ポリイミドフィルムの両面に金属層を有する積層体のポリイミドフィルムの両面の金属層の電気的接続方法
【課題】ビアめっきの前処理方法による金属層とめっき銅層との密着性不良が改良され、金属層とめっき銅層との密着性不良に起因する不具合を低減でき生産性の高いポリイミドフィルムの両面に金属層を有する積層体のポリイミドフィルムの両面の金属層の電気的接続方法の提供。
【解決手段】ポリイミドフィルムの両面に金属層を有する積層体のポリイミドフィルムの両面の金属層を金属めっきにより電気的に接続する方法であり、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、直径１〜１０μｍの砥粒を混入した液を用いたウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理を同時に行なった後に、孔内に金属めっきにより金属層を形成して、形成したビアを介して両面の金属層を電気的に接続することを特徴とするポリイミドフィルムの両面に金属層を有する積層体の金属層の電気的接続方法。
【解決手段】ポリイミドフィルムの両面に金属層を有する積層体のポリイミドフィルムの両面の金属層を金属めっきにより電気的に接続する方法であり、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、直径１〜１０μｍの砥粒を混入した液を用いたウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理を同時に行なった後に、孔内に金属めっきにより金属層を形成して、形成したビアを介して両面の金属層を電気的に接続することを特徴とするポリイミドフィルムの両面に金属層を有する積層体の金属層の電気的接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フレキシブル両面基板およびビアめっきの前処理方法に関し、特に出発材料としての両面金属積層体と特定のビアめっき前処理方法とを組み合わせることによって、金属層とビア銅めっき層との密着性が高く密着性不良に起因する不具合を低減でき生産性の高いフレキシブル両面基板およびビアめっきの前処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の電子機器の小型化、高密度実装化、高性能化の要求に対し、導体パタ−ンの細線化、部品孔等の孔の小孔化、ランド、パッド等の小径化および配線板のフレキシブル化及び多層化のために、両面金属積層体にスル−ホ−ルを設けるかブラインドビアホ−ルを設けたフレキシブル両面基板が提案されている。
【０００３】
スル−ホ−ルを設ける場合はドリルやパンチングなどによって両面の銅箔およびポリイミド層に貫通孔が形成され、ブラインドビアホ−ルを設ける場合は片側の金属箔にエッチング加工にて孔加工を施した後、ＣＯ２、ＵＶ−ＹＡＧあるいはエキシマレ−ザ−などのレ−ザ−を照射してブラインドビアホ−ルが形成される。
例えば、特許文献１には、２層ＣＣＬを使用し、片面の銅箔にフォトレジストコ−ティングしてパタ−ンを形成した後、ＣＯ２レ−ザ−でパタ−ンに対応する部分のポリイミドフィルムを除去してブラインドホ−ルを形成し、ブラインドホ−ル底部に堆積したポリイミド膜をデスミアした後、底部の銅箔の一部および微量のポリイミドをエッチングおよびデスミアして除去し、導電化処理した後、銅めっきしてブラインドビアホ−ルを形成した例が記載されている。
【０００４】
従来、このようなビア形成工程で発生する金属のバリの除去にはバフ研磨法やドライブラスト法が広く使用されている。また、ビア内のポリイミド部のクリ−ニング（デスミア）にはアルカリ性過マンガン酸塩水溶液を用いるウエットデスミア法が用いられている。
【０００５】
しかし、バフ研磨法では運搬方向にのみ比較的大きな伸びが発生しやすく、加工基板の寸法変化に異方性が生じる。また、ビア穴内のポリイミド部をクリ−ニングするため、別途デスミア工程が行われている。
また、ドライブラスト法では発塵の問題があり、クリ−ンル−ム内での使用には適していない。さらに残存する砥粒がフォトリソグラフィ−工程でのレジスト密着性不良を起こす。
さらに、ウエットデスミア法では強アルカリ溶液中で加熱して行うため、ポリイミド層に亀裂が生じるなどのダメ−ジが生じやすい。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５４７３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、この発明の目的は、ビアめっきの前処理方法による金属層とめっき銅層との密着性不良が改良されるフレキシブル両面基板および金属層とめっき銅層との密着性不良に起因する不具合を低減でき生産性の高いビアめっきの前処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体を出発材料とし、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理（デスミア処理ともいう）とを達成してなるフレキシブル両面基板に関する。
前記の孔内のクリ−ニング処理とは、孔内のポリイミド、特に金属に付着したポリイミドのバリを除去することをいう。
【０００９】
さらに、この発明は、金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体を出発材料とし、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成され、ウエットブラスト法によってバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成した後、銅めっきして表裏両面の金属層を電気的に接続した後、両面の銅層にエッチングにより所定のパタ−ンを有する配線を形成してなるフレキシブル両面回路基板に関する。
【００１０】
また、この発明は、金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体の少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを同時に達成するビアめっきの前処理方法に関する。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、金属層とめっき銅層との密着性不良に起因する不具合の少ないビアめっきの前処理方法を与える。
また、この発明によれば、ビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを同時に達成することができ、生産性良くフレキシブル両面基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下にこの発明の好ましい態様を列記する。
１）ビア形成が、パンチングまたはドリルによるか、あるいはＣＯ２、ＵＶ−ＹＡＧ、エキシマレ−ザ−などのレ−ザ−加工のいずれかによる上記のフレキシブル両面基板。
２）出発材料が、熱圧着性の多層ポリイミドフィルムの両面に金属箔を熱圧着して積層された両面金属積層体である上記のフレキシブル両面基板。
３）さらに、ソルダ−レジストが形成されてなる上記のフレキシブル両面回路基板。
【００１３】
４）さらに、ソルダ−レジストの開孔部分の金属層上に金めっき層が形成されてなる上記のフレキシブル両面回路基板。
