バンドパスフィルタ装置
【課題】所定の通過域の周波数帯が広く、通過域での挿入損失量が少ないバンドパスフィルタ装置の提供。
【解決手段】ハイパス用弾性表面波共振子１１１とハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続の第一のハイパス用インダクタ素子１１２とからなるハイパスフィルタ回路部１１０と、一端がハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続された第一の弾性表面波共振子１２１と一端が第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子１２２と第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子１２４と一端が第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子１２３と第三の弾性表面波共振子に並列に接続された第二のローパス用インダクタ素子１２５とからなるローパスフィルタ回路部１２０とを備え、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とが接続された構成。
【解決手段】ハイパス用弾性表面波共振子１１１とハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続の第一のハイパス用インダクタ素子１１２とからなるハイパスフィルタ回路部１１０と、一端がハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続された第一の弾性表面波共振子１２１と一端が第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子１２２と第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子１２４と一端が第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子１２３と第三の弾性表面波共振子に並列に接続された第二のローパス用インダクタ素子１２５とからなるローパスフィルタ回路部１２０とを備え、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とが接続された構成。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の周波数帯の信号のみを通過させることができるバンドパスフィルタ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話の加入者の増加に伴い、電波を効率的に利用する必要性が高まっている。また、携帯電話を用いて、電子メールはもとより、インターネットの閲覧や動画配信などのブロードバンドサービスの需要が高まり、要求されるデータ通信量が増大している。
このような急速なデータ通信需要の増加に対応して、通信容量の拡大や通信速度の高速化を目指した次世代高速データ通信システムが次々誕生している。
【０００３】
このような次世代高速データ通信システムには、例えば、２０１１年に廃止予定の地上波アナログ放送で用いられている周波数帯が用いられる。
この周波数帯は、例えば、その一部の周波数帯が携帯端末用のマルチメディア放送システムに用いられ、その他の一部が防災無線システムに用いられ、更にその他の一部が高速道路交通システムに用いられる。
【０００４】
ここで、次世代高速データ通信システムの一例である携帯端末用のマルチメディア放送システムは、地上波アナログ放送で用いられている周波数帯、２００ＭＨｚ〜２２０ＭＨｚの周波数帯が用いられる予定となっている。
マルチメディア放送システムでは、従来の通信システムと比較して広い周波数帯、例えば、６ＭＨｚ以上の周波数帯を使用することによって、従来の通信システムと比較して伝送容量の大容量化を測っている。
しかし、マルチメディア放送システムでは、隣接する周波数帯を他のシステムが占有しているため、他のシステムの信号により干渉を受けてしまう恐れがある。
【０００５】
つまり、マルチメディア放送受信機能が搭載された携帯端末には、他のシステムからの緩衝を防ぐため、信号を受信する受信アンテナとマルチメディア放送を受信するマルチメディア受信回路部との間に、バンドパスフィルタ装置が設けられている。
このバンドパスフィルタ装置は、マルチメディア放送システムの信号のみを通過させ、その他の信号を除去する機能を果たす。
【０００６】
このようなバンドパスフィルタ装置は、例えば、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置である。
このトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、交差指上電極が圧電基板の一方の主面に設けられ、所定のフィルタ特性が得られるように電極の対数や周期などが調整されている。
【０００７】
図１６は、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。図１６では、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１６に示すように、中心周波数が約１１２ＭＨｚとなっている。
また、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１６に示すように、通過域である周波数帯が約１０ＭＨｚとなっており、通過域での挿入損失量が約１０ｄＢとなっている。
また、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１６に示すように、中心周波数から約１０ＭＨｚ離れた周波数での挿入損失量が約３０ｄＢとなっている。言い換えると、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１６に示すように、中心周波数から約１０ＭＨｚ離れた周波数での挿入損失量が３０ｄＢとなっている。
また、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、図１６に示すように、急峻な通過特性を備えている。
このように、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、通過域の挿入損失量が約１０ｄＢであって通過域が約１０ＭＨｚの周波数帯となっている通過特性を備え、急峻な減衰特性を備えている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
また、バンドパスフィルタ装置は、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の他に、例えば、縦結合多重モード型弾性表面波フィルタ装置がある。
縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、圧電基板の上に複数の交差指電極が設けられている。
縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、入力用交差指状電極と出力用交差指状電極と２つの反射器用電極とが圧電基板の一方の主面に設けられている。
入力用交差指状電極と出力用交差指状電極は、圧電基板の一方の主面であって、弾性表面波の伝播方向に沿って近接配置されている。
反射器用電極は、圧電基板の一方の主面であって、入力用交差指状電極と出力用交差指状電極との両側に配置されている。つまり、反射器用電極は、入力用交差指状電極と出力用交差指電極とを挟むように圧電基板の一方の主面に配置されている。
【０００９】
ここで、この縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置の動作原理について説明する。
まず、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、入力用交差指状電極に信号が入力されることで、入力用交差指状電極で励振され弾性表面波が発生する。
次に、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、この弾性表面波が２つの反射器電極の間に閉じ込められて複数の共振モードが発生するので、この複数の共振モードが出力用指状電極から取り出される。
【００１０】
縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、その動作原理が複数の共振モードを利用しているので、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較すると通過域での挿入損失量を少なくすることができる。
【００１１】
図１７は、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。図１７では、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１７に示すように、中心周波数が約３１５ＭＨｚとなっている。
また、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１７に示すように、通過域の周波数帯が約０．４ＭＨｚとなっており、通過域での挿入損失量が約４ｄＢとなっている。
また、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１７に示すように、中心周波数から約１．３ＭＨｚ離れた周波数帯で挿入損失量が約３０ｄＢとなっている。
また、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、図１７に示すように、急峻な減衰特性を備えている。
このように、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、通過域での挿入損失量が約４ｄＢであって通過域が約４ＭＨｚの周波数帯となっている通過特性を備え、急峻な減衰特性を備えている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平０９−２９４０４６号公報
【特許文献２】特開２００７−１３６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、通過域での挿入損失量が約１０ｄＢとなっているので、入力された信号が減衰され出力されてしまう。
マルチメディア放送受信機能が搭載された携帯端末に用いる場合、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、入力された信号が減衰され出力されるので、マルチメディア受信回路部で受信を感知することができない恐れがある。
また、マルチメディア放送受信機能が搭載された携帯端末に用いる場合、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、減衰される出力された信号をマルチメディア受信回路部で受信することができる様に信号を増幅させる増幅器を設ける場合があるが、信号を増幅するために多く電力が消費されてしまい携帯端末のバッテリの寿命が短くなる恐れがある。
従って、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、マルチメディア放送受信機能が搭載された携帯端末に適していない。
【００１４】
従来の縦結合多重モード型弾性表面波フィルタ装置は、通過域が約０．４ＭＨｚの周波数帯となっている。
このため、マルチメディア放送システムで用いる場合、従来の縦結合多重モード型弾性表面波フィルタ装置は、マルチメディア放送システムで用いられる周波数帯と比較して通過域の周波数帯が狭いので、通信容量を確保することができない恐れがある。
【００１５】
そこで、本発明では、所定の通過域の周波数帯が広く、通過域での挿入損失量が少ないバンドパスフィルタ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記課題を解決するため、一端が信号入力端子に接続されているハイパス用弾性表面波共振子と、前記ハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のハイパス用インダクタ素子と、からなるハイパスフィルタ回路部と、一端が前記ハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子と、からなるローパスフィルタ回路部と、を備え、前記ハイパスフィルタ回路部と前記ローパスフィルタ回路部とが接続されていることを特徴とする。
【００１７】
また、前記課題を解決するため、一端が信号入力端子に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子と、からなるローパスフィルタ回路部と、前記第一の弾性表面波共振子と、前記第一の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のハイパス用インダクタ素子と、からなるハイパスフィルタ回路部と、を備えていることを特徴とする。
【００１８】
また、前記課題を解決するため、ラダー型フィルタ回路部が接続されていることを特徴とする。
【００１９】
また、前記課題を解決するため、縦結合多重モード型フィルタ回路部が接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
このようなバンドパスフィルタ装置は、ハイパス用弾性表面波共振子とこのハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のハイパス用インダクタ素子とでハイパスフィルタ回路部が構成されている。
このようなハイパスフィルタ回路部は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタと比較して通過域での挿入損失量が小さいというハイパスフィルタの機能を備えている。
【００２１】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、一端が前記ハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子とからローパスフィルタ回路部が構成されている。
このようなローパスフィルタ回路部は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量が小さいというローパスフィルタの機能を備えている。
【００２２】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とが接続されているので、上述したハイパスフィルタの機能と上述したローパスフィルタの機能とを備えることができる。
【００２３】
従って、このようなバンドパスフィルタ装置は、低い周波数側に急峻な減衰域を有したハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部と高い周波数側に急峻な減衰域を有したローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部とが組み合わさっていることにより、通過域の両端部に急峻な減衰特性を有することができる。
また、このようなバンドパスフィルタは、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とのそれぞれのフィルタの周波数を調整することにより、通過域の周波数帯を調整することができ、従来の縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域の周波数帯を広くすることができる。
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、通過域での挿入損失量が少ないというハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部と通過域での挿入損失量が少ないというローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部とを備えているので、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量を小さくすることができる。
