ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
【課題】粘接着剤層を精度よくダイシングでき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と、粘接着剤層３の一方の面３ａに積層されている基材層４とを備える。ダイシング時に、基材層４の外周部分にダイシングリング２６が貼り付けられる。基材層４は外周部分に貼付起点４Ｃを有する。貼付起点４Ｃを除く部分における基材層４のダイシングリング２６に貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、貼付起点４Ｃを除く部分における基材層４の外径をＤ（ｍｍ）としたときに、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点４Ｃの長さＬ（ｍｍ）は、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。
【解決手段】ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と、粘接着剤層３の一方の面３ａに積層されている基材層４とを備える。ダイシング時に、基材層４の外周部分にダイシングリング２６が貼り付けられる。基材層４は外周部分に貼付起点４Ｃを有する。貼付起点４Ｃを除く部分における基材層４のダイシングリング２６に貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、貼付起点４Ｃを除く部分における基材層４の外径をＤ（ｍｍ）としたときに、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点４Ｃの長さＬ（ｍｍ）は、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、該粘接着剤層付き半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハから半導体チップを切り出す際には、先ダイシング法と呼ばれているダイシング法が用いられている。先ダイシング法の一例は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。
【０００３】
先ダイシング法では、先ず、半導体ウェーハの表面に切り込みを形成する。次に、切り込みが形成された半導体ウェーハの表面に、保護シートを貼り付ける。その後、半導体ウェーハの裏面を切り込み部分まで研削して、半導体ウェーハの厚みを薄くし、個々の半導体チップに分割する。個々の半導体チップに分割された分割後半導体ウェーハの表面には、保護シートが貼り付けられている。
【０００４】
また、上記先ダイシング法により得られた個々の半導体チップを基板上に容易に実装するために、半導体チップの裏面にダイボンディング層が貼り付けられることが多い。このダイボンディング層付き半導体チップを得るために、ダイボンディング層とダイシング層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。
【０００５】
ダイシング−ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献２には、剥離シート上にダイボンディング層が積層されており、該ダイボンディング層を被覆するように、剥離シート及びダイボンディング層上にダイシング層が積層されているダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。ダイボンディング層は、ダイシング後に半導体チップとともに取り出され、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。ダイシング層を剥離シートから容易に剥離するために、ダイシング層の外周縁には、突出部が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２４５４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−１１６７９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いてダイボンディング層付き半導体チップを得る際には、ダイシング層の突出部を剥離起点として、ダイボンディング層とダイシング層とを剥離シートから剥離して、ダイボンディング層とダイシング層の外周部分とを露出させる。次に、露出したダイボンディング層を分割後半導体ウェーハに貼り付けて、かつ露出したダイシング層の外周部分をダイシングリングに貼り付ける。次に、分割後半導体ウェーハの表面に貼り付けられている保護シートを剥離する。その後、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、ダイボンディング層をダイシングする。ダイシングの後に、ダイボンディング層付き半導体チップを、ダイシング層から剥離して、取り出す。取り出されたダイボンディング層付き半導体チップは、ダイボンディング層側から基板上に実装される。
【０００８】
特許文献１に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、該テープが局所的に変形した状態でダイシングリングに貼り付けられることがある。
【０００９】
その場合、ダイシング層をダイシングリングに貼り付けた後に、ダイシング層には、通常、貼り付け時の引張応力を緩和する収縮力が作用し、ダイシング層の収縮力が部分的に異なることがある。このため、分割後半導体ウェーハの切断部分であるダイシングラインが湾曲する（カーフシフトと呼ばれる現象）ことがある。特に、保護シートを加熱して剥離する場合に、加熱によりダイシング層の貼り付け時の引張応力が緩和しやすく、ダイシングラインが湾曲しやすい。従って、ダイボンディング層を精度良くダイシングすることができなかったり、チップ間が均等に広がらず、ダイボディング層付き半導体チップのピックアップ性が低かったりすることがある。
【００１０】
本発明の目的は、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、ダイシングリングへの貼り付けの時に部分的な変形を抑えられ、ダイシングの精度を高めることができ、また、チップ間が均等に広がることで粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の広い局面によれば、粘接着剤層と、該粘接着剤層の一方の面に積層されている基材層とを備え、ダイシング時に、上記基材層の外周部分にダイシングリングが貼り付けられ、上記基材層が外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点を有し、上記貼付起点を除く部分における上記基材層の上記ダイシングリングに貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、上記貼付起点を除く部分における上記基材層の外径をＤ（ｍｍ）としたときに、上記基材層の上記貼付起点側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における上記貼付起点の長さＬ（ｍｍ）が、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。
【００１２】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、上記基材層の上記貼付起点側の外周先端の曲率は、上記基材層の上記貼付起点を除く部分の外周端の曲率よりも大きい。
【００１３】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの他の特定の局面では、上記基材層は、上記貼付起点側の外周端に凸部を有し、上記基材層の上記貼付起点側の外周先端は、上記凸部の頂点である。
【００１４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのさらに他の特定の局面では、上記基材層は、上記貼付起点側の外周端に複数の凸部を有し、該複数の凸部が曲線で連なっている。
【００１５】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、本発明に従って構成されたダイシング−ダイボンディングテープと、保護シート及び該保護シートの一方の面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体とを用いて、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記基材層の上記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に上記貼付起点を除く上記基材層の外周部分を上記ダイシングリングに貼り付ける工程と、上記保護シートを上記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿ってダイシングする工程と、ダイシングの後に、上記半導体チップが貼り付けられた上記粘接着剤層を上記基材層から剥離し、半導体チップを上記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。なお、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記基材層の上記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に上記貼付起点を除く上記基材層の外周部分を上記ダイシングリングに貼り付ける工程とは同時に行われてもよい。
【００１６】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法のある特定の局面では、半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、切り込みが形成された上記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、上記保護シートが貼り付けられた上記半導体ウェーハの裏面を研削し、上記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、上記積層体を得る工程がさらに備えられる。
【００１７】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの他の製造方法は、本発明に従って構成されたダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用いて、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記基材層の上記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に上記貼付起点を除く上記基材層の外周部分を上記ダイシングリングに貼り付ける工程と、上記半導体ウェーハと上記粘接着剤層とをダイシングする工程と、ダイシングの後に、上記半導体チップが貼り付けられた上記粘接着剤層を上記基材層から剥離し、半導体チップを上記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。なお、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記基材層の上記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に上記貼付起点を除く上記基材層の外周部分を上記ダイシングリングに貼り付ける工程とは同時に行われてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、貼付起点を除く部分における基材層のダイシングリングに貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、貼付起点を除く部分における基材層の外径をＤ（ｍｍ）としたときに、基材層の貼付起点側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点の長さＬ（ｍｍ）が、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内であるので、基材層の貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に貼付起点を除く基材層の外周部分をダイシングリングに貼り付けることにより、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに局所的な変形を抑制して、貼り付けることができる。このため、ダイシング後のダイシングラインが湾曲し難い。従って、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００１９】
さらに、保護シートと分割後半導体ウェーハとの積層体を用いて、粘接着剤層付き半導体チップを得る場合には、ダイシング−ダイボンディングテープの粘接着剤層を積層体の分割後半導体ウェーハに貼り付けて、保護シートを分割後半導体ウェーハから剥離したとしても、分割後半導体ウェーハの切断部分であるダイシングラインが湾曲し難い。このため、粘接着剤層を精度よくダイシングでき、ピックアップ性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図２】図２は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの基材層のみを拡大して模式的に示す部分切欠平面図である。
【図３】図３は、ダイシング−ダイボンディングテープの基材層の変形例を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図４】図４は、ダイシング−ダイボンディングテープの基材層の他の変形例を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は、粘接着剤層付き半導体チップを製造する際に用いられる積層体を得る各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図８】図８（ａ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けるときの状態を示す正面断面図であり、図８（ｂ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けた後の状態を示す平面図である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する他の方法を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図１０】図１０は、比較例１の基材層の形状を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図１１】図１１は、比較例２の基材層の形状を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図１２】図１２は、比較例３の基材層の形状を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図１３】図１３は、比較例４の基材層の形状を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図１４】図１４は、比較例５の基材層の形状を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図１５】図１５は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの変形例を模式的に示す部分切欠平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２２】
（ダイシング−ダイボンディングテープ）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図１及び後述の図では、図示の便宜上、寸法及び大きさは、実際の寸法及び大きさから適宜変更している。
【００２３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３と、基材層４と、ダイシング層５とがこの順に積層されている。粘接着剤層３の一方の面３ａ（第１の面）に、基材層４が積層されている。粘接着剤層３の他方の面３ｂ（第２の面）に離型層２が積層されている。
【００２４】
長尺状の離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を有する複数の積層物が等間隔に配置されている。該積層物の側方において、離型層２の上面２ａに保護シートが設けられていてもよい。
【００２５】
離型層２は、例えば、離型フィルムである。離型層２は、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる他方の面３ｂを保護するために用いられる。なお、離型層２は、必ずしも用いられていなくてもよい。
【００２６】
離型層２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。
【００２７】
