アライメントマーク及びその作成方法
【課題】アライメントマーク位置読み取り精度を向上させる。
【解決手段】基板１２の表面にメッキ給電用膜１３を形成し、次いで当該メッキ給電用膜１３にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマーク及びその作成方法である。アライメントマークは、マーク本体１５の周囲に設けられ前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けることでメッキ給電時の抵抗を調整して前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御するメッキ給電用膜非形成領域１６とを備えた。アライメントマークの作成方法は、前記マーク本体１５を形成する際に、当該マーク本体１５の周囲にメッキ給電用膜非形成領域１６を形成して前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けてメッキ給電時の抵抗を調整し、前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御する。
【解決手段】基板１２の表面にメッキ給電用膜１３を形成し、次いで当該メッキ給電用膜１３にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマーク及びその作成方法である。アライメントマークは、マーク本体１５の周囲に設けられ前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けることでメッキ給電時の抵抗を調整して前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御するメッキ給電用膜非形成領域１６とを備えた。アライメントマークの作成方法は、前記マーク本体１５を形成する際に、当該マーク本体１５の周囲にメッキ給電用膜非形成領域１６を形成して前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けてメッキ給電時の抵抗を調整し、前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板等の表面にパターン形成されるアライメントマークに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線基板の製造プロセス等においては、当該基板の製造後に部品実装等を行う際に基板の位置を特定するときの目安にするために、基板にアライメントマークが設けられる。このアライメントマークは、通常、基板の表面にメッキによって作成される。メッキでアライメントマークを形成することで、このアライメントマークの表面と基板の表面との間に段差が生じる。そして、カメラで基板の表面を撮影し、画像処理によって前記アライメントマークの表面と基板の表面との間の段差をコントラストの違いとして識別してアライメントマークの位置を特定する。それによって、特定したアライメントマークを基準にして基板の位置や基板表面の回路の位置等を特定する。
【０００３】
このように、アライメントマークを基準にして基板の位置や基板表面の回路の位置等を特定して、プリント配線基板への部品の実装等が行われる。
【０００４】
このようなアライメントマークの例を図２〜５に基づいて説明する。
【０００５】
アライメントマーク１は、図２、３に示すように、主に基板２に設けられた反射防止膜３と、この反射防止膜３上に設けられたマーク部４とから構成されている。
【０００６】
マーク部４の作成においては、メッキ膜厚を面内均一にするのが重要であるが、パターンによっては面内でメッキ膜厚を制御するのが困難な場合がある。そして、マーク部４のメッキ膜厚が必要以上に厚くなると、マーク部４のエッジ部にテーパ等が発生して、エッジ部のコントラストが不明瞭になることがある。
【０００７】
アライメントマーク１の作成方法の一例を図４，５に基づいて説明する。
【０００８】
図４（ａ）及び図５（ａ）に示す基板２上に、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示すように反射防止膜３となる絶縁材料（ポリイミド）を形成する。次いで、基板２及び反射防止膜３の上に図４（ｃ）及び図５（ｃ）に示すようにメッキ給電用スパッタ膜５を形成し、図４（ｄ）及び図５（ｄ）に示すようにフォトレジストパターン６を形成する。この際に、必要な積層パターンを同時に形成する。次いで、電気メッキ処理を行う。これにより、図４（ｅ）及び図５（ｅ）に示すようにフォトレジストパターン６に沿ってメッキ層７を形成する。
【０００９】
その後、図４（ｆ）及び図５（ｆ）に示すようにフォトレジストパターン６を除去し、図４（ｇ）及び図５（ｇ）に示すようにメッキ給電用スパッタ膜３を除去して、図２及び図３に示すようにアライメントマーク１を完成する。この際に、配線となるパターンも同時に作成する。
【００１０】
前記アライメントマーク１の例としては特許文献１、特許文献２に記載のものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−２４６７４３号公報
【特許文献２】特開２００７−２５８３７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、前記アライメントマーク１をメッキで作成する場合、そのメッキ層の高さによっては認識しづらくなることがある。図２に示すアライメントマーク１のマーク部４の場合、メッキ層が高くなりすぎてエッジ部８がテーパ状になるため、識別しづらくなってしまう。即ち、エッジ部８のコントラストが不鮮明になってアライメントマーク１を識別し難く、アライメントマーク１を正確に読み取ることができなくなる。
【００１３】
アライメントマーク１を形成するメッキが厚くなると、図２（ｂ）に示すマーク部４のエッジ部８のように、メッキの上側と下側でテーパが付いてしまうことがある。そして、エッジ部８にテーパが付いてしまうと、マーク部４を使用して位置認識する際に、カメラで撮影した画像を処理する際にマーク部４を認識するのが難しくなる。具体的には、マーク部４のエッジ部８にテーパが発生すると、画像処理によって、このテーパ部分ｔのどこかをエッジと認識してしまうため、エッジ部８の位置が変動して、誤差が発生してしまう。即ち、エッジ部８であるテーパ部分ｔのコントラストが不明瞭になってエッジ部分が複数出現し、アライメントマーク１を読み取る度に違う部分をエッジ部８と認識してしまい、誤差が発生してしまう。この結果、アライメントマーク位置読み取り精度が低下してしまうという問題がある。
【００１４】
