エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法
【課題】 発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上したエレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持棒23の外側面に光透過性の陽極層24、正孔輸送層25、発光層26及び光反射性の陰極層27を順次積層して、四角柱状のEL棒22を形成した。そして、各EL棒22の陰極層27を共通電極に接続された導電性の連結層SCで連結し、各EL棒22の陽極層24をそれぞれ透明基板11上に形成した各画素電極21に接続し、各EL棒22の軸心Cが、それぞれ透明基板11の法線方向に対して傾斜角θだけ傾斜するようにした。
【解決手段】 支持棒23の外側面に光透過性の陽極層24、正孔輸送層25、発光層26及び光反射性の陰極層27を順次積層して、四角柱状のEL棒22を形成した。そして、各EL棒22の陰極層27を共通電極に接続された導電性の連結層SCで連結し、各EL棒22の陽極層24をそれぞれ透明基板11上に形成した各画素電極21に接続し、各EL棒22の軸心Cが、それぞれ透明基板11の法線方向に対して傾斜角θだけ傾斜するようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、表示データに即した画像を表示する表示装置としてエレクトロルミネッセンス装置(以下単に、「EL装置」という。)が知られている。EL装置は、各画素内に設けられた陰極層と、陽極層と、陰極層と陽極層の間の発光層とを含む積層体を備え、前記積層体に供給する駆動電流やその駆動時間の制御によって、発光層の発光輝度を階調制御し、表示データに即した画像を表示するようしている。こうしたEL装置には、高輝度化と低消費電力化を図るために、前記積層体を有機系の材料によって構成する、いわゆる有機EL装置が知られている。
【0003】
有機EL装置の製造工程では、フォトリソグラフィ工程に対する前記有機系材料の耐性が低いために、一般的に、マスクを介した蒸着法によって前記積層体をパターニングしていた。しかし、前記蒸着法では、蒸着粒子(有機低分子)の飛行制御が困難であるために、積層体の加工精度が低くなり、有機EL装置の生産性を著しく低下させる問題があった。
【0004】
そこで、上記有機EL装置では、従来より、こうした積層体のパターニングを容易にして、EL装置の生産性を向上するための提案がなされている(例えば、特許文献1)。特許文献1では、透明基板上に陽極層を囲む撥液性の隔壁を形成し、その隔壁で囲まれる領域(発光領域)に、発光材料を含む液状体の液滴を吐出している。そして、吐出した容量分の液状体を乾燥することによって、所定量の前記発光層(前記積層体)を形成することができ、その発光層を、隔壁で囲まれる領域に自己整合的にパターニングすることができる。これによって、積層体のパターニングを容易にしてEL装置の生産性を向上している。
【特許文献1】特開2005−116313号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記EL装置の製造工程では、EL装置の大型化等にともなって発光領域のサイズ変更を行うと、積層体の膜厚均一性を確保するために、液滴の吐出条件や乾燥条件等の各種成膜条件の最適化が必要となる。その結果、発光領域のサイズを変更する都度、各種成膜条件の最適化に多大な時間を要してEL装置の生産性を著しく損なう問題を招いていた。
【0006】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上したエレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、一側面に複数の画素電極が区画形成された基板と、第1電極層と、第2電極層と、第1電極層と第2電極層の間の発光層とを有した積層体を表面に形成した発光棒と、複数の前記発光棒を保持するとともに、前記発光棒の軸心方向を前記一側面の法線方向に対して傾斜させて、複数の前記発光棒の前記第1電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する接続手段と、を備えた。
【0008】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置(以下単に、「EL装置」という。)によれば、発光棒を傾斜させる分だけ、法線方向から見た発光棒(発光層)のサイズを変更することができる。従って、発光棒の傾斜角を変更するだけで、一側面の面方向における発光棒からの光の領域、すなわち発光領域のサイズを変更することができる。そのため、積層体の各種成膜工程や成膜条件を維持して発光領域のサイズを変更することができる。その結果、発光領域のサイズ変更を容易にしてEL装置の生産性を向上することができる。
【0009】
このEL装置において、前記発光棒は、前記画素電極側に露出する前記第1電極層を有し、前記接続手段は、露出した前記第1電極層を前記画素電極に押圧して、前記第1電極層と前記画素電極との間の電気的接続を保持する保持部材を備えるようにしてもよい。
【0010】
このEL装置によれば、第1電極層と画素電極の電気的接続が保持されるため、EL装置の電気的特性を損なうことなく発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
このEL装置において、前記第1電極層は、前記画素電極に沿う端面を有し、前記端面を介して前記画素電極に接続されるようにしてもよい。
【0011】
このEL装置によれば、第1電極層と画素電極を面接触させることができ、EL装置の電気的特性を、さらに安定化することができる。
このEL装置において、前記画素電極は、前記発光棒からの光を透過する透明電極であり、前記基板は、前記発光棒からの光を透過する透明基板であってもよい。
【0012】
このEL装置によれば、基板側から光を取り出すボトムエミッション型のEL装置において、発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上することができる。
このEL装置において、前記第2電極層は、前記発光棒の軸心に対して前記第1電極層の外側に形成されて、前記発光層からの光を反射する反射膜を備えるようにしてもよい。
【0013】
このEL装置によれば、第2電極層の反射によって、発光層からの光を軸体の軸心方向に出射させることができる。従って、光のクロストークを回避することができ、確実に発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
【0014】
このEL装置において、前記画素電極は、それぞれ前記発光棒の発光を制御する制御素子を有してマトリックス状に配列された電極であり、前記第2電極層は、前記各発光棒に共通する共通電極であってもよい。
【0015】
このEL装置によれば、いわゆるアクティブマトリックス方式のEL装置において、発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上することができる。
このEL装置において、前記接続手段は、前記発光棒を封止する封止層を備えるようにしてもよい。
【0016】
このEL装置によれば、積層体に対する水分や酸素等の侵入を遮断することができ、EL装置の発光寿命を損なうことなく発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
このEL装置において、前記積層体は、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか1つを含むようにしてもよい。
【0017】
このEL装置によれば、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか1つを有したEL装置に関して、発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
【0018】
本発明のEL装置の製造方法は、基板の一側面に複数の画素電極を区画形成する画素電極形成工程と、第1電極層と、第2電極層と、第1電極層と第2電極層の間の発光層とか
らなる積層体を軸体の表面に積層して発光棒を形成する発光棒形成工程と、前記軸体の軸心方向が前記一側面の法線方向に対して傾斜するように、複数の前記発光棒の前記第1電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する発光棒接続工程と、を備えるようにした。
【0019】
本発明のEL装置の製造方法によれば、発光棒接続工程において、発光棒の基板に対する傾斜角を変更するだけで、基板の法線方向から見た発光棒(発光領域)のサイズを変更することができる。従って、発光領域のサイズ変更を容易にしてEL装置の生産性を向上することができる。
【0020】
このEL装置の製造方法において、前記発光棒接続工程は、前記軸体の軸心方向が互いに平行となるように複数の前記発光棒を配列して発光棒の集合体を形成し、前記発光棒の集合体を、前記軸心方向に対して傾斜する切断面に沿って切断し、前記切断面に対応する前記各発光棒の端面をそれぞれ前記画素電極に接続するようにしてもよい。
【0021】
このEL装置の製造方法によれば、発光棒群に施す一回の切断工程によって、画素電極に接続する各発光棒の端面を形成することができる。その結果、画素電極に接続する各発光棒の端面形成を容易にすることができEL装置の生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図1〜図11に従って説明する。
図1に示すように、エレクトロルミネッセンス装置(以下単に、「EL装置」という。)10には、四角形状に形成された基板としての透明基板11が備えられている。透明基板11は、無アルカリガラス等の透明無機材料、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート等の透明樹脂材料からなる基板である。
【0023】
