説明

メモリーカード

【課題】 ねじりが加わった際のはんだ剥離を防止でき、生産性にも優れたメモリーカードを提供する。
【解決手段】 半導体装置10外装材1、4に収納されたメモリーカードであって、半導体装置10は、はんだ6を介して基板4に接合されており、外装材1、4の内側の加圧部材7、8が、はんだ6のうち、半導体装置10の角部近傍のはんだを押圧している。このことにより、加圧部材7、8の位置において、基板4とはんだ6との間に引張り力が発生することを防止でき、ねじりが加わった際のはんだ剥離を防止することができる。また、基板4全体を樹脂材で固める必要がないので、生産性にも優れている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、外力に対して信頼性の高い半導体メモリーカードの堅牢構造に関する。
【背景技術】
【0002】
図8は、従来のメモリーカードの一例の内部構造を示す平面図である。図9は、図8に示したメモリーカードのD−D′線における断面図である。図10は、図8のメモリーカードにトルクが加わったときの基板変形状態を示している。各図において、101は下ケース、110は上ケース、103は第1基板、104は第2基板、105はベアチップメモリー(以下「チップ」という)、102ははんだ、106はコンデンサ等の部品である。また、107はねじり中心軸、108はねじり方向を示す矢印、109はねじれ時に保持されトルクが負荷される領域、111はねじり方向108にトルクが印加された際の第1基板に加わる力である。また、図示はしていないが、ボール状のはんだ102に対応する部分の各基板には、はんだ102が接合する銅箔部(ランド)が形成されている。
【0003】
第2基板104の両面にチップ105が実装されて半導体装置112を形成している。第2基板104と第1基板103とは、ボール状のはんだ102の列で接続されている。図8の例では、第2基板104が同一平面内に間隙を有して水平方向に2枚配置されており、チップ105は各第2基板101の両面に2枚づつ合計4枚が搭載されていることとなる。
【0004】
第1基板103、第2基板104は共に厚みは0.5mm以下である。図9に示したように、第1基板103は、上ケース110及び下ケース101で形成される空間内に収納される。この状態において、第1基板103は上ケース110と一体の突起113で押さえられて位置決めされている。
【0005】
なお、上ケース110及び下ケース101は共に厚み0.5mm以下の樹脂で形成され、外周を超音波溶着されている。
【0006】
また、前記のように、基板をボール状のはんだを介して接合する技術は、例えば特許文献1−4に開示されている。
【特許文献1】特開昭62−35528号公報
【特許文献2】特開平6−69281号公報
【特許文献3】特開平7−240496号公報
【特許文献4】特開2000−31316号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、前記のようなメモリーカードは、厚みが2mm程度と規格により規制されており、この規制の下で厚さ1mm又はそれ以上の半導体装置を収納する必要がある。このため、第1、第2基板103、104、上下ケース110、101は、それぞれ厚さが0.5mm以下と非常に薄くなっており、これらの剛性は極めて低くなっている。
【0008】
この場合、第1基板103と第2基板104とを比べてみると、高剛性のチップ105が接合されている第2基板104は、第1基板103より変形に強くなっている。その結果、図8の矢印108のようにメモリーカードの短辺に、ねじり中心軸107を中心としたトルクを印加した場合、突起113が第1基板103を押圧することになるが、図10に示したように、第2基板104は変形が抑えられるのに対して、第1基板103は、図8の線DD′のうちD側が下方に大きく変形する。このため、前記のD側のはんだ102には、矢印111方向に引張り力が発生し、第1基板103とはんだ102との界面ではんだ剥離が発生することになる。
【0009】