【００２４】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、一端が信号入力端子に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子と、からなるローパスフィルタ回路部が構成されている。
このようなローパスフィルタ回路部は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量が小さいというローパスフィルタの機能を備えている。
【００２５】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、ローパスフィルタ回路部の第一の弾性表面波共振子とこの第一の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のハイパス用インダクタ素子とでハイパスフィルタ回路部が構成されている。
このようなハイパスフィルタ回路部は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタと比較して通過域での挿入損失量が小さいというハイパスフィルタの機能を備えている。
【００２６】
つまり、このようなバンドパスフィルタ装置は、ローパスフィルタ機能とハイパスフィルタ機能とを備えている。
【００２７】
従って、このようなバンドパスフィルタ装置は、低い周波数側に急峻な減衰域を有したハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部と高い周波数側に急峻な減衰域を有したローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部とが組み合わさっていることにより、通過域の両端部に急峻な減衰特性を有することができる。
また、このようなバンドパスフィルタは、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とのそれぞれのフィルタの周波数を調整することにより、通過域の周波数帯を調整することができ、従来の縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域の周波数帯を広くすることができる。
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、通過域での挿入損失量が少ないというハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部と通過域での挿入損失量が少ないというローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部とを備えているので、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量を小さくすることができる。
【００２８】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、ラダー型フィルタ回路部が接続されているので、ラダー型フィルタ回路部の特性を備えることができる。
このため、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域に隣接している周波数帯、つまり、減衰域を広くすることができる。
従って、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない所定の他の通過域で用いられているシステムの信号を通過させず、所定の通過域で用いられている信号のみを通過させることができる。
【００２９】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、縦結合多重モードフィルタ回路部が接続されているので、縦結合多重モードフィルタ回路部の特性を備えることができる。
このため、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域に隣接している周波数帯、つまり、減衰域を広くすることができる。
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない周波数帯の挿入損失量を従来のバンドパスフィルタ装置と比較して大きくすることができる。言い換えると、このようなバンドパスフィルタ装置は、従来のバンドフィルタ装置と比較して、減衰量を従来のバンドパスフィルタ装置と比較して大きくすることができる。
従って、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない所定の他の通過域で用いられているシステムの信号を通過させず、所定の通過域で用いられている信号のみを通過させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の一例を示す回路図である。
【図２】（ａ）は、対称２端子対回路を変換した対称格子型回路の等価回路図であり、（ｂ）は、対称格子型回路を変換したＴ型回路の等価回路図である。
【図３】対称格子型回路に変形されたハイパスフィルタ回路部のリアクタンス特性の一例を示すリアクタンス特性図である。
【図４】ハイパスフィルタ回路部の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図５】対称格子型回路に変形されたローパスフィルタ回路部のリアクタンス特性の一例を示すリアクタンス特性図である。
【図６】ローパスフィルタ回路部の通過特性に一例を示す通過特性図である。
【図７】本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図８】本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の一例を示す回路図である。
【図９】本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１０】ラダー型フィルタ回路部の一例を示す回路図である。
【図１１】ラダー型フィルタ回路部の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１２】本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１３】多重モード型フィルタ回路部の一例を示す回路図である。
【図１４】多重モード型フィルタ回路部の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１５】本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１６】従来のバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１７】別の従来のバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
次に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、各図面において、各構成要素の状態をわかりやすくするために誇張して図示している。
【００３２】
（第一の実施形態）
本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置について説明する。
本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、例えば、図１に示すように、ハイパスフィルタ回路部１１０とローパスフィルタ回路部１２０とを備えている。
【００３３】
ハイパスフィルタ回路部１１０は、図１に示すように、ハイパス用弾性表面波共振子１１１と第一のハイパス用インダクタ素子１１２とで構成されている。
【００３４】
ハイパス用弾性表面波共振子１１１は、一端が信号入力端子ＩＴに接続され、他端が後述するローパスフィルタ回路部１２０の一端に接続されている。
【００３５】
第一のハイパス用インダクタ素子１１２は、図１に示すように、ハイパス用弾性表面波共振子１１１に並列に接続されている。
【００３６】
つまり、ハイパスフィルタ回路部１１０は、ハイパス用弾性表面波共振子１１１に第一のハイパス用インダクタ素子１１２が並列に接続されている回路部である。
【００３７】
このハイパスフィルタ回路部１１０の動作原理について説明する。
このハイパスフィルタ回路部１１０の動作の説明にはＬＣフィルタの解析に用いられている影像パラメータ法による解析を用いる。
この影像パラメータ法による解析に帰着するため、以下の変換を行う。
一般に、対称２端子対回路は、偶モード励振したときのインピーダンスを偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎ、奇モード励振したときのインピーダンスを奇モードインピーダンスＺｏｄｄとすると、図２（ａ）に示すような、対称格子型回路に変形できる。
【００３８】
ここで、偶モード励振は、２端子対回路の両端に大きさと位相が同じ電圧を印加することである。
また、奇モード励振は、２端子対回路の両端に大きさが同じで位相が反転した電圧を印加することである。
また、偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎは、偶モード励振したときのインピーダンスである。つまり、偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎは、偶モード励振における電圧と流入する電流の比である。
また、奇モードインピーダンスＺｏｄｄは、奇モード励振したときのインピーダンスでる。つまり、奇モードインピーダンスＺｏｄｄは、奇モード励振における電圧と流入する電流の比である。
偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎの値及び奇モードインピーダンスＺｏｄｄの値は、回路シミュレータなどにより容易に計算することができる。
【００３９】
対称格子型回路は、図２（ｂ）に示すようなＴ型回路に容易に変形することができる。
この変換されたＴ型回路について、影像インピーダンスをＺ０、伝播定数をＣとすると次式が成り立つ。
【００４０】
（数１）
Ｚ０＝（Ｚｏｄｄ×Ｚｅｖｅｎ）０．５ ・・・（１）
ｔａｎｈ（Ｃ／２）＝（Ｚｏｄｄ／Ｚｅｖｅｎ）０．５ ・・・（２）
【００４１】
影像パラメータ法の理論によれば、伝播定数Ｃが虚数のときに通過域となるので、上記した式より、偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎと奇モードインピーダンスＺｏｄｄとが異符号のときに通過域となっているといえる。
また、影像パラメータ法の理論によれば、伝播定数Ｃが実数のときに減衰域となるので、偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎと奇モードインピーダンスＺｏｄｄとが同符号のときに減衰域となっているといえる。
【００４２】
偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎ及び奇モードインピーダンスＺｏｄｄの符号を調べるには、インピーダンスのリアクタンス部の符号を調べればよい。
【００４３】
図３は、Ｔ型回路に変換されたハイパスフィルタ回路部１１０の偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎと奇数モードインピーダンスＺｏｄｄのリアクタンス特性の一例を示したリアクタンス特性図である。
図３では、横軸が周波数となっており、縦軸がリアクタンスとなっている。
【００４４】
ハイパスフィルタ回路部１１０は、図３に示すリアクタンス特性から２０９ＭＨｚ近傍の周波数帯に減衰域を確認することができる。
【００４５】
ここで、近傍の周波数帯は、所定の周波数を中心に２ＭＨｚの周波数帯とする。
例えば、２０９ＭＨｚ近傍の周波数帯は、２０７ＭＨｚ〜２１１ＭＨｚの周波数帯とする。
【００４６】
図４は、ハイパスフィルタ回路部１１０の通過特性の一例を示す通過特性図である。
また、図４は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００４７】
ハイパスフィルタ回路部１１０は、図４に示すように、２０９ＭＨｚ近傍の周波数帯に減衰域を確認することができる。
また、ハイパスフィルタ回路部１１０は、図４に示すように、減衰域より高い周波数側の通過域での挿入損失量が約２ｄＢとなっている。
また、ハイパスフィルタ回路部１１０は、図４に示すように、減衰域より高い周波数側に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
【００４８】
つまり、ハイパスフィルタ回路部１１０は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタと比較して通過域での挿入損失量が小さい通過特性を備えているというハイパスフィルタの機能を備えている。
【００４９】
ローパスフィルタ回路部１２０は、図１に示すように、第一の弾性表面波共振子１２１と第二の弾性表面波共振子１２２と第一のローパス用インダクタ素子１２４と第三の弾性表面波共振子１２３と第二のローパス用インダクタ素子１２５とから構成されている。
【００５０】
第一の弾性表面波共振子１２１は、図１に示すように、一端がハイパスフィルタ回路部１１０の他端に接続されている。つまり、第一の弾性表面波共振子１２１は、一端が前記ハイパス用弾性表面波共振子１１１の他端に接続されている。
また、第一の弾性表面波共振子１２１は、図１に示すように、他端が信号出力端子ＯＴに接続されている。
【００５１】
第二の弾性表面波共振子１２２は、図１に示すように、一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている。
【００５２】
第一のローパス用インダクタ素子１２４は、前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている。第一のローパス用インダクタ素子１２４は、例えば、図１に示すように、一端が第二の弾性表面波共振子１２２に接続され、他端が接地されている。
【００５３】
第三の弾性表面波共振子１２３は、図１に示すように、一端が前記第一の弾性表面波共振子１２１の他端に接続され他端が接地されている。
【００５４】
第二のローパス用インダクタ素子１２５は、前記第三の弾性表面波共振子１２３に並列に接続されている。第二のローパス用インダクタ素子１２５は、例えば、図１に示すように、一端が第三の弾性表面波共振子１２３に接続され、他端が接地されている。
【００５５】
つまり、ローパスフィルタ回路部１２０は、第一の弾性表面波共振子１２１の一端に第一のローパス用インダクタ素子１２４が並列に接続された第二の弾性表面波共振子１２２の一端に接続され、第一の弾性表面波共振子１２１の他端に第二のローパス用インダクタ素子１２５が並列に接続された第三の弾性表面波共振子１２３の一端に接続され、第二の弾性表面波共振子１２２の他端及び第三の弾性表面波共振子１２３の他端が接地されている回路部となっている。
【００５６】
このローパスフィルタ回路部１２０の動作原理について説明する。
ローパスフィルタ回路部１２０は、ハイパスフィルタ回路部１１０の解析と同様に、影像パラメータ法を用いて解析する。
【００５７】
図５は、Ｔ型回路に変換されたローパスフィルタ回路部１２０の偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎと奇数モードインピーダンスＺｏｄｄのリアクタンス特性の一例を示したリアクタンス特性図である。
図５では、横軸が周波数となっており、縦軸がリアクタンスとなっている。
【００５８】
ローパスフィルタ回路部１２０は、図５に示すリアクタンス特性から２１６ＭＨｚ近傍の周波数帯に減衰域を確認することができる。
【００５９】
図６は、ローパスフィルタ回路部１２０の通過特性の一例を示す通過特性図である。
また、図６は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００６０】
ローパスフィルタ回路部１２０は、図６に示すように、２１６ＭＨｚ近傍の周波数帯に減衰域を確認することができる。
また、ローパスフィルタ回路部１２０は、図６に示すように、減衰域より低い周波数側の通過域での挿入損失量が約２ｄＢとなっている。