透明基板11の一側面(素子形成面11a)には、一方向(X矢印方向)に延びる複数の走査線12が等間隔に配列されている。各走査線12は、それぞれ透明基板11の一側端に接続されたFPC(フレキシブル基板)13上の走査線駆動回路14に電気的に接続されている。走査線駆動回路14は、図示しない制御回路から供給される走査制御信号に基づいて、複数の走査線12の中から所定の走査線12を所定のタイミングで選択駆動し、その走査線12に走査信号を出力するようになっている。
【0024】
前記素子形成面11aには、前記X矢印方向と直交する方向(Y矢印方向)に延びる複数のデータ線15が等間隔に配列されて、それぞれ前記フレキシブル基板13上のデータ線駆動回路16に電気的に接続されている。データ線駆動回路16は、図示しない制御回路からの表示データに基づいてデータ信号を生成し、生成したデータ信号を対応するデータ線15に所定のタイミングで出力するようになっている。
【0025】
前記素子形成面11aには、前記Y矢印方向に延びる複数の電源線17が各データ線15に併設されている。各電源線17は、それぞれ透明基板11の一側に形成された共通電源線18に接続されて、図示しない制御回路からの共通する電源電圧が供給されるようになっている。
【0026】
これら走査線12とデータ線15の交差する位置には、対応する走査線12、データ線15及び電源線17に接続されてマトリックス状に配列された四角形状の複数の画素領域20が形成されている。図2は、前記画素領域20を説明するための平面図であって、図3は、図2のA−A線断面図である。
【0027】
図2に示すように、各画素領域20の一側(図2における下側)には、それぞれ制御素子を構成する第1トランジスタT1、第2トランジスタT2及び保持キャパシタCPが形成されている。
【0028】
第1トランジスタT1は、素子形成面11a上に形成されたポリシリコン型のTFTであって、そのゲート電極G1及びソース電極S1が、それぞれ走査線12及びデータ線15に接続されている。第2トランジスタT2は、第1トランジスタT1と同じく、ポリシリコン型のTFTであって、そのゲート電極G2及びソース電極S2が、それぞれ保持キャパシタCPの下部電極PB及び上部電極PTに接続されている。保持キャパシタCPは、光透過性の層間絶縁膜19(図3参照)を容量膜とするキャパシタであって、その下部電極PB及び上部電極PTが、それぞれ第1トランジスタT1のドレイン電極D1及び前記電源線17に接続されている。
【0029】
そして、走査線駆動回路14(走査線12)からの走査信号が対応する第1トランジスタT1のゲート電極G1に供給されると、第1トランジスタT1は、その走査信号を受けてオン状態となり、データ線駆動回路16(データ線15)からのデータ信号に対応する信号をドレイン電極D1に出力する。データ信号に対応する信号がドレイン電極D1に出力されると、保持キャパシタCPは、ドレイン電極D1(下部電極PB)と電源線17(上部電極PT)との間の電位差に相対する電荷を蓄積する。そして、第1トランジスタT1がオフ状態になっても、第2トランジスタT2が、保持キャパシタCPの蓄積した電荷に相対する駆動電流をドレイン電極D2から出力するようになっている。
【0030】
図2に示すように、第2トランジスタT2のドレイン電極D2には、画素領域20の略全体にわたる画素電極21が接続されている。画素電極21は、仕事関数の高い光透過性の導電材料(例えば、ITO(Indium−Tin−Oxide)等)で形成された四角板状の透明電極であって、前記層間絶縁膜19上に形成されている。
【0031】
詳述すると、前記画素電極21は、そのX矢印方向及びY矢印方向のピッチ幅が、それぞれX方向ピッチWx及びY方向ピッチWyとなるように、マトリックス状に配列されている。そして、画素電極21は、前記ドレイン電極D2に接続されて前記ドレイン電極D2からの駆動電流が供給されるようになっている。
【0032】
各画素電極21の上側には、それぞれ発光棒としてのエレクトロルミネッセンス棒(以下単に、「EL棒」という。)22が接続されている。EL棒22は、四角柱状に形成されて、図3に示すように、透明基板11の法線方向(Z矢印方向)に対して、Y矢印方向に傾斜角θだけ傾斜するように配設されている。尚、本実施形態の傾斜角θは約45°であるが、これに限られるものではない。
【0033】
図3に示すように、各EL棒22は、それぞれ接続手段を構成する連結層SCによって互いに連結されて、対応する画素電極21と対峙するように位置決めされている。連結層SCは、図示しない共通電極に接続された遮光性を有する導電性樹脂材料で形成されて、各EL棒22の外側面(後述する陰極層27)を所定の共通電位にするようになっている。
【0034】
本実施形態では、前記連結層SCによって連結されたEL棒22の集合体をEL棒シートGbという。尚、このEL棒シートGbは、複数のEL棒22を切出し可能のしたマザーEL棒22M(図9参照)の集合体(EL棒ブロックGa:図9参照)を所定の切断面CLで切断することによって形成されている。
【0035】
各EL棒22の中心位置には、軸体としての支持棒23が備えられている。支持棒23
は、各種ガラス材料等の透明無機材料、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の透明樹脂材料によって四角柱状に形成されて、その軸心Cが、Z矢印方向に対してY矢印方向に前記傾斜角θだけ傾斜するように配設されている。支持棒23は、その画素電極21側の端部(支持端部23a)が素子形成面11a(画素電極21)に沿うように形成されて、密接する前記画素電極21によって支持されるようになっている。
【0036】
各支持棒23の外側面には、軸心C方向側から順に、それぞれ第1電極層としての陽極層24と、積層体を構成する正孔輸送層25と、発光層26及び第2電極層としての陰極層27とが積層されている。
【0037】
陽極層24は、前記画素電極21と同じく、仕事関数の高い光透過性の導電材料(例えば、ITO(Indium−Tin−Oxide)等)によって形成された電極であって、図2及び図3に示すように、支持棒23の外側面の全体にわたって形成されている。陽極層24は、その画素電極21側の端部(接続端部24a)が、前記支持端部23aと同じく、前記素子形成面11a(画素電極21)に沿うように形成されて、その画素電極21と面接触するようになっている。そして、陽極層24は、接続端部24aと画素電極21との間の面接触によって、前記ドレイン電極D2(画素電極21)からの駆動電流が供給されるようになっている。
【0038】
正孔輸送層25は、陽極層24の外側面であって前記接続端部24aの近傍を除く略全体にわたり均一な膜厚で積層されている。正孔輸送層25は、正孔輸送層材料としてのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(以下単に、「PEDOT」という。)で形成されて、画素電極21からの駆動電流が陽極層24に供給されると、駆動電流に対応する正孔を発光層26まで輸送するようになっている。
【0039】
尚、正孔輸送層材料は、「PEDOT」に限らず、以下に示すような公知の低分子系の発光層材料、あるいは高分子系の発光層材料を利用することができる。低分子系の正孔輸送層材料としては、ベンジジン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ピラゾリン誘導体、カルバゾール誘導体、ポルフィリン化合物等を利用することができる。高分子系の正孔輸送層材料としては、上記低分子構造を一部に含む(主鎖あるいは側鎖にする)高分子化合物、あるいはポリアニリン、ポリチオフェンビニレン、ポリチオフェン、α−ナフチルフェニルジアミン、「PEDOT」とポリスチレンスルホン酸との混合物(Baytron P、バイエル社商標)、トリフェニルアミンやエチレンジアミン等を分子核とした各種デンドリマー等を利用することができる。
【0040】
発光層26は、正孔輸送層25の外側面の全体にわたって均一な膜厚で積層された有機層であって、発光層材料としてのフルオレン−ジチオフェンコポリマー(以下単に、「F8T2」という。)で形成されている。そして、画素電極21からの駆動電流が陽極層24に供給されると、発光層26には、駆動電流に相対する正孔輸送層25からの正孔と陰極層27からの電子が注入されて、注入された正孔と電子の再結合によるエキシトンを生成する。そして、このエキシトンが基底状態に戻るときのエネルギー放出によって、蛍光あるいは燐光を出射する。
【0041】
尚、発光層材料は、「F8T2」に限らず、以下に示すような公知の低分子系の発光層材料、あるいは高分子系の発光層材料を利用することができる。低分子系の発光層材料としては、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体物、アルミキノ
リノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体等を利用することができる。高分子系の発光層材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレノン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、ポリビニレンスチレン誘導体、及びそれらの共重合体、トリフェニルアミンやエチレンジアミン等を分子核とした各種デンドリマー等を利用することができる。
【0042】
陰極層27は、仕事関数の低い光反射性の導電材料(例えば、Ag、Cu、Alの金属元素単体等)によって形成された電極であって、図2及び図3に示すように、発光層26の外側面全体にわたって均一な膜厚で積層されている。
【0043】
各EL棒22及び連結層SCの上側には、接続手段を構成する保持部材としての封止基板28が配設されている。封止基板28は、ガスバリヤ性を有した光反射性の基板であって、図1に示すように、前記透明基板11と略同じサイズで形成されている。
【0044】
