プラズマディスプレイパネルの製造方法
【課題】保護層を形成できるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】保護層を有する前面基板３と、背面基板とを備えるＰＤＰを製造する際に、成膜装置５００の成膜空間５１１を水蒸気を含む雰囲気にしつつＭｇ（ＤＰＭ）2を気化し、気化原料をノズル５３３にて前面基板３に吹き付けることにより、ＭｇＯで形成された保護層を形成する。このため、水蒸気を含む雰囲気下で気化原料を吹き付けることにより、マグネシウム化合物の分解を進ませることができ、水蒸気をほとんど含まない雰囲気下で気化原料を吹き付ける構成と比べて、保護層に残留する不純物を減少させることができる。したがって、保護層のばらつきを小さくでき、かつ、全体的な放電遅れ時間の長期化を抑制できる。
【解決手段】保護層を有する前面基板３と、背面基板とを備えるＰＤＰを製造する際に、成膜装置５００の成膜空間５１１を水蒸気を含む雰囲気にしつつＭｇ（ＤＰＭ）2を気化し、気化原料をノズル５３３にて前面基板３に吹き付けることにより、ＭｇＯで形成された保護層を形成する。このため、水蒸気を含む雰囲気下で気化原料を吹き付けることにより、マグネシウム化合物の分解を進ませることができ、水蒸気をほとんど含まない雰囲気下で気化原料を吹き付ける構成と比べて、保護層に残留する不純物を減少させることができる。したがって、保護層のばらつきを小さくでき、かつ、全体的な放電遅れ時間の長期化を抑制できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、放電空間を介して互いに対向配置された一対の平面ガラス基板である前面基板および背面基板を備えており、背面基板の内面上に井桁状などの隔壁を設けて前記放電空間を複数個の放電セルに区画し、これら複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を実施する。そして、このようなＰＤＰの例えば前面基板の放電空間に面する位置に、保護層を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載のものは、ＣＶＤ（化学蒸着）法を用い、気化器にマグネシウムアセチルアセトナートを入れて２２０℃に加熱する。そして、原料ガスを窒素ガスとともに成膜室に導入し、同時に反応ガスとしての酸素を成膜室に導入することにより、結晶粒径が４０〜５０ｎｍとなるようなＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜を保護層として形成する構成が採られている。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１２３７４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１のような構成で形成した保護層では、放電遅れがばらついたり、放電遅れ時間が長くなったりするおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記のような問題に鑑みて、適切な保護層を形成可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうち少なくとも一方の基板の前記放電空間に面する位置に形成された保護層と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記保護層の形成工程は、成膜室内を水蒸気を含む雰囲気にしつつマグネシウム化合物を気化し、吹きつけにより化学蒸着による酸化マグネシウム膜を前記基板上に形成する工程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。図２は、プラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。図３は、図２のIII−III線における断面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【０００９】
〔プラズマディスプレイパネルの構成〕
本実施形態において、図１に示すように、１はプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）であり、このＰＤＰ１は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このＰＤＰ１は、画像表示領域を構成する放電空間Ｈを介して、互いに対向配置された一対の基板である背面基板２および前面基板３を備えている。
【００１０】
これら背面基板２および前面基板３は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されている。そして、封着された当該空間内部は例えば６．７×１０４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、当該空間にはＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。
【００１１】
背面基板２は、例えば板状ガラス材にて平面長方形状に形成されている。この背面基板２の内面上には、図１に示すように、複数の直線状のアドレス電極２１と、これらアドレス電極２１上を覆うアドレス電極保護層２２と、このアドレス電極保護層２２上に一体的に設けられた隔壁２３と、この隔壁２３の放電セル２３１内部に充填された蛍光体層２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂと、などがそれぞれ設けられている。
【００１２】
具体的には、アドレス電極２１は、例えばＡｌ（アルミニウム）などにて形成され、図１および図２に示すように、背面基板２の長手方向に略直交して一定の間隔で配設されている。それぞれのアドレス電極２１の一端には図示しないアドレス電極引出部が形成されて、このアドレス電極引出部を介して各アドレス電極２１に図示しない列電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
【００１３】
アドレス電極保護層２２は、例えばガラスペーストなどにて形成され、図１、図３および図４に示すように、背面基板２の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層２２は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極２１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層２２の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。
【００１４】
隔壁２３は、図１および図３に示すように、例えばアドレス電極保護層２２と同一成分のガラスペーストにて略梯子状に形成されている。そして、アドレス電極保護層２２上において、アドレス電極２１と略直交する複数の直線状の隙間Ｓ（図３参照）をそれぞれ間に挟んで、複数並列して設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１が形成されている。そして、隔壁２３は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板２と前面基板３との間隙寸法を規定する。
