ターゲット供給装置、そのノズルのクリーニング機構、および、そのノズルのクリーニング方法
【課題】ターゲット物質の出力位置の安定性が向上し、チャンバ外の異物がチャンバ内に侵入することを抑制し得るとともに、チャンバ内のターゲット物質がチャンバ外に放出されることを抑制し得るノズルのクリーニング機構を提供すること。
【解決手段】ＥＵＶ光生成装置１のノズル７１２のクリーニング機構９は、ＥＵＶ光２５２の生成が行われるチャンバ２内にターゲット物質２７１を出力するためのノズル７１２を、チャンバ２内で物理的にクリーニングしてもよい。
【解決手段】ＥＵＶ光生成装置１のノズル７１２のクリーニング機構９は、ＥＵＶ光２５２の生成が行われるチャンバ２内にターゲット物質２７１を出力するためのノズル７１２を、チャンバ２内で物理的にクリーニングしてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置におけるターゲット供給装置、そのノズルのクリーニング機構、および、そのノズルのクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４０５４１６号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるクリーニング機構は、ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルを、チャンバ内で物理的にクリーニングするためのノズルのクリーニング機構でもよい。
【０００６】
本開示の他の態様によるターゲット供給装置は、ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルと、前記チャンバ内で、前記ノズルを物理的にクリーニングするための上述のノズルのクリーニング機構と、前記ノズルと前記クリーニング機構とを一体化するためのユニット部と、を備えてもよい。
【０００７】
本開示のさらに他の態様によるノズルのクリーニング方法は、ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルをクリーニングするための方法であって、大気圧よりも低い圧力の前記チャンバ内で、前記ノズルを物理的にクリーニングすることを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、本開示の各実施形態に係るクリーニング機構が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３Ａ】図３Ａは、液体と固体との接触角が９０°以下の状態を概略的に示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、液体と固体との接触角が９０°を超える状態を概略的に示す。
【図４】図４は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図５】図５は、第１実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。
【図６Ａ】図６Ａは、第１実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、第１実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図６Ｃ】図６Ｃは、第１実施形態に係るクリーニング部材がノズルと接触している状態を示す。
【図６Ｄ】図６Ｄは、第１実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図７】図７は、第２実施形態および第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図８】図８は、第２実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。
【図９Ａ】図９Ａは、第２実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。
【図９Ｂ】図９Ｂは、第２実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図９Ｃ】図９Ｃは、第２実施形態に係るクリーニング部材がノズルに接近している状態を示す。
【図９Ｄ】図９Ｄは、第２実施形態に係り、所定量のターゲット物質が出力された状態を示す。
【図９Ｅ】図９Ｅは、第２実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図１０】図１０は、第３実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。
【図１１Ａ】図１１Ａは、第３実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、第３実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、第３実施形態に係り、所定量のターゲット物質が出力された状態を示す。
【図１１Ｄ】図１１Ｄは、第３実施形態に係るクリーニング部材とノズルとが接近している状態を示す。
【図１１Ｅ】図１１Ｅは、第３実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図１２】図１２は、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図１３】図１３は、第４実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。
【図１４Ａ】図１４Ａは、第４実施形態に係る容器がノズルに対向していない状態を示す。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、第４実施形態に係る容器が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図１４Ｃ】図１４Ｃは、第４実施形態に係る容器内のクリーニング用物質とノズルとが接触している状態を示す。
【図１４Ｄ】図１４Ｄは、第４実施形態に係る容器がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図１５】図１５は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、オンデマンド方式でドロップレットが生成される状態を示す。
【図１６】図１６は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置をおいて、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成される状態を示す。
【図１７】図１７は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図１８】図１８は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の要部を拡大して示す。
【図１９】図１９は、第６実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。
【図２０Ａ】図２０Ａは、第６実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、第６実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図２０Ｃ】図２０Ｃは、第６実施形態に係るクリーニング部材とノズルとが接触している状態を示す。
【図２０Ｄ】図２０Ｄは、第６実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図２１】図２１は、第７実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【実施形態】
【０００９】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．クリーニング機構を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
３．２ 動作
３．２．１ ＥＵＶ光生成時
３．２．２ クリーニング時
４． 液体金属と固体金属間の接触角
５．ＥＵＶ光生成装置の実施形態
５．１ 用語の説明
５．２ 第１実施形態
５．２．１ 概略
５．２．２ 構成
５．２．３ 動作
５．２．３．１ ＥＵＶ光生成時
５．２．３．２ クリーニング時
５．３ 第２実施形態
５．３．１ 概略
５．３．２ 構成
５．３．３ 動作
５．３．３．１ クリーニング時
５．４ 第３実施形態
５．４．１ 概略
５．４．２ 動作
５．４．２．１ クリーニング時
５．５ 第４実施形態
５．５．１ 概略
５．５．２ 構成
５．５．３ 動作
５．５．３．１ クリーニング時
５．６ 第５実施形態
５．６．１ 概略
５．６．２ 構成
５．６．３ 動作
５．６．３．１ ＥＵＶ光生成時
５．７ 第６実施形態
５．７．１ 概略
５．７．２ 構成
５．７．３ 動作
５．７．３．１ クリーニング時
５．８ 第７実施形態
５．８．１ 概略
５．８．２ 構成
【００１０】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１１】
１．概要
本開示の実施形態においては、ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内で、ノズルを物理的にクリーニングするための機構が設けられている。ここで、ターゲット物質がノズル孔周縁に付着すると、ノズル孔から新たに出力されるターゲット物質がノズル孔周縁に付着したターゲット物質に接触してしまい、ノズルからのターゲット物質の出力方向（ターゲット出力方向と称する）が、曲げられてしまうおそれがある。
【００１２】
上述のクリーニング機構によれば、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内で、ノズル孔周縁が物理的にクリーニングされ得る。このことにより、ノズル孔から新たに出力されるターゲット物質がノズル孔周縁に付着したターゲット物質に接触することが抑制され、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減し、ターゲット物質の出力位置の安定性が向上し得る。また、チャンバを開放せずにノズルがクリーニングされ得るため、チャンバ外の異物がチャンバ内に侵入することが抑制され得る。さらには、チャンバ内のターゲット物質などが、チャンバ外に放出されることが抑制され得る。
【００１３】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１４】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。あるいは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウィンドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１および第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成位置またはその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１５】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５に接続されていてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１７】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１８】
２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
【００１９】
ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００２０】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
【００２１】
３．クリーニング機構を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
図２は、本開示の各実施形態に係るクリーニング機構が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、ターゲット供給装置７と、クリーニング機構９とを備えてもよい。ターゲット供給装置７は、ターゲット生成部７０と、ターゲット制御装置８０とを備えてもよい。
【００２２】
ターゲット生成部７０は、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２とを備えてもよい。ターゲット生成器７１は、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７１１を備えてもよい。タンク７１１は、筒状であってもよい。タンク７１１には、当該タンク７１１内のターゲット物質２７０を、ターゲット物質２７１としてチャンバ２内に出力するためのノズル７１２が設けられていてもよい。ノズル７１２の先端部７１３には、ノズル孔７１４が設けられていてもよい。ターゲット生成器７１は、タンク７１１がチャンバ２外部に位置し、ノズル７１２がチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。圧力調整器７２は、タンク７１１に連結されていてもよい。
【００２３】
チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるターゲット物質２７１の出力方向（ノズル７１２の軸方向（設定出力方向１０Ａ（図６Ａ参照）と称する））は、必ずしも重力方向１０Ｂ（図６Ａ参照）と一致するとは限らない。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ターゲット物質２７１が出力されるよう構成されてもよい。
【００２４】
ターゲット制御装置８０は、ターゲット生成部７０の駆動とクリーニング機構９の駆動とを制御するよう構成されてもよい。
【００２５】
クリーニング機構９は、ノズル７１２のノズル孔７１４周辺に付着したターゲット物質２７０を取り除いて、ノズル７１２をクリーニングするよう構成されてもよい。クリーニング機構９は、クリーニング時には、ノズル７１２をクリーニングするためのクリーニング部材９３をノズル７１２に接触させるか、あるいは、ノズル７１２に接近させるように駆動されてもよい。クリーニング機構９は、チャンバ２内の圧力を変化させることなく、すなわちチャンバ２を密閉状態に維持したまま、クリーニング部材９３を駆動させてもよい。
【００２６】
３．２ 動作
３．２．１ ＥＵＶ光生成時
ＥＵＶ光生成時には、ターゲット制御装置８０は、クリーニング機構９に退避信号を送信し、クリーニング部材９３を実線で示す位置に退避させるよう構成されてもよい。ターゲット制御装置８０は、ＥＵＶ光生成制御システム５からのターゲット生成信号を受信したときに、タンク７１１内の圧力を調節するための信号を圧力調整器７２に送信するよう構成されてもよい。圧力調整器７２は、この信号を受信したときに、タンク７１１内の圧力をターゲット物質２７１が出力され得る圧力に調節するよう構成されてもよい。
【００２７】
ターゲット生成器７１はノズル７１２を介して、ターゲット物質２７１を出力するよう構成されてもよい。出力されたターゲット物質２７１の位置、速度、大きさ、進行方向、所定位置における通過タイミングおよび通過周期、それらの安定性等を示す情報は、ターゲットセンサ４によって検出されてもよい。この検出された情報は、それぞれ信号として、ターゲット制御装置８０を経由してＥＵＶ光生成制御システム５で受信されてもよい。例えば、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット物質２７１の所定位置における通過タイミングを示す信号を受信すると、ターゲット物質２７１がプラズマ生成領域２５に到達したときにターゲット物質２７１にパルスレーザ光３３が照射されるように、レーザ装置３にパルスレーザ光３１の発振トリガを入力するよう構成されてもよい。
【００２８】
レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経由して、パルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過し、チャンバ２内に入射してもよい。チャンバ２内に入射したパルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２を介して、パルスレーザ光３３としてターゲット物質２７１に照射されてもよい。ターゲット物質２７１にパルスレーザ光３３が照射されると、ターゲット物質２７１はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１を含む電磁波が放射される。放射された電磁波のうち少なくともＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射され、ＥＵＶ光２５２として中間焦点２９２に集光され、露光装置６に出力されてもよい。このようにしてＥＵＶ光が生成されて得る。
【００２９】
３．２．２ クリーニング時
ノズル７１２のクリーニング方法は、大気圧よりも低い圧力のチャンバ２内でノズル７１２を物理的にクリーニングすることを含んでもよい。ここで、チャンバ２の圧力が大気圧よりも低い状態とは、ＥＵＶ光生成後にチャンバ２が開放されず、当該チャンバ２内の圧力が、ＥＵＶ光生成時とほぼ同じ状態であることを意味してもよい。
【００３０】
ターゲット生成器７１のノズル７１２のクリーニングは、以下のタイミングで実行されてもよい。
タイミング１：ＥＵＶ光生成装置において、所定時間ＥＵＶ光の生成が行われた後に、所定時間以上ＥＵＶ光の生成が停止された場合。
タイミング２：ターゲット物質が出力される時間が所定時間を越えた場合、または、ターゲット物質がドロップレットの形状で出力される場合には、ドロップレットの出力数が所定値を超えた場合。
タイミング３：ターゲット物質の位置安定性が悪化した場合、または、ターゲット物質の位置ずれが許容範囲を超えた場合。
【００３１】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、上述のタイミング１，２，３を監視／管理して、ターゲット制御装置８０にクリーニング信号を送信するよう構成されてもよい。クリーニングが実行され得るタイミングにおいて、ターゲット制御装置８０は、チャンバ２内の圧力が大気圧よりも低い状態において、クリーニング機構９にクリーニング信号を送信し、ターゲット生成器７１のノズル７１２のクリーニングが実行されるよう構成されてもよい。
【００３２】
クリーニング機構９は、クリーニング信号を受信したときに、クリーニング部材９３を二点鎖線で示す位置に移動させ、ノズル７１２に接触させるか、あるいは、ノズル７１２に接近させることで、ターゲット物質２７０が付着したノズル７１２が物理的にクリーニングされるよう構成されてもよい。
【００３３】
上述のように、クリーニング機構９は、大気圧よりも低い圧力のチャンバ２内で、クリーニング部材９３によって、ノズル７１２が物理的にクリーニンされるようする構成されてもよい。これにより、ノズル７１２からクリーニング後に出力されるターゲット物質２７１が、ノズル孔７１４周縁に付着したターゲット物質２７０に接触することが抑制され、ターゲット物質２７１の出力方向が曲げられる可能性が低減され、ターゲット物質２７１の出力位置の安定性が向上し得る。
【００３４】
また、チャンバ２を開放することなくノズル７１２がクリーニングされ得るため、チャンバ２外の異物がチャンバ２内に侵入したり、チャンバ２内のターゲット物質２７１などがチャンバ２外に放出されたりすることが抑制され得る。さらには、チャンバ２を開放することにより、チャンバ２内の圧力がクリーニングに先立って大気圧まで上がってしまった際、クリーニング後に、ＥＵＶ光生成時の圧力まで下げる動作が不要となる可能性があり、ＥＵＶ光生成再開までの時間が短縮され得る。
【００３５】
４． 液体金属と固体金属間の接触角
図３Ａは、液体と固体との接触角が９０°以下の状態を概略的に示す。図３Ｂは、液体と固体との接触角が９０°を超える状態を概略的に示す。一般に、液体と固体との間の濡れやすさは、接触角で評価され得る。接触角とは、液滴７０１の固体表面接触部における接線と固体表面７０２とのなす角度である。図３Ａに示すように、接触角が０°以上、９０°以下の場合は、浸漬濡れであり、液体が浸漬していつかは固体表面を覆い得る。一方、図３Ｂに示すように、接触角が９０°を超える場合は、付着濡れであり、濡れが進行しないまま、ある程度液滴形状が維持され得る。
【００３６】
液体金属と接触することによって固体金属が溶解しない場合の液体金属と固体金属との間の接触角に関しては、以下の式（１）で得られる値と、実験値とが、ある程度一致することが知られている。
１−ｃｏｓθ＝０．３６（Ｔｘ／Ｔｙ−１）−０．０４ … （１）
θ ：接触角
Ｔｘ：固体金属の融点
Ｔｙ：液体金属の融点
【００３７】
５．ＥＵＶ光生成装置の実施形態
５．１ 用語の説明
以下、図４，７，１２，１５，１６，１７，２１における紙面上方向を＋Ｚ方向と表現し、下方向を−Ｚ方向と表現し、上方向と下方向とをＺ軸方向と表現する場合がある。同様に、図４，７，１２，１５，１６，１７，２１における紙面右方向を＋Ｘ方向と表現し、左方向を−Ｘ方向と表現し、右方向と左方向とをＸ軸方向と表現する場合がある。なお、これらの表現は、重力方向１０Ｂとの関係を表すものではない。また、ターゲット出力停止圧力とは、ノズルからのターゲット物質の出力が停止される圧力を表す。
【００３８】
５．２ 第１実施形態
５．２．１ 概略
本開示の第１実施形態によれば、クリーニング機構は、クリーニング部材と、温度調節部と、接触移動機構とを備えてもよい。クリーニング部材は、ターゲット物質との接触角が、ノズルとターゲット物質との接触角よりも小さい特性を有していてもよい。温度調節部は、クリーニング部材の温度をターゲット物質の融点以上に調節するよう構成されてもよい。接触移動機構は、クリーニング部材とノズルとが接触可能なように、クリーニング部材とノズルとを相対移動させてもよい。
【００３９】
このような構成を用いて、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内でノズルがクリーニングされてもよい。このノズルのクリーニング方法は、クリーニング部材の温度をターゲット物質の融点以上に調節することと、クリーニング部材とノズルとを接触させることと、クリーニング部材とノズルとを離間させることと、を含んでもよい。
【００４０】
以上のような構成により、クリーニング部材とノズルとを接触させることで、ターゲット物質との濡れ性が比較的低いノズルに付着していたターゲット物質のほとんどが、ターゲット物質との濡れ性が比較的高いクリーニング部材に付着し得る。そして、ターゲット物質が付着したクリーニング部材をノズルから離間させることで、ノズルに付着していたターゲット物質が物理的に除去され、ノズルがクリーニングされ得る。
【００４１】
５．２．２ 構成
図４は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生装置の一部の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１Ａは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａと、クリーニング機構９Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ａとを備えてもよい。ターゲット生成部７０Ａは、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２と、第１温度調節部７３Ａとを備えてもよい。
【００４２】
タンク７１１に収容されるターゲット物質２７０は、融点が２３２℃のスズ、融点が１３１２℃のガドリニウム、融点が１３５６℃のテルビウム等の金属であってもよい。
【００４３】
ノズル７１２の少なくとも先端部７１３は、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料で構成されるのが好ましい。具体的には、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料とは、ターゲット物質２７０との接触角が９０°を超える材料であり得る。先端部７１３がターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料で構成されていない場合には、少なくとも先端部７１３の表面が、当該濡れ性が低い材料でコーティングされてもよい。
【００４４】
圧力調整器７２には、不活性ガスボンベ７２１Ａが接続されていてもよい。圧力調整器７２は、不活性ガスボンベ７２１Ａから供給される不活性ガスの圧力を制御して、タンク７１１内の圧力を調節するよう構成されてもよい。