その封止基板28と透明基板11との間であって、封止基板28及び透明基板11の外縁には、図1に示すように、四角枠状に形成されて接続手段を構成する封止層29が形成されている。封止層29は、ガスバリヤ性を有した無機あるいは有機高分子膜等で構成されて、前記封止基板28を前記透明基板11に密着させて、各EL棒22の支持棒23(支持端部23a)及び陽極層24(接続端部24a)を、それぞれ対応する画素電極21に押圧するようになっている。また、これら封止基板28及び封止層29は、封止基板28と透明基板11との間の空間(第1トランジスタT1、第2トランジスタT2、保持キャパシタCP及びEL棒22等)を封止して、各画素領域20内への水分や酸素等の侵入を遮断するようになっている。
【0045】
そして、表示画像のデータ信号に応じた駆動電流が画素電極21に供給されると、駆動電流に相対する正孔と電子が対応する発光層26に注入されて、その発光層26から蛍光あるいは燐光が出射される。
【0046】
発光層26から出射された光は、その殆どが、陰極層27及び封止基板28によって反射されて、EL棒22内を内部反射し、画素電極21側に出射される。画素電極21側に出射された光は、光透過性の画素電極21、層間絶縁膜19及び透明基板11を通過して、発光層26(EL棒22)の長さ分に相対する輝度で、素子形成面11aと相対向する側面(表示面11b:図1参照)から出射される。これによって、表示データに基づく表示画像が、EL装置10の表示面11bに表示される。
【0047】
この際、表示面11bから出射されるEL棒22当たりの光の領域(以下単に、「発光領域S」という。)は、図2のグラデーションで示すように、表示面11bに沿う発光層26の領域で規定されて、EL棒22(発光層26)が傾斜する分だけ広くなる。詳述すると、本実施形態の発光領域Sは、EL棒22を傾斜させない場合の1/sin(90−θ)倍(約1.4倍)に拡大される。
【0048】
従って、本実施形態のEL装置10によれば、発光領域Sのサイズを拡大あるいは縮小する場合には、このEL棒22の傾斜角θを拡大あるいは縮小するだけで対応することができる。換言すれば、傾斜角θを変更するだけで発光領域Sのサイズを変更することができ、EL装置10全体にわたる発光層26や正孔輸送層25の膜厚均一性を維持した状態で、発光領域Sのサイズ変更を図ることができる。
【0049】
次に、上記EL装置10を製造する製造方法について、以下に説明する。
まず、透明基板11の素子形成面11aに画素電極21を形成する画素電極形成工程を行う。すなわち、図4に示すように、透明基板11の素子形成面11aに、公知のTFT製造技術を利用して、前記第1トランジスタT1、第2トランジスタT2、保持キャパシタCP、走査線12、データ線15、電源線17等を形成し、各画素領域20を形成する。そして、素子形成面11aの全体にわたり、前記「ITO」等の光透過性の導電材料を利用したスクリーン印刷法やインクジェット法等の液相プロセス、あるいは蒸着法やスパッタ法等の気相プロセスを施すことによって透明導電膜を堆積し、その透明導電膜をパターニングすることによって、各画素領域20に対応する画素電極21を区画形成する。
【0050】
画素電極21を形成すると、発光棒形成工程を構成する陽極層形成工程を行う。すなわち、図5に示すように、まず、支持棒23を切出し可能にした切出し棒23Mの外側面23sを、前記「ITO」を含む液状体(陽極層形成液24L)に浸漬して引き出す。そして、切出し棒23Mの外側面23sに堆積した陽極層形成液24Lの液状膜24Fを乾燥することによって、切出し棒23Mに陽極層24を形成する。
【0051】
陽極層24を形成すると、発光棒形成工程を構成する正孔輸送層形成工程を行なう。すなわち、図6に示すように、前記陽極層24を有した切出し棒23Mを、前記「PEDOT」を含む液状体(正孔輸送層形成液25L)に浸漬して引き出す。そして、前記陽極層24の外側面24sに堆積した正孔輸送層形成液25Lの液状膜25Fを乾燥することによって切出し棒23Mに正孔輸送層25を形成する。
【0052】
正孔輸送層25を形成すると、発光棒形成工程を構成する発光層形成工程を行う。すなわち、図7に示すように、正孔輸送層25を有した切出し棒23Mを、前記「F8T2」を含む液状体(発光層形成液26L)に浸漬して引き出す。そして、正孔輸送層25の外側面25aに堆積した発光層形成液26Lの液状膜26Fを乾燥することによって切出し棒23Mに発光層26を形成する。
【0053】
発光層26を形成すると、発光棒形成工程を構成する陰極層形成工程を行なう。すなわち、図8に示すように、前記発光層26を有した支持棒23を、前記「Ag」の微粒子を含む液状体(陰極層形成液27L)に浸漬して引き出す。そして、前記発光層26の外側面26aに堆積した陰極層形成液27Lの液状膜27Fを乾燥することによって切出し棒23Mに陰極層27を形成する。これによって、EL棒22を切出し可能にしたマザーEL棒22M(図9参照)を形成することができる。
【0054】
マザーEL棒22Mを形成すると、透明基板11に各EL棒22を接続する発光棒接続工程としてのEL棒接続工程を行う。すなわち、図9に示すように、まず、複数のマザーEL棒22Mを、それぞれ軸心CがZ矢印方向となるように配列する。詳述すると、マザーEL棒22MのX矢印方向の配列ピッチMxが、前記画素電極21のX方向ピッチWxであって、Y矢印方向の配列ピッチMyが、前記Y方向ピッチWyのsin(90−θ)倍(約1/1.4倍)となるように、各マザーEL棒22Mを、前記画素電極21の数量分だけXY平面上に配列させる。
【0055】
そして、各マザーEL棒22Mの間に導電性の樹脂材料を充填し、その樹脂材料を硬化することによって、各マザーEL棒22Mを連結する連結層SC(図9における2点鎖線の領域)を形成する。これによって、連結層SCで3次元的に連結されたマザーEL棒22Mの集合体(EL棒ブロックGa)を形成する。
【0056】
続いて、EL棒ブロックGaを形成すると、EL棒ブロックGaを所定の切断面CLで切断して、前記EL棒シートGbを切出す。すなわち、図9に示すように、マザーEL棒
22Mの軸心Cに対して、その法線方向が傾斜角θだけ傾斜する一対の切断面CLに沿って、前記EL棒ブロックGaを切断する。これによって、図10に示すように、前記各画素電極21に対応した支持端部23aを有する複数のEL棒22と、そのEL棒22の支持端部23aを切断面CLの面方向に沿って連結する連結層SCとからなるEL棒シートGbを形成する。
【0057】
EL棒シートGbを形成すると、前記支持端部23aを含むEL棒シートGbの一側面にエッチング等を施して正孔輸送層25、発光層26、陰極層27及び連結層SCの一部を除去し、陽極層24の接続端部24aを露出させる。
【0058】
接続端部24aを形成すると、図11に示すように、封止基板28の一側面上に、前記支持端部23a及び前記接続端部24aを上側にした前記EL棒シートGbを配置し、封止基板28の外縁に沿って紫外線硬化性樹脂29Lを塗布する。そして、封止基板28及び透明基板11を不活性ガスの減圧雰囲気下に搬送し、前記接続端部24a(前記支持端部23a)がそれぞれ対応する画素電極21と接触するように、前記透明基板11を前記封止基板28に貼り合せる。そして、貼り合せた状態の透明基板11及び封止基板28を大気に解放して、紫外線硬化性樹脂29Lを硬化する。
【0059】
これによって、各EL棒22を挟むようにして、透明基板11と封止基板28を密着させることができ、大気圧によって、各EL棒22の接続端部24aをそれぞれ対応する各画素電極21に均一に押圧することができる。そのため、陽極層24と画素電極21との間の電気的接続を確保することができ、透明基板11と封止基板28との間に封入した不活性ガスによって、各EL棒22の電気的安定性を確保することができる。
【0060】
従って、発光領域Sのサイズを変更する場合には、EL棒ブロックGaに対する切断面CLの傾斜角θを変更するだけで対応することができ、EL装置10の全体にわたる発光層26や正孔輸送層25の膜厚均一性を維持することができる。
【0061】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
(1)上記実施形態によれば、支持棒23の外側面に陽極層24、正孔輸送層25、発光層26及び陰極層27を順次積層して四角柱状のEL棒22を形成した。そして、透明基板11上の複数の画素電極21に、それぞれEL棒22の陽極層24を接続し、各EL棒22の軸心Cが、それぞれ透明基板11の法線方向に対して傾斜角θだけ傾斜するようした。
【0062】
従って、発光領域Sのサイズを拡大あるいは縮小する場合には、EL棒22の傾斜角θを拡大あるいは縮小するだけで対応することができ、傾斜角θを変更するだけで発光領域Sのサイズを変更することができる。その結果、EL装置10の全体にわたる発光層26や正孔輸送層25の成膜工程や膜厚均一性等を維持した状態で、発光領域Sのサイズ変更を図ることができる。そのため、発光領域Sのサイズ変更を容易にして、EL装置10の生産性を向上することができる。
【0063】
(2)上記実施形態によれば、陽極層24の接続端部24aを素子形成面11aに沿うように形成し、封止基板28によって、各接続端部24aをそれぞれ対応する画素電極21に押圧するようにした。従って、陽極層24と画素電極21を面接触させることができ、画素電極21とEL棒22の電気的接続を安定化することができる。
【0064】
(3)上記実施形態によれば、EL棒22の外表面に光反射性の陰極層27を形成し、発光層26からの光を支持棒23側に反射するようにした。従って、発光層26からの光を、支持棒23の軸心C方向に出射させることができ、EL棒22の長さ分だけ、各発光
領域Sからの光の輝度を向上することができる。
【0065】
(4)上記実施形態によれば、透明基板11の外縁に、封止基板28と透明基板11とを密着させて、封止基板28と透明基板11との間の空間を封止する封止層29を形成した。従って、各EL棒22に対する水分や酸素等の浸入を遮断することができ、各EL棒22の長寿命化を図ることができる。
【0066】
(5)上記実施形態によれば、各EL棒22の陽極層24、正孔輸送層25、発光層26及び陰極層27をEL棒22毎に形成するようにした。そのため、EL棒22を製造するための製造装置や付帯設備等を変更することなく、EL棒22の本数を増加することができ、EL装置10のサイズの大型化を、さらに容易にすることができる。