【００１５】
蛍光体層２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは、図１、図３および図４に示すように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストが放電セル２３１内部に順に充填され、これが焼成されることにより形成される。これら蛍光体層２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは、それぞれの放電セル２３１で発生した紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光する。
【００１６】
前面基板３は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、例えば背面基板２と同一材料にて略同一形状に形成されている。この前面基板の内面上には、図１に示すように、アドレス電極２１と略直交して一定の間隔で配列された複数の表示電極対３１と、これら表示電極対３１間にそれぞれ設けられた複数のブラックストライプ３２と、これら表示電極対３１およびブラックストライプ３２上を覆う誘電体層３３と、この誘電体層３３を覆う保護層３４と、などがそれぞれ設けられている。
【００１７】
具体的には、表示電極対３１は、図２および図３に示すように、放電ギャップＧ（図２参照）を介して対向する複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部に積層する一対の直線状のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。
【００１８】
透明電極３１１ａ，３１１ｂは、図２に示すように、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
【００１９】
バス電極３１２ａ，３１２ｂは、一対の透明電極３１１ａ，３１１ｂにおける放電ギャップＧ（図２参照）に対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。これらバス電極３１２ａ，３１２ｂのそれぞれの一端には図示しないバス電極引出部が形成され、このバス電極引出部を介して各透明電極３１１ａ，３１１ｂに図示しない行電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
このようなバス電極３１２ａ，３１２ｂは、図３に示すように、透明電極３１１ａ，３１１ｂ上に積層して設けられた黒色無機顔料などからなるバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと、これらバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂに積層して設けられたＡｇ（銀）などを主成分とする金属材料からなる主導電層３１４ａ，３１４ｂとを備えた２層構造となっている。
【００２０】
ブラックストライプ３２は、図２および図３に示すように、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと同質の材料にて、直線状に形成されている。このブラックストライプ３２およびバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂにて、前面基板３の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
【００２１】
誘電体層３３は、図３および図４に示すように、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板２のアドレス電極保護層２２と対向して設けられている。この誘電体層３３は、パネル駆動時において、放電による表示電極対３１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。
【００２２】
保護層３４は、図１、図３および図４に示すように、誘電体層３３上面を被覆するＭｇＯ（酸化マグネシウム）により層状に設けられている。この保護層３４は、詳しくは後述するが、ＣＶＤ法にて形成される。
このような保護層３４は、誘電体層３３が放電によりスパッタリングされることを防ぐ機能を有している。
【００２３】
〔ＰＤＰの製造方法〕
次に、上述した構成のＰＤＰ１の製造方法として、前面基板の製造方法について説明する。
【００２４】
まず、十分に洗浄したガラス基板の内面側に透明電極材料層を形成して、フォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。この透明電極対上にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを積層形成し、更にこのパターン上にＡｇペーストのパターンを積層形成する。そして、これらのパターンを焼成して、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂおよび主導電層３１４ａ，３１４ｂからなる２層構造のバス電極３１２ａ，３１２ｂを形成する。
この後、これらバス電極３１２ａ，３１２ｂ間にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを塗布して、これを焼成して複数のブラックストライプ３２を形成する。さらに、透明電極３１１ａ，３１１ｂ、バス電極３１２ａ，３１２ｂおよびブラックストライプ３２を被覆する状態にダイコータなどによりガラスペーストを塗布する。そして、このガラスペーストを焼成して誘電体層３３を形成する。
この後、誘電体層３３の上に保護層３４を形成する（以下に詳述）。これにより、ＰＤＰ１の前面基板３が完成する。
【００２５】
（保護層の形成工程）
次に、保護層３４の形成工程について説明する。
【００２６】
（成膜装置の構成）
まず、保護層３４の形成工程に用いられる成膜装置５００の構成について説明する。
図５は、成膜装置の概略構成を示す模式図である。
【００２７】
図５に示すように、成膜装置５００は、いわゆる気開放型の構成を有し、ＣＶＤ法により保護層３４を成膜する。この成膜装置５００は、成膜室５１０と、基板加熱台５２０と、成膜部５３０と、加湿部５４０と、を備えている。
【００２８】
成膜室５１０は、例えば樹脂などにより略四角箱状に形成され、成膜空間５１１を備えている。
基板加熱台５２０は、成膜空間５１１における下側に設けられ、前面基板３が載置される載置面５２１を有している。また、基板加熱台５２０には、図示しないヒータが設けられている。そして、基板加熱台５２０は、ヒータにて前面基板３を加熱しつつ、図示しない移動機構の駆動により図５における左右方向に適宜移動する。
【００２９】
成膜部５３０は、気化器５３１と、水蒸気導入部５３２と、ノズル５３３と、を備えている。
【００３０】
気化器５３１は、例えば成膜空間５１１に設けられている。この気化器５３１には、キャリアガス供給管５３４の一端が接続されるとともに、原料供給管５３５の一端が接続されている。
