イメージセンサおよびそれを用いた撮像装置

【課題】被写体像の移動方向が画素アレイの垂直方向に一致しない場合でも、高い画像解像度を得ることが可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】このＴＤＩ方式イメージセンサでは、複数の画素ブロックＢＫを垂直方向に配列し、各画素ブロックＢＫの各画素２が次段の画素ブロックＢＫの２つの画素２に対向するように、各隣接する２つの画素ブロックＢＫを画素ピッチの２分の１だけ水平方向に互いにずらせて配置し、各隣接する２つの画素ブロックＢＫの間に電荷振り分け部ＣＳを設け、前段の画素ブロックＢＫの各画素２からの信号電荷を次段の画素ブロックＢＫの２つの画素のうちのいずれか一方の画素２に選択的に伝達させる。したがって、信号電荷の転送方向を被写体像の移動方向に一致させることができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、イメージセンサおよびそれを用いた撮像装置に関し、特に、リモートセンシングなどの分野で用いられるイメージセンサと、それを用いた撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体基板上に多数の画素（光検出器）をアレイ状に配置し、同一基板上に信号電荷の読出回路や出力アンプを備えたイメージセンサが多数開発されている。リモートセンシングにおいては、画素を１次元アレイ状に配置したイメージセンサを人工衛星などに搭載し、画素アレイと垂直な方向を衛星の進行方向に一致させることによって地表の２次元画像を撮影する。画像解像度を向上させるには画素ピッチをできるだけ小さくすることが望ましい。しかし、画素ピッチを小さくすると、画素の面積が縮小する分だけ画素への入射光量が減少し、Ｓ／Ｎが劣化する。
【０００３】
Ｓ／Ｎを改善するための巧妙な手段としてＴＤＩ方式（Time Delay and Integration）のイメージセンサが開発されている。ＴＤＩ方式は、電荷転送のタイミングを被写体像の移動タイミングに同期させることでＳ／Ｎを改善するＣＣＤ（Charge Coupled Devices）イメージセンサの読出し方式である。ＣＣＤとしては、２次元イメージセンサであるＦＦＴ（Full Frame Transfer）型ＣＣＤなどが用いられる。リモートセンシングの場合、ＣＣＤの垂直方向への電荷転送速度を衛星の移動速度に合わせることでＴＤＩ動作を実現できる。垂直ＣＣＤでＭ段のＴＤＩ動作を行なうと、蓄積時間が実効的にＭ倍となるため、感度がＭ倍向上し、Ｓ／Ｎは√Ｍ倍に改善される。
【０００４】
また、ＴＤＩ方式のイメージセンサにおいて、電荷転送方向を順方向と逆方向に切換える、いわゆる双方向ＴＤＩが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。このイメージセンサでは、外部から印加する垂直転送クロックによって電荷転送方向の順方向と逆方向との切り換わり位置を制御することで、ＴＤＩ段数を切換えることを可能にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２９８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、リモートセンシングにおいて、高速で移動しながら複数の地点を順次撮影しようとすると、被写体像の移動方向と画素アレイの垂直方向を一致させることは難しくなる。両者の方向に角度ずれが生じると、画像解像度が著しく劣化する。そのため、従来は、衛星の姿勢を制御して両者の方向を一致させてから撮像を行なう必要があり、撮影できる地点の数が限定されていた。
【０００７】