【００４５】
第１温度調節部７３Ａは、タンク７１１内のターゲット物質２７０の温度を調節するよう構成されてもよい。第１温度調節部７３Ａは、第１ヒータ７３１Ａと、第１ヒータ電源７３２Ａと、第１温度センサ７３３Ａと、第１温度コントローラ７３４Ａとを備えてもよい。第１ヒータ７３１Ａは、タンク７１１の外周面に設けられてもよい。第１ヒータ電源７３２Ａは、第１ヒータ７３１Ａと第１温度コントローラ７３４Ａとに接続されていてもよい。第１ヒータ電源７３２Ａは、第１温度コントローラ７３４Ａからの信号に基づいて、第１ヒータ７３１Ａに電力を供給して第１ヒータ７３１Ａを発熱させてもよい。それにより、タンク７１１内のターゲット物質２７０が加熱され得る。
【００４６】
第１温度センサ７３３Ａは、タンク７１１の外周面におけるノズル７１２側に設けられてもよいし、タンク７１１内に設けられてもよい。第１温度センサ７３３Ａには、第１温度コントローラ７３４Ａが接続されていてもよい。第１温度センサ７３３Ａは、タンク７１１内のターゲット物質２７０の温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第１温度コントローラ７３４Ａに送信するよう構成されてもよい。第１温度コントローラ７３４Ａは、第１温度センサ７３３Ａからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を判定し、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に調節するための信号を第１ヒータ電源７３２Ａに出力するよう構成されてもよい。
【００４７】
クリーニング機構９Ａは、接触移動機構としての駆動機構９１Ａと、保持部９２Ａと、クリーニング部材９３Ａと、温度調節部としての第２温度調節部９４Ａとを備えてもよい。
駆動機構９１Ａは、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２とが接触可能なように、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２に対して移動させてもよい。駆動機構９１Ａは、チャンバ２内の圧力を変化させることなく、すなわちチャンバ２を密閉状態に維持したまま、クリーニング部材９３Ａを移動させるよう構成されてもよい。駆動機構９１Ａは、ステージ９１１Ａと、Ｚ駆動機構９１２Ａと、Ｘ駆動機構９１３Ａと、ドライバ９１４Ａとを備えてもよい。
【００４８】
ステージ９１１Ａと、Ｚ駆動機構９１２Ａと、Ｘ駆動機構９１３Ａとは、チャンバ２内に設けられてもよい。ステージ９１１Ａは、Ｚ駆動機構９１２ＡによってＺ軸方向に移動可能なように設けられてもよい。Ｚ駆動機構９１２Ａは、Ｘ駆動機構９１３ＡによってＸ軸方向に移動可能なように設けられてもよい。
【００４９】
ドライバ９１４Ａは、チャンバ２外に設けられてもよい。ドライバ９１４Ａは、チャンバ２の壁部に設けられた第１導入端子９１５Ａを介して、Ｚ駆動機構９１２ＡとＸ駆動機構９１３Ａとに接続されていてもよい。
【００５０】
保持部９２Ａは、チャンバ２内においてクリーニング部材９３Ａを保持してもよい。保持部９２Ａは、ポール９２１Ａと、絶縁部材９２２Ａと、ホルダ９２３Ａとを備えてもよい。ポール９２１Ａは、ステージ９１１Ａの下面から−Ｚ方向に延びるように設けられてもよい。絶縁部材９２２Ａは、ポール９２１Ａの先端側から、＋Ｘ方向に延びるように設けられてもよい。ホルダ９２３Ａは、伝熱性が良好な材料により円筒形状に形成されてもよい。ホルダ９２３Ａは、円筒形状の内側においてクリーニング部材９３Ａを保持してもよい。ホルダ９２３Ａは、その外周面が絶縁部材９２２Ａの先端に接続されていてもよい。なお、ホルダ９２３Ａは、多角筒形状に形成されてもよいし、底があってもなくてもよい。
【００５１】
クリーニング部材９３Ａは、ターゲット物質２７０との接触角が、先端部７１３の表面とターゲット物質２７０との接触角よりも小さい材料、すなわちターゲット物質２７０との濡れ性が高い材料で構成されるのが好ましい。クリーニング部材９３Ａは、金属箔、または金属布であってもよいが、接触時に先端部７１３に与えるダメージが低減され得ることから金属箔であることが好ましい。
【００５２】
クリーニング部材９３Ａの材料としては、ターゲット物質２７０がスズの場合には、以下の表１に示すものでもよい。ターゲット物質２７０がガドリニウムの場合には、以下の表２に示すものでもよい。ターゲット物質２７０がテルビウムの場合には、以下の表３に示すものでもよい。これらの表１〜表３に示す材料のうち、クリーニング部材９３Ａの材料としては、比較的軟らかく、かつ、さびにくいなど表面状態が安定しているという観点から、金、アルミニウム、銀、ニッケルなどが好ましい。また、クリーニング部材９３Ａは、表１〜表３に示す材料以外の材料で形成された部材の表面に、表１〜表３に示す材料がコーティングされて構成されてもよい。
【００５３】
【表１】
【００５４】
【表２】
【００５５】
【表３】
【００５６】
第２温度調節部９４Ａは、クリーニング部材９３Ａの温度を調節するよう構成されてもよい。第２温度調節部９４Ａは、第２ヒータ９４１Ａと、第２ヒータ電源９４２Ａと、第２温度センサ９４３Ａと、第２温度コントローラ９４４Ａとを備えてもよい。第２ヒータ９４１Ａは、ホルダ９２３Ａのノズル７１２に対向する側とは反対側に設けられてもよい。第２ヒータ９４１Ａは、薄型のセラミックヒータでもよい。例えば、第２ヒータ９４１Ａは、減圧熱分解ＣＶＤ法で製造された、熱分解窒素ホウ素と熱分解グラファイトとが積層されたセラミックヒータでもよい。第２ヒータ電源９４２Ａは、チャンバ２の壁部に設けられた第２導入端子９４５Ａを介して、第２ヒータ９４１Ａに接続されてもよい。第２ヒータ電源９４２Ａは、第２温度コントローラ９４４Ａに接続されてもよい。第２ヒータ電源９４２Ａは、第２温度コントローラ９４４Ａからの信号に基づいて、第２ヒータ９４１Ａに電力を供給して、第２ヒータ９４１Ａを発熱させてもよい。これにより、クリーニング部材９３Ａは、その下面側から輻射熱によって加熱され得る。あるいは、クリーニング部材９３Ａは、第２ヒータ９４１Ａによりホルダ９２３Ａが加熱されることによる伝熱によって、間接的に加熱されてもよい。
【００５７】
第２温度センサ９４３Ａは、ホルダ９２３Ａの外周面に設けられてもよい。第２温度センサ９４３Ａには、第２導入端子９４５Ａを介して第２温度コントローラ９４４Ａが接続されてもよい。第２温度センサ９４３Ａは、クリーニング部材９３Ａの温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第２温度コントローラ９４４Ａに送信するよう構成されてもよい。第２温度コントローラ９４４Ａは、第２温度センサ９４３Ａからの信号に基づいて、クリーニング部材９３Ａの温度を判定し、クリーニング部材９３Ａの温度を所定温度に調節するための信号を第２ヒータ電源９４２Ａに出力するよう構成されてもよい。
【００５８】
ターゲット制御装置８０Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５と、圧力調整器７２と、第１温度コントローラ７３４Ａと、ドライバ９１４Ａと、第２温度コントローラ９４４Ａとに接続されていてもよい。
【００５９】
５．２．３ 動作
５．２．３．１ ＥＵＶ光生成時
チャンバ２内の圧力がＥＵＶ光を生成可能な圧力に調整された状態において、ターゲット制御装置８０Ａは、第１温度コントローラ７３４Ａに信号を送信するよう構成されてもよい。この信号に基づいて、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０の温度が、当該ターゲット物質２７０の融点以上の温度になるように、第１ヒータ電源７３２Ａが制御されるよう構成されてもよい。ターゲット物質２７０の融点以上の温度は、ターゲット物質２７０がスズの場合には２３２℃以上、ガドリニウムの場合には１３１２℃以上、テルビウムの場合には１３５６℃以上であってもよい。第１温度コントローラ７３４Ａは、第１温度センサ７３３Ａからの信号に基づいて、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０の温度を判定し、ターゲット物質２７０の温度が融点以上となるように、第１ヒータ電源７３２Ａに供給される電力を制御するよう構成されてもよい。
【００６０】
ターゲット制御装置８０Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５からのターゲット生成信号を受信すると、不活性ガスボンベ７２１Ａから供給される不活性ガスの圧力を調節するための圧力調整器７２に信号を送信するよう構成されてもよい。この信号に基づいて、タンク７１１内の圧力が、ターゲット物質２７１が出力され得る圧力に調節されてもよい。すなわち、この信号に基づいて、圧力調整器７２がタンク７１１内の圧力を上昇させると、ノズル７１２を介してターゲット物質２７０がターゲット物質２７１として出力され得る。この場合のターゲット物質２７１の形態は、ジェットであってもよいし、ドロップレットであってもよい。チャンバ２内に出力されたターゲット物質２７１は、パルスレーザ光３３が照射されるとプラズマ化し得る。その結果、ＥＵＶ光２５１が放射され得る。
【００６１】
５．２．３．２ クリーニング時
図５は、第１実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。図６Ａは、第１実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。図６Ｂは、第１実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。図６Ｃは、第１実施形態に係るクリーニング部材がノズルと接触している状態を示す。図６Ｄは、第１実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【００６２】
チャンバ２の圧力が大気圧よりも低い状態において、ターゲット制御装置８０Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５からクリーニング信号を受信すると、図５に示すように、圧力調整器７２に信号を送信して、圧力調整器７２の設定圧力をターゲット出力停止圧力まで下げてもよい（ステップＳ１）。次に、ターゲット制御装置８０Ａが、第２温度コントローラ９４４Ａに信号を送信して、クリーニング部材９３Ａの温度が、ターゲット物質２７０の融点以上の温度となるように、クリーニング部材９３Ａが加熱されてもよい（ステップＳ２）。この信号を受信した第２温度コントローラ９４４Ａは、ホルダ９２３Ａに固定された第２温度センサ９４３Ａでの検出結果に基づいて、第２ヒータ９４１Ａに供給される電力を制御してもよい。これにより、クリーニング部材９３Ａの温度が調節されてもよい。ステップＳ１およびステップＳ２においては、図６Ａに示すように、クリーニング部材９３Ａは、ノズル７１２よりも、−Ｘ方向側に位置していてもよい。
【００６３】
第２温度コントローラ９４４Ａは、第２温度センサ９４３Ａでの検出結果に基づいて、クリーニング部材９３Ａの温度がターゲット物質２７０の融点以上となったことを示す信号をターゲット制御装置８０Ａに送信するよう構成されてもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、ドライバ９１４Ａに信号を送信してもよい。これにより、図５に示すように、ドライバ９１４ＡがＸ駆動機構９１３Ａにより保持部９２Ａを＋Ｘ方向に移動させ、クリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを対向させてもよい（ステップＳ３）。この結果、図６Ｂに示すように、クリーニング部材９３Ａが所定の間隔を開けて先端部７１３と対向するよう構成されてもよい。
【００６４】
次に、ターゲット制御装置８０Ａは、ドライバ９１４Ａに信号を送信してもよい。これにより、図５に示すように、ドライバ９１４ＡがＺ駆動機構９１２Ａを制御して、保持部９２Ａを＋Ｚ方向に移動させ、クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接触させてもよい（ステップＳ４）。この結果、図６Ｃに示すように、クリーニング部材９３Ａが先端部７１３に接触するよう構成されてもよい。
【００６５】
クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接触させることによって、ノズル孔７１４周縁に付着していたターゲット物質２７０をクリーニング部材９３Ａに付着させてもよい。ここで、クリーニング部材９３Ａは、先端部７１３よりも、ターゲット物質２７０との濡れ性が高い材料で構成されているのが好ましい。この場合、ノズル孔７１４周縁に付着していたターゲット物質２７０のほとんどは、より濡れ性が低い先端部７１３からより濡れ性が高いクリーニング部材９３Ａに付着し得る。
【００６６】
この後、ターゲット制御装置８０Ａは、ドライバ９１４Ａを介してＸ駆動機構９１３Ａを制御して、図５に示すように、クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接触させたまま、クリーニング部材９３ＡをＸ軸方向に往復移動させてもよい（ステップＳ５）。なお、クリーニング部材９３Ａを、＋Ｘ方向のみまたは−Ｘ方向のみに移動させてもよい。
【００６７】
次いで、ターゲット制御装置８０Ａは、ドライバ９１４Ａを介してＺ駆動機構９１２Ａを制御して、図５および図６Ｄに示すように、保持部９２Ａを−Ｚ方向に移動させることで、クリーニング部材９３Ａを所定の間隔を開けて先端部７１３と対向させてもよい（ステップＳ６）。このときのクリーニング部材９３Ａと先端部７１３との間隔は、図６Ｂに示す状態における間隔と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００６８】
このように、クリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを離間させることによって、先端部７１３に付着していたターゲット物質２７０のほとんどがクリーニング部材９３Ａに付着し、先端部７１３からターゲット物質２７０が除去され得る。
【００６９】
そして、ターゲット制御装置８０Ａは、図５に示すように、クリーニングを終了するか否かを判断し（ステップＳ７）、終了しないと判断した場合には、ステップＳ４に戻ってもよい。
【００７０】
一方で、ステップＳ７において、ターゲット制御装置８０Ａは、クリーニングを終了すると判断した場合、図５に示すように、第２温度コントローラ９４４Ａに信号を送信して、クリーニング部材９３Ａの加熱を停止してもよい（ステップＳ８）。この信号を受信した第２温度コントローラ９４４Ａは、第２ヒータ電源９４２Ａを制御して、第２ヒータ９４１Ａへの電力供給を停止させることで、クリーニング部材９３Ａの加熱を停止してもよい。
【００７１】
この後、ターゲット制御装置８０Ａは、ドライバ９１４Ａを介してＸ駆動機構９１３Ａを制御して、図５に示すように、クリーニング部材９３Ａを、例えば図６Ａに示す位置に退避させてもよい（ステップＳ９）。その後、ターゲット制御装置８０Ａは、図５に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５にクリーニング完了信号を送信して、クリーニングを終了してもよい（ステップＳ１０）。
【００７２】
上述のように、ターゲット物質２７０との濡れ性がノズル７１２よりも高いクリーニング部材９３Ａを、ターゲット物質２７０の融点以上の温度まで加熱して、ノズル７１２に接触させてもよい。その後、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２から離間させてもよい。このような構成および動作によって、ノズル７１２に付着していたターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａにより物理的に除去され、ノズル７１２がクリーニングされ得る。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致する場合のみならず、重力方向１０Ｂに対して斜めの場合、あるいは、重力方向１０Ｂに対して直交する（水平方向と一致する）場合であっても、ノズル７１２に付着したターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着し、ノズル７１２がクリーニングされ得る。
【００７３】
クリーニング部材９３Ａをノズル７１２に接触させたまま、クリーニング部材９３ＡをＸ軸方向に往復移動させることで、ノズル７１２に対するクリーニング部材９３Ａの接触面積が広くなり得る。これにより、クリーニング部材９３Ａへのターゲット物質２７０の付着量が多くなり得る。
【００７４】
なお、駆動機構９１Ａは、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２との両方を移動させることで、または、ノズル７１２のみを移動させることで、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２とを接触させるよう構成されてもよい。また、ステップＳ７の処理を行わずに、ステップＳ６の処理の後にステップＳ８の処理が行われるよう構成されてもよい。さらには、ステップＳ５の処理が行われないよう構成されてもよい。
【００７５】
５．３ 第２実施形態
５．３．１ 概略
本開示の第２実施形態によれば、クリーニング機構は、クリーニング部材と、温度調節部と、接近移動機構と、出力調整部とを備えてもよい。クリーニング部材は、ターゲット物質との接触角が、ノズルとターゲット物質との接触角よりも小さい特性を有しているのが好ましい。温度調節部は、クリーニング部材の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節するよう構成されてもよい。接近移動機構は、クリーニング部材とノズルとが接近可能なように、クリーニング部材とノズルとを相対移動させるよう構成されてもよい。出力調整部は、ノズルから所定量のターゲット物質を出力させるよう構成されてもよい。
【００７６】
このような構成により、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内でノズルがクリーニングされてもよい。このノズルのクリーニング方法は、クリーニング部材の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、クリーニング部材とノズルとを接近させることと、ノズルから所定量のターゲット物質を出力させることと、クリーニング部材とノズルとを離間させることと、を含んでもよい。
【００７７】
以上のような構成により、クリーニング部材とノズルとを接近させ、ノズルからターゲット物質を所定量出力させることで、ノズルとクリーニング部材との間がターゲット物質で満たされ得る。これによって、ノズルに付着していたターゲット物質のほとんどがノズルとクリーニング部材との間に満たされたターゲット物質に取り込まれ、クリーニング部材に付着し得る。この後、クリーニング部材とノズルとを離間させることで、ノズルに付着していたターゲット物質が物理的に除去され、ノズルがクリーニングされ得る。
【００７８】
ノズルとクリーニング部材とを接触させなくても、クリーニング部材をノズルに接近させて、ノズルからターゲット物質を所定量出力させることで、ノズル孔周縁に付着していたターゲット物質がクリーニング部材に付着して除去され得る。この場合、ノズルとクリーニング部材とを接触させないため、ノズルの損傷が抑制され得る。
【００７９】
なお、本開示の第２実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと直交するように設定された場合を図９Ａから図９Ｅを参照に例示する。また、以下の動作の説明においては、クリーニング時の動作について説明し、ＥＵＶ光生成時の動作についての説明を省略する。
【００８０】
５．３．２ 構成
図７は、第２実施形態および後述する第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１Ｂは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ｂと、クリーニング機構９Ｂとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｂは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ｂとを備えてもよい。
【００８１】
クリーニング機構９Ｂは、接近移動機構としての駆動機構９１Ａと、保持部９２Ａと、温度調節部としての第２温度調節部９４Ａとを備えてもよい。また、圧力調整器７２は、クリーニング機構９Ｂを構成する出力制御部として機能するよう構成されてもよい。駆動機構９１Ａは、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２とが接近可能なように、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２に対して移動させるよう構成されてもよい。
【００８２】
５．３．３ 動作
５．３．３．１ クリーニング時
図８は、第２実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。図９Ａは、第２実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。図９Ｂは、第２実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。図９Ｃは、第２実施形態に係るクリーニング部材がノズルと接近している状態を示す。図９Ｄは、第２実施形態に係り、所定量のターゲット物質が出力された状態を示す。図９Ｅは、第２実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【００８３】
チャンバ２内の圧力が大気圧よりも低い状態において、ＥＵＶ光生成装置１Ｂでは、まず、図８に示すようなステップＳ１およびステップＳ２の処理が行われてもよい。このとき、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２との位置関係は、図９Ａに示すような関係でもよい。その後、ＥＵＶ光生成装置１Ｂは、図８および図９Ｂに示すように、所定の間隔を開けてクリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを対向させるよう構成されてもよい（ステップＳ３）。
【００８４】
ターゲット制御装置８０Ｂは、ドライバ９１４Ａに信号を送信してもよい。これにより、図８に示すように、ドライバ９１４Ａは、保持部９２Ａを＋Ｚ方向に移動させて、クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接近させてもよい。（ステップＳ２１）。この時点では、図９Ｃに示すように、クリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを接近させることによって、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０をクリーニング部材９３Ａに付着させなくてもよい。
【００８５】
この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図８に示すように、圧力調整器７２に信号を送信して、圧力調整器７２の設定圧力をノズル７１２からターゲット物質２７０が所定量出力されるような圧力に制御してもよい（ステップＳ２２）。ターゲット物質２７０を所定量出力させることによって、図９Ｄに示すように、先端部７１３とクリーニング部材９３Ａとの間がターゲット物質２７０で満たされ得る。これにより、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０は、先端部７１３とクリーニング部材９３Ａとの間に満たされたターゲット物質２７０に取り込まれ得る。それにより、ターゲット物質２７０はクリーニング部材９３Ａに付着し得る。その結果、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０のほとんどが、よりターゲット物質２７０との濡れ性が低い先端部７１３からより当該濡れ性が高いクリーニング部材９３Ａに付着し得る。
【００８６】
その後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図８および図９Ｅに示すように、保持部９２Ａを−Ｚ方向に移動させることで、所定の間隔を開けてクリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを対向させてもよい（ステップＳ６）。
【００８７】