【0067】
(6)上記実施形態によれば、EL棒22を切出し可能にしたマザーEL棒22Mを形成し、複数のマザーEL棒22MからなるEL棒ブロックGaを切断面CLで切断することによって各EL棒22を形成するようにした。従って、各EL棒22の接続端部24aをそれぞれ切断面CL上に整合させることができ、各画素電極21に対する接続端部24aの位置整合性を向上することができる。その結果、発光領域Sのサイズ変更を容易にして、EL装置10の生産性を、さらに向上することができる。
【0068】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、軸体を支持棒23として具体化したが、これに限らず、例えば軸体を棒状の陽極として具体化し、同陽極の表層を陽極層24とする構成であってもよい。
・上記実施形態では、支持棒23及び陰極層27をそれぞれ光透過性部材及び光反射性部材で構成して、発光層26からの光を、支持棒23の軸心C方向に出射する構成にした。これに限らず、支持棒23及び陰極層27をそれぞれ光反射性部材及び光透過性部材で構成し、発光層26からの光を支持棒23の径方向に出射する構成にしてもよい。この際、各EL棒22の外周部、すなわち連結層SCを光反射性部材あるいは遮光性部材で構成して、各EL棒22間の光のクロストークを回避する構成が好ましい。
・上記実施形態では、積層体を、陽極層24、正孔輸送層25、発光層26及び陰極層27によって構成した。これに限らず、例えば正孔輸送層25を省略する構成にしてもよく、あるいは正孔輸送層25と陽極層24との間に、対応する発光層26への正孔の注入効率を高めるための正孔注入層を形成する構成にしてもよい。さらには、正孔輸送層25と発光層26との間に、電子の移動を抑制する電子障壁層を形成する構成にしてもよい。
【0069】
あるいは、発光層26と陰極層27との間に、陰極層27から注入された電子を発光層26まで輸送する電子輸送層を形成する構成にしてもよい。さらには、発光層26と対応する前記電子輸送層との間に、正孔の移動を抑制する正孔障壁層を形成する構成であってもよい。
・上記実施形態では、EL棒22に発光層26を一層のみ形成する構成にした。これに限らず、例えばEL棒22は、対応する発光層26と電荷発生層からなるユニットを複数積層した、いわゆるマルチフォトン構造であってもよい。
・上記実施形態では、EL棒22を四角柱状に具体化したが、これに限らず、例えば断面が三角形や五角形以上の多角形であってもよく、さらには断面が楕円形状や円形状であってもよい。
・上記実施形態では、EL装置10を、透明基板11側に光を出射するボトムエミッション方式に具体化した。これに限らず、各EL棒22の封止基板28側を透明部材で構成して、EL棒22からの光を封止基板28側に出射するトップミッション方式に具体化してもよい。
・上記実施形態において、EL棒22の発光層26を、それぞれ赤色に対応した波長領域の光を発光する赤色発光層、緑色に対応した波長領域の光を発光する緑色発光層、青色に
対応した波長領域の光を発光する青色発光層によって構成する、あるいは、カラーフィルタを配設する構成にして、表示面11bにフルカラーの画像を表示するようにしてもよい。
・上記実施形態では、陽極層24、正孔輸送層25、発光層26及び陰極層27を、それぞれ液相プロセスによって形成する構成したが、これに限らず、例えば蒸着成膜やスパッタ成膜等の気相プロセスによって形成する構成にしてもよい。
・上記実施形態では、EL棒ブロックGaを切断して連結層SCに連結されたEL棒22、すなわちEL棒シートGbを形成する構成にした。これに限らず、例えば1本のマザーEL棒22Mを順次切断して複数のEL棒22を形成し、あるいは複数のEL棒22をそれぞれ独立して形成し、各EL棒22を、順次封止基板28上に配列させる構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【0070】
【図1】本発明を具体化したエレクトロルミネッセンス装置を示す概略斜視図。
【図2】同じく、エレクトロルミネッセンス装置を示す拡大平面図。
【図3】同じく、エレクトロルミネッセンス装置を示す要部断面図。
【図4】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図5】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図6】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図7】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図8】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図9】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図10】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図11】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【符号の説明】
【0071】
10…エレクトロルミネッセンス装置、11…透明基板、20…画素領域、21…画素電極、22…発光棒としてのエレクトロルミネッセンス棒、23…軸体としての支持棒、24…第1電極層としての陽極層、25…積層体を構成する正孔輸送層、26…積層体を構成する発光層、27…第2電極層及び反射膜としての陰極層、28…接続手段を構成する保持部材としての封止基板、29…接続手段を構成する封止層、CL…切断面、Ga…集合体としてのEL棒ブロックS…発光領域、T1…制御素子を構成する第1トランジスタ、T2…制御素子を構成する第2トランジスタ。
【技術分野】
【0001】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、表示データに即した画像を表示する表示装置としてエレクトロルミネッセンス装置(以下単に、「EL装置」という。)が知られている。EL装置は、各画素内に設けられた陰極層と、陽極層と、陰極層と陽極層の間の発光層とを含む積層体を備え、前記積層体に供給する駆動電流やその駆動時間の制御によって、発光層の発光輝度を階調制御し、表示データに即した画像を表示するようしている。こうしたEL装置には、高輝度化と低消費電力化を図るために、前記積層体を有機系の材料によって構成する、いわゆる有機EL装置が知られている。
【0003】
有機EL装置の製造工程では、フォトリソグラフィ工程に対する前記有機系材料の耐性が低いために、一般的に、マスクを介した蒸着法によって前記積層体をパターニングしていた。しかし、前記蒸着法では、蒸着粒子(有機低分子)の飛行制御が困難であるために、積層体の加工精度が低くなり、有機EL装置の生産性を著しく低下させる問題があった。
【0004】
そこで、上記有機EL装置では、従来より、こうした積層体のパターニングを容易にして、EL装置の生産性を向上するための提案がなされている(例えば、特許文献1)。特許文献1では、透明基板上に陽極層を囲む撥液性の隔壁を形成し、その隔壁で囲まれる領域(発光領域)に、発光材料を含む液状体の液滴を吐出している。そして、吐出した容量分の液状体を乾燥することによって、所定量の前記発光層(前記積層体)を形成することができ、その発光層を、隔壁で囲まれる領域に自己整合的にパターニングすることができる。これによって、積層体のパターニングを容易にしてEL装置の生産性を向上している。
【特許文献1】特開2005−116313号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記EL装置の製造工程では、EL装置の大型化等にともなって発光領域のサイズ変更を行うと、積層体の膜厚均一性を確保するために、液滴の吐出条件や乾燥条件等の各種成膜条件の最適化が必要となる。その結果、発光領域のサイズを変更する都度、各種成膜条件の最適化に多大な時間を要してEL装置の生産性を著しく損なう問題を招いていた。
【0006】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上したエレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、一側面に複数の画素電極が区画形成された基板と、第1電極層と、第2電極層と、第1電極層と第2電極層の間の発光層とを有した積層体を表面に形成した発光棒と、複数の前記発光棒を保持するとともに、前記発光棒の軸心方向を前記一側面の法線方向に対して傾斜させて、複数の前記発光棒の前記第1電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する接続手段と、を備えた。
【0008】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置(以下単に、「EL装置」という。)によれば、発光棒を傾斜させる分だけ、法線方向から見た発光棒(発光層)のサイズを変更することができる。従って、発光棒の傾斜角を変更するだけで、一側面の面方向における発光棒からの光の領域、すなわち発光領域のサイズを変更することができる。そのため、積層体の各種成膜工程や成膜条件を維持して発光領域のサイズを変更することができる。その結果、発光領域のサイズ変更を容易にしてEL装置の生産性を向上することができる。
【0009】
このEL装置において、前記発光棒は、前記画素電極側に露出する前記第1電極層を有し、前記接続手段は、露出した前記第1電極層を前記画素電極に押圧して、前記第1電極層と前記画素電極との間の電気的接続を保持する保持部材を備えるようにしてもよい。
【0010】
このEL装置によれば、第1電極層と画素電極の電気的接続が保持されるため、EL装置の電気的特性を損なうことなく発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