また、ローパスフィルタ回路部１２０は、図６に示すように、減衰域より低い周波数側に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
【００６１】
つまり、ローパスフィルタ回路部１２０は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタと比較して通過域での挿入損失量が小さい通過特性を備えているというローパスフィルタの機能を備えている。
【００６２】
前述したように、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、ハイパスフィルタ回路部１１０とローパスフィルタ回路部１２０とを備えている。
この本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性の一例を図７に示す。
図７は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００６３】
本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性は、図７に示すように、減衰域が２０９ＭＨｚ近傍の周波数帯及び２１６ＭＨｚ近傍の周波数帯に確認することができる。
また、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性は、図７に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１３ＭＨｚとなっている。
また、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性は、図７に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約９ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性は、図７に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約２ｄＢとなっている。
また、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性は、図７に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域の両端部の周波数帯に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
【００６４】
つまり、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、図７に示すように、ハイパスフィルタの機能とローパスフィルタの機能とのそれぞれのフィルタの機能を備えているといえる。
【００６５】
このような本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、ハイパス用弾性表面波共振子１１１とこのハイパス用弾性表面波共振子１１１に並列に接続されている第一のハイパス用インダクタ素子１１２とでハイパスフィルタ回路部１１２が構成されている。
このようなハイパスフィルタ回路部１１０は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタと比較して通過域での挿入損失量が小さいというハイパスフィルタの機能を備えている。
【００６６】
また、このような本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、一端が前記ハイパス弾性表面波共振子１１１の他端に接続され他端が信号出力端子ＯＴに接続されている第一の弾性表面波共振子１２１と、一端が前記第一の弾性表面波共振子１２１の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子１２２と、前記第二の弾性表面波共振子１２２に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子１２４と、一端が前記第一の弾性表面波共振子１２１の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子１２３と、前記第三の弾性表面波共振子１２３に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子１２５とからローパスフィルタ回路部１２０が構成されている。
このようなローパスフィルタ回路部１２０は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量が小さいというローパスフィルタの機能を備えている。
【００６７】
また、このような本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、ハイパスフィルタ回路部１１０とローパスフィルタ回路部１２０とが接続されているので、上述したハイパスフィルタの機能と上述したローパスフィルタの機能とを備えることができる。
【００６８】
従って、このよう本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、低い周波数側に急峻な減衰域を有したハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部１１０と高い周波数側に急峻な減衰域を有したローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部１２０とが組み合わさっていることにより、通過域の両端部に急峻な減衰特性を有することができる。
また、このような本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ１００は、ハイパスフィルタ回路部１１０とローパスフィルタ回路部１２０とのそれぞれのフィルタの周波数を調整することにより、通過域の周波数帯を調整することができ、従来の縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域の周波数帯を広くすることができる。
また、このような本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、通過域での挿入損失量が少ないというハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部１１０と通過域での挿入損失量が少ないというローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部１２０とを備えているので、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量を小さくすることができる。
【００６９】
（第二の実施形態）
本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００について説明する。
本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、図８に示すように、第一の弾性表面波共振子２２１がローパスフィルタ回路部２２０を構成しつつハイパスフィルタ回路部２１０を構成している点で第一の実施形態異なる。つまり、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、図８に示すように、ローパスフィルタ回路部２２０中にハイパスフィルタ回路部２１０が設けられている点で第一の実施形態と異なる。
【００７０】
本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、図８に示すように、ハイパスフィルタ回路部２１０とローパスフィルタ回路部２２０とを備えている。
【００７１】
ローパスフィルタ回路部２２０は、第一の弾性表面波共振子２２１と第二の弾性表面波共振子２２２と第三の弾性表面波共振子２２３と第一のローパス用インダクタ素子２２４と第二のローパス用インダクタ素子２２５とで構成されている。
【００７２】
第一の弾性表面波共振子２２１は、一端が信号入力端子ＩＴと第二の弾性表面波共振子２２３の一端と後述するハイパス用インダクタ素子２１２の一端と接続されている。また、第一の弾性表面波共振子２２１は、他端が信号出力端子ＯＴと第三の弾性表面波共振子２２３の一端と後述するハイパス用インダクタ素子２１２の他端とに接続されている。
【００７３】
つまり、ローパスフィルタ回路部２２０は、第一の弾性表面波共振子２２１の一端に第一のローパス用インダクタ素子２２４が並列に接続されている第二の弾性表面波共振子２２２の一端が接続され、第一の弾性表面波共振子２２１の他端に第二のローパス用インダクタ素子２２５が並列に接続されている第三の弾性表面波共振子２２３の一端が接続され、第二の弾性表面波共振子２２２の他端と第三の弾性表面波共振子２２３の他端とが接地されている回路部となっている。
【００７４】
また、ローパスフィルタ回路部２２０は、第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に用いられているローパスフィルタ回路部１２０と同じ回路構成となっていることから、第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に用いられるローパスフィルタ回路部１２０と同様の通過特性を備えているといえる。
【００７５】
ハイパスフィルタ回路部２１０は、図８に示すように、第二のハイパス用インダクタ素子２１２がローパスフィルタ回路部２２０の第一の弾性表面波共振子２２１に並列に接続されている回路部となっている。
【００７６】
第二のハイパス用インダクタ素子１１２は、第一の弾性表面波共振子２２１に並列に接続されている。
【００７７】
また、ハイパスフィルタ回路部２１０は、第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に用いられているハイパスフィルタ回路部１１０と同じ回路構成となっていることから、第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に用いられるハイパスフィルタ回路部１１０と同様の通過特性を備えているといえる。
【００７８】
つまり、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、ハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部２１０とローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部２２０とを備えている。
この本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性の一例を図９に示す。
図９は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００７９】
本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性は、図９に示すように、減衰域が２０９ＭＨｚ近傍の周波数帯及び２１６ＭＨｚ近傍の周波数帯に確認することができる。
また、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性は、図９に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１３ＭＨｚとなっている。
また、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性は、図９に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約９ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性は、図９に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約２ｄＢとなっている。
また、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性は、図９に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域の両端部の周波数帯に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
【００８０】
つまり、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、図９に示すように、ハイパスフィルタの機能とローパスフィルタの機能とのそれぞれのフィルタの機能を備えているといえる。
【００８１】
このような本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、第一の実施形態で用いられるハイパスフィルタ回路部１１０と同じ回路構成のハイパスフィルタ回路部２１０と第一の実施形態で用いられるローパスフィルタ回路部１２０と同じ回路構成のローパスフィルタ回路部２２０とを備えているので、第一の実施形態と同様の効果を奏する。
【００８２】
また、このような本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、第二の弾性表面波共振子２２１がハイパスフィルタ回路部２１０とローパスフィルタ回路部２２０とに用いられている。また、このような本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、その通過特性が本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性とほぼ同じとなっている。
従って、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００より小型化することできる。
【００８３】
（第三の実施形態）
本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置について説明する。
本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、ラダー型フィルタ回路部が接続されている点で第一の実施形態と異なる。
【００８４】
本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、例えば、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の信号入力端子ＩＴ及び信号出力端子ＯＴにラダー型フィルタ回路部３３０が接続されている回路構成となっている。
つまり、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、例えば、ラダー型回路部３３０が２つ設けられている。
【００８５】
２つのラダー型フィルタ回路部３３０は、例えば、図１０に示すように、３つのラダー型弾性表面波共振子３３１，３３２，３３３とから構成されている。
【００８６】
ラダー型フィルタ回路部３３０は、図１０に示すように、ラダー型弾性表面波共振子３３１と、一端がラダー型弾性表面波共振子３３１の一端に接続され他端がグラウンドに接続されているラダー型弾性表面波共振子３３２と、一端がラダー型弾性表面波共振子３３１の他端に接続され他端がグラウンドに接続されているラダー型弾性表面波共振子３３３と、から構成されている。
【００８７】
ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性の一例を図１１に示す。
図１１は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００８８】
ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、約２０８ＭＨｚ近傍の周波数帯と約２１９ＭＨｚ近傍の周波数帯とに減衰域を確認することができる。
また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１５ＭＨｚとなっている。