このように、クリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを離間させることによって、先端部７１３に付着していたターゲット物質２７０のほとんどがクリーニング部材９３Ａに付着し、先端部７１３からターゲット物質２７０が除去され得る。
【００８８】
この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図８に示すように、ステップＳ７〜ステップＳ１０の処理を行ってもよい。
【００８９】
上述のように、ノズル７１２よりも、ターゲット物質２７０との濡れ性が高いクリーニング部材９３Ａを、ターゲット物質２７０の融点以上の温度まで加熱して、ノズル７１２に接近させるよう構成されてもよい。そして、ノズル７１２からターゲット物質２７０を所定量出力させることでノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとの間がターゲット物質２７０で満たされ、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着し得る。この後、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２から離間させるよう構成されてもよい。
【００９０】
このような構成によって、ノズル７１２に付着しているターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａにより物理的に除去され、ノズル７１２がクリーニングされ得る。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂに対して直交する場合のみならず、重力方向１０Ｂと一致する場合、あるいは、重力方向１０Ｂに対して斜めの場合であっても、ノズル７１２に付着したターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着し、ノズル７１２がクリーニングされ得る。なお、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとの間がターゲット物質２７０で満たされた状態は、ターゲット物質２７０の表面張力によって保持され得る。
【００９１】
以上のように、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとを接触させなくても、クリーニング部材９３Ａにノズル７１２を接近させて、ターゲット物質２７０を所定量出力させることで、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着して除去され得る。この場合、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとを接触させないため、ノズル７１２の損傷が抑制され得る。
【００９２】
５．４ 第３実施形態
５．４．１ 概略
本開示の第３実施形態に係るクリーニング機構は、第２実施形態に係るクリーニング機構と同様に構成されるクリーニング部材と、温度調節部と、接近移動機構と、出力調整部とを備えてもよい。このような構成において、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内でノズルがクリーニングされてもよい。このノズルのクリーニング方法は、クリーニング部材の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、ノズルから所定量のターゲット物質を出力させることと、クリーニング部材とノズルとを接近させることと、クリーニング部材とノズルとを離間させることと、を含んでもよい。
【００９３】
以上のような構成において、ノズルとクリーニング部材とが離間した状態でノズルからターゲット物質を所定量出力させた後に、ノズルとクリーニング部材とを接近させることで、ノズルとクリーニング部材との間がターゲット物質で満たされ得る。これによって、ノズルに付着しているターゲット物質のほとんどがノズルとクリーニング部材との間に満たされたターゲット物質に取り込まれ、クリーニング部材に付着し得る。この後、クリーニング部材とノズルとを離間させることで、ノズルに付着しているターゲット物質が物理的に除去され、ノズルがクリーニングされ得る。
【００９４】
この場合、ノズルとクリーニング部材とを接触させなくても、ノズルからターゲット物質を所定量出力させた後に、クリーニング部材をノズルに接近させることで、ノズル先端部に付着しているターゲット物質がクリーニング部材に付着して除去され得る。このため、ノズルの損傷が抑制され得る。
【００９５】
なお、本開示の第３実施形態では、図７に示すＥＵＶ光生成装置１Ｂにおいて、設定出力方向１０Ａを重力方向１０Ｂに対して斜めに設定した場合を図１１Ａから図１１Ｅを参照に例示する。また、以下の動作の説明においては、クリーニング時の動作について説明し、ＥＵＶ光生成時の動作についての説明を省略する。
【００９６】
５．４．２ 動作
５．４．２．１ クリーニング時
図１０は、第３実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。図１１Ａは、第３実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。図１１Ｂは、第３実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。図１１Ｃは、第３実施形態に係り、所定量のターゲット物質が出力された状態を示す。図１１Ｄは、第３実施形態に係るクリーニング部材がノズルと接近している状態を示す。図１１Ｅは、第３実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【００９７】
チャンバ２内の圧力が大気圧よりも低い状態において、ＥＵＶ光生成装置１Ｂでは、まず、図１０に示すようなステップＳ１〜ステップＳ３の処理が行われてもよい。ステップＳ１およびステップＳ２におけるクリーニング部材９３Ａとノズル７１２との位置関係は、図１１Ａに示すような関係であってもよいし、ステップＳ３においては、図１１Ｂに示すような関係であってもよい。
【００９８】
この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図１０に示すように、圧力調整器７２の設定圧力をノズル７１２からターゲット物質２７０が所定量出力され得る圧力に制御してもよい（ステップＳ３１）。ターゲット物質２７０を所定量出力させることによって、図１１Ｃに示すように、ノズル孔７１４を覆うように、ターゲット物質２７０を先端部７１３に付着させてもよい。
【００９９】
その後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図１０および図１１Ｄに示すように、クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接近させてもよい（ステップＳ３２）。クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接近させることで、ノズル孔７１４を覆っているターゲット物質２７０によって、先端部７１３とクリーニング部材９３Ａとの間が満たされ得る。これにより、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０は、先端部７１３とクリーニング部材９３Ａとの間に満たされたターゲット物質２７０に取り込まれ得る。これにより、ターゲット物質２７０はクリーニング部材９３Ａに付着し得る。その結果、ノズル孔７１４を覆っていたターゲット物質２７０のほとんどは、ターゲット物質２７０に対してより濡れ性が低い先端部７１３からより当該濡れ性が高いクリーニング部材９３Ａに付着し得る。
【０１００】
次いで、ターゲット制御装置８０Ｂは、図１０および図１１Ｅに示すように、所定の間隔を開けてクリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを対向させることで（ステップＳ６）、先端部７１３に付着していたターゲット物質２７０のほとんどをクリーニング部材９３Ａに付着し、先端部７１３からターゲット物質２７０が除去され得る。この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図１０に示すように、ステップＳ７〜ステップＳ１０の処理を行ってもよい。
【０１０１】
上述のように、ノズル７１２よりも、ターゲット物質２７０との濡れ性が高いクリーニング部材９３Ａがノズル７１２と離間した状態において、クリーニング部材９３Ａは、ターゲット物質２７０の融点以上の温度に加熱されてもよい。その後、ノズル７１２からターゲット物質２７０を所定量出力させ、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２に接近させてもよい。これにより、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとの間がターゲット物質２７０で満たされ、ノズル孔７１４を覆うようにノズル７１２に付着していたターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着し得る。その後、クリーニング部材９３Ａを先端部７１３から離間させてもよい。
【０１０２】
このような構成によって、ノズル７１２に付着していたターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａにより物理的に除去され、ノズル７１２がクリーニングされ得る。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂに対して斜めの場合のみならず、重力方向１０Ｂと一致する場合、あるいは、重力方向１０Ｂに対して直交する場合であっても、ノズル７１２に付着したターゲット物質２７０をクリーニング部材９３Ａに付着させることによって、ノズル７１２がクリーニングされ得る。なお、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとの間がターゲット物質２７０で満たされた状態は、ターゲット物質２７０の表面張力によって保持され得る。
【０１０３】
上述のように、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとを接触させなくても、ノズル７１２からターゲット物質２７０を所定量出力させた後に、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２に接近させることで、ノズル孔７１４を覆っていたターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着し得る。このように、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとを接触させないため、ノズルの損傷が抑制され得る。
【０１０４】
なお、第２実施形態および第３実施形態において、駆動機構９１Ａは、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２との両方を移動させることで、または、ノズル７１２のみを移動させることで、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２とを接近させるよう構成されてもよい。さらには、ステップＳ７の処理を行わずに、ステップＳ６の処理の後にステップＳ８の処理が行われてもよい。また、ステップＳ２とステップＳ３との順序が入れ替えられてもよい。
【０１０５】
５．５ 第４実施形態
５．５．１ 概略
本開示の第４実施形態によれば、クリーニング機構は、容器と、接触移動機構とを備えてもよい。容器には、金属が液状で貯留されてもよい。接触移動機構は、容器内の液体金属とノズルとが接触可能なように、容器とノズルとを相対移動させてもよい。このような構成により、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内でノズルがクリーニングされてもよい。このノズルのクリーニング方法は、液体金属とノズルとを接触させることと、液体金属とノズルとを離間させることと、を含んでもよい。
【０１０６】
以上のような構成により、液体金属とノズルとを接触させることにより、ノズルに付着していたターゲット物質のほとんどが液体金属に融解し得る。その後、液体金属とノズルとを離間させることで、ノズルに付着していたターゲット物質が物理的に除去され、ノズルがクリーニングされ得る。
【０１０７】
このように、ノズルと液体金属とを接触させることによって、ノズル孔周縁に付着していたターゲット物質が除去され得るため、ノズルの損傷が抑制され得る。
【０１０８】
上述のように、ノズルとクリーニング部材とを接触させなくても、ノズルからターゲット物質を所定量出力させた後に、クリーニング部材をノズルに接近させることで、ノズル先端部に付着したターゲット物質がクリーニング部材に付着して除去され得る。このため、ノズルの損傷が抑制され得る。
【０１０９】
また、本開示の第４の実施形態によれば、液体金属は、ノズルから出力されるターゲット物質と同種の物質であってもよい。この場合、クリーニング機構は、温度調整部を更に備えていてもよい。温度調整部は、容器に貯留された物質を、当該物質の融点以上の温度に調節するよう構成されてもよい。
【０１１０】
このような構成を用いて、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内でノズルをクリーニングする方法は、容器内の物質とノズルとを接触させることと、容器内の物質の温度を当該物質の融点以上の温度に調節することと、容器内の物質とノズルとを離間させることと、を含んでもよい。
【０１１１】
以上のような構成により、ノズルに付着していたターゲット物質のほとんどが、容器内の物質に取り込まれ、ノズルがクリーニングされ得る。
【０１１２】
あるいは、ターゲット物質とは異なる液体金属でノズルをクリーニングするよう構成されてもよい。この場合、ノズル先端部に付着したターゲット物質が除去され得る一方で、当該ターゲット物質と液体金属との反応物が容器内に蓄積され得る。これに対して、ノズルに付着したターゲット物質と同種の物質をノズルに接触させることで、上記のような反応物が容器内に蓄積されるのが抑制され得る。
【０１１３】
なお、本開示の第４実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するように設定された場合を図１４Ａから図１４Ｄを参照に例示する。以下の動作の説明においては、クリーニング時の動作について説明し、ＥＵＶ光生成時の動作についての説明を省略する。
【０１１４】
５．５．２ 構成
図１２は、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１Ｃは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ｃと、クリーニング機構９Ｃとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｃは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ｃとを備えてもよい。
【０１１５】
クリーニング機構９Ｃは、接近移動機構としての駆動機構９１Ａと、保持部９２Ｃと、温度調節部としての第２温度調節部９４Ａとを備えてもよい。また、圧力調整器７２は、クリーニング機構９Ｃを構成する出力制御部として機能するよう構成されてもよい。保持部９２Ｃは、ポール９２１Ａと、絶縁部材９２２Ａと、容器９２３Ｃとを備えてもよい。容器９２３Ｃには、液体金属であるクリーニング用物質９３Ｃが貯留されてもよい。このクリーニング用物質９３Ｃは、ノズル７１２から出力されるターゲット物質２７０と同種の物質でもよい。
【０１１６】
５．５．３ 動作
５．５．３．１ クリーニング時
図１３は、第４実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。図１４Ａは、第４実施形態に係る容器がノズルに対向していない状態を示す。図１４Ｂは、第４実施形態に係る容器が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。図１４Ｃは、第４実施形態に係る容器内のクリーニング用物質とノズルとが接触している状態を示す。図１４Ｄは、第４実施形態に係る容器がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【０１１７】
チャンバ２内の圧力が大気圧よりも低い状態において、ＥＵＶ光生成装置１Ｃでは、まず、図１３に示すようなステップＳ１の処理が行われてもよい。ステップＳ１においては、図１４Ａに示すように、容器９２３Ｃ内に、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０と同様の物質がクリーニング用物質９３Ｃとして貯留されていてもよい。この際、容器９２３Ｃは、ノズル７１２よりも、−Ｘ方向側に位置していてもよい。容器９２３Ｃ内のクリーニング用物質９３Ｃの温度は、当該クリーニング用物質９３Ｃの融点未満の温度であってもよい。クリーニング用物質９３Ｃの温度が当該クリーニング用物質９３Ｃの融点未満の温度である場合には、クリーニング用物質９３Ｃは、固体の状態で容器９２３Ｃに収容されていてもよい。
【０１１８】
次いで、ターゲット制御装置８０Ｃは、第２温度コントローラ９４４Ａに信号を送信するよう構成されてもよい。これにより、図１３に示すように、容器９２３Ｃの温度がクリーニング用物質９３Ｃの融点以上の温度となるように、容器９２３Ｃが加熱され得る（ステップＳ４１）。容器９２３Ｃが加熱されることによって、クリーニング用物質９３Ｃの温度が当該クリーニング用物質９３Ｃの融点以上の温度に上昇し、クリーニング用物質９３Ｃが固体から液体に変化し得る。その後、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１３および図１４Ｂに示すように、所定の間隔を開けて容器９２３Ｃと先端部７１３とを対向させるよう構成されてもよい（ステップＳ４２）。
【０１１９】
次に、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１３および図１４Ｃに示すように、容器９２３Ｃ内のクリーニング用物質９３Ｃの液面をノズル７１２の先端部７１３に接触させるよう構成されてもよい（ステップＳ４３）。このとき、容器９２３Ｃを＋Ｚ方向に移動させることで、クリーニング用物質９３Ｃと先端部７１３とが接触し得る。クリーニング用物質９３Ｃと先端部７１３とが接触することによって、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０がクリーニング用物質９３Ｃに取り込まれ得る。ここで、クリーニング用物質９３Ｃとターゲット物質２７０とが同様の物質である場合、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０は、先端部７１３から容器９２３Ｃ内に取り込まれ得る。
【０１２０】
その後、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１３および図１４Ｄに示すように、容器９２３Ｃを−Ｚ方向に移動させて、所定の間隔を開けて容器９２３Ｃとノズル７１２とを対向させるよう構成されてもよい（ステップＳ４４）。容器９２３Ｃとノズル７１２とを所定の間隔を開けて対向させることによって、先端部７１３に付着していたターゲット物質２７０が容器９２３Ｃ内に取り込まれ、先端部７１３からターゲット物質２７０が除去され得る。
【０１２１】
次に、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１３に示すように、ステップＳ７の処理を行い、クリーニングを終了しない場合には、ステップＳ４３の処理を行うよう構成されてもよい。一方で、クリーニングを終了する場合には、容器９２３Ｃの加熱を停止するよう構成されてもよい（ステップＳ４５）。
【０１２２】
その後、ターゲット制御装置８０Ｃは、容器９２３Ｃを、例えば図１４Ａに示す位置に退避させるよう構成されてもよい（ステップＳ４６）。この後、ターゲット制御装置８０Ｃは、ＥＵＶ光生成制御システム５にクリーニング完了信号を送信して、クリーニングを終了してもよい（ステップＳ１０）。
【０１２３】
上述のように、容器９２３Ｃに収容された液体金属とノズル７１２とを接触させた後に、液体金属とノズル７１２とを離間させるよう構成されてもよい。このような構成によって、ノズル７１２に付着していたターゲット物質２７０が液体金属に溶解し、容器９２３Ｃ内に取り込まれ得る。ターゲット物質２７０が液体金属に取り込まれることによって、ノズル７１２に付着していたターゲット物質２７０が物理的に除去され、ノズル７１２がクリーニングされ得る。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致する場合のみならず、重力方向１０Ｂに対して多少斜めの場合であっても、ノズル７１２に付着したターゲット物質２７０が容器９２３Ｃ内に取り込まれ得る。
【０１２４】
液体金属として、ノズル７１２から出力されるターゲット物質２７０と同種の物質が、クリーニング用物質９３Ｃとして適用されてもよい。これにより、クリーニング用物質９３Ｃとターゲット物質２７０との反応物の生成が抑制され、容器９２３Ｃ内への反応物の蓄積が抑制され得る。
【０１２５】
クリーニング用物質９３Ｃの液面とノズル７１２とが接触することによって、ノズル７１２がクリーニングされ得る。このような構成によれば、ノズル７１２を固体に接触させないので、ノズル７１２の損傷が抑制され得る。
【０１２６】
なお、駆動機構９１Ａは、容器９２３Ｃとノズル７１２との両方を移動させることで、または、ノズル７１２のみを移動させることで、クリーニング用物質９３Ｃとノズル７１２とを接触させるよう構成されてもよい。また、ステップＳ７の処理を行わずに、ステップＳ４４の処理の後にステップＳ４５の処理を行うよう構成されてもよい。さらに、液体金属としては、ターゲット物質２７０とは異種の物質が適用しされてもよい。
【０１２７】
５．６ 第５実施形態
５．６．１ 概略
本開示の第５実施形態によれば、オンデマンド方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置、あるいは、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置に、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内においてターゲット物質が付着したノズルをクリーニングするためのクリーニング機構が設けられてもよい。上述のクリーニング機構によって、ノズル孔周縁がクリーニングされることで、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減され、ターゲット物質の出力方向の安定性が向上し得る。
【０１２８】
なお、本開示の第５実施形態では、図４に示すターゲット供給装置７Ａにおいて、ターゲット生成部７０Ａの代わりにターゲット生成部７０Ｄが設けられるとともに、ターゲット制御装置８０Ａの代わりにターゲット制御装置８０Ｄが設けられたターゲット供給装置７Ｄを例示する。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するように設定された場合を例示する。クリーニング方法としては、上述の第１実施形態に係る方法が適用されてもよい。
【０１２９】
５．６．２ 構成
図１５は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、オンデマンド方式でドロップレットが生成される状態を示す。図１６は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成される状態を示す。
【０１３０】
ＥＵＶ光生成装置１Ｄは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ｄと、クリーニング機構９Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｄのターゲット生成部７０Ｄは、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２と、第１温度調節部７３Ａと、ピエゾ押出部７４Ｄとを備えてもよい。ピエゾ押出部７４Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄと、ピエゾ素子電源７４２Ｄとを備えてもよい。ピエゾ素子７４１Ｄは、チャンバ２内において、ノズル７１２の外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７４１Ｄの代わりに、高速でノズル７１２に押圧力を加えることが可能な機構が設けられてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ｄは、チャンバ２の壁部に設けられた第３導入端子７４３Ｄを介して、ピエゾ素子７４１Ｄに接続されてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ｄは、ターゲット制御装置８０Ｄに接続されてもよい。