離型層２の表面は離型処理されていてもよい。離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。
【００２８】
離型層２の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、離型層２の厚みは、１０〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２９】
粘接着剤層３は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。粘接着剤層３は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。
【００３０】
粘接着剤層３は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。粘接着剤層３付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層３付き半導体チップを粘接着剤層３側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、粘接着剤層３を硬化させることにより、粘接着剤層３を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。
【００３１】
上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。
【００３２】
粘接着剤層３の厚みは特に限定されない。粘接着剤層３の厚みは、１〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。粘接着剤層３の厚みのより好ましい下限は３μｍ、より好ましい上限は６０μｍである。粘接着剤層３の厚みが上記範囲内にあると、半導体チップの貼り付けが容易であり、更に半導体装置の薄型化に対応できる。
【００３３】
基材層４は、非粘着性を有する非粘着部４Ａを有する。非粘着部４Ａは、基材層４の中央の領域に設けられている。非粘着部４Ａは、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる位置に対応する部分に設けられている。非粘着部４Ａの平面形状は、円形である。平面視において、基材層４は粘接着剤層３よりも大きく、非粘着部４Ａは粘接着剤層３よりも大きい。従って、非粘着部４Ａは、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも側方に張り出している領域を有する。このため、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の非粘着部４Ａが貼り付けられている部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせすることができる。貼り付けの後には、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３の一方の面３ａ上に非粘着部４Ａを確実に配置できる。このため、ダイシングの後に、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４の非粘着部４Ａから容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。
【００３４】
なお、「非粘着性」とは、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着」とは、基材層４の非粘着部４Ａをステンレス板に貼り付けて、基材層４を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。
【００３５】
基材層４は、非粘着部４Ａの外側部分の領域に、粘着性を有する粘着部４Ｂを有する。粘着部４Ｂは環状である。基材層４は粘接着剤層３を被覆しており、基材層４の粘着部４Ｂが離型層２の上面２ａに貼り付けられている。粘接着剤層３の一方の面３ａの全体に、基材層４の非粘着部４Ａが積層されている。粘接着剤層３の一方の面３ａに粘着部４Ｂは積層されていない。ダイシング時に、基材層４の粘着部４Ｂにダイシングリングが貼り付けられる。
【００３６】
図２に、ダイシング−ダイボンディングテープ１の基材層４のみを拡大して平面図で示す。
【００３７】
図２に示すように、基材層４は外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点４Ｃを有する。貼付起点４Ｃは貼付開始部分である。粘接着剤層付き半導体チップを得る際には、貼付起点４Ｃから基材層４の外周部分をダイシングリングに貼り付ける。基材層４のダイシングリングに貼り付けられる部分は、粘着性を有する粘着部４Ｂである。
【００３８】
基材層４の平面形状は略円形であり、貼付起点４Ｃ部分を除く基材層４の平面形状は円形の一部である。図２では、基材層４全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線を一点鎖線で示した。
【００３９】
貼付起点４Ｃを除く基材層４のダイシングリングに貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、貼付起点４Ｃを除く部分における基材層４の外径（直径）をＤ（ｍｍ）とする。本実施形態では、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点４Ｃの長さＬ（ｍｍ）は、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。長さＬが０．３０Ｄを下回ると、貼り付け時に局所的な変形が発生する可能性が高まる。また、長さＬが０．４４Ｄを上回ると、ダイシングリングからはみ出す可能性が高くなり、はみ出てしまった場合、次工程への搬送中に他のダイシングリングに貼り付いたり、加工装置内で周辺部に貼り付いたりするなどのトラブルの原因になることがある。さらに、貼付起点の長さが短すぎると、貼り付け開始時に、貼付起点に応力が集中しやすくなる。貼付起点の長さを長くすることにより、貼り付け開始時の応力を、貼付起点の長さ方向に分散させることができる。このため、先ダイシングされた分割後半導体ウェーハにおける複数の半導体チップの位置ずれを防ぐことができる。
【００４０】
貼付起点４Ｃの先端が、基材層４全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線（図２の一点鎖線）の貼付方向における先端から貼付方向に突出した長さを突出長さＺ（ｍｍ）とする。後述の実施形態でも、同様に突出した長さを突出長さＺ（ｍｍ）とする。突出長さＺ（ｍｍ）は０．２０Ｗよりも小さいことが好ましく、突出度合いは小さいことが好ましい。突出量が大きくなるとダイシングリングに貼り付ける時にダイシングリングに貼り付けられる部分の幅が不均一になったり、ダイシングリングからはみ出したりすることがある。「貼付方向」とは、貼付開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点が設けられた基材層の一端と、該一端とは反対側の他端とを結ぶ方向である。
【００４１】
幅Ｗは、基材層４をダイシングリングに貼り付けたときに、貼付起点４Ｃを除く部分における、ダイシングリングの内周端から基材層４の外周端までの距離である。
【００４２】
貼付起点４Ｃ部分を除く基材層４の平面形状は円形の一部であり、外径Ｄは、円形部分における基材層４の外径（直径）を示す。
【００４３】
貼付起点４Ｃは、幅方向と該幅方向よりも長い長さ方向とを有する。長さＬは、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端から内側に向かって、すなわち貼付方向に内側に向かって、０．３Ｗの距離の位置における貼付起点４Ｃの長さ方向寸法を示す。長さＬは、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端から、基材層４の貼付起点４Ｃ側とは反対側に向かって０．３Ｗの距離の位置における貼付起点４Ｃの長さ方向寸法を示す。
【００４４】
基材層４は、貼付起点４Ｃ側の外周端に３つの凸部４ａ〜４ｃを有する。凸部４ａと凸部４ｃとの間に、凸部４ｂが位置している。凸部４ａの頂点をＢ１、凸部４ｂの頂点をＡ１、凸部４ｃの頂点をＢ２として図２に示した。Ａ１は、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端である。
【００４５】
基材層４では、Ｂ１とＡ１とは直線で連なっており、Ａ１とＢ２とは直線で連なっている。Ｂ１、Ａ１及びＢ２を結ぶ３つの直線により囲まれた部分の平面形状は、Ｂ１とＡ１とを結ぶ直線及びＡ１とＢ２とを結ぶ直線の長さが等しい二等辺三角形である。Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ１から下ろした垂線との交差点を、Ａ１１として図２に示した。
【００４６】
Ｂ１と基材層４の円形部分、及びＢ２と基材層４の円形部分とは直線で連なっている。Ｂ１と基材層４の円形部分との接点をＣ１、Ｂ２と基材層４の円形部分のとの接点をＣ２として図２に示した。Ｂ１とＣ１とを結ぶ直線は、基材層４の円形部分のＣ１における接線である。Ｂ２とＣ２とを結ぶ直線は、基材層４の円形部分のＣ２における接線である。
【００４７】
基材層４の非粘着部４Ａと粘着部４Ｂとは一体的に形成されている。非粘着部４Ａと粘着部４Ｂとは、同じ材料により形成されており、異なる材料により形成されてはいない。
【００４８】
基材層４は、例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の粘着性を有する組成物を用いて形成できる。活性エネルギー線硬化型の組成物の場合には、組成物に対する活性エネルギー線の照射量を部分的に調整することにより、基材層４の粘着性を部分的に異ならせることができる。基材層４が非粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線の照射量を多くすればよい。基材層４が粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線を照射しなかったり、活性エネルギー線の照射量を少なくしたりすればよい。
【００４９】
基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合には、ダイシングの際の切削性をより一層高くすることができる。また、基材層４の極性、貯蔵弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。
【００５０】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、基材層４の極性を充分に低くすることができ、基材層４の表面エネルギーを低くすることができ、かつ粘接着剤層３の基材層４からの剥離性を高くすることができる。
【００５１】
上記組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。
【００５２】
上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。
【００５３】
上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
【００５４】
基材層４の厚みは特に限定されない。基材層４の厚みは、１〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。基材層４の厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は６０μｍである。基材層４の厚みが上記好ましい下限を満たすと、エクスパンド性をより一層高めることができる。基材層４の厚みが上記好ましい上限を満たすと、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度をよく一層高めることができる。
【００５５】
ダイシング層５は、例えば、ダイシングフィルムである。ダイシング層５を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系樹脂が好適に用いられる。
【００５６】
ダイシング層５の厚みは特に限定されない。ダイシング層５の厚みは、１０〜２００μｍの範囲内であることが好ましい。ダイシング層５の厚みのより好ましい下限は６０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。ダイシング層５の厚みが上記範囲内であると、離型層２の剥離性及びダイシング層５のエクスパンド性をより一層高くすることができる。
【００５７】
本実施形態では、ダイシング層５の平面形状は、基材層４の平面形状と等しい。ダイシング層５の平面形状は、基材層４の平面形状と異なっていてもよい。ダイシング層５の大きさは、本発明の効果を阻害しない範囲内で、基材層４の大きさよりも大きくてもよく、小さくてもよい。ダイシング層５の大きさは、基材層４の大きさよりも大きい方が好ましい。
【００５８】
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５が用いられている。ダイシング層５が省略されて、基材層４がダイシング層を兼ねていてもよい。ダイシング−ダイボンディングテープ１では、基材層４の粘着部４Ｂにダイシングリングを貼り付けることができるため、ダイシング層５にダイシングリングを貼り付ける必要がない。このため、ダイシング層５を省略できる。ダイシング層５にはダイシングリングを貼り付ける必要がないので、ダイシング層５は粘着力を有していなくてもよい。従って、ダイシング層５を構成する材料及び組成をより広い範囲から選択できる。
【００５９】
ダイシングの際に、半導体チップの飛び等をより一層効果的に防止できるので、基材層４の粘接着剤層３が貼り付けられた一方の面とは反対側の他方の面にダイシング層５が貼り付けられていることが好ましい。この場合には、基材層４にエクスパンド性等が大きく要求されないため、基材層４を構成する材料及び組成をより広い範囲から選択できる。
【００６０】
図３及び図４に、基材層の変形例を示す。
【００６１】
図３，４に示す基材層１１，１２は、貼付起点の形状が異なること以外は基材層４と同様に構成されている。基材層１１，１２は、非粘着部１１Ａ，１２Ａと、非粘着部１１Ａ，１２Ａの外周部分の領域に粘着部１１Ｂ，１２Ｂとを有する。基材層１１，１２のダイシングリングに貼り付けられる部分は、粘着性を有する粘着部１１Ｂ，１２Ｂである。
【００６２】
基材層１１，１２の平面形状は略円形であり、貼付起点１１Ｃ，１２Ｃ部分を除く基材層１１，１２の平面形状は円形の一部である。図３，４では、基材層１１，１２全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線を一点鎖線で示した。基材層１１，１２の貼付起点１１Ｃ，１２Ｃを除く部分における基材層１１，１２のダイシングリングに貼り付けられる部分の幅Ｗ（ｍｍ）とし、貼付起点１１Ｃ，１２Ｃを除く部分における基材層１１，１２の外径をＤ（ｍｍ）とする。基材層１１，１２の貼付起点１１Ｃ，１２Ｃ側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点１１Ｃ，１２Ｃの長さＬ（ｍｍ）は、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。長さＬが０．３０Ｄを下回ると、貼り付け時に局所的な変形が発生する可能性が高まる。また、長さＬが０．４４Ｄを上回ると、ダイシングリングからはみ出す可能性が高くなり、はみ出てしまった場合、次工程への搬送中に他のダイシングリングに貼り付いたり、加工装置内で周辺部に貼り付いたりするなどのトラブルの原因になることがある。
【００６３】
図３に示す基材層１１は、貼付起点１１Ｃ側の外周端に４つの凸部１１ａ〜１１ｄを有する。凸部１１ａと凸部１１ｄとの間に凸部１１ｂと凸部１１ｃとが位置しており、凸部１１ｂが凸部１１ａ側に位置しており、凸部１１ｃが凸部１１ｄ側に位置している。凸部１１ａの頂点をＢ１、凸部１１ｂの頂点をＡ１、凸部１１ｃの頂点をＡ２、凸部１１ｄの頂点をＢ２として図３に示した。Ａ１とＡ２とは、基材層１１の貼付起点１１Ｃ側の外周先端である。
【００６４】
基材層１１では、Ｂ１とＡ１とは直線で連なっており、Ａ１とＡ２とは曲線で連なっており、Ａ２とＢ２とは直線で連なっている。Ｂ１、Ａ１、Ａ２及びＢ２を結ぶ４つの直線により囲まれた部分の平面形状は、Ａ１とＡ２とを結ぶ直線を上底、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線を下底とする等脚台形である。凸部１１ｂと凸部１１ｃとの間の凹部の最深部をＡ１１として図３に示した。また、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ１から下ろした垂線との交差点をＡ２１とし、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ２から下ろした垂線との交差点をＡ２２として図３に示した。
【００６５】
Ｂ１と基材層１１の円形部分、及びＢ２と基材層１１の円形部分とは直線で連なっている。Ｂ１と基材層１１の円形部分との接点をＣ１、Ｂ２と基材層１１の円形部分のとの接点をＣ２として図３に示した。Ｂ１とＣ１とを結ぶ直線及びＢ２とＣ２とを結ぶ直線はそれぞれ、基材層１１の円形部分のＣ１，Ｃ２における接線である。