また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約７ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約１ｄＢとなっている。
また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域の両端部の周波数帯に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が一番少ない周波数帯であっても、約５ｄＢとなっている。また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、約１９８ＭＨｚ〜約２０８ＭＨｚ周波数帯と約２１９ＭＨｚ〜約２２９ＭＨｚ周波数帯とで挿入損失量が５ｄＢより大きくなっている。
【００８９】
つまり、ラダー型フィルタ回路部３３０は、急峻な減衰特性を備え、通過域の挿入損失量が１ｄＢとなっており通過域に隣接している周波数帯が１０ＭＨｚとなっている通過特性を備えている。
【００９０】
前述したように、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、例えば、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００にラダー型フィルタ部３３０が接続されている。
このような本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を図１２に示す。
図１２は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００９１】
本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、図１２に示すように、約２１０ＭＨｚ近傍の周波数帯と約２１８ＭＨｚ近傍の周波数帯とに減衰域を確認することができる。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１２に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１３ＭＨｚとなっている。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１２に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約７ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図２に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約３ｄＢとなっている。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１２に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域の両端部の周波数帯に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１２に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が一番少ない周波数帯であっても、約１５ｄＢとなっている。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１２に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が所定の通過域の挿入損失量と比較して約５倍の大きさとなっている。
【００９２】
このような本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置を含んでいることから、第一の実施形態と同様の効果を奏する。
【００９３】
また、このような本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、ラダー型フィルタ回路部３３０が接続されているので、ラダー型フィルタ回路部３３０の特性を備えることができる。
このため、このような本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域に隣接している周波数帯、つまり、減衰域を広くすることができる。
従って、このような本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない所定の他の通過域で用いられているシステムの信号を通過させず、所定の通過域で用いられている信号のみを通過させることができる。
【００９４】
なお、ラダー型フィルタ回路部３３０が２つ接続されている場合について説明しているが、例えば、ラダー型フィルタ回路部３３０を一つだけ接続しても同様の効果を奏することができる。
【００９５】
なお、ラダー型フィルタ回路部３３０が本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に接続されている場合について説明しているが、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００に接続させても、同様の効果を奏することができる。
【００９６】
（第四の実施形態）
第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置について説明する。
第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、ラダー型フィルタ回路部３３０の変わりに縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０が接続されている点で第三の実施形態と異なる。
【００９７】
本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、例えば、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０が接続されている回路構成となっている。
【００９８】
縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０は、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置と同じ回路構成となっている。
縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０は、圧電基板の上に複数の交差指電極が設けられている。
縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０は、入力用交差指状電極と出力用交差指状電極と２つの反射器用電極とが圧電基板の一方の主面に設けられている。
入力用交差指状電極と出力用交差指状電極は、圧電基板の一方の主面であって、弾性表面波の伝播方向に沿って近接配置されている。
反射器用電極は、圧電基板の一方の主面であって、入力用交差指状電極と出力用交差指状電極との両側に配置されている。つまり、反射器用電極は、入力用交差指状電極と出力用交差指電極とを挟むように圧電基板の一方の主面に配置されている。
【００９９】
このような縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性の一例を図１４に示す。
図１４は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【０１００】
縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性は、図１４に示すように、約２０８ＭＨｚ近傍の周波数帯と約２１７ＭＨｚ近傍の周波数帯とに減衰域を確認することができる。
また、縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性は、図１４に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１３ＭＨｚとなっている。
また、縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性は、図１４に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約６ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性は、図１４に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約１ｄＢとなっている。
また、縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性は、図１４に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が一番少ない周波数帯であっても、約１０ｄＢとなっている。
【０１０１】
このような縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０は、通過域での挿入損失量が約１ｄＢとなっており、通過域を含まない挿入損失量、つまり、減衰量が１０ｄＢより大きくなっている。
【０１０２】
前述したように、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、例えば、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に接続されている。
このような第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を図１５に示す。
図１５は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【０１０３】
本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、図１５に示すように、約２０８ＭＨｚ近傍の周波数帯と約２１８ＭＨｚ近傍の周波数帯とに減衰域を確認することができる。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１３ＭＨｚとなっている。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約７ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約２ｄＢとなっている。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域の両端部の周波数帯に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が一番少ない周波数帯であっても、約１０ｄＢとなっている。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が所定の通過域の挿入損失量と比較して約５倍の大きさとなっている。
【０１０４】
このような本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置を含んでいることから、第一の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１０５】
また、このような本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、縦結合多重モードフィルタ回路部４４０が接続されているので、縦結合多重モードフィルタ回路部４４０の特性を備えることができる。
このため、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域に隣接している周波数帯、つまり、減衰域を広くすることができる。
また、このような本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない周波数帯の挿入損失量を従来のバンドパスフィルタ装置と比較して大きくすることができる。言い換えると、このような本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、従来のバンドフィルタ装置と比較して、減衰量を従来のバンドパスフィルタ装置と比較して大きくすることができる。
従って、このような本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない所定の他の通過域で用いられているシステムの信号を通過させず、所定の通過域で用いられている信号のみを通過させることができる。
【０１０６】
なお、第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置が第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に多重モード型フィルタ回路部４４０が接続された場合について説明したが、第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００に多重モード型フィルタ回路部４４０を接続しても、同様の効果を奏することができる。
【０１０７】
なお、多重モード型フィルタ回路部４４０が２つ接続されている場合について説明しているが、例えば、多重モード型フィルタ回路部４４０を一つだけ接続しても同様の効果を奏することができる。
【０１０８】
なお、多重モード型フィルタ回路部４４０とラダー型フィルタ回路部３３０を接続してもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
１００，２００ バンドパスフィルタ装置
１１０，２１０ ハイパスフィルタ回路部
１２０，２２０ ローパスフィルタ回路部
３３０ ラダー型フィルタ回路部
４４０ 縦結合多重モード型フィルタ回路部
１１１ ハイパス用弾性表面波共振子
１１２，２１２ ハイパス用インダクタ素子
１２１，２２１ 第一の弾性表面波共振子
１２２，１２３，２２２，２２３ ローパス用弾性表面波共振子
１２４，１２５，２２４，２２５ ローパス用インダクタ素子
３３１，３３２，３３３ ラダー型弾性表面波共振子
４４１，４４２，４４３ 縦結合多重モード型弾性表面波共振子
ＩＴ 信号入力端子
ＯＴ 信号出力端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の周波数帯の信号のみを通過させることができるバンドパスフィルタ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話の加入者の増加に伴い、電波を効率的に利用する必要性が高まっている。また、携帯電話を用いて、電子メールはもとより、インターネットの閲覧や動画配信などのブロードバンドサービスの需要が高まり、要求されるデータ通信量が増大している。
このような急速なデータ通信需要の増加に対応して、通信容量の拡大や通信速度の高速化を目指した次世代高速データ通信システムが次々誕生している。
【０００３】
このような次世代高速データ通信システムには、例えば、２０１１年に廃止予定の地上波アナログ放送で用いられている周波数帯が用いられる。
この周波数帯は、例えば、その一部の周波数帯が携帯端末用のマルチメディア放送システムに用いられ、その他の一部が防災無線システムに用いられ、更にその他の一部が高速道路交通システムに用いられる。
【０００４】
ここで、次世代高速データ通信システムの一例である携帯端末用のマルチメディア放送システムは、地上波アナログ放送で用いられている周波数帯、２００ＭＨｚ〜２２０ＭＨｚの周波数帯が用いられる予定となっている。
マルチメディア放送システムでは、従来の通信システムと比較して広い周波数帯、例えば、６ＭＨｚ以上の周波数帯を使用することによって、従来の通信システムと比較して伝送容量の大容量化を測っている。
しかし、マルチメディア放送システムでは、隣接する周波数帯を他のシステムが占有しているため、他のシステムの信号により干渉を受けてしまう恐れがある。
【０００５】
つまり、マルチメディア放送受信機能が搭載された携帯端末には、他のシステムからの緩衝を防ぐため、信号を受信する受信アンテナとマルチメディア放送を受信するマルチメディア受信回路部との間に、バンドパスフィルタ装置が設けられている。
このバンドパスフィルタ装置は、マルチメディア放送システムの信号のみを通過させ、その他の信号を除去する機能を果たす。
【０００６】
