抵抗を調整するためのものである。具体的には、カソード電極は、有機ＥＬ素子１２０が発する光をカソード電極を通して外部に取り出せるようにするため、透明電極となっている。そして、透明電極となるような光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高い。そのため、上部のカソード電極から光を取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイ１１０では、カソード電極の低抵抗化を図るべく、補助配線１５４を配線している。なお、カソード電極と補助配線１５４とは、カソード接続部１５６を介して接続されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、図６に示す有機ＥＬディスプレイ１１０の補助配線１５４（上記した特許文献１に開示された補助配線）は、各有機ＥＬ素子１２０の周囲を囲うようにして配線されているので、各有機ＥＬ素子１２０同士の間には、必ず補助配線１５４が配置される。そのため、有機ＥＬ素子１２０によって構成される画素の開口率が補助配線１５４の配置スペースによって制限されることとなり、有機ＥＬディスプレイ１１０を高精細化するには問題があった。
【０００８】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、有機ＥＬ素子等の発光素子によって構成される画素の高開口率化を可能とし、アクティブマトリックス型表示装置の高精細化を図ることができるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下の解決手段によって、上述の課題を解決する。
本発明の請求項１に記載の発明は、マトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、各前記発光素子を駆動するための駆動手段と、前記上部電極と接続され、前記下部電極と同一層に設けられるとともに一部の前記発光素子のみに隣接して配置された上部電極接続配線と、前記上部電極の電気抵抗を調整するために前記上部電極接続配線と接続され、前記下部電極よりも下層に配線された抵抗調整配線とを有するアクティブマトリックス型表示装置である。
【００１０】
（作用）
上記の請求項１に記載の発明は、発光素子の上部電極と接続され、下部電極と同一層に設けられた上部電極接続配線と、上部電極の電気抵抗を調整するために上部電極接続配線と接続され、下部電極よりも下層に配線された抵抗調整配線とを有している。そして、上部電極接続配線は、一部の発光素子のみに隣接して配置されている。そのため、上部電極接続配線が隣接して配置されていない発光素子では、上部電極接続配線の配置スペースを設ける必要がなくなるので、画素の開口率を大きくできる。また、上部電極の電気抵抗は、抵抗調整配線によって調整できる。
【発明の効果】
【００１１】
上記の発明によれば、上部電極接続配線が隣接して配置されていない発光素子によって構成される画素を高開口率化できる。そのため、アクティブマトリックス型表示装置の高精細化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明のアクティブマトリックス型表示装置の一例（第１実施形態）である有機ＥＬディスプレイ１０の配線構造を示す平面図である。
図１に示すように、第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０（本発明における発光素子に相当するもの）がＭ行×Ｎ列（図１では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。なお、有機ＥＬ素子２０は、光の三原色中の青を発光するＢ画素２０ａと、赤を発光するＲ画素２０ｂと、緑を発光するＧ画素２０ｃとが一組として配列されている。
【００１３】
また、有機ＥＬディスプレイ１０は、各有機ＥＬ素子２０（各Ｂ画素２０ａ、各Ｒ画素２０ｂ、各Ｇ画素２０ｃ）に共通する上部電極（図示せず）の電気抵抗を調整するための下層補助配線５５（本発明における抵抗調整配線に相当するもの）を有している。さらにまた、各有機ＥＬ素子２０を駆動するための信号線５１（本発明における第２配線に相当するもの）、走査線５２（本発明における第１配線に相当するもの）、及び電源線５３を有している。さらに、各Ｒ画素２０ｂには、それに隣接して上層補助配線５４（本発明における上部電極接続配線に相当するもの）が配置されている。
【００１４】
ここで、走査線５２、電源線５３、及び下層補助配線５５は、有機ＥＬ素子２０の下部電極（図示せず）よりも下層の同一層にそれぞれ設けられている。また、これらは、それぞれが互いに平行する方向であって、有機ＥＬ素子２０の各行ごとに配線されている。さらにまた、信号線５１は、走査線５２、電源線５３、及び下層補助配線５５と同一層に設けられているが、これらと交差する方向であって、有機ＥＬ素子２０の各列ごとに配線されている。
【００１５】
一方、上層補助配線５４は、有機ＥＬ素子２０の下部電極（図示せず）と同一層（下層補助配線５５等よりも上層）に設けられている。そして、有機ＥＬ素子２０の上部電極（図示せず）とカソード接続部５６で接続され、下層補助配線５５と上下接続部５７で接続されている。
【００１６】
また、上層補助配線５４は、有機ＥＬ素子２０のＲ画素２０ｂのみに隣接して（方形のＲ画素２０ｂの下辺に沿って）島状に配置されており、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃの部分には配置されていない。そのため、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃでは、上層補助配線５４によって下部電極（図示せず）のスペースが制限されないので、Ｒ画素２０ｂよりも大きな画素開口を有している。
【００１７】
図２は、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の等価回路図である。
図２に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、アノード電極２１（本発明における下部電極に相当するもの）と、カソード電極２２（本発明における上部電極に相当するもの）とによって構成される有機ＥＬ素子２０を備えている。なお、有機ＥＬ素子２０は、アノード電極２１とカソード電極２２との間に有機物の発光層を有している。
【００１８】
ここで、有機ＥＬディスプレイ１０は、本発明の駆動手段であるＴＦＴ回路素子３０（３０ａ，３０ｂ）やキャパシタ４０を有機ＥＬ素子２０ごとにそれぞれ設けたアクティブマトリックス型表示装置である。具体的には、有機ＥＬディスプレイ１０は、カソード電極２２がＧＮＤ（グラウンド）及び補助配線５４に接続された有機ＥＬ素子２０と、ソース電極３２ａが有機ＥＬ素子２０のアノード電極２１に接続され、ドレイン電極３３ａが正電位の電源線５３に接続されたＴＦＴ回路素子３０ａと、ソース電極３２ｂがＴＦＴ回路素子３０ａのゲート電極３１ａに、ゲート電極３１ｂが走査線５２に、ドレイン電極３３ｂが信号線５１にそれぞれ接続されたＴＦＴ回路素子３０ｂと、ＴＦＴ回路素子３０ａのソース電極３２ａとＴＦＴ回路素子３０ｂのソース電極３２ｂとの間に接続されたキャパシタ４０とを備えている。
【００１９】