各種メモリーカードは必ずしも本構成と同一構成ではないが、基板厚み、ケース厚みは同様に0.5mmm以下と薄く、剛性が弱いことは同様である。このため、メモリーカードは、ねじれ変形等の外力に対してはんだ剥離に対する信頼性が問題になっていた。この場合、基板とはんだ部を樹脂材で固め、剥離を防止することも行われているが、樹脂材の直材コストのみならず、樹脂材を塗布する工程、乾燥させる工程が必要となり、生産性向上の観点からの問題があった。
【0010】
本発明では、前記のような従来の問題を解決するものであり、ねじりが加わった際のはんだ剥離を防止でき、生産性にも優れたメモリーカードを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0011】
前記目的を達成するために、本発明のメモリーカードは、半導体装置が外装材に収納されたメモリーカードであって、前記半導体装置は、はんだを介して基板に接合されており、前記はんだのうち前記半導体装置の角部近傍のはんだに対向する位置に、加圧部材が配置されており、前記加圧部材が前記角部近傍のはんだを押圧していることを特徴とする。
【発明の効果】
【0012】
本発明のメモリーカードよれば、ねじりが加わった際のはんだ剥離を防止することができ、生産性にも優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
本発明は、半導体装置の角部近傍のはんだを押圧する加圧部材を設けているので、基板とはんだ界面との間に引張り力が発生することを防止でき、ねじりが加わった際のはんだ剥離を防止することができる。また、基板を樹脂材で固める必要がないので、生産性にも優れている。
【0014】
前記本発明のメモリーカードにおいては、前記加圧部材が押圧している部分は、前記外装材の厚さ方向において、前記外装材の内面と前記はんだとの間に空隙が形成されていないことが好ましい。この構成によれば、加圧部材を設けた位置において、ねじりが加わった際に、メモリカード内の厚さ方向の間隙を略一定に保つことができ、より確実にはんだ剥離を防止することができる。
【0015】
また、前記加圧部材は、前記外装部材より高剛性な部材を含んでいることが好ましい。この構成によれば、ねじりが加わった際に、メモリカードの厚さ方向の間隙をより確実に略一定に保つことができる。
【0016】
また、前記外装部材内に搭載された電子部品が、前記加圧部材を兼ねていることが好ましい。この構成によれば、別途加圧部材を設けることなく、より簡単な構造かつ低コストで、はんだ剥離を防止することができる。
【0017】
また、前記加圧部材は、前記外装材の内面に設けた突起部を含んでいることが好ましい。この構成によれば、部品点数が増えることなく、外装材自体の剛性も向上できる。
【0018】
また、前記加圧部材は、弾性部材を含んでいることが好ましい。この構成によれば、弾性部材の圧縮により高さ調整できるので、公差設計が容易になる。
【0019】
また、前記加圧部材は、発泡材料を含んでおり、前記発泡材料の発泡により前記はんだが押圧されていることが好ましい。この構成によれば、発泡材を用いることにより、公差を考慮することなく、はんだを加圧できるため、設計が容易となる。
【0020】
また、前記加圧部材の近傍に、前記メモリーカードの厚さを規制する支持部材をさらに備えたことが好ましい。この構成によれば、ねじりが加わった際に、メモリカード内の厚さ方向の間隙をより確実に略一定に保つことができる。
【0021】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【0022】
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係るメモリーカードの内部構造を示す平面図である。図2は、図1に示したメモリーカードのA−A′線における断面図である。なお、図1は、上ケース1の無い状態で図示しているが、図2は上ケース1の有る状態で図示している。図3は、図1の点線部Bの拡大図である。
【0023】
図1、2に示したように、外装材である樹脂製の上ケース1と下ケース2とで形成される内部空間に、半導体ベアチップメモリー(以下「チップ」という。)3、第1基板4、第2基板5が配置されている。上ケース1と下ケース2とは、各ケースの周囲部同士を接触させて超音波溶着している。