このようなバンドパスフィルタ装置は、例えば、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置である。
このトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、交差指上電極が圧電基板の一方の主面に設けられ、所定のフィルタ特性が得られるように電極の対数や周期などが調整されている。
【０００７】
図１６は、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。図１６では、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１６に示すように、中心周波数が約１１２ＭＨｚとなっている。
また、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１６に示すように、通過域である周波数帯が約１０ＭＨｚとなっており、通過域での挿入損失量が約１０ｄＢとなっている。
また、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１６に示すように、中心周波数から約１０ＭＨｚ離れた周波数での挿入損失量が約３０ｄＢとなっている。言い換えると、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１６に示すように、中心周波数から約１０ＭＨｚ離れた周波数での挿入損失量が３０ｄＢとなっている。
また、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、図１６に示すように、急峻な通過特性を備えている。
このように、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、通過域の挿入損失量が約１０ｄＢであって通過域が約１０ＭＨｚの周波数帯となっている通過特性を備え、急峻な減衰特性を備えている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
また、バンドパスフィルタ装置は、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置の他に、例えば、縦結合多重モード型弾性表面波フィルタ装置がある。
縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、圧電基板の上に複数の交差指電極が設けられている。
縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、入力用交差指状電極と出力用交差指状電極と２つの反射器用電極とが圧電基板の一方の主面に設けられている。
入力用交差指状電極と出力用交差指状電極は、圧電基板の一方の主面であって、弾性表面波の伝播方向に沿って近接配置されている。
反射器用電極は、圧電基板の一方の主面であって、入力用交差指状電極と出力用交差指状電極との両側に配置されている。つまり、反射器用電極は、入力用交差指状電極と出力用交差指電極とを挟むように圧電基板の一方の主面に配置されている。
【０００９】
ここで、この縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置の動作原理について説明する。
まず、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、入力用交差指状電極に信号が入力されることで、入力用交差指状電極で励振され弾性表面波が発生する。
次に、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、この弾性表面波が２つの反射器電極の間に閉じ込められて複数の共振モードが発生するので、この複数の共振モードが出力用指状電極から取り出される。
【００１０】
縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、その動作原理が複数の共振モードを利用しているので、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較すると通過域での挿入損失量を少なくすることができる。
【００１１】
図１７は、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。図１７では、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１７に示すように、中心周波数が約３１５ＭＨｚとなっている。
また、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１７に示すように、通過域の周波数帯が約０．４ＭＨｚとなっており、通過域での挿入損失量が約４ｄＢとなっている。
また、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置の通過特性は、図１７に示すように、中心周波数から約１．３ＭＨｚ離れた周波数帯で挿入損失量が約３０ｄＢとなっている。
また、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、図１７に示すように、急峻な減衰特性を備えている。
このように、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置は、通過域での挿入損失量が約４ｄＢであって通過域が約４ＭＨｚの周波数帯となっている通過特性を備え、急峻な減衰特性を備えている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平０９−２９４０４６号公報
【特許文献２】特開２００７−１３６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、通過域での挿入損失量が約１０ｄＢとなっているので、入力された信号が減衰され出力されてしまう。
マルチメディア放送受信機能が搭載された携帯端末に用いる場合、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、入力された信号が減衰され出力されるので、マルチメディア受信回路部で受信を感知することができない恐れがある。
また、マルチメディア放送受信機能が搭載された携帯端末に用いる場合、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、減衰される出力された信号をマルチメディア受信回路部で受信することができる様に信号を増幅させる増幅器を設ける場合があるが、信号を増幅するために多く電力が消費されてしまい携帯端末のバッテリの寿命が短くなる恐れがある。
従って、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置は、マルチメディア放送受信機能が搭載された携帯端末に適していない。
【００１４】
従来の縦結合多重モード型弾性表面波フィルタ装置は、通過域が約０．４ＭＨｚの周波数帯となっている。
このため、マルチメディア放送システムで用いる場合、従来の縦結合多重モード型弾性表面波フィルタ装置は、マルチメディア放送システムで用いられる周波数帯と比較して通過域の周波数帯が狭いので、通信容量を確保することができない恐れがある。
【００１５】
そこで、本発明では、所定の通過域の周波数帯が広く、通過域での挿入損失量が少ないバンドパスフィルタ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記課題を解決するため、一端が信号入力端子に接続されているハイパス用弾性表面波共振子と、前記ハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のハイパス用インダクタ素子と、からなるハイパスフィルタ回路部と、一端が前記ハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子と、からなるローパスフィルタ回路部と、を備え、前記ハイパスフィルタ回路部と前記ローパスフィルタ回路部とが接続されていることを特徴とする。
【００１７】
また、前記課題を解決するため、一端が信号入力端子に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子と、からなるローパスフィルタ回路部と、前記第一の弾性表面波共振子と、前記第一の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のハイパス用インダクタ素子と、からなるハイパスフィルタ回路部と、を備えていることを特徴とする。
【００１８】
また、前記課題を解決するため、ラダー型フィルタ回路部が接続されていることを特徴とする。
【００１９】
また、前記課題を解決するため、縦結合多重モード型フィルタ回路部が接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
このようなバンドパスフィルタ装置は、ハイパス用弾性表面波共振子とこのハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のハイパス用インダクタ素子とでハイパスフィルタ回路部が構成されている。
このようなハイパスフィルタ回路部は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタと比較して通過域での挿入損失量が小さいというハイパスフィルタの機能を備えている。
【００２１】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、一端が前記ハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子とからローパスフィルタ回路部が構成されている。
このようなローパスフィルタ回路部は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量が小さいというローパスフィルタの機能を備えている。
【００２２】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とが接続されているので、上述したハイパスフィルタの機能と上述したローパスフィルタの機能とを備えることができる。
【００２３】
従って、このようなバンドパスフィルタ装置は、低い周波数側に急峻な減衰域を有したハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部と高い周波数側に急峻な減衰域を有したローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部とが組み合わさっていることにより、通過域の両端部に急峻な減衰特性を有することができる。
また、このようなバンドパスフィルタは、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とのそれぞれのフィルタの周波数を調整することにより、通過域の周波数帯を調整することができ、従来の縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域の周波数帯を広くすることができる。
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、通過域での挿入損失量が少ないというハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部と通過域での挿入損失量が少ないというローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部とを備えているので、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量を小さくすることができる。
【００２４】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、一端が信号入力端子に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子と、からなるローパスフィルタ回路部が構成されている。
このようなローパスフィルタ回路部は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量が小さいというローパスフィルタの機能を備えている。
【００２５】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、ローパスフィルタ回路部の第一の弾性表面波共振子とこの第一の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のハイパス用インダクタ素子とでハイパスフィルタ回路部が構成されている。
このようなハイパスフィルタ回路部は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタと比較して通過域での挿入損失量が小さいというハイパスフィルタの機能を備えている。
【００２６】
つまり、このようなバンドパスフィルタ装置は、ローパスフィルタ機能とハイパスフィルタ機能とを備えている。
【００２７】
従って、このようなバンドパスフィルタ装置は、低い周波数側に急峻な減衰域を有したハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部と高い周波数側に急峻な減衰域を有したローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部とが組み合わさっていることにより、通過域の両端部に急峻な減衰特性を有することができる。
また、このようなバンドパスフィルタは、ハイパスフィルタ回路部とローパスフィルタ回路部とのそれぞれのフィルタの周波数を調整することにより、通過域の周波数帯を調整することができ、従来の縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域の周波数帯を広くすることができる。
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、通過域での挿入損失量が少ないというハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部と通過域での挿入損失量が少ないというローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部とを備えているので、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量を小さくすることができる。
【００２８】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、ラダー型フィルタ回路部が接続されているので、ラダー型フィルタ回路部の特性を備えることができる。
このため、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域に隣接している周波数帯、つまり、減衰域を広くすることができる。
従って、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない所定の他の通過域で用いられているシステムの信号を通過させず、所定の通過域で用いられている信号のみを通過させることができる。
【００２９】
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、縦結合多重モードフィルタ回路部が接続されているので、縦結合多重モードフィルタ回路部の特性を備えることができる。
このため、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域に隣接している周波数帯、つまり、減衰域を広くすることができる。
また、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない周波数帯の挿入損失量を従来のバンドパスフィルタ装置と比較して大きくすることができる。言い換えると、このようなバンドパスフィルタ装置は、従来のバンドフィルタ装置と比較して、減衰量を従来のバンドパスフィルタ装置と比較して大きくすることができる。