本発明は、上述の問題点を解決するためになされたものであり、アライメントマーク位置読み取り精度を向上させることができるアライメントマーク及びその作成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記課題を解決するために本発明に係るアライメントマークは、基板の表面にメッキ給電用膜を形成し、次いで当該メッキ給電用膜にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマークであって、前記基板の表面に形成されるマーク本体と、当該マーク本体の周囲に形成された領域であって、前記メッキ給電用膜を形成しない箇所を一部に設けることでメッキ給電時の抵抗を調整することにより前記マーク本体となるメッキ層の膜厚を制御するメッキ給電用膜非形成領域とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明に係るアライメントマークの作成方法は、基板の表面にメッキ給電用膜を形成し、次いで当該メッキ給電用膜にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマークの作成方法であって、前記基板の所定の位置に前記アライメントマーク本体を形成するために、当該位置であるマーク本体形成部分の周囲にメッキ給電用膜を設ける際に、当該位置の周囲にメッキ給電用膜非形成領域を形成して前記メッキ給電用膜を形成しない領域を一部に設けることによりメッキ給電時の抵抗を調整し、それによって前記マーク本体となるメッキ層の膜厚を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
マーク本体を形成する際に、メッキ給電用膜非形成領域を形成してメッキ給電時の抵抗を調整して、メッキの膜厚を制御するため、マーク本体のエッジ部にテーパが付いて不鮮明になるのを防止することができる。この結果、アライメントマーク位置読み取り精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係るアライメントマークの断面とマーク本体の平面及び側面を示す模式図である。
【図２】従来のアライメントマークの断面とマーク本体の平面及び側面を示す模式図である。
【図３】従来のアライメントマークを示す平面図である。
【図４】従来のアライメントマークの作成方法を断面状態で示す工程図である。
【図５】従来のアライメントマークの作成方法を平面状態で示す工程図である。
【図６】本発明の実施形態に係るアライメントマークを示す平面図である。
【図７】本発明の実施形態に係るアライメントマークの作成方法を断面状態で示す工程図である。
【図８】本発明の実施形態に係るアライメントマークの作成方法を平面状態で示す工程図である。
【図９】第１変形例を示す平面図である。
【図１０】第２変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態に係るアライメントマーク及びその作成方法について、添付図面を参照しながら説明する。本実施形態のアライメントマークは、プリント配線基板等のような、正確に位置を特定する必要がある基板の表面に設けられるものである。このアライメントマークをカメラで撮影して画像処理することによってアライメントマークの位置を認識し、このアライメントマークの位置を基準に基板の位置や基板上の回路の位置等を特定するものである。本実施形態のアライメントマークは、このような基板全てに適用できるものである。
【００２０】
本実施形態に係るアライメントマークは、電気メッキによりパターン形成されるマークである。電気メッキの場合、供給される給電量の違いによって形成されるメッキ層の厚さが変わってくる。このため、抵抗部を適宜設けて供給される給電量を調整し、メッキ層の膜厚を制御するものである。
【００２１】
本実施形態に係るアライメントマーク１１は、図１、６に示すように主に、基板１２と、メッキ給電用膜１３と、反射防止膜１４と、マーク本体１５と、メッキ給電用膜非形成領域１６とから構成されている。なお、図１（ａ）は図６のＡ−Ａ線矢視断面図、図１（ｂ）は図６のＢ−Ｂ線矢視断面図、図１（ｃ）はマーク本体１５の平面図及び側面図である。
【００２２】
基板１２は、プリント配線基板等の基板である。
【００２３】
メッキ給電用膜１３は、電気メッキによってメッキ層を形成する際に、メッキ層を構成するイオンが付着する電極となる膜である。このメッキ給電用膜１３は、例えばスパッタリング現象を利用したスパッタ法により形成される。このスパッタ法では、段差がある部分でカバレッジ（段差部分における皮膜の形成状態）不足が生じてスパッタ膜が形成されない現象が起きることが一般に知られている。これを利用して後述するメッキ給電用膜非形成領域１６を形成しながら、メッキ給電用膜１３を形成する。
【００２４】
スパッタ法によってメッキ給電用膜１３を形成する際に、メッキ給電用膜非形成領域１６にスパッタ粒子を衝突させると前記カバレッジ不足が生じることがある。即ち、メッキ給電用膜非形成領域１６に膜を形成する際に、このメッキ給電用膜非形成領域１６が高く形成されると、その上端と基端との段差で前記カバレッジ不足が生じてスパッタ膜が形成されない現象が起きる。これにより、メッキ給電用膜非形成領域１６の側壁に膜が形成されず、メッキ給電用膜非形成領域１６に形成された膜は、メッキ給電用膜１３から切り離された状態になる。これにより、メッキ給電用膜非形成領域１６の部分は、メッキ給電用膜１３として機能せず、抵抗部となる。これを利用して抵抗部を有するメッキ給電用膜１３を形成する。このメッキ給電用膜１３は、基板１２及び反射防止膜１４の表面に形成される。
【００２５】
反射防止膜１４は、マーク本体１５を支持する土台となる膜材であって、四角形台状に形成されている。反射防止膜１４は、ポリイミド等の樹脂で形成される。これにより反射防止膜１４は、カメラで撮影した画像を処理する際に、この反射防止膜１４上に形成されるマーク本体１５との間でコントラストを高くする。
【００２６】
マーク本体１５は、位置合わせの基準となるマークである。マーク本体１５は、基板１２の設定位置に形成されて当該基板１２のアライメントや基板１２内の回路のアライメント等に用いられる。基板１２のアライメント等を行う際に、このマーク本体１５を特定して、このマーク本体１５を基準にして基板１２の位置や基板１２内の回路の位置を特定する。
【００２７】
マーク本体１５は、カメラで正確に認識できるように、そのエッジ部が切り立った状態であることが要求される。このため、マーク本体１５は、薄く形成されることが望ましい。これは、マーク本体１５が厚くなると、従来技術の問題として上述したように、エッジ部にテーパが生じてしまうからである。このため、マーク本体１５がメッキ層によって構成され、このメッキ層の厚さが給電量を変えることで調整されている。
【００２８】