なお、図２において、上下層間（カソード接続部５６を介したカソード電極２２と上層補助配線５４との間、上下接続部５７を介した上層補助配線５４と下層補助配線５５との間、ゲート電極３１ｂと走査線５２との間）の配線は、点線で示している。また、信号線５１は、走査線５２、電源線５３、上層補助配線５４、及び下層補助配線５５と交差するが、交差する位置の前後で分断されている。そして、分断された信号線５１同士を下層の信号接続線５８で接続することにより、同一層の走査線５２、電源線５３、及び下層補助配線５５と信号線５１とがショートしないようにしている。
【００２０】
このような有機ＥＬディスプレイ１０は、ＴＦＴ回路素子３０ａが駆動トランジスタとなり、ＴＦＴ回路素子３０ｂがスイッチングトランジスタとなっている。そして、走査線５２に書込み信号を印加し、ＴＦＴ回路素子３０ｂのゲート電極３１ｂの電位を制御すると、信号線５１の信号電圧がＴＦＴ回路素子３０ａのゲート電極３１ａに印加される。この際、ゲート電極３１ａの電位は、次に走査線５２に書込み信号が印加されるまでの間、キャパシタ４０によって安定的に保持される。これにより、ＴＦＴ回路素子３０ａのゲート電極３１ａとソース電極３２ａとの間の電圧に応じた電流が有機ＥＬ素子２０に流れ、有機ＥＬ素子２０は、この電流値に応じた輝度で発光し続けることとなる。
【００２１】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０に流れる電流値をコントロールして発光させている。また、電源線５３をパルス駆動（２回パルス）することにより、有機ＥＬ素子２０を駆動している。そして、１回目のパルスでＴＦＴ回路素子３０ａ（駆動トランジスタ）の特性バラツキである閾値電圧の補正を行い、２回目のパルスで書込み信号の印加と移動度の補正とを同時に行なっている。そのため、有機ＥＬ素子２０の経時劣化やＴＦＴ回路素子３０ａの特性のバラツキが抑制されたものとなっている。
【００２２】
図３は、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の断面図（ａ−ａ’断面、ｂ−ｂ’断面）である。
図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、図３に示すように、遮光メタル１１を備えるガラス基板１２の上に絶縁膜１３を積層したものである。そして、絶縁膜１３の上に下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３が配線されている。また、絶縁膜１３の上には、ＴＦＴ回路素子３０も形成されている。さらにまた、図３に示すａ−ａ’断面及びｂ−ｂ’断面には図示されていないが、信号線５１（図１参照）も絶縁膜１３上に配線されている。そのため、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、信号線５１、及びＴＦＴ回路素子３０は、同一層に設けられている。
【００２３】
ここで、図１及び図２に示すように、信号線５１は、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と交差する部分の前後で分断されている。また、この交差部分では、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板１２上に信号接続線５８が配線されている。そして、絶縁膜１３上で分断された信号線５１同士は、ガラス基板１２上の信号接続線５８によって接続されている。そのため、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と信号線５１とが接触することはなく、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と信号接続線５８とは、絶縁膜１３によって絶縁される。したがって、信号線５１、走査線５２、及び電源線５３を同一層に配線していても、ショートが発生することはない。
【００２４】
また、絶縁膜１３の上には、平坦化膜１４が積層されている。この平坦化膜１４は、信号線５１（図１参照）、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及びＴＦＴ回路素子３０を相互に絶縁するだけでなく、これらの上面を凹凸のない平坦面とするものである。そして、平坦化膜１４の上に、上層補助配線５４が配置されるとともに、有機ＥＬ素子２０（アノード電極２１）が配列されている。
【００２５】
この有機ＥＬ素子２０は、図３（ａ）に示すように、アノード電極２１とカソード電極２２との間に有機物層２３（本発明における発光層に相当するもの）を配置したものである。そして、アノード電極２１がＴＦＴ回路素子３０と接続されており、アノード電極２１の周囲は、開口規定膜１５によって覆われている。また、有機物層２３は、注入された電子と正孔との再結合によって発光する有機物からなり、有機物層２３が発した光は、透明電極であるカソード電極２２を通して外部に取り出される。
【００２６】
ここで、カソード電極２２を構成する光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高いものである。そのため、カソード電極２２の電気抵抗を調整し、カソード電極２２の低抵抗化を図るため、下層補助配線５５が設けられている。また、カソード電極２２と下層補助配線５５とを接続するため、アノード電極２１と同一層に上層補助配線５４が設けられている。そして、カソード接続部５６（図１参照）を介してカソード電極２２と上層補助配線５４とが接続され、上下接続部５７（図３（ｂ）参照）を介して上層補助配線５４と下層補助配線５５とが接続されている。なお、上層補助配線５４及び下層補助配線５５は、カソード電極２２と同電位で、ＧＮＤ（図２参照）に接地されている。
【００２７】
図３に示すような断面（ａ−ａ’断面、ｂ−ｂ’断面）の有機ＥＬディスプレイ１０（図１参照）を製造するには、最初に、遮光メタル１１を備えるガラス基板１２上に信号接続線５８を形成する。すなわち、Ｍｏ（モリブデン）等の高抵抗の導電性材料によってガラス基板１２上に金属層をパターニングし、信号接続線５８とする。そして、ガラス基板１２及び信号接続線５８の上を覆うようにして絶縁膜１３を形成する。なお、この絶縁膜１３は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）又はＳｉＯ２（二酸化ケイ素）をＣＶＤ法（化学蒸着法）によって成膜して形成する。
【００２８】
次に、絶縁膜１３の上に、配線パターンとして金属層を形成し、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及び信号線５１（図１参照）とする。また、絶縁膜１３上には、ＴＦＴ回路素子３０も形成する。なお、信号線５１は、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と交差する部分の前後で分断されるようにし、分断された端部が信号接続線５８と接続されるようにする。
【００２９】
このようにして下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及びＴＦＴ回路素子３０を形成すると、絶縁膜１３の表面が凹凸になる。そこで、絶縁膜１３の上に、無機系薄膜（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で平坦化膜１４を形成する。これにより、絶縁膜１３だけでなく、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及びＴＦＴ回路素子３０の上に平坦化膜１４が積層され、平坦化膜１４の表面では、凹凸のない平坦面となる。なお、信号線５１（図１参照）の上にも平坦化膜１４が積層される。