従って、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない所定の他の通過域で用いられているシステムの信号を通過させず、所定の通過域で用いられている信号のみを通過させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の一例を示す回路図である。
【図２】（ａ）は、対称２端子対回路を変換した対称格子型回路の等価回路図であり、（ｂ）は、対称格子型回路を変換したＴ型回路の等価回路図である。
【図３】対称格子型回路に変形されたハイパスフィルタ回路部のリアクタンス特性の一例を示すリアクタンス特性図である。
【図４】ハイパスフィルタ回路部の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図５】対称格子型回路に変形されたローパスフィルタ回路部のリアクタンス特性の一例を示すリアクタンス特性図である。
【図６】ローパスフィルタ回路部の通過特性に一例を示す通過特性図である。
【図７】本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図８】本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の一例を示す回路図である。
【図９】本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１０】ラダー型フィルタ回路部の一例を示す回路図である。
【図１１】ラダー型フィルタ回路部の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１２】本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１３】多重モード型フィルタ回路部の一例を示す回路図である。
【図１４】多重モード型フィルタ回路部の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１５】本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１６】従来のバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【図１７】別の従来のバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を示す通過特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
次に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、各図面において、各構成要素の状態をわかりやすくするために誇張して図示している。
【００３２】
（第一の実施形態）
本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置について説明する。
本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、例えば、図１に示すように、ハイパスフィルタ回路部１１０とローパスフィルタ回路部１２０とを備えている。
【００３３】
ハイパスフィルタ回路部１１０は、図１に示すように、ハイパス用弾性表面波共振子１１１と第一のハイパス用インダクタ素子１１２とで構成されている。
【００３４】
ハイパス用弾性表面波共振子１１１は、一端が信号入力端子ＩＴに接続され、他端が後述するローパスフィルタ回路部１２０の一端に接続されている。
【００３５】
第一のハイパス用インダクタ素子１１２は、図１に示すように、ハイパス用弾性表面波共振子１１１に並列に接続されている。
【００３６】
つまり、ハイパスフィルタ回路部１１０は、ハイパス用弾性表面波共振子１１１に第一のハイパス用インダクタ素子１１２が並列に接続されている回路部である。
【００３７】
このハイパスフィルタ回路部１１０の動作原理について説明する。
このハイパスフィルタ回路部１１０の動作の説明にはＬＣフィルタの解析に用いられている影像パラメータ法による解析を用いる。
この影像パラメータ法による解析に帰着するため、以下の変換を行う。
一般に、対称２端子対回路は、偶モード励振したときのインピーダンスを偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎ、奇モード励振したときのインピーダンスを奇モードインピーダンスＺｏｄｄとすると、図２（ａ）に示すような、対称格子型回路に変形できる。
【００３８】
ここで、偶モード励振は、２端子対回路の両端に大きさと位相が同じ電圧を印加することである。
また、奇モード励振は、２端子対回路の両端に大きさが同じで位相が反転した電圧を印加することである。
また、偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎは、偶モード励振したときのインピーダンスである。つまり、偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎは、偶モード励振における電圧と流入する電流の比である。
また、奇モードインピーダンスＺｏｄｄは、奇モード励振したときのインピーダンスでる。つまり、奇モードインピーダンスＺｏｄｄは、奇モード励振における電圧と流入する電流の比である。
偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎの値及び奇モードインピーダンスＺｏｄｄの値は、回路シミュレータなどにより容易に計算することができる。
【００３９】
対称格子型回路は、図２（ｂ）に示すようなＴ型回路に容易に変形することができる。
この変換されたＴ型回路について、影像インピーダンスをＺ０、伝播定数をＣとすると次式が成り立つ。
【００４０】
（数１）
Ｚ０＝（Ｚｏｄｄ×Ｚｅｖｅｎ）０．５ ・・・（１）
ｔａｎｈ（Ｃ／２）＝（Ｚｏｄｄ／Ｚｅｖｅｎ）０．５ ・・・（２）
【００４１】
影像パラメータ法の理論によれば、伝播定数Ｃが虚数のときに通過域となるので、上記した式より、偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎと奇モードインピーダンスＺｏｄｄとが異符号のときに通過域となっているといえる。
また、影像パラメータ法の理論によれば、伝播定数Ｃが実数のときに減衰域となるので、偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎと奇モードインピーダンスＺｏｄｄとが同符号のときに減衰域となっているといえる。
【００４２】
偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎ及び奇モードインピーダンスＺｏｄｄの符号を調べるには、インピーダンスのリアクタンス部の符号を調べればよい。
【００４３】
図３は、Ｔ型回路に変換されたハイパスフィルタ回路部１１０の偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎと奇数モードインピーダンスＺｏｄｄのリアクタンス特性の一例を示したリアクタンス特性図である。
図３では、横軸が周波数となっており、縦軸がリアクタンスとなっている。
【００４４】
ハイパスフィルタ回路部１１０は、図３に示すリアクタンス特性から２０９ＭＨｚ近傍の周波数帯に減衰域を確認することができる。
【００４５】
ここで、近傍の周波数帯は、所定の周波数を中心に２ＭＨｚの周波数帯とする。
例えば、２０９ＭＨｚ近傍の周波数帯は、２０７ＭＨｚ〜２１１ＭＨｚの周波数帯とする。
【００４６】
図４は、ハイパスフィルタ回路部１１０の通過特性の一例を示す通過特性図である。
また、図４は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００４７】
ハイパスフィルタ回路部１１０は、図４に示すように、２０９ＭＨｚ近傍の周波数帯に減衰域を確認することができる。
また、ハイパスフィルタ回路部１１０は、図４に示すように、減衰域より高い周波数側の通過域での挿入損失量が約２ｄＢとなっている。
また、ハイパスフィルタ回路部１１０は、図４に示すように、減衰域より高い周波数側に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
【００４８】
つまり、ハイパスフィルタ回路部１１０は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタと比較して通過域での挿入損失量が小さい通過特性を備えているというハイパスフィルタの機能を備えている。
【００４９】
ローパスフィルタ回路部１２０は、図１に示すように、第一の弾性表面波共振子１２１と第二の弾性表面波共振子１２２と第一のローパス用インダクタ素子１２４と第三の弾性表面波共振子１２３と第二のローパス用インダクタ素子１２５とから構成されている。
【００５０】
第一の弾性表面波共振子１２１は、図１に示すように、一端がハイパスフィルタ回路部１１０の他端に接続されている。つまり、第一の弾性表面波共振子１２１は、一端が前記ハイパス用弾性表面波共振子１１１の他端に接続されている。
また、第一の弾性表面波共振子１２１は、図１に示すように、他端が信号出力端子ＯＴに接続されている。
【００５１】
第二の弾性表面波共振子１２２は、図１に示すように、一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている。
【００５２】
第一のローパス用インダクタ素子１２４は、前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている。第一のローパス用インダクタ素子１２４は、例えば、図１に示すように、一端が第二の弾性表面波共振子１２２に接続され、他端が接地されている。
【００５３】
第三の弾性表面波共振子１２３は、図１に示すように、一端が前記第一の弾性表面波共振子１２１の他端に接続され他端が接地されている。
【００５４】
第二のローパス用インダクタ素子１２５は、前記第三の弾性表面波共振子１２３に並列に接続されている。第二のローパス用インダクタ素子１２５は、例えば、図１に示すように、一端が第三の弾性表面波共振子１２３に接続され、他端が接地されている。
【００５５】
つまり、ローパスフィルタ回路部１２０は、第一の弾性表面波共振子１２１の一端に第一のローパス用インダクタ素子１２４が並列に接続された第二の弾性表面波共振子１２２の一端に接続され、第一の弾性表面波共振子１２１の他端に第二のローパス用インダクタ素子１２５が並列に接続された第三の弾性表面波共振子１２３の一端に接続され、第二の弾性表面波共振子１２２の他端及び第三の弾性表面波共振子１２３の他端が接地されている回路部となっている。
【００５６】
このローパスフィルタ回路部１２０の動作原理について説明する。
ローパスフィルタ回路部１２０は、ハイパスフィルタ回路部１１０の解析と同様に、影像パラメータ法を用いて解析する。
【００５７】
図５は、Ｔ型回路に変換されたローパスフィルタ回路部１２０の偶モードインピーダンスＺｅｖｅｎと奇数モードインピーダンスＺｏｄｄのリアクタンス特性の一例を示したリアクタンス特性図である。
図５では、横軸が周波数となっており、縦軸がリアクタンスとなっている。
【００５８】
ローパスフィルタ回路部１２０は、図５に示すリアクタンス特性から２１６ＭＨｚ近傍の周波数帯に減衰域を確認することができる。
【００５９】
図６は、ローパスフィルタ回路部１２０の通過特性の一例を示す通過特性図である。
また、図６は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００６０】
ローパスフィルタ回路部１２０は、図６に示すように、２１６ＭＨｚ近傍の周波数帯に減衰域を確認することができる。
また、ローパスフィルタ回路部１２０は、図６に示すように、減衰域より低い周波数側の通過域での挿入損失量が約２ｄＢとなっている。
また、ローパスフィルタ回路部１２０は、図６に示すように、減衰域より低い周波数側に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
【００６１】
つまり、ローパスフィルタ回路部１２０は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタと比較して通過域での挿入損失量が小さい通過特性を備えているというローパスフィルタの機能を備えている。
【００６２】
前述したように、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、ハイパスフィルタ回路部１１０とローパスフィルタ回路部１２０とを備えている。
この本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性の一例を図７に示す。
図７は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００６３】
本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性は、図７に示すように、減衰域が２０９ＭＨｚ近傍の周波数帯及び２１６ＭＨｚ近傍の周波数帯に確認することができる。
また、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性は、図７に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１３ＭＨｚとなっている。
また、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性は、図７に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約９ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性は、図７に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約２ｄＢとなっている。
また、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性は、図７に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域の両端部の周波数帯に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
【００６４】
つまり、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、図７に示すように、ハイパスフィルタの機能とローパスフィルタの機能とのそれぞれのフィルタの機能を備えているといえる。
【００６５】
このような本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、ハイパス用弾性表面波共振子１１１とこのハイパス用弾性表面波共振子１１１に並列に接続されている第一のハイパス用インダクタ素子１１２とでハイパスフィルタ回路部１１２が構成されている。
このようなハイパスフィルタ回路部１１０は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタと比較して通過域での挿入損失量が小さいというハイパスフィルタの機能を備えている。
【００６６】
また、このような本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、一端が前記ハイパス弾性表面波共振子１１１の他端に接続され他端が信号出力端子ＯＴに接続されている第一の弾性表面波共振子１２１と、一端が前記第一の弾性表面波共振子１２１の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子１２２と、前記第二の弾性表面波共振子１２２に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子１２４と、一端が前記第一の弾性表面波共振子１２１の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子１２３と、前記第三の弾性表面波共振子１２３に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子１２５とからローパスフィルタ回路部１２０が構成されている。