メッキ給電用膜非形成領域１６は、マーク本体１５の周囲に形成された領域であって、前記メッキ給電用膜１３を形成しない箇所を一部に設けることでメッキ給電時の抵抗を調整することにより前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御する抵抗部である。メッキ給電用膜非形成領域１６は、マーク本体１５の形成部分の周囲を囲んで設けられる。具体的には、四角形の反射防止膜１４の各辺に沿って形成された４つの凸部１７で構成されている。この４つの細長い凸部１７は、四角環状に形成された筋状の凸部の各角を削除して、形成されている。
【００２９】
メッキ給電用膜非形成領域１６は、反射防止膜１４と同時に形成される。具体的には、まず１段目としてポリイミド等の樹脂を用いて、反射防止膜１４と同じ高さの４つの細長い台部１７Ａ（図７（ａ）参照）を形成し、次いで２段目として、各台部１７Ａの上にさらに合成樹脂を積層して高くして凸部１７を形成する。メッキ給電用膜非形成領域１６を構成する各凸部１７の高さは、スパッタ法によるスパッタ膜の形成時に、上端と基端とでカバレッジ不足が生じて側壁にスパッタ膜が形成されない程度の段差になるように設定する。４つの凸部１７の部分でその側壁にスパッタ膜が形成されず、電気的にメッキ給電用膜１３から切り離されることで、これら４つの凸部１７の部分で抵抗部を構成する。この抵抗部である各凸部１７によって、反射防止膜１４の部分のメッキ給電用膜１３での給電量が減少して、この反射防止膜１４にできるメッキ層が薄くなり、安定化する。即ち、マーク本体１５及びその外周の外側マーク部１８が薄くなり、安定化する。これにより、エッジ部の上端部や基端部にテーパができることがなくなり、切り立ったシャープなエッジ部になって、マーク本体１５の認識が安定する。このように、アライメントマーク１１のメッキ膜厚を低くすることで、エッジが鮮明なアライメントマーク１１が得られる。
【００３０】
給電量は、４つの凸部１７を変更して抵抗値を変えることで調整する。即ち、４つの凸部１７の設置位置やサイズを変更してこれらの間隔を変更することで抵抗値を制御して、給電量を調整する。
【００３１】
［アライメントマークの作成方法］
次に、アライメントマークの作成方法について説明する。
【００３２】
本実施形態のアライメントマークの作成方法は、基板１２の表面にメッキ給電用膜１３を形成し、当該メッキ給電用膜１３にフォトレジストパターンを形成して、電気メッキによりアライメントマークをその膜厚を調整しながらパターン形成する作成方法である。このアライメントマークの作成方法では、前記基板１２の所定の位置に前記アライメントマーク本体を形成するために、当該位置であるマーク本体１５の形成部分の周囲にメッキ給電用膜１３を設ける際に、当該位置の周囲にメッキ給電用膜非形成領域１６を形成して前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けることによりメッキ給電時の抵抗を調整し、それによって前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御する。
【００３３】
前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設ける前記メッキ給電用膜非形成領域１６として４つの凸部１７を用いる。前記マーク本体１５の形成部分の周囲を囲む４つの凸部１７を用いて、設定範囲で前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を作る。このメッキ給電用膜１３を形成しない領域であるメッキ給電用膜非形成領域１６のサイズによって、メッキ給電時の抵抗を調整する。具体的には、前記メッキ給電用膜１３をスパッタ法によるスパッタ膜で形成すると共に、前記メッキ給電用膜非形成領域１６の段差によってその上端と基端とで前記スパッタ膜を切断する。即ち、作成されたスパッタ膜は、メッキ給電用膜非形成領域１６においてカバレッジ不足となって切断される。
【００３４】
これにより、前記スパッタ法によるスパッタ膜の形成時に、前記メッキ給電用膜非形成領域１６の上端と基端とでスパッタ膜が切れて電流が流れなくなる。この電流が流れないメッキ給電用膜非形成領域１６を抵抗部として利用する。この抵抗部としてのメッキ給電用膜非形成領域１６の寸法を適宜調整することにより、その抵抗値を変えて、メッキ給電時の抵抗を調整する。この抵抗により、マーク本体１５の部分でアライメントマーク部の給電量が低下するため、メッキの析出量が削減される。これにより、マーク本体１５のメッキ層の膜厚が他の部分よりも薄く作成される。電気メッキの後に、フォトレジスト、スパッタ膜をそれぞれ除去してアライメントマークを完成する。
【００３５】
この際、配線として必要はパターンが同時に作成される。アライメントマーク以外のパターンにおいては、給電量が通常であるため、必要なメッキ膜厚が得られる。
【００３６】
具体的なアライメントマークの作成方法を、図７，８に基づいて説明する。図７（ａ）は基板１２の側面図、図８（ａ）は基板１２の平面図、図７（ｂ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ線矢視断面図、図７（ｃ）は図８（ｂ）のＢ−Ｂ線矢視断面図、図７（ｄ）（ｅ）は図８（ｃ）のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線矢視断面図、以下同様に、図７（ｆ）〜（ｏ）は図８（ｄ）〜（ｈ）のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線矢視断面図である。なお、例えば図７（ｂ）及び（ｃ）の寸法は本来は異なるものである。図７（ｂ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ線上の寸法である。図７（ｃ）は図８（ｂ）のＢ−Ｂ線上の寸法である。このため、両者は異なる寸法であるが、ここでは説明の便宜のために同一寸法にしている。
【００３７】
まず、図７（ａ）及び図８（ａ）の基板１２に、図７（ｂ）（ｃ）及び図８（ｂ）のように、ポリイミド等の合成樹脂で反射防止膜１４及び凸部１７の台部１７Ａをそれぞれ形成する。台部１７Ａは１段目であり、反射防止膜１４と同じ高さに形成される。
【００３８】
次いで、図７（ｄ）（ｅ）及び図８（ｃ）のように、１段目としての各台部１７Ａに２段目としての合成樹脂を積層して４つの凸部１７を形成する。この凸部１７は、その上端と基端とでカバレッジ不足が生じて側壁にスパッタ膜が形成されない程度の高さの段差に形成する。この４つの凸部１７でメッキ給電用膜非形成領域１６が形成される。
【００３９】
次いで、図７（ｆ）（ｇ）及び図８（ｄ）のように、基板１２、反射防止膜１４及びメッキ給電用膜非形成領域１６の全体に、スパッタ法によってメッキ給電用膜１３であるスパッタ膜を形成する。このとき、図７（ｆ）のＸ，Ｙの部分のように、メッキ給電用膜非形成領域１６の段差のためにメッキ給電用膜１３が切れてしまい、この部分が電気メッキの際に抵抗部となる。
【００４０】