【０１３１】
５．６．３ 動作
５．６．３．１ ＥＵＶ光生成時
ＥＵＶ光生成時には、ターゲット制御装置８０Ｄは、圧力調整器７２に信号を送信して、タンク７１１内の圧力を所定の圧力に調節するよう構成されてもよい。この所定の圧力とは、ノズル孔７１４にターゲット物質２７０によるメニスカス面が形成される程度の圧力でよく、この状態ではドロップレット２７２は出力されなくともよい。
【０１３２】
その後、ターゲット制御装置８０Ｄは、図１５に示すように、オンデマンド方式でドロップレット２７２を生成するためのドロップレット生成信号１２Ｄをピエゾ素子電源７４２Ｄに送信するよう構成されてもよい。ドロップレット生成信号１２Ｄを受信したピエゾ素子電源７４２Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄに対して所定のパルス状の電力を供給するよう構成されてもよい。電力の供給を受けたピエゾ素子７４１Ｄは、電力の供給タイミングに合わせて変形し得る。これにより、ノズル７１２が高速で押圧され、ドロップレット２７２が出力され得る。タンク７１１内が所定の圧力に維持されていれば、電力供給のタイミングに合わせてドロップレット２７２が出力され得る。
【０１３３】
ターゲット制御装置８０Ｄは、図１６に示すように、コンティニュアスジェット方式でジェット２７３を生成するよう、タンク７１１内の圧力を調節するよう構成されてもよい。このときのタンク７１１内の圧力は上述の所定の圧力よりも高い圧力であってもよい。あるいは、ターゲット制御装置８０Ｄは、ドロップレット２７２を生成するための振動信号１３Ｄをピエゾ素子電源７４２Ｄに送信するよう構成されてもよい。振動信号１３Ｄを受信したピエゾ素子電源７４２Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄに対して当該ピエゾ素子７４１Ｄを振動させるための電力を供給するよう構成されてもよい。電力の供給を受けたピエゾ素子７４１Ｄは、ノズル７１２を高速で振動させ得る。これにより、ジェット２７３は、一定周期で分断され、ドロップレット２７２として出力され得る。そして、このように出力されたドロップレット２７２にパルスレーザ光が照射されることで、ＥＵＶ光が生成されてもよい。
【０１３４】
上述のように、ターゲット供給装置７Ｄにおいて、オンデマンド方式またはコンティニュアスジェット方式でドロップレット２７２が生成される場合でも、クリーニング機構９Ａは、大気圧よりも低い圧力のチャンバ２内で、ノズル孔７１４周縁をクリーニングするよう構成され得る。これにより、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減され、ドロップレット２７２の出力方向の安定性が向上し得る。なお、クリーニング方法としては、第２〜第４実施形態で示した方法が適用されてもよい。
【０１３５】
５．７ 第６実施形態
５．７．１ 概略
本開示の第６実施形態によれば、静電引出方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置に、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内においてターゲット物質が付着したノズルをクリーニングするためのクリーニング機構が設けられてもよい。上述のクリーニング機構によって、ノズル孔周縁がクリーニングされることで、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減され、ターゲット物質の出力方向の安定性が向上し得る。なお、本開示の第６実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するように設定された場合を例示する。
【０１３６】
５．７．２ 構成
図１７は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図１８は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の要部を拡大して示す。ＥＵＶ光生成装置１Ｅは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ｅと、クリーニング機構９Ｅとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｅは、ターゲット生成部７０Ｅと、ターゲット制御装置８０Ｅとを備えてもよい。ターゲット生成部７０Ｅは、ターゲット生成器７１Ｅと、圧力調整器７２と、第１温度調節部７３Ａと、静電引出部７５Ｅとを備えてもよい。
【０１３７】
ターゲット生成器７１Ｅは、タンク７１１と、ノズル７１２Ｅとを備えてもよい。ノズル７１２Ｅは、ノズル本体７１３Ｅと、先端保持部７１４Ｅと、出力部７１５Ｅとを備えてもよい。ノズル本体７１３Ｅは、タンク７１１の下面からチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅの先端に設けられてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅよりも直径が大きい円筒状に形成されてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅとは別体として構成され、ノズル本体７１３Ｅに固定されてもよい。
【０１３８】
出力部７１５Ｅは、略円板状に形成されてもよい。出力部７１５Ｅは、ノズル本体７１３Ｅの先端面に密着するように、先端保持部７１４Ｅによって保持されてもよい。出力部７１５Ｅの中央部分には、チャンバ２内に突出する円錐台状の突出部７１６Ｅが設けられてもよい。突出部７１６Ｅは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部７１６Ｅには、突出部７１６Ｅにおける円錐台上面部を構成する先端部７１７Ｅの略中央部に開口するノズル孔７１８Ｅが設けられてもよい。出力部７１５Ｅは、出力部７１５Ｅに対するターゲット物質２７０の濡れ性が低い材料で構成されるのが好ましい。出力部７１５Ｅが、出力部７１５Ｅに対するターゲット物質２７０の濡れ性が低い材料で構成されていない場合には、出力部７１５Ｅの少なくとも表面が、当該濡れ性が低い材料でコーティングされてもよい。
【０１３９】
タンク７１１と、ノズル７１２Ｅと、出力部７１５Ｅとは、電気絶縁材料で構成されてもよい。これらが、電気絶縁材料ではない材料、例えばモリブデンなどの金属材料で構成される場合には、チャンバ２とターゲット生成器７１Ｅとの間や、出力部７１５Ｅと後述する引出電極７５１Ｅとの間に電気絶縁材料が配置されてもよい。この場合、タンク７１１と後述するパルス電圧生成器７５３Ｅとが電気的に接続されてもよい。
【０１４０】
静電引出部７５Ｅは、引出電極７５１Ｅと、電極７５２Ｅと、パルス電圧生成器７５３Ｅとを備えてもよい。引出電極７５１Ｅは、略円板状に構成されてもよい。引出電極７５１Ｅの中央には、ドロップレットが通過するための円形状の貫通孔７５４Ｅが形成されてもよい。引出電極７５１Ｅは、出力部７１５Ｅとの間に隙間が形成されるように、先端保持部７１４Ｅによって保持されてもよい。引出電極７５１Ｅは、貫通孔７５４Ｅの中心軸と、円錐台状の突出部７１６Ｅの回転対称軸とが一致するように保持されるのが好ましい。引出電極７５１Ｅは、第４導入端子７５５Ｅを介してパルス電圧生成器７５３Ｅに接続されてもよい。
【０１４１】
電極７５２Ｅは、タンク７１１内のターゲット物質２７０中に配置されてもよい。電極７５２Ｅは、フィードスルー７５６Ｅを介してパルス電圧生成器７５３Ｅに接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３Ｅは、ターゲット制御装置８０Ｅに接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３Ｅは、タンク７１１内のターゲット物質２７０と引出電極７５１Ｅとの間に電圧を印加するよう構成されてもよい。これにより、ターゲット物質２７０が静電気力によってドロップレットの形状で引き出され得る。
【０１４２】
クリーニング機構９Ｅは、駆動機構９１Ａと、保持部９２Ｅと、クリーニング部材９３Ａと、第２温度調節部９４Ｅとを備えてもよい。保持部９２Ｅは、ポール９２１Ａと、絶縁部材９２２Ａと、ホルダ９２３Ｅとを備えてもよい。ホルダ９２３Ｅは、伝熱性を有する材料により、その直径が貫通孔７５４Ｅの内径よりも小さい略円柱状に構成されてもよい。ホルダ９２３Ｅの先端には、凹部９２４Ｅが設けられてもよい。凹部９２４Ｅの開口底面は、その直径が突出部７１６Ｅの先端部７１７Ｅの外径よりも大きい円形に構成されてもよい。あるいは、凹部９２４Ｅの開口底面は、先端部７１７Ｅの外径よりも大きければ、円形に構成されなくともよい。凹部９２４Ｅには、当該凹部９２４Ｅの底面を覆うようにクリーニング部材９３Ａが設けられてもよい。クリーニング部材９３Ａは、突出部７１６Ｅの少なくとも先端部７１７Ｅよりも、ターゲット物質２７０との濡れ性が高い材料で構成されるのが好ましい。また、クリーニング部材９３Ａは、先端部７１７Ｅに接触したときに、ノズル孔７１８Ｅ周縁に付着しているターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着するように、その直径が先端部７１７Ｅの外径よりも大きい円形に構成されてもよい。あるいは、クリーニング部材９３Ａは、先端部７１７Ｅの外径よりも大きければ、その外形は円形ではなくともよい。すなわち、クリーニング部材９３Ａは、クリーニング部材９３Ａによってノズル７１２Ｅがクリーニングされ得るように構成されてもよい。
【０１４３】
凹部９２４Ｅにクリーニング部材９３Ａを設けずに、ホルダ９２３Ｅを凹部９２４Ｅ内にターゲット物質を貯留する容器として機能させてもよい。また、ホルダ９２３Ｅは、引出電極７５１Ｅに接触せず、かつ、クリーニング部材９３Ａを先端部７１７Ｅに接触させることが可能なように構成されてもよい。
【０１４４】
第２温度調節部９４Ｅは、第２ヒータ９４１Ｅと、第２ヒータ電源９４２Ａと、第２温度センサ９４３Ａと、第２温度コントローラ９４４Ａと、第２導入端子９４５Ａとを備えてもよい。第２ヒータ９４１Ｅは、ホルダ９２３Ｅの外周面を覆うように設けられてもよい。第２温度センサ９４３Ａは、ホルダ９２３Ｅの外周面に設けられてもよい。
【０１４５】
５．７．３ 動作
５．７．３．１ クリーニング時
図１９は、第６の実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。図２０Ａは、第６実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。図２０Ｂは、第６実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。図２０Ｃは、第６実施形態に係るクリーニング部材とノズルとが接触している状態を示す。図２０Ｄは、第６実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【０１４６】
チャンバ２内の圧力が大気圧よりも低い状態において、ＥＵＶ光生成装置１Ｅでは、図１９に示すように、ステップＳ１〜Ｓ４，Ｓ６〜Ｓ１０の処理が行われてもよい。ステップＳ１〜Ｓ４，Ｓ６〜Ｓ１０の処理は、第１実施形態と同様の内容でもよい。具体的には、ＥＵＶ光生成装置１Ｅでは、ステップＳ１およびステップＳ２において、図２０Ａに示すように、クリーニング部材９３Ａを、ノズル７１２Ｅよりも、−Ｘ方向側に位置させてもよい。
【０１４７】
ターゲット制御装置８０Ｅは、ステップＳ３において、図２０Ｂに示すように、所定の間隔を開けてクリーニング部材９３Ａと先端部７１７Ｅとを対向させるよう構成されてもよい。このとき、ターゲット制御装置８０Ｅは、貫通孔７５４Ｅの中心軸と略円柱状のホルダ９２３Ｅの回転対称軸とが一致するように、クリーニング機構９Ｅを制御するよう構成されてもよい。
【０１４８】
その後、ターゲット制御装置８０Ｅは、ステップＳ４において、図２０Ｃに示すように、クリーニング部材９３Ａを先端部７１７Ｅに接触させるよう構成されてもよい。このとき、ターゲット制御装置８０Ｅは、ホルダ９２３Ｅが貫通孔７５４Ｅに挿入されるように、クリーニング機構９Ｅを制御するよう構成されてもよい。このように、クリーニング部材９３Ａと先端部７１７Ｅとを接触させることによって、ノズル孔７１８Ｅ周縁に付着していたターゲット物質２７０をクリーニング部材９３Ａに付着させてもよい。
【０１４９】
その後、ターゲット制御装置８０Ｅは、ステップＳ６において、図２０Ｄに示すように、ホルダ９２３Ｅを−Ｚ方向に移動させることで、所定の間隔を開けてクリーニング部材９３Ａと先端部７１７Ｅとを対向させるよう構成されてもよい。このときのクリーニング部材９３Ａと先端部７１７Ｅとの間隔は、図２０Ｂに示す際の間隔と同じでもよいし、異なってもよい。クリーニング部材９３Ａと先端部７１７Ｅとを離間させることによって、先端部７１７Ｅに付着していたターゲット物質２７０のほとんどがクリーニング部材９３Ａに付着し、先端部７１７Ｅからターゲット物質２７０が除去され得る。
【０１５０】
上述のように、いわゆる静電引出型のターゲット供給装置７Ｅによってドロップレットが生成される場合であっても、クリーニング機構９Ｅは、大気圧よりも低い圧力のチャンバ２内において、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２Ｅとを接触させることにより、ノズル孔７１８Ｅ周縁をクリーニングすることで、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減され、ターゲット物質の出力方向の安定性が向上し得る。
【０１５１】
また、クリーニング部材９３Ａを＋Ｚ方向に移動させて先端部７１７Ｅに接触させた後に、クリーニング部材９３Ａを−Ｚ方向に移動させて先端部７１７Ｅから離間させることで、クリーニングが行われてもよい。ここで、クリーニング部材９３Ａを先端部７１７Ｅに接触させた後にＸ軸方向に往復移動させると、クリーニング性が向上され得る。しかし、円錐台状の突出部７１６Ｅは物理的接触に弱い形状および構成となることが多く、クリーニング部材９３ＡをＸ軸方向へ往復移動させることよって、ノズル孔７１８Ｅの変形が生じる可能性が高い。クリーニング部材９３Ａを往復移動させることによって、突出部７１６ＥにＸ軸方向への力が作用し、突出部７１６Ｅが損傷し得る。これに対して、クリーニング部材９３ＡをＺ軸方向に往復移動させるだけでクリーニングが行われることで、Ｘ軸方向への力が突出部７１６Ｅに作用する可能性が低減され、突出部７１６Ｅの損傷が抑制され得る。
【０１５２】
なお、クリーニング方法として、第２〜第４実施形態で示した方法を適用して、突出部７１６Ｅに作用する力がさらに小さくなるように構成されてもよい。
【０１５３】
５．８ 第７実施形態
５．８．１ 概略
本開示の第７実施形態によれば、静電引出方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置において、ターゲット供給装置が、ノズルを備えるターゲット生成器と、クリーニング機構と、ターゲット生成器とクリーニング機構とを一体化するためのユニット部とによって構成されてもよい。上述のターゲット供給装置において、ノズル孔周縁がクリーニングされることで、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減され、ターゲット物質の出力方向の安定性が向上し得る。
【０１５４】
ターゲット生成器をチャンバに配置しない状態であっても、ターゲット生成器に対するクリーニング機構の位置決めや位置調整、または、動作チェックが行われ得る。また、ターゲット生成器のメンテナンス時や交換時に、クリーニング機構のメンテナンスや交換が行われ得る。
【０１５５】
なお、本開示の第７実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するように設定された場合を例示する。また、第７実施形態では、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｅに、ユニット部としてのプレート１００Ｆが追加された構成を例示する。以下においては、構成のみを説明し、クリーニング時の動作については、第６実施形態と同様のため、重複する説明を省略する。
【０１５６】
５．８．２ 構成
図２１は、第７実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１Ｆは、チャンバ２Ｆと、ターゲット供給装置７Ｆとを備えてもよい。チャンバ２Ｆは、プレート１００Ｆで閉塞可能な大きさの開口部２０Ｆを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｆは、ターゲット生成部７０Ｅと、ターゲット制御装置８０Ｅと、クリーニング機構９Ｅと、プレート１００Ｆとを備えてもよい。
【０１５７】
プレート１００Ｆには、タンク７１１が当該プレート１００Ｆの一面（図２１中＋Ｚ方向）に位置し、かつ、ノズル７１２Ｅが当該プレート１００Ｆを貫通するように、ターゲット生成器７１Ｅが固定されてもよい。プレート１００Ｆには、ターゲット生成器７１Ｅとの接合部に図示しない気密シール部が設けられてもよい。また、プレート１００Ｆの他面（図２１中−Ｚ方向）には、クリーニング機構９Ｅの駆動機構９１Ａが固定されてもよい。さらに、プレート１００Ｆには、第１導入端子９１５Ａと、第２導入端子９４５Ａと、第４導入端子７５５Ｅとが当該プレート１００Ｆを貫通するように固定されてもよい。ターゲット生成器７１Ｅとクリーニング機構９Ｅとが固定されたプレート１００Ｆは、開口部２０Ｆを閉塞するようにチャンバ２Ｆに固定されてもよい。また、プレート１００Ｆと開口部２０Ｆとの間には、チャンバ２Ｆを密閉するための図示しない気密シール部が設けられてもよい。
【０１５８】
上述のように構成されるターゲット供給装置７Ｆは、第６実施形態におけるターゲット供給装置７Ｅと同様の機能を果たし得る。また、ターゲット生成器７１Ｅと、クリーニング機構９Ｅとがプレート１００Ｆで一体化されてもよい。これにより、ターゲット生成器７１Ｅがチャンバ２Ｆに配置されない状態、例えば、図示しない調整スタンド等にターゲット生成器７１Ｅが配置されて、ターゲット生成器７１Ｅに対するクリーニング機構９Ｆの位置決めや動作チェックが行われ得る。さらに、ターゲット生成器７１Ｅのメンテナンス時や交換時に、クリーニング機構９Ｆのメンテナンスや交換が行われ得る。
【符号の説明】
【０１５９】
２，２Ｆ…チャンバ、７Ｆ…ターゲット供給装置、９，９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｅ，９Ｆ…クリーニング機構、７２…出力調整部としても機能し得る圧力調整器、９１Ａ…接触移動機構または接近移動機構としても機能し得る駆動機構、９３，９３Ａ…クリーニング部材、９３Ｃ…液体金属であるクリーニング用物質、９４Ａ，９４Ｅ…温度調節部としての第２温度調節部、１００Ｆ…ユニット部としてのプレート、２７０…ターゲット物質、７１２，７１２Ｅ…ノズル、９２３Ｃ…容器。
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置におけるターゲット供給装置、そのノズルのクリーニング機構、および、そのノズルのクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４０５４１６号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるクリーニング機構は、ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルを、チャンバ内で物理的にクリーニングするためのノズルのクリーニング機構でもよい。
【０００６】
本開示の他の態様によるターゲット供給装置は、ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルと、前記チャンバ内で、前記ノズルを物理的にクリーニングするための上述のノズルのクリーニング機構と、前記ノズルと前記クリーニング機構とを一体化するためのユニット部と、を備えてもよい。
【０００７】
本開示のさらに他の態様によるノズルのクリーニング方法は、ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルをクリーニングするための方法であって、大気圧よりも低い圧力の前記チャンバ内で、前記ノズルを物理的にクリーニングすることを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、本開示の各実施形態に係るクリーニング機構が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３Ａ】図３Ａは、液体と固体との接触角が９０°以下の状態を概略的に示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、液体と固体との接触角が９０°を超える状態を概略的に示す。
【図４】図４は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図５】図５は、第１実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。
【図６Ａ】図６Ａは、第１実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、第１実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図６Ｃ】図６Ｃは、第１実施形態に係るクリーニング部材がノズルと接触している状態を示す。
【図６Ｄ】図６Ｄは、第１実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図７】図７は、第２実施形態および第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図８】図８は、第２実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。
【図９Ａ】図９Ａは、第２実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。
【図９Ｂ】図９Ｂは、第２実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図９Ｃ】図９Ｃは、第２実施形態に係るクリーニング部材がノズルに接近している状態を示す。
【図９Ｄ】図９Ｄは、第２実施形態に係り、所定量のターゲット物質が出力された状態を示す。
【図９Ｅ】図９Ｅは、第２実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図１０】図１０は、第３実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。
【図１１Ａ】図１１Ａは、第３実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、第３実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、第３実施形態に係り、所定量のターゲット物質が出力された状態を示す。
【図１１Ｄ】図１１Ｄは、第３実施形態に係るクリーニング部材とノズルとが接近している状態を示す。
【図１１Ｅ】図１１Ｅは、第３実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図１２】図１２は、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図１３】図１３は、第４実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。
【図１４Ａ】図１４Ａは、第４実施形態に係る容器がノズルに対向していない状態を示す。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、第４実施形態に係る容器が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図１４Ｃ】図１４Ｃは、第４実施形態に係る容器内のクリーニング用物質とノズルとが接触している状態を示す。
【図１４Ｄ】図１４Ｄは、第４実施形態に係る容器がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図１５】図１５は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、オンデマンド方式でドロップレットが生成される状態を示す。
【図１６】図１６は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置をおいて、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成される状態を示す。
