フレキシブルプリント基板、フレキシブルプリント基板の製造方法及びフレキシブルプリント基板のインダクタ
【課題】フレキシブルプリント基板に対し回路形成により作製されたインダクタにおいて、巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、容量を大きくすることができるフレキシブルプリント基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製されたインダクタ２と、このインダクタ２の上下に積層された高透磁率層３，４とを有し、高透磁率層３，４によりインダクタ２の容量が増加されている。
【解決手段】フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製されたインダクタ２と、このインダクタ２の上下に積層された高透磁率層３，４とを有し、高透磁率層３，４によりインダクタ２の容量が増加されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路形成によりインダクタが作製されたフレキシブルプリント基板に関し、また、このようなフレキシブルプリント基板の製造方法及びこのようなフレキシブルプリント基板におけるインダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、フレキシブルプリント基板に対し、回路形成によりスパイラル状のインダクタを作製することが記載されている。
【０００３】
このようなインダクタにおいては、容量を大きくするためには、巻数を増やしたり、内径を大きくすることが行われている。
【０００４】
また、特許文献２には、多層プリント基板において、回路形成により作製されたインダクタを多層化することが記載されている。すなわち、この多層プリント基板においては、基板の多層化のみならず、インダクタ自体を多層化している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３４０５７３公報
【特許文献２】特許第３２５５１５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述したような従来のフレキシブルプリント基板において、回路形成により作製されたスパイラル状のインダクタにおいては、巻き数を増やして容量を大きくしようとすると、占有面積が増大してしまうという問題がある。
【０００７】
また、多層化することによっても容量を増大させることができるが、この場合には、層間接続が増えてしまい、ランドやスルーホールによる寄生容量により、共振点が低周波側にシフトしてしまうという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、前述の実情に鑑みて提案されるものであって、フレキシブルプリント基板に対し回路形成により作製されたインダクタにおいて、巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、容量を大きくすることができるフレキシブルプリント基板の製造方法を提供し、また、このようなフレキシブルプリント基板及びフレキシブルプリント基板のインダクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述の課題を解決し、前記目的を達成するため、本発明は、以下の構成のいずれか一つを有するものである。
【００１０】
〔構成１〕
本発明に係るフレキシブルプリント基板は、フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製されたインダクタと、このインダクタの上下に積層された高透磁率層とを有し、高透磁率層によりインダクタの容量が増加されていることを特徴とするものである。
【００１１】
〔構成２〕
本発明に係るフレキシブルプリント基板の製造方法は、フレキシブルプリント基板に対し回路形成によりインダクタを作製し、このインダクタの上下に高透磁率層を積層させ、高透磁率層によりインダクタの容量を増加させることを特徴とするものである。
【００１２】
〔構成３〕
本発明に係るフレキシブルプリント基板のインダクタは、フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製され、上下に高透磁率層が積層されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
構成１を有する本発明に係るフレキシブルプリント基板においては、フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製されたインダクタと、このインダクタの上下に積層された高透磁率層とを有し、高透磁率層によりインダクタの容量が増加されているので、インダクタの巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、インダクタの容量を大きくすることができる。
【００１４】
構成２を有する本発明に係るフレキシブルプリント基板の製造方法においては、フレキシブルプリント基板に対し回路形成によりインダクタを作製し、このインダクタの上下に高透磁率層を積層させ、高透磁率層によりインダクタの容量を増加させるので、インダクタの巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、インダクタの容量を大きくすることができる。