このEL装置において、前記第1電極層は、前記画素電極に沿う端面を有し、前記端面を介して前記画素電極に接続されるようにしてもよい。
【0011】
このEL装置によれば、第1電極層と画素電極を面接触させることができ、EL装置の電気的特性を、さらに安定化することができる。
このEL装置において、前記画素電極は、前記発光棒からの光を透過する透明電極であり、前記基板は、前記発光棒からの光を透過する透明基板であってもよい。
【0012】
このEL装置によれば、基板側から光を取り出すボトムエミッション型のEL装置において、発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上することができる。
このEL装置において、前記第2電極層は、前記発光棒の軸心に対して前記第1電極層の外側に形成されて、前記発光層からの光を反射する反射膜を備えるようにしてもよい。
【0013】
このEL装置によれば、第2電極層の反射によって、発光層からの光を軸体の軸心方向に出射させることができる。従って、光のクロストークを回避することができ、確実に発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
【0014】
このEL装置において、前記画素電極は、それぞれ前記発光棒の発光を制御する制御素子を有してマトリックス状に配列された電極であり、前記第2電極層は、前記各発光棒に共通する共通電極であってもよい。
【0015】
このEL装置によれば、いわゆるアクティブマトリックス方式のEL装置において、発光領域のサイズ変更を容易にして生産性を向上することができる。
このEL装置において、前記接続手段は、前記発光棒を封止する封止層を備えるようにしてもよい。
【0016】
このEL装置によれば、積層体に対する水分や酸素等の侵入を遮断することができ、EL装置の発光寿命を損なうことなく発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
このEL装置において、前記積層体は、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか1つを含むようにしてもよい。
【0017】
このEL装置によれば、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか1つを有したEL装置に関して、発光領域のサイズ変更を容易にすることができる。
【0018】
本発明のEL装置の製造方法は、基板の一側面に複数の画素電極を区画形成する画素電極形成工程と、第1電極層と、第2電極層と、第1電極層と第2電極層の間の発光層とか
らなる積層体を軸体の表面に積層して発光棒を形成する発光棒形成工程と、前記軸体の軸心方向が前記一側面の法線方向に対して傾斜するように、複数の前記発光棒の前記第1電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する発光棒接続工程と、を備えるようにした。
【0019】
本発明のEL装置の製造方法によれば、発光棒接続工程において、発光棒の基板に対する傾斜角を変更するだけで、基板の法線方向から見た発光棒(発光領域)のサイズを変更することができる。従って、発光領域のサイズ変更を容易にしてEL装置の生産性を向上することができる。
【0020】
このEL装置の製造方法において、前記発光棒接続工程は、前記軸体の軸心方向が互いに平行となるように複数の前記発光棒を配列して発光棒の集合体を形成し、前記発光棒の集合体を、前記軸心方向に対して傾斜する切断面に沿って切断し、前記切断面に対応する前記各発光棒の端面をそれぞれ前記画素電極に接続するようにしてもよい。
【0021】
このEL装置の製造方法によれば、発光棒群に施す一回の切断工程によって、画素電極に接続する各発光棒の端面を形成することができる。その結果、画素電極に接続する各発光棒の端面形成を容易にすることができEL装置の生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図1〜図11に従って説明する。
図1に示すように、エレクトロルミネッセンス装置(以下単に、「EL装置」という。)10には、四角形状に形成された基板としての透明基板11が備えられている。透明基板11は、無アルカリガラス等の透明無機材料、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート等の透明樹脂材料からなる基板である。
【0023】
透明基板11の一側面(素子形成面11a)には、一方向(X矢印方向)に延びる複数の走査線12が等間隔に配列されている。各走査線12は、それぞれ透明基板11の一側端に接続されたFPC(フレキシブル基板)13上の走査線駆動回路14に電気的に接続されている。走査線駆動回路14は、図示しない制御回路から供給される走査制御信号に基づいて、複数の走査線12の中から所定の走査線12を所定のタイミングで選択駆動し、その走査線12に走査信号を出力するようになっている。
【0024】
前記素子形成面11aには、前記X矢印方向と直交する方向(Y矢印方向)に延びる複数のデータ線15が等間隔に配列されて、それぞれ前記フレキシブル基板13上のデータ線駆動回路16に電気的に接続されている。データ線駆動回路16は、図示しない制御回路からの表示データに基づいてデータ信号を生成し、生成したデータ信号を対応するデータ線15に所定のタイミングで出力するようになっている。
【0025】
前記素子形成面11aには、前記Y矢印方向に延びる複数の電源線17が各データ線15に併設されている。各電源線17は、それぞれ透明基板11の一側に形成された共通電源線18に接続されて、図示しない制御回路からの共通する電源電圧が供給されるようになっている。
【0026】
これら走査線12とデータ線15の交差する位置には、対応する走査線12、データ線15及び電源線17に接続されてマトリックス状に配列された四角形状の複数の画素領域20が形成されている。図2は、前記画素領域20を説明するための平面図であって、図3は、図2のA−A線断面図である。
【0027】
図2に示すように、各画素領域20の一側(図2における下側)には、それぞれ制御素子を構成する第1トランジスタT1、第2トランジスタT2及び保持キャパシタCPが形成されている。
【0028】
第1トランジスタT1は、素子形成面11a上に形成されたポリシリコン型のTFTであって、そのゲート電極G1及びソース電極S1が、それぞれ走査線12及びデータ線15に接続されている。第2トランジスタT2は、第1トランジスタT1と同じく、ポリシリコン型のTFTであって、そのゲート電極G2及びソース電極S2が、それぞれ保持キャパシタCPの下部電極PB及び上部電極PTに接続されている。保持キャパシタCPは、光透過性の層間絶縁膜19(図3参照)を容量膜とするキャパシタであって、その下部電極PB及び上部電極PTが、それぞれ第1トランジスタT1のドレイン電極D1及び前記電源線17に接続されている。
【0029】
そして、走査線駆動回路14(走査線12)からの走査信号が対応する第1トランジスタT1のゲート電極G1に供給されると、第1トランジスタT1は、その走査信号を受けてオン状態となり、データ線駆動回路16(データ線15)からのデータ信号に対応する信号をドレイン電極D1に出力する。データ信号に対応する信号がドレイン電極D1に出力されると、保持キャパシタCPは、ドレイン電極D1(下部電極PB)と電源線17(上部電極PT)との間の電位差に相対する電荷を蓄積する。そして、第1トランジスタT1がオフ状態になっても、第2トランジスタT2が、保持キャパシタCPの蓄積した電荷に相対する駆動電流をドレイン電極D2から出力するようになっている。
【0030】
図2に示すように、第2トランジスタT2のドレイン電極D2には、画素領域20の略全体にわたる画素電極21が接続されている。画素電極21は、仕事関数の高い光透過性の導電材料(例えば、ITO(Indium−Tin−Oxide)等)で形成された四角板状の透明電極であって、前記層間絶縁膜19上に形成されている。
【0031】
詳述すると、前記画素電極21は、そのX矢印方向及びY矢印方向のピッチ幅が、それぞれX方向ピッチWx及びY方向ピッチWyとなるように、マトリックス状に配列されている。そして、画素電極21は、前記ドレイン電極D2に接続されて前記ドレイン電極D2からの駆動電流が供給されるようになっている。
【0032】
各画素電極21の上側には、それぞれ発光棒としてのエレクトロルミネッセンス棒(以下単に、「EL棒」という。)22が接続されている。EL棒22は、四角柱状に形成されて、図3に示すように、透明基板11の法線方向(Z矢印方向)に対して、Y矢印方向に傾斜角θだけ傾斜するように配設されている。尚、本実施形態の傾斜角θは約45°であるが、これに限られるものではない。
【0033】
図3に示すように、各EL棒22は、それぞれ接続手段を構成する連結層SCによって互いに連結されて、対応する画素電極21と対峙するように位置決めされている。連結層SCは、図示しない共通電極に接続された遮光性を有する導電性樹脂材料で形成されて、各EL棒22の外側面(後述する陰極層27)を所定の共通電位にするようになっている。
【0034】
本実施形態では、前記連結層SCによって連結されたEL棒22の集合体をEL棒シートGbという。尚、このEL棒シートGbは、複数のEL棒22を切出し可能のしたマザーEL棒22M(図9参照)の集合体(EL棒ブロックGa:図9参照)を所定の切断面CLで切断することによって形成されている。
【0035】
各EL棒22の中心位置には、軸体としての支持棒23が備えられている。支持棒23
は、各種ガラス材料等の透明無機材料、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の透明樹脂材料によって四角柱状に形成されて、その軸心Cが、Z矢印方向に対してY矢印方向に前記傾斜角θだけ傾斜するように配設されている。支持棒23は、その画素電極21側の端部(支持端部23a)が素子形成面11a(画素電極21)に沿うように形成されて、密接する前記画素電極21によって支持されるようになっている。
【0036】