【００３０】
続いて、平坦化膜１４の上に、Ａｌ（アルミニウム）等の低抵抗の金属材料によって上層補助配線５４をパターニングする。具体的には、図１に示す各有機ＥＬ素子２０（Ｂ画素２０ａ、Ｒ画素２０ｂ、Ｇ画素２０ｃ）中のＲ画素２０ｂのみに隣接した（方形のＲ画素２０ｂの下辺に沿った）島状の上層補助配線５４となるようにする。なお、この際、平坦化膜１４をパターニングして、下層補助配線５５の上面を部分的に露出させておく。そのため、上層補助配線５４の形成と同時に、下層補助配線５５の露出した上面に上下接続部５７が形成される。
【００３１】
また、平坦化膜１４及び上層補助配線５４の上には、アノード電極２１の周囲を覆うようにして開口規定膜１５を積層する。さらにまた、開口規定膜１５の上には、光透過率の高い導電性材料によってカソード電極２２及びカソード接続部５６を形成する。そして、カソード接続部５６を介してカソード電極２２と上層補助配線５４とを接続する。したがって、カソード電極２２は、カソード接続部５６、上層補助配線５４、及び上下接続部５７により、下層補助配線５５と接続されることとなる。
【００３２】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０（図１参照）は、アノード電極２１の周囲が開口規定膜１５によって覆われる。そして、開口規定膜１５は、有機物層２３の部分だけが開口しており、この開口から有機物層２３が発する光を取り出せるようになっている。具体的には、アノード電極２１に反射率が高い金属等が用いられる一方で、カソード電極２２は、光透過率の高い導電性材料からなる透明電極となっている。そのため、有機物層２３が発する光は、ガラス基板１２と反対側のカソード電極２２側から取り出されることとなる。そして、このようなトップエミッション方式とすることにより、有機ＥＬ素子２０の開口率を効率的に確保している。
【００３３】
また、光透過率が高い導電性材料であるために抵抗値が高いカソード電極２２は、上層補助配線５４を介して下層補助配線５５と接続されている。そのため、カソード電極２２の電気抵抗は、下層補助配線５５によって調整（低抵抗化）される。その結果、アノード電極２１と同一層に配置された上層補助配線５４の面積を大幅に小さくすることができ、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０では、島状の上層補助配線５４となっている。
【００３４】
さらにまた、島状の上層補助配線５４は、図１に示すように、有機ＥＬ素子２０のＲ画素２０ｂのみに隣接して（方形のＲ画素２０ｂの下辺に沿って）島状に配置されており、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃの部分には配置されていない。そのため、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃのアノード電極２１（図３（ａ）参照）の面積を拡大できるので、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃの各開口率は、Ｒ画素２０ｂの開口率よりも大きく形成されている。
【００３５】
さらに、画素の開口率が低下すると、その画素の寿命が低下してしまうが、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃでは、その高開口率化により、長寿命化が可能となっている。一方、Ｒ画素２０ｂは、上層補助配線５４の配置により、高開口率化されていない。しかし、Ｒ画素２０ｂの寿命は、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃよりも一般的に長いので、有機ＥＬ素子２０の全体としては、長寿命でバランスの取れたものとなる。言い換えれば、第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、Ｂ画素２０ａやＧ画素２０ｃよりも寿命が長いＲ画素２０ｂのみに隣接して上層補助配線５４を配置している。そのため、有機ＥＬ素子２０の長寿命化及び高開口率化を図ることができる。
【００３６】
図４は、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ６０の配線構造を示す平面図である。
図４に示すように、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ６０は、有機ＥＬ素子２０がＭ行×Ｎ列（図４では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。そして、有機ＥＬ素子２０のカソード電極２２（図３参照）の電気抵抗を調整するために、カソード電極２２と上層補助配線５４とがカソード接続部５６で接続され、上層補助配線５４と下層補助配線５５とが上下接続部５７で接続されている。
【００３７】
ここで、有機ＥＬ素子２０は、光の三原色中の青を発光するＢ画素２０ａと、赤を発光するＲ画素２０ｂ及びＲ画素２０ｄと、緑を発光するＧ画素２０ｃとによって構成されている。そして、上層補助配線５４は、上下に１つおきに配置されたＲ画素２０ｂ及びＲ画素２０ｄ中のＲ画素２０ｂのみに隣接して（方形のＲ画素２０ｂの下辺に沿って）島状に配置されており、Ｒ画素２０ｄ、Ｂ画素２０ａ、及びＧ画素２０ｃの部分には配置されていない。
【００３８】
したがって、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ６０では、上層補助配線５４によってアノード電極２１（図３参照）のスペースが制限されないＲ画素２０ｄ、Ｂ画素２０ａ、及びＧ画素２０ｃの開口率がＲ画素２０ｂよりも大きくなっている。これにより、図４に示す第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ６０は、Ｒ画素２０ｄの数だけ、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０よりも高い開口率を得ることができる。その結果、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ６０は、より一層の高精細化及び高画質化が実現されたものとなっている。
【００３９】
図５は、第３実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０の配線構造を示す平面図である。
図５に示すように、第３実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０は、有機ＥＬ素子２０がＭ行×Ｎ列（図４では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。そして、有機ＥＬ素子２０のカソード電極２２（図３参照）の電気抵抗を調整するために、カソード電極２２と上層補助配線５４とがカソード接続部５６で接続され、上層補助配線５４と下層補助配線５５とが上下接続部５７で接続されている。
【００４０】
ここで、有機ＥＬ素子２０は、光の三原色中の青を発光するＢ画素２０ａと、赤を発光するＲ画素２０ｅと、緑を発光するＧ画素２０ｃとによって構成されている。そして、上層補助配線５４は、Ｒ画素２０ｅのみに隣接して（Ｒ画素２０ｅの左下部に形成された切欠きに沿って）島状に配置されており、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃの部分には配置されていない。