また、特許文献１のＴＤＩ方式イメージセンサは、電荷転送の方向を２通りに切換えるものであるが、その電荷転送方向は順方向と逆方向だけに限られている。したがって、このイメージセンサでは、被写体像の移動方向と画素アレイの垂直方向との角度ずれを補償することはできず、撮像地点を大幅に増加させることはできない。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、被写体像の移動方向が画素アレイの垂直方向に一致しない場合でも、高い画像解像度を得ることが可能なイメージセンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係るイメージセンサは、垂直方向に配列された複数の画素ブロックを含む画素アレイを備えたものである。各画素ブロックは、水平方向に配置された複数の画素を含む。各画素ブロックの各画素が次段の画素ブロックの２つの画素に対向するように、奇数番の画素ブロックと偶数番の画素ブロックは予め定められた距離だけ水平方向にずらせて配置されている。このイメージセンサは、さらに、各隣接する２つの画素ブロックの間に設けられ、前段の画素ブロックの各画素からの信号電荷を該画素に対向する次段の画素ブロックの２つの画素のうちのいずれか一方の画素に選択的に伝達する電荷振り分け部を備える。
【発明の効果】
【００１０】
この発明に係るイメージセンサでは、複数の画素ブロックを垂直方向に配列し、各画素ブロックの各画素が次段の画素ブロックの２つの画素に対向するように、奇数番の画素ブロックと偶数番の画素ブロックを所定距離だけ水平方向にずらせて配置し、各隣接する２つの画素ブロックの間に電荷振り分け部を設け、前段の画素ブロックの各画素からの信号電荷を次段の画素ブロックの２つの画素のうちのいずれか一方の画素に選択的に伝達させる。したがって、被写体像の移動方向が画素アレイの垂直方向に一致しない場合でも、信号電荷の転送方向を被写体像の移動方向に一致させることができ、高い画像解像度を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１によるＴＤＩ方式イメージセンサの構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示したＴＤＩ方式イメージセンサの要部を示す図である。
【図３】図２に示した電荷振り分け部の動作を示すタイムチャートである。
【図４】図２に示した電荷振り分け部の動作を示す図である。
【図５】図２に示した電荷振り分け部の動作を示す他の図である。
【図６】図２に示した電荷振り分け部の動作を示すさらに他の図である。
【図７】図２に示した電荷振り分け部の動作を示すさらに他の図である。
【図８】本発明の実施の形態２による撮像装置の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[実施の形態１]
本願の実施の形態１によるＴＤＩ方式イメージセンサは、シリコン基板の表面に形成されており、図１に示すように画素アレイ１を備える。画素アレイ１は、垂直方向（図１中の上下方向）に配列されたｎ個（ただし、ｎは２以上の整数である）の画素ブロックＢＫ１〜ＢＫｎを含む。各画素ブロックＢＫは、複数行（図１では３行）、複数列に配置された複数の画素２を含む。各画素行の複数の画素２は、所定の画素ピッチで水平方向（図１中の左右方向）に配列されている。各画素列の複数の画素２は、所定の画素ピッチで垂直方向（図１中の上下方向）に配列されている。各画素２は、入射光強度に応じた量の電荷を発生する。各画素２で発生した信号電荷は、列方向の下流側（図１では下側）の画素２に順次転送される。
【００１３】
奇数番の画素ブロックＢＫ１，ＢＫ３，…の画素２と偶数番の画素ブロックＢＫ２，ＢＫ４，…の画素２とは、画素ピッチの２分の１のピッチだけ水平方向に互いにずれて配置されている。このため、各画素ブロックＢＫの最終段の画素行の各画素２は、次段（図１では下側）の画素ブロックＢＫの初段の画素行の２つの画素２に対向している。
【００１４】
また、画素ブロックＢＫ１〜ＢＫｎの間には、それぞれ電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳｎ−１が設けられている。各電荷振り分け部ＣＳは、前段の画素ブロックＢＫの最終行の各画素２からの信号電荷を、次段の画素ブロックＢＫの初段の画素行の対応する２つの画素２のうちのいずれか一方の画素２に選択的に転送する。
【００１５】