【００６６】
図４に示す基材層１２は、貼付起点１２Ｃ側の外周端に４つの凸部１２ａ〜１２ｄを有する。凸部１２ａと凸部１２ｄとの間に凸部１２ｂと凸部１２ｃとが位置しており、凸部１２ｂが凸部１２ａ側に位置しており、凸部１２ｃが凸部１２ｄ側に位置している。凸部１２ａの頂点をＡ１、凸部１２ｂの頂点をＡ２、凸部２１ｃの頂点をＡ３、凸部２１ｄの頂点をＡ４として図４に示した。Ａ１とＡ２とＡ３とＡ４とはいずれも、基材層１２の貼付起点１２Ｃ側の外周先端である。
【００６７】
基材層１２では、Ａ１とＡ２、Ａ２とＡ３、Ａ３とＡ４とはそれぞれ、曲線で連なっている。凸部１２ａと凸部１２ｂとの間の凹部の最深部をＡ１１、凸部１２ｂと凸部１２ｃとの間の凹部の最深部をＡ１２、凸部１２ｃと凸部１２ｄとの間の凹部の最深部をＡ１３として図４に示した。
【００６８】
Ａ１と基材層１２の円形部分、及びＡ４と基材層１２の円形部分とは連なっている。Ａ１と基材層１２の円形部分との接点をＣ１、Ａ４と基材層１２の円形部分との接点をＣ２として図４に示した。Ａ１とＣ１とは、曲線と直線とで連なっており、Ａ１側が曲線、Ｃ１側が直線である。Ａ１から延びる曲線とＣ１から延びる直線との境界をＢ１として図４に示した。Ａ４とＣ２とは曲線と直線とで連なっており、Ａ４側が曲線、Ｃ２側が直線である。Ａ４から延びる曲線とＣ２から延びる直線との境界をＢ２として図４に示した。Ｃ１から延びる直線及びＣ２から延びる直線はそれぞれ、基材層１２の円形部分のＣ１，Ｃ２における接線である。
【００６９】
Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ１から下ろした垂線との交差点をＡ２１とし、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ２から下ろした垂線との交差点をＡ２２とし、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ３から下ろした垂線との交差点をＡ２３とし、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ４から下ろした垂線との交差点をＡ２４として図４に示した。
【００７０】
凸部１２ａ〜１２ｄの先端は曲線である。基材層１２の貼付起点１２Ｃ側の外周先端のＡ１〜Ａ４における曲率は、基材層１２の貼付起点１２Ｃを除く部分の外周端の曲率よりも大きい。
【００７１】
図３及び図４に示すように、基材層の貼付起点側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点の長さＬ（ｍｍ）が０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である限り、基材層の貼付起点の平面形状は適宜変更できる。
【００７２】
基材層１２のように、基材層の貼付起点側の外周先端の曲率は、基材層の貼付起点を除く部分の外周端の曲率よりも大きいことが好ましい。この場合には、離型層２より剥がす時に、基材層の貼付起点側の外周先端が剥離起点となって、容易に剥離することが可能になり、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、粘接着剤層をより一層精度よくダイシングできる。
【００７３】
基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端は、凸部４ｂの頂点Ａ１である。基材層１１の貼付起点１１Ｃ側の外周先端は、凸部１１ｂ，１１ｃの頂点Ａ１，Ａ２である。基材層１２の貼付起点１２Ｃ側の外周先端は、凸部１２ａ〜１２ｄの頂点Ａ１〜Ａ４である。このように、基材層は、貼付起点側の外周端に凸部を有し、基材層３の貼付起点側の外周先端が該凸部の頂点であることが好ましい。この場合には、離型層２より剥がす時に、基材層の貼付起点側の凸部が剥離起点となって、容易に剥離することが可能になり、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、粘接着剤層をより一層精度よくダイシングできる。
【００７４】
基材層１１は、貼付起点１１Ｃ側の外周端に複数の凸部１１ａ〜１１ｄを有し、凸部１１ｂと凸部１１ｃとが曲線で連なっている。基材層１２は、貼付起点１２Ｃ側の外周端に複数の凸部１２ａ〜１２ｄを有し、該複数の凸部１２ａ〜１２ｄは曲線で連なっている。このように、基材層は、貼付起点側の外周端に複数の凸部を有し、該複数の凸部が曲線で連なっていることが好ましい。この場合には、離型層２より剥がす時に剥離起点となり、容易に剥離することができ、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、粘接着剤層をより一層精度よくダイシングできる。
【００７５】
また、基材層４，１１，１２では、貼付起点４Ｃ，１１Ｃ，１２Ｃと、貼付起点４Ｃ，１１Ｃ，１２Ｃを除く部分とのなす内角は１８０度以下である。すなわち、貼付起点４Ｃ，１１Ｃ，１２Ｃにおける基端部分において、貼付起点４Ｃ，１１Ｃ，１２Ｃと、貼付起点４Ｃ，１１Ｃ，１２Ｃを除く部分とは、内角が１８０度以下であるように連なっている。このように、上記内角が１８０度以下であると、貼付起点の基端において基材層が切れるのを防ぐことができる。上記内角が１８０度を超えると、貼付起点の基端において基材層が切れやすくなる傾向がある。
【００７６】
図１に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、１つの基材層４に貼付起点４Ｃが１箇所のみ設けられている。貼付起点４Ｃは、長尺状の離型層２の長さ方向の一端側に設けられている。図１５に、ダイシング−ダイボンディングテープの変形例を示す。図１に示すダイシング−ダイボンディングテープ１と図１５に示すダイシング−ダイボンディングテープ５１とは、基材層における貼付起点の個数及び形成位置が異なっており、それに伴ってダイシング層も異なっている。ダイシング−ダイボンディングテープ１に設けられた貼付起点４Ｃと、ダイシング−ダイボンディングテープ５１に設けられた基材層５２の貼付起点５２Ｃとの形状は同じである。ダイシング−ダイボンディングテープ５１に設けられた基材層５２とダイシング層５３との形状は同じである。なお、図１５では、基材層５２は、ダイシング層５３により覆われている。
【００７７】
図１５に示すダイシング−ダイボンディングテープ５１では、１つの基材層５２に貼付起点５２Ｃが２箇所設けられている。貼付起点５２Ｃは、長尺状の離型層２の長さ方向の一端側と、該一端側とは反対の他端側とに設けられている。このように、１つの基材層に複数の貼付起点が設けられていることが好ましく、少なくとも２つの貼付起点が設けられていることが好ましい。１つの基材層に複数の貼付起点が設けられている場合には、基材層の一端側と該一端側とは反対の他端側とに、貼付起点が設けられていることが好ましい。この場合には、ダイシング−ダイボンディングテープの使用時の方向性をなくすことができる。また、例えば、一端側の貼付起点から基材層をうまく貼り付けられない場合などに、他端側の貼付起点から基材層を貼り付けることが可能である。より具体的には、一端側の貼付起点から基材層をうまく貼り付けられない場合などに、長尺状のダイシング−ダイボンディングテープを一旦巻き取った後に、再度巻き出すことにより、他端側の貼付起点から基材層を貼り付けることが可能である。
【００７８】
（粘接着剤層付き半導体チップの製造方法）
次に、図１（ａ），（ｂ）及び図２に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。
【００７９】
先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、積層体２１とを有する。
【００８０】
図５（ｄ）に示すように、積層体２１は、保護シート２２と、保護シート２２の一方の面２２ａに積層されている分割後半導体ウェーハ２３とを有する。分割後半導体ウェーハ２３は個々の半導体チップに分割されている。分割後半導体ウェーハ２３の平面形状は円形である。
【００８１】
積層体２１は、図５（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【００８２】
先ず、図５（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａを用意する。半導体ウェーハ２３Ａは分割前半導体ウェーハである。半導体ウェーハ２３Ａの平面形状は円形である。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。
【００８３】
図５（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェーハ２３Ａを表面２３ａ側からダイシングする。ダイシングの後、半導体ウェーハ２３Ａは分断されていない。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、個々の半導体チップに分割するための切り込み２３ｃが形成されている。ダイシングは、例えば、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。
【００８４】
次に、図５（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａに、保護シート２２を貼り付ける。その後、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂを研削し、半導体ウェーハ２３Ａの厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削している。このようにして、図５（ｄ）に示す積層体２１を得ることができる。
【００８５】
半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削することが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには保護シート２２が貼り付けられているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２３Ａが個々の半導体チップに分割されても、複数の半導体チップがばらばらにならずに保護シート２２に貼り付けられたままである。
【００８６】
積層体２１を得た後、図６（ａ）に示すように、積層体２１を保護シート２２側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、分割後半導体ウェーハ２３の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の面３ｂを、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。また、露出した基材層４の外周部分を、貼付起点４Ｃからダイシングリング２６に貼り付ける。
【００８７】
図８（ａ）に基材層４をダイシングリング２６に貼り付ける際の状態を正面断面図で示し、図８（ｂ）に基材層４をダイシングリング２６に貼り付けた後の状態を平面図で示す。
【００８８】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、通常、基材層４をダイシングリング２６に貼り付ける際には、剥離エッジ３２を用いて、基材層４及びダイシング層５を離型層２の上面２ａから剥離する。基材層４の貼付起点４Ｃをダイシングリング２６に貼り付けて、貼付起点４Ｃ上をロール３１で押さえ付ける。そして、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に皺が生じないように、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き延ばしながら、基材層４の外周部分をダイシングリング２６に貼り付ける。ダイシングリング２６に貼り付けられた基材層４及びダイシング層５には収縮力が作用している。
【００８９】
上記収縮力が部分的に異なると、例えば、基材層をダイシングリングに貼り付けた後に、又は分割後半導体ウェーハから保護シートを剥離した後に、分割後半導体ウェーハの切断部分すなわちダイシングラインが湾曲しやすい。
【００９０】
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、長さＬ（ｍｍ）が０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。すなわち、ダイシング−ダイボンディングテープ１の基材層４をダイシングリングに貼り付ける際には、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗの距離の位置をダイシングリング２６に貼り付けて、次に貼付起点４Ｃを除く基材層４の外周部分をダイシングリング２６に貼り付ける。言い換えれば、貼り付けの開始時に、ダイシングリング２６に貼り付けられる基材層４部分の長さＬ（ｍｍ）が０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。従って、ダイシングリング２６に貼り付けられた基材層４及び該基材層４に積層された粘接着剤層３及びダイシング層５の収縮力が部分的に大きく異なり難い。
【００９１】
従って、基材層４をダイシングリング２６に貼り付けた後に、又は粘接着剤層３に貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３から保護シート２２を剥離した後に、分割後半導体ウェーハ２３のダイシングラインが湾曲し難い。このため、粘接着剤層３を精度よくダイシングできる。さらに、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００９２】
基材層４をダイシングリング２６に貼り付けた後、図６（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６を基材層４の粘着部４Ｂに貼り付けた状態で取り出す。取り出した分割後半導体ウェーハ２３を表面２３ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。
【００９３】
次に、図７（ａ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の表面２３ａから保護シート２２を剥離する。保護シート２２を剥離する際に、剥離を容易にするために、保護シート２２を加熱してもよい。
【００９４】
次に、図７（ｂ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の切り込み２３ｃ（切断部分）に沿って、すなわちダイシングラインに沿って粘接着剤層３をダイシングする。粘接着剤層３を両面を貫通するようにダイシングし、個々の半導体チップの大きさに分割する。ダイシングの後に、粘接着剤層３には切断部分３ｄが形成される。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着剤層３部分の下方には、非粘着性を有する非粘着部４Ａが位置しているので、ダイシングを精度よく行うことができる。このため、ダイシングの後に、接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００９５】
ダイシングは、粘接着剤層３を貫通するように行われれば特に限定されない。粘接着剤層３をダイシングする方法としては、ダイシングブレードを用いる方法、及びレーザーダイシングする方法等が挙げられる。分割後半導体ウェーハ２３を用いる場合には、一般的には、レーザーダイシングする方法が用いられる。
【００９６】
中間層４の非粘着部４Ａが、例えば硬化されている場合には、非粘着部４Ａがレーザー光の照射により反応し難い。このため、基材層４が粘接着剤層３に融着し難い。従って、レーザー光を用いたダイシングを行った場合でも、半導体チップのピックアップを無理なく行うことができる。
【００９７】
半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、ダイシング層５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップ間の間隔を拡張する。その後、半導体チップを粘接着剤層３ごと基材層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。
【００９８】
また、ダイシングの後に、粘接着剤層３と非粘着部４Ａとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップを取り出すことが好ましい。基材層４の粘接着剤層３に貼り付けられている非粘着部４Ａは非粘着性を有する。従って、ダイシングの後に、上記剥離力を変化させなくても、粘接着剤層３付き半導体チップを無理なく取り出すことができる。
【００９９】
次に、図９（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の他の例を以下説明する。
【０１００】
先ず、上述したダイシング−ダイボンディングテープ１と、半導体ウェーハ４１とを用意する。半導体ウェーハ４１の平面形状は円形である。半導体ウェーハ４１は個々の半導体チップに分割されていない。
【０１０１】