５）ソルダ−レジストが、感光性ドライフィルムタイプであって真空下においてラミネ−トした後、露光現像操作にて所定の位置にパタ−ン形成したものである上記の両面回路基板。
【００１４】
以下、この発明を、この発明の両面回路基板の好適な一例を示す概略図である図１を用いて説明する。
図１において、フレキシブル両面回路基板１は、金属層２および金属層３がポリイミドフィルム４の両面に積層された両面金属積層体の一方の面の所望の位置にレ−ザ−加工等により当該面の金属層３およびポリイミドフィルム４にビアが形成され、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理が達成され、銅めっき５によってブラインドビアホ−ル６を形成して表裏両面の金属層を電気的に接続して、両面の金属層にエッチングにより所定のパタ−ンを有する配線が形成されてなり、さらに該ソルダ−レジストの開孔部分の金属層上に金めっき層８が形成されている。
【００１５】
また、図示されていないが、フレキシブル両面回路基板は、金属層およびがポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体の所望の位置にパンチングまたはドリルにより金属層、ポリイミドフィルムおよび金属層にビアが形成され、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理が達成され、銅めっきによって表裏両面の金属層を電気的に接続して、両面の金属層にエッチングにより所定のパタ−ンを有する配線が形成されてなり、さらに該ソルダ−レジストの開孔部分の金属層上に金めっき層が形成されている。
【００１６】
この発明における金属層としては、銅、アルミニウム、鉄、金などの金属箔や金属膜あるいはこれら金属の合金箔や合金膜が挙げられるが、好適には圧延銅箔、電解銅箔、蒸着および／またはめっき銅膜などがあげられる。金属箔として、表面粗度の余り大きくなくかつ余り小さくない、好適にはポリイミドとの接触面のＲｚが３μｍ以下、特に０．５〜３μｍ、その中でも特に１．５〜３μｍであるものが好ましい。このような金属箔、例えば銅箔はＶＬＰ、ＬＰ（またはＨＴＥ）として知られている。
金属箔の厚さは、１μｍ〜１２μｍ程度、特に２μｍ〜９μｍ程度であることが好ましい。金属箔の厚みが大きくなるほどファインパタ−ン化に不利である。
また、Ｒｚが小さい場合には、金属箔表面を表面処理したものを使用してもよい。
【００１７】
この発明におけるポリイミドフィルムとして、高耐熱性と柔軟性とを兼ね備えたガラス転移温度が２７５〜３７５℃程度であるポリイミドからなる単一層ポリイミドフィルムであってもよいが、特にガラス転移温度が３００℃以上の高耐熱性ポリイミド層の両面にガラス転移温度が２００〜３００℃程度である熱圧着性および／または柔軟性のポリイミド層を有し全体の厚みが７〜５０μｍ程度、特に７〜２５μｍ程度であって引張弾性率（２５℃）が４００〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2程度である３層構造のポリイミドフィルムが高密度化の点から好ましい。
【００１８】
この発明における両面金属積層体は、好適には金属箔と熱圧着性３層構造のポリイミドフィルムとを、好適にはダブルベルトプレスによって加熱圧着して張り合わせることによって得ることができる。
また、この発明における両面金属積層体は、高耐熱性ポリイミド層の両面に柔軟性のポリイミド層を有する３層構造のポリイミドフィルムまたは高耐熱性と柔軟性とを兼ね備えた単一層ポリイミドフィルムの両面に金属蒸着した後電気銅めっきすること（金属蒸着−電気銅めっき法）によって得ることができる。この場合、ポリイミドフィルムを減圧放電処理した処理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめた後連続して、あるいは減圧放電処理後いったん大気中に置いた後プラズマスクリ−ニング処理によって清浄化した後、蒸着法によって金属薄膜を形成し、少なくとも２層の金属薄膜、特に下地金属蒸着層と、その上の銅蒸着層からなる２層の金属蒸着層を積層して電気めっきすることが好ましい。
【００１９】
前記の金属蒸着−電気銅めっき法における金属薄膜の材質としては、種々の組み合わせが可能である。金属蒸着膜として下地層と表面蒸着金属層を有する２層以上の構造としてもよい。下地層としては、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、モリブデン、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄、ニッケル−銅合金、ニッケル−金合金、ニッケル−モリブデン合金等が挙げられる。表面層（あるいは中間層）としては銅が挙げられる。蒸着層上に設ける金属めっき層の材質としては、銅、銅合金、銀等、特に銅が好適である。真空プラズマ放電処理したポリイミドフィルムの両面に、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、錫、モリブデン、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄、ニッケル−銅合金、ニッケル−金合金、ニッケル−モリブデン合金等等の下地金属層を形成し、その上に中間層として銅の蒸着層を形成した後、銅の無電解めっき層を形成し（無電解めっき層を形成することは発生したピンホ−ルをつぶすのに有効である。）、あるいは、金属蒸着層の厚みを大きくして、例えば０．１〜１．０μｍとして銅などの無電解金属めっき層を省略し、表面層として電気銅めっき層を形成してもよい。
【００２０】
前記の電気銅めっきにおいて、例えば、硫酸銅５０〜２００ｇ／ｌ、硫酸１００〜２５０ｇ／ｌおよび光沢剤少量、温度１５〜４５℃、電流密度０．１〜１０Ａ（アンペア）／ｄｍ２、空気攪拌、搬送速度０．１〜２ｍ／分、適量の塩素および光沢剤の添加、陰極が銅の条件であることが好ましい。
【００２１】
この発明においては、前記の両面金属積層体の少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成する。
前記のビア形成方法としては、パンチングまたはドリルによるか、あるいはＣＯ２レ−ザ−、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−、エキシマレ−ザ−などのレ−ザ−加工のいずれか、好適にはパンチングあるいはＵＶ−ＹＡＧが挙げられる。
前記のＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−によって、発振波長が２６０〜４００ｎｍ程度の範囲にある紫外領域にあるレ−ザ−を使用することができる。
また、レ−ザ−加工は、両面金属積層体の少なくとも片面の金属層の所望の位置にレ−ザ−を照射して、好適には２０〜１００μｍφ、特に約３０〜１００μｍφの孔を形成する。同時にディフォ−カスしてポリイミドフィルム層にも同一形状にレ−ザ−を照射して孔を形成することができる。
【００２２】
この発明においては、両面金属積層体の少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成した後、砥粒を混入した液体を高圧噴射してエッチングするウェットブラスト装置を用いて処理するウェットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成することが必要である。