そして、気化器５３１は、ＣＶＤ原料であるマグネシウム化合物としてのＭｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2：（ビス（ジピバロイルメタナト）マグネシウム、以下、Ｍｇ（ＤＰＭ）2と記す）を、２４０℃以上、３００℃以下の気化温度で気化させる。この気化されたＭｇ（ＤＰＭ）2（以下、気化原料と記す）は、キャリアガス供給管５３４を介して導入されるキャリアガスにより、原料供給管５３５の他端側へ移送される。
【００３１】
水蒸気導入部５３２は、例えば成膜室５１０の外部に設けられている。この水蒸気導入部５３２には、水蒸気供給管５３６の一端が接続されている。この水蒸気供給管５３６の他端は、原料供給管５３５の側面に、内部空間が原料供給管５３５の内部空間と連通する状態で接続されている。
そして、水蒸気導入部５３２は、水蒸気を、水蒸気供給管５３６を介して、原料供給管５３５へ導入する。
ここで、水蒸気導入部５３２としては、以下のような構成が例示できる。すなわち、湯水に浸されたフラスコに純水を入れる。そして、この純水に空気を供給して泡を発生させることにより、フラスコ内に水蒸気を発生させる構成が例示できる。
【００３２】
ノズル５３３は、基板加熱台５２０の上方に設けられ、原料供給管５３５の他端に接続されている。
このノズル５３３には、原料供給管５３５を介して、気化原料および水蒸気が混合された混合気化原料が供給される。そして、ノズル５３３は、この混合気化原料を、基板加熱台５２０に載置された前面基板３に吹き付ける。
【００３３】
加湿部５４０は、例えば成膜室５１０の外部に設けられている。この加湿部５４０には、水分供給管５４１の一端が接続されている。この水分供給管５４１は、他端が成膜空間５１１内に位置する状態で設けられている。
そして、加湿部５４０は、水分を、水分供給管５４１を介して、成膜空間５１１へ導入し、成膜空間５１１を加湿する。
【００３４】
（成膜工程）
次に、保護層３４の形成工程として、成膜装置５００を用いたＭｇ（ＤＰＭ）2の成膜工程について説明する。
【００３５】
まず、成膜装置５００は、基板加熱台５２０に載置された前面基板３を、その表面温度が５００℃以上となるように加熱する。また、加湿部５４０にて、成膜空間５１１を加湿する。
そして、気化器５３１にて、例えば、２４０℃以上、３００℃以下の気化温度で気化された気化原料を、Ｎ2などのキャリアガスを利用して、原料供給管５３５へ導入する。さらに、水蒸気導入部５３２にて、水蒸気を、水蒸気供給管５３６を介して、原料供給管５３５へ導入する。この原料供給管５３５に導入された気化原料および水蒸気は、混合されて混合気化原料としてノズル５３３へ供給される。
そして、成膜装置５００は、基板加熱台５２０を適宜移動させつつ、ノズル５３３にて、加湿された環境下で混合気化原料を前面基板３へ吹き付け、誘電体層３３上にＭｇＯで構成される保護層３４が形成される。
【００３６】
〔実施例〕
本実施形態の効果を確認するための実施例を以下に示す。
【００３７】
（サンプルの構成）
まず、本実施例で用いたサンプルの構成について説明する。
本実施例で用いたサンプルの構成を表１に示した。
【００３８】
【表１】
【００３９】
ここで、マグネシウム化合物として、Ｍｇ（ＤＰＭ）2を用いた。また、成膜条件として、マグネシウム化合物の気化温度を２４０℃以上かつ３００℃以下、基板温度を５００℃以上に設定した。また、表１において、「気化原料」は、マグネシウム化合物を上記気化温度で気化したものを意味する。
そして、比較サンプルを、成膜空間を加湿せずに、かつ、気化原料をそのまま吹き付ける条件で作製した。また、実施サンプル１，２を、成膜空間を１台，２台の加湿器で加湿して、気化原料をそのまま吹き付ける条件で作製した。さらに、実施サンプル３，４，５を、成膜空間を同条件（加湿器１台）で加湿しつつ、気化原料に空気，３００℃の空気，３００℃の水蒸気をそれぞれ混合して吹き付ける条件で作製した。
この後、これらを焼成して、保護層３４を形成し、放電遅れの時間を調べた。その結果を、表１および図６に示す。なお、図６は、表１の結果をグラフ化したものである。
【００４０】
（加湿条件と放電遅れとの関係）
まず、加湿条件と放電遅れとの関係について検討した。
表１および図６に示すように、比較サンプルおよび実施サンプル１，２の比較から、マグネシウム化合物の成膜時に加湿することにより、放電遅れ時間のばらつきが小さくなり、かつ、全体的に放電遅れ時間が短くなることが確認できた。また、実施サンプル１よりも実施サンプル２の方が、ばらつきが小さくなり、かつ、全体的に放電遅れ時間が短くなることが確認できた。つまり、湿度が高いほど、ばらつきが小さくなり、かつ、全体的に放電遅れ時間が短くなることが確認できた。
これは、加湿された環境下で気化原料を吹き付けると、加水分解によりマグネシウム化合物の分解が進み、保護層３４に残留する不純物が減少するためと考えられる。
以上のことから、保護層３４の放電遅れ時間のばらつきや全体的な長期化を抑制するためには、マグネシウム化合物の成膜時の湿度を高くすることが有効な手段であることが確認できた。
【００４１】
（気化原料の混合物と放電遅れとの関係）
次に、気化原料の混合物と放電遅れとの関係について検討した。
表１に示すように、実施サンプル１，３の比較から、気化原料に空気を混合させることにより、放電遅れ時間が短くなることが確認できた。
これは、吹き付ける原料に空気を混合させ、水分を多くすることにより、加水分解によるマグネシウム化合物の分解が進み、保護層３４に残留する不純物が減少するためと考えられる。
また、実施サンプル３，４の比較から、吹き付ける原料の温度を高くすることにより、放電遅れ時間が短くなることが確認できた。
これは、吹き付ける原料の温度が高いほど、加水分解によるマグネシウム化合物の分解が進み、保護層３４に残留する不純物が減少するためと考えられる。
さらに、実施サンプル４よりも実施サンプル５の方が、放電遅れ時間が短くなることが確認できた。
これは、吹き付ける原料の温度が等しい場合には、原料に混合する水分が多いほど、加水分解によるマグネシウム化合物の分解が進み、保護層３４に残留する不純物が減少するためと考えられる。
以上のことから、保護層３４の放電遅れ時間の長期化を抑制するためには、吹き付ける原料の温度を高くすることや、原料に混合する水分を多くすることが有効な手段であることが確認できた。
【００４２】
〔実施形態の作用効果〕
以上の構成の一実施形態によれば、以下の作用効果が期待できる。
【００４３】
（１）保護層３４を有する前面基板３と、背面基板２とを備えるＰＤＰ１を製造する際に、成膜装置５００の成膜空間５１１を加湿しつつＭｇ（ＤＰＭ）2を気化し、気化原料をノズル５３３にて前面基板３に吹き付けることにより、ＭｇＯで形成された保護層３４を形成する。
このため、加湿された環境下で気化原料を吹き付けることにより、マグネシウム化合物の分解を進ませることができ、加湿しない環境下で気化原料を吹き付ける構成と比べて、保護層３４に残留する不純物を減少させることができる。したがって、保護層３４のばらつきを小さくでき、かつ、全体的な放電遅れ時間の長期化を抑制できる。
【００４４】
（２）マグネシウム化合物として、Ｍｇ（ＤＰＭ）2を適用するとともに、このＭｇ（ＤＰＭ）2を２４０℃以上、３００℃以下で気化させ、５００℃以上に加熱された前面基板３に吹き付けている。