図９（ａ）に示すように、半導体ウェーハ４１を裏返して、裏返された半導体ウェーハ４１を表面４１ａ側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、半導体ウェーハ４１の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の面３ｂを、半導体ウェーハ４１の裏面４１ｂに貼り付ける。また、露出した基材層４の外周部分を貼付起点４Ｃから、ダイシングリング２６に貼り付ける。
【０１０２】
次に、図９（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた半導体ウェーハ４１をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６を基材層４の粘着部４Ｂに貼り付けられた状態で取り出す。取り出した半導体ウェーハ４１を表面４１ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。次に、半導体ウェーハ４１を粘接着剤層３ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する。半導体ウェーハ４１及び粘接着剤層３をそれぞれ、両面を貫通するように分断する。ダイシングの後に、半導体ウェーハ４１に切断部分４１ｃが形成され、粘接着剤層３に切断部分３ｄが形成され、かつ基材層４に切り込みが形成される。
【０１０３】
次にダイシング層５を引き延ばして、半導体チップを粘接着剤層３ごと基材層４から剥離して、取り出すことにより、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。
【０１０４】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【０１０５】
（アクリル系ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤であるイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）３．５重量部を反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー１）を得た。得られたアクリル系ポリマー１の重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【０１０６】
また、基材層を形成するための組成物を構成する材料として、以下の化合物を用意した。
【０１０７】
（光重合開始剤）
イルガキュア６５１（チバ・ジャパン社製）
【０１０８】
（オリゴマー）
Ｕ３２４Ａ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（１０官能のウレタンアクリルオリゴマー）、重量平均分子量：１，３００
【０１０９】
（架橋剤）
コロネートＬ−４５：日本ポリウレタン工業社製、イソシアネート系架橋剤
【０１１０】
（ダイシング層）
ポリエチレン（プライムポリマー社製、Ｍ１２）を原料として用いて、Ｔダイ法により、厚み１００μｍのダイシング層であるポリエチレンフィルムを製造した。
【０１１１】
（実施例１）
実施例１では、図１（ａ），（ｂ）及び図２に示す形状のダイシング−ダイボンディングテープ及び基材層を形成した。
【０１１２】
（１）第１の積層体の作製
上記アクリル系ポリマー１を１００重量部と、イルガキュア６５１を１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマーであるＵ３２４Ａを１５重量部と、コロネートＬ−４５を１重量部とを配合し、粘着剤組成物を得た。得られた粘着剤組成物を離型ＰＥＴフィルム上に塗工し、１１０℃で５分間乾燥し、溶媒を除去し、組成物層を形成した。
【０１１３】
ダイシング層であるポリエチレンフィルムの基材層が積層される面を、鏡面加工及びコロナ処理した。組成物層の離型ＰＥＴフィルムが貼り付けられた面とは反対側の面に、ポリエチレンフィルムを貼り付けた。その後、４０℃で２４時間保管した。
【０１１４】
次に、得られた組成物層の中央の領域に、水銀灯を用いて、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるように光を照射し、組成物層を硬化させた。このようにして、中央の領域に非粘着部を有し、該非粘着部の外側部分の領域に粘着部を有する基材層（厚み２０μｍ）を得た。
【０１１５】
このようにして、離型ＰＥＴフィルム、基材層及びダイシング層がこの順で積層された第１の積層体を得た。
【０１１６】
（２）第２の積層体の作製
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、ナフタレン型エポキシ）１５重量部と、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤であるメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０重量％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。
【０１１７】
得られた塗液を離型ＰＥＴフィルム上に厚み１０μｍになるように塗工し、１１０℃のオーブン内で２分間加熱乾燥した。
【０１１８】
その後、粘接着剤層の平面形状が、下記の表１に示す直径の円形になるように加工し、離型ＰＥＴフィルム上に、粘接着剤層が積層されている第２の積層体を得た。
【０１１９】
（３）ダイシング−ダインボンディングテープの作製
次に、第１の積層体の離型ＰＥＴフィルムを剥離して、基材層を露出させた。基材層とダイシング層との積層体を基材層側から、粘接着剤層上に６０℃でラミネートし、ラミネート体を得た。その後、図１（ａ），（ｂ）及び図２に示す形状であって、下記の表１に示す寸法となるように、基材層及びダイシング層に切り抜いた。このようにして、離型ＰＥＴフィルム／粘接着剤層／基材層／ダイシング層がこの順で積層された４層の積層構造を有するダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１２０】
得られたダイシング−ダイボンディングテープでは、非粘着部が粘接着剤層よりも大きく、非粘着部が、粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有していた。
【０１２１】
（実施例２〜４）
実施例２〜４では、図１（ａ），（ｂ）及び図２に示す形状のダイシング−ダイボンディングテープ及び基材層を形成した。基材層及びダイシング層の寸法を、下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。なお、図２では、貼付起点４Ｃの先端が、基材層４全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線（一点鎖線）の貼付方向における先端から貼付方向に突出していないが、実施例４では、貼付起点４Ｃの先端が、仮想線の貼付方向における先端から貼付方向に突出していた。
【０１２２】
【表１】
【０１２３】
（実施例５〜６）
実施例２〜６では、基材層及びダイシング層の形状及び寸法を、図３に示す形状であって、下記の表２に示寸法に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。なお、図３では、貼付起点１１Ｃの先端が、基材層１１全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線（一点鎖線）の貼付方向における先端から貼付方向に突出していないが、実施例６では、貼付起点１１Ｃの先端が、仮想線の貼付方向における先端から貼付方向に突出していた。
【０１２４】
【表２】
【０１２５】
（実施例７）
実施例７では、基材層及びダイシング層の形状及び寸法を、図４に示す形状であって、下記の表３に示す寸法に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１２６】
【表３】
【０１２７】
（比較例１〜５）
比較例１〜５では、基材層及びダイシング層の形状及び寸法を、下記の表４に示す図１０〜１４の内のいずれかの形状であって、下記の表４に示す寸法に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１２８】
比較例１，２，４，５では、基材層の平面形状は略円形であり、貼付起点部分を除く基材層の平面形状は円形の一部であった。図１０〜１１，１３〜１４では、基材層１０１〜１０２，１０４〜１０５全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線を一点鎖線で示した。比較例３では、基材層１０３の平面形状は円形であった。
【０１２９】
【表４】
【０１３０】
（評価）
直径３００ｍｍ（１２ｉｎｃｈ）の半導体ウェーハ（シリコンウェーハ、厚み８０μｍ）の表面に深さ１００μｍの切り込みを入れた。次に、半導体ウェーハの表面に保護シートであるバックグラインディングテープ イクロスＳＢ１３５Ｓ−ＢＮ（三井化学社製、オレフィンの片面にアクリル系粘着剤が塗布されている）をアクリル系粘着剤側からラミネートした。次に、半導体ウェーハの厚みが３５μｍになるまで半導体ウェーハの裏面を研削した後、ＣＭＰスラリーを用いて、半導体ウェーハの厚みが３０μｍになるまで半導体ウェーハの裏面の鏡面仕上げを行った。このようにして、保護シートと、分割後半導体ウェーハとの積層体を得た。
【０１３１】
次に、ウェーハマウンターＤＡＭ−８１２Ｍ（タカトリ社製）を用いてダイシングダイボンディングフィルムを積層体の分割後半導体ウェーハの裏面及びダイシングリング（外径４００ｍｍ、内径３５０ｍｍ）に貼り付けた。尚、積層体の分割後半導体ウェーハをのせるステージは６０℃に設定した。
【０１３２】
次に、粘接着剤層が貼り付けられた分割後半導体ウェーハをステージから取り出して、裏返し、別のステージ上に載せた。その後、分割後半導体ウェーハの表面から、６０℃で保護シートを剥離した。
【０１３３】
次に、ダイシング装置ＤＦＬ７１６０（ディスコ社製）を用いて、レーザー出力０．５Ｗ、周波数５０ｋＨｚ、送り速度１００ｍｍ／秒、デフォーカス量−０．０５ｍｍ、焦点位置粘接着剤層表面で、粘接着剤層を個々の半導体チップの大きさにダイシングした。ダイシングの後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、２０個の粘接着剤層付き半導体チップを連続してピックアップした。
【０１３４】
上記粘接着剤層付き半導体チップの製造において、下記の（１）〜（４）の評価項目について評価を行った。
【０１３５】
（１）突き出し性
基材層の外周部分を貼付起点からダイシングリングに貼り付ける際の突き出し性を、下記の判定基準で判定した。
【０１３６】
［突き出し性の判定基準］
○：基材層を問題なくダイシングリングに貼り付けることができた
×：基材層の貼付起点をダイシングリングに貼り付けられないことがあった
【０１３７】
（２）貼り付け後の基材層の切れ又は変形の有無
分割後半導体ウェーハに貼り付けた後の基材層の切れ又は変形の有無を下記の判定基準で判定した。
【０１３８】
［貼り付け後の基材層の切れ又は変形の有無の判定基準］
○：貼り付け後に基材層の切れ又は変形なし
△：貼り付け後に基材層は切れていないものの、引き延ばされていた
×：貼り付け後に基材層が切れていた
【０１３９】
（３）基材層のはみ出し
基材層の外周部分を貼付起点からダイシングリングに貼り付ける際の基材層のはみ出しを、下記の判定基準で判定した。
【０１４０】
［貼り付け後の基材層のはみ出しの判定基準］
○：貼り付け後に基材層がダイシングリングからはみ出さなかった
×：貼り付け後に基材層がダイシングリングからはみ出した
【０１４１】
（４）カーフシフト
保護シートを剥離した後に、分割後半導体ウェーハの切断部分を観察し、カーフシフトを下記の判定基準で判定した。
【０１４２】
［カーフシフトの判定基準］
○：複数の半導体チップの整列異常がなく、２つの半導体チップ間の切断部分の延長線上に、該２つの半導体チップに隣接する２つの半導体チップ間の切断部分が存在しない部分がない
×：複数の半導体チップの整列異常があり、２つの半導体チップ間の切断部分の延長線上に、該２つの半導体チップに隣接する２つの半導体チップ間の切断部分が存在しない部分がある
【０１４３】
（５）ピックアップ性
粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を下記の判定基準で判定した。
【０１４４】
［ピックアップ性の判定基準］
○：ピックアップできなかった半導体チップなし
×：ピックアップできなかった半導体チップあり
【０１４５】
なお、このピックアップ不良は、カーフの異常（半導体チップの整列異常）による半導体チップの傾きが主な原因であり、半導体チップの認識不足によるものであった。
【０１４６】
結果を下記の表５に示す。
【０１４７】
【表５】
【符号の説明】
【０１４８】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…一方の面
３ｂ…他方の面
３ｃ…外周側面
３ｄ…切断部分
４…基材層
４Ａ…非粘着部
４Ｂ…粘着部
４Ｃ…貼付起点
４ａ〜４ｃ…凸部
５…ダイシング層
１１，１２…基材層
１１Ａ，１２Ａ…非粘着部
１１Ｂ，１２Ｂ…粘着部
１１Ｃ，１２Ｃ…貼付起点
１１ａ〜１１ｄ，１２ａ〜１２ｄ…凸部
２１…積層体
２２…保護シート
２２ａ…一方の面
２３…分割後半導体ウェーハ
２３Ａ…半導体ウェーハ
２３ａ…表面
２３ｂ…裏面
２３ｃ…切り込み
２５…ステージ
２６…ダイシングリング
２７…ステージ
３１…ロール
３２…剥離エッジ
４１…半導体ウェーハ
４１ａ…表面
４１ｂ…裏面
４１ｃ…切断部分
５１…ダイシング−ダイボンディングテープ
５２…基材層
５２ｃ…貼付起点
５３…ダイシング層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、該粘接着剤層付き半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハから半導体チップを切り出す際には、先ダイシング法と呼ばれているダイシング法が用いられている。先ダイシング法の一例は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。
【０００３】
先ダイシング法では、先ず、半導体ウェーハの表面に切り込みを形成する。次に、切り込みが形成された半導体ウェーハの表面に、保護シートを貼り付ける。その後、半導体ウェーハの裏面を切り込み部分まで研削して、半導体ウェーハの厚みを薄くし、個々の半導体チップに分割する。個々の半導体チップに分割された分割後半導体ウェーハの表面には、保護シートが貼り付けられている。
【０００４】
また、上記先ダイシング法により得られた個々の半導体チップを基板上に容易に実装するために、半導体チップの裏面にダイボンディング層が貼り付けられることが多い。このダイボンディング層付き半導体チップを得るために、ダイボンディング層とダイシング層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。
【０００５】
ダイシング−ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献２には、剥離シート上にダイボンディング層が積層されており、該ダイボンディング層を被覆するように、剥離シート及びダイボンディング層上にダイシング層が積層されているダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。ダイボンディング層は、ダイシング後に半導体チップとともに取り出され、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。ダイシング層を剥離シートから容易に剥離するために、ダイシング層の外周縁には、突出部が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２４５４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−１１６７９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いてダイボンディング層付き半導体チップを得る際には、ダイシング層の突出部を剥離起点として、ダイボンディング層とダイシング層とを剥離シートから剥離して、ダイボンディング層とダイシング層の外周部分とを露出させる。次に、露出したダイボンディング層を分割後半導体ウェーハに貼り付けて、かつ露出したダイシング層の外周部分をダイシングリングに貼り付ける。次に、分割後半導体ウェーハの表面に貼り付けられている保護シートを剥離する。その後、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、ダイボンディング層をダイシングする。ダイシングの後に、ダイボンディング層付き半導体チップを、ダイシング層から剥離して、取り出す。取り出されたダイボンディング層付き半導体チップは、ダイボンディング層側から基板上に実装される。
【０００８】
特許文献１に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、該テープが局所的に変形した状態でダイシングリングに貼り付けられることがある。
【０００９】