【００２３】
前記のウェットブラスト装置としては、例えばビア形成した両面金属積層体である被処理体を載置する載置部を磁石で構成し、該載置部の上面に載置された被処理体上に載置され前記砥粒を混入した液体を通過させる所望形状の窓孔を形成したマスクを設け、このマスクが前記磁石に着磁される部材で形成されている装置が挙げられる。
前記のウェットブラスト装置において、マスクとして、前記磁石に着磁される金属部材の下側に被処理体の上面に当接するウレタンゴムなどのゴム部材を設け、この金属部材及びゴム部材には前記砥粒を混入した液体を通過させる所望形状の窓孔が形成されているマスクを備えたものが好ましい。
このようなウェットブラスト装置は、例えば特開平９−２９５２６６号公報に記載されている。
【００２４】
前記のウェットブラスト法によって、ビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを同時に達成することができる。
前記の孔内のクリ−ニング処理では、孔内のポリイミド、特に金属に付着したポリイミドのバリを除去する。
前記のウェットブラスト法においては、好適には砥粒を混入した液、好適には水、例えばアルミナ粒子などの直径が１〜１０μｍ程度の砥粒を５〜２０容量％含む水を被処理体の孔に向けて加工エア−とともに約１０ｍ〜約３００ｍ／分程度の流速で高圧噴射して被処理体をエッチング処理する。
【００２５】
この発明においては、ウェットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成した後、金属めっきによって両面の金属層を接続する。
前記の金属めっき法としては、例えば特開平１１−５１４２５号公報に記載された方法によって行うことができる。
例えば、ビアホ−ル等の内部において、Ｐｄ−Ｓｎ被膜を活性化し、導電性を高めて金属めっき、好適には電解銅めっきする方法が挙げられる。
【００２６】
すなわち、パラジウム−スズコロイド触媒を用いることにより形成されるパラジウム−スズ被膜を、還元剤を含むアルカリアクセラレ−タ−浴に浸漬することによるパラジウム−スズ被膜の導電性向上方法である。
パラジウム−スズ被膜は、パラジウム−スズコロイド触媒を用いることにより得られる被膜で、この被膜は、一般にはいわゆるＤＰＳ（Direct Plating System）法の中で行われるものである。
【００２７】
具体的なＤＰＳ法は、次のようにして実施される。まず、モノエタノ−ルアミン、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等を用いて、孔部の金属およびポリイミドを脱脂し、アルカリ性過マンガン酸溶液でデスミアし、次いで過硫酸ソ−ダを用いてソフトエッチング後、塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。 これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベ−ティング工程でＰｄ−Ｓｎ被膜を形成し、最後に炭酸ソ−ダ、炭酸カリおよび銅イオンを含むアルカリアクセラレ−タ−浴および硫酸を含む酸性アクセラレ−タ−浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレ−タ−浴に還元剤を添加すれば良い。添加することのできる還元剤の例としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類、カテコ−ル、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げられる。還元剤を添加するアルカリ性アクセラレ−タ−浴としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび銅イオンを含むものが好ましい。
前記の方法により、Ｐｄ−Ｓｎからなる抵抗値の低い被膜を得ることができ、次工程での電気銅めっきによる被覆時間を短縮することが可能となる。
【００２８】
次いで、酸洗浄した後、電気銅めっきする。
電気めっきにおいては、電流密度を２Ａ／ｄｍｍ〜８Ａ／ｄｍｍに設定し、硫酸銅が１８０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４５〜６０ｇ／ｌ、塩素イオン２０〜８０ｇ／ｌ、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行うことが好ましい。
前記の方法によって厚さ３〜３０μｍの銅めっき層を形成し、孔径が３０〜１００μｍ程度のビアホ−ルあるいは貫通孔を形成することができる。
【００２９】
次いで、めっきした片面の金属層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有するグランド配線層を形成するとともに、他面の金属層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有する信号配線層を形成することが好ましい。
この両面に、または少なくともホ−ルが形成されているグランド配線層側に、好適にはドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストを、好適には真空ラミネ−タにてラミネ−トし、露光現像操作で所望のパタ−ンを有するソルダ−レジスト層をグランド配線層、信号配線層ともに形成することにより、両面回路基板を得ることができる。
【００３０】
この発明における感光性ソルダ−レジストとしては、インキタイプの感光性ソルダ−レジスト、例えばポリイミド（前駆体）系の感光性樹脂組成物、好適には特開２０００−２１２４４６号公報に記載のイミドシロキサン系の感光性樹脂組成物や、特開２０００−１０９５４１号公報に記載のエポキシアクリレ−ト系の感光性熱硬化性樹脂組成物などであってもよく、好適にはドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストが挙げられる。
【００３１】
特に、ソルダ−レジストとして硬化後の単体で１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下の引張弾性率を有するものは、実質的に反りの発生しない保護膜として使用できるため好適である。このような硬化後に保護膜として使用できるドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストとして、日本ポリテック株式会社のＦＰＣ用ドライフィルムソルダ−マスク（ウレタンゴムとエポキシアクリレ−トとを主材とし、難燃剤、開始剤を含有する感光性樹脂組成物：硬化後に約４０ｋｇｆ／ｍｍ２の引張弾性率を示す）や、宇部興産株式会社の特願２００１−３５９７９０号明細書に記載のエポキシアクリレ−ト樹脂と非対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物とα、ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンとの反応物であるオリゴマ−とエポキシ樹脂と光重合開始剤とを含む感光性樹脂組成物のドライフィルム（硬化後に約６０ｋｇｆ／ｍｍ２の引張弾性率を示す）が好適である。