さらに、最終段の画素ブロックＢＫｎに隣接して電荷蓄積部３、水平ＣＣＤ４、および出力アンプ５が設けられている。画素２に光が入射すると、その画素２で入射光強度に応じた量の電荷が発生する。画素２で発生した信号電荷は、画素ブロックＢＫと電荷振り分け部ＣＳとを交互に通り、電荷蓄積部３に向かって垂直方向（図１中の下方）に転送され、次に電荷蓄積部３から水平ＣＣＤ４に転送され、さらに水平ＣＣＤ４によって水平方向（図１中の右方向）に転送され、出力アンプ５から出力される。
【００１６】
図２は、図１に示したＴＤＩ方式イメージセンサの要部を示す図である。図２では、図面の簡単化のため、７個の画素ブロックＢＫ１〜ＢＫ７と、６個の電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ６とが示されている。また、各画素ブロックＢＫでは、１つの画素行のみが示されている。図２において、太枠線で囲まれた四角形の領域が１つの画素２に相当し、太枠線で囲まれた横長の帯状の領域が１つの電荷振り分け部ＣＳに相当する。
【００１７】
各画素ブロックＢＫの画素行には、複数本（図２では３本）の垂直転送電極（ポリシリコンゲート）６が共通に設けられている。各垂直転送電極６は水平方向に延在しており、３本の垂直転送電極６は垂直方向に隣接して配置されている。また、各電荷振り分け部ＣＳには、各画素２に対応して２つの振り分け電極（ポリシリコンゲート）７が設けられている。すなわち、各電荷振り分け部ＣＳには、１画素行に属する画素２の２倍の数の振り分け電極７が設けられている。各電荷振り分け部ＣＳの複数の振り分け電極７は、水平方向に画素ピッチの２分の１のピッチで配列されている。
【００１８】
また、図２において、網掛けが施された領域は、シリコン基板内に形成された垂直転送チャネル８である。垂直転送チャネル８は、各画素ブロックＢＫにおいては、各画素２に対応して３本の垂直転送電極６の下に形成されている。各画素２に対応する垂直転送チャネル８は、水平方向に隣接する画素２に対応する垂直転送チャネル８と離間している。また、垂直転送チャネル８は、各電荷振り分け部ＣＳにおいては、各振り分け電極７に対応して振り分け電極７の下に形成されている。各振り分け電極７に対応する垂直転送チャネル８は、前段および後段の画素２に対応する垂直転送チャネル８につながっている。
【００１９】
また、画素ブロックＢＫ１〜ＢＫ７に共通に入力ピンＰ１〜Ｐ３が設けられている。各画素ブロックＢＫの１番目（図２中の１番上）の垂直転送電極６は、コンタクトホール１０および金属配線１１を介して入力ピンＰ１に接続されている。各画素ブロックＢＫの２番目の垂直転送電極６は、コンタクトホール１０および金属配線１１を介して入力ピンＰ２に接続されている。また、各画素ブロックＢＫの３番目の垂直転送電極６は、コンタクトホール１０および金属配線１１を介して入力ピンＰ３に接続されている。入力ピンＰ１〜Ｐ３には、それぞれクロック信号φＴ１〜φＴ３が外部から与えられる。
【００２０】
また、電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ６の奇数番目の振り分け電極７に対応してそれぞれ入力ピンＰ１１ａ〜Ｐ１６ａが設けられ、電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ６の偶数番目の振り分け電極７に対応してそれぞれ入力ピンＰ１１ｂ〜Ｐ１６ｂが設けられている。各電荷振り分け部（たとえばＣＳ１）の奇数番目の振り分け電極７は、コンタクトホール１２および金属配線１３を介して対応の入力ピン（この場合Ｐ１１ａ）に接続されている。各電荷振り分け部（たとえばＣＳ１）の偶数番目の振り分け電極７は、コンタクトホール１２および金属配線１３を介して対応の入力ピン（この場合Ｐ１１ｂ）に接続されている。入力ピンＰ１１ａ〜１６ａには、それぞれクロック信号φＬ１〜φＬ６が外部から与えられえる。入力ピンＰ１１ｂ〜１６ｂには、それぞれクロック信号φＲ１〜φＲ６が外部から与えられる。
【００２１】