各支持棒23の外側面には、軸心C方向側から順に、それぞれ第1電極層としての陽極層24と、積層体を構成する正孔輸送層25と、発光層26及び第2電極層としての陰極層27とが積層されている。
【0037】
陽極層24は、前記画素電極21と同じく、仕事関数の高い光透過性の導電材料(例えば、ITO(Indium−Tin−Oxide)等)によって形成された電極であって、図2及び図3に示すように、支持棒23の外側面の全体にわたって形成されている。陽極層24は、その画素電極21側の端部(接続端部24a)が、前記支持端部23aと同じく、前記素子形成面11a(画素電極21)に沿うように形成されて、その画素電極21と面接触するようになっている。そして、陽極層24は、接続端部24aと画素電極21との間の面接触によって、前記ドレイン電極D2(画素電極21)からの駆動電流が供給されるようになっている。
【0038】
正孔輸送層25は、陽極層24の外側面であって前記接続端部24aの近傍を除く略全体にわたり均一な膜厚で積層されている。正孔輸送層25は、正孔輸送層材料としてのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(以下単に、「PEDOT」という。)で形成されて、画素電極21からの駆動電流が陽極層24に供給されると、駆動電流に対応する正孔を発光層26まで輸送するようになっている。
【0039】
尚、正孔輸送層材料は、「PEDOT」に限らず、以下に示すような公知の低分子系の発光層材料、あるいは高分子系の発光層材料を利用することができる。低分子系の正孔輸送層材料としては、ベンジジン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ピラゾリン誘導体、カルバゾール誘導体、ポルフィリン化合物等を利用することができる。高分子系の正孔輸送層材料としては、上記低分子構造を一部に含む(主鎖あるいは側鎖にする)高分子化合物、あるいはポリアニリン、ポリチオフェンビニレン、ポリチオフェン、α−ナフチルフェニルジアミン、「PEDOT」とポリスチレンスルホン酸との混合物(Baytron P、バイエル社商標)、トリフェニルアミンやエチレンジアミン等を分子核とした各種デンドリマー等を利用することができる。
【0040】
発光層26は、正孔輸送層25の外側面の全体にわたって均一な膜厚で積層された有機層であって、発光層材料としてのフルオレン−ジチオフェンコポリマー(以下単に、「F8T2」という。)で形成されている。そして、画素電極21からの駆動電流が陽極層24に供給されると、発光層26には、駆動電流に相対する正孔輸送層25からの正孔と陰極層27からの電子が注入されて、注入された正孔と電子の再結合によるエキシトンを生成する。そして、このエキシトンが基底状態に戻るときのエネルギー放出によって、蛍光あるいは燐光を出射する。
【0041】
尚、発光層材料は、「F8T2」に限らず、以下に示すような公知の低分子系の発光層材料、あるいは高分子系の発光層材料を利用することができる。低分子系の発光層材料としては、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体物、アルミキノ
リノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体等を利用することができる。高分子系の発光層材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレノン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、ポリビニレンスチレン誘導体、及びそれらの共重合体、トリフェニルアミンやエチレンジアミン等を分子核とした各種デンドリマー等を利用することができる。
【0042】
陰極層27は、仕事関数の低い光反射性の導電材料(例えば、Ag、Cu、Alの金属元素単体等)によって形成された電極であって、図2及び図3に示すように、発光層26の外側面全体にわたって均一な膜厚で積層されている。
【0043】
各EL棒22及び連結層SCの上側には、接続手段を構成する保持部材としての封止基板28が配設されている。封止基板28は、ガスバリヤ性を有した光反射性の基板であって、図1に示すように、前記透明基板11と略同じサイズで形成されている。
【0044】
その封止基板28と透明基板11との間であって、封止基板28及び透明基板11の外縁には、図1に示すように、四角枠状に形成されて接続手段を構成する封止層29が形成されている。封止層29は、ガスバリヤ性を有した無機あるいは有機高分子膜等で構成されて、前記封止基板28を前記透明基板11に密着させて、各EL棒22の支持棒23(支持端部23a)及び陽極層24(接続端部24a)を、それぞれ対応する画素電極21に押圧するようになっている。また、これら封止基板28及び封止層29は、封止基板28と透明基板11との間の空間(第1トランジスタT1、第2トランジスタT2、保持キャパシタCP及びEL棒22等)を封止して、各画素領域20内への水分や酸素等の侵入を遮断するようになっている。
【0045】
そして、表示画像のデータ信号に応じた駆動電流が画素電極21に供給されると、駆動電流に相対する正孔と電子が対応する発光層26に注入されて、その発光層26から蛍光あるいは燐光が出射される。
【0046】
発光層26から出射された光は、その殆どが、陰極層27及び封止基板28によって反射されて、EL棒22内を内部反射し、画素電極21側に出射される。画素電極21側に出射された光は、光透過性の画素電極21、層間絶縁膜19及び透明基板11を通過して、発光層26(EL棒22)の長さ分に相対する輝度で、素子形成面11aと相対向する側面(表示面11b:図1参照)から出射される。これによって、表示データに基づく表示画像が、EL装置10の表示面11bに表示される。
【0047】
この際、表示面11bから出射されるEL棒22当たりの光の領域(以下単に、「発光領域S」という。)は、図2のグラデーションで示すように、表示面11bに沿う発光層26の領域で規定されて、EL棒22(発光層26)が傾斜する分だけ広くなる。詳述すると、本実施形態の発光領域Sは、EL棒22を傾斜させない場合の1/sin(90−θ)倍(約1.4倍)に拡大される。
【0048】
従って、本実施形態のEL装置10によれば、発光領域Sのサイズを拡大あるいは縮小する場合には、このEL棒22の傾斜角θを拡大あるいは縮小するだけで対応することができる。換言すれば、傾斜角θを変更するだけで発光領域Sのサイズを変更することができ、EL装置10全体にわたる発光層26や正孔輸送層25の膜厚均一性を維持した状態で、発光領域Sのサイズ変更を図ることができる。
【0049】
次に、上記EL装置10を製造する製造方法について、以下に説明する。
まず、透明基板11の素子形成面11aに画素電極21を形成する画素電極形成工程を行う。すなわち、図4に示すように、透明基板11の素子形成面11aに、公知のTFT製造技術を利用して、前記第1トランジスタT1、第2トランジスタT2、保持キャパシタCP、走査線12、データ線15、電源線17等を形成し、各画素領域20を形成する。そして、素子形成面11aの全体にわたり、前記「ITO」等の光透過性の導電材料を利用したスクリーン印刷法やインクジェット法等の液相プロセス、あるいは蒸着法やスパッタ法等の気相プロセスを施すことによって透明導電膜を堆積し、その透明導電膜をパターニングすることによって、各画素領域20に対応する画素電極21を区画形成する。
【0050】
画素電極21を形成すると、発光棒形成工程を構成する陽極層形成工程を行う。すなわち、図5に示すように、まず、支持棒23を切出し可能にした切出し棒23Mの外側面23sを、前記「ITO」を含む液状体(陽極層形成液24L)に浸漬して引き出す。そして、切出し棒23Mの外側面23sに堆積した陽極層形成液24Lの液状膜24Fを乾燥することによって、切出し棒23Mに陽極層24を形成する。
【0051】
陽極層24を形成すると、発光棒形成工程を構成する正孔輸送層形成工程を行なう。すなわち、図6に示すように、前記陽極層24を有した切出し棒23Mを、前記「PEDOT」を含む液状体(正孔輸送層形成液25L)に浸漬して引き出す。そして、前記陽極層24の外側面24sに堆積した正孔輸送層形成液25Lの液状膜25Fを乾燥することによって切出し棒23Mに正孔輸送層25を形成する。
【0052】
正孔輸送層25を形成すると、発光棒形成工程を構成する発光層形成工程を行う。すなわち、図7に示すように、正孔輸送層25を有した切出し棒23Mを、前記「F8T2」を含む液状体(発光層形成液26L)に浸漬して引き出す。そして、正孔輸送層25の外側面25aに堆積した発光層形成液26Lの液状膜26Fを乾燥することによって切出し棒23Mに発光層26を形成する。
【0053】
発光層26を形成すると、発光棒形成工程を構成する陰極層形成工程を行なう。すなわち、図8に示すように、前記発光層26を有した支持棒23を、前記「Ag」の微粒子を含む液状体(陰極層形成液27L)に浸漬して引き出す。そして、前記発光層26の外側面26aに堆積した陰極層形成液27Lの液状膜27Fを乾燥することによって切出し棒23Mに陰極層27を形成する。これによって、EL棒22を切出し可能にしたマザーEL棒22M(図9参照)を形成することができる。
【0054】
マザーEL棒22Mを形成すると、透明基板11に各EL棒22を接続する発光棒接続工程としてのEL棒接続工程を行う。すなわち、図9に示すように、まず、複数のマザーEL棒22Mを、それぞれ軸心CがZ矢印方向となるように配列する。詳述すると、マザーEL棒22MのX矢印方向の配列ピッチMxが、前記画素電極21のX方向ピッチWxであって、Y矢印方向の配列ピッチMyが、前記Y方向ピッチWyのsin(90−θ)倍(約1/1.4倍)となるように、各マザーEL棒22Mを、前記画素電極21の数量分だけXY平面上に配列させる。
【0055】
そして、各マザーEL棒22Mの間に導電性の樹脂材料を充填し、その樹脂材料を硬化することによって、各マザーEL棒22Mを連結する連結層SC(図9における2点鎖線の領域)を形成する。これによって、連結層SCで3次元的に連結されたマザーEL棒22Mの集合体(EL棒ブロックGa)を形成する。