前記のドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストによれば、従来のカバ−レイタイプに比べて、耐めっき性良好、ブランキング不要、微細化が可能、接着剤のしみ出しがなくなるなどの効果が得られる。
【００３２】
この後、通常はソルダ−レジストの開孔部分の銅層に、それ自体公知の方法によって電解ニッケル／金めっき層あるいは電解すず／金めっき層を形成することにより、金めっきして両面回路基板を得ることができる。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３４】
実施例１
両表面に熱圧着性を付与したポリイミドフィルム（厚さ：２５μｍ）の両面に、電解銅箔（厚さ：９μｍ、日本電解社製、商品名：ＵＳＬＰＲ２）を熱圧着した両面金属箔積層体（宇部興産社製、商品名：ユピセルＮ）を用い、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−［エレクトロ・サイエンティフィック・インダストリ−ズ社製（ＥＳＩ社）、モデル：５３２０、波長：３５５μｍ］にて電解銅箔およびポリイミド層を同時に孔開け加工した。続いて、アルミナ粒子と水との混合物（アルミナ濃度：１６容量％）を研磨材に用い、０．２Ｍｐａのエア−圧でウエットブラスト装置（マコ−社製）によってウエットブラスト処理して、バリの除去と孔内のクリ−ニング処理を同時に行った。
ウエットブラストして得られたフレキシブル両面基板のビア部の写真を図２に示す。
比較のため、ウエットブラスト処理前のビア部の写真を図３に示す。
また、ウエットブラスト処理前と後とで測定したビア（１６００孔）の四隅間（搬送方向：右および左のＢ〜ｂ間、幅方向：前および後のＡ〜ａ間）の距離を測定して、搬送方向と幅方向とで異方性を評価した。
【００３５】
【表１】
【００３６】
次に、孔内に荏原ユ−ジライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導電化皮膜を形成し、電解銅めっき法によって孔内および銅箔層上に厚さ１２μｍの銅めっきを形成した。
ビア銅めっきしたフレキシブル両面基板の断面写真を図４に示す。
続いて、めっきした銅箔層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有するグランド配線層（配線ピッチ：８０μｍ）を形成した。さらに、銅箔層１にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有する信号配線層（配線ピッチ：４０μｍ）を形成し、両面回路基板を作製した。
この両面回路基板は銅箔と銅めっきとの接合が充分なされており、加熱によって接合界面で剥離が生じることはなかった。
【００３７】
前記の異方性の評価結果は、処理後の寸法変化に関して、搬送方向と幅方向とで異方性はほとんどないことを示し、その後のフォトリソグラフィ−工程における位置合わせが容易になる。
また、ビア部の写真から、表面が粗面化されておりフォトリソグラフィ−工程でのレジスト密着性が上がり、密着不足に起因する不具合（レジストの飛び、ビア欠け）が低減でき歩留まりが向上することを示す。
【００３８】
比較例１
実施例１において、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−によって穿った孔内にウエットブラスト処理を省略して、荏原ユ−ジライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導電化皮膜を形成し、電解銅めっき法によって孔内および銅箔層上に厚さ１２μｍの銅めっき層を形成した。
ビア銅めっきしたフレキシブル両面基板の断面写真を図５に示す。
続いて、実施例１と同様にして、所定のパタ−ンを有する信号配線層（配線ピッチ：４０μｍ）を形成し、両面回路基板を作製した。
この両面回路基板は銅箔と銅めっきとの接合が不充分であり、加熱によって接合界面で剥離が生じた。
【００３９】
実施例２
両面金属箔積層体をパンチングによって貫通孔を穿つ孔開け加工し、次いで実施例１と同様にしてウエットブラスト処理して、バリの除去と孔内のクリ−ニング処理を同時に行った。
次に、孔内に荏原ユ−ジライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導電化皮膜を形成し、電解銅めっき法によって孔内および両銅箔層上に厚さ１２μｍの銅めっき層を形成した。
続いて、めっきした銅層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有するグランド配線層（配線ピッチ：８０μｍ）を形成した。さらに、他の銅層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有する信号配線層（配線ピッチ：４０μｍ）を形成し、両面回路基板を作製した。
この両面回路基板は銅箔と銅めっきとの接合が充分なされており、加熱によって接合界面で剥離が生じることはなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、この発明の両面回路基板の好適な一例を示す概略図である。
【図２】図２は、この発明の一例のウエットブラスト処理して得られたフレキシブル両面基板のビア部の写真である。
【図３】図３は、ウエットブラスト処理しない両面基板のビア部の写真である。
【図４】図４は、実施例１で得られたビア銅めっきしたフレキシブル両面基板の断面写真である。
【図５】図５は、比較例１で得られたビア銅めっきしたフレキシブル両面基板の断面写真である。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フレキシブル両面基板およびビアめっきの前処理方法に関し、特に出発材料としての両面金属積層体と特定のビアめっき前処理方法とを組み合わせることによって、金属層とビア銅めっき層との密着性が高く密着性不良に起因する不具合を低減でき生産性の高いフレキシブル両面基板およびビアめっきの前処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の電子機器の小型化、高密度実装化、高性能化の要求に対し、導体パタ−ンの細線化、部品孔等の孔の小孔化、ランド、パッド等の小径化および配線板のフレキシブル化及び多層化のために、両面金属積層体にスル−ホ−ルを設けるかブラインドビアホ−ルを設けたフレキシブル両面基板が提案されている。
【０００３】
スル−ホ−ルを設ける場合はドリルやパンチングなどによって両面の銅箔およびポリイミド層に貫通孔が形成され、ブラインドビアホ−ルを設ける場合は片側の金属箔にエッチング加工にて孔加工を施した後、ＣＯ２、ＵＶ−ＹＡＧあるいはエキシマレ−ザ−などのレ−ザ−を照射してブラインドビアホ−ルが形成される。
例えば、特許文献１には、２層ＣＣＬを使用し、片面の銅箔にフォトレジストコ−ティングしてパタ−ンを形成した後、ＣＯ２レ−ザ−でパタ−ンに対応する部分のポリイミドフィルムを除去してブラインドホ−ルを形成し、ブラインドホ−ル底部に堆積したポリイミド膜をデスミアした後、底部の銅箔の一部および微量のポリイミドをエッチングおよびデスミアして除去し、導電化処理した後、銅めっきしてブラインドビアホ−ルを形成した例が記載されている。