次いで、図７（ｈ）（ｉ）及び図８（ｅ）のように、フォトレジストによりマーク本体１５等を形成するためのパターン１９を形成する。フォトレジストによるパターン形成では、段差に関係なく、形成されたパターンの部分全体で均一な膜が形成される。
【００４１】
次いで、図７（ｊ）（ｋ）及び図８（ｆ）のように、電気メッキを施す。このとき、メッキ給電用膜１３には電圧が印加されて、メッキ層を構成するイオンが付着する電極となる。このとき、メッキ給電用膜非形成領域１６では、メッキ給電用膜１３が切断されているため、メッキ給電用膜非形成領域１６で囲まれたマーク本体１５の部分の給電量が制限されて、メッキ層の膜厚が薄くなる。即ち、メッキ給電用膜非形成領域１６の外側は給電量が制限されないため、通常の厚さのメッキ層になる。一方、マーク本体１５が位置するメッキ給電用膜非形成領域１６の内側では、給電量が制限されて、メッキ層の膜厚が外側よりも薄くなる。このメッキ給電用膜非形成領域１６の内側のメッキ層の膜厚は、そのエッジ部にテーパができない厚さに形成される。このエッジ部にテーパができないメッキ層の膜厚は、マーク本体１５のサイズ等の諸条件によって異なるため、実際のマーク本体１５を複数の異なる厚さで実験的に形成して、最も望ましい厚さを特定する。即ち、メッキ給電用膜非形成領域１６のサイズを種々変更して電気メッキ時の給電量を変更して、複数の膜厚のメッキ層を実験的に形成し、最も望ましい厚さを特定する。
【００４２】
次いで、図７（ｌ）（ｍ）及び図８（ｇ）のように、フォトレジストを除用し、図７（ｎ）（ｏ）及び図８（ｈ）のように、メッキ給電用膜１３を除去して、図１のアライメントマーク１１を形成する。このアライメントマーク１１は、エッジ部が切り立ったマーク本体１５を有する。
【００４３】
［効果］
メッキ給電用膜非形成領域１６を設けると共にその寸法を適宜変更することで、メッキ給電時の抵抗値を調整するようにしたので、アライメントマーク１１のメッキ層の膜厚を容易に制御することができる。この結果、エッジ部にテーパのない、コントラストの鮮明なアライメントマーク１１を形成することができる。
【００４４】
また、アライメントマーク１１を上述のようにして形成することで、アライメントマーク１１を正確に認識することができる。即ち、カメラでアライメントマーク１１を撮影して画像処理することで、エッジ部のコントラストが鮮明なアライメントマーク１１を認識することができ、アライメントマーク位置読み取り精度を向上させることができる。
【００４５】
この結果、プリント配線基板の露光時等において、基板１２のアライメント精度を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明のアライメントマークは、カメラの画像処理によって位置を特定する必要がある部材すべてに用いることができる。
【００４７】
また、前記実施形態では、メッキ給電用膜１３をスパッタ法によって形成し、メッキ給電用膜非形成領域１６に、その上端と基端とで前記スパッタ膜が切れてしまう高さの段差を持たせたが、本発明はこれに限らず、メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けることができる手段すべてを用いることができる。たとえば、前記メッキ給電用膜非形成領域を高くしないで、全体にメッキ給電用膜を施した後、このメッキ給電用膜非形成領域の部分のメッキ給電用膜を除去する工程を設けてもよい。また、メッキ給電用膜を形成する際に、基板表面の一部をマスクして膜が形成されない領域を作ったり、メッキ給電用膜をベタ付けした後、一部をエッチング等で除去したりしてもよい。また、この場合、メッキ給電用膜は、スパッタ法に限らず、ＣＶＤ法などの他の方法を用いてもよい。
【００４８】
また、前記実施形態では、メッキ給電用膜非形成領域１６を、マーク本体１５の形成部分の周囲を囲む４つの凸部１７で構成したが、本発明はこれに限らず、マーク本体１５の形成部分の周囲を囲むと共に一部が途切れた凸部であればよい。例えば図９に示すように、メッキ給電用膜非形成領域２１を、円環状で２箇所を切断した形状にして、給電量を大幅に減少させてもよい。このとき、切断部分は１箇所又は３箇所以上にして、給電量を調整する。２箇所の切断部分の広さを変えて給電量を調整してもよい。
【００４９】
また、これ以外にも、図１０にように、四角形の凸部２２を４箇所設けて構成してもよい。メッキ給電用膜非形成領域１６は、マーク本体１５へ周囲に設けられて、マーク本体１５への給電量を調整できる形状であればよい。これにより、前記実施形態同様の作用、効果を奏することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１１：アライメントマーク、１２：基板、１３：メッキ給電用膜、１４：反射防止膜、１５：マーク本体、１６：メッキ給電用膜非形成領域、１７：凸部、２１：メッキ給電用膜非形成領域、２２：凸部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板等の表面にパターン形成されるアライメントマークに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線基板の製造プロセス等においては、当該基板の製造後に部品実装等を行う際に基板の位置を特定するときの目安にするために、基板にアライメントマークが設けられる。このアライメントマークは、通常、基板の表面にメッキによって作成される。メッキでアライメントマークを形成することで、このアライメントマークの表面と基板の表面との間に段差が生じる。そして、カメラで基板の表面を撮影し、画像処理によって前記アライメントマークの表面と基板の表面との間の段差をコントラストの違いとして識別してアライメントマークの位置を特定する。それによって、特定したアライメントマークを基準にして基板の位置や基板表面の回路の位置等を特定する。
【０００３】
このように、アライメントマークを基準にして基板の位置や基板表面の回路の位置等を特定して、プリント配線基板への部品の実装等が行われる。
【０００４】
このようなアライメントマークの例を図２〜５に基づいて説明する。
【０００５】
アライメントマーク１は、図２、３に示すように、主に基板２に設けられた反射防止膜３と、この反射防止膜３上に設けられたマーク部４とから構成されている。
【０００６】
マーク部４の作成においては、メッキ膜厚を面内均一にするのが重要であるが、パターンによっては面内でメッキ膜厚を制御するのが困難な場合がある。そして、マーク部４のメッキ膜厚が必要以上に厚くなると、マーク部４のエッジ部にテーパ等が発生して、エッジ部のコントラストが不明瞭になることがある。
【０００７】
アライメントマーク１の作成方法の一例を図４，５に基づいて説明する。
【０００８】