【0056】
続いて、EL棒ブロックGaを形成すると、EL棒ブロックGaを所定の切断面CLで切断して、前記EL棒シートGbを切出す。すなわち、図9に示すように、マザーEL棒
22Mの軸心Cに対して、その法線方向が傾斜角θだけ傾斜する一対の切断面CLに沿って、前記EL棒ブロックGaを切断する。これによって、図10に示すように、前記各画素電極21に対応した支持端部23aを有する複数のEL棒22と、そのEL棒22の支持端部23aを切断面CLの面方向に沿って連結する連結層SCとからなるEL棒シートGbを形成する。
【0057】
EL棒シートGbを形成すると、前記支持端部23aを含むEL棒シートGbの一側面にエッチング等を施して正孔輸送層25、発光層26、陰極層27及び連結層SCの一部を除去し、陽極層24の接続端部24aを露出させる。
【0058】
接続端部24aを形成すると、図11に示すように、封止基板28の一側面上に、前記支持端部23a及び前記接続端部24aを上側にした前記EL棒シートGbを配置し、封止基板28の外縁に沿って紫外線硬化性樹脂29Lを塗布する。そして、封止基板28及び透明基板11を不活性ガスの減圧雰囲気下に搬送し、前記接続端部24a(前記支持端部23a)がそれぞれ対応する画素電極21と接触するように、前記透明基板11を前記封止基板28に貼り合せる。そして、貼り合せた状態の透明基板11及び封止基板28を大気に解放して、紫外線硬化性樹脂29Lを硬化する。
【0059】
これによって、各EL棒22を挟むようにして、透明基板11と封止基板28を密着させることができ、大気圧によって、各EL棒22の接続端部24aをそれぞれ対応する各画素電極21に均一に押圧することができる。そのため、陽極層24と画素電極21との間の電気的接続を確保することができ、透明基板11と封止基板28との間に封入した不活性ガスによって、各EL棒22の電気的安定性を確保することができる。
【0060】
従って、発光領域Sのサイズを変更する場合には、EL棒ブロックGaに対する切断面CLの傾斜角θを変更するだけで対応することができ、EL装置10の全体にわたる発光層26や正孔輸送層25の膜厚均一性を維持することができる。
【0061】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
(1)上記実施形態によれば、支持棒23の外側面に陽極層24、正孔輸送層25、発光層26及び陰極層27を順次積層して四角柱状のEL棒22を形成した。そして、透明基板11上の複数の画素電極21に、それぞれEL棒22の陽極層24を接続し、各EL棒22の軸心Cが、それぞれ透明基板11の法線方向に対して傾斜角θだけ傾斜するようした。
【0062】
従って、発光領域Sのサイズを拡大あるいは縮小する場合には、EL棒22の傾斜角θを拡大あるいは縮小するだけで対応することができ、傾斜角θを変更するだけで発光領域Sのサイズを変更することができる。その結果、EL装置10の全体にわたる発光層26や正孔輸送層25の成膜工程や膜厚均一性等を維持した状態で、発光領域Sのサイズ変更を図ることができる。そのため、発光領域Sのサイズ変更を容易にして、EL装置10の生産性を向上することができる。
【0063】
(2)上記実施形態によれば、陽極層24の接続端部24aを素子形成面11aに沿うように形成し、封止基板28によって、各接続端部24aをそれぞれ対応する画素電極21に押圧するようにした。従って、陽極層24と画素電極21を面接触させることができ、画素電極21とEL棒22の電気的接続を安定化することができる。
【0064】
(3)上記実施形態によれば、EL棒22の外表面に光反射性の陰極層27を形成し、発光層26からの光を支持棒23側に反射するようにした。従って、発光層26からの光を、支持棒23の軸心C方向に出射させることができ、EL棒22の長さ分だけ、各発光
領域Sからの光の輝度を向上することができる。
【0065】
(4)上記実施形態によれば、透明基板11の外縁に、封止基板28と透明基板11とを密着させて、封止基板28と透明基板11との間の空間を封止する封止層29を形成した。従って、各EL棒22に対する水分や酸素等の浸入を遮断することができ、各EL棒22の長寿命化を図ることができる。
【0066】
(5)上記実施形態によれば、各EL棒22の陽極層24、正孔輸送層25、発光層26及び陰極層27をEL棒22毎に形成するようにした。そのため、EL棒22を製造するための製造装置や付帯設備等を変更することなく、EL棒22の本数を増加することができ、EL装置10のサイズの大型化を、さらに容易にすることができる。
【0067】
(6)上記実施形態によれば、EL棒22を切出し可能にしたマザーEL棒22Mを形成し、複数のマザーEL棒22MからなるEL棒ブロックGaを切断面CLで切断することによって各EL棒22を形成するようにした。従って、各EL棒22の接続端部24aをそれぞれ切断面CL上に整合させることができ、各画素電極21に対する接続端部24aの位置整合性を向上することができる。その結果、発光領域Sのサイズ変更を容易にして、EL装置10の生産性を、さらに向上することができる。
【0068】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、軸体を支持棒23として具体化したが、これに限らず、例えば軸体を棒状の陽極として具体化し、同陽極の表層を陽極層24とする構成であってもよい。
・上記実施形態では、支持棒23及び陰極層27をそれぞれ光透過性部材及び光反射性部材で構成して、発光層26からの光を、支持棒23の軸心C方向に出射する構成にした。これに限らず、支持棒23及び陰極層27をそれぞれ光反射性部材及び光透過性部材で構成し、発光層26からの光を支持棒23の径方向に出射する構成にしてもよい。この際、各EL棒22の外周部、すなわち連結層SCを光反射性部材あるいは遮光性部材で構成して、各EL棒22間の光のクロストークを回避する構成が好ましい。
・上記実施形態では、積層体を、陽極層24、正孔輸送層25、発光層26及び陰極層27によって構成した。これに限らず、例えば正孔輸送層25を省略する構成にしてもよく、あるいは正孔輸送層25と陽極層24との間に、対応する発光層26への正孔の注入効率を高めるための正孔注入層を形成する構成にしてもよい。さらには、正孔輸送層25と発光層26との間に、電子の移動を抑制する電子障壁層を形成する構成にしてもよい。
【0069】
あるいは、発光層26と陰極層27との間に、陰極層27から注入された電子を発光層26まで輸送する電子輸送層を形成する構成にしてもよい。さらには、発光層26と対応する前記電子輸送層との間に、正孔の移動を抑制する正孔障壁層を形成する構成であってもよい。
・上記実施形態では、EL棒22に発光層26を一層のみ形成する構成にした。これに限らず、例えばEL棒22は、対応する発光層26と電荷発生層からなるユニットを複数積層した、いわゆるマルチフォトン構造であってもよい。
・上記実施形態では、EL棒22を四角柱状に具体化したが、これに限らず、例えば断面が三角形や五角形以上の多角形であってもよく、さらには断面が楕円形状や円形状であってもよい。
・上記実施形態では、EL装置10を、透明基板11側に光を出射するボトムエミッション方式に具体化した。これに限らず、各EL棒22の封止基板28側を透明部材で構成して、EL棒22からの光を封止基板28側に出射するトップミッション方式に具体化してもよい。
・上記実施形態において、EL棒22の発光層26を、それぞれ赤色に対応した波長領域の光を発光する赤色発光層、緑色に対応した波長領域の光を発光する緑色発光層、青色に
対応した波長領域の光を発光する青色発光層によって構成する、あるいは、カラーフィルタを配設する構成にして、表示面11bにフルカラーの画像を表示するようにしてもよい。
・上記実施形態では、陽極層24、正孔輸送層25、発光層26及び陰極層27を、それぞれ液相プロセスによって形成する構成したが、これに限らず、例えば蒸着成膜やスパッタ成膜等の気相プロセスによって形成する構成にしてもよい。
・上記実施形態では、EL棒ブロックGaを切断して連結層SCに連結されたEL棒22、すなわちEL棒シートGbを形成する構成にした。これに限らず、例えば1本のマザーEL棒22Mを順次切断して複数のEL棒22を形成し、あるいは複数のEL棒22をそれぞれ独立して形成し、各EL棒22を、順次封止基板28上に配列させる構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【0070】
【図1】本発明を具体化したエレクトロルミネッセンス装置を示す概略斜視図。
【図2】同じく、エレクトロルミネッセンス装置を示す拡大平面図。
【図3】同じく、エレクトロルミネッセンス装置を示す要部断面図。
【図4】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図5】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図6】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図7】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図8】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図9】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図10】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【図11】同じく、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を説明する説明図。
【符号の説明】
【0071】