【００４１】
したがって、第３実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０では、上層補助配線５４によってアノード電極２１（図３参照）のスペースが制限されないＢ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃの開口率がＲ画素２０ｅよりも大きくなっている。また、上層補助配線５４は、Ｒ画素２０ｅの左下部のみに配置されているので、Ｒ画素２０ｅ開口率は、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０のＲ画素２０ｂよりも大きくなっている。その結果、図５に示す第３実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０は、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０よりも高い開口率を得ることができ、高精細化及び高画質化されたものとなっている。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、例えば、以下のような種々の変形が可能である。
（１）各実施形態では、有機ＥＬ素子２０が発した光をガラス基板１２と反対側から取り出すようにしたトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイ１０としている。しかし、有機ＥＬ素子２０が発した光をガラス基板１２と同じ側から取り出すようにしたボトムエミッション方式にも適用できる。
【００４３】
（２）各実施形態では、発光素子に有機ＥＬ素子２０（有機エレクトロルミネッセンス素子）を用いている。しかし、無機エレクトロルミネッセンス素子や発光ダイオード等、上部電極と下部電極との間に発光層を形成することができる発光素子であればよく、有機エレクトロルミネッセンス素子に限られない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明のアクティブマトリックス型表示装置の一例（第１実施形態）である有機ＥＬディスプレイの配線構造を示す平面図である。
【図２】図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイの等価回路図である。
【図３】図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイの断面図（ａ−ａ’断面、ｂ−ｂ’断面）である。
【図４】第２実施形態の有機ＥＬディスプレイの配線構造を示す平面図である。
【図５】第３実施形態の有機ＥＬディスプレイの配線構造を示す平面図である。
【図６】補助配線を有する有機ＥＬディスプレイの配線構造の参考例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０，６０，７０ 有機ＥＬディスプレイ（アクティブマトリックス型表示装置）
２０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２０ａ Ｂ画素
２０ｂ Ｒ画素
２０ｃ Ｇ画素
２０ｄ Ｒ画素
２０ｅ Ｒ画素
２１ アノード電極（下部電極）
２２ カソード電極（上部電極）
２３ 有機物層（発光層）
３０，３０ａ，３０ｂ ＴＦＴ回路素子（駆動手段）
５１ 信号線（第２配線）
５２ 走査線（第１配線）
５３ 電源線
５４ 上層補助配線（上部電極接続配線）
５５ 下層補助配線（抵抗調整配線）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリックス状に配列された複数の発光素子を備え、駆動手段によって各発光素子を発光させるアクティブマトリックス型表示装置に係るものである。そして、詳しくは、発光素子によって構成される画素の高開口率化を可能とし、アクティブマトリックス型表示装置の高精細化を図ることができるようにした技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、アクティブマトリックス型表示装置において、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）を使用した有機ＥＬディスプレイが知られている。この有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列するとともに、有機ＥＬ素子を駆動する駆動手段を設けたものである。そして、有機ＥＬ素子は、アノード電極とカソード電極との間に、有機物の正孔輸送層や有機物の発光層を積層した有機物層を配置した電流発光素子である。このような有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素子の有機物層に電子と正孔とを注入することによって発光する。そのため、有機ＥＬ素子に流れる電流値を駆動手段によってコントロールすることにより、発色の階調を得ることができる。
【０００３】
ここで、有機ＥＬディスプレイには、各有機ＥＬ素子を駆動するための信号線が配線されている。さらにまた、各有機ＥＬ素子を駆動するための走査線及び電源線も配線されている。さらに、各有機ＥＬ素子の間には、補助配線が配置されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−５８８１５号公報
【０００４】
図６は、上記の特許文献１に開示された補助配線１５４を有する有機ＥＬディスプレイ１１０の配線構造の参考例を示す平面図である。
図６に示すように、有機ＥＬディスプレイ１１０は、有機ＥＬ素子１２０がｍ行×ｎ列（図６では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。なお、有機ＥＬ素子１２０は、光の三原色中の青を発光するＢ画素と、赤を発光するＲ画素と、緑を発光するＧ画素とが一組として配列されている。
【０００５】
ここで、有機ＥＬディスプレイ１１０は、各有機ＥＬ素子１２０を駆動するための信号線１５１、走査線１５２、及び電源線１５３を有している。そして、信号線１５１は、有機ＥＬ素子１２０の各列ごとに配線され、走査線１５２及び電源線１５３は、有機ＥＬ素子１２０の各行ごとに配線されている。
【０００６】
また、有機ＥＬディスプレイ１１０には、補助配線１５４が配線されている。この補助配線１５４は、有機ＥＬ素子１２０の上部電極であるカソード電極の電気抵抗を調整するためのものである。具体的には、カソード電極は、有機ＥＬ素子１２０が発する光をカソード電極を通して外部に取り出せるようにするため、透明電極となっている。そして、透明電極となるような光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高い。そのため、上部のカソード電極から光を取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイ１１０では、カソード電極の低抵抗化を図るべく、補助配線１５４を配線している。なお、カソード電極と補助配線１５４とは、カソード接続部１５６を介して接続されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、図６に示す有機ＥＬディスプレイ１１０の補助配線１５４（上記した特許文献１に開示された補助配線）は、各有機ＥＬ素子１２０の周囲を囲うようにして配線されているので、各有機ＥＬ素子１２０同士の間には、必ず補助配線１５４が配置される。そのため、有機ＥＬ素子１２０によって構成される画素の開口率が補助配線１５４の配置スペースによって制限されることとなり、有機ＥＬディスプレイ１１０を高精細化するには問題があった。