その場合、ダイシング層をダイシングリングに貼り付けた後に、ダイシング層には、通常、貼り付け時の引張応力を緩和する収縮力が作用し、ダイシング層の収縮力が部分的に異なることがある。このため、分割後半導体ウェーハの切断部分であるダイシングラインが湾曲する（カーフシフトと呼ばれる現象）ことがある。特に、保護シートを加熱して剥離する場合に、加熱によりダイシング層の貼り付け時の引張応力が緩和しやすく、ダイシングラインが湾曲しやすい。従って、ダイボンディング層を精度良くダイシングすることができなかったり、チップ間が均等に広がらず、ダイボディング層付き半導体チップのピックアップ性が低かったりすることがある。
【００１０】
本発明の目的は、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、ダイシングリングへの貼り付けの時に部分的な変形を抑えられ、ダイシングの精度を高めることができ、また、チップ間が均等に広がることで粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の広い局面によれば、粘接着剤層と、該粘接着剤層の一方の面に積層されている基材層とを備え、ダイシング時に、上記基材層の外周部分にダイシングリングが貼り付けられ、上記基材層が外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点を有し、上記貼付起点を除く部分における上記基材層の上記ダイシングリングに貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、上記貼付起点を除く部分における上記基材層の外径をＤ（ｍｍ）としたときに、上記基材層の上記貼付起点側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における上記貼付起点の長さＬ（ｍｍ）が、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。
【００１２】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、上記基材層の上記貼付起点側の外周先端の曲率は、上記基材層の上記貼付起点を除く部分の外周端の曲率よりも大きい。
【００１３】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの他の特定の局面では、上記基材層は、上記貼付起点側の外周端に凸部を有し、上記基材層の上記貼付起点側の外周先端は、上記凸部の頂点である。
【００１４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのさらに他の特定の局面では、上記基材層は、上記貼付起点側の外周端に複数の凸部を有し、該複数の凸部が曲線で連なっている。
【００１５】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、本発明に従って構成されたダイシング−ダイボンディングテープと、保護シート及び該保護シートの一方の面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体とを用いて、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記基材層の上記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に上記貼付起点を除く上記基材層の外周部分を上記ダイシングリングに貼り付ける工程と、上記保護シートを上記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿ってダイシングする工程と、ダイシングの後に、上記半導体チップが貼り付けられた上記粘接着剤層を上記基材層から剥離し、半導体チップを上記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。なお、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記基材層の上記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に上記貼付起点を除く上記基材層の外周部分を上記ダイシングリングに貼り付ける工程とは同時に行われてもよい。
【００１６】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法のある特定の局面では、半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、切り込みが形成された上記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、上記保護シートが貼り付けられた上記半導体ウェーハの裏面を研削し、上記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、上記積層体を得る工程がさらに備えられる。
【００１７】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの他の製造方法は、本発明に従って構成されたダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用いて、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記基材層の上記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に上記貼付起点を除く上記基材層の外周部分を上記ダイシングリングに貼り付ける工程と、上記半導体ウェーハと上記粘接着剤層とをダイシングする工程と、ダイシングの後に、上記半導体チップが貼り付けられた上記粘接着剤層を上記基材層から剥離し、半導体チップを上記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。なお、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記基材層の上記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に上記貼付起点を除く上記基材層の外周部分を上記ダイシングリングに貼り付ける工程とは同時に行われてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、貼付起点を除く部分における基材層のダイシングリングに貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、貼付起点を除く部分における基材層の外径をＤ（ｍｍ）としたときに、基材層の貼付起点側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点の長さＬ（ｍｍ）が、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内であるので、基材層の貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に貼付起点を除く基材層の外周部分をダイシングリングに貼り付けることにより、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに局所的な変形を抑制して、貼り付けることができる。このため、ダイシング後のダイシングラインが湾曲し難い。従って、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００１９】
さらに、保護シートと分割後半導体ウェーハとの積層体を用いて、粘接着剤層付き半導体チップを得る場合には、ダイシング−ダイボンディングテープの粘接着剤層を積層体の分割後半導体ウェーハに貼り付けて、保護シートを分割後半導体ウェーハから剥離したとしても、分割後半導体ウェーハの切断部分であるダイシングラインが湾曲し難い。このため、粘接着剤層を精度よくダイシングでき、ピックアップ性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図２】図２は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの基材層のみを拡大して模式的に示す部分切欠平面図である。
【図３】図３は、ダイシング−ダイボンディングテープの基材層の変形例を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図４】図４は、ダイシング−ダイボンディングテープの基材層の他の変形例を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は、粘接着剤層付き半導体チップを製造する際に用いられる積層体を得る各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図８】図８（ａ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けるときの状態を示す正面断面図であり、図８（ｂ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けた後の状態を示す平面図である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する他の方法を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図１０】図１０は、比較例１の基材層の形状を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図１１】図１１は、比較例２の基材層の形状を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図１２】図１２は、比較例３の基材層の形状を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図１３】図１３は、比較例４の基材層の形状を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図１４】図１４は、比較例５の基材層の形状を模式的に示す部分切欠平面図である。
【図１５】図１５は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの変形例を模式的に示す部分切欠平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２２】
（ダイシング−ダイボンディングテープ）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図１及び後述の図では、図示の便宜上、寸法及び大きさは、実際の寸法及び大きさから適宜変更している。
【００２３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３と、基材層４と、ダイシング層５とがこの順に積層されている。粘接着剤層３の一方の面３ａ（第１の面）に、基材層４が積層されている。粘接着剤層３の他方の面３ｂ（第２の面）に離型層２が積層されている。
【００２４】
長尺状の離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を有する複数の積層物が等間隔に配置されている。該積層物の側方において、離型層２の上面２ａに保護シートが設けられていてもよい。
【００２５】
離型層２は、例えば、離型フィルムである。離型層２は、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる他方の面３ｂを保護するために用いられる。なお、離型層２は、必ずしも用いられていなくてもよい。
【００２６】
離型層２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。
【００２７】
離型層２の表面は離型処理されていてもよい。離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。
【００２８】
離型層２の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、離型層２の厚みは、１０〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２９】
粘接着剤層３は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。粘接着剤層３は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。
【００３０】
粘接着剤層３は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。粘接着剤層３付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層３付き半導体チップを粘接着剤層３側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、粘接着剤層３を硬化させることにより、粘接着剤層３を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。
【００３１】
上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。
【００３２】
粘接着剤層３の厚みは特に限定されない。粘接着剤層３の厚みは、１〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。粘接着剤層３の厚みのより好ましい下限は３μｍ、より好ましい上限は６０μｍである。粘接着剤層３の厚みが上記範囲内にあると、半導体チップの貼り付けが容易であり、更に半導体装置の薄型化に対応できる。
【００３３】
基材層４は、非粘着性を有する非粘着部４Ａを有する。非粘着部４Ａは、基材層４の中央の領域に設けられている。非粘着部４Ａは、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる位置に対応する部分に設けられている。非粘着部４Ａの平面形状は、円形である。平面視において、基材層４は粘接着剤層３よりも大きく、非粘着部４Ａは粘接着剤層３よりも大きい。従って、非粘着部４Ａは、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも側方に張り出している領域を有する。このため、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の非粘着部４Ａが貼り付けられている部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせすることができる。貼り付けの後には、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３の一方の面３ａ上に非粘着部４Ａを確実に配置できる。このため、ダイシングの後に、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４の非粘着部４Ａから容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。
【００３４】
なお、「非粘着性」とは、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着」とは、基材層４の非粘着部４Ａをステンレス板に貼り付けて、基材層４を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。
【００３５】
基材層４は、非粘着部４Ａの外側部分の領域に、粘着性を有する粘着部４Ｂを有する。粘着部４Ｂは環状である。基材層４は粘接着剤層３を被覆しており、基材層４の粘着部４Ｂが離型層２の上面２ａに貼り付けられている。粘接着剤層３の一方の面３ａの全体に、基材層４の非粘着部４Ａが積層されている。粘接着剤層３の一方の面３ａに粘着部４Ｂは積層されていない。ダイシング時に、基材層４の粘着部４Ｂにダイシングリングが貼り付けられる。
【００３６】
図２に、ダイシング−ダイボンディングテープ１の基材層４のみを拡大して平面図で示す。
【００３７】
図２に示すように、基材層４は外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点４Ｃを有する。貼付起点４Ｃは貼付開始部分である。粘接着剤層付き半導体チップを得る際には、貼付起点４Ｃから基材層４の外周部分をダイシングリングに貼り付ける。基材層４のダイシングリングに貼り付けられる部分は、粘着性を有する粘着部４Ｂである。
【００３８】
基材層４の平面形状は略円形であり、貼付起点４Ｃ部分を除く基材層４の平面形状は円形の一部である。図２では、基材層４全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線を一点鎖線で示した。
【００３９】