このため、一般的にＣＶＤ法で多く利用されている（ＤＰＭ）2（ジピバロイルメタナト）を含む材料を、保護層３４を形成するためのマグネシウム化合物として利用するので、保護層３４の形成工程をＣＶＤ法を用いた工程に容易に展開できる。
【００４５】
（３）気化原料に水蒸気を混合した混合気化原料を前面基板３に吹き付けることにより、保護層３４を形成している。
このため、気化原料に水蒸気を混合して、気化原料に含まれる水分を多くすることにより、加水分解によるマグネシウム化合物の分解を進ませることができ、保護層３４に残留する不純物を減少させることができる。したがって、保護層３４の全体的な放電遅れ時間の長期化をさらに抑制できる。
【００４６】
〔他の実施形態〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００４７】
例えば、前面基板３側に表示電極対３１および誘電体層３３を設け、かつ、背面基板２側にアドレス電極２１および蛍光体層２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂを設けた、いわゆる反射型交流ＰＤＰを例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、本発明が適用可能なＰＤＰとしては、例えば、前面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成してこれらを誘電体層によって被覆し、背面基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰでもよい。また、例えば、前面基板側に蛍光体層を形成し、背面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成してこれらを誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰでもよい。
また、前記実施の形態では、隔壁２３を井桁状に形成する構成を例示して説明したが、これに限らず、例えば、隔壁をストライプ状に形成する構成としてもよい。
つまり、本発明は、前面基板あるいは背面基板のいずれか一方の基板上に、保護層で覆われた誘電体層が設けられた構成であれば、いずれのタイプのＰＤＰに対しても適用できる。
【００４８】
そして、気化原料に水蒸気を混合したものを前面基板３に吹き付ける構成を例示したが、気化原料に空気を混合したものを吹き付けてもよい。
このような構成にすれば、気化原料に空気を混合して水分を多くすることにより、気化原料をそのまま吹き付ける構成と比べて、加水分解によるマグネシウム化合物の分解を進ませることができ、保護層３４に残留する不純物を減少させることができる。したがって、保護層３４の全体的な放電遅れ時間の長期化をさらに抑制できる。
【００４９】
また、気化原料に水蒸気および空気のうち少なくともいずれか一方を混合させる構成としてもよい。
このような構成にすれば、吹き付ける原料の温度を高くすることにより、加水分解によるマグネシウム化合物の分解をさらに進ませることができ、保護層３４の全体的な放電遅れ時間の長期化をさらに抑制できる。
【００５０】
そして、気化原料に水蒸気や空気などの混合物を混合させずに、気化原料をそのまま加湿環境下で吹き付ける構成としてもよい。
このような構成にすれば、混合物を気化原料に混合する構成を設ける必要がなく、成膜装置の構成の簡略化を図ることができる。
【００５１】
さらに、マグネシウム化合物としては、Ｍｇ（ａｃａｃ）2：（マグネシウムアセチルアセトナート)、Ｍｇ（Ｃ10Ｈ17Ｏ2）2：（Ｍｇ（ＩＢＰＭ）2：ビス（イソブチリルピバロイルメタナト）マグネシウム）、Ｍｇ（Ｃ9Ｈ15Ｏ2）2：（Ｍｇ（ＤＩＰＭ）2：ビス（ジイソブチリルメタナト）マグネシウム）を適用してもよい。
このようなマグネシウム化合物を用いる場合、気化温度を２４０℃以下や３００℃以上としてもよいし、前面基板３の温度を５００℃以下にしてもよい。
【００５２】
また、本発明の製造方法を気開放型のＣＶＤ装置に適用する構成を例示したが、いわゆる減圧型ＣＶＤ装置、プラズマアシストＣＶＤ装置、Ｃａｔ−ＣＶＤ装置に適用してもよい。
さらに、本発明の製造方法を、プラズマチューブに保護層を設ける構成に適用してもよい。
【００５３】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【００５４】
〔実施形態の作用効果〕
上記したように、保護層３４を有する前面基板３と、背面基板２とを備えるＰＤＰ１を製造する際に、成膜装置５００の成膜空間５１１を加湿しつつマグネシウム化合物を気化し、気化原料をノズル５３３にて前面基板３に吹き付けることにより、ＭｇＯで形成された保護層３４を形成する。
このため、加湿された環境下で気化原料を吹き付けることにより、マグネシウム化合物の分解を進ませることができ、加湿しない環境下で気化原料を吹き付ける構成と比べて、保護層３４に残留する不純物を減少させることができる。したがって、保護層３４のばらつきを小さくでき、かつ、全体的な放電遅れ時間の長期化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。
【図２】前記実施形態におけるプラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。
【図３】図２のIII−III線における断面図である。
【図４】図２のIV−IV線における断面図である。
【図５】前記実施形態の保護層の形成工程に用いる成膜装置の概略構成を示す模式図である。
【図６】本発明の実施例における加湿器の台数と放電遅れとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５６】
１…ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
２…背面基板
３…前面基板
３４…保護層
Ｈ…放電空間
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、放電空間を介して互いに対向配置された一対の平面ガラス基板である前面基板および背面基板を備えており、背面基板の内面上に井桁状などの隔壁を設けて前記放電空間を複数個の放電セルに区画し、これら複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を実施する。そして、このようなＰＤＰの例えば前面基板の放電空間に面する位置に、保護層を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載のものは、ＣＶＤ（化学蒸着）法を用い、気化器にマグネシウムアセチルアセトナートを入れて２２０℃に加熱する。そして、原料ガスを窒素ガスとともに成膜室に導入し、同時に反応ガスとしての酸素を成膜室に導入することにより、結晶粒径が４０〜５０ｎｍとなるようなＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜を保護層として形成する構成が採られている。