このようなローパスフィルタ回路部１２０は、急峻な減衰特性を備え、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量が小さいというローパスフィルタの機能を備えている。
【００６７】
また、このような本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、ハイパスフィルタ回路部１１０とローパスフィルタ回路部１２０とが接続されているので、上述したハイパスフィルタの機能と上述したローパスフィルタの機能とを備えることができる。
【００６８】
従って、このよう本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、低い周波数側に急峻な減衰域を有したハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部１１０と高い周波数側に急峻な減衰域を有したローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部１２０とが組み合わさっていることにより、通過域の両端部に急峻な減衰特性を有することができる。
また、このような本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ１００は、ハイパスフィルタ回路部１１０とローパスフィルタ回路部１２０とのそれぞれのフィルタの周波数を調整することにより、通過域の周波数帯を調整することができ、従来の縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域の周波数帯を広くすることができる。
また、このような本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、通過域での挿入損失量が少ないというハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部１１０と通過域での挿入損失量が少ないというローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部１２０とを備えているので、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ装置と比較して通過域での挿入損失量を小さくすることができる。
【００６９】
（第二の実施形態）
本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００について説明する。
本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、図８に示すように、第一の弾性表面波共振子２２１がローパスフィルタ回路部２２０を構成しつつハイパスフィルタ回路部２１０を構成している点で第一の実施形態異なる。つまり、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、図８に示すように、ローパスフィルタ回路部２２０中にハイパスフィルタ回路部２１０が設けられている点で第一の実施形態と異なる。
【００７０】
本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、図８に示すように、ハイパスフィルタ回路部２１０とローパスフィルタ回路部２２０とを備えている。
【００７１】
ローパスフィルタ回路部２２０は、第一の弾性表面波共振子２２１と第二の弾性表面波共振子２２２と第三の弾性表面波共振子２２３と第一のローパス用インダクタ素子２２４と第二のローパス用インダクタ素子２２５とで構成されている。
【００７２】
第一の弾性表面波共振子２２１は、一端が信号入力端子ＩＴと第二の弾性表面波共振子２２３の一端と後述するハイパス用インダクタ素子２１２の一端と接続されている。また、第一の弾性表面波共振子２２１は、他端が信号出力端子ＯＴと第三の弾性表面波共振子２２３の一端と後述するハイパス用インダクタ素子２１２の他端とに接続されている。
【００７３】
つまり、ローパスフィルタ回路部２２０は、第一の弾性表面波共振子２２１の一端に第一のローパス用インダクタ素子２２４が並列に接続されている第二の弾性表面波共振子２２２の一端が接続され、第一の弾性表面波共振子２２１の他端に第二のローパス用インダクタ素子２２５が並列に接続されている第三の弾性表面波共振子２２３の一端が接続され、第二の弾性表面波共振子２２２の他端と第三の弾性表面波共振子２２３の他端とが接地されている回路部となっている。
【００７４】
また、ローパスフィルタ回路部２２０は、第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に用いられているローパスフィルタ回路部１２０と同じ回路構成となっていることから、第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に用いられるローパスフィルタ回路部１２０と同様の通過特性を備えているといえる。
【００７５】
ハイパスフィルタ回路部２１０は、図８に示すように、第二のハイパス用インダクタ素子２１２がローパスフィルタ回路部２２０の第一の弾性表面波共振子２２１に並列に接続されている回路部となっている。
【００７６】
第二のハイパス用インダクタ素子１１２は、第一の弾性表面波共振子２２１に並列に接続されている。
【００７７】
また、ハイパスフィルタ回路部２１０は、第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に用いられているハイパスフィルタ回路部１１０と同じ回路構成となっていることから、第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に用いられるハイパスフィルタ回路部１１０と同様の通過特性を備えているといえる。
【００７８】
つまり、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、ハイパスフィルタの機能を備えたハイパスフィルタ回路部２１０とローパスフィルタの機能を備えたローパスフィルタ回路部２２０とを備えている。
この本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性の一例を図９に示す。
図９は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００７９】
本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性は、図９に示すように、減衰域が２０９ＭＨｚ近傍の周波数帯及び２１６ＭＨｚ近傍の周波数帯に確認することができる。
また、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性は、図９に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１３ＭＨｚとなっている。
また、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性は、図９に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約９ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性は、図９に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約２ｄＢとなっている。
また、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００の通過特性は、図９に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域の両端部の周波数帯に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
【００８０】
つまり、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００は、図９に示すように、ハイパスフィルタの機能とローパスフィルタの機能とのそれぞれのフィルタの機能を備えているといえる。
【００８１】
このような本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、第一の実施形態で用いられるハイパスフィルタ回路部１１０と同じ回路構成のハイパスフィルタ回路部２１０と第一の実施形態で用いられるローパスフィルタ回路部１２０と同じ回路構成のローパスフィルタ回路部２２０とを備えているので、第一の実施形態と同様の効果を奏する。
【００８２】
また、このような本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、第二の弾性表面波共振子２２１がハイパスフィルタ回路部２１０とローパスフィルタ回路部２２０とに用いられている。また、このような本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、その通過特性が本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の通過特性とほぼ同じとなっている。
従って、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００は、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００より小型化することできる。
【００８３】
（第三の実施形態）
本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置について説明する。
本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、ラダー型フィルタ回路部が接続されている点で第一の実施形態と異なる。
【００８４】
本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、例えば、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００の信号入力端子ＩＴ及び信号出力端子ＯＴにラダー型フィルタ回路部３３０が接続されている回路構成となっている。
つまり、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、例えば、ラダー型回路部３３０が２つ設けられている。
【００８５】
２つのラダー型フィルタ回路部３３０は、例えば、図１０に示すように、３つのラダー型弾性表面波共振子３３１，３３２，３３３とから構成されている。
【００８６】
ラダー型フィルタ回路部３３０は、図１０に示すように、ラダー型弾性表面波共振子３３１と、一端がラダー型弾性表面波共振子３３１の一端に接続され他端がグラウンドに接続されているラダー型弾性表面波共振子３３２と、一端がラダー型弾性表面波共振子３３１の他端に接続され他端がグラウンドに接続されているラダー型弾性表面波共振子３３３と、から構成されている。
【００８７】
ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性の一例を図１１に示す。
図１１は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００８８】
ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、約２０８ＭＨｚ近傍の周波数帯と約２１９ＭＨｚ近傍の周波数帯とに減衰域を確認することができる。
また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１５ＭＨｚとなっている。
また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約７ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約１ｄＢとなっている。
また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域の両端部の周波数帯に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が一番少ない周波数帯であっても、約５ｄＢとなっている。また、ラダー型フィルタ回路部３３０の通過特性は、図１１に示すように、約１９８ＭＨｚ〜約２０８ＭＨｚ周波数帯と約２１９ＭＨｚ〜約２２９ＭＨｚ周波数帯とで挿入損失量が５ｄＢより大きくなっている。
【００８９】
つまり、ラダー型フィルタ回路部３３０は、急峻な減衰特性を備え、通過域の挿入損失量が１ｄＢとなっており通過域に隣接している周波数帯が１０ＭＨｚとなっている通過特性を備えている。
【００９０】
前述したように、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、例えば、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００にラダー型フィルタ部３３０が接続されている。
このような本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を図１２に示す。
図１２は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【００９１】
本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、図１２に示すように、約２１０ＭＨｚ近傍の周波数帯と約２１８ＭＨｚ近傍の周波数帯とに減衰域を確認することができる。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１２に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１３ＭＨｚとなっている。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１２に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約７ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図２に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約３ｄＢとなっている。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１２に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域の両端部の周波数帯に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１２に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が一番少ない周波数帯であっても、約１５ｄＢとなっている。
また、本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１２に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が所定の通過域の挿入損失量と比較して約５倍の大きさとなっている。
【００９２】
このような本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置を含んでいることから、第一の実施形態と同様の効果を奏する。
【００９３】
また、このような本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、ラダー型フィルタ回路部３３０が接続されているので、ラダー型フィルタ回路部３３０の特性を備えることができる。
このため、このような本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域に隣接している周波数帯、つまり、減衰域を広くすることができる。
従って、このような本発明の第三の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない所定の他の通過域で用いられているシステムの信号を通過させず、所定の通過域で用いられている信号のみを通過させることができる。