図４（ａ）及び図５（ａ）に示す基板２上に、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示すように反射防止膜３となる絶縁材料（ポリイミド）を形成する。次いで、基板２及び反射防止膜３の上に図４（ｃ）及び図５（ｃ）に示すようにメッキ給電用スパッタ膜５を形成し、図４（ｄ）及び図５（ｄ）に示すようにフォトレジストパターン６を形成する。この際に、必要な積層パターンを同時に形成する。次いで、電気メッキ処理を行う。これにより、図４（ｅ）及び図５（ｅ）に示すようにフォトレジストパターン６に沿ってメッキ層７を形成する。
【０００９】
その後、図４（ｆ）及び図５（ｆ）に示すようにフォトレジストパターン６を除去し、図４（ｇ）及び図５（ｇ）に示すようにメッキ給電用スパッタ膜３を除去して、図２及び図３に示すようにアライメントマーク１を完成する。この際に、配線となるパターンも同時に作成する。
【００１０】
前記アライメントマーク１の例としては特許文献１、特許文献２に記載のものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−２４６７４３号公報
【特許文献２】特開２００７−２５８３７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、前記アライメントマーク１をメッキで作成する場合、そのメッキ層の高さによっては認識しづらくなることがある。図２に示すアライメントマーク１のマーク部４の場合、メッキ層が高くなりすぎてエッジ部８がテーパ状になるため、識別しづらくなってしまう。即ち、エッジ部８のコントラストが不鮮明になってアライメントマーク１を識別し難く、アライメントマーク１を正確に読み取ることができなくなる。
【００１３】
アライメントマーク１を形成するメッキが厚くなると、図２（ｂ）に示すマーク部４のエッジ部８のように、メッキの上側と下側でテーパが付いてしまうことがある。そして、エッジ部８にテーパが付いてしまうと、マーク部４を使用して位置認識する際に、カメラで撮影した画像を処理する際にマーク部４を認識するのが難しくなる。具体的には、マーク部４のエッジ部８にテーパが発生すると、画像処理によって、このテーパ部分ｔのどこかをエッジと認識してしまうため、エッジ部８の位置が変動して、誤差が発生してしまう。即ち、エッジ部８であるテーパ部分ｔのコントラストが不明瞭になってエッジ部分が複数出現し、アライメントマーク１を読み取る度に違う部分をエッジ部８と認識してしまい、誤差が発生してしまう。この結果、アライメントマーク位置読み取り精度が低下してしまうという問題がある。
【００１４】
本発明は、上述の問題点を解決するためになされたものであり、アライメントマーク位置読み取り精度を向上させることができるアライメントマーク及びその作成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記課題を解決するために本発明に係るアライメントマークは、基板の表面にメッキ給電用膜を形成し、次いで当該メッキ給電用膜にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマークであって、前記基板の表面に形成されるマーク本体と、当該マーク本体の周囲に形成された領域であって、前記メッキ給電用膜を形成しない箇所を一部に設けることでメッキ給電時の抵抗を調整することにより前記マーク本体となるメッキ層の膜厚を制御するメッキ給電用膜非形成領域とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明に係るアライメントマークの作成方法は、基板の表面にメッキ給電用膜を形成し、次いで当該メッキ給電用膜にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマークの作成方法であって、前記基板の所定の位置に前記アライメントマーク本体を形成するために、当該位置であるマーク本体形成部分の周囲にメッキ給電用膜を設ける際に、当該位置の周囲にメッキ給電用膜非形成領域を形成して前記メッキ給電用膜を形成しない領域を一部に設けることによりメッキ給電時の抵抗を調整し、それによって前記マーク本体となるメッキ層の膜厚を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
マーク本体を形成する際に、メッキ給電用膜非形成領域を形成してメッキ給電時の抵抗を調整して、メッキの膜厚を制御するため、マーク本体のエッジ部にテーパが付いて不鮮明になるのを防止することができる。この結果、アライメントマーク位置読み取り精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係るアライメントマークの断面とマーク本体の平面及び側面を示す模式図である。
【図２】従来のアライメントマークの断面とマーク本体の平面及び側面を示す模式図である。
【図３】従来のアライメントマークを示す平面図である。
【図４】従来のアライメントマークの作成方法を断面状態で示す工程図である。
【図５】従来のアライメントマークの作成方法を平面状態で示す工程図である。
【図６】本発明の実施形態に係るアライメントマークを示す平面図である。
【図７】本発明の実施形態に係るアライメントマークの作成方法を断面状態で示す工程図である。
【図８】本発明の実施形態に係るアライメントマークの作成方法を平面状態で示す工程図である。
【図９】第１変形例を示す平面図である。
【図１０】第２変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態に係るアライメントマーク及びその作成方法について、添付図面を参照しながら説明する。本実施形態のアライメントマークは、プリント配線基板等のような、正確に位置を特定する必要がある基板の表面に設けられるものである。このアライメントマークをカメラで撮影して画像処理することによってアライメントマークの位置を認識し、このアライメントマークの位置を基準に基板の位置や基板上の回路の位置等を特定するものである。本実施形態のアライメントマークは、このような基板全てに適用できるものである。
【００２０】
本実施形態に係るアライメントマークは、電気メッキによりパターン形成されるマークである。電気メッキの場合、供給される給電量の違いによって形成されるメッキ層の厚さが変わってくる。このため、抵抗部を適宜設けて供給される給電量を調整し、メッキ層の膜厚を制御するものである。
【００２１】
本実施形態に係るアライメントマーク１１は、図１、６に示すように主に、基板１２と、メッキ給電用膜１３と、反射防止膜１４と、マーク本体１５と、メッキ給電用膜非形成領域１６とから構成されている。なお、図１（ａ）は図６のＡ−Ａ線矢視断面図、図１（ｂ）は図６のＢ−Ｂ線矢視断面図、図１（ｃ）はマーク本体１５の平面図及び側面図である。
【００２２】
基板１２は、プリント配線基板等の基板である。
【００２３】