【０００４】
従来、このようなビア形成工程で発生する金属のバリの除去にはバフ研磨法やドライブラスト法が広く使用されている。また、ビア内のポリイミド部のクリ−ニング（デスミア）にはアルカリ性過マンガン酸塩水溶液を用いるウエットデスミア法が用いられている。
【０００５】
しかし、バフ研磨法では運搬方向にのみ比較的大きな伸びが発生しやすく、加工基板の寸法変化に異方性が生じる。また、ビア穴内のポリイミド部をクリ−ニングするため、別途デスミア工程が行われている。
また、ドライブラスト法では発塵の問題があり、クリ−ンル−ム内での使用には適していない。さらに残存する砥粒がフォトリソグラフィ−工程でのレジスト密着性不良を起こす。
さらに、ウエットデスミア法では強アルカリ溶液中で加熱して行うため、ポリイミド層に亀裂が生じるなどのダメ−ジが生じやすい。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５４７３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、この発明の目的は、ビアめっきの前処理方法による金属層とめっき銅層との密着性不良が改良されるフレキシブル両面基板および金属層とめっき銅層との密着性不良に起因する不具合を低減でき生産性の高いビアめっきの前処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体を出発材料とし、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理（デスミア処理ともいう）とを達成してなるフレキシブル両面基板に関する。
前記の孔内のクリ−ニング処理とは、孔内のポリイミド、特に金属に付着したポリイミドのバリを除去することをいう。
【０００９】
さらに、この発明は、金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体を出発材料とし、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成され、ウエットブラスト法によってバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成した後、銅めっきして表裏両面の金属層を電気的に接続した後、両面の銅層にエッチングにより所定のパタ−ンを有する配線を形成してなるフレキシブル両面回路基板に関する。
【００１０】
また、この発明は、金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体の少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを同時に達成するビアめっきの前処理方法に関する。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、金属層とめっき銅層との密着性不良に起因する不具合の少ないビアめっきの前処理方法を与える。
また、この発明によれば、ビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを同時に達成することができ、生産性良くフレキシブル両面基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下にこの発明の好ましい態様を列記する。
１）ビア形成が、パンチングまたはドリルによるか、あるいはＣＯ２、ＵＶ−ＹＡＧ、エキシマレ−ザ−などのレ−ザ−加工のいずれかによる上記のフレキシブル両面基板。
２）出発材料が、熱圧着性の多層ポリイミドフィルムの両面に金属箔を熱圧着して積層された両面金属積層体である上記のフレキシブル両面基板。
３）さらに、ソルダ−レジストが形成されてなる上記のフレキシブル両面回路基板。
【００１３】
４）さらに、ソルダ−レジストの開孔部分の金属層上に金めっき層が形成されてなる上記のフレキシブル両面回路基板。
５）ソルダ−レジストが、感光性ドライフィルムタイプであって真空下においてラミネ−トした後、露光現像操作にて所定の位置にパタ−ン形成したものである上記の両面回路基板。
【００１４】
以下、この発明を、この発明の両面回路基板の好適な一例を示す概略図である図１を用いて説明する。
図１において、フレキシブル両面回路基板１は、金属層２および金属層３がポリイミドフィルム４の両面に積層された両面金属積層体の一方の面の所望の位置にレ−ザ−加工等により当該面の金属層３およびポリイミドフィルム４にビアが形成され、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理が達成され、銅めっき５によってブラインドビアホ−ル６を形成して表裏両面の金属層を電気的に接続して、両面の金属層にエッチングにより所定のパタ−ンを有する配線が形成されてなり、さらに該ソルダ−レジストの開孔部分の金属層上に金めっき層８が形成されている。
【００１５】
また、図示されていないが、フレキシブル両面回路基板は、金属層およびがポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体の所望の位置にパンチングまたはドリルにより金属層、ポリイミドフィルムおよび金属層にビアが形成され、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理が達成され、銅めっきによって表裏両面の金属層を電気的に接続して、両面の金属層にエッチングにより所定のパタ−ンを有する配線が形成されてなり、さらに該ソルダ−レジストの開孔部分の金属層上に金めっき層が形成されている。
【００１６】
この発明における金属層としては、銅、アルミニウム、鉄、金などの金属箔や金属膜あるいはこれら金属の合金箔や合金膜が挙げられるが、好適には圧延銅箔、電解銅箔、蒸着および／またはめっき銅膜などがあげられる。金属箔として、表面粗度の余り大きくなくかつ余り小さくない、好適にはポリイミドとの接触面のＲｚが３μｍ以下、特に０．５〜３μｍ、その中でも特に１．５〜３μｍであるものが好ましい。このような金属箔、例えば銅箔はＶＬＰ、ＬＰ（またはＨＴＥ）として知られている。
金属箔の厚さは、１μｍ〜１２μｍ程度、特に２μｍ〜９μｍ程度であることが好ましい。金属箔の厚みが大きくなるほどファインパタ−ン化に不利である。
また、Ｒｚが小さい場合には、金属箔表面を表面処理したものを使用してもよい。
【００１７】
この発明におけるポリイミドフィルムとして、高耐熱性と柔軟性とを兼ね備えたガラス転移温度が２７５〜３７５℃程度であるポリイミドからなる単一層ポリイミドフィルムであってもよいが、特にガラス転移温度が３００℃以上の高耐熱性ポリイミド層の両面にガラス転移温度が２００〜３００℃程度である熱圧着性および／または柔軟性のポリイミド層を有し全体の厚みが７〜５０μｍ程度、特に７〜２５μｍ程度であって引張弾性率（２５℃）が４００〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ2程度である３層構造のポリイミドフィルムが高密度化の点から好ましい。
【００１８】
この発明における両面金属積層体は、好適には金属箔と熱圧着性３層構造のポリイミドフィルムとを、好適にはダブルベルトプレスによって加熱圧着して張り合わせることによって得ることができる。