【図１７】図１７は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図１８】図１８は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の要部を拡大して示す。
【図１９】図１９は、第６実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。
【図２０Ａ】図２０Ａは、第６実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、第６実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図２０Ｃ】図２０Ｃは、第６実施形態に係るクリーニング部材とノズルとが接触している状態を示す。
【図２０Ｄ】図２０Ｄは、第６実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【図２１】図２１は、第７実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【実施形態】
【０００９】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．クリーニング機構を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
３．２ 動作
３．２．１ ＥＵＶ光生成時
３．２．２ クリーニング時
４． 液体金属と固体金属間の接触角
５．ＥＵＶ光生成装置の実施形態
５．１ 用語の説明
５．２ 第１実施形態
５．２．１ 概略
５．２．２ 構成
５．２．３ 動作
５．２．３．１ ＥＵＶ光生成時
５．２．３．２ クリーニング時
５．３ 第２実施形態
５．３．１ 概略
５．３．２ 構成
５．３．３ 動作
５．３．３．１ クリーニング時
５．４ 第３実施形態
５．４．１ 概略
５．４．２ 動作
５．４．２．１ クリーニング時
５．５ 第４実施形態
５．５．１ 概略
５．５．２ 構成
５．５．３ 動作
５．５．３．１ クリーニング時
５．６ 第５実施形態
５．６．１ 概略
５．６．２ 構成
５．６．３ 動作
５．６．３．１ ＥＵＶ光生成時
５．７ 第６実施形態
５．７．１ 概略
５．７．２ 構成
５．７．３ 動作
５．７．３．１ クリーニング時
５．８ 第７実施形態
５．８．１ 概略
５．８．２ 構成
【００１０】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１１】
１．概要
本開示の実施形態においては、ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内で、ノズルを物理的にクリーニングするための機構が設けられている。ここで、ターゲット物質がノズル孔周縁に付着すると、ノズル孔から新たに出力されるターゲット物質がノズル孔周縁に付着したターゲット物質に接触してしまい、ノズルからのターゲット物質の出力方向（ターゲット出力方向と称する）が、曲げられてしまうおそれがある。
【００１２】
上述のクリーニング機構によれば、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内で、ノズル孔周縁が物理的にクリーニングされ得る。このことにより、ノズル孔から新たに出力されるターゲット物質がノズル孔周縁に付着したターゲット物質に接触することが抑制され、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減し、ターゲット物質の出力位置の安定性が向上し得る。また、チャンバを開放せずにノズルがクリーニングされ得るため、チャンバ外の異物がチャンバ内に侵入することが抑制され得る。さらには、チャンバ内のターゲット物質などが、チャンバ外に放出されることが抑制され得る。
【００１３】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１４】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。あるいは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウィンドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１および第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成位置またはその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１５】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５に接続されていてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１７】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１８】
２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
【００１９】
ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００２０】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
【００２１】
３．クリーニング機構を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
図２は、本開示の各実施形態に係るクリーニング機構が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、ターゲット供給装置７と、クリーニング機構９とを備えてもよい。ターゲット供給装置７は、ターゲット生成部７０と、ターゲット制御装置８０とを備えてもよい。
【００２２】
ターゲット生成部７０は、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２とを備えてもよい。ターゲット生成器７１は、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７１１を備えてもよい。タンク７１１は、筒状であってもよい。タンク７１１には、当該タンク７１１内のターゲット物質２７０を、ターゲット物質２７１としてチャンバ２内に出力するためのノズル７１２が設けられていてもよい。ノズル７１２の先端部７１３には、ノズル孔７１４が設けられていてもよい。ターゲット生成器７１は、タンク７１１がチャンバ２外部に位置し、ノズル７１２がチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。圧力調整器７２は、タンク７１１に連結されていてもよい。
【００２３】
チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるターゲット物質２７１の出力方向（ノズル７１２の軸方向（設定出力方向１０Ａ（図６Ａ参照）と称する））は、必ずしも重力方向１０Ｂ（図６Ａ参照）と一致するとは限らない。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ターゲット物質２７１が出力されるよう構成されてもよい。
【００２４】
ターゲット制御装置８０は、ターゲット生成部７０の駆動とクリーニング機構９の駆動とを制御するよう構成されてもよい。
【００２５】
クリーニング機構９は、ノズル７１２のノズル孔７１４周辺に付着したターゲット物質２７０を取り除いて、ノズル７１２をクリーニングするよう構成されてもよい。クリーニング機構９は、クリーニング時には、ノズル７１２をクリーニングするためのクリーニング部材９３をノズル７１２に接触させるか、あるいは、ノズル７１２に接近させるように駆動されてもよい。クリーニング機構９は、チャンバ２内の圧力を変化させることなく、すなわちチャンバ２を密閉状態に維持したまま、クリーニング部材９３を駆動させてもよい。
【００２６】
３．２ 動作
３．２．１ ＥＵＶ光生成時
ＥＵＶ光生成時には、ターゲット制御装置８０は、クリーニング機構９に退避信号を送信し、クリーニング部材９３を実線で示す位置に退避させるよう構成されてもよい。ターゲット制御装置８０は、ＥＵＶ光生成制御システム５からのターゲット生成信号を受信したときに、タンク７１１内の圧力を調節するための信号を圧力調整器７２に送信するよう構成されてもよい。圧力調整器７２は、この信号を受信したときに、タンク７１１内の圧力をターゲット物質２７１が出力され得る圧力に調節するよう構成されてもよい。
【００２７】
ターゲット生成器７１はノズル７１２を介して、ターゲット物質２７１を出力するよう構成されてもよい。出力されたターゲット物質２７１の位置、速度、大きさ、進行方向、所定位置における通過タイミングおよび通過周期、それらの安定性等を示す情報は、ターゲットセンサ４によって検出されてもよい。この検出された情報は、それぞれ信号として、ターゲット制御装置８０を経由してＥＵＶ光生成制御システム５で受信されてもよい。例えば、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット物質２７１の所定位置における通過タイミングを示す信号を受信すると、ターゲット物質２７１がプラズマ生成領域２５に到達したときにターゲット物質２７１にパルスレーザ光３３が照射されるように、レーザ装置３にパルスレーザ光３１の発振トリガを入力するよう構成されてもよい。
【００２８】
レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経由して、パルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過し、チャンバ２内に入射してもよい。チャンバ２内に入射したパルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２を介して、パルスレーザ光３３としてターゲット物質２７１に照射されてもよい。ターゲット物質２７１にパルスレーザ光３３が照射されると、ターゲット物質２７１はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１を含む電磁波が放射される。放射された電磁波のうち少なくともＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射され、ＥＵＶ光２５２として中間焦点２９２に集光され、露光装置６に出力されてもよい。このようにしてＥＵＶ光が生成されて得る。
【００２９】
３．２．２ クリーニング時
ノズル７１２のクリーニング方法は、大気圧よりも低い圧力のチャンバ２内でノズル７１２を物理的にクリーニングすることを含んでもよい。ここで、チャンバ２の圧力が大気圧よりも低い状態とは、ＥＵＶ光生成後にチャンバ２が開放されず、当該チャンバ２内の圧力が、ＥＵＶ光生成時とほぼ同じ状態であることを意味してもよい。
【００３０】
ターゲット生成器７１のノズル７１２のクリーニングは、以下のタイミングで実行されてもよい。
タイミング１：ＥＵＶ光生成装置において、所定時間ＥＵＶ光の生成が行われた後に、所定時間以上ＥＵＶ光の生成が停止された場合。
タイミング２：ターゲット物質が出力される時間が所定時間を越えた場合、または、ターゲット物質がドロップレットの形状で出力される場合には、ドロップレットの出力数が所定値を超えた場合。
タイミング３：ターゲット物質の位置安定性が悪化した場合、または、ターゲット物質の位置ずれが許容範囲を超えた場合。
【００３１】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、上述のタイミング１，２，３を監視／管理して、ターゲット制御装置８０にクリーニング信号を送信するよう構成されてもよい。クリーニングが実行され得るタイミングにおいて、ターゲット制御装置８０は、チャンバ２内の圧力が大気圧よりも低い状態において、クリーニング機構９にクリーニング信号を送信し、ターゲット生成器７１のノズル７１２のクリーニングが実行されるよう構成されてもよい。
【００３２】
クリーニング機構９は、クリーニング信号を受信したときに、クリーニング部材９３を二点鎖線で示す位置に移動させ、ノズル７１２に接触させるか、あるいは、ノズル７１２に接近させることで、ターゲット物質２７０が付着したノズル７１２が物理的にクリーニングされるよう構成されてもよい。
【００３３】
上述のように、クリーニング機構９は、大気圧よりも低い圧力のチャンバ２内で、クリーニング部材９３によって、ノズル７１２が物理的にクリーニンされるようする構成されてもよい。これにより、ノズル７１２からクリーニング後に出力されるターゲット物質２７１が、ノズル孔７１４周縁に付着したターゲット物質２７０に接触することが抑制され、ターゲット物質２７１の出力方向が曲げられる可能性が低減され、ターゲット物質２７１の出力位置の安定性が向上し得る。
【００３４】
また、チャンバ２を開放することなくノズル７１２がクリーニングされ得るため、チャンバ２外の異物がチャンバ２内に侵入したり、チャンバ２内のターゲット物質２７１などがチャンバ２外に放出されたりすることが抑制され得る。さらには、チャンバ２を開放することにより、チャンバ２内の圧力がクリーニングに先立って大気圧まで上がってしまった際、クリーニング後に、ＥＵＶ光生成時の圧力まで下げる動作が不要となる可能性があり、ＥＵＶ光生成再開までの時間が短縮され得る。
【００３５】
４． 液体金属と固体金属間の接触角
図３Ａは、液体と固体との接触角が９０°以下の状態を概略的に示す。図３Ｂは、液体と固体との接触角が９０°を超える状態を概略的に示す。一般に、液体と固体との間の濡れやすさは、接触角で評価され得る。接触角とは、液滴７０１の固体表面接触部における接線と固体表面７０２とのなす角度である。図３Ａに示すように、接触角が０°以上、９０°以下の場合は、浸漬濡れであり、液体が浸漬していつかは固体表面を覆い得る。一方、図３Ｂに示すように、接触角が９０°を超える場合は、付着濡れであり、濡れが進行しないまま、ある程度液滴形状が維持され得る。
【００３６】
液体金属と接触することによって固体金属が溶解しない場合の液体金属と固体金属との間の接触角に関しては、以下の式（１）で得られる値と、実験値とが、ある程度一致することが知られている。
１−ｃｏｓθ＝０．３６（Ｔｘ／Ｔｙ−１）−０．０４ … （１）
θ ：接触角
Ｔｘ：固体金属の融点
Ｔｙ：液体金属の融点
【００３７】
５．ＥＵＶ光生成装置の実施形態
５．１ 用語の説明
以下、図４，７，１２，１５，１６，１７，２１における紙面上方向を＋Ｚ方向と表現し、下方向を−Ｚ方向と表現し、上方向と下方向とをＺ軸方向と表現する場合がある。同様に、図４，７，１２，１５，１６，１７，２１における紙面右方向を＋Ｘ方向と表現し、左方向を−Ｘ方向と表現し、右方向と左方向とをＸ軸方向と表現する場合がある。なお、これらの表現は、重力方向１０Ｂとの関係を表すものではない。また、ターゲット出力停止圧力とは、ノズルからのターゲット物質の出力が停止される圧力を表す。
【００３８】
５．２ 第１実施形態
５．２．１ 概略
本開示の第１実施形態によれば、クリーニング機構は、クリーニング部材と、温度調節部と、接触移動機構とを備えてもよい。クリーニング部材は、ターゲット物質との接触角が、ノズルとターゲット物質との接触角よりも小さい特性を有していてもよい。温度調節部は、クリーニング部材の温度をターゲット物質の融点以上に調節するよう構成されてもよい。接触移動機構は、クリーニング部材とノズルとが接触可能なように、クリーニング部材とノズルとを相対移動させてもよい。
【００３９】
このような構成を用いて、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内でノズルがクリーニングされてもよい。このノズルのクリーニング方法は、クリーニング部材の温度をターゲット物質の融点以上に調節することと、クリーニング部材とノズルとを接触させることと、クリーニング部材とノズルとを離間させることと、を含んでもよい。
【００４０】
以上のような構成により、クリーニング部材とノズルとを接触させることで、ターゲット物質との濡れ性が比較的低いノズルに付着していたターゲット物質のほとんどが、ターゲット物質との濡れ性が比較的高いクリーニング部材に付着し得る。そして、ターゲット物質が付着したクリーニング部材をノズルから離間させることで、ノズルに付着していたターゲット物質が物理的に除去され、ノズルがクリーニングされ得る。
【００４１】
５．２．２ 構成
図４は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生装置の一部の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１Ａは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａと、クリーニング機構９Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ａとを備えてもよい。ターゲット生成部７０Ａは、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２と、第１温度調節部７３Ａとを備えてもよい。
【００４２】
タンク７１１に収容されるターゲット物質２７０は、融点が２３２℃のスズ、融点が１３１２℃のガドリニウム、融点が１３５６℃のテルビウム等の金属であってもよい。
【００４３】
ノズル７１２の少なくとも先端部７１３は、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料で構成されるのが好ましい。具体的には、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料とは、ターゲット物質２７０との接触角が９０°を超える材料であり得る。先端部７１３がターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料で構成されていない場合には、少なくとも先端部７１３の表面が、当該濡れ性が低い材料でコーティングされてもよい。
【００４４】
圧力調整器７２には、不活性ガスボンベ７２１Ａが接続されていてもよい。圧力調整器７２は、不活性ガスボンベ７２１Ａから供給される不活性ガスの圧力を制御して、タンク７１１内の圧力を調節するよう構成されてもよい。
【００４５】
第１温度調節部７３Ａは、タンク７１１内のターゲット物質２７０の温度を調節するよう構成されてもよい。第１温度調節部７３Ａは、第１ヒータ７３１Ａと、第１ヒータ電源７３２Ａと、第１温度センサ７３３Ａと、第１温度コントローラ７３４Ａとを備えてもよい。第１ヒータ７３１Ａは、タンク７１１の外周面に設けられてもよい。第１ヒータ電源７３２Ａは、第１ヒータ７３１Ａと第１温度コントローラ７３４Ａとに接続されていてもよい。第１ヒータ電源７３２Ａは、第１温度コントローラ７３４Ａからの信号に基づいて、第１ヒータ７３１Ａに電力を供給して第１ヒータ７３１Ａを発熱させてもよい。それにより、タンク７１１内のターゲット物質２７０が加熱され得る。
【００４６】
第１温度センサ７３３Ａは、タンク７１１の外周面におけるノズル７１２側に設けられてもよいし、タンク７１１内に設けられてもよい。第１温度センサ７３３Ａには、第１温度コントローラ７３４Ａが接続されていてもよい。第１温度センサ７３３Ａは、タンク７１１内のターゲット物質２７０の温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第１温度コントローラ７３４Ａに送信するよう構成されてもよい。第１温度コントローラ７３４Ａは、第１温度センサ７３３Ａからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を判定し、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に調節するための信号を第１ヒータ電源７３２Ａに出力するよう構成されてもよい。
【００４７】
クリーニング機構９Ａは、接触移動機構としての駆動機構９１Ａと、保持部９２Ａと、クリーニング部材９３Ａと、温度調節部としての第２温度調節部９４Ａとを備えてもよい。
駆動機構９１Ａは、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２とが接触可能なように、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２に対して移動させてもよい。駆動機構９１Ａは、チャンバ２内の圧力を変化させることなく、すなわちチャンバ２を密閉状態に維持したまま、クリーニング部材９３Ａを移動させるよう構成されてもよい。駆動機構９１Ａは、ステージ９１１Ａと、Ｚ駆動機構９１２Ａと、Ｘ駆動機構９１３Ａと、ドライバ９１４Ａとを備えてもよい。
【００４８】
ステージ９１１Ａと、Ｚ駆動機構９１２Ａと、Ｘ駆動機構９１３Ａとは、チャンバ２内に設けられてもよい。ステージ９１１Ａは、Ｚ駆動機構９１２ＡによってＺ軸方向に移動可能なように設けられてもよい。Ｚ駆動機構９１２Ａは、Ｘ駆動機構９１３ＡによってＸ軸方向に移動可能なように設けられてもよい。
【００４９】
ドライバ９１４Ａは、チャンバ２外に設けられてもよい。ドライバ９１４Ａは、チャンバ２の壁部に設けられた第１導入端子９１５Ａを介して、Ｚ駆動機構９１２ＡとＸ駆動機構９１３Ａとに接続されていてもよい。
【００５０】
保持部９２Ａは、チャンバ２内においてクリーニング部材９３Ａを保持してもよい。保持部９２Ａは、ポール９２１Ａと、絶縁部材９２２Ａと、ホルダ９２３Ａとを備えてもよい。ポール９２１Ａは、ステージ９１１Ａの下面から−Ｚ方向に延びるように設けられてもよい。絶縁部材９２２Ａは、ポール９２１Ａの先端側から、＋Ｘ方向に延びるように設けられてもよい。ホルダ９２３Ａは、伝熱性が良好な材料により円筒形状に形成されてもよい。ホルダ９２３Ａは、円筒形状の内側においてクリーニング部材９３Ａを保持してもよい。ホルダ９２３Ａは、その外周面が絶縁部材９２２Ａの先端に接続されていてもよい。なお、ホルダ９２３Ａは、多角筒形状に形成されてもよいし、底があってもなくてもよい。
【００５１】
クリーニング部材９３Ａは、ターゲット物質２７０との接触角が、先端部７１３の表面とターゲット物質２７０との接触角よりも小さい材料、すなわちターゲット物質２７０との濡れ性が高い材料で構成されるのが好ましい。クリーニング部材９３Ａは、金属箔、または金属布であってもよいが、接触時に先端部７１３に与えるダメージが低減され得ることから金属箔であることが好ましい。
【００５２】
クリーニング部材９３Ａの材料としては、ターゲット物質２７０がスズの場合には、以下の表１に示すものでもよい。ターゲット物質２７０がガドリニウムの場合には、以下の表２に示すものでもよい。ターゲット物質２７０がテルビウムの場合には、以下の表３に示すものでもよい。これらの表１〜表３に示す材料のうち、クリーニング部材９３Ａの材料としては、比較的軟らかく、かつ、さびにくいなど表面状態が安定しているという観点から、金、アルミニウム、銀、ニッケルなどが好ましい。また、クリーニング部材９３Ａは、表１〜表３に示す材料以外の材料で形成された部材の表面に、表１〜表３に示す材料がコーティングされて構成されてもよい。
【００５３】
【表１】
【００５４】
【表２】
【００５５】
【表３】
【００５６】
第２温度調節部９４Ａは、クリーニング部材９３Ａの温度を調節するよう構成されてもよい。第２温度調節部９４Ａは、第２ヒータ９４１Ａと、第２ヒータ電源９４２Ａと、第２温度センサ９４３Ａと、第２温度コントローラ９４４Ａとを備えてもよい。第２ヒータ９４１Ａは、ホルダ９２３Ａのノズル７１２に対向する側とは反対側に設けられてもよい。第２ヒータ９４１Ａは、薄型のセラミックヒータでもよい。例えば、第２ヒータ９４１Ａは、減圧熱分解ＣＶＤ法で製造された、熱分解窒素ホウ素と熱分解グラファイトとが積層されたセラミックヒータでもよい。第２ヒータ電源９４２Ａは、チャンバ２の壁部に設けられた第２導入端子９４５Ａを介して、第２ヒータ９４１Ａに接続されてもよい。第２ヒータ電源９４２Ａは、第２温度コントローラ９４４Ａに接続されてもよい。第２ヒータ電源９４２Ａは、第２温度コントローラ９４４Ａからの信号に基づいて、第２ヒータ９４１Ａに電力を供給して、第２ヒータ９４１Ａを発熱させてもよい。これにより、クリーニング部材９３Ａは、その下面側から輻射熱によって加熱され得る。あるいは、クリーニング部材９３Ａは、第２ヒータ９４１Ａによりホルダ９２３Ａが加熱されることによる伝熱によって、間接的に加熱されてもよい。
【００５７】
第２温度センサ９４３Ａは、ホルダ９２３Ａの外周面に設けられてもよい。第２温度センサ９４３Ａには、第２導入端子９４５Ａを介して第２温度コントローラ９４４Ａが接続されてもよい。第２温度センサ９４３Ａは、クリーニング部材９３Ａの温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第２温度コントローラ９４４Ａに送信するよう構成されてもよい。第２温度コントローラ９４４Ａは、第２温度センサ９４３Ａからの信号に基づいて、クリーニング部材９３Ａの温度を判定し、クリーニング部材９３Ａの温度を所定温度に調節するための信号を第２ヒータ電源９４２Ａに出力するよう構成されてもよい。