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１２３７４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１のような構成で形成した保護層では、放電遅れがばらついたり、放電遅れ時間が長くなったりするおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記のような問題に鑑みて、適切な保護層を形成可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうち少なくとも一方の基板の前記放電空間に面する位置に形成された保護層と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記保護層の形成工程は、成膜室内を水蒸気を含む雰囲気にしつつマグネシウム化合物を気化し、吹きつけにより化学蒸着による酸化マグネシウム膜を前記基板上に形成する工程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。図２は、プラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。図３は、図２のIII−III線における断面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【０００９】
〔プラズマディスプレイパネルの構成〕
本実施形態において、図１に示すように、１はプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）であり、このＰＤＰ１は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このＰＤＰ１は、画像表示領域を構成する放電空間Ｈを介して、互いに対向配置された一対の基板である背面基板２および前面基板３を備えている。
【００１０】
これら背面基板２および前面基板３は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されている。そして、封着された当該空間内部は例えば６．７×１０４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、当該空間にはＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。
【００１１】
背面基板２は、例えば板状ガラス材にて平面長方形状に形成されている。この背面基板２の内面上には、図１に示すように、複数の直線状のアドレス電極２１と、これらアドレス電極２１上を覆うアドレス電極保護層２２と、このアドレス電極保護層２２上に一体的に設けられた隔壁２３と、この隔壁２３の放電セル２３１内部に充填された蛍光体層２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂと、などがそれぞれ設けられている。
【００１２】
具体的には、アドレス電極２１は、例えばＡｌ（アルミニウム）などにて形成され、図１および図２に示すように、背面基板２の長手方向に略直交して一定の間隔で配設されている。それぞれのアドレス電極２１の一端には図示しないアドレス電極引出部が形成されて、このアドレス電極引出部を介して各アドレス電極２１に図示しない列電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
【００１３】
アドレス電極保護層２２は、例えばガラスペーストなどにて形成され、図１、図３および図４に示すように、背面基板２の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層２２は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極２１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層２２の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。
【００１４】
隔壁２３は、図１および図３に示すように、例えばアドレス電極保護層２２と同一成分のガラスペーストにて略梯子状に形成されている。そして、アドレス電極保護層２２上において、アドレス電極２１と略直交する複数の直線状の隙間Ｓ（図３参照）をそれぞれ間に挟んで、複数並列して設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１が形成されている。そして、隔壁２３は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板２と前面基板３との間隙寸法を規定する。
【００１５】
蛍光体層２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは、図１、図３および図４に示すように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストが放電セル２３１内部に順に充填され、これが焼成されることにより形成される。これら蛍光体層２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは、それぞれの放電セル２３１で発生した紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光する。
【００１６】
前面基板３は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、例えば背面基板２と同一材料にて略同一形状に形成されている。この前面基板の内面上には、図１に示すように、アドレス電極２１と略直交して一定の間隔で配列された複数の表示電極対３１と、これら表示電極対３１間にそれぞれ設けられた複数のブラックストライプ３２と、これら表示電極対３１およびブラックストライプ３２上を覆う誘電体層３３と、この誘電体層３３を覆う保護層３４と、などがそれぞれ設けられている。
【００１７】
具体的には、表示電極対３１は、図２および図３に示すように、放電ギャップＧ（図２参照）を介して対向する複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部に積層する一対の直線状のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。
【００１８】
透明電極３１１ａ，３１１ｂは、図２に示すように、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
【００１９】
バス電極３１２ａ，３１２ｂは、一対の透明電極３１１ａ，３１１ｂにおける放電ギャップＧ（図２参照）に対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。これらバス電極３１２ａ，３１２ｂのそれぞれの一端には図示しないバス電極引出部が形成され、このバス電極引出部を介して各透明電極３１１ａ，３１１ｂに図示しない行電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
このようなバス電極３１２ａ，３１２ｂは、図３に示すように、透明電極３１１ａ，３１１ｂ上に積層して設けられた黒色無機顔料などからなるバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと、これらバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂに積層して設けられたＡｇ（銀）などを主成分とする金属材料からなる主導電層３１４ａ，３１４ｂとを備えた２層構造となっている。