メッキ給電用膜１３は、電気メッキによってメッキ層を形成する際に、メッキ層を構成するイオンが付着する電極となる膜である。このメッキ給電用膜１３は、例えばスパッタリング現象を利用したスパッタ法により形成される。このスパッタ法では、段差がある部分でカバレッジ（段差部分における皮膜の形成状態）不足が生じてスパッタ膜が形成されない現象が起きることが一般に知られている。これを利用して後述するメッキ給電用膜非形成領域１６を形成しながら、メッキ給電用膜１３を形成する。
【００２４】
スパッタ法によってメッキ給電用膜１３を形成する際に、メッキ給電用膜非形成領域１６にスパッタ粒子を衝突させると前記カバレッジ不足が生じることがある。即ち、メッキ給電用膜非形成領域１６に膜を形成する際に、このメッキ給電用膜非形成領域１６が高く形成されると、その上端と基端との段差で前記カバレッジ不足が生じてスパッタ膜が形成されない現象が起きる。これにより、メッキ給電用膜非形成領域１６の側壁に膜が形成されず、メッキ給電用膜非形成領域１６に形成された膜は、メッキ給電用膜１３から切り離された状態になる。これにより、メッキ給電用膜非形成領域１６の部分は、メッキ給電用膜１３として機能せず、抵抗部となる。これを利用して抵抗部を有するメッキ給電用膜１３を形成する。このメッキ給電用膜１３は、基板１２及び反射防止膜１４の表面に形成される。
【００２５】
反射防止膜１４は、マーク本体１５を支持する土台となる膜材であって、四角形台状に形成されている。反射防止膜１４は、ポリイミド等の樹脂で形成される。これにより反射防止膜１４は、カメラで撮影した画像を処理する際に、この反射防止膜１４上に形成されるマーク本体１５との間でコントラストを高くする。
【００２６】
マーク本体１５は、位置合わせの基準となるマークである。マーク本体１５は、基板１２の設定位置に形成されて当該基板１２のアライメントや基板１２内の回路のアライメント等に用いられる。基板１２のアライメント等を行う際に、このマーク本体１５を特定して、このマーク本体１５を基準にして基板１２の位置や基板１２内の回路の位置を特定する。
【００２７】
マーク本体１５は、カメラで正確に認識できるように、そのエッジ部が切り立った状態であることが要求される。このため、マーク本体１５は、薄く形成されることが望ましい。これは、マーク本体１５が厚くなると、従来技術の問題として上述したように、エッジ部にテーパが生じてしまうからである。このため、マーク本体１５がメッキ層によって構成され、このメッキ層の厚さが給電量を変えることで調整されている。
【００２８】
メッキ給電用膜非形成領域１６は、マーク本体１５の周囲に形成された領域であって、前記メッキ給電用膜１３を形成しない箇所を一部に設けることでメッキ給電時の抵抗を調整することにより前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御する抵抗部である。メッキ給電用膜非形成領域１６は、マーク本体１５の形成部分の周囲を囲んで設けられる。具体的には、四角形の反射防止膜１４の各辺に沿って形成された４つの凸部１７で構成されている。この４つの細長い凸部１７は、四角環状に形成された筋状の凸部の各角を削除して、形成されている。
【００２９】
メッキ給電用膜非形成領域１６は、反射防止膜１４と同時に形成される。具体的には、まず１段目としてポリイミド等の樹脂を用いて、反射防止膜１４と同じ高さの４つの細長い台部１７Ａ（図７（ａ）参照）を形成し、次いで２段目として、各台部１７Ａの上にさらに合成樹脂を積層して高くして凸部１７を形成する。メッキ給電用膜非形成領域１６を構成する各凸部１７の高さは、スパッタ法によるスパッタ膜の形成時に、上端と基端とでカバレッジ不足が生じて側壁にスパッタ膜が形成されない程度の段差になるように設定する。４つの凸部１７の部分でその側壁にスパッタ膜が形成されず、電気的にメッキ給電用膜１３から切り離されることで、これら４つの凸部１７の部分で抵抗部を構成する。この抵抗部である各凸部１７によって、反射防止膜１４の部分のメッキ給電用膜１３での給電量が減少して、この反射防止膜１４にできるメッキ層が薄くなり、安定化する。即ち、マーク本体１５及びその外周の外側マーク部１８が薄くなり、安定化する。これにより、エッジ部の上端部や基端部にテーパができることがなくなり、切り立ったシャープなエッジ部になって、マーク本体１５の認識が安定する。このように、アライメントマーク１１のメッキ膜厚を低くすることで、エッジが鮮明なアライメントマーク１１が得られる。
【００３０】
給電量は、４つの凸部１７を変更して抵抗値を変えることで調整する。即ち、４つの凸部１７の設置位置やサイズを変更してこれらの間隔を変更することで抵抗値を制御して、給電量を調整する。
【００３１】
［アライメントマークの作成方法］
次に、アライメントマークの作成方法について説明する。
【００３２】
本実施形態のアライメントマークの作成方法は、基板１２の表面にメッキ給電用膜１３を形成し、当該メッキ給電用膜１３にフォトレジストパターンを形成して、電気メッキによりアライメントマークをその膜厚を調整しながらパターン形成する作成方法である。このアライメントマークの作成方法では、前記基板１２の所定の位置に前記アライメントマーク本体を形成するために、当該位置であるマーク本体１５の形成部分の周囲にメッキ給電用膜１３を設ける際に、当該位置の周囲にメッキ給電用膜非形成領域１６を形成して前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けることによりメッキ給電時の抵抗を調整し、それによって前記マーク本体１５となるメッキ層の膜厚を制御する。
【００３３】
前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設ける前記メッキ給電用膜非形成領域１６として４つの凸部１７を用いる。前記マーク本体１５の形成部分の周囲を囲む４つの凸部１７を用いて、設定範囲で前記メッキ給電用膜１３を形成しない領域を作る。このメッキ給電用膜１３を形成しない領域であるメッキ給電用膜非形成領域１６のサイズによって、メッキ給電時の抵抗を調整する。具体的には、前記メッキ給電用膜１３をスパッタ法によるスパッタ膜で形成すると共に、前記メッキ給電用膜非形成領域１６の段差によってその上端と基端とで前記スパッタ膜を切断する。即ち、作成されたスパッタ膜は、メッキ給電用膜非形成領域１６においてカバレッジ不足となって切断される。
【００３４】
これにより、前記スパッタ法によるスパッタ膜の形成時に、前記メッキ給電用膜非形成領域１６の上端と基端とでスパッタ膜が切れて電流が流れなくなる。この電流が流れないメッキ給電用膜非形成領域１６を抵抗部として利用する。この抵抗部としてのメッキ給電用膜非形成領域１６の寸法を適宜調整することにより、その抵抗値を変えて、メッキ給電時の抵抗を調整する。この抵抗により、マーク本体１５の部分でアライメントマーク部の給電量が低下するため、メッキの析出量が削減される。これにより、マーク本体１５のメッキ層の膜厚が他の部分よりも薄く作成される。電気メッキの後に、フォトレジスト、スパッタ膜をそれぞれ除去してアライメントマークを完成する。