貼付起点４Ｃを除く基材層４のダイシングリングに貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、貼付起点４Ｃを除く部分における基材層４の外径（直径）をＤ（ｍｍ）とする。本実施形態では、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点４Ｃの長さＬ（ｍｍ）は、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。長さＬが０．３０Ｄを下回ると、貼り付け時に局所的な変形が発生する可能性が高まる。また、長さＬが０．４４Ｄを上回ると、ダイシングリングからはみ出す可能性が高くなり、はみ出てしまった場合、次工程への搬送中に他のダイシングリングに貼り付いたり、加工装置内で周辺部に貼り付いたりするなどのトラブルの原因になることがある。さらに、貼付起点の長さが短すぎると、貼り付け開始時に、貼付起点に応力が集中しやすくなる。貼付起点の長さを長くすることにより、貼り付け開始時の応力を、貼付起点の長さ方向に分散させることができる。このため、先ダイシングされた分割後半導体ウェーハにおける複数の半導体チップの位置ずれを防ぐことができる。
【００４０】
貼付起点４Ｃの先端が、基材層４全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線（図２の一点鎖線）の貼付方向における先端から貼付方向に突出した長さを突出長さＺ（ｍｍ）とする。後述の実施形態でも、同様に突出した長さを突出長さＺ（ｍｍ）とする。突出長さＺ（ｍｍ）は０．２０Ｗよりも小さいことが好ましく、突出度合いは小さいことが好ましい。突出量が大きくなるとダイシングリングに貼り付ける時にダイシングリングに貼り付けられる部分の幅が不均一になったり、ダイシングリングからはみ出したりすることがある。「貼付方向」とは、貼付開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点が設けられた基材層の一端と、該一端とは反対側の他端とを結ぶ方向である。
【００４１】
幅Ｗは、基材層４をダイシングリングに貼り付けたときに、貼付起点４Ｃを除く部分における、ダイシングリングの内周端から基材層４の外周端までの距離である。
【００４２】
貼付起点４Ｃ部分を除く基材層４の平面形状は円形の一部であり、外径Ｄは、円形部分における基材層４の外径（直径）を示す。
【００４３】
貼付起点４Ｃは、幅方向と該幅方向よりも長い長さ方向とを有する。長さＬは、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端から内側に向かって、すなわち貼付方向に内側に向かって、０．３Ｗの距離の位置における貼付起点４Ｃの長さ方向寸法を示す。長さＬは、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端から、基材層４の貼付起点４Ｃ側とは反対側に向かって０．３Ｗの距離の位置における貼付起点４Ｃの長さ方向寸法を示す。
【００４４】
基材層４は、貼付起点４Ｃ側の外周端に３つの凸部４ａ〜４ｃを有する。凸部４ａと凸部４ｃとの間に、凸部４ｂが位置している。凸部４ａの頂点をＢ１、凸部４ｂの頂点をＡ１、凸部４ｃの頂点をＢ２として図２に示した。Ａ１は、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端である。
【００４５】
基材層４では、Ｂ１とＡ１とは直線で連なっており、Ａ１とＢ２とは直線で連なっている。Ｂ１、Ａ１及びＢ２を結ぶ３つの直線により囲まれた部分の平面形状は、Ｂ１とＡ１とを結ぶ直線及びＡ１とＢ２とを結ぶ直線の長さが等しい二等辺三角形である。Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ１から下ろした垂線との交差点を、Ａ１１として図２に示した。
【００４６】
Ｂ１と基材層４の円形部分、及びＢ２と基材層４の円形部分とは直線で連なっている。Ｂ１と基材層４の円形部分との接点をＣ１、Ｂ２と基材層４の円形部分のとの接点をＣ２として図２に示した。Ｂ１とＣ１とを結ぶ直線は、基材層４の円形部分のＣ１における接線である。Ｂ２とＣ２とを結ぶ直線は、基材層４の円形部分のＣ２における接線である。
【００４７】
基材層４の非粘着部４Ａと粘着部４Ｂとは一体的に形成されている。非粘着部４Ａと粘着部４Ｂとは、同じ材料により形成されており、異なる材料により形成されてはいない。
【００４８】
基材層４は、例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の粘着性を有する組成物を用いて形成できる。活性エネルギー線硬化型の組成物の場合には、組成物に対する活性エネルギー線の照射量を部分的に調整することにより、基材層４の粘着性を部分的に異ならせることができる。基材層４が非粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線の照射量を多くすればよい。基材層４が粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線を照射しなかったり、活性エネルギー線の照射量を少なくしたりすればよい。
【００４９】
基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物により形成されていることが好ましい。基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合には、ダイシングの際の切削性をより一層高くすることができる。また、基材層４の極性、貯蔵弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。
【００５０】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、基材層４の極性を充分に低くすることができ、基材層４の表面エネルギーを低くすることができ、かつ粘接着剤層３の基材層４からの剥離性を高くすることができる。
【００５１】
上記組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。
【００５２】
上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。
【００５３】
上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
【００５４】
基材層４の厚みは特に限定されない。基材層４の厚みは、１〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。基材層４の厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は６０μｍである。基材層４の厚みが上記好ましい下限を満たすと、エクスパンド性をより一層高めることができる。基材層４の厚みが上記好ましい上限を満たすと、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度をよく一層高めることができる。
【００５５】
ダイシング層５は、例えば、ダイシングフィルムである。ダイシング層５を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系樹脂が好適に用いられる。
【００５６】
ダイシング層５の厚みは特に限定されない。ダイシング層５の厚みは、１０〜２００μｍの範囲内であることが好ましい。ダイシング層５の厚みのより好ましい下限は６０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。ダイシング層５の厚みが上記範囲内であると、離型層２の剥離性及びダイシング層５のエクスパンド性をより一層高くすることができる。
【００５７】
本実施形態では、ダイシング層５の平面形状は、基材層４の平面形状と等しい。ダイシング層５の平面形状は、基材層４の平面形状と異なっていてもよい。ダイシング層５の大きさは、本発明の効果を阻害しない範囲内で、基材層４の大きさよりも大きくてもよく、小さくてもよい。ダイシング層５の大きさは、基材層４の大きさよりも大きい方が好ましい。
【００５８】
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５が用いられている。ダイシング層５が省略されて、基材層４がダイシング層を兼ねていてもよい。ダイシング−ダイボンディングテープ１では、基材層４の粘着部４Ｂにダイシングリングを貼り付けることができるため、ダイシング層５にダイシングリングを貼り付ける必要がない。このため、ダイシング層５を省略できる。ダイシング層５にはダイシングリングを貼り付ける必要がないので、ダイシング層５は粘着力を有していなくてもよい。従って、ダイシング層５を構成する材料及び組成をより広い範囲から選択できる。
【００５９】
ダイシングの際に、半導体チップの飛び等をより一層効果的に防止できるので、基材層４の粘接着剤層３が貼り付けられた一方の面とは反対側の他方の面にダイシング層５が貼り付けられていることが好ましい。この場合には、基材層４にエクスパンド性等が大きく要求されないため、基材層４を構成する材料及び組成をより広い範囲から選択できる。
【００６０】
図３及び図４に、基材層の変形例を示す。
【００６１】
図３，４に示す基材層１１，１２は、貼付起点の形状が異なること以外は基材層４と同様に構成されている。基材層１１，１２は、非粘着部１１Ａ，１２Ａと、非粘着部１１Ａ，１２Ａの外周部分の領域に粘着部１１Ｂ，１２Ｂとを有する。基材層１１，１２のダイシングリングに貼り付けられる部分は、粘着性を有する粘着部１１Ｂ，１２Ｂである。
【００６２】
基材層１１，１２の平面形状は略円形であり、貼付起点１１Ｃ，１２Ｃ部分を除く基材層１１，１２の平面形状は円形の一部である。図３，４では、基材層１１，１２全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線を一点鎖線で示した。基材層１１，１２の貼付起点１１Ｃ，１２Ｃを除く部分における基材層１１，１２のダイシングリングに貼り付けられる部分の幅Ｗ（ｍｍ）とし、貼付起点１１Ｃ，１２Ｃを除く部分における基材層１１，１２の外径をＤ（ｍｍ）とする。基材層１１，１２の貼付起点１１Ｃ，１２Ｃ側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点１１Ｃ，１２Ｃの長さＬ（ｍｍ）は、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。長さＬが０．３０Ｄを下回ると、貼り付け時に局所的な変形が発生する可能性が高まる。また、長さＬが０．４４Ｄを上回ると、ダイシングリングからはみ出す可能性が高くなり、はみ出てしまった場合、次工程への搬送中に他のダイシングリングに貼り付いたり、加工装置内で周辺部に貼り付いたりするなどのトラブルの原因になることがある。
【００６３】
図３に示す基材層１１は、貼付起点１１Ｃ側の外周端に４つの凸部１１ａ〜１１ｄを有する。凸部１１ａと凸部１１ｄとの間に凸部１１ｂと凸部１１ｃとが位置しており、凸部１１ｂが凸部１１ａ側に位置しており、凸部１１ｃが凸部１１ｄ側に位置している。凸部１１ａの頂点をＢ１、凸部１１ｂの頂点をＡ１、凸部１１ｃの頂点をＡ２、凸部１１ｄの頂点をＢ２として図３に示した。Ａ１とＡ２とは、基材層１１の貼付起点１１Ｃ側の外周先端である。
【００６４】
基材層１１では、Ｂ１とＡ１とは直線で連なっており、Ａ１とＡ２とは曲線で連なっており、Ａ２とＢ２とは直線で連なっている。Ｂ１、Ａ１、Ａ２及びＢ２を結ぶ４つの直線により囲まれた部分の平面形状は、Ａ１とＡ２とを結ぶ直線を上底、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線を下底とする等脚台形である。凸部１１ｂと凸部１１ｃとの間の凹部の最深部をＡ１１として図３に示した。また、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ１から下ろした垂線との交差点をＡ２１とし、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ２から下ろした垂線との交差点をＡ２２として図３に示した。
【００６５】
Ｂ１と基材層１１の円形部分、及びＢ２と基材層１１の円形部分とは直線で連なっている。Ｂ１と基材層１１の円形部分との接点をＣ１、Ｂ２と基材層１１の円形部分のとの接点をＣ２として図３に示した。Ｂ１とＣ１とを結ぶ直線及びＢ２とＣ２とを結ぶ直線はそれぞれ、基材層１１の円形部分のＣ１，Ｃ２における接線である。
【００６６】
図４に示す基材層１２は、貼付起点１２Ｃ側の外周端に４つの凸部１２ａ〜１２ｄを有する。凸部１２ａと凸部１２ｄとの間に凸部１２ｂと凸部１２ｃとが位置しており、凸部１２ｂが凸部１２ａ側に位置しており、凸部１２ｃが凸部１２ｄ側に位置している。凸部１２ａの頂点をＡ１、凸部１２ｂの頂点をＡ２、凸部２１ｃの頂点をＡ３、凸部２１ｄの頂点をＡ４として図４に示した。Ａ１とＡ２とＡ３とＡ４とはいずれも、基材層１２の貼付起点１２Ｃ側の外周先端である。
【００６７】
基材層１２では、Ａ１とＡ２、Ａ２とＡ３、Ａ３とＡ４とはそれぞれ、曲線で連なっている。凸部１２ａと凸部１２ｂとの間の凹部の最深部をＡ１１、凸部１２ｂと凸部１２ｃとの間の凹部の最深部をＡ１２、凸部１２ｃと凸部１２ｄとの間の凹部の最深部をＡ１３として図４に示した。
【００６８】
Ａ１と基材層１２の円形部分、及びＡ４と基材層１２の円形部分とは連なっている。Ａ１と基材層１２の円形部分との接点をＣ１、Ａ４と基材層１２の円形部分との接点をＣ２として図４に示した。Ａ１とＣ１とは、曲線と直線とで連なっており、Ａ１側が曲線、Ｃ１側が直線である。Ａ１から延びる曲線とＣ１から延びる直線との境界をＢ１として図４に示した。Ａ４とＣ２とは曲線と直線とで連なっており、Ａ４側が曲線、Ｃ２側が直線である。Ａ４から延びる曲線とＣ２から延びる直線との境界をＢ２として図４に示した。Ｃ１から延びる直線及びＣ２から延びる直線はそれぞれ、基材層１２の円形部分のＣ１，Ｃ２における接線である。
【００６９】
Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ１から下ろした垂線との交差点をＡ２１とし、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ２から下ろした垂線との交差点をＡ２２とし、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ３から下ろした垂線との交差点をＡ２３とし、Ｂ１とＢ２とを結ぶ直線と、該直線にＡ４から下ろした垂線との交差点をＡ２４として図４に示した。
【００７０】
凸部１２ａ〜１２ｄの先端は曲線である。基材層１２の貼付起点１２Ｃ側の外周先端のＡ１〜Ａ４における曲率は、基材層１２の貼付起点１２Ｃを除く部分の外周端の曲率よりも大きい。
【００７１】
図３及び図４に示すように、基材層の貼付起点側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗ（ｍｍ）の距離の位置における貼付起点の長さＬ（ｍｍ）が０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である限り、基材層の貼付起点の平面形状は適宜変更できる。
【００７２】
基材層１２のように、基材層の貼付起点側の外周先端の曲率は、基材層の貼付起点を除く部分の外周端の曲率よりも大きいことが好ましい。この場合には、離型層２より剥がす時に、基材層の貼付起点側の外周先端が剥離起点となって、容易に剥離することが可能になり、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、粘接着剤層をより一層精度よくダイシングできる。
【００７３】
基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端は、凸部４ｂの頂点Ａ１である。基材層１１の貼付起点１１Ｃ側の外周先端は、凸部１１ｂ，１１ｃの頂点Ａ１，Ａ２である。基材層１２の貼付起点１２Ｃ側の外周先端は、凸部１２ａ〜１２ｄの頂点Ａ１〜Ａ４である。このように、基材層は、貼付起点側の外周端に凸部を有し、基材層３の貼付起点側の外周先端が該凸部の頂点であることが好ましい。この場合には、離型層２より剥がす時に、基材層の貼付起点側の凸部が剥離起点となって、容易に剥離することが可能になり、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、粘接着剤層をより一層精度よくダイシングできる。
【００７４】
基材層１１は、貼付起点１１Ｃ側の外周端に複数の凸部１１ａ〜１１ｄを有し、凸部１１ｂと凸部１１ｃとが曲線で連なっている。基材層１２は、貼付起点１２Ｃ側の外周端に複数の凸部１２ａ〜１２ｄを有し、該複数の凸部１２ａ〜１２ｄは曲線で連なっている。このように、基材層は、貼付起点側の外周端に複数の凸部を有し、該複数の凸部が曲線で連なっていることが好ましい。この場合には、離型層２より剥がす時に剥離起点となり、容易に剥離することができ、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、粘接着剤層をより一層精度よくダイシングできる。
【００７５】
また、基材層４，１１，１２では、貼付起点４Ｃ，１１Ｃ，１２Ｃと、貼付起点４Ｃ，１１Ｃ，１２Ｃを除く部分とのなす内角は１８０度以下である。すなわち、貼付起点４Ｃ，１１Ｃ，１２Ｃにおける基端部分において、貼付起点４Ｃ，１１Ｃ，１２Ｃと、貼付起点４Ｃ，１１Ｃ，１２Ｃを除く部分とは、内角が１８０度以下であるように連なっている。このように、上記内角が１８０度以下であると、貼付起点の基端において基材層が切れるのを防ぐことができる。上記内角が１８０度を超えると、貼付起点の基端において基材層が切れやすくなる傾向がある。
【００７６】