【００２０】
ブラックストライプ３２は、図２および図３に示すように、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと同質の材料にて、直線状に形成されている。このブラックストライプ３２およびバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂにて、前面基板３の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
【００２１】
誘電体層３３は、図３および図４に示すように、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板２のアドレス電極保護層２２と対向して設けられている。この誘電体層３３は、パネル駆動時において、放電による表示電極対３１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。
【００２２】
保護層３４は、図１、図３および図４に示すように、誘電体層３３上面を被覆するＭｇＯ（酸化マグネシウム）により層状に設けられている。この保護層３４は、詳しくは後述するが、ＣＶＤ法にて形成される。
このような保護層３４は、誘電体層３３が放電によりスパッタリングされることを防ぐ機能を有している。
【００２３】
〔ＰＤＰの製造方法〕
次に、上述した構成のＰＤＰ１の製造方法として、前面基板の製造方法について説明する。
【００２４】
まず、十分に洗浄したガラス基板の内面側に透明電極材料層を形成して、フォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。この透明電極対上にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを積層形成し、更にこのパターン上にＡｇペーストのパターンを積層形成する。そして、これらのパターンを焼成して、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂおよび主導電層３１４ａ，３１４ｂからなる２層構造のバス電極３１２ａ，３１２ｂを形成する。
この後、これらバス電極３１２ａ，３１２ｂ間にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを塗布して、これを焼成して複数のブラックストライプ３２を形成する。さらに、透明電極３１１ａ，３１１ｂ、バス電極３１２ａ，３１２ｂおよびブラックストライプ３２を被覆する状態にダイコータなどによりガラスペーストを塗布する。そして、このガラスペーストを焼成して誘電体層３３を形成する。
この後、誘電体層３３の上に保護層３４を形成する（以下に詳述）。これにより、ＰＤＰ１の前面基板３が完成する。
【００２５】
（保護層の形成工程）
次に、保護層３４の形成工程について説明する。
【００２６】
（成膜装置の構成）
まず、保護層３４の形成工程に用いられる成膜装置５００の構成について説明する。
図５は、成膜装置の概略構成を示す模式図である。
【００２７】
図５に示すように、成膜装置５００は、いわゆる気開放型の構成を有し、ＣＶＤ法により保護層３４を成膜する。この成膜装置５００は、成膜室５１０と、基板加熱台５２０と、成膜部５３０と、加湿部５４０と、を備えている。
【００２８】
成膜室５１０は、例えば樹脂などにより略四角箱状に形成され、成膜空間５１１を備えている。
基板加熱台５２０は、成膜空間５１１における下側に設けられ、前面基板３が載置される載置面５２１を有している。また、基板加熱台５２０には、図示しないヒータが設けられている。そして、基板加熱台５２０は、ヒータにて前面基板３を加熱しつつ、図示しない移動機構の駆動により図５における左右方向に適宜移動する。
【００２９】
成膜部５３０は、気化器５３１と、水蒸気導入部５３２と、ノズル５３３と、を備えている。
【００３０】
気化器５３１は、例えば成膜空間５１１に設けられている。この気化器５３１には、キャリアガス供給管５３４の一端が接続されるとともに、原料供給管５３５の一端が接続されている。
そして、気化器５３１は、ＣＶＤ原料であるマグネシウム化合物としてのＭｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2：（ビス（ジピバロイルメタナト）マグネシウム、以下、Ｍｇ（ＤＰＭ）2と記す）を、２４０℃以上、３００℃以下の気化温度で気化させる。この気化されたＭｇ（ＤＰＭ）2（以下、気化原料と記す）は、キャリアガス供給管５３４を介して導入されるキャリアガスにより、原料供給管５３５の他端側へ移送される。
【００３１】
水蒸気導入部５３２は、例えば成膜室５１０の外部に設けられている。この水蒸気導入部５３２には、水蒸気供給管５３６の一端が接続されている。この水蒸気供給管５３６の他端は、原料供給管５３５の側面に、内部空間が原料供給管５３５の内部空間と連通する状態で接続されている。
そして、水蒸気導入部５３２は、水蒸気を、水蒸気供給管５３６を介して、原料供給管５３５へ導入する。
ここで、水蒸気導入部５３２としては、以下のような構成が例示できる。すなわち、湯水に浸されたフラスコに純水を入れる。そして、この純水に空気を供給して泡を発生させることにより、フラスコ内に水蒸気を発生させる構成が例示できる。
【００３２】
ノズル５３３は、基板加熱台５２０の上方に設けられ、原料供給管５３５の他端に接続されている。
このノズル５３３には、原料供給管５３５を介して、気化原料および水蒸気が混合された混合気化原料が供給される。そして、ノズル５３３は、この混合気化原料を、基板加熱台５２０に載置された前面基板３に吹き付ける。
【００３３】
加湿部５４０は、例えば成膜室５１０の外部に設けられている。この加湿部５４０には、水分供給管５４１の一端が接続されている。この水分供給管５４１は、他端が成膜空間５１１内に位置する状態で設けられている。
そして、加湿部５４０は、水分を、水分供給管５４１を介して、成膜空間５１１へ導入し、成膜空間５１１を加湿する。
【００３４】
（成膜工程）
次に、保護層３４の形成工程として、成膜装置５００を用いたＭｇ（ＤＰＭ）2の成膜工程について説明する。
【００３５】
まず、成膜装置５００は、基板加熱台５２０に載置された前面基板３を、その表面温度が５００℃以上となるように加熱する。また、加湿部５４０にて、成膜空間５１１を加湿する。
そして、気化器５３１にて、例えば、２４０℃以上、３００℃以下の気化温度で気化された気化原料を、Ｎ2などのキャリアガスを利用して、原料供給管５３５へ導入する。さらに、水蒸気導入部５３２にて、水蒸気を、水蒸気供給管５３６を介して、原料供給管５３５へ導入する。この原料供給管５３５に導入された気化原料および水蒸気は、混合されて混合気化原料としてノズル５３３へ供給される。
そして、成膜装置５００は、基板加熱台５２０を適宜移動させつつ、ノズル５３３にて、加湿された環境下で混合気化原料を前面基板３へ吹き付け、誘電体層３３上にＭｇＯで構成される保護層３４が形成される。
【００３６】
〔実施例〕
本実施形態の効果を確認するための実施例を以下に示す。
【００３７】