【００１５】
構成３を有する本発明に係るフレキシブルプリント基板のインダクタにおいては、フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製され、上下に高透磁率層が積層されているので、巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、容量を大きくすることができる。
【００１６】
すなわち、本発明は、フレキシブルプリント基板に対し回路形成により作製されたインダクタにおいて、巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、容量を大きくすることができるフレキシブルプリント基板の製造方法を提供し、また、このようなフレキシブルプリント基板及びフレキシブルプリント基板のインダクタを提供することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明に係るフレキシブルプリント基板の構成を示す斜視図である。
【００１９】
本発明に係るフレキシブルプリント基板は、図１に示すように、絶縁体層１を有し、この絶縁体層の上下面には、上側導体層及び下側導体層が形成されている。各導体層は、例えば、銅箔（Ｃｕ）層により形成されている。
【００２０】
上側導体層及び下側導体層には、回路形成により、それぞれスパイラル状のインダクタパターン２が形成されている。そして、これら各インダクタパターン２は、スルーホール５によって導通されている。
【００２１】
そして、上側導体層のインダクタパターン２の上面及び下側導体層のインダクタパターン２の下面には、高透磁率材料からなる上層３及び下層４が形成されている。なお、これら上層３及び下層４は、いずれか一方のみを設けてもよい。
【００２２】
このフレキシブルプリント基板においては、上層３及び下層４が形成されていることにより、インダクタパターン２は、形状及び大きさを変更することなく、上層３及び下層４が形成されていない状態に比較して、容量（リアクタンス）が増大されている。
【００２３】
このフレキシブルプリント基板を製造するには、まず、絶縁体層１の両面に上側導体層及び下側導体層を形成する。各導体層は、例えば、銅箔（Ｃｕ）層により形成する。
【００２４】
次に、上側導体層及び下側導体層をスルーホール５によって導通させる。そして、エッチング処理等による回路形成により、それぞれスパイラル状のインダクタパターン２を上側導体層及び下側導体層に形成する。
【００２５】
そして、上側導体層のインダクタパターン２の上面及び下側導体層のインダクタパターン２の下面に、高透磁率材料からなる上層３及び下層４を形成する。
【実施例】
【００２６】
以下の〔表１〕に示すように、実施例１、実施例２、実施例３及び実施例４のフレキシブルプリント基板を作製し、上層３の透磁率及び下層４の透磁率とインダクタパターン２の容量との関係を調べた。
【００２７】
【表１】
【００２８】
〔表１〕に示すように、実施例１では、上層の透磁率が１．０、下層４の透磁率が１．０で、インダクタパターン２の容量は、１００ＭＨｚにおいて、２．１２ｎＨであった。実施例２では、上層の透磁率が２０．０、下層４の透磁率が１．０で、インダクタパターン２の容量は、１００ＭＨｚにおいて、４．８９ｎＨであった。実施例３では、上層の透磁率が１．０、下層４の透磁率が２０．０で、インダクタパターン２の容量は、１００ＭＨｚにおいて、２．８８ｎＨであった。実施例４では、上層の透磁率が２０．０、下層４の透磁率が２０．０で、インダクタパターン２の容量は、１００ＭＨｚにおいて、１７．５ｎＨであった。
【００２９】
図２は、本発明に係るフレキシブルプリント基板のインダクタの特性を示すグラフである。
【００３０】
また、実施例１、実施例２、実施例３及び実施例４のフレキシブルプリント基板におけるインダクタパターン２の容量特性を調べたところ、図２に示すように、上層３の透磁率及び下層４の透磁率を高くすることにより、各周波数において、インダクタパターン２の容量が増大していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係るフレキシブルプリント基板の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明に係るフレキシブルプリント基板のインダクタの特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３２】
１ 絶縁体層
２ インダクタパターン
３ 上層
４ 下層
５ スルーホール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路形成によりインダクタが作製されたフレキシブルプリント基板に関し、また、このようなフレキシブルプリント基板の製造方法及びこのようなフレキシブルプリント基板におけるインダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、フレキシブルプリント基板に対し、回路形成によりスパイラル状のインダクタを作製することが記載されている。
【０００３】
このようなインダクタにおいては、容量を大きくするためには、巻数を増やしたり、内径を大きくすることが行われている。
【０００４】