【０００８】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、有機ＥＬ素子等の発光素子によって構成される画素の高開口率化を可能とし、アクティブマトリックス型表示装置の高精細化を図ることができるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下の解決手段によって、上述の課題を解決する。
本発明の請求項１に記載の発明は、マトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、各前記発光素子を駆動するための駆動手段と、前記上部電極と接続され、前記下部電極と同一層に設けられるとともに一部の前記発光素子のみに隣接して配置された上部電極接続配線と、前記上部電極の電気抵抗を調整するために前記上部電極接続配線と接続され、前記下部電極よりも下層に配線された抵抗調整配線とを有するアクティブマトリックス型表示装置である。
【００１０】
（作用）
上記の請求項１に記載の発明は、発光素子の上部電極と接続され、下部電極と同一層に設けられた上部電極接続配線と、上部電極の電気抵抗を調整するために上部電極接続配線と接続され、下部電極よりも下層に配線された抵抗調整配線とを有している。そして、上部電極接続配線は、一部の発光素子のみに隣接して配置されている。そのため、上部電極接続配線が隣接して配置されていない発光素子では、上部電極接続配線の配置スペースを設ける必要がなくなるので、画素の開口率を大きくできる。また、上部電極の電気抵抗は、抵抗調整配線によって調整できる。
【発明の効果】
【００１１】
上記の発明によれば、上部電極接続配線が隣接して配置されていない発光素子によって構成される画素を高開口率化できる。そのため、アクティブマトリックス型表示装置の高精細化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明のアクティブマトリックス型表示装置の一例（第１実施形態）である有機ＥＬディスプレイ１０の配線構造を示す平面図である。
図１に示すように、第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０（本発明における発光素子に相当するもの）がＭ行×Ｎ列（図１では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。なお、有機ＥＬ素子２０は、光の三原色中の青を発光するＢ画素２０ａと、赤を発光するＲ画素２０ｂと、緑を発光するＧ画素２０ｃとが一組として配列されている。
【００１３】
また、有機ＥＬディスプレイ１０は、各有機ＥＬ素子２０（各Ｂ画素２０ａ、各Ｒ画素２０ｂ、各Ｇ画素２０ｃ）に共通する上部電極（図示せず）の電気抵抗を調整するための下層補助配線５５（本発明における抵抗調整配線に相当するもの）を有している。さらにまた、各有機ＥＬ素子２０を駆動するための信号線５１（本発明における第２配線に相当するもの）、走査線５２（本発明における第１配線に相当するもの）、及び電源線５３を有している。さらに、各Ｒ画素２０ｂには、それに隣接して上層補助配線５４（本発明における上部電極接続配線に相当するもの）が配置されている。
【００１４】
ここで、走査線５２、電源線５３、及び下層補助配線５５は、有機ＥＬ素子２０の下部電極（図示せず）よりも下層の同一層にそれぞれ設けられている。また、これらは、それぞれが互いに平行する方向であって、有機ＥＬ素子２０の各行ごとに配線されている。さらにまた、信号線５１は、走査線５２、電源線５３、及び下層補助配線５５と同一層に設けられているが、これらと交差する方向であって、有機ＥＬ素子２０の各列ごとに配線されている。
【００１５】
一方、上層補助配線５４は、有機ＥＬ素子２０の下部電極（図示せず）と同一層（下層補助配線５５等よりも上層）に設けられている。そして、有機ＥＬ素子２０の上部電極（図示せず）とカソード接続部５６で接続され、下層補助配線５５と上下接続部５７で接続されている。
【００１６】
また、上層補助配線５４は、有機ＥＬ素子２０のＲ画素２０ｂのみに隣接して（方形のＲ画素２０ｂの下辺に沿って）島状に配置されており、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃの部分には配置されていない。そのため、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃでは、上層補助配線５４によって下部電極（図示せず）のスペースが制限されないので、Ｒ画素２０ｂよりも大きな画素開口を有している。
【００１７】
図２は、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の等価回路図である。
図２に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、アノード電極２１（本発明における下部電極に相当するもの）と、カソード電極２２（本発明における上部電極に相当するもの）とによって構成される有機ＥＬ素子２０を備えている。なお、有機ＥＬ素子２０は、アノード電極２１とカソード電極２２との間に有機物の発光層を有している。
【００１８】
ここで、有機ＥＬディスプレイ１０は、本発明の駆動手段であるＴＦＴ回路素子３０（３０ａ，３０ｂ）やキャパシタ４０を有機ＥＬ素子２０ごとにそれぞれ設けたアクティブマトリックス型表示装置である。具体的には、有機ＥＬディスプレイ１０は、カソード電極２２がＧＮＤ（グラウンド）及び補助配線５４に接続された有機ＥＬ素子２０と、ソース電極３２ａが有機ＥＬ素子２０のアノード電極２１に接続され、ドレイン電極３３ａが正電位の電源線５３に接続されたＴＦＴ回路素子３０ａと、ソース電極３２ｂがＴＦＴ回路素子３０ａのゲート電極３１ａに、ゲート電極３１ｂが走査線５２に、ドレイン電極３３ｂが信号線５１にそれぞれ接続されたＴＦＴ回路素子３０ｂと、ＴＦＴ回路素子３０ａのソース電極３２ａとＴＦＴ回路素子３０ｂのソース電極３２ｂとの間に接続されたキャパシタ４０とを備えている。
【００１９】
なお、図２において、上下層間（カソード接続部５６を介したカソード電極２２と上層補助配線５４との間、上下接続部５７を介した上層補助配線５４と下層補助配線５５との間、ゲート電極３１ｂと走査線５２との間）の配線は、点線で示している。また、信号線５１は、走査線５２、電源線５３、上層補助配線５４、及び下層補助配線５５と交差するが、交差する位置の前後で分断されている。そして、分断された信号線５１同士を下層の信号接続線５８で接続することにより、同一層の走査線５２、電源線５３、及び下層補助配線５５と信号線５１とがショートしないようにしている。
【００２０】
このような有機ＥＬディスプレイ１０は、ＴＦＴ回路素子３０ａが駆動トランジスタとなり、ＴＦＴ回路素子３０ｂがスイッチングトランジスタとなっている。そして、走査線５２に書込み信号を印加し、ＴＦＴ回路素子３０ｂのゲート電極３１ｂの電位を制御すると、信号線５１の信号電圧がＴＦＴ回路素子３０ａのゲート電極３１ａに印加される。この際、ゲート電極３１ａの電位は、次に走査線５２に書込み信号が印加されるまでの間、キャパシタ４０によって安定的に保持される。これにより、ＴＦＴ回路素子３０ａのゲート電極３１ａとソース電極３２ａとの間の電圧に応じた電流が有機ＥＬ素子２０に流れ、有機ＥＬ素子２０は、この電流値に応じた輝度で発光し続けることとなる。