【００５８】
ターゲット制御装置８０Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５と、圧力調整器７２と、第１温度コントローラ７３４Ａと、ドライバ９１４Ａと、第２温度コントローラ９４４Ａとに接続されていてもよい。
【００５９】
５．２．３ 動作
５．２．３．１ ＥＵＶ光生成時
チャンバ２内の圧力がＥＵＶ光を生成可能な圧力に調整された状態において、ターゲット制御装置８０Ａは、第１温度コントローラ７３４Ａに信号を送信するよう構成されてもよい。この信号に基づいて、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０の温度が、当該ターゲット物質２７０の融点以上の温度になるように、第１ヒータ電源７３２Ａが制御されるよう構成されてもよい。ターゲット物質２７０の融点以上の温度は、ターゲット物質２７０がスズの場合には２３２℃以上、ガドリニウムの場合には１３１２℃以上、テルビウムの場合には１３５６℃以上であってもよい。第１温度コントローラ７３４Ａは、第１温度センサ７３３Ａからの信号に基づいて、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０の温度を判定し、ターゲット物質２７０の温度が融点以上となるように、第１ヒータ電源７３２Ａに供給される電力を制御するよう構成されてもよい。
【００６０】
ターゲット制御装置８０Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５からのターゲット生成信号を受信すると、不活性ガスボンベ７２１Ａから供給される不活性ガスの圧力を調節するための圧力調整器７２に信号を送信するよう構成されてもよい。この信号に基づいて、タンク７１１内の圧力が、ターゲット物質２７１が出力され得る圧力に調節されてもよい。すなわち、この信号に基づいて、圧力調整器７２がタンク７１１内の圧力を上昇させると、ノズル７１２を介してターゲット物質２７０がターゲット物質２７１として出力され得る。この場合のターゲット物質２７１の形態は、ジェットであってもよいし、ドロップレットであってもよい。チャンバ２内に出力されたターゲット物質２７１は、パルスレーザ光３３が照射されるとプラズマ化し得る。その結果、ＥＵＶ光２５１が放射され得る。
【００６１】
５．２．３．２ クリーニング時
図５は、第１実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。図６Ａは、第１実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。図６Ｂは、第１実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。図６Ｃは、第１実施形態に係るクリーニング部材がノズルと接触している状態を示す。図６Ｄは、第１実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【００６２】
チャンバ２の圧力が大気圧よりも低い状態において、ターゲット制御装置８０Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５からクリーニング信号を受信すると、図５に示すように、圧力調整器７２に信号を送信して、圧力調整器７２の設定圧力をターゲット出力停止圧力まで下げてもよい（ステップＳ１）。次に、ターゲット制御装置８０Ａが、第２温度コントローラ９４４Ａに信号を送信して、クリーニング部材９３Ａの温度が、ターゲット物質２７０の融点以上の温度となるように、クリーニング部材９３Ａが加熱されてもよい（ステップＳ２）。この信号を受信した第２温度コントローラ９４４Ａは、ホルダ９２３Ａに固定された第２温度センサ９４３Ａでの検出結果に基づいて、第２ヒータ９４１Ａに供給される電力を制御してもよい。これにより、クリーニング部材９３Ａの温度が調節されてもよい。ステップＳ１およびステップＳ２においては、図６Ａに示すように、クリーニング部材９３Ａは、ノズル７１２よりも、−Ｘ方向側に位置していてもよい。
【００６３】
第２温度コントローラ９４４Ａは、第２温度センサ９４３Ａでの検出結果に基づいて、クリーニング部材９３Ａの温度がターゲット物質２７０の融点以上となったことを示す信号をターゲット制御装置８０Ａに送信するよう構成されてもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、ドライバ９１４Ａに信号を送信してもよい。これにより、図５に示すように、ドライバ９１４ＡがＸ駆動機構９１３Ａにより保持部９２Ａを＋Ｘ方向に移動させ、クリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを対向させてもよい（ステップＳ３）。この結果、図６Ｂに示すように、クリーニング部材９３Ａが所定の間隔を開けて先端部７１３と対向するよう構成されてもよい。
【００６４】
次に、ターゲット制御装置８０Ａは、ドライバ９１４Ａに信号を送信してもよい。これにより、図５に示すように、ドライバ９１４ＡがＺ駆動機構９１２Ａを制御して、保持部９２Ａを＋Ｚ方向に移動させ、クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接触させてもよい（ステップＳ４）。この結果、図６Ｃに示すように、クリーニング部材９３Ａが先端部７１３に接触するよう構成されてもよい。
【００６５】
クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接触させることによって、ノズル孔７１４周縁に付着していたターゲット物質２７０をクリーニング部材９３Ａに付着させてもよい。ここで、クリーニング部材９３Ａは、先端部７１３よりも、ターゲット物質２７０との濡れ性が高い材料で構成されているのが好ましい。この場合、ノズル孔７１４周縁に付着していたターゲット物質２７０のほとんどは、より濡れ性が低い先端部７１３からより濡れ性が高いクリーニング部材９３Ａに付着し得る。
【００６６】
この後、ターゲット制御装置８０Ａは、ドライバ９１４Ａを介してＸ駆動機構９１３Ａを制御して、図５に示すように、クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接触させたまま、クリーニング部材９３ＡをＸ軸方向に往復移動させてもよい（ステップＳ５）。なお、クリーニング部材９３Ａを、＋Ｘ方向のみまたは−Ｘ方向のみに移動させてもよい。
【００６７】
次いで、ターゲット制御装置８０Ａは、ドライバ９１４Ａを介してＺ駆動機構９１２Ａを制御して、図５および図６Ｄに示すように、保持部９２Ａを−Ｚ方向に移動させることで、クリーニング部材９３Ａを所定の間隔を開けて先端部７１３と対向させてもよい（ステップＳ６）。このときのクリーニング部材９３Ａと先端部７１３との間隔は、図６Ｂに示す状態における間隔と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００６８】
このように、クリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを離間させることによって、先端部７１３に付着していたターゲット物質２７０のほとんどがクリーニング部材９３Ａに付着し、先端部７１３からターゲット物質２７０が除去され得る。
【００６９】
そして、ターゲット制御装置８０Ａは、図５に示すように、クリーニングを終了するか否かを判断し（ステップＳ７）、終了しないと判断した場合には、ステップＳ４に戻ってもよい。
【００７０】
一方で、ステップＳ７において、ターゲット制御装置８０Ａは、クリーニングを終了すると判断した場合、図５に示すように、第２温度コントローラ９４４Ａに信号を送信して、クリーニング部材９３Ａの加熱を停止してもよい（ステップＳ８）。この信号を受信した第２温度コントローラ９４４Ａは、第２ヒータ電源９４２Ａを制御して、第２ヒータ９４１Ａへの電力供給を停止させることで、クリーニング部材９３Ａの加熱を停止してもよい。
【００７１】
この後、ターゲット制御装置８０Ａは、ドライバ９１４Ａを介してＸ駆動機構９１３Ａを制御して、図５に示すように、クリーニング部材９３Ａを、例えば図６Ａに示す位置に退避させてもよい（ステップＳ９）。その後、ターゲット制御装置８０Ａは、図５に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５にクリーニング完了信号を送信して、クリーニングを終了してもよい（ステップＳ１０）。
【００７２】
上述のように、ターゲット物質２７０との濡れ性がノズル７１２よりも高いクリーニング部材９３Ａを、ターゲット物質２７０の融点以上の温度まで加熱して、ノズル７１２に接触させてもよい。その後、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２から離間させてもよい。このような構成および動作によって、ノズル７１２に付着していたターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａにより物理的に除去され、ノズル７１２がクリーニングされ得る。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致する場合のみならず、重力方向１０Ｂに対して斜めの場合、あるいは、重力方向１０Ｂに対して直交する（水平方向と一致する）場合であっても、ノズル７１２に付着したターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着し、ノズル７１２がクリーニングされ得る。
【００７３】
クリーニング部材９３Ａをノズル７１２に接触させたまま、クリーニング部材９３ＡをＸ軸方向に往復移動させることで、ノズル７１２に対するクリーニング部材９３Ａの接触面積が広くなり得る。これにより、クリーニング部材９３Ａへのターゲット物質２７０の付着量が多くなり得る。
【００７４】
なお、駆動機構９１Ａは、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２との両方を移動させることで、または、ノズル７１２のみを移動させることで、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２とを接触させるよう構成されてもよい。また、ステップＳ７の処理を行わずに、ステップＳ６の処理の後にステップＳ８の処理が行われるよう構成されてもよい。さらには、ステップＳ５の処理が行われないよう構成されてもよい。
【００７５】
５．３ 第２実施形態
５．３．１ 概略
本開示の第２実施形態によれば、クリーニング機構は、クリーニング部材と、温度調節部と、接近移動機構と、出力調整部とを備えてもよい。クリーニング部材は、ターゲット物質との接触角が、ノズルとターゲット物質との接触角よりも小さい特性を有しているのが好ましい。温度調節部は、クリーニング部材の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節するよう構成されてもよい。接近移動機構は、クリーニング部材とノズルとが接近可能なように、クリーニング部材とノズルとを相対移動させるよう構成されてもよい。出力調整部は、ノズルから所定量のターゲット物質を出力させるよう構成されてもよい。
【００７６】
このような構成により、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内でノズルがクリーニングされてもよい。このノズルのクリーニング方法は、クリーニング部材の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、クリーニング部材とノズルとを接近させることと、ノズルから所定量のターゲット物質を出力させることと、クリーニング部材とノズルとを離間させることと、を含んでもよい。
【００７７】
以上のような構成により、クリーニング部材とノズルとを接近させ、ノズルからターゲット物質を所定量出力させることで、ノズルとクリーニング部材との間がターゲット物質で満たされ得る。これによって、ノズルに付着していたターゲット物質のほとんどがノズルとクリーニング部材との間に満たされたターゲット物質に取り込まれ、クリーニング部材に付着し得る。この後、クリーニング部材とノズルとを離間させることで、ノズルに付着していたターゲット物質が物理的に除去され、ノズルがクリーニングされ得る。
【００７８】
ノズルとクリーニング部材とを接触させなくても、クリーニング部材をノズルに接近させて、ノズルからターゲット物質を所定量出力させることで、ノズル孔周縁に付着していたターゲット物質がクリーニング部材に付着して除去され得る。この場合、ノズルとクリーニング部材とを接触させないため、ノズルの損傷が抑制され得る。
【００７９】
なお、本開示の第２実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと直交するように設定された場合を図９Ａから図９Ｅを参照に例示する。また、以下の動作の説明においては、クリーニング時の動作について説明し、ＥＵＶ光生成時の動作についての説明を省略する。
【００８０】
５．３．２ 構成
図７は、第２実施形態および後述する第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１Ｂは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ｂと、クリーニング機構９Ｂとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｂは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ｂとを備えてもよい。
【００８１】
クリーニング機構９Ｂは、接近移動機構としての駆動機構９１Ａと、保持部９２Ａと、温度調節部としての第２温度調節部９４Ａとを備えてもよい。また、圧力調整器７２は、クリーニング機構９Ｂを構成する出力制御部として機能するよう構成されてもよい。駆動機構９１Ａは、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２とが接近可能なように、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２に対して移動させるよう構成されてもよい。
【００８２】
５．３．３ 動作
５．３．３．１ クリーニング時
図８は、第２実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。図９Ａは、第２実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。図９Ｂは、第２実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。図９Ｃは、第２実施形態に係るクリーニング部材がノズルと接近している状態を示す。図９Ｄは、第２実施形態に係り、所定量のターゲット物質が出力された状態を示す。図９Ｅは、第２実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【００８３】
チャンバ２内の圧力が大気圧よりも低い状態において、ＥＵＶ光生成装置１Ｂでは、まず、図８に示すようなステップＳ１およびステップＳ２の処理が行われてもよい。このとき、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２との位置関係は、図９Ａに示すような関係でもよい。その後、ＥＵＶ光生成装置１Ｂは、図８および図９Ｂに示すように、所定の間隔を開けてクリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを対向させるよう構成されてもよい（ステップＳ３）。
【００８４】
ターゲット制御装置８０Ｂは、ドライバ９１４Ａに信号を送信してもよい。これにより、図８に示すように、ドライバ９１４Ａは、保持部９２Ａを＋Ｚ方向に移動させて、クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接近させてもよい。（ステップＳ２１）。この時点では、図９Ｃに示すように、クリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを接近させることによって、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０をクリーニング部材９３Ａに付着させなくてもよい。
【００８５】
この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図８に示すように、圧力調整器７２に信号を送信して、圧力調整器７２の設定圧力をノズル７１２からターゲット物質２７０が所定量出力されるような圧力に制御してもよい（ステップＳ２２）。ターゲット物質２７０を所定量出力させることによって、図９Ｄに示すように、先端部７１３とクリーニング部材９３Ａとの間がターゲット物質２７０で満たされ得る。これにより、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０は、先端部７１３とクリーニング部材９３Ａとの間に満たされたターゲット物質２７０に取り込まれ得る。それにより、ターゲット物質２７０はクリーニング部材９３Ａに付着し得る。その結果、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０のほとんどが、よりターゲット物質２７０との濡れ性が低い先端部７１３からより当該濡れ性が高いクリーニング部材９３Ａに付着し得る。
【００８６】
その後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図８および図９Ｅに示すように、保持部９２Ａを−Ｚ方向に移動させることで、所定の間隔を開けてクリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを対向させてもよい（ステップＳ６）。
【００８７】
このように、クリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを離間させることによって、先端部７１３に付着していたターゲット物質２７０のほとんどがクリーニング部材９３Ａに付着し、先端部７１３からターゲット物質２７０が除去され得る。
【００８８】
この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図８に示すように、ステップＳ７〜ステップＳ１０の処理を行ってもよい。
【００８９】
上述のように、ノズル７１２よりも、ターゲット物質２７０との濡れ性が高いクリーニング部材９３Ａを、ターゲット物質２７０の融点以上の温度まで加熱して、ノズル７１２に接近させるよう構成されてもよい。そして、ノズル７１２からターゲット物質２７０を所定量出力させることでノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとの間がターゲット物質２７０で満たされ、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着し得る。この後、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２から離間させるよう構成されてもよい。
【００９０】
このような構成によって、ノズル７１２に付着しているターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａにより物理的に除去され、ノズル７１２がクリーニングされ得る。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂに対して直交する場合のみならず、重力方向１０Ｂと一致する場合、あるいは、重力方向１０Ｂに対して斜めの場合であっても、ノズル７１２に付着したターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着し、ノズル７１２がクリーニングされ得る。なお、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとの間がターゲット物質２７０で満たされた状態は、ターゲット物質２７０の表面張力によって保持され得る。
【００９１】
以上のように、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとを接触させなくても、クリーニング部材９３Ａにノズル７１２を接近させて、ターゲット物質２７０を所定量出力させることで、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着して除去され得る。この場合、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとを接触させないため、ノズル７１２の損傷が抑制され得る。
【００９２】
５．４ 第３実施形態
５．４．１ 概略
本開示の第３実施形態に係るクリーニング機構は、第２実施形態に係るクリーニング機構と同様に構成されるクリーニング部材と、温度調節部と、接近移動機構と、出力調整部とを備えてもよい。このような構成において、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内でノズルがクリーニングされてもよい。このノズルのクリーニング方法は、クリーニング部材の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、ノズルから所定量のターゲット物質を出力させることと、クリーニング部材とノズルとを接近させることと、クリーニング部材とノズルとを離間させることと、を含んでもよい。
【００９３】
以上のような構成において、ノズルとクリーニング部材とが離間した状態でノズルからターゲット物質を所定量出力させた後に、ノズルとクリーニング部材とを接近させることで、ノズルとクリーニング部材との間がターゲット物質で満たされ得る。これによって、ノズルに付着しているターゲット物質のほとんどがノズルとクリーニング部材との間に満たされたターゲット物質に取り込まれ、クリーニング部材に付着し得る。この後、クリーニング部材とノズルとを離間させることで、ノズルに付着しているターゲット物質が物理的に除去され、ノズルがクリーニングされ得る。
【００９４】
この場合、ノズルとクリーニング部材とを接触させなくても、ノズルからターゲット物質を所定量出力させた後に、クリーニング部材をノズルに接近させることで、ノズル先端部に付着しているターゲット物質がクリーニング部材に付着して除去され得る。このため、ノズルの損傷が抑制され得る。
【００９５】
なお、本開示の第３実施形態では、図７に示すＥＵＶ光生成装置１Ｂにおいて、設定出力方向１０Ａを重力方向１０Ｂに対して斜めに設定した場合を図１１Ａから図１１Ｅを参照に例示する。また、以下の動作の説明においては、クリーニング時の動作について説明し、ＥＵＶ光生成時の動作についての説明を省略する。
【００９６】
５．４．２ 動作
５．４．２．１ クリーニング時
図１０は、第３実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。図１１Ａは、第３実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。図１１Ｂは、第３実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。図１１Ｃは、第３実施形態に係り、所定量のターゲット物質が出力された状態を示す。図１１Ｄは、第３実施形態に係るクリーニング部材がノズルと接近している状態を示す。図１１Ｅは、第３実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【００９７】
チャンバ２内の圧力が大気圧よりも低い状態において、ＥＵＶ光生成装置１Ｂでは、まず、図１０に示すようなステップＳ１〜ステップＳ３の処理が行われてもよい。ステップＳ１およびステップＳ２におけるクリーニング部材９３Ａとノズル７１２との位置関係は、図１１Ａに示すような関係であってもよいし、ステップＳ３においては、図１１Ｂに示すような関係であってもよい。
【００９８】
この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図１０に示すように、圧力調整器７２の設定圧力をノズル７１２からターゲット物質２７０が所定量出力され得る圧力に制御してもよい（ステップＳ３１）。ターゲット物質２７０を所定量出力させることによって、図１１Ｃに示すように、ノズル孔７１４を覆うように、ターゲット物質２７０を先端部７１３に付着させてもよい。
【００９９】