また、特許文献２には、多層プリント基板において、回路形成により作製されたインダクタを多層化することが記載されている。すなわち、この多層プリント基板においては、基板の多層化のみならず、インダクタ自体を多層化している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３４０５７３公報
【特許文献２】特許第３２５５１５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述したような従来のフレキシブルプリント基板において、回路形成により作製されたスパイラル状のインダクタにおいては、巻き数を増やして容量を大きくしようとすると、占有面積が増大してしまうという問題がある。
【０００７】
また、多層化することによっても容量を増大させることができるが、この場合には、層間接続が増えてしまい、ランドやスルーホールによる寄生容量により、共振点が低周波側にシフトしてしまうという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、前述の実情に鑑みて提案されるものであって、フレキシブルプリント基板に対し回路形成により作製されたインダクタにおいて、巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、容量を大きくすることができるフレキシブルプリント基板の製造方法を提供し、また、このようなフレキシブルプリント基板及びフレキシブルプリント基板のインダクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述の課題を解決し、前記目的を達成するため、本発明は、以下の構成のいずれか一つを有するものである。
【００１０】
〔構成１〕
本発明に係るフレキシブルプリント基板は、フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製されたインダクタと、このインダクタの上下に積層された高透磁率層とを有し、高透磁率層によりインダクタの容量が増加されていることを特徴とするものである。
【００１１】
〔構成２〕
本発明に係るフレキシブルプリント基板の製造方法は、フレキシブルプリント基板に対し回路形成によりインダクタを作製し、このインダクタの上下に高透磁率層を積層させ、高透磁率層によりインダクタの容量を増加させることを特徴とするものである。
【００１２】
〔構成３〕
本発明に係るフレキシブルプリント基板のインダクタは、フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製され、上下に高透磁率層が積層されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
構成１を有する本発明に係るフレキシブルプリント基板においては、フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製されたインダクタと、このインダクタの上下に積層された高透磁率層とを有し、高透磁率層によりインダクタの容量が増加されているので、インダクタの巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、インダクタの容量を大きくすることができる。
【００１４】
構成２を有する本発明に係るフレキシブルプリント基板の製造方法においては、フレキシブルプリント基板に対し回路形成によりインダクタを作製し、このインダクタの上下に高透磁率層を積層させ、高透磁率層によりインダクタの容量を増加させるので、インダクタの巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、インダクタの容量を大きくすることができる。
【００１５】
構成３を有する本発明に係るフレキシブルプリント基板のインダクタにおいては、フレキシブルプリント基板に対し回路形成で作製され、上下に高透磁率層が積層されているので、巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、容量を大きくすることができる。
【００１６】
すなわち、本発明は、フレキシブルプリント基板に対し回路形成により作製されたインダクタにおいて、巻き数を増やすことなく、また、多層化することなく、容量を大きくすることができるフレキシブルプリント基板の製造方法を提供し、また、このようなフレキシブルプリント基板及びフレキシブルプリント基板のインダクタを提供することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明に係るフレキシブルプリント基板の構成を示す斜視図である。
【００１９】
本発明に係るフレキシブルプリント基板は、図１に示すように、絶縁体層１を有し、この絶縁体層の上下面には、上側導体層及び下側導体層が形成されている。各導体層は、例えば、銅箔（Ｃｕ）層により形成されている。
【００２０】
上側導体層及び下側導体層には、回路形成により、それぞれスパイラル状のインダクタパターン２が形成されている。そして、これら各インダクタパターン２は、スルーホール５によって導通されている。
【００２１】
そして、上側導体層のインダクタパターン２の上面及び下側導体層のインダクタパターン２の下面には、高透磁率材料からなる上層３及び下層４が形成されている。なお、これら上層３及び下層４は、いずれか一方のみを設けてもよい。