また、この発明における両面金属積層体は、高耐熱性ポリイミド層の両面に柔軟性のポリイミド層を有する３層構造のポリイミドフィルムまたは高耐熱性と柔軟性とを兼ね備えた単一層ポリイミドフィルムの両面に金属蒸着した後電気銅めっきすること（金属蒸着−電気銅めっき法）によって得ることができる。この場合、ポリイミドフィルムを減圧放電処理した処理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめた後連続して、あるいは減圧放電処理後いったん大気中に置いた後プラズマスクリ−ニング処理によって清浄化した後、蒸着法によって金属薄膜を形成し、少なくとも２層の金属薄膜、特に下地金属蒸着層と、その上の銅蒸着層からなる２層の金属蒸着層を積層して電気めっきすることが好ましい。
【００１９】
前記の金属蒸着−電気銅めっき法における金属薄膜の材質としては、種々の組み合わせが可能である。金属蒸着膜として下地層と表面蒸着金属層を有する２層以上の構造としてもよい。下地層としては、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、モリブデン、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄、ニッケル−銅合金、ニッケル−金合金、ニッケル−モリブデン合金等が挙げられる。表面層（あるいは中間層）としては銅が挙げられる。蒸着層上に設ける金属めっき層の材質としては、銅、銅合金、銀等、特に銅が好適である。真空プラズマ放電処理したポリイミドフィルムの両面に、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、錫、モリブデン、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄、ニッケル−銅合金、ニッケル−金合金、ニッケル−モリブデン合金等等の下地金属層を形成し、その上に中間層として銅の蒸着層を形成した後、銅の無電解めっき層を形成し（無電解めっき層を形成することは発生したピンホ−ルをつぶすのに有効である。）、あるいは、金属蒸着層の厚みを大きくして、例えば０．１〜１．０μｍとして銅などの無電解金属めっき層を省略し、表面層として電気銅めっき層を形成してもよい。
【００２０】
前記の電気銅めっきにおいて、例えば、硫酸銅５０〜２００ｇ／ｌ、硫酸１００〜２５０ｇ／ｌおよび光沢剤少量、温度１５〜４５℃、電流密度０．１〜１０Ａ（アンペア）／ｄｍ２、空気攪拌、搬送速度０．１〜２ｍ／分、適量の塩素および光沢剤の添加、陰極が銅の条件であることが好ましい。
【００２１】
この発明においては、前記の両面金属積層体の少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成する。
前記のビア形成方法としては、パンチングまたはドリルによるか、あるいはＣＯ２レ−ザ−、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−、エキシマレ−ザ−などのレ−ザ−加工のいずれか、好適にはパンチングあるいはＵＶ−ＹＡＧが挙げられる。
前記のＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−によって、発振波長が２６０〜４００ｎｍ程度の範囲にある紫外領域にあるレ−ザ−を使用することができる。
また、レ−ザ−加工は、両面金属積層体の少なくとも片面の金属層の所望の位置にレ−ザ−を照射して、好適には２０〜１００μｍφ、特に約３０〜１００μｍφの孔を形成する。同時にディフォ−カスしてポリイミドフィルム層にも同一形状にレ−ザ−を照射して孔を形成することができる。
【００２２】
この発明においては、両面金属積層体の少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成した後、砥粒を混入した液体を高圧噴射してエッチングするウェットブラスト装置を用いて処理するウェットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成することが必要である。
【００２３】
前記のウェットブラスト装置としては、例えばビア形成した両面金属積層体である被処理体を載置する載置部を磁石で構成し、該載置部の上面に載置された被処理体上に載置され前記砥粒を混入した液体を通過させる所望形状の窓孔を形成したマスクを設け、このマスクが前記磁石に着磁される部材で形成されている装置が挙げられる。
前記のウェットブラスト装置において、マスクとして、前記磁石に着磁される金属部材の下側に被処理体の上面に当接するウレタンゴムなどのゴム部材を設け、この金属部材及びゴム部材には前記砥粒を混入した液体を通過させる所望形状の窓孔が形成されているマスクを備えたものが好ましい。
このようなウェットブラスト装置は、例えば特開平９−２９５２６６号公報に記載されている。
【００２４】
前記のウェットブラスト法によって、ビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを同時に達成することができる。
前記の孔内のクリ−ニング処理では、孔内のポリイミド、特に金属に付着したポリイミドのバリを除去する。
前記のウェットブラスト法においては、好適には砥粒を混入した液、好適には水、例えばアルミナ粒子などの直径が１〜１０μｍ程度の砥粒を５〜２０容量％含む水を被処理体の孔に向けて加工エア−とともに約１０ｍ〜約３００ｍ／分程度の流速で高圧噴射して被処理体をエッチング処理する。
【００２５】
この発明においては、ウェットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成した後、金属めっきによって両面の金属層を接続する。
前記の金属めっき法としては、例えば特開平１１−５１４２５号公報に記載された方法によって行うことができる。
例えば、ビアホ−ル等の内部において、Ｐｄ−Ｓｎ被膜を活性化し、導電性を高めて金属めっき、好適には電解銅めっきする方法が挙げられる。
【００２６】
すなわち、パラジウム−スズコロイド触媒を用いることにより形成されるパラジウム−スズ被膜を、還元剤を含むアルカリアクセラレ−タ−浴に浸漬することによるパラジウム−スズ被膜の導電性向上方法である。
パラジウム−スズ被膜は、パラジウム−スズコロイド触媒を用いることにより得られる被膜で、この被膜は、一般にはいわゆるＤＰＳ（Direct Plating System）法の中で行われるものである。
【００２７】
具体的なＤＰＳ法は、次のようにして実施される。まず、モノエタノ−ルアミン、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等を用いて、孔部の金属およびポリイミドを脱脂し、アルカリ性過マンガン酸溶液でデスミアし、次いで過硫酸ソ−ダを用いてソフトエッチング後、塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。 これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベ−ティング工程でＰｄ−Ｓｎ被膜を形成し、最後に炭酸ソ−ダ、炭酸カリおよび銅イオンを含むアルカリアクセラレ−タ−浴および硫酸を含む酸性アクセラレ−タ−浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレ−タ−浴に還元剤を添加すれば良い。添加することのできる還元剤の例としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類、カテコ−ル、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げられる。還元剤を添加するアルカリ性アクセラレ−タ−浴としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび銅イオンを含むものが好ましい。