【0024】
詳細は以下に説明するように、本実施の形態によれば、厚さが薄く剛性の低いメモリーカードにおいても、はんだ剥離を防止することができるので、例えば第1基板の厚さが1mm以下で、上下ケース1、2の合計厚が1mm以下のメモリーカードに適している。本実施の形態では、メモリーカードの厚さを2mm程度に抑えるために、第1、第2基板4、5の厚さは、0.5mm以下とし、上下ケース1、2の厚さも0.5mm以下としている。
【0025】
第1基板4、第2基板5には、はんだ6が接合する銅箔で形成されたランド(図示せず)が形成されており、第1基板4と第2基板5とはランドに接合されたボール状のはんだ6の列を介して接合されている。第2基板5の両面に、チップ3が実装されて半導体装置10を形成している。本図の例では、水平方向に、2個の半導体装置10が収納されており、合計4個のチップ3が搭載されていることになる。17はねじり中心軸、18はねじり方向を示す矢印、19はねじれ時に保持されトルクが負荷される領域を示している。
【0026】
図2、3において、メモリーカードは、加圧部材である突起7及び弾性部材8を備えている。突起7は上ケース1の内面に形成され、下ケース2側に突出している。弾性部材8は、下ケース2のうち突起7と対向する位置に設けている。図2、3のように、上ケース1と下ケース2とを溶着した状態においては、突起7が第2基板5を上側から押さえ、弾性部材8が第1基板4を下側から押さえている。
【0027】
このことにより、上ケース1、下ケース2の各内面とはんだ6の接合部との間には、空隙が形成されていないことになり、突起7及び弾性部材8は、第1基板4及び第2基板5を介して、はんだ6を押圧していることになる。
【0028】
ここで、上ケース1と下ケース2との溶着により溶着部は溶融し、溶着後は溶着前に比べカード厚みが若干減少する。このため、弾性部材8を剛体部材とすると、高さ方向の公差を厳格にしなければならない。本実施の形態では、溶着後の弾性部材8の圧縮により高さが調整されるとともに、加圧力が発生することになり、加圧力を発生させつつ、公差設計も容易になる。
【0029】
次に、突起7及び弾性部材8の位置について説明する。図1に突起7の位置を破線で示している。突起7は、列状に配置されたはんだ6のうち、半導体装置20の角部近傍のはんだに対向する位置に配置されている。
【0030】
この構成によれば、ねじり中心軸17回りに矢印18方向にねじりが加わった場合においても、第2基板4と第1基板5の間隙は略一定に保たれ、突起7及び弾性部材8が第1基板4及び第2基板5を介して、はんだ6を押圧している状態は維持される。
【0031】
したがって、突起7及び弾性部材8を設けた位置においては、第1基板とはんだ界面との間に引張り力が発生することを防止でき、図10に示したように、はんだ102が第1基板103から剥離することを防止できる。また、加圧部7を設けたことにより、ケース自体の剛性も向上でき、変形を抑えることができる。
【0032】
また、第2基板5の角部すなわち半導体装置10の角部を押圧しているのは、突起7及び弾性部材8を設けていない場合、図1のように、ねじり中心軸17回りに矢印18方向にねじりが加わったときに、はんだ6の列のうち、端部のはんだ6は中央部のはんだ6に比べ、大きな引張力が発生するためである。
【0033】
より具体的には、第2基板5はチップ3で挟まれているため剛性が高く、ねじり中心軸17回りに矢印18方向にねじりが加わったときに、ほぼ平面状態で傾斜し、第2基板5下部の第1基板4もほぼ平面状態で傾斜する。一方、第2基板5外側部の第1基板4は、第1基板4の剛性だけで変形するため、変形量が大きなる。したがって、第2基板5下部の第1基板4と第2基板5外側部の第1基板4とでは曲率半径が大きく異なることになり、端部のはんだ部では、曲率変化が大きくなり、大きな歪みが発生することとなる。このため、はんだ6の列のうち、端部のはんだ6は中央部のはんだ6に比べ、大きな引張力が発生することになる。
【0034】