（サンプルの構成）
まず、本実施例で用いたサンプルの構成について説明する。
本実施例で用いたサンプルの構成を表１に示した。
【００３８】
【表１】
【００３９】
ここで、マグネシウム化合物として、Ｍｇ（ＤＰＭ）2を用いた。また、成膜条件として、マグネシウム化合物の気化温度を２４０℃以上かつ３００℃以下、基板温度を５００℃以上に設定した。また、表１において、「気化原料」は、マグネシウム化合物を上記気化温度で気化したものを意味する。
そして、比較サンプルを、成膜空間を加湿せずに、かつ、気化原料をそのまま吹き付ける条件で作製した。また、実施サンプル１，２を、成膜空間を１台，２台の加湿器で加湿して、気化原料をそのまま吹き付ける条件で作製した。さらに、実施サンプル３，４，５を、成膜空間を同条件（加湿器１台）で加湿しつつ、気化原料に空気，３００℃の空気，３００℃の水蒸気をそれぞれ混合して吹き付ける条件で作製した。
この後、これらを焼成して、保護層３４を形成し、放電遅れの時間を調べた。その結果を、表１および図６に示す。なお、図６は、表１の結果をグラフ化したものである。
【００４０】
（加湿条件と放電遅れとの関係）
まず、加湿条件と放電遅れとの関係について検討した。
表１および図６に示すように、比較サンプルおよび実施サンプル１，２の比較から、マグネシウム化合物の成膜時に加湿することにより、放電遅れ時間のばらつきが小さくなり、かつ、全体的に放電遅れ時間が短くなることが確認できた。また、実施サンプル１よりも実施サンプル２の方が、ばらつきが小さくなり、かつ、全体的に放電遅れ時間が短くなることが確認できた。つまり、湿度が高いほど、ばらつきが小さくなり、かつ、全体的に放電遅れ時間が短くなることが確認できた。
これは、加湿された環境下で気化原料を吹き付けると、加水分解によりマグネシウム化合物の分解が進み、保護層３４に残留する不純物が減少するためと考えられる。
以上のことから、保護層３４の放電遅れ時間のばらつきや全体的な長期化を抑制するためには、マグネシウム化合物の成膜時の湿度を高くすることが有効な手段であることが確認できた。
【００４１】
（気化原料の混合物と放電遅れとの関係）
次に、気化原料の混合物と放電遅れとの関係について検討した。
表１に示すように、実施サンプル１，３の比較から、気化原料に空気を混合させることにより、放電遅れ時間が短くなることが確認できた。
これは、吹き付ける原料に空気を混合させ、水分を多くすることにより、加水分解によるマグネシウム化合物の分解が進み、保護層３４に残留する不純物が減少するためと考えられる。
また、実施サンプル３，４の比較から、吹き付ける原料の温度を高くすることにより、放電遅れ時間が短くなることが確認できた。
これは、吹き付ける原料の温度が高いほど、加水分解によるマグネシウム化合物の分解が進み、保護層３４に残留する不純物が減少するためと考えられる。
さらに、実施サンプル４よりも実施サンプル５の方が、放電遅れ時間が短くなることが確認できた。
これは、吹き付ける原料の温度が等しい場合には、原料に混合する水分が多いほど、加水分解によるマグネシウム化合物の分解が進み、保護層３４に残留する不純物が減少するためと考えられる。
以上のことから、保護層３４の放電遅れ時間の長期化を抑制するためには、吹き付ける原料の温度を高くすることや、原料に混合する水分を多くすることが有効な手段であることが確認できた。
【００４２】
〔実施形態の作用効果〕
以上の構成の一実施形態によれば、以下の作用効果が期待できる。
【００４３】
（１）保護層３４を有する前面基板３と、背面基板２とを備えるＰＤＰ１を製造する際に、成膜装置５００の成膜空間５１１を加湿しつつＭｇ（ＤＰＭ）2を気化し、気化原料をノズル５３３にて前面基板３に吹き付けることにより、ＭｇＯで形成された保護層３４を形成する。
このため、加湿された環境下で気化原料を吹き付けることにより、マグネシウム化合物の分解を進ませることができ、加湿しない環境下で気化原料を吹き付ける構成と比べて、保護層３４に残留する不純物を減少させることができる。したがって、保護層３４のばらつきを小さくでき、かつ、全体的な放電遅れ時間の長期化を抑制できる。
【００４４】
（２）マグネシウム化合物として、Ｍｇ（ＤＰＭ）2を適用するとともに、このＭｇ（ＤＰＭ）2を２４０℃以上、３００℃以下で気化させ、５００℃以上に加熱された前面基板３に吹き付けている。
このため、一般的にＣＶＤ法で多く利用されている（ＤＰＭ）2（ジピバロイルメタナト）を含む材料を、保護層３４を形成するためのマグネシウム化合物として利用するので、保護層３４の形成工程をＣＶＤ法を用いた工程に容易に展開できる。
【００４５】
（３）気化原料に水蒸気を混合した混合気化原料を前面基板３に吹き付けることにより、保護層３４を形成している。
このため、気化原料に水蒸気を混合して、気化原料に含まれる水分を多くすることにより、加水分解によるマグネシウム化合物の分解を進ませることができ、保護層３４に残留する不純物を減少させることができる。したがって、保護層３４の全体的な放電遅れ時間の長期化をさらに抑制できる。
【００４６】
〔他の実施形態〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００４７】
例えば、前面基板３側に表示電極対３１および誘電体層３３を設け、かつ、背面基板２側にアドレス電極２１および蛍光体層２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂを設けた、いわゆる反射型交流ＰＤＰを例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、本発明が適用可能なＰＤＰとしては、例えば、前面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成してこれらを誘電体層によって被覆し、背面基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰでもよい。また、例えば、前面基板側に蛍光体層を形成し、背面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成してこれらを誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰでもよい。
また、前記実施の形態では、隔壁２３を井桁状に形成する構成を例示して説明したが、これに限らず、例えば、隔壁をストライプ状に形成する構成としてもよい。
つまり、本発明は、前面基板あるいは背面基板のいずれか一方の基板上に、保護層で覆われた誘電体層が設けられた構成であれば、いずれのタイプのＰＤＰに対しても適用できる。
【００４８】
そして、気化原料に水蒸気を混合したものを前面基板３に吹き付ける構成を例示したが、気化原料に空気を混合したものを吹き付けてもよい。
このような構成にすれば、気化原料に空気を混合して水分を多くすることにより、気化原料をそのまま吹き付ける構成と比べて、加水分解によるマグネシウム化合物の分解を進ませることができ、保護層３４に残留する不純物を減少させることができる。したがって、保護層３４の全体的な放電遅れ時間の長期化をさらに抑制できる。
【００４９】
また、気化原料に水蒸気および空気のうち少なくともいずれか一方を混合させる構成としてもよい。