10…エレクトロルミネッセンス装置、11…透明基板、20…画素領域、21…画素電極、22…発光棒としてのエレクトロルミネッセンス棒、23…軸体としての支持棒、24…第1電極層としての陽極層、25…積層体を構成する正孔輸送層、26…積層体を構成する発光層、27…第2電極層及び反射膜としての陰極層、28…接続手段を構成する保持部材としての封止基板、29…接続手段を構成する封止層、CL…切断面、Ga…集合体としてのEL棒ブロックS…発光領域、T1…制御素子を構成する第1トランジスタ、T2…制御素子を構成する第2トランジスタ。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
一側面に複数の画素電極が区画形成された基板と、
第1電極層と、第2電極層と、第1電極層と第2電極層の間の発光層とを有した積層体を表面に形成した発光棒と、
複数の前記発光棒を保持するとともに、前記発光棒の軸心方向を前記一側面の法線方向に対して傾斜させて、複数の前記発光棒の前記第1電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する接続手段と、
を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項2】
請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記発光棒は、前記画素電極側に露出する前記第1電極層を有し、
前記接続手段は、露出した前記第1電極層を前記画素電極に押圧して、前記第1電極層と前記画素電極との間の電気的接続を保持する保持部材を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項3】
請求項1又は2に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記第1電極層は、前記画素電極に沿う端面を有し、前記端面を介して前記画素電極に接続されたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項4】
請求項1〜3のいずれか1つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記画素電極は、前記発光棒からの光を透過する透明電極であり、
前記基板は、前記発光棒からの光を透過する透明基板であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項5】
請求項1〜4のいずれか1つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記第2電極層は、前記発光棒の軸心に対して前記第1電極層の外側に形成されて、前記発光層からの光を反射する反射膜を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれか1つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記画素電極は、それぞれ前記発光棒の発光を制御する制御素子を有してマトリックス状に配列された電極であり、
前記第2電極層は、前記各発光棒に共通する共通電極であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項7】
請求項1〜6のいずれか1つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記接続手段は、前記発光棒を封止する封止層を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項8】
請求項1〜7のいずれか1つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記積層体は、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか1つを含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項9】
基板の一側面に複数の画素電極を区画形成する画素電極形成工程と、
第1電極層と、第2電極層と、第1電極層と第2電極層の間の発光層からなる積層体を軸体の表面に積層して発光棒を形成する発光棒形成工程と、
前記軸体の軸心方向が前記一側面の法線方向に対して傾斜するように、複数の前記発光棒の前記第1電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する発光棒接続工程と、
を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項10】
請求項9に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記発光棒接続工程は、前記軸体の軸心方向を互いに平行にする複数の前記発光棒からなる前記発光棒の集合体を形成し、前記発光棒の前記集合体を、前記軸心方向に対して傾斜する切断面に沿って切断し、前記切断面に対応する前記各発光棒の端面をそれぞれ対応する前記画素電極に接続するようにしたこと特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項1】
一側面に複数の画素電極が区画形成された基板と、
第1電極層と、第2電極層と、第1電極層と第2電極層の間の発光層とを有した積層体を表面に形成した発光棒と、
複数の前記発光棒を保持するとともに、前記発光棒の軸心方向を前記一側面の法線方向に対して傾斜させて、複数の前記発光棒の前記第1電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する接続手段と、
を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項2】
請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記発光棒は、前記画素電極側に露出する前記第1電極層を有し、
前記接続手段は、露出した前記第1電極層を前記画素電極に押圧して、前記第1電極層と前記画素電極との間の電気的接続を保持する保持部材を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項3】
請求項1又は2に記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記第1電極層は、前記画素電極に沿う端面を有し、前記端面を介して前記画素電極に接続されたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項4】
請求項1〜3のいずれか1つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記画素電極は、前記発光棒からの光を透過する透明電極であり、
前記基板は、前記発光棒からの光を透過する透明基板であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項5】
請求項1〜4のいずれか1つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記第2電極層は、前記発光棒の軸心に対して前記第1電極層の外側に形成されて、前記発光層からの光を反射する反射膜を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれか1つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記画素電極は、それぞれ前記発光棒の発光を制御する制御素子を有してマトリックス状に配列された電極であり、
前記第2電極層は、前記各発光棒に共通する共通電極であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項7】
請求項1〜6のいずれか1つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記接続手段は、前記発光棒を封止する封止層を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項8】
請求項1〜7のいずれか1つに記載のエレクトロルミネッセンス装置において、
前記積層体は、少なくとも正孔輸送層、正孔障壁層、電子輸送層、電子障壁層のいずれか1つを含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項9】
基板の一側面に複数の画素電極を区画形成する画素電極形成工程と、
第1電極層と、第2電極層と、第1電極層と第2電極層の間の発光層からなる積層体を軸体の表面に積層して発光棒を形成する発光棒形成工程と、
前記軸体の軸心方向が前記一側面の法線方向に対して傾斜するように、複数の前記発光棒の前記第1電極層を、それぞれ対応する前記画素電極に接続する発光棒接続工程と、
を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項10】
請求項9に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記発光棒接続工程は、前記軸体の軸心方向を互いに平行にする複数の前記発光棒からなる前記発光棒の集合体を形成し、前記発光棒の前記集合体を、前記軸心方向に対して傾斜する切断面に沿って切断し、前記切断面に対応する前記各発光棒の端面をそれぞれ対応する前記画素電極に接続するようにしたこと特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2007−80577(P2007−80577A)
【公開日】平成19年3月29日(2007.3.29)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−264066(P2005−264066)
【出願日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年3月29日(2007.3.29)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
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