実際に、有限要素解析による応力シミュレーションを行なった結果、前記の推測を裏付ける結果が得られ、メモリーカードにねじれや曲げをさせたときに、主応力が最も大きくなるはんだ6は、はんだ6の列のうち、第2基板5の角部のはんだ6であることが判明した。
【0035】
(実施の形態2)
図4は実施の形態2に係るメモリーカードの断面図である。本図は前記実施の形態1の図3に相当する。図3の構成と比較すると、図4の構成では、第2基板5に相当する基板はなく、半導体装置13はパッケージでモールドされた半導体電子部品11と、半導体電子部品11の側面から延出したリード12とで構成されている。
【0036】
リード12は複数本であり、各リード12がはんだ6により、第1基板4に接合されて、半導体装置13は第1基板4に実装されている。このため、図1と同様に、はんだ6は列状に配置されていることになる。
【0037】
本実施の形態では、下ケース4の下部に加圧部材である弾性部材8aを備えているともに、はんだ6上部と上ケース1との間も、上ケース1とは別個に加圧部材である弾性部材8bを備えている。この構成によれば、上ケース1と下ケース4とを接合した状態で、弾性部材8aと8bとが、第1基板4及びはんだ6を押圧している構成にすることができる。したがって、実施の形態1と同様に、ねじり変形時におけるはんだ6の第1基板4からの剥離を防止することができる。
【0038】
なお、実施の形態2の構成は、前記の図2、3における第2基板5に相当するものがなく、半導体電子部品11が基板に直接接合した構成ではないが、この構成においても、弾性部材8a、8bのような加圧部材を設けない場合は、はんだ6の列のうち、端部のはんだ6は中央部のはんだ6に比べ、大きな引張力が発生することが確認できた。
【0039】
このため、弾性部材8a、8bは、前記実施の形態1の突起7及び弾性部材8と同様に、列状に配置されたはんだ6のうち、半導体装置13の角部近傍のはんだ6に対向する位置に配置されている。
【0040】
(実施の形態3)
図5は、実施の形態3に係るメモリーカードの内部構造を示す平面図である。図6は、図1に示したメモリーカードのC−C′線における断面の拡大図である。実施の形態3は、基本構成は実施の形態1と同様であるが、メモリーカードの厚さを規制する支持部材である挿入リブ14を設けている点が、実施の形態1と異なる。
【0041】
図5において、挿入リブ14は、第1基板4のうち、半導体装置10の外側でかつ半導体装置10の角部近傍に配置されている。より具体的には、図6に示したように、上ケース1と一体の挿入リブ14は、第1基板4の貫通孔を貫通し、下ケース2のリブ溶着部15において溶着されている。
【0042】
この構成によれば、ねじれ時おいて、より確実に上ケース1と下ケース4との間隔を一定に保つことができるため、ねじり変形時におけるはんだ6の剥離防止により有利になる。
【0043】
また、本実施の形態では、図2、3の弾性部材8の位置に、電子部品20を配置しており、電子部品20が加圧部材を兼ねている。電子部品19が樹脂製の上下ケース1、4に比べ高剛性なものであれば、さらに確実に上ケース1と下ケース4との間隔を一定に保つことができ、はんだ6の剥離防止にさらに有利になる。
【0044】
しかしながら、この構成では、実施の形態1で説明したように、高さ方向の公差を厳格にする必要があり、電子部品19の位置に、実施の形態1と同様に、弾性部材8を配置する構成としてもよい。
【0045】
なお、挿入リブ14が第1基板4の貫通孔を挿通する例で説明したが、貫通孔に代えて、くびれ部(切り欠き部)としてもよい。
【0046】
(実施の形態4)
図7は、実施の形態4に係るメモリーカードの断面図である。本図は前記実施の形態1の図3に相当する。図7(a)は上ケース1と下ケース2との加熱前の状態を示しており、図7(b)は上ケース1と下ケース2との加熱後の状態を示している。
【0047】
図7(a)において、はんだ6の上部と下部の双方には発泡材16が配置されている。図7(a)は発泡材16が膨らむ前の状態であり、第2基板5と発泡材16との間には、空隙がある。
【0048】