【００９４】
なお、ラダー型フィルタ回路部３３０が２つ接続されている場合について説明しているが、例えば、ラダー型フィルタ回路部３３０を一つだけ接続しても同様の効果を奏することができる。
【００９５】
なお、ラダー型フィルタ回路部３３０が本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に接続されている場合について説明しているが、本発明の第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００に接続させても、同様の効果を奏することができる。
【００９６】
（第四の実施形態）
第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置について説明する。
第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、ラダー型フィルタ回路部３３０の変わりに縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０が接続されている点で第三の実施形態と異なる。
【００９７】
本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、例えば、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０が接続されている回路構成となっている。
【００９８】
縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０は、縦結合多重モード弾性表面波フィルタ装置と同じ回路構成となっている。
縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０は、圧電基板の上に複数の交差指電極が設けられている。
縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０は、入力用交差指状電極と出力用交差指状電極と２つの反射器用電極とが圧電基板の一方の主面に設けられている。
入力用交差指状電極と出力用交差指状電極は、圧電基板の一方の主面であって、弾性表面波の伝播方向に沿って近接配置されている。
反射器用電極は、圧電基板の一方の主面であって、入力用交差指状電極と出力用交差指状電極との両側に配置されている。つまり、反射器用電極は、入力用交差指状電極と出力用交差指電極とを挟むように圧電基板の一方の主面に配置されている。
【００９９】
このような縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性の一例を図１４に示す。
図１４は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【０１００】
縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性は、図１４に示すように、約２０８ＭＨｚ近傍の周波数帯と約２１７ＭＨｚ近傍の周波数帯とに減衰域を確認することができる。
また、縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性は、図１４に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１３ＭＨｚとなっている。
また、縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性は、図１４に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約６ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性は、図１４に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約１ｄＢとなっている。
また、縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０の通過特性は、図１４に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が一番少ない周波数帯であっても、約１０ｄＢとなっている。
【０１０１】
このような縦結合多重モード型フィルタ回路部４４０は、通過域での挿入損失量が約１ｄＢとなっており、通過域を含まない挿入損失量、つまり、減衰量が１０ｄＢより大きくなっている。
【０１０２】
前述したように、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、例えば、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に接続されている。
このような第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性の一例を図１５に示す。
図１５は、横軸が周波数となっており、縦軸が挿入損失量となっている。
【０１０３】
本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、図１５に示すように、約２０８ＭＨｚ近傍の周波数帯と約２１８ＭＨｚ近傍の周波数帯とに減衰域を確認することができる。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の中心周波数が約２１３ＭＨｚとなっている。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域が約７ＭＨｚの周波数帯となっている。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、この減衰域に挟まれた通過域の挿入損失量が約２ｄＢとなっている。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、２つの減衰域に挟まれた通過域の両端部の周波数帯に着目すると、急峻な減衰特性を備えている。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が一番少ない周波数帯であっても、約１０ｄＢとなっている。
また、本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置の通過特性は、図１４に示すように、所定の通過域に隣接する周波数帯の挿入損失量、つまり、減衰量が所定の通過域の挿入損失量と比較して約５倍の大きさとなっている。
【０１０４】
このような本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、本発明の第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置を含んでいることから、第一の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１０５】
また、このような本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、縦結合多重モードフィルタ回路部４４０が接続されているので、縦結合多重モードフィルタ回路部４４０の特性を備えることができる。
このため、このようなバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域に隣接している周波数帯、つまり、減衰域を広くすることができる。
また、このような本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない周波数帯の挿入損失量を従来のバンドパスフィルタ装置と比較して大きくすることができる。言い換えると、このような本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、従来のバンドフィルタ装置と比較して、減衰量を従来のバンドパスフィルタ装置と比較して大きくすることができる。
従って、このような本発明の第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置は、所定の通過域を含まない所定の他の通過域で用いられているシステムの信号を通過させず、所定の通過域で用いられている信号のみを通過させることができる。
【０１０６】
なお、第四の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置が第一の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置１００に多重モード型フィルタ回路部４４０が接続された場合について説明したが、第二の実施形態に係るバンドパスフィルタ装置２００に多重モード型フィルタ回路部４４０を接続しても、同様の効果を奏することができる。
【０１０７】
なお、多重モード型フィルタ回路部４４０が２つ接続されている場合について説明しているが、例えば、多重モード型フィルタ回路部４４０を一つだけ接続しても同様の効果を奏することができる。
【０１０８】
なお、多重モード型フィルタ回路部４４０とラダー型フィルタ回路部３３０を接続してもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
１００，２００ バンドパスフィルタ装置
１１０，２１０ ハイパスフィルタ回路部
１２０，２２０ ローパスフィルタ回路部
３３０ ラダー型フィルタ回路部
４４０ 縦結合多重モード型フィルタ回路部
１１１ ハイパス用弾性表面波共振子
１１２，２１２ ハイパス用インダクタ素子
１２１，２２１ 第一の弾性表面波共振子
１２２，１２３，２２２，２２３ ローパス用弾性表面波共振子
１２４，１２５，２２４，２２５ ローパス用インダクタ素子
３３１，３３２，３３３ ラダー型弾性表面波共振子
４４１，４４２，４４３ 縦結合多重モード型弾性表面波共振子
ＩＴ 信号入力端子
ＯＴ 信号出力端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が信号入力端子に接続されているハイパス用弾性表面波共振子と、
前記ハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のハイパス用インダクタ素子と、
からなるハイパスフィルタ回路部と、
一端が前記ハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、
一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、
前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、
一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、
前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子と、
からなるローパスフィルタ回路部と、
を備え、
前記ハイパスフィルタ回路部と前記ローパスフィルタ回路部とが接続されている
ことを特徴とするバンドパスフィルタ装置。
【請求項２】
一端が信号入力端子に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、
一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、
前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、
一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、
前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子と、
からなるローパスフィルタ回路部と、
前記第一の弾性表面波共振子と、
前記第一の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のハイパス用インダクタ素子と、
からなるハイパスフィルタ回路部と、
を備えていることを特徴とするバンドパスフィルタ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載されているバンドパスフィルタ装置にラダー型フィルタ回路部が接続されていることを特徴とするバンドパスフィルタ装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載されているバンドパスフィルタ装置に縦結合多重モード型フィルタ回路部が接続されていることを特徴とするバンドパスフィルタ装置。
【請求項１】
一端が信号入力端子に接続されているハイパス用弾性表面波共振子と、
前記ハイパス用弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のハイパス用インダクタ素子と、
からなるハイパスフィルタ回路部と、
一端が前記ハイパス用弾性表面波共振子の他端に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、
一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、
前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、
一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、
前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子と、
からなるローパスフィルタ回路部と、
を備え、
前記ハイパスフィルタ回路部と前記ローパスフィルタ回路部とが接続されている
ことを特徴とするバンドパスフィルタ装置。
【請求項２】
一端が信号入力端子に接続され他端が信号出力端子に接続されている第一の弾性表面波共振子と、
一端が前記第一の弾性表面波共振子の一端に接続され他端が接地されている第二の弾性表面波共振子と、
前記第二の弾性表面波共振子に並列に接続されている第一のローパス用インダクタ素子と、
一端が前記第一の弾性表面波共振子の他端に接続され他端が接地されている第三の弾性表面波共振子と、
前記第三の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のローパス用インダクタ素子と、
からなるローパスフィルタ回路部と、
前記第一の弾性表面波共振子と、
前記第一の弾性表面波共振子に並列に接続されている第二のハイパス用インダクタ素子と、
からなるハイパスフィルタ回路部と、
を備えていることを特徴とするバンドパスフィルタ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載されているバンドパスフィルタ装置にラダー型フィルタ回路部が接続されていることを特徴とするバンドパスフィルタ装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載されているバンドパスフィルタ装置に縦結合多重モード型フィルタ回路部が接続されていることを特徴とするバンドパスフィルタ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
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【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１１−２３４１９１（Ｐ２０１１−２３４１９１Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１０３５６５（Ｐ２０１０−１０３５６５）
【出願日】平成２２年４月２８日（２０１０．４．２８）
【出願人】（０００１０４７２２）京セラキンセキ株式会社 (870)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月２８日（２０１０．４．２８）
【出願人】（０００１０４７２２）京セラキンセキ株式会社 (870)
【Ｆターム（参考）】
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