前記の方法により、Ｐｄ−Ｓｎからなる抵抗値の低い被膜を得ることができ、次工程での電気銅めっきによる被覆時間を短縮することが可能となる。
【００２８】
次いで、酸洗浄した後、電気銅めっきする。
電気めっきにおいては、電流密度を２Ａ／ｄｍｍ〜８Ａ／ｄｍｍに設定し、硫酸銅が１８０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４５〜６０ｇ／ｌ、塩素イオン２０〜８０ｇ／ｌ、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行うことが好ましい。
前記の方法によって厚さ３〜３０μｍの銅めっき層を形成し、孔径が３０〜１００μｍ程度のビアホ−ルあるいは貫通孔を形成することができる。
【００２９】
次いで、めっきした片面の金属層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有するグランド配線層を形成するとともに、他面の金属層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有する信号配線層を形成することが好ましい。
この両面に、または少なくともホ−ルが形成されているグランド配線層側に、好適にはドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストを、好適には真空ラミネ−タにてラミネ−トし、露光現像操作で所望のパタ−ンを有するソルダ−レジスト層をグランド配線層、信号配線層ともに形成することにより、両面回路基板を得ることができる。
【００３０】
この発明における感光性ソルダ−レジストとしては、インキタイプの感光性ソルダ−レジスト、例えばポリイミド（前駆体）系の感光性樹脂組成物、好適には特開２０００−２１２４４６号公報に記載のイミドシロキサン系の感光性樹脂組成物や、特開２０００−１０９５４１号公報に記載のエポキシアクリレ−ト系の感光性熱硬化性樹脂組成物などであってもよく、好適にはドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストが挙げられる。
【００３１】
特に、ソルダ−レジストとして硬化後の単体で１００ｋｇｆ／ｍｍ２以下の引張弾性率を有するものは、実質的に反りの発生しない保護膜として使用できるため好適である。このような硬化後に保護膜として使用できるドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストとして、日本ポリテック株式会社のＦＰＣ用ドライフィルムソルダ−マスク（ウレタンゴムとエポキシアクリレ−トとを主材とし、難燃剤、開始剤を含有する感光性樹脂組成物：硬化後に約４０ｋｇｆ／ｍｍ２の引張弾性率を示す）や、宇部興産株式会社の特願２００１−３５９７９０号明細書に記載のエポキシアクリレ−ト樹脂と非対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物とα、ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサンとの反応物であるオリゴマ−とエポキシ樹脂と光重合開始剤とを含む感光性樹脂組成物のドライフィルム（硬化後に約６０ｋｇｆ／ｍｍ２の引張弾性率を示す）が好適である。
前記のドライフィルムタイプの感光性ソルダ−レジストによれば、従来のカバ−レイタイプに比べて、耐めっき性良好、ブランキング不要、微細化が可能、接着剤のしみ出しがなくなるなどの効果が得られる。
【００３２】
この後、通常はソルダ−レジストの開孔部分の銅層に、それ自体公知の方法によって電解ニッケル／金めっき層あるいは電解すず／金めっき層を形成することにより、金めっきして両面回路基板を得ることができる。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３４】
実施例１
両表面に熱圧着性を付与したポリイミドフィルム（厚さ：２５μｍ）の両面に、電解銅箔（厚さ：９μｍ、日本電解社製、商品名：ＵＳＬＰＲ２）を熱圧着した両面金属箔積層体（宇部興産社製、商品名：ユピセルＮ）を用い、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−［エレクトロ・サイエンティフィック・インダストリ−ズ社製（ＥＳＩ社）、モデル：５３２０、波長：３５５μｍ］にて電解銅箔およびポリイミド層を同時に孔開け加工した。続いて、アルミナ粒子と水との混合物（アルミナ濃度：１６容量％）を研磨材に用い、０．２Ｍｐａのエア−圧でウエットブラスト装置（マコ−社製）によってウエットブラスト処理して、バリの除去と孔内のクリ−ニング処理を同時に行った。
ウエットブラストして得られたフレキシブル両面基板のビア部の写真を図２に示す。
比較のため、ウエットブラスト処理前のビア部の写真を図３に示す。
また、ウエットブラスト処理前と後とで測定したビア（１６００孔）の四隅間（搬送方向：右および左のＢ〜ｂ間、幅方向：前および後のＡ〜ａ間）の距離を測定して、搬送方向と幅方向とで異方性を評価した。
【００３５】
【表１】
【００３６】
次に、孔内に荏原ユ−ジライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導電化皮膜を形成し、電解銅めっき法によって孔内および銅箔層上に厚さ１２μｍの銅めっきを形成した。
ビア銅めっきしたフレキシブル両面基板の断面写真を図４に示す。
続いて、めっきした銅箔層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有するグランド配線層（配線ピッチ：８０μｍ）を形成した。さらに、銅箔層１にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有する信号配線層（配線ピッチ：４０μｍ）を形成し、両面回路基板を作製した。
この両面回路基板は銅箔と銅めっきとの接合が充分なされており、加熱によって接合界面で剥離が生じることはなかった。
【００３７】
前記の異方性の評価結果は、処理後の寸法変化に関して、搬送方向と幅方向とで異方性はほとんどないことを示し、その後のフォトリソグラフィ−工程における位置合わせが容易になる。
また、ビア部の写真から、表面が粗面化されておりフォトリソグラフィ−工程でのレジスト密着性が上がり、密着不足に起因する不具合（レジストの飛び、ビア欠け）が低減でき歩留まりが向上することを示す。
【００３８】
比較例１
実施例１において、ＵＶ−ＹＡＧレ−ザ−によって穿った孔内にウエットブラスト処理を省略して、荏原ユ−ジライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導電化皮膜を形成し、電解銅めっき法によって孔内および銅箔層上に厚さ１２μｍの銅めっき層を形成した。