【００２１】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０に流れる電流値をコントロールして発光させている。また、電源線５３をパルス駆動（２回パルス）することにより、有機ＥＬ素子２０を駆動している。そして、１回目のパルスでＴＦＴ回路素子３０ａ（駆動トランジスタ）の特性バラツキである閾値電圧の補正を行い、２回目のパルスで書込み信号の印加と移動度の補正とを同時に行なっている。そのため、有機ＥＬ素子２０の経時劣化やＴＦＴ回路素子３０ａの特性のバラツキが抑制されたものとなっている。
【００２２】
図３は、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の断面図（ａ−ａ’断面、ｂ−ｂ’断面）である。
図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、図３に示すように、遮光メタル１１を備えるガラス基板１２の上に絶縁膜１３を積層したものである。そして、絶縁膜１３の上に下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３が配線されている。また、絶縁膜１３の上には、ＴＦＴ回路素子３０も形成されている。さらにまた、図３に示すａ−ａ’断面及びｂ−ｂ’断面には図示されていないが、信号線５１（図１参照）も絶縁膜１３上に配線されている。そのため、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、信号線５１、及びＴＦＴ回路素子３０は、同一層に設けられている。
【００２３】
ここで、図１及び図２に示すように、信号線５１は、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と交差する部分の前後で分断されている。また、この交差部分では、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板１２上に信号接続線５８が配線されている。そして、絶縁膜１３上で分断された信号線５１同士は、ガラス基板１２上の信号接続線５８によって接続されている。そのため、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と信号線５１とが接触することはなく、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と信号接続線５８とは、絶縁膜１３によって絶縁される。したがって、信号線５１、走査線５２、及び電源線５３を同一層に配線していても、ショートが発生することはない。
【００２４】
また、絶縁膜１３の上には、平坦化膜１４が積層されている。この平坦化膜１４は、信号線５１（図１参照）、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及びＴＦＴ回路素子３０を相互に絶縁するだけでなく、これらの上面を凹凸のない平坦面とするものである。そして、平坦化膜１４の上に、上層補助配線５４が配置されるとともに、有機ＥＬ素子２０（アノード電極２１）が配列されている。
【００２５】
この有機ＥＬ素子２０は、図３（ａ）に示すように、アノード電極２１とカソード電極２２との間に有機物層２３（本発明における発光層に相当するもの）を配置したものである。そして、アノード電極２１がＴＦＴ回路素子３０と接続されており、アノード電極２１の周囲は、開口規定膜１５によって覆われている。また、有機物層２３は、注入された電子と正孔との再結合によって発光する有機物からなり、有機物層２３が発した光は、透明電極であるカソード電極２２を通して外部に取り出される。
【００２６】
ここで、カソード電極２２を構成する光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高いものである。そのため、カソード電極２２の電気抵抗を調整し、カソード電極２２の低抵抗化を図るため、下層補助配線５５が設けられている。また、カソード電極２２と下層補助配線５５とを接続するため、アノード電極２１と同一層に上層補助配線５４が設けられている。そして、カソード接続部５６（図１参照）を介してカソード電極２２と上層補助配線５４とが接続され、上下接続部５７（図３（ｂ）参照）を介して上層補助配線５４と下層補助配線５５とが接続されている。なお、上層補助配線５４及び下層補助配線５５は、カソード電極２２と同電位で、ＧＮＤ（図２参照）に接地されている。
【００２７】
図３に示すような断面（ａ−ａ’断面、ｂ−ｂ’断面）の有機ＥＬディスプレイ１０（図１参照）を製造するには、最初に、遮光メタル１１を備えるガラス基板１２上に信号接続線５８を形成する。すなわち、Ｍｏ（モリブデン）等の高抵抗の導電性材料によってガラス基板１２上に金属層をパターニングし、信号接続線５８とする。そして、ガラス基板１２及び信号接続線５８の上を覆うようにして絶縁膜１３を形成する。なお、この絶縁膜１３は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）又はＳｉＯ２（二酸化ケイ素）をＣＶＤ法（化学蒸着法）によって成膜して形成する。
【００２８】
次に、絶縁膜１３の上に、配線パターンとして金属層を形成し、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及び信号線５１（図１参照）とする。また、絶縁膜１３上には、ＴＦＴ回路素子３０も形成する。なお、信号線５１は、下層補助配線５５、走査線５２、及び電源線５３と交差する部分の前後で分断されるようにし、分断された端部が信号接続線５８と接続されるようにする。
【００２９】
このようにして下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及びＴＦＴ回路素子３０を形成すると、絶縁膜１３の表面が凹凸になる。そこで、絶縁膜１３の上に、無機系薄膜（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）で平坦化膜１４を形成する。これにより、絶縁膜１３だけでなく、下層補助配線５５、走査線５２、電源線５３、及びＴＦＴ回路素子３０の上に平坦化膜１４が積層され、平坦化膜１４の表面では、凹凸のない平坦面となる。なお、信号線５１（図１参照）の上にも平坦化膜１４が積層される。
【００３０】
続いて、平坦化膜１４の上に、Ａｌ（アルミニウム）等の低抵抗の金属材料によって上層補助配線５４をパターニングする。具体的には、図１に示す各有機ＥＬ素子２０（Ｂ画素２０ａ、Ｒ画素２０ｂ、Ｇ画素２０ｃ）中のＲ画素２０ｂのみに隣接した（方形のＲ画素２０ｂの下辺に沿った）島状の上層補助配線５４となるようにする。なお、この際、平坦化膜１４をパターニングして、下層補助配線５５の上面を部分的に露出させておく。そのため、上層補助配線５４の形成と同時に、下層補助配線５５の露出した上面に上下接続部５７が形成される。
【００３１】