その後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図１０および図１１Ｄに示すように、クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接近させてもよい（ステップＳ３２）。クリーニング部材９３Ａを先端部７１３に接近させることで、ノズル孔７１４を覆っているターゲット物質２７０によって、先端部７１３とクリーニング部材９３Ａとの間が満たされ得る。これにより、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０は、先端部７１３とクリーニング部材９３Ａとの間に満たされたターゲット物質２７０に取り込まれ得る。これにより、ターゲット物質２７０はクリーニング部材９３Ａに付着し得る。その結果、ノズル孔７１４を覆っていたターゲット物質２７０のほとんどは、ターゲット物質２７０に対してより濡れ性が低い先端部７１３からより当該濡れ性が高いクリーニング部材９３Ａに付着し得る。
【０１００】
次いで、ターゲット制御装置８０Ｂは、図１０および図１１Ｅに示すように、所定の間隔を開けてクリーニング部材９３Ａと先端部７１３とを対向させることで（ステップＳ６）、先端部７１３に付着していたターゲット物質２７０のほとんどをクリーニング部材９３Ａに付着し、先端部７１３からターゲット物質２７０が除去され得る。この後、ターゲット制御装置８０Ｂは、図１０に示すように、ステップＳ７〜ステップＳ１０の処理を行ってもよい。
【０１０１】
上述のように、ノズル７１２よりも、ターゲット物質２７０との濡れ性が高いクリーニング部材９３Ａがノズル７１２と離間した状態において、クリーニング部材９３Ａは、ターゲット物質２７０の融点以上の温度に加熱されてもよい。その後、ノズル７１２からターゲット物質２７０を所定量出力させ、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２に接近させてもよい。これにより、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとの間がターゲット物質２７０で満たされ、ノズル孔７１４を覆うようにノズル７１２に付着していたターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着し得る。その後、クリーニング部材９３Ａを先端部７１３から離間させてもよい。
【０１０２】
このような構成によって、ノズル７１２に付着していたターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａにより物理的に除去され、ノズル７１２がクリーニングされ得る。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂに対して斜めの場合のみならず、重力方向１０Ｂと一致する場合、あるいは、重力方向１０Ｂに対して直交する場合であっても、ノズル７１２に付着したターゲット物質２７０をクリーニング部材９３Ａに付着させることによって、ノズル７１２がクリーニングされ得る。なお、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとの間がターゲット物質２７０で満たされた状態は、ターゲット物質２７０の表面張力によって保持され得る。
【０１０３】
上述のように、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとを接触させなくても、ノズル７１２からターゲット物質２７０を所定量出力させた後に、クリーニング部材９３Ａをノズル７１２に接近させることで、ノズル孔７１４を覆っていたターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着し得る。このように、ノズル７１２とクリーニング部材９３Ａとを接触させないため、ノズルの損傷が抑制され得る。
【０１０４】
なお、第２実施形態および第３実施形態において、駆動機構９１Ａは、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２との両方を移動させることで、または、ノズル７１２のみを移動させることで、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２とを接近させるよう構成されてもよい。さらには、ステップＳ７の処理を行わずに、ステップＳ６の処理の後にステップＳ８の処理が行われてもよい。また、ステップＳ２とステップＳ３との順序が入れ替えられてもよい。
【０１０５】
５．５ 第４実施形態
５．５．１ 概略
本開示の第４実施形態によれば、クリーニング機構は、容器と、接触移動機構とを備えてもよい。容器には、金属が液状で貯留されてもよい。接触移動機構は、容器内の液体金属とノズルとが接触可能なように、容器とノズルとを相対移動させてもよい。このような構成により、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内でノズルがクリーニングされてもよい。このノズルのクリーニング方法は、液体金属とノズルとを接触させることと、液体金属とノズルとを離間させることと、を含んでもよい。
【０１０６】
以上のような構成により、液体金属とノズルとを接触させることにより、ノズルに付着していたターゲット物質のほとんどが液体金属に融解し得る。その後、液体金属とノズルとを離間させることで、ノズルに付着していたターゲット物質が物理的に除去され、ノズルがクリーニングされ得る。
【０１０７】
このように、ノズルと液体金属とを接触させることによって、ノズル孔周縁に付着していたターゲット物質が除去され得るため、ノズルの損傷が抑制され得る。
【０１０８】
上述のように、ノズルとクリーニング部材とを接触させなくても、ノズルからターゲット物質を所定量出力させた後に、クリーニング部材をノズルに接近させることで、ノズル先端部に付着したターゲット物質がクリーニング部材に付着して除去され得る。このため、ノズルの損傷が抑制され得る。
【０１０９】
また、本開示の第４の実施形態によれば、液体金属は、ノズルから出力されるターゲット物質と同種の物質であってもよい。この場合、クリーニング機構は、温度調整部を更に備えていてもよい。温度調整部は、容器に貯留された物質を、当該物質の融点以上の温度に調節するよう構成されてもよい。
【０１１０】
このような構成を用いて、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内でノズルをクリーニングする方法は、容器内の物質とノズルとを接触させることと、容器内の物質の温度を当該物質の融点以上の温度に調節することと、容器内の物質とノズルとを離間させることと、を含んでもよい。
【０１１１】
以上のような構成により、ノズルに付着していたターゲット物質のほとんどが、容器内の物質に取り込まれ、ノズルがクリーニングされ得る。
【０１１２】
あるいは、ターゲット物質とは異なる液体金属でノズルをクリーニングするよう構成されてもよい。この場合、ノズル先端部に付着したターゲット物質が除去され得る一方で、当該ターゲット物質と液体金属との反応物が容器内に蓄積され得る。これに対して、ノズルに付着したターゲット物質と同種の物質をノズルに接触させることで、上記のような反応物が容器内に蓄積されるのが抑制され得る。
【０１１３】
なお、本開示の第４実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するように設定された場合を図１４Ａから図１４Ｄを参照に例示する。以下の動作の説明においては、クリーニング時の動作について説明し、ＥＵＶ光生成時の動作についての説明を省略する。
【０１１４】
５．５．２ 構成
図１２は、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１Ｃは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ｃと、クリーニング機構９Ｃとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｃは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ｃとを備えてもよい。
【０１１５】
クリーニング機構９Ｃは、接近移動機構としての駆動機構９１Ａと、保持部９２Ｃと、温度調節部としての第２温度調節部９４Ａとを備えてもよい。また、圧力調整器７２は、クリーニング機構９Ｃを構成する出力制御部として機能するよう構成されてもよい。保持部９２Ｃは、ポール９２１Ａと、絶縁部材９２２Ａと、容器９２３Ｃとを備えてもよい。容器９２３Ｃには、液体金属であるクリーニング用物質９３Ｃが貯留されてもよい。このクリーニング用物質９３Ｃは、ノズル７１２から出力されるターゲット物質２７０と同種の物質でもよい。
【０１１６】
５．５．３ 動作
５．５．３．１ クリーニング時
図１３は、第４実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。図１４Ａは、第４実施形態に係る容器がノズルに対向していない状態を示す。図１４Ｂは、第４実施形態に係る容器が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。図１４Ｃは、第４実施形態に係る容器内のクリーニング用物質とノズルとが接触している状態を示す。図１４Ｄは、第４実施形態に係る容器がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【０１１７】
チャンバ２内の圧力が大気圧よりも低い状態において、ＥＵＶ光生成装置１Ｃでは、まず、図１３に示すようなステップＳ１の処理が行われてもよい。ステップＳ１においては、図１４Ａに示すように、容器９２３Ｃ内に、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０と同様の物質がクリーニング用物質９３Ｃとして貯留されていてもよい。この際、容器９２３Ｃは、ノズル７１２よりも、−Ｘ方向側に位置していてもよい。容器９２３Ｃ内のクリーニング用物質９３Ｃの温度は、当該クリーニング用物質９３Ｃの融点未満の温度であってもよい。クリーニング用物質９３Ｃの温度が当該クリーニング用物質９３Ｃの融点未満の温度である場合には、クリーニング用物質９３Ｃは、固体の状態で容器９２３Ｃに収容されていてもよい。
【０１１８】
次いで、ターゲット制御装置８０Ｃは、第２温度コントローラ９４４Ａに信号を送信するよう構成されてもよい。これにより、図１３に示すように、容器９２３Ｃの温度がクリーニング用物質９３Ｃの融点以上の温度となるように、容器９２３Ｃが加熱され得る（ステップＳ４１）。容器９２３Ｃが加熱されることによって、クリーニング用物質９３Ｃの温度が当該クリーニング用物質９３Ｃの融点以上の温度に上昇し、クリーニング用物質９３Ｃが固体から液体に変化し得る。その後、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１３および図１４Ｂに示すように、所定の間隔を開けて容器９２３Ｃと先端部７１３とを対向させるよう構成されてもよい（ステップＳ４２）。
【０１１９】
次に、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１３および図１４Ｃに示すように、容器９２３Ｃ内のクリーニング用物質９３Ｃの液面をノズル７１２の先端部７１３に接触させるよう構成されてもよい（ステップＳ４３）。このとき、容器９２３Ｃを＋Ｚ方向に移動させることで、クリーニング用物質９３Ｃと先端部７１３とが接触し得る。クリーニング用物質９３Ｃと先端部７１３とが接触することによって、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０がクリーニング用物質９３Ｃに取り込まれ得る。ここで、クリーニング用物質９３Ｃとターゲット物質２７０とが同様の物質である場合、ノズル孔７１４周縁に付着しているターゲット物質２７０は、先端部７１３から容器９２３Ｃ内に取り込まれ得る。
【０１２０】
その後、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１３および図１４Ｄに示すように、容器９２３Ｃを−Ｚ方向に移動させて、所定の間隔を開けて容器９２３Ｃとノズル７１２とを対向させるよう構成されてもよい（ステップＳ４４）。容器９２３Ｃとノズル７１２とを所定の間隔を開けて対向させることによって、先端部７１３に付着していたターゲット物質２７０が容器９２３Ｃ内に取り込まれ、先端部７１３からターゲット物質２７０が除去され得る。
【０１２１】
次に、ターゲット制御装置８０Ｃは、図１３に示すように、ステップＳ７の処理を行い、クリーニングを終了しない場合には、ステップＳ４３の処理を行うよう構成されてもよい。一方で、クリーニングを終了する場合には、容器９２３Ｃの加熱を停止するよう構成されてもよい（ステップＳ４５）。
【０１２２】
その後、ターゲット制御装置８０Ｃは、容器９２３Ｃを、例えば図１４Ａに示す位置に退避させるよう構成されてもよい（ステップＳ４６）。この後、ターゲット制御装置８０Ｃは、ＥＵＶ光生成制御システム５にクリーニング完了信号を送信して、クリーニングを終了してもよい（ステップＳ１０）。
【０１２３】
上述のように、容器９２３Ｃに収容された液体金属とノズル７１２とを接触させた後に、液体金属とノズル７１２とを離間させるよう構成されてもよい。このような構成によって、ノズル７１２に付着していたターゲット物質２７０が液体金属に溶解し、容器９２３Ｃ内に取り込まれ得る。ターゲット物質２７０が液体金属に取り込まれることによって、ノズル７１２に付着していたターゲット物質２７０が物理的に除去され、ノズル７１２がクリーニングされ得る。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致する場合のみならず、重力方向１０Ｂに対して多少斜めの場合であっても、ノズル７１２に付着したターゲット物質２７０が容器９２３Ｃ内に取り込まれ得る。
【０１２４】
液体金属として、ノズル７１２から出力されるターゲット物質２７０と同種の物質が、クリーニング用物質９３Ｃとして適用されてもよい。これにより、クリーニング用物質９３Ｃとターゲット物質２７０との反応物の生成が抑制され、容器９２３Ｃ内への反応物の蓄積が抑制され得る。
【０１２５】
クリーニング用物質９３Ｃの液面とノズル７１２とが接触することによって、ノズル７１２がクリーニングされ得る。このような構成によれば、ノズル７１２を固体に接触させないので、ノズル７１２の損傷が抑制され得る。
【０１２６】
なお、駆動機構９１Ａは、容器９２３Ｃとノズル７１２との両方を移動させることで、または、ノズル７１２のみを移動させることで、クリーニング用物質９３Ｃとノズル７１２とを接触させるよう構成されてもよい。また、ステップＳ７の処理を行わずに、ステップＳ４４の処理の後にステップＳ４５の処理を行うよう構成されてもよい。さらに、液体金属としては、ターゲット物質２７０とは異種の物質が適用しされてもよい。
【０１２７】
５．６ 第５実施形態
５．６．１ 概略
本開示の第５実施形態によれば、オンデマンド方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置、あるいは、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置に、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内においてターゲット物質が付着したノズルをクリーニングするためのクリーニング機構が設けられてもよい。上述のクリーニング機構によって、ノズル孔周縁がクリーニングされることで、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減され、ターゲット物質の出力方向の安定性が向上し得る。
【０１２８】
なお、本開示の第５実施形態では、図４に示すターゲット供給装置７Ａにおいて、ターゲット生成部７０Ａの代わりにターゲット生成部７０Ｄが設けられるとともに、ターゲット制御装置８０Ａの代わりにターゲット制御装置８０Ｄが設けられたターゲット供給装置７Ｄを例示する。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するように設定された場合を例示する。クリーニング方法としては、上述の第１実施形態に係る方法が適用されてもよい。
【０１２９】
５．６．２ 構成
図１５は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、オンデマンド方式でドロップレットが生成される状態を示す。図１６は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成される状態を示す。
【０１３０】
ＥＵＶ光生成装置１Ｄは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ｄと、クリーニング機構９Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｄのターゲット生成部７０Ｄは、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２と、第１温度調節部７３Ａと、ピエゾ押出部７４Ｄとを備えてもよい。ピエゾ押出部７４Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄと、ピエゾ素子電源７４２Ｄとを備えてもよい。ピエゾ素子７４１Ｄは、チャンバ２内において、ノズル７１２の外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７４１Ｄの代わりに、高速でノズル７１２に押圧力を加えることが可能な機構が設けられてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ｄは、チャンバ２の壁部に設けられた第３導入端子７４３Ｄを介して、ピエゾ素子７４１Ｄに接続されてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ｄは、ターゲット制御装置８０Ｄに接続されてもよい。
【０１３１】
５．６．３ 動作
５．６．３．１ ＥＵＶ光生成時
ＥＵＶ光生成時には、ターゲット制御装置８０Ｄは、圧力調整器７２に信号を送信して、タンク７１１内の圧力を所定の圧力に調節するよう構成されてもよい。この所定の圧力とは、ノズル孔７１４にターゲット物質２７０によるメニスカス面が形成される程度の圧力でよく、この状態ではドロップレット２７２は出力されなくともよい。
【０１３２】
その後、ターゲット制御装置８０Ｄは、図１５に示すように、オンデマンド方式でドロップレット２７２を生成するためのドロップレット生成信号１２Ｄをピエゾ素子電源７４２Ｄに送信するよう構成されてもよい。ドロップレット生成信号１２Ｄを受信したピエゾ素子電源７４２Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄに対して所定のパルス状の電力を供給するよう構成されてもよい。電力の供給を受けたピエゾ素子７４１Ｄは、電力の供給タイミングに合わせて変形し得る。これにより、ノズル７１２が高速で押圧され、ドロップレット２７２が出力され得る。タンク７１１内が所定の圧力に維持されていれば、電力供給のタイミングに合わせてドロップレット２７２が出力され得る。
【０１３３】
ターゲット制御装置８０Ｄは、図１６に示すように、コンティニュアスジェット方式でジェット２７３を生成するよう、タンク７１１内の圧力を調節するよう構成されてもよい。このときのタンク７１１内の圧力は上述の所定の圧力よりも高い圧力であってもよい。あるいは、ターゲット制御装置８０Ｄは、ドロップレット２７２を生成するための振動信号１３Ｄをピエゾ素子電源７４２Ｄに送信するよう構成されてもよい。振動信号１３Ｄを受信したピエゾ素子電源７４２Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄに対して当該ピエゾ素子７４１Ｄを振動させるための電力を供給するよう構成されてもよい。電力の供給を受けたピエゾ素子７４１Ｄは、ノズル７１２を高速で振動させ得る。これにより、ジェット２７３は、一定周期で分断され、ドロップレット２７２として出力され得る。そして、このように出力されたドロップレット２７２にパルスレーザ光が照射されることで、ＥＵＶ光が生成されてもよい。
【０１３４】
上述のように、ターゲット供給装置７Ｄにおいて、オンデマンド方式またはコンティニュアスジェット方式でドロップレット２７２が生成される場合でも、クリーニング機構９Ａは、大気圧よりも低い圧力のチャンバ２内で、ノズル孔７１４周縁をクリーニングするよう構成され得る。これにより、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減され、ドロップレット２７２の出力方向の安定性が向上し得る。なお、クリーニング方法としては、第２〜第４実施形態で示した方法が適用されてもよい。
【０１３５】
５．７ 第６実施形態
５．７．１ 概略
本開示の第６実施形態によれば、静電引出方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置に、大気圧よりも低い圧力のチャンバ内においてターゲット物質が付着したノズルをクリーニングするためのクリーニング機構が設けられてもよい。上述のクリーニング機構によって、ノズル孔周縁がクリーニングされることで、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減され、ターゲット物質の出力方向の安定性が向上し得る。なお、本開示の第６実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するように設定された場合を例示する。
【０１３６】
５．７．２ 構成
図１７は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図１８は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の要部を拡大して示す。ＥＵＶ光生成装置１Ｅは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ｅと、クリーニング機構９Ｅとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｅは、ターゲット生成部７０Ｅと、ターゲット制御装置８０Ｅとを備えてもよい。ターゲット生成部７０Ｅは、ターゲット生成器７１Ｅと、圧力調整器７２と、第１温度調節部７３Ａと、静電引出部７５Ｅとを備えてもよい。
【０１３７】
ターゲット生成器７１Ｅは、タンク７１１と、ノズル７１２Ｅとを備えてもよい。ノズル７１２Ｅは、ノズル本体７１３Ｅと、先端保持部７１４Ｅと、出力部７１５Ｅとを備えてもよい。ノズル本体７１３Ｅは、タンク７１１の下面からチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅの先端に設けられてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅよりも直径が大きい円筒状に形成されてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅとは別体として構成され、ノズル本体７１３Ｅに固定されてもよい。
【０１３８】
出力部７１５Ｅは、略円板状に形成されてもよい。出力部７１５Ｅは、ノズル本体７１３Ｅの先端面に密着するように、先端保持部７１４Ｅによって保持されてもよい。出力部７１５Ｅの中央部分には、チャンバ２内に突出する円錐台状の突出部７１６Ｅが設けられてもよい。突出部７１６Ｅは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部７１６Ｅには、突出部７１６Ｅにおける円錐台上面部を構成する先端部７１７Ｅの略中央部に開口するノズル孔７１８Ｅが設けられてもよい。出力部７１５Ｅは、出力部７１５Ｅに対するターゲット物質２７０の濡れ性が低い材料で構成されるのが好ましい。出力部７１５Ｅが、出力部７１５Ｅに対するターゲット物質２７０の濡れ性が低い材料で構成されていない場合には、出力部７１５Ｅの少なくとも表面が、当該濡れ性が低い材料でコーティングされてもよい。
【０１３９】
タンク７１１と、ノズル７１２Ｅと、出力部７１５Ｅとは、電気絶縁材料で構成されてもよい。これらが、電気絶縁材料ではない材料、例えばモリブデンなどの金属材料で構成される場合には、チャンバ２とターゲット生成器７１Ｅとの間や、出力部７１５Ｅと後述する引出電極７５１Ｅとの間に電気絶縁材料が配置されてもよい。この場合、タンク７１１と後述するパルス電圧生成器７５３Ｅとが電気的に接続されてもよい。
【０１４０】
静電引出部７５Ｅは、引出電極７５１Ｅと、電極７５２Ｅと、パルス電圧生成器７５３Ｅとを備えてもよい。引出電極７５１Ｅは、略円板状に構成されてもよい。引出電極７５１Ｅの中央には、ドロップレットが通過するための円形状の貫通孔７５４Ｅが形成されてもよい。引出電極７５１Ｅは、出力部７１５Ｅとの間に隙間が形成されるように、先端保持部７１４Ｅによって保持されてもよい。引出電極７５１Ｅは、貫通孔７５４Ｅの中心軸と、円錐台状の突出部７１６Ｅの回転対称軸とが一致するように保持されるのが好ましい。引出電極７５１Ｅは、第４導入端子７５５Ｅを介してパルス電圧生成器７５３Ｅに接続されてもよい。