図３（ａ）は電荷を右に振り分ける場合におけるクロック信号φＴ１〜φＴ３，φＲ，φＬの波形を示すタイムチャートであり、図３（ｂ）は電荷を左に振り分ける場合におけるクロック信号φＴ１〜φＴ３，φＲ，φＬの波形を示すタイムチャートである。クロック信号φＴ１〜φＴ３，φＲ（またはφＬ）は、４相駆動ＣＣＤに供給する垂直転送クロック信号と同様であるが、電荷振り分け部ＣＳによって左右のどちらに電荷を転送するかによってクロック信号の与え方が異なっている。すなわち、電荷を図２中の右に振り分ける場合は、クロック信号φＲを活性化させるとともにクロック信号φＬを「Ｌ」レベルに固定し、電荷を図２中の左に振り分ける場合は、クロック信号φＬを活性化させるとともにクロック信号φＲを「Ｌ」レベルに固定する。
【００２２】
次に、このイメージセンサの電荷転送動作について説明する。ＣＣＤでは、「Ｈ」レベルの信号が与えられた転送電極の下の転送チャネルにポテンシャル井戸が形成され、そのポテンシャル井戸に信号電荷が蓄積される。図３（ａ）において、クロック信号φＴ１，φＴ２がともに「Ｈ」レベルにされると、各画素ブロックＢＫの１番目と２番目の垂直転送電極６の下の垂直転送チャネル８にポテンシャル井戸が形成され、そのポテンシャル井戸に信号電荷が蓄積される。
【００２３】
次に、クロック信号φＴ２，φＴ３がともに「Ｈ」レベルにされると、各画素ブロックＢＫの２番目と３番目の垂直転送電極６の下の垂直転送チャネル８にポテンシャル井戸が形成され、ポテンシャル井戸の移動に伴って信号電荷が移動する。次に、クロック信号φＴ３，φＲがともに「Ｈ」レベルにされると、各画素ブロックＢＫの３番目の垂直転送電極６と電荷振り分け部ＣＳの各偶数番の振り分け電極７の下の垂直転送チャネル８にポテンシャル井戸が形成される。このとき、クロック信号φＬが「Ｌ」レベルに固定されるので、電荷振り分け部ＣＳの各奇数番の振り分け電極７の下にはポテンシャル井戸は形成されない。したがって、信号電荷は、各画素ブロックＢＫの３番目の垂直転送電極６と電荷振り分け部ＣＳの各偶数番の振り分け電極７の下に移動する。
【００２４】
次に、クロック信号φＲ，φＴ１がともに「Ｈ」レベルにされると、電荷振り分け部ＣＳの各偶数番の振り分け電極７と各画素ブロックＢＫの１番目の垂直転送電極６の下の垂直転送チャネル８にポテンシャル井戸が形成され、ポテンシャル井戸の移動に伴って信号電荷が移動する。以上の一連の転送動作により、図３（ａ）の駆動クロックを与えた場合は、画素２で発生した信号電荷は電荷振り分け部ＣＳを介して右下の画素２に転送される。
【００２５】
同様に、図３（ｂ）において、クロック信号φＴ１，φＴ２がともに「Ｈ」レベルにされると、各画素ブロックＢＫの１番目と２番目の垂直転送電極６の下の垂直転送チャネル８にポテンシャル井戸が形成され、そのポテンシャル井戸に信号電荷が蓄積される。
【００２６】
次に、クロック信号φＴ２，φＴ３がともに「Ｈ」レベルにされると、各画素ブロックＢＫの２番目と３番目の垂直転送電極６の下の垂直転送チャネル８にポテンシャル井戸が形成され、ポテンシャル井戸の移動に伴って信号電荷が移動する。次に、クロック信号φＴ３，φＬがともに「Ｈ」レベルにされると、各画素ブロックＢＫの３番目の垂直転送電極６と電荷振り分け部ＣＳの各奇数番の振り分け電極７の下の垂直転送チャネル８にポテンシャル井戸が形成される。このとき、クロック信号φＲが「Ｌ」レベルに固定されるので、電荷振り分け部ＣＳの各偶数番の振り分け電極７の下にはポテンシャル井戸は形成されない。したがって、信号電荷は、各画素ブロックＢＫの３番目の垂直転送電極６と電荷振り分け部ＣＳの各奇数番の振り分け電極７の下に移動する。
【００２７】
次に、クロック信号φＬ，φＴ１がともに「Ｈ」レベルにされると、電荷振り分け部ＣＳの各奇数番の振り分け電極７と各画素ブロックＢＫの１番目の垂直転送電極６の下の垂直転送チャネル８にポテンシャル井戸が形成され、ポテンシャル井戸の移動に伴って信号電荷が移動する。以上の一連の転送動作により、図３（ｂ）の駆動クロックを与えた場合は、画素２で発生した信号電荷は電荷振り分け部ＣＳを介して左下の画素２に転送される。
【００２８】
クロック信号φＲ，φＬは、各電荷振り分け部ＣＳ毎に独立に設定される。クロック信号φＲ１〜φＲ６，φＬ１〜φＬ６の組み合わせ方によって、ＴＤＩ転送を行なう際の電荷転送方向（角度）を変えることができる。