ビア銅めっきしたフレキシブル両面基板の断面写真を図５に示す。
続いて、実施例１と同様にして、所定のパタ−ンを有する信号配線層（配線ピッチ：４０μｍ）を形成し、両面回路基板を作製した。
この両面回路基板は銅箔と銅めっきとの接合が不充分であり、加熱によって接合界面で剥離が生じた。
【００３９】
実施例２
両面金属箔積層体をパンチングによって貫通孔を穿つ孔開け加工し、次いで実施例１と同様にしてウエットブラスト処理して、バリの除去と孔内のクリ−ニング処理を同時に行った。
次に、孔内に荏原ユ−ジライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導電化皮膜を形成し、電解銅めっき法によって孔内および両銅箔層上に厚さ１２μｍの銅めっき層を形成した。
続いて、めっきした銅層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有するグランド配線層（配線ピッチ：８０μｍ）を形成した。さらに、他の銅層にフォトプロセスとエッチングにより、所定のパタ−ンを有する信号配線層（配線ピッチ：４０μｍ）を形成し、両面回路基板を作製した。
この両面回路基板は銅箔と銅めっきとの接合が充分なされており、加熱によって接合界面で剥離が生じることはなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、この発明の両面回路基板の好適な一例を示す概略図である。
【図２】図２は、この発明の一例のウエットブラスト処理して得られたフレキシブル両面基板のビア部の写真である。
【図３】図３は、ウエットブラスト処理しない両面基板のビア部の写真である。
【図４】図４は、実施例１で得られたビア銅めっきしたフレキシブル両面基板の断面写真である。
【図５】図５は、比較例１で得られたビア銅めっきしたフレキシブル両面基板の断面写真である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体を出発材料とし、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成してなるフレキシブル両面基板。
【請求項２】
ビア形成が、パンチングまたはドリルによるか、あるいはＣＯ２、ＵＶ−ＹＡＧ、エキシマレ−ザ−などのレ−ザ−加工のいずれかによる請求項１に記載のフレキシブル両面基板。
【請求項３】
出発材料が、熱圧着性の多層ポリイミドフィルムの両面に金属箔を熱圧着して積層された両面金属積層体である請求項１に記載のフレキシブル両面基板。
【請求項４】
金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体を出発材料とし、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成され、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成した後、銅めっきして表裏両面の金属層を電気的に接続した後、両面の銅層にエッチングにより所定のパタ−ンを有する配線を形成してなるフレキシブル両面回路基板。
【請求項５】
さらに、ソルダ−レジストが形成されてなる請求項４に記載のフレキシブル両面回路基板。
【請求項６】
さらに、ソルダ−レジストの開孔部分の金属層上に金めっき層が形成されてなる請求項５に記載のフレキシブル両面回路基板。
【請求項７】
ソルダ−レジストが、感光性ドライフィルムタイプであって真空下においてラミネ−トした後、露光現像操作にて所定の位置にパタ−ン形成したものである請求項４に記載の両面回路基板。
【請求項８】
金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体の少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成するビアめっきの前処理方法。
【請求項１】
金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体を出発材料とし、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成してなるフレキシブル両面基板。
【請求項２】
ビア形成が、パンチングまたはドリルによるか、あるいはＣＯ２、ＵＶ−ＹＡＧ、エキシマレ−ザ−などのレ−ザ−加工のいずれかによる請求項１に記載のフレキシブル両面基板。
【請求項３】
出発材料が、熱圧着性の多層ポリイミドフィルムの両面に金属箔を熱圧着して積層された両面金属積層体である請求項１に記載のフレキシブル両面基板。
【請求項４】
金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体を出発材料とし、少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成され、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成した後、銅めっきして表裏両面の金属層を電気的に接続した後、両面の銅層にエッチングにより所定のパタ−ンを有する配線を形成してなるフレキシブル両面回路基板。
【請求項５】
さらに、ソルダ−レジストが形成されてなる請求項４に記載のフレキシブル両面回路基板。
【請求項６】
さらに、ソルダ−レジストの開孔部分の金属層上に金めっき層が形成されてなる請求項５に記載のフレキシブル両面回路基板。
【請求項７】
ソルダ−レジストが、感光性ドライフィルムタイプであって真空下においてラミネ−トした後、露光現像操作にて所定の位置にパタ−ン形成したものである請求項４に記載の両面回路基板。
【請求項８】
金属層がポリイミドフィルムの両面に積層された両面金属積層体の少なくとも片面の金属層とポリイミド層とにビア形成後、ウエットブラスト法によってビア形成工程で発生した金属のバリの除去と孔内のクリ−ニング処理とを達成するビアめっきの前処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００７−１１６１９１（Ｐ２００７−１１６１９１Ａ）
【公開日】平成１９年５月１０日（２００７．５．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３４１５９１（Ｐ２００６−３４１５９１）
【出願日】平成１８年１２月１９日（２００６．１２．１９）
【分割の表示】特願２００２−１２２２５６（Ｐ２００２−１２２２５６）の分割
【原出願日】平成１４年４月２４日（２００２．４．２４）
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年５月１０日（２００７．５．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月１９日（２００６．１２．１９）
【分割の表示】特願２００２−１２２２５６（Ｐ２００２−１２２２５６）の分割
【原出願日】平成１４年４月２４日（２００２．４．２４）
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【Ｆターム（参考）】
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