【００３５】
この際、配線として必要はパターンが同時に作成される。アライメントマーク以外のパターンにおいては、給電量が通常であるため、必要なメッキ膜厚が得られる。
【００３６】
具体的なアライメントマークの作成方法を、図７，８に基づいて説明する。図７（ａ）は基板１２の側面図、図８（ａ）は基板１２の平面図、図７（ｂ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ線矢視断面図、図７（ｃ）は図８（ｂ）のＢ−Ｂ線矢視断面図、図７（ｄ）（ｅ）は図８（ｃ）のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線矢視断面図、以下同様に、図７（ｆ）〜（ｏ）は図８（ｄ）〜（ｈ）のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線矢視断面図である。なお、例えば図７（ｂ）及び（ｃ）の寸法は本来は異なるものである。図７（ｂ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ線上の寸法である。図７（ｃ）は図８（ｂ）のＢ−Ｂ線上の寸法である。このため、両者は異なる寸法であるが、ここでは説明の便宜のために同一寸法にしている。
【００３７】
まず、図７（ａ）及び図８（ａ）の基板１２に、図７（ｂ）（ｃ）及び図８（ｂ）のように、ポリイミド等の合成樹脂で反射防止膜１４及び凸部１７の台部１７Ａをそれぞれ形成する。台部１７Ａは１段目であり、反射防止膜１４と同じ高さに形成される。
【００３８】
次いで、図７（ｄ）（ｅ）及び図８（ｃ）のように、１段目としての各台部１７Ａに２段目としての合成樹脂を積層して４つの凸部１７を形成する。この凸部１７は、その上端と基端とでカバレッジ不足が生じて側壁にスパッタ膜が形成されない程度の高さの段差に形成する。この４つの凸部１７でメッキ給電用膜非形成領域１６が形成される。
【００３９】
次いで、図７（ｆ）（ｇ）及び図８（ｄ）のように、基板１２、反射防止膜１４及びメッキ給電用膜非形成領域１６の全体に、スパッタ法によってメッキ給電用膜１３であるスパッタ膜を形成する。このとき、図７（ｆ）のＸ，Ｙの部分のように、メッキ給電用膜非形成領域１６の段差のためにメッキ給電用膜１３が切れてしまい、この部分が電気メッキの際に抵抗部となる。
【００４０】
次いで、図７（ｈ）（ｉ）及び図８（ｅ）のように、フォトレジストによりマーク本体１５等を形成するためのパターン１９を形成する。フォトレジストによるパターン形成では、段差に関係なく、形成されたパターンの部分全体で均一な膜が形成される。
【００４１】
次いで、図７（ｊ）（ｋ）及び図８（ｆ）のように、電気メッキを施す。このとき、メッキ給電用膜１３には電圧が印加されて、メッキ層を構成するイオンが付着する電極となる。このとき、メッキ給電用膜非形成領域１６では、メッキ給電用膜１３が切断されているため、メッキ給電用膜非形成領域１６で囲まれたマーク本体１５の部分の給電量が制限されて、メッキ層の膜厚が薄くなる。即ち、メッキ給電用膜非形成領域１６の外側は給電量が制限されないため、通常の厚さのメッキ層になる。一方、マーク本体１５が位置するメッキ給電用膜非形成領域１６の内側では、給電量が制限されて、メッキ層の膜厚が外側よりも薄くなる。このメッキ給電用膜非形成領域１６の内側のメッキ層の膜厚は、そのエッジ部にテーパができない厚さに形成される。このエッジ部にテーパができないメッキ層の膜厚は、マーク本体１５のサイズ等の諸条件によって異なるため、実際のマーク本体１５を複数の異なる厚さで実験的に形成して、最も望ましい厚さを特定する。即ち、メッキ給電用膜非形成領域１６のサイズを種々変更して電気メッキ時の給電量を変更して、複数の膜厚のメッキ層を実験的に形成し、最も望ましい厚さを特定する。
【００４２】
次いで、図７（ｌ）（ｍ）及び図８（ｇ）のように、フォトレジストを除用し、図７（ｎ）（ｏ）及び図８（ｈ）のように、メッキ給電用膜１３を除去して、図１のアライメントマーク１１を形成する。このアライメントマーク１１は、エッジ部が切り立ったマーク本体１５を有する。
【００４３】
［効果］
メッキ給電用膜非形成領域１６を設けると共にその寸法を適宜変更することで、メッキ給電時の抵抗値を調整するようにしたので、アライメントマーク１１のメッキ層の膜厚を容易に制御することができる。この結果、エッジ部にテーパのない、コントラストの鮮明なアライメントマーク１１を形成することができる。
【００４４】
また、アライメントマーク１１を上述のようにして形成することで、アライメントマーク１１を正確に認識することができる。即ち、カメラでアライメントマーク１１を撮影して画像処理することで、エッジ部のコントラストが鮮明なアライメントマーク１１を認識することができ、アライメントマーク位置読み取り精度を向上させることができる。
【００４５】
この結果、プリント配線基板の露光時等において、基板１２のアライメント精度を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明のアライメントマークは、カメラの画像処理によって位置を特定する必要がある部材すべてに用いることができる。
【００４７】
また、前記実施形態では、メッキ給電用膜１３をスパッタ法によって形成し、メッキ給電用膜非形成領域１６に、その上端と基端とで前記スパッタ膜が切れてしまう高さの段差を持たせたが、本発明はこれに限らず、メッキ給電用膜１３を形成しない領域を一部に設けることができる手段すべてを用いることができる。たとえば、前記メッキ給電用膜非形成領域を高くしないで、全体にメッキ給電用膜を施した後、このメッキ給電用膜非形成領域の部分のメッキ給電用膜を除去する工程を設けてもよい。また、メッキ給電用膜を形成する際に、基板表面の一部をマスクして膜が形成されない領域を作ったり、メッキ給電用膜をベタ付けした後、一部をエッチング等で除去したりしてもよい。また、この場合、メッキ給電用膜は、スパッタ法に限らず、ＣＶＤ法などの他の方法を用いてもよい。
【００４８】
また、前記実施形態では、メッキ給電用膜非形成領域１６を、マーク本体１５の形成部分の周囲を囲む４つの凸部１７で構成したが、本発明はこれに限らず、マーク本体１５の形成部分の周囲を囲むと共に一部が途切れた凸部であればよい。例えば図９に示すように、メッキ給電用膜非形成領域２１を、円環状で２箇所を切断した形状にして、給電量を大幅に減少させてもよい。このとき、切断部分は１箇所又は３箇所以上にして、給電量を調整する。２箇所の切断部分の広さを変えて給電量を調整してもよい。
【００４９】