このような構成にすれば、吹き付ける原料の温度を高くすることにより、加水分解によるマグネシウム化合物の分解をさらに進ませることができ、保護層３４の全体的な放電遅れ時間の長期化をさらに抑制できる。
【００５０】
そして、気化原料に水蒸気や空気などの混合物を混合させずに、気化原料をそのまま加湿環境下で吹き付ける構成としてもよい。
このような構成にすれば、混合物を気化原料に混合する構成を設ける必要がなく、成膜装置の構成の簡略化を図ることができる。
【００５１】
さらに、マグネシウム化合物としては、Ｍｇ（ａｃａｃ）2：（マグネシウムアセチルアセトナート)、Ｍｇ（Ｃ10Ｈ17Ｏ2）2：（Ｍｇ（ＩＢＰＭ）2：ビス（イソブチリルピバロイルメタナト）マグネシウム）、Ｍｇ（Ｃ9Ｈ15Ｏ2）2：（Ｍｇ（ＤＩＰＭ）2：ビス（ジイソブチリルメタナト）マグネシウム）を適用してもよい。
このようなマグネシウム化合物を用いる場合、気化温度を２４０℃以下や３００℃以上としてもよいし、前面基板３の温度を５００℃以下にしてもよい。
【００５２】
また、本発明の製造方法を気開放型のＣＶＤ装置に適用する構成を例示したが、いわゆる減圧型ＣＶＤ装置、プラズマアシストＣＶＤ装置、Ｃａｔ−ＣＶＤ装置に適用してもよい。
さらに、本発明の製造方法を、プラズマチューブに保護層を設ける構成に適用してもよい。
【００５３】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【００５４】
〔実施形態の作用効果〕
上記したように、保護層３４を有する前面基板３と、背面基板２とを備えるＰＤＰ１を製造する際に、成膜装置５００の成膜空間５１１を加湿しつつマグネシウム化合物を気化し、気化原料をノズル５３３にて前面基板３に吹き付けることにより、ＭｇＯで形成された保護層３４を形成する。
このため、加湿された環境下で気化原料を吹き付けることにより、マグネシウム化合物の分解を進ませることができ、加湿しない環境下で気化原料を吹き付ける構成と比べて、保護層３４に残留する不純物を減少させることができる。したがって、保護層３４のばらつきを小さくでき、かつ、全体的な放電遅れ時間の長期化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。
【図２】前記実施形態におけるプラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。
【図３】図２のIII−III線における断面図である。
【図４】図２のIV−IV線における断面図である。
【図５】前記実施形態の保護層の形成工程に用いる成膜装置の概略構成を示す模式図である。
【図６】本発明の実施例における加湿器の台数と放電遅れとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５６】
１…ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
２…背面基板
３…前面基板
３４…保護層
Ｈ…放電空間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうち少なくとも一方の基板の前記放電空間に面する位置に形成された保護層と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護層の形成工程は、成膜室内を水蒸気を含む雰囲気にしつつマグネシウム化合物を気化し、吹きつけにより化学蒸着による酸化マグネシウム膜を前記基板上に形成する工程を含む
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記マグネシウム化合物の吹きつけは、水蒸気を混合して実施される
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記マグネシウム化合物の吹きつけは、空気を混合して実施される
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記マグネシウム化合物の吹きつけは、成膜室内を加湿しつつ実施される
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項２から請求項４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記マグネシウム化合物として、Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2を用い、
前記基板を５００℃以上に加熱した状態で、前記マグネシウム化合物を吹き付ける
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１】
放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうち少なくとも一方の基板の前記放電空間に面する位置に形成された保護層と、を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護層の形成工程は、成膜室内を水蒸気を含む雰囲気にしつつマグネシウム化合物を気化し、吹きつけにより化学蒸着による酸化マグネシウム膜を前記基板上に形成する工程を含む
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記マグネシウム化合物の吹きつけは、水蒸気を混合して実施される
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記マグネシウム化合物の吹きつけは、空気を混合して実施される
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記マグネシウム化合物の吹きつけは、成膜室内を加湿しつつ実施される
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項２から請求項４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記マグネシウム化合物として、Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2を用い、
前記基板を５００℃以上に加熱した状態で、前記マグネシウム化合物を吹き付ける
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−２６２７２６（Ｐ２００８−２６２７２６Ａ）
【公開日】平成２０年１０月３０日（２００８．１０．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１０２５４７（Ｐ２００７−１０２５４７）
【出願日】平成１９年４月１０日（２００７．４．１０）
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月３０日（２００８．１０．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月１０日（２００７．４．１０）
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【Ｆターム（参考）】
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