また、平坦化膜１４及び上層補助配線５４の上には、アノード電極２１の周囲を覆うようにして開口規定膜１５を積層する。さらにまた、開口規定膜１５の上には、光透過率の高い導電性材料によってカソード電極２２及びカソード接続部５６を形成する。そして、カソード接続部５６を介してカソード電極２２と上層補助配線５４とを接続する。したがって、カソード電極２２は、カソード接続部５６、上層補助配線５４、及び上下接続部５７により、下層補助配線５５と接続されることとなる。
【００３２】
このように、有機ＥＬディスプレイ１０（図１参照）は、アノード電極２１の周囲が開口規定膜１５によって覆われる。そして、開口規定膜１５は、有機物層２３の部分だけが開口しており、この開口から有機物層２３が発する光を取り出せるようになっている。具体的には、アノード電極２１に反射率が高い金属等が用いられる一方で、カソード電極２２は、光透過率の高い導電性材料からなる透明電極となっている。そのため、有機物層２３が発する光は、ガラス基板１２と反対側のカソード電極２２側から取り出されることとなる。そして、このようなトップエミッション方式とすることにより、有機ＥＬ素子２０の開口率を効率的に確保している。
【００３３】
また、光透過率が高い導電性材料であるために抵抗値が高いカソード電極２２は、上層補助配線５４を介して下層補助配線５５と接続されている。そのため、カソード電極２２の電気抵抗は、下層補助配線５５によって調整（低抵抗化）される。その結果、アノード電極２１と同一層に配置された上層補助配線５４の面積を大幅に小さくすることができ、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０では、島状の上層補助配線５４となっている。
【００３４】
さらにまた、島状の上層補助配線５４は、図１に示すように、有機ＥＬ素子２０のＲ画素２０ｂのみに隣接して（方形のＲ画素２０ｂの下辺に沿って）島状に配置されており、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃの部分には配置されていない。そのため、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃのアノード電極２１（図３（ａ）参照）の面積を拡大できるので、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃの各開口率は、Ｒ画素２０ｂの開口率よりも大きく形成されている。
【００３５】
さらに、画素の開口率が低下すると、その画素の寿命が低下してしまうが、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃでは、その高開口率化により、長寿命化が可能となっている。一方、Ｒ画素２０ｂは、上層補助配線５４の配置により、高開口率化されていない。しかし、Ｒ画素２０ｂの寿命は、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃよりも一般的に長いので、有機ＥＬ素子２０の全体としては、長寿命でバランスの取れたものとなる。言い換えれば、第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、Ｂ画素２０ａやＧ画素２０ｃよりも寿命が長いＲ画素２０ｂのみに隣接して上層補助配線５４を配置している。そのため、有機ＥＬ素子２０の長寿命化及び高開口率化を図ることができる。
【００３６】
図４は、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ６０の配線構造を示す平面図である。
図４に示すように、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ６０は、有機ＥＬ素子２０がＭ行×Ｎ列（図４では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。そして、有機ＥＬ素子２０のカソード電極２２（図３参照）の電気抵抗を調整するために、カソード電極２２と上層補助配線５４とがカソード接続部５６で接続され、上層補助配線５４と下層補助配線５５とが上下接続部５７で接続されている。
【００３７】
ここで、有機ＥＬ素子２０は、光の三原色中の青を発光するＢ画素２０ａと、赤を発光するＲ画素２０ｂ及びＲ画素２０ｄと、緑を発光するＧ画素２０ｃとによって構成されている。そして、上層補助配線５４は、上下に１つおきに配置されたＲ画素２０ｂ及びＲ画素２０ｄ中のＲ画素２０ｂのみに隣接して（方形のＲ画素２０ｂの下辺に沿って）島状に配置されており、Ｒ画素２０ｄ、Ｂ画素２０ａ、及びＧ画素２０ｃの部分には配置されていない。
【００３８】
したがって、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ６０では、上層補助配線５４によってアノード電極２１（図３参照）のスペースが制限されないＲ画素２０ｄ、Ｂ画素２０ａ、及びＧ画素２０ｃの開口率がＲ画素２０ｂよりも大きくなっている。これにより、図４に示す第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ６０は、Ｒ画素２０ｄの数だけ、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０よりも高い開口率を得ることができる。その結果、第２実施形態の有機ＥＬディスプレイ６０は、より一層の高精細化及び高画質化が実現されたものとなっている。
【００３９】
図５は、第３実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０の配線構造を示す平面図である。
図５に示すように、第３実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０は、有機ＥＬ素子２０がＭ行×Ｎ列（図４では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。そして、有機ＥＬ素子２０のカソード電極２２（図３参照）の電気抵抗を調整するために、カソード電極２２と上層補助配線５４とがカソード接続部５６で接続され、上層補助配線５４と下層補助配線５５とが上下接続部５７で接続されている。
【００４０】
ここで、有機ＥＬ素子２０は、光の三原色中の青を発光するＢ画素２０ａと、赤を発光するＲ画素２０ｅと、緑を発光するＧ画素２０ｃとによって構成されている。そして、上層補助配線５４は、Ｒ画素２０ｅのみに隣接して（Ｒ画素２０ｅの左下部に形成された切欠きに沿って）島状に配置されており、Ｂ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃの部分には配置されていない。
【００４１】
したがって、第３実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０では、上層補助配線５４によってアノード電極２１（図３参照）のスペースが制限されないＢ画素２０ａ及びＧ画素２０ｃの開口率がＲ画素２０ｅよりも大きくなっている。また、上層補助配線５４は、Ｒ画素２０ｅの左下部のみに配置されているので、Ｒ画素２０ｅ開口率は、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０のＲ画素２０ｂよりも大きくなっている。その結果、図５に示す第３実施形態の有機ＥＬディスプレイ７０は、図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０よりも高い開口率を得ることができ、高精細化及び高画質化されたものとなっている。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、例えば、以下のような種々の変形が可能である。