この状態で、上ケース1と下ケース2とを溶着し、ケース全体に熱を加えると、図7(b)に示したように、発泡材16が発泡し膨らむことになる。発泡材16が膨んだ状態においては、発泡材16は第1基板4及び第2基板5と密着し、はんだ6を押圧している。
【0049】
この構成によれば、発泡材を用いることにより、公差を考慮することなく、はんだを加圧できるため、設計が容易となる。
【0050】
なお、発泡材16は、前記実施の形態1の突起7及び弾性部材8と同様に、列状に配置されたはんだ6のうち、半導体装置21の角部近傍のはんだ6に対向する位置に配置されている。
【産業上の利用可能性】
【0051】
本発明によれば、ねじりが加わった際のはんだ剥離を防止することができ、強固かつ生産性にも優れたメモリーカードの実現に有用である。
【図面の簡単な説明】
【0052】
【図1】本発明の実施の形態1に係るメモリーカードの内部構造を示す平面図。
【図2】図1に示したメモリーカードのA−A′線における断面図。
【図3】図3は、図2の点線部Bの拡大図である。
【図4】本発明の実施の形態2に係るメモリーカードの断面図である。
【図5】本発明の実施の形態2に係るメモリーカードの内部構造を示す平面図。
【図6】図5に示したメモリーカードのC−C′線における断面の拡大図。
【図7】本発明の実施の形態4に係るメモリーカードの断面図であり、(a)は上ケース1と下ケース2との加熱前の状態の図、(b)は上ケースと下ケースとの加熱後の状態の図。
【図8】従来のメモリーカードの一例の内部構造を示す平面図。
【図9】図8におけるD−D′線における断面図。
【図10】図8のメモリーカードにねじりが加わった際の基板変形状態を示す断面図。
【符号の説明】
【0053】
1 上ケース
2 下ケース
3 半導体ベアチップメモリ
4 第1基板
5 第2基板
6はんだ
7 突起
8 弾性部材
9 リード
10,13半導体装置
11,20 電子部品
12 リード
14 挿入リブ
15 リブ溶着部
16 発泡材
17 ねじり中心軸
18 ねじり方向

【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体装置が外装材に収納されたメモリーカードであって、
前記半導体装置は、はんだを介して基板に接合されており、
前記はんだのうち前記半導体装置の角部近傍のはんだに対向する位置に、加圧部材が配置されており、前記加圧部材が前記角部近傍のはんだを押圧していることを特徴とするメモリーカード。
【請求項2】
前記加圧部材が押圧している部分は、前記外装材の厚さ方向において、前記外装材の内面と前記はんだとの間に空隙が形成されていない請求項1に記載のメモリーカード。
【請求項3】
前記加圧部材は、前記外装部材より高剛性な部材を含んでいる請求項1又は2に記載のメモリーカード。
【請求項4】
前記外装部材内に搭載された電子部品が、前記加圧部材を兼ねている請求項1から3のいずれかに記載のメモリーカード。
【請求項5】
前記加圧部材は、前記外装材の内面に設けた突起部を含んでいる請求項1から4のいずれかに記載のメモリーカード。
【請求項6】
前記加圧部材は、弾性部材を含んでいる請求項1から5のいずれかに記載のメモリーカード。
【請求項7】
前記加圧部材は、発泡材料を含んでおり、前記発泡材料の発泡により前記はんだが押圧されている請求項1から6のいずれかに記載のメモリーカード。
【請求項8】
前記加圧部材の近傍に、前記メモリーカードの厚さを規制する支持部材をさらに備えた請求項1から7のいずれかに記載のメモリーカード。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【公開番号】特開2006−163827(P2006−163827A)
【公開日】平成18年6月22日(2006.6.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−354504(P2004−354504)
【出願日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【出願人】(000005821)松下電器産業株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】