【００２２】
このフレキシブルプリント基板においては、上層３及び下層４が形成されていることにより、インダクタパターン２は、形状及び大きさを変更することなく、上層３及び下層４が形成されていない状態に比較して、容量（リアクタンス）が増大されている。
【００２３】
このフレキシブルプリント基板を製造するには、まず、絶縁体層１の両面に上側導体層及び下側導体層を形成する。各導体層は、例えば、銅箔（Ｃｕ）層により形成する。
【００２４】
次に、上側導体層及び下側導体層をスルーホール５によって導通させる。そして、エッチング処理等による回路形成により、それぞれスパイラル状のインダクタパターン２を上側導体層及び下側導体層に形成する。
【００２５】
そして、上側導体層のインダクタパターン２の上面及び下側導体層のインダクタパターン２の下面に、高透磁率材料からなる上層３及び下層４を形成する。
【実施例】
【００２６】
以下の〔表１〕に示すように、実施例１、実施例２、実施例３及び実施例４のフレキシブルプリント基板を作製し、上層３の透磁率及び下層４の透磁率とインダクタパターン２の容量との関係を調べた。
【００２７】
【表１】
【００２８】
〔表１〕に示すように、実施例１では、上層の透磁率が１．０、下層４の透磁率が１．０で、インダクタパターン２の容量は、１００ＭＨｚにおいて、２．１２ｎＨであった。実施例２では、上層の透磁率が２０．０、下層４の透磁率が１．０で、インダクタパターン２の容量は、１００ＭＨｚにおいて、４．８９ｎＨであった。実施例３では、上層の透磁率が１．０、下層４の透磁率が２０．０で、インダクタパターン２の容量は、１００ＭＨｚにおいて、２．８８ｎＨであった。実施例４では、上層の透磁率が２０．０、下層４の透磁率が２０．０で、インダクタパターン２の容量は、１００ＭＨｚにおいて、１７．５ｎＨであった。
【００２９】
図２は、本発明に係るフレキシブルプリント基板のインダクタの特性を示すグラフである。
【００３０】
また、実施例１、実施例２、実施例３及び実施例４のフレキシブルプリント基板におけるインダクタパターン２の容量特性を調べたところ、図２に示すように、上層３の透磁率及び下層４の透磁率を高くすることにより、各周波数において、インダクタパターン２の容量が増大していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係るフレキシブルプリント基板の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明に係るフレキシブルプリント基板のインダクタの特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３２】
１ 絶縁体層
２ インダクタパターン
３ 上層
４ 下層
５ スルーホール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルプリント基板に対し、回路形成で作製されたインダクタと、
前記インダクタの上下に積層された高透磁率層と
を有し、
前記高透磁率層により、前記インダクタの容量が増加されている
ことを特徴とするフレキシブルプリント基板。
【請求項２】
フレキシブルプリント基板に対し、回路形成によりインダクタを作製し、
前記インダクタの上下に高透磁率層を積層させ、
前記高透磁率層により、前記インダクタの容量を増加させる
ことを特徴とするフレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項３】
フレキシブルプリント基板に対し、回路形成で作製され、上下に高透磁率層が積層されている
ことを特徴とするフレキシブルプリント基板のインダクタ。
【請求項１】
フレキシブルプリント基板に対し、回路形成で作製されたインダクタと、
前記インダクタの上下に積層された高透磁率層と
を有し、
前記高透磁率層により、前記インダクタの容量が増加されている
ことを特徴とするフレキシブルプリント基板。
【請求項２】
フレキシブルプリント基板に対し、回路形成によりインダクタを作製し、
前記インダクタの上下に高透磁率層を積層させ、
前記高透磁率層により、前記インダクタの容量を増加させる
ことを特徴とするフレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項３】
フレキシブルプリント基板に対し、回路形成で作製され、上下に高透磁率層が積層されている
ことを特徴とするフレキシブルプリント基板のインダクタ。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００９−４９０８４（Ｐ２００９−４９０８４Ａ）
【公開日】平成２１年３月５日（２００９．３．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２１１９１４（Ｐ２００７−２１１９１４）
【出願日】平成１９年８月１５日（２００７．８．１５）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月５日（２００９．３．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月１５日（２００７．８．１５）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]