（１）各実施形態では、有機ＥＬ素子２０が発した光をガラス基板１２と反対側から取り出すようにしたトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイ１０としている。しかし、有機ＥＬ素子２０が発した光をガラス基板１２と同じ側から取り出すようにしたボトムエミッション方式にも適用できる。
【００４３】
（２）各実施形態では、発光素子に有機ＥＬ素子２０（有機エレクトロルミネッセンス素子）を用いている。しかし、無機エレクトロルミネッセンス素子や発光ダイオード等、上部電極と下部電極との間に発光層を形成することができる発光素子であればよく、有機エレクトロルミネッセンス素子に限られない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明のアクティブマトリックス型表示装置の一例（第１実施形態）である有機ＥＬディスプレイの配線構造を示す平面図である。
【図２】図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイの等価回路図である。
【図３】図１に示す第１実施形態の有機ＥＬディスプレイの断面図（ａ−ａ’断面、ｂ−ｂ’断面）である。
【図４】第２実施形態の有機ＥＬディスプレイの配線構造を示す平面図である。
【図５】第３実施形態の有機ＥＬディスプレイの配線構造を示す平面図である。
【図６】補助配線を有する有機ＥＬディスプレイの配線構造の参考例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０，６０，７０ 有機ＥＬディスプレイ（アクティブマトリックス型表示装置）
２０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２０ａ Ｂ画素
２０ｂ Ｒ画素
２０ｃ Ｇ画素
２０ｄ Ｒ画素
２０ｅ Ｒ画素
２１ アノード電極（下部電極）
２２ カソード電極（上部電極）
２３ 有機物層（発光層）
３０，３０ａ，３０ｂ ＴＦＴ回路素子（駆動手段）
５１ 信号線（第２配線）
５２ 走査線（第１配線）
５３ 電源線
５４ 上層補助配線（上部電極接続配線）
５５ 下層補助配線（抵抗調整配線）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、
各前記発光素子を駆動するための駆動手段と、
前記上部電極と接続され、前記下部電極と同一層に設けられるとともに一部の前記発光素子のみに隣接して配置された上部電極接続配線と、
前記上部電極の電気抵抗を調整するために前記上部電極接続配線と接続され、前記下部電極よりも下層に配線された抵抗調整配線と
を有するアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記発光素子は、光の三原色中の赤を発光するＲ画素と、緑を発光するＧ画素と、青を発光するＢ画素とを備え、
前記上部電極接続配線は、前記Ｒ画素に隣接して配置されており、
前記Ｇ画素及び前記Ｂ画素の各開口率は、前記Ｒ画素の開口率よりも大きく形成されている
アクティブマトリックス型表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記発光素子は、有機物層を配置した有機エレクトロルミネッセンス素子である
アクティブマトリックス型表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線と平行する方向に配線された電源線と、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線及び前記電源線と平行する方向に配線された第１配線と、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線、前記電源線、及び前記第１配線と交差する方向に配線された第２配線と
を有するアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記第１配線は、マトリックス状に配列された各前記発光素子の各行ごとに配線された走査線であり、
前記第２配線は、マトリックス状に配列された各前記発光素子の各列ごとに配線された信号線である
アクティブマトリックス型表示装置。
【請求項１】
マトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層を有する複数の発光素子と、
各前記発光素子を駆動するための駆動手段と、
前記上部電極と接続され、前記下部電極と同一層に設けられるとともに一部の前記発光素子のみに隣接して配置された上部電極接続配線と、
前記上部電極の電気抵抗を調整するために前記上部電極接続配線と接続され、前記下部電極よりも下層に配線された抵抗調整配線と
を有するアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記発光素子は、光の三原色中の赤を発光するＲ画素と、緑を発光するＧ画素と、青を発光するＢ画素とを備え、
前記上部電極接続配線は、前記Ｒ画素に隣接して配置されており、
前記Ｇ画素及び前記Ｂ画素の各開口率は、前記Ｒ画素の開口率よりも大きく形成されている
アクティブマトリックス型表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記発光素子は、有機物層を配置した有機エレクトロルミネッセンス素子である
アクティブマトリックス型表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線と平行する方向に配線された電源線と、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線及び前記電源線と平行する方向に配線された第１配線と、
前記駆動手段と接続され、前記抵抗調整配線と同一層に設けられるとともに前記抵抗調整配線、前記電源線、及び前記第１配線と交差する方向に配線された第２配線と
を有するアクティブマトリックス型表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記第１配線は、マトリックス状に配列された各前記発光素子の各行ごとに配線された走査線であり、
前記第２配線は、マトリックス状に配列された各前記発光素子の各列ごとに配線された信号線である
アクティブマトリックス型表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−８５８６６（Ｐ２０１０−８５８６６Ａ）
【公開日】平成２２年４月１５日（２０１０．４．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２５６７９５（Ｐ２００８−２５６７９５）
【出願日】平成２０年１０月１日（２００８．１０．１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月１５日（２０１０．４．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月１日（２００８．１０．１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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