また、これ以外にも、図１０にように、四角形の凸部２２を４箇所設けて構成してもよい。メッキ給電用膜非形成領域１６は、マーク本体１５へ周囲に設けられて、マーク本体１５への給電量を調整できる形状であればよい。これにより、前記実施形態同様の作用、効果を奏することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１１：アライメントマーク、１２：基板、１３：メッキ給電用膜、１４：反射防止膜、１５：マーク本体、１６：メッキ給電用膜非形成領域、１７：凸部、２１：メッキ給電用膜非形成領域、２２：凸部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にメッキ給電用膜を形成し、次いで当該メッキ給電用膜にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマークであって、
前記基板の表面に形成されるマーク本体と、
当該マーク本体の周囲に形成された領域であって、前記メッキ給電用膜を形成しない箇所を一部に設けることでメッキ給電時の抵抗を調整することにより前記マーク本体となるメッキ層の膜厚を制御するメッキ給電用膜非形成領域とを備えたことを特徴とするアライメントマーク。
【請求項２】
請求項１に記載のアライメントマークにおいて、
前記メッキ給電用膜非形成領域が、前記マーク本体形成部分の周囲を囲むと共に一部が途切れた凸部で構成されたことを特徴とするアライメントマーク。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のアライメントマークにおいて、
前記メッキ給電用膜がスパッタ法により形成され、前記メッキ給電用膜非形成領域が、前記スパッタ法によるスパッタ膜の形成時に、上端と基端とでカバレッジ不足により前記スパッタ膜が形成されない高さの段差を持たせたことを特徴とするアライメントマーク。
【請求項４】
基板の表面にメッキ給電用膜を形成し、次いで当該メッキ給電用膜にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマークの作成方法であって、
前記基板の所定の位置に前記アライメントマーク本体を形成するために、当該位置であるマーク本体形成部分の周囲にメッキ給電用膜を設ける際に、当該位置の周囲にメッキ給電用膜非形成領域を形成して前記メッキ給電用膜を形成しない領域を一部に設けることによりメッキ給電時の抵抗を調整し、それによって前記マーク本体となるメッキ層の膜厚を制御することを特徴とするアライメントマークの作成方法。
【請求項５】
請求項４に記載のアライメントマークの作成方法において、
前記メッキ給電用膜非形成領域として、前記マーク本体形成部分の周囲を囲むと共に一部が途切れた凸部を用いて、前記メッキ給電用膜を形成しない領域を一部に設けることによりメッキ給電時の抵抗を調整することを特徴とするアライメントマークの作成方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のアライメントマークの作成方法において、
前記メッキ給電用膜がスパッタ法により形成されると共に、前記メッキ給電用膜非形成領域がカバレッジ不足により前記スパッタ膜が形成されない高さの段差に形成されて、前記スパッタ法によるスパッタ膜の形成時に、前記メッキ給電用膜非形成領域の段差でカバレッジ不足により前記スパッタ膜を形成しない当該メッキ給電用膜非形成領域を抵抗部としてメッキ給電時の抵抗を調整することを特徴とするアライメントマークの作成方法。
【請求項１】
基板の表面にメッキ給電用膜を形成し、次いで当該メッキ給電用膜にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマークであって、
前記基板の表面に形成されるマーク本体と、
当該マーク本体の周囲に形成された領域であって、前記メッキ給電用膜を形成しない箇所を一部に設けることでメッキ給電時の抵抗を調整することにより前記マーク本体となるメッキ層の膜厚を制御するメッキ給電用膜非形成領域とを備えたことを特徴とするアライメントマーク。
【請求項２】
請求項１に記載のアライメントマークにおいて、
前記メッキ給電用膜非形成領域が、前記マーク本体形成部分の周囲を囲むと共に一部が途切れた凸部で構成されたことを特徴とするアライメントマーク。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のアライメントマークにおいて、
前記メッキ給電用膜がスパッタ法により形成され、前記メッキ給電用膜非形成領域が、前記スパッタ法によるスパッタ膜の形成時に、上端と基端とでカバレッジ不足により前記スパッタ膜が形成されない高さの段差を持たせたことを特徴とするアライメントマーク。
【請求項４】
基板の表面にメッキ給電用膜を形成し、次いで当該メッキ給電用膜にフォトレジストパターンを形成して、その後電気メッキによりパターン形成されるアライメントマークの作成方法であって、
前記基板の所定の位置に前記アライメントマーク本体を形成するために、当該位置であるマーク本体形成部分の周囲にメッキ給電用膜を設ける際に、当該位置の周囲にメッキ給電用膜非形成領域を形成して前記メッキ給電用膜を形成しない領域を一部に設けることによりメッキ給電時の抵抗を調整し、それによって前記マーク本体となるメッキ層の膜厚を制御することを特徴とするアライメントマークの作成方法。
【請求項５】
請求項４に記載のアライメントマークの作成方法において、
前記メッキ給電用膜非形成領域として、前記マーク本体形成部分の周囲を囲むと共に一部が途切れた凸部を用いて、前記メッキ給電用膜を形成しない領域を一部に設けることによりメッキ給電時の抵抗を調整することを特徴とするアライメントマークの作成方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のアライメントマークの作成方法において、
前記メッキ給電用膜がスパッタ法により形成されると共に、前記メッキ給電用膜非形成領域がカバレッジ不足により前記スパッタ膜が形成されない高さの段差に形成されて、前記スパッタ法によるスパッタ膜の形成時に、前記メッキ給電用膜非形成領域の段差でカバレッジ不足により前記スパッタ膜を形成しない当該メッキ給電用膜非形成領域を抵抗部としてメッキ給電時の抵抗を調整することを特徴とするアライメントマークの作成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１０−１８２７４９（Ｐ２０１０−１８２７４９Ａ）
【公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２２９３７（Ｐ２００９−２２９３７）
【出願日】平成２１年２月３日（２００９．２．３）
【出願人】（０００１５３０１８）株式会社日本マイクロニクス (349)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月３日（２００９．２．３）
【出願人】（０００１５３０１８）株式会社日本マイクロニクス (349)
【Ｆターム（参考）】
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