図１に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、１つの基材層４に貼付起点４Ｃが１箇所のみ設けられている。貼付起点４Ｃは、長尺状の離型層２の長さ方向の一端側に設けられている。図１５に、ダイシング−ダイボンディングテープの変形例を示す。図１に示すダイシング−ダイボンディングテープ１と図１５に示すダイシング−ダイボンディングテープ５１とは、基材層における貼付起点の個数及び形成位置が異なっており、それに伴ってダイシング層も異なっている。ダイシング−ダイボンディングテープ１に設けられた貼付起点４Ｃと、ダイシング−ダイボンディングテープ５１に設けられた基材層５２の貼付起点５２Ｃとの形状は同じである。ダイシング−ダイボンディングテープ５１に設けられた基材層５２とダイシング層５３との形状は同じである。なお、図１５では、基材層５２は、ダイシング層５３により覆われている。
【００７７】
図１５に示すダイシング−ダイボンディングテープ５１では、１つの基材層５２に貼付起点５２Ｃが２箇所設けられている。貼付起点５２Ｃは、長尺状の離型層２の長さ方向の一端側と、該一端側とは反対の他端側とに設けられている。このように、１つの基材層に複数の貼付起点が設けられていることが好ましく、少なくとも２つの貼付起点が設けられていることが好ましい。１つの基材層に複数の貼付起点が設けられている場合には、基材層の一端側と該一端側とは反対の他端側とに、貼付起点が設けられていることが好ましい。この場合には、ダイシング−ダイボンディングテープの使用時の方向性をなくすことができる。また、例えば、一端側の貼付起点から基材層をうまく貼り付けられない場合などに、他端側の貼付起点から基材層を貼り付けることが可能である。より具体的には、一端側の貼付起点から基材層をうまく貼り付けられない場合などに、長尺状のダイシング−ダイボンディングテープを一旦巻き取った後に、再度巻き出すことにより、他端側の貼付起点から基材層を貼り付けることが可能である。
【００７８】
（粘接着剤層付き半導体チップの製造方法）
次に、図１（ａ），（ｂ）及び図２に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。
【００７９】
先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、積層体２１とを有する。
【００８０】
図５（ｄ）に示すように、積層体２１は、保護シート２２と、保護シート２２の一方の面２２ａに積層されている分割後半導体ウェーハ２３とを有する。分割後半導体ウェーハ２３は個々の半導体チップに分割されている。分割後半導体ウェーハ２３の平面形状は円形である。
【００８１】
積層体２１は、図５（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【００８２】
先ず、図５（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａを用意する。半導体ウェーハ２３Ａは分割前半導体ウェーハである。半導体ウェーハ２３Ａの平面形状は円形である。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。
【００８３】
図５（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェーハ２３Ａを表面２３ａ側からダイシングする。ダイシングの後、半導体ウェーハ２３Ａは分断されていない。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、個々の半導体チップに分割するための切り込み２３ｃが形成されている。ダイシングは、例えば、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。
【００８４】
次に、図５（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａに、保護シート２２を貼り付ける。その後、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂを研削し、半導体ウェーハ２３Ａの厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削している。このようにして、図５（ｄ）に示す積層体２１を得ることができる。
【００８５】
半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切り込み２３ｃ部分まで研削することが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには保護シート２２が貼り付けられているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２３Ａが個々の半導体チップに分割されても、複数の半導体チップがばらばらにならずに保護シート２２に貼り付けられたままである。
【００８６】
積層体２１を得た後、図６（ａ）に示すように、積層体２１を保護シート２２側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、分割後半導体ウェーハ２３の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の面３ｂを、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。また、露出した基材層４の外周部分を、貼付起点４Ｃからダイシングリング２６に貼り付ける。
【００８７】
図８（ａ）に基材層４をダイシングリング２６に貼り付ける際の状態を正面断面図で示し、図８（ｂ）に基材層４をダイシングリング２６に貼り付けた後の状態を平面図で示す。
【００８８】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、通常、基材層４をダイシングリング２６に貼り付ける際には、剥離エッジ３２を用いて、基材層４及びダイシング層５を離型層２の上面２ａから剥離する。基材層４の貼付起点４Ｃをダイシングリング２６に貼り付けて、貼付起点４Ｃ上をロール３１で押さえ付ける。そして、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に皺が生じないように、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き延ばしながら、基材層４の外周部分をダイシングリング２６に貼り付ける。ダイシングリング２６に貼り付けられた基材層４及びダイシング層５には収縮力が作用している。
【００８９】
上記収縮力が部分的に異なると、例えば、基材層をダイシングリングに貼り付けた後に、又は分割後半導体ウェーハから保護シートを剥離した後に、分割後半導体ウェーハの切断部分すなわちダイシングラインが湾曲しやすい。
【００９０】
ダイシング−ダイボンディングテープ１では、長さＬ（ｍｍ）が０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。すなわち、ダイシング−ダイボンディングテープ１の基材層４をダイシングリングに貼り付ける際には、基材層４の貼付起点４Ｃ側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗの距離の位置をダイシングリング２６に貼り付けて、次に貼付起点４Ｃを除く基材層４の外周部分をダイシングリング２６に貼り付ける。言い換えれば、貼り付けの開始時に、ダイシングリング２６に貼り付けられる基材層４部分の長さＬ（ｍｍ）が０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である。従って、ダイシングリング２６に貼り付けられた基材層４及び該基材層４に積層された粘接着剤層３及びダイシング層５の収縮力が部分的に大きく異なり難い。
【００９１】
従って、基材層４をダイシングリング２６に貼り付けた後に、又は粘接着剤層３に貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３から保護シート２２を剥離した後に、分割後半導体ウェーハ２３のダイシングラインが湾曲し難い。このため、粘接着剤層３を精度よくダイシングできる。さらに、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００９２】
基材層４をダイシングリング２６に貼り付けた後、図６（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６を基材層４の粘着部４Ｂに貼り付けた状態で取り出す。取り出した分割後半導体ウェーハ２３を表面２３ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。
【００９３】
次に、図７（ａ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の表面２３ａから保護シート２２を剥離する。保護シート２２を剥離する際に、剥離を容易にするために、保護シート２２を加熱してもよい。
【００９４】
次に、図７（ｂ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の切り込み２３ｃ（切断部分）に沿って、すなわちダイシングラインに沿って粘接着剤層３をダイシングする。粘接着剤層３を両面を貫通するようにダイシングし、個々の半導体チップの大きさに分割する。ダイシングの後に、粘接着剤層３には切断部分３ｄが形成される。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着剤層３部分の下方には、非粘着性を有する非粘着部４Ａが位置しているので、ダイシングを精度よく行うことができる。このため、ダイシングの後に、接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００９５】
ダイシングは、粘接着剤層３を貫通するように行われれば特に限定されない。粘接着剤層３をダイシングする方法としては、ダイシングブレードを用いる方法、及びレーザーダイシングする方法等が挙げられる。分割後半導体ウェーハ２３を用いる場合には、一般的には、レーザーダイシングする方法が用いられる。
【００９６】
中間層４の非粘着部４Ａが、例えば硬化されている場合には、非粘着部４Ａがレーザー光の照射により反応し難い。このため、基材層４が粘接着剤層３に融着し難い。従って、レーザー光を用いたダイシングを行った場合でも、半導体チップのピックアップを無理なく行うことができる。
【００９７】
半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、ダイシング層５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップ間の間隔を拡張する。その後、半導体チップを粘接着剤層３ごと基材層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。
【００９８】
また、ダイシングの後に、粘接着剤層３と非粘着部４Ａとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップを取り出すことが好ましい。基材層４の粘接着剤層３に貼り付けられている非粘着部４Ａは非粘着性を有する。従って、ダイシングの後に、上記剥離力を変化させなくても、粘接着剤層３付き半導体チップを無理なく取り出すことができる。
【００９９】
次に、図９（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の他の例を以下説明する。
【０１００】
先ず、上述したダイシング−ダイボンディングテープ１と、半導体ウェーハ４１とを用意する。半導体ウェーハ４１の平面形状は円形である。半導体ウェーハ４１は個々の半導体チップに分割されていない。
【０１０１】
図９（ａ）に示すように、半導体ウェーハ４１を裏返して、裏返された半導体ウェーハ４１を表面４１ａ側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、半導体ウェーハ４１の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の面３ｂを、半導体ウェーハ４１の裏面４１ｂに貼り付ける。また、露出した基材層４の外周部分を貼付起点４Ｃから、ダイシングリング２６に貼り付ける。
【０１０２】
次に、図９（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた半導体ウェーハ４１をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６を基材層４の粘着部４Ｂに貼り付けられた状態で取り出す。取り出した半導体ウェーハ４１を表面４１ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。次に、半導体ウェーハ４１を粘接着剤層３ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する。半導体ウェーハ４１及び粘接着剤層３をそれぞれ、両面を貫通するように分断する。ダイシングの後に、半導体ウェーハ４１に切断部分４１ｃが形成され、粘接着剤層３に切断部分３ｄが形成され、かつ基材層４に切り込みが形成される。
【０１０３】
次にダイシング層５を引き延ばして、半導体チップを粘接着剤層３ごと基材層４から剥離して、取り出すことにより、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。
【０１０４】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【０１０５】
（アクリル系ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤であるイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）３．５重量部を反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー１）を得た。得られたアクリル系ポリマー１の重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【０１０６】
また、基材層を形成するための組成物を構成する材料として、以下の化合物を用意した。
【０１０７】
（光重合開始剤）
イルガキュア６５１（チバ・ジャパン社製）
【０１０８】
（オリゴマー）
Ｕ３２４Ａ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（１０官能のウレタンアクリルオリゴマー）、重量平均分子量：１，３００
【０１０９】
（架橋剤）
コロネートＬ−４５：日本ポリウレタン工業社製、イソシアネート系架橋剤
【０１１０】
（ダイシング層）
ポリエチレン（プライムポリマー社製、Ｍ１２）を原料として用いて、Ｔダイ法により、厚み１００μｍのダイシング層であるポリエチレンフィルムを製造した。
【０１１１】
（実施例１）
実施例１では、図１（ａ），（ｂ）及び図２に示す形状のダイシング−ダイボンディングテープ及び基材層を形成した。
【０１１２】
（１）第１の積層体の作製
上記アクリル系ポリマー１を１００重量部と、イルガキュア６５１を１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマーであるＵ３２４Ａを１５重量部と、コロネートＬ−４５を１重量部とを配合し、粘着剤組成物を得た。得られた粘着剤組成物を離型ＰＥＴフィルム上に塗工し、１１０℃で５分間乾燥し、溶媒を除去し、組成物層を形成した。
【０１１３】
ダイシング層であるポリエチレンフィルムの基材層が積層される面を、鏡面加工及びコロナ処理した。組成物層の離型ＰＥＴフィルムが貼り付けられた面とは反対側の面に、ポリエチレンフィルムを貼り付けた。その後、４０℃で２４時間保管した。
【０１１４】
次に、得られた組成物層の中央の領域に、水銀灯を用いて、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるように光を照射し、組成物層を硬化させた。このようにして、中央の領域に非粘着部を有し、該非粘着部の外側部分の領域に粘着部を有する基材層（厚み２０μｍ）を得た。
【０１１５】
このようにして、離型ＰＥＴフィルム、基材層及びダイシング層がこの順で積層された第１の積層体を得た。
【０１１６】
（２）第２の積層体の作製
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、ナフタレン型エポキシ）１５重量部と、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤であるメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０重量％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。
【０１１７】
得られた塗液を離型ＰＥＴフィルム上に厚み１０μｍになるように塗工し、１１０℃のオーブン内で２分間加熱乾燥した。
【０１１８】
その後、粘接着剤層の平面形状が、下記の表１に示す直径の円形になるように加工し、離型ＰＥＴフィルム上に、粘接着剤層が積層されている第２の積層体を得た。
【０１１９】
（３）ダイシング−ダインボンディングテープの作製