【００２９】
図４〜図７は、図１〜図３で示したＴＤＩ方式イメージセンサの電荷転送方法を示す図である。図４〜図７では、図面の簡単化のため、９個の画素ブロックＢＫ１〜ＢＫ９と、８個の電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ８とが示されている。また、各画素ブロックＢＫでは、２つの画素行のみが示されている。
【００３０】
図４では、電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ８にそれぞれクロック信号φＲ１，φＬ２，φＲ３，φＬ４，φＲ５，φＬ６，φＲ７，φＬ８が入力される。クロック信号φＬ１，φＲ２，φＬ３，φＲ４，φＬ５，φＲ６，φＬ７，φＲ８は、ともに「Ｌ」レベルに固定される。この場合、電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ８は、前段の画素ブロックＢＫ１〜ＢＫ８からの信号電荷をそれぞれ右、左、右、左、右、左、右、左に振り分ける。このため、信号電荷は、図４中の矢印で示した経路を通って蛇行しながら移動し、全体として信号電荷の転送方向は画素アレイ１の垂直方向（図４中の下方向）になる。
【００３１】
図５では、電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ８にそれぞれクロック信号φＲ１，φＲ２，φＬ３，φＲ４，φＲ５，φＬ６，φＲ７，φＲ８が入力される。クロック信号φＬ１，φＬ２，φＲ３，φＬ４，φＬ５，φＲ６，φＬ７，φＬ８は、ともに「Ｌ」レベルに固定される。この場合、電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ８は、前段の画素ブロックＢＫ１〜ＢＫ８からの信号電荷をそれぞれ右、右、左、右、右、左、右、右に振り分ける。この場合は、右に２回、左に１回の振り分けを繰り返し行なうので、右方向への振り分け頻度が多い分だけ信号電荷の転送方向は全体として図５中の斜め右下方向になる。
【００３２】
図６では、電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ８にそれぞれクロック信号φＲ１〜φＲ３，φＬ４，φＲ５〜φＲ７，φＬ８が入力される。クロック信号φＬ１〜φＬ３，φＲ４，φＬ５〜φＬ７，φＲ８は、ともに「Ｌ」レベルに固定される。この場合、電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ８は、前段の画素ブロックＢＫ１〜ＢＫ８からの信号電荷をそれぞれ右、右、右、左、右、右、右、左に振り分ける。この場合は、右に３回、左に１回の振り分けを繰り返し行なうので、右方向への振り分け頻度が多い分だけ信号電荷の転送方向は全体として図６中の斜め右下方向になる。
【００３３】
図７では、電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ８にそれぞれクロック信号φＲ１〜φＲ８が入力される。クロック信号φＬ１〜φＬ８は、ともに「Ｌ」レベルに固定される。この場合、電荷振り分け部ＣＳ１〜ＣＳ８は、ともに前段の画素ブロックＢＫ１〜ＢＫ８からの信号電荷を右に振り分ける。この場合は、右への振り分けを繰り返し行なうので、信号電荷の転送方向は全体として図７中の斜め右下方向になる。図４〜図７中の矢印は電荷の移動経路を表しており、図４から図７の順に転送方向が曲げられる角度が増大する。図４〜図７では、転送方向を右に曲げる場合について示したが、クロック信号を示す符号のＲとＬを入れ替えれば、転送方向は左に曲げられる。
【００３４】
この実施の形態１では、画素アレイ１を複数の画素ブロックＢＫに分割し、各隣接する２つの画素ブロックＢＫの間に電荷振り分け部ＣＳを設け、前段の画素ブロックＢＫの画素２からの信号電荷を次段の画素ブロックＢＫの２つの画素２のうちのいずれか一方の画素２に選択的に伝達させる。したがって、被写体像の移動方向が画素アレイ１の列方向に一致しない場合でも、信号電荷の転送方向を被写体像の移動方向に一致させることができ、高い画像解像度を得ることができる。