【０１４１】
電極７５２Ｅは、タンク７１１内のターゲット物質２７０中に配置されてもよい。電極７５２Ｅは、フィードスルー７５６Ｅを介してパルス電圧生成器７５３Ｅに接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３Ｅは、ターゲット制御装置８０Ｅに接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３Ｅは、タンク７１１内のターゲット物質２７０と引出電極７５１Ｅとの間に電圧を印加するよう構成されてもよい。これにより、ターゲット物質２７０が静電気力によってドロップレットの形状で引き出され得る。
【０１４２】
クリーニング機構９Ｅは、駆動機構９１Ａと、保持部９２Ｅと、クリーニング部材９３Ａと、第２温度調節部９４Ｅとを備えてもよい。保持部９２Ｅは、ポール９２１Ａと、絶縁部材９２２Ａと、ホルダ９２３Ｅとを備えてもよい。ホルダ９２３Ｅは、伝熱性を有する材料により、その直径が貫通孔７５４Ｅの内径よりも小さい略円柱状に構成されてもよい。ホルダ９２３Ｅの先端には、凹部９２４Ｅが設けられてもよい。凹部９２４Ｅの開口底面は、その直径が突出部７１６Ｅの先端部７１７Ｅの外径よりも大きい円形に構成されてもよい。あるいは、凹部９２４Ｅの開口底面は、先端部７１７Ｅの外径よりも大きければ、円形に構成されなくともよい。凹部９２４Ｅには、当該凹部９２４Ｅの底面を覆うようにクリーニング部材９３Ａが設けられてもよい。クリーニング部材９３Ａは、突出部７１６Ｅの少なくとも先端部７１７Ｅよりも、ターゲット物質２７０との濡れ性が高い材料で構成されるのが好ましい。また、クリーニング部材９３Ａは、先端部７１７Ｅに接触したときに、ノズル孔７１８Ｅ周縁に付着しているターゲット物質２７０がクリーニング部材９３Ａに付着するように、その直径が先端部７１７Ｅの外径よりも大きい円形に構成されてもよい。あるいは、クリーニング部材９３Ａは、先端部７１７Ｅの外径よりも大きければ、その外形は円形ではなくともよい。すなわち、クリーニング部材９３Ａは、クリーニング部材９３Ａによってノズル７１２Ｅがクリーニングされ得るように構成されてもよい。
【０１４３】
凹部９２４Ｅにクリーニング部材９３Ａを設けずに、ホルダ９２３Ｅを凹部９２４Ｅ内にターゲット物質を貯留する容器として機能させてもよい。また、ホルダ９２３Ｅは、引出電極７５１Ｅに接触せず、かつ、クリーニング部材９３Ａを先端部７１７Ｅに接触させることが可能なように構成されてもよい。
【０１４４】
第２温度調節部９４Ｅは、第２ヒータ９４１Ｅと、第２ヒータ電源９４２Ａと、第２温度センサ９４３Ａと、第２温度コントローラ９４４Ａと、第２導入端子９４５Ａとを備えてもよい。第２ヒータ９４１Ｅは、ホルダ９２３Ｅの外周面を覆うように設けられてもよい。第２温度センサ９４３Ａは、ホルダ９２３Ｅの外周面に設けられてもよい。
【０１４５】
５．７．３ 動作
５．７．３．１ クリーニング時
図１９は、第６の実施形態に係るクリーニング時の動作を示すフローチャートである。図２０Ａは、第６実施形態に係るクリーニング部材がノズルに対向していない状態を示す。図２０Ｂは、第６実施形態に係るクリーニング部材が所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。図２０Ｃは、第６実施形態に係るクリーニング部材とノズルとが接触している状態を示す。図２０Ｄは、第６実施形態に係るクリーニング部材がクリーニング終了後に所定の間隔を開けてノズルと対向している状態を示す。
【０１４６】
チャンバ２内の圧力が大気圧よりも低い状態において、ＥＵＶ光生成装置１Ｅでは、図１９に示すように、ステップＳ１〜Ｓ４，Ｓ６〜Ｓ１０の処理が行われてもよい。ステップＳ１〜Ｓ４，Ｓ６〜Ｓ１０の処理は、第１実施形態と同様の内容でもよい。具体的には、ＥＵＶ光生成装置１Ｅでは、ステップＳ１およびステップＳ２において、図２０Ａに示すように、クリーニング部材９３Ａを、ノズル７１２Ｅよりも、−Ｘ方向側に位置させてもよい。
【０１４７】
ターゲット制御装置８０Ｅは、ステップＳ３において、図２０Ｂに示すように、所定の間隔を開けてクリーニング部材９３Ａと先端部７１７Ｅとを対向させるよう構成されてもよい。このとき、ターゲット制御装置８０Ｅは、貫通孔７５４Ｅの中心軸と略円柱状のホルダ９２３Ｅの回転対称軸とが一致するように、クリーニング機構９Ｅを制御するよう構成されてもよい。
【０１４８】
その後、ターゲット制御装置８０Ｅは、ステップＳ４において、図２０Ｃに示すように、クリーニング部材９３Ａを先端部７１７Ｅに接触させるよう構成されてもよい。このとき、ターゲット制御装置８０Ｅは、ホルダ９２３Ｅが貫通孔７５４Ｅに挿入されるように、クリーニング機構９Ｅを制御するよう構成されてもよい。このように、クリーニング部材９３Ａと先端部７１７Ｅとを接触させることによって、ノズル孔７１８Ｅ周縁に付着していたターゲット物質２７０をクリーニング部材９３Ａに付着させてもよい。
【０１４９】
その後、ターゲット制御装置８０Ｅは、ステップＳ６において、図２０Ｄに示すように、ホルダ９２３Ｅを−Ｚ方向に移動させることで、所定の間隔を開けてクリーニング部材９３Ａと先端部７１７Ｅとを対向させるよう構成されてもよい。このときのクリーニング部材９３Ａと先端部７１７Ｅとの間隔は、図２０Ｂに示す際の間隔と同じでもよいし、異なってもよい。クリーニング部材９３Ａと先端部７１７Ｅとを離間させることによって、先端部７１７Ｅに付着していたターゲット物質２７０のほとんどがクリーニング部材９３Ａに付着し、先端部７１７Ｅからターゲット物質２７０が除去され得る。
【０１５０】
上述のように、いわゆる静電引出型のターゲット供給装置７Ｅによってドロップレットが生成される場合であっても、クリーニング機構９Ｅは、大気圧よりも低い圧力のチャンバ２内において、クリーニング部材９３Ａとノズル７１２Ｅとを接触させることにより、ノズル孔７１８Ｅ周縁をクリーニングすることで、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減され、ターゲット物質の出力方向の安定性が向上し得る。
【０１５１】
また、クリーニング部材９３Ａを＋Ｚ方向に移動させて先端部７１７Ｅに接触させた後に、クリーニング部材９３Ａを−Ｚ方向に移動させて先端部７１７Ｅから離間させることで、クリーニングが行われてもよい。ここで、クリーニング部材９３Ａを先端部７１７Ｅに接触させた後にＸ軸方向に往復移動させると、クリーニング性が向上され得る。しかし、円錐台状の突出部７１６Ｅは物理的接触に弱い形状および構成となることが多く、クリーニング部材９３ＡをＸ軸方向へ往復移動させることよって、ノズル孔７１８Ｅの変形が生じる可能性が高い。クリーニング部材９３Ａを往復移動させることによって、突出部７１６ＥにＸ軸方向への力が作用し、突出部７１６Ｅが損傷し得る。これに対して、クリーニング部材９３ＡをＺ軸方向に往復移動させるだけでクリーニングが行われることで、Ｘ軸方向への力が突出部７１６Ｅに作用する可能性が低減され、突出部７１６Ｅの損傷が抑制され得る。
【０１５２】
なお、クリーニング方法として、第２〜第４実施形態で示した方法を適用して、突出部７１６Ｅに作用する力がさらに小さくなるように構成されてもよい。
【０１５３】
５．８ 第７実施形態
５．８．１ 概略
本開示の第７実施形態によれば、静電引出方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置において、ターゲット供給装置が、ノズルを備えるターゲット生成器と、クリーニング機構と、ターゲット生成器とクリーニング機構とを一体化するためのユニット部とによって構成されてもよい。上述のターゲット供給装置において、ノズル孔周縁がクリーニングされることで、ターゲット出力方向が曲げられる可能性が低減され、ターゲット物質の出力方向の安定性が向上し得る。
【０１５４】
ターゲット生成器をチャンバに配置しない状態であっても、ターゲット生成器に対するクリーニング機構の位置決めや位置調整、または、動作チェックが行われ得る。また、ターゲット生成器のメンテナンス時や交換時に、クリーニング機構のメンテナンスや交換が行われ得る。
【０１５５】
なお、本開示の第７実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するように設定された場合を例示する。また、第７実施形態では、第６実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｅに、ユニット部としてのプレート１００Ｆが追加された構成を例示する。以下においては、構成のみを説明し、クリーニング時の動作については、第６実施形態と同様のため、重複する説明を省略する。
【０１５６】
５．８．２ 構成
図２１は、第７実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１Ｆは、チャンバ２Ｆと、ターゲット供給装置７Ｆとを備えてもよい。チャンバ２Ｆは、プレート１００Ｆで閉塞可能な大きさの開口部２０Ｆを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ｆは、ターゲット生成部７０Ｅと、ターゲット制御装置８０Ｅと、クリーニング機構９Ｅと、プレート１００Ｆとを備えてもよい。
【０１５７】
プレート１００Ｆには、タンク７１１が当該プレート１００Ｆの一面（図２１中＋Ｚ方向）に位置し、かつ、ノズル７１２Ｅが当該プレート１００Ｆを貫通するように、ターゲット生成器７１Ｅが固定されてもよい。プレート１００Ｆには、ターゲット生成器７１Ｅとの接合部に図示しない気密シール部が設けられてもよい。また、プレート１００Ｆの他面（図２１中−Ｚ方向）には、クリーニング機構９Ｅの駆動機構９１Ａが固定されてもよい。さらに、プレート１００Ｆには、第１導入端子９１５Ａと、第２導入端子９４５Ａと、第４導入端子７５５Ｅとが当該プレート１００Ｆを貫通するように固定されてもよい。ターゲット生成器７１Ｅとクリーニング機構９Ｅとが固定されたプレート１００Ｆは、開口部２０Ｆを閉塞するようにチャンバ２Ｆに固定されてもよい。また、プレート１００Ｆと開口部２０Ｆとの間には、チャンバ２Ｆを密閉するための図示しない気密シール部が設けられてもよい。
【０１５８】
上述のように構成されるターゲット供給装置７Ｆは、第６実施形態におけるターゲット供給装置７Ｅと同様の機能を果たし得る。また、ターゲット生成器７１Ｅと、クリーニング機構９Ｅとがプレート１００Ｆで一体化されてもよい。これにより、ターゲット生成器７１Ｅがチャンバ２Ｆに配置されない状態、例えば、図示しない調整スタンド等にターゲット生成器７１Ｅが配置されて、ターゲット生成器７１Ｅに対するクリーニング機構９Ｆの位置決めや動作チェックが行われ得る。さらに、ターゲット生成器７１Ｅのメンテナンス時や交換時に、クリーニング機構９Ｆのメンテナンスや交換が行われ得る。
【符号の説明】
【０１５９】
２，２Ｆ…チャンバ、７Ｆ…ターゲット供給装置、９，９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｅ，９Ｆ…クリーニング機構、７２…出力調整部としても機能し得る圧力調整器、９１Ａ…接触移動機構または接近移動機構としても機能し得る駆動機構、９３，９３Ａ…クリーニング部材、９３Ｃ…液体金属であるクリーニング用物質、９４Ａ，９４Ｅ…温度調節部としての第２温度調節部、１００Ｆ…ユニット部としてのプレート、２７０…ターゲット物質、７１２，７１２Ｅ…ノズル、９２３Ｃ…容器。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルを、チャンバ内で物理的にクリーニングするためのノズルのクリーニング機構。
【請求項２】
請求項１に記載のノズルのクリーニング機構において、
前記ノズルから出力される前記ターゲット物質との接触角が、前記ノズルと前記ターゲット物質との接触角よりも小さいクリーニング部材と、
前記クリーニング部材の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節するための温度調節部と、
前記クリーニング部材と前記ノズルとが接触可能なように、前記クリーニング部材と前記ノズルとを相対移動させるための接触移動機構と、を備えるノズルのクリーニング機構。
【請求項３】
請求項１に記載のノズルのクリーニング機構において、
前記ノズルから出力される前記ターゲット物質との接触角が、前記ノズルと前記ターゲット物質との接触角よりも小さいクリーニング部材と、
前記クリーニング部材の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節するための温度調節部と、
前記クリーニング部材と前記ノズルとが接近可能なように、前記クリーニング部材と前記ノズルとを相対移動させるための接近移動機構と、
前記ノズルから前記ターゲット物質を出力させるための出力調整部と、を備えるノズルのクリーニング機構。
【請求項４】
請求項１に記載のノズルのクリーニング機構において、
液体金属を貯留するための容器と、
前記液体金属と前記ノズルとが接触可能なように、前記容器と前記ノズルとを相対移動させるための接触移動機構と、を備えるノズルのクリーニング機構。
【請求項５】
請求項４に記載のノズルのクリーニング機構において、
前記液体金属は、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質と同種の物質であり、
前記容器に貯留された前記物質の温度を該物質の融点以上の温度に調節するための温度調節部をさらに備えるノズルのクリーニング機構。
【請求項６】
ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルと、
前記チャンバ内で、前記ノズルを物理的にクリーニングするための請求項１から請求項５のいずれかに記載のノズルのクリーニング機構と、
前記ノズルと前記クリーニング機構とを一体化するためのユニット部と、を備えるターゲット供給装置。
【請求項７】
ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルをクリーニングするためのノズルのクリーニング方法において、
大気圧よりも低い圧力の前記チャンバ内で、前記ノズルを物理的にクリーニングすることを含むノズルのクリーニング方法。
【請求項８】
請求項７に記載のノズルのクリーニング方法において、
前記ノズルから出力される前記ターゲット物質との接触角が、前記ノズルと前記ターゲット物質との接触角よりも小さいクリーニング部材を用い、
前記ノズルを物理的にクリーニングすることは、
前記クリーニング部材の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを接触させることと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを離間させることと、を含むノズルのクリーニング方法。
【請求項９】
請求項７に記載のノズルのクリーニング方法において、
前記ノズルから出力される前記ターゲット物質との接触角が、前記ノズルと前記ターゲット物質との接触角よりも小さいクリーニング部材を用い、
前記ノズルを物理的にクリーニングすることは、
前記クリーニング部材の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを接近させることと、
前記ノズルから所定量の前記ターゲット物質を出力させることと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを離間させることと、を含むノズルのクリーニング方法。
【請求項１０】
請求項７に記載のノズルのクリーニング方法において、
前記ノズルから出力される前記ターゲット物質との接触角が、前記ノズルと前記ターゲット物質との接触角よりも小さいクリーニング部材を用い、
前記ノズルを物理的にクリーニングすることは、
前記クリーニング部材の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、
前記ノズルから所定量の前記ターゲット物質を出力させることと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを接近させることと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを離間させることと、を含むノズルのクリーニング方法。
【請求項１１】
請求項７に記載のノズルのクリーニング方法において、
液体金属が貯留された容器を用い、
前記ノズルを物理的にクリーニングすることは、
前記容器内の液体金属と前記ノズルとを接触させることと、
前記容器内の液体金属と前記ノズルとを離間させることと、を含むノズルのクリーニング方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のノズルのクリーニング方法において、
前記液体金属として、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質と同種の物質を用い、
前記ノズルを物理的にクリーニングすることは、
前記容器内の前記物質と前記ノズルとを接触させることと、
前記容器内の前記物質の温度を該物質の融点以上の温度に調節することと、
前記容器内の前記物質と前記ノズルとを離間させることと、をさらに含むノズルのクリーニング方法。
【請求項１】
ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルを、チャンバ内で物理的にクリーニングするためのノズルのクリーニング機構。
【請求項２】
請求項１に記載のノズルのクリーニング機構において、
前記ノズルから出力される前記ターゲット物質との接触角が、前記ノズルと前記ターゲット物質との接触角よりも小さいクリーニング部材と、
前記クリーニング部材の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節するための温度調節部と、
前記クリーニング部材と前記ノズルとが接触可能なように、前記クリーニング部材と前記ノズルとを相対移動させるための接触移動機構と、を備えるノズルのクリーニング機構。
【請求項３】
請求項１に記載のノズルのクリーニング機構において、
前記ノズルから出力される前記ターゲット物質との接触角が、前記ノズルと前記ターゲット物質との接触角よりも小さいクリーニング部材と、
前記クリーニング部材の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節するための温度調節部と、
前記クリーニング部材と前記ノズルとが接近可能なように、前記クリーニング部材と前記ノズルとを相対移動させるための接近移動機構と、
前記ノズルから前記ターゲット物質を出力させるための出力調整部と、を備えるノズルのクリーニング機構。
【請求項４】
請求項１に記載のノズルのクリーニング機構において、
液体金属を貯留するための容器と、
前記液体金属と前記ノズルとが接触可能なように、前記容器と前記ノズルとを相対移動させるための接触移動機構と、を備えるノズルのクリーニング機構。
【請求項５】
請求項４に記載のノズルのクリーニング機構において、
前記液体金属は、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質と同種の物質であり、
前記容器に貯留された前記物質の温度を該物質の融点以上の温度に調節するための温度調節部をさらに備えるノズルのクリーニング機構。
【請求項６】
ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルと、
前記チャンバ内で、前記ノズルを物理的にクリーニングするための請求項１から請求項５のいずれかに記載のノズルのクリーニング機構と、
前記ノズルと前記クリーニング機構とを一体化するためのユニット部と、を備えるターゲット供給装置。
【請求項７】
ＥＵＶ光の生成が行われるチャンバ内にターゲット物質を出力するためのノズルをクリーニングするためのノズルのクリーニング方法において、
大気圧よりも低い圧力の前記チャンバ内で、前記ノズルを物理的にクリーニングすることを含むノズルのクリーニング方法。
【請求項８】
請求項７に記載のノズルのクリーニング方法において、
前記ノズルから出力される前記ターゲット物質との接触角が、前記ノズルと前記ターゲット物質との接触角よりも小さいクリーニング部材を用い、
前記ノズルを物理的にクリーニングすることは、
前記クリーニング部材の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを接触させることと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを離間させることと、を含むノズルのクリーニング方法。
【請求項９】
請求項７に記載のノズルのクリーニング方法において、
前記ノズルから出力される前記ターゲット物質との接触角が、前記ノズルと前記ターゲット物質との接触角よりも小さいクリーニング部材を用い、
前記ノズルを物理的にクリーニングすることは、
前記クリーニング部材の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを接近させることと、
前記ノズルから所定量の前記ターゲット物質を出力させることと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを離間させることと、を含むノズルのクリーニング方法。
【請求項１０】
請求項７に記載のノズルのクリーニング方法において、
前記ノズルから出力される前記ターゲット物質との接触角が、前記ノズルと前記ターゲット物質との接触角よりも小さいクリーニング部材を用い、
前記ノズルを物理的にクリーニングすることは、
前記クリーニング部材の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、
前記ノズルから所定量の前記ターゲット物質を出力させることと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを接近させることと、
前記クリーニング部材と前記ノズルとを離間させることと、を含むノズルのクリーニング方法。
【請求項１１】
請求項７に記載のノズルのクリーニング方法において、
液体金属が貯留された容器を用い、
前記ノズルを物理的にクリーニングすることは、
前記容器内の液体金属と前記ノズルとを接触させることと、
前記容器内の液体金属と前記ノズルとを離間させることと、を含むノズルのクリーニング方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のノズルのクリーニング方法において、
前記液体金属として、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質と同種の物質を用い、
前記ノズルを物理的にクリーニングすることは、
前記容器内の前記物質と前記ノズルとを接触させることと、
前記容器内の前記物質の温度を該物質の融点以上の温度に調節することと、
前記容器内の前記物質と前記ノズルとを離間させることと、をさらに含むノズルのクリーニング方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図９Ｅ】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１１Ｄ】
【図１１Ｅ】
【図１２】
【図１３】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１４Ｃ】
【図１４Ｄ】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２０Ｃ】
【図２０Ｄ】
【図２１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図９Ｅ】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１１Ｄ】
【図１１Ｅ】
【図１２】
【図１３】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１４Ｃ】
【図１４Ｄ】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２０Ｃ】
【図２０Ｄ】
【図２１】
【公開番号】特開２０１３−３７７８７（Ｐ２０１３−３７７８７Ａ）
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７０５４１（Ｐ２０１１−１７０５４１）
【出願日】平成２３年８月３日（２０１１．８．３）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月３日（２０１１．８．３）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
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