次に、第１の積層体の離型ＰＥＴフィルムを剥離して、基材層を露出させた。基材層とダイシング層との積層体を基材層側から、粘接着剤層上に６０℃でラミネートし、ラミネート体を得た。その後、図１（ａ），（ｂ）及び図２に示す形状であって、下記の表１に示す寸法となるように、基材層及びダイシング層に切り抜いた。このようにして、離型ＰＥＴフィルム／粘接着剤層／基材層／ダイシング層がこの順で積層された４層の積層構造を有するダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１２０】
得られたダイシング−ダイボンディングテープでは、非粘着部が粘接着剤層よりも大きく、非粘着部が、粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有していた。
【０１２１】
（実施例２〜４）
実施例２〜４では、図１（ａ），（ｂ）及び図２に示す形状のダイシング−ダイボンディングテープ及び基材層を形成した。基材層及びダイシング層の寸法を、下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。なお、図２では、貼付起点４Ｃの先端が、基材層４全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線（一点鎖線）の貼付方向における先端から貼付方向に突出していないが、実施例４では、貼付起点４Ｃの先端が、仮想線の貼付方向における先端から貼付方向に突出していた。
【０１２２】
【表１】
【０１２３】
（実施例５〜６）
実施例２〜６では、基材層及びダイシング層の形状及び寸法を、図３に示す形状であって、下記の表２に示寸法に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。なお、図３では、貼付起点１１Ｃの先端が、基材層１１全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線（一点鎖線）の貼付方向における先端から貼付方向に突出していないが、実施例６では、貼付起点１１Ｃの先端が、仮想線の貼付方向における先端から貼付方向に突出していた。
【０１２４】
【表２】
【０１２５】
（実施例７）
実施例７では、基材層及びダイシング層の形状及び寸法を、図４に示す形状であって、下記の表３に示す寸法に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１２６】
【表３】
【０１２７】
（比較例１〜５）
比較例１〜５では、基材層及びダイシング層の形状及び寸法を、下記の表４に示す図１０〜１４の内のいずれかの形状であって、下記の表４に示す寸法に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１２８】
比較例１，２，４，５では、基材層の平面形状は略円形であり、貼付起点部分を除く基材層の平面形状は円形の一部であった。図１０〜１１，１３〜１４では、基材層１０１〜１０２，１０４〜１０５全体の平面形状が円形であるとした場合の仮想線を一点鎖線で示した。比較例３では、基材層１０３の平面形状は円形であった。
【０１２９】
【表４】
【０１３０】
（評価）
直径３００ｍｍ（１２ｉｎｃｈ）の半導体ウェーハ（シリコンウェーハ、厚み８０μｍ）の表面に深さ１００μｍの切り込みを入れた。次に、半導体ウェーハの表面に保護シートであるバックグラインディングテープ イクロスＳＢ１３５Ｓ−ＢＮ（三井化学社製、オレフィンの片面にアクリル系粘着剤が塗布されている）をアクリル系粘着剤側からラミネートした。次に、半導体ウェーハの厚みが３５μｍになるまで半導体ウェーハの裏面を研削した後、ＣＭＰスラリーを用いて、半導体ウェーハの厚みが３０μｍになるまで半導体ウェーハの裏面の鏡面仕上げを行った。このようにして、保護シートと、分割後半導体ウェーハとの積層体を得た。
【０１３１】
次に、ウェーハマウンターＤＡＭ−８１２Ｍ（タカトリ社製）を用いてダイシングダイボンディングフィルムを積層体の分割後半導体ウェーハの裏面及びダイシングリング（外径４００ｍｍ、内径３５０ｍｍ）に貼り付けた。尚、積層体の分割後半導体ウェーハをのせるステージは６０℃に設定した。
【０１３２】
次に、粘接着剤層が貼り付けられた分割後半導体ウェーハをステージから取り出して、裏返し、別のステージ上に載せた。その後、分割後半導体ウェーハの表面から、６０℃で保護シートを剥離した。
【０１３３】
次に、ダイシング装置ＤＦＬ７１６０（ディスコ社製）を用いて、レーザー出力０．５Ｗ、周波数５０ｋＨｚ、送り速度１００ｍｍ／秒、デフォーカス量−０．０５ｍｍ、焦点位置粘接着剤層表面で、粘接着剤層を個々の半導体チップの大きさにダイシングした。ダイシングの後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、２０個の粘接着剤層付き半導体チップを連続してピックアップした。
【０１３４】
上記粘接着剤層付き半導体チップの製造において、下記の（１）〜（４）の評価項目について評価を行った。
【０１３５】
（１）突き出し性
基材層の外周部分を貼付起点からダイシングリングに貼り付ける際の突き出し性を、下記の判定基準で判定した。
【０１３６】
［突き出し性の判定基準］
○：基材層を問題なくダイシングリングに貼り付けることができた
×：基材層の貼付起点をダイシングリングに貼り付けられないことがあった
【０１３７】
（２）貼り付け後の基材層の切れ又は変形の有無
分割後半導体ウェーハに貼り付けた後の基材層の切れ又は変形の有無を下記の判定基準で判定した。
【０１３８】
［貼り付け後の基材層の切れ又は変形の有無の判定基準］
○：貼り付け後に基材層の切れ又は変形なし
△：貼り付け後に基材層は切れていないものの、引き延ばされていた
×：貼り付け後に基材層が切れていた
【０１３９】
（３）基材層のはみ出し
基材層の外周部分を貼付起点からダイシングリングに貼り付ける際の基材層のはみ出しを、下記の判定基準で判定した。
【０１４０】
［貼り付け後の基材層のはみ出しの判定基準］
○：貼り付け後に基材層がダイシングリングからはみ出さなかった
×：貼り付け後に基材層がダイシングリングからはみ出した
【０１４１】
（４）カーフシフト
保護シートを剥離した後に、分割後半導体ウェーハの切断部分を観察し、カーフシフトを下記の判定基準で判定した。
【０１４２】
［カーフシフトの判定基準］
○：複数の半導体チップの整列異常がなく、２つの半導体チップ間の切断部分の延長線上に、該２つの半導体チップに隣接する２つの半導体チップ間の切断部分が存在しない部分がない
×：複数の半導体チップの整列異常があり、２つの半導体チップ間の切断部分の延長線上に、該２つの半導体チップに隣接する２つの半導体チップ間の切断部分が存在しない部分がある
【０１４３】
（５）ピックアップ性
粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を下記の判定基準で判定した。
【０１４４】
［ピックアップ性の判定基準］
○：ピックアップできなかった半導体チップなし
×：ピックアップできなかった半導体チップあり
【０１４５】
なお、このピックアップ不良は、カーフの異常（半導体チップの整列異常）による半導体チップの傾きが主な原因であり、半導体チップの認識不足によるものであった。
【０１４６】
結果を下記の表５に示す。
【０１４７】
【表５】
【符号の説明】
【０１４８】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…一方の面
３ｂ…他方の面
３ｃ…外周側面
３ｄ…切断部分
４…基材層
４Ａ…非粘着部
４Ｂ…粘着部
４Ｃ…貼付起点
４ａ〜４ｃ…凸部
５…ダイシング層
１１，１２…基材層
１１Ａ，１２Ａ…非粘着部
１１Ｂ，１２Ｂ…粘着部
１１Ｃ，１２Ｃ…貼付起点
１１ａ〜１１ｄ，１２ａ〜１２ｄ…凸部
２１…積層体
２２…保護シート
２２ａ…一方の面
２３…分割後半導体ウェーハ
２３Ａ…半導体ウェーハ
２３ａ…表面
２３ｂ…裏面
２３ｃ…切り込み
２５…ステージ
２６…ダイシングリング
２７…ステージ
３１…ロール
３２…剥離エッジ
４１…半導体ウェーハ
４１ａ…表面
４１ｂ…裏面
４１ｃ…切断部分
５１…ダイシング−ダイボンディングテープ
５２…基材層
５２ｃ…貼付起点
５３…ダイシング層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘接着剤層と、
前記粘接着剤層の一方の面に積層されている基材層とを備え、
ダイシング時に、前記基材層の外周部分にダイシングリングが貼り付けられ、
前記基材層が外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点を有し、
前記貼付起点を除く部分における前記基材層の前記ダイシングリングに貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、前記貼付起点を除く部分における前記基材層の外径をＤ（ｍｍ）としたときに、
前記基材層の前記貼付起点側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗの距離の位置における前記貼付起点の長さＬ（ｍｍ）が、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記基材層の前記貼付起点側の外周先端の曲率が、前記基材層の前記貼付起点を除く部分の外周端の曲率よりも大きい、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記基材層は、前記貼付起点側の外周端に凸部を有し、
前記基材層の貼付起点側の外周先端は、前記凸部の頂点である、請求項１又は２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
前記基材層が、前記貼付起点側の外周端に複数の凸部を有し、該複数の凸部が曲線で連なっている、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープと、保護シート及び該保護シートの一方の面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体とを用いて、
前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
前記基材層の前記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に前記貼付起点を除く前記基材層の外周部分を前記ダイシングリングに貼り付ける工程と、
前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、
前記粘接着剤層を、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿ってダイシングする工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記基材層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項６】
半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、
切り込みが形成された前記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、
前記保護シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの裏面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、前記積層体を得る工程をさらに備える、請求項５に記載の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用いて、
前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
前記基材層の前記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に前記貼付起点を除く前記基材層の外周部分を前記ダイシングリングに貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハと前記粘接着剤層とをダイシングする工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記基材層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項１】
粘接着剤層と、
前記粘接着剤層の一方の面に積層されている基材層とを備え、
ダイシング時に、前記基材層の外周部分にダイシングリングが貼り付けられ、
前記基材層が外周部分に、貼り付け開始時にダイシングリングに貼り付けられる貼付起点を有し、
前記貼付起点を除く部分における前記基材層の前記ダイシングリングに貼り付けられる部分の幅をＷ（ｍｍ）とし、前記貼付起点を除く部分における前記基材層の外径をＤ（ｍｍ）としたときに、
前記基材層の前記貼付起点側の外周先端から内側に向かって０．３Ｗの距離の位置における前記貼付起点の長さＬ（ｍｍ）が、０．３０Ｄ〜０．４４Ｄ（ｍｍ）の範囲内である、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記基材層の前記貼付起点側の外周先端の曲率が、前記基材層の前記貼付起点を除く部分の外周端の曲率よりも大きい、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記基材層は、前記貼付起点側の外周端に凸部を有し、
前記基材層の貼付起点側の外周先端は、前記凸部の頂点である、請求項１又は２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
前記基材層が、前記貼付起点側の外周端に複数の凸部を有し、該複数の凸部が曲線で連なっている、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープと、保護シート及び該保護シートの一方の面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体とを用いて、
前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
前記基材層の前記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に前記貼付起点を除く前記基材層の外周部分を前記ダイシングリングに貼り付ける工程と、
前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、
前記粘接着剤層を、前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿ってダイシングする工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記基材層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項６】
半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、
切り込みが形成された前記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、
前記保護シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの裏面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、前記積層体を得る工程をさらに備える、請求項５に記載の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用いて、
前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
前記基材層の前記貼付起点を円環状のダイシングリングに貼り付けて、次に前記貼付起点を除く前記基材層の外周部分を前記ダイシングリングに貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハと前記粘接着剤層とをダイシングする工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記基材層から剥離し、半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−８４９１６（Ｐ２０１２−８４９１６Ａ）
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２８７４１４（Ｐ２０１１−２８７４１４）
【出願日】平成２３年１２月２８日（２０１１．１２．２８）
【分割の表示】特願２０１１−５０５３１２（Ｐ２０１１−５０５３１２）の分割
【原出願日】平成２３年２月８日（２０１１．２．８）
【出願人】（０００００２１７４）積水化学工業株式会社 (5,781)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１２月２８日（２０１１．１２．２８）
【分割の表示】特願２０１１−５０５３１２（Ｐ２０１１−５０５３１２）の分割
【原出願日】平成２３年２月８日（２０１１．２．８）
【出願人】（０００００２１７４）積水化学工業株式会社 (5,781)
【Ｆターム（参考）】
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