【００３５】
なお、一般に可視イメージセンサには、被写体からの光を素子の表面側から入射させて用いる表面入射型のセンサと、素子の裏面側から光を入射させる裏面入射型のセンサがある。本発明の実施の形態１によるＴＤＩ方式イメージセンサは、表面入射型と裏面入射型のいずれのセンサにも適用が可能である。ただし、電荷振り分け部ＣＳへの金属配線が多数必要になる場合は、裏面入射型にした方が大きな画素開口率を得ることができる。
【００３６】
[実施の形態２]
図８は、本発明の実施の形態２による撮像装置の構成を示すブロック図である。図８において、この撮像装置は、ＴＤＩ方式イメージセンサ２０、制御回路２１、および検知装置２２を備える。ＴＤＩ方式イメージセンサ２０は、図１〜図７で示したＴＤＩ方式イメージセンサと同じものである。検知装置２２は、ＴＤＩ方式イメージセンサ２０の画素アレイ１上に投影される被写体像の移動方向を検知する。被写体像の移動方向を検知する方法としては、ジャイロセンサなどから得られた衛星の移動方向と撮像システムの向きに関する情報から割り出す方法や、撮像システムの焦点面上に設置した別の２次元イメージセンサの画像情報を利用する方法などがある。
【００３７】
制御回路２１は、検知装置２２の検知結果に基づいてクロック信号φＴ１〜φＴ３，φＲ，φＬを生成し、画素アレイ１上に投影される被写体像の移動方向と電荷転送方向（角度）とを一致させる。また、制御回路２１は、電荷を斜め下方向に転送する場合において転送方向の曲がりが大きいときは（図５〜図７参照）、クロック信号φＴ１〜φＴ３の周期を微調整して垂直方向の画像解像度の劣化を抑制する。この場合は、電荷を垂直方向に転送する場合（図４参照）の垂直転送周期をＴとし、転送方向の曲がり角度をθとしたとき、転送周期をＴ／ｃｏｓθに設定すればよい。
【００３８】
この実施の形態２では、衛星の進行にともなう被写体像の移動方向が画素アレイ１の列方向に一致しない場合でも、信号電荷の転送方向を被写体像の移動方向に合わせることができ、画像解像度の劣化を防止することができる。その結果、複数の地点を順次撮影しようとする場合、被写体像の移動方向を画素アレイ１の垂直方向と完全に一致させる必要がなくなるため、衛星の姿勢制御に対する要求精度が緩和され、撮影できる地点の数が大幅に増加する。
【００３９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４０】
１画素アレイ、２画素、３電荷蓄積部、４水平ＣＣＤ、５出力アンプ、６垂直転送電極、７振り分け電極、８垂直転送チャネル、１０，１２コンタクトホール、１１，１３金属配線、２０ＴＤＩ方式イメージセンサ、２１制御回路、２２検知装置、ＢＫ画素ブロック、ＣＳ電荷振り分け部、Ｐ入力ピン。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直方向に配列された複数の画素ブロックを含む画素アレイを備え、
各画素ブロックは水平方向に配置された複数の画素を含み、
各画素ブロックの各画素が次段の画素ブロックの２つの画素に対向するように、奇数番の画素ブロックと偶数番の画素ブロックは予め定められた距離だけ水平方向にずらせて配置され、
さらに、各隣接する２つの画素ブロックの間に設けられ、前段の画素ブロックの各画素からの信号電荷を該画素に対向する次段の画素ブロックの２つの画素のうちのいずれか一方の画素に選択的に伝達する電荷振り分け部を備える、イメージセンサ。
【請求項２】
複数の電荷振り分け部を備え、
各電荷振り分け部は他の電荷振り分け部と独立に動作する、請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
請求項２に記載のイメージセンサと、
前記画素アレイに投影される被写体像の移動方向を検知する検知装置と、
前記検知装置の検知結果に基づいて、前記被写体像の移動方向と前記画素アレイにおける信号電荷の転送方向とが一致するように各電荷振り分け部を制御する制御回路とを備える、撮像装置。
【請求項４】
前記制御回路は、前記信号電荷の転送方向に応じて前記信号電荷の転送速度を制御する、請求項３に記載の撮像装置。

【図１】