ワイヤーボンドを相互接続するための実装密度２倍化方法
集積回路パッケージ９６において、第１ダイボンドパッド９８に第１ワイヤー１０９をボンディングして第１ボンド１０８を形成し、ボンドポスト１０４に第１ワイヤー１０９をボンディングして第２ボンド１０６を形成する。第１ボンド１０８に第２ワイヤー１１１をボンディングし、このワイヤーをボンドポスト１０４に結合する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路ダイのためのワイヤーボンドに関する。
【背景技術】
【０００２】
高性能集積回路（ＩＣ）設計に対する要求が高まることによって所定のダイサイズに対する入出力（Ｉ／Ｏ）接続部（すなわちボンドパッド）の数を増加することが促進される。Ｉ／Ｏ接続部を多くすることは、現在では少なくとも２つの周知の技術のうちの１つによって可能とされている。第１の技術では、１つの列からのボンドパッドを別の列からのボンドパッドに対してオフセットするマルチ列のＩ／Ｏ接続を互い違い（スタガー状）にする方法である。このようなスタガー構造にするには、一般にダイのサイズを大きくしなければならないので、スタガー構造は製造コストを増し、望ましくないものとなっている。更に追加パワーおよびグランド接続部を適合させ、ＩＣの機能を維持するためには、別のボンドフィンガーが必要となり、このことによっても製造コストが増す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
Ｉ／Ｏ接続部の数を増す第２の技術は、ボンドパッドのサイズを小さくし、よってダイの上に、より多数のボンドパッドを形成する方法である。しかしながら、ボンドパッドのサイズを小さくするには直径（すなわちワイヤーの横断面積）を細くしたワイヤーボンド用ワイヤーが必要である。ワイヤー径を細くすると、多数の欠点が生じる。１つの欠点は、ワイヤーの抵抗およびインダクタンスが増加し、よってＩＣの性能の質が低下することである。別の欠点は、共通するモールディングプロセス中のワイヤー流れ（所定の場所からずれる）効果によって生じるものであり、このワイヤー流れに対処するには、ワイヤーの長さを短くしなければならず、製造が複雑となる。第３の欠点は、スタガー構造のダイおよび縮小したボンドパッドサイズで生じ得る。密なボンドパッドピッチに起因し、ボンドワイヤーは接近した状態に配置され、多数のワイヤーが交差する危険性が増し得る。
【０００４】
ワイヤーのインダクタンスを大きくするためにワイヤー径を縮小しても、いくつかの別の欠点が生じ得る。例えばワイヤーのインダクタンスが増すことにより、ＩＣを適性に機能させるのに必要な給電量およびグランド接続部の数を増加しなければならない。次に給電量およびグランド接続部の数が増すことによって、Ｉ／Ｏ接続部に利用できるダイのスペースの値が限定されることが有り得る。高性能のレベルを維持するためにはＩ／Ｏ接続部を基板まで下げ、利用できる基板のルーティング面積を狭くしなければならない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題は、ダイのボンドパッドとボンドポストとを接続するために、マルチワイヤーを使用する方法によって大部分が解決される。一実施例は、第１ワイヤーを単一のダイボンドパッドにボンディングして第１ボンドを形成するステップと、第１ワイヤーをボンドポストにボンディングして第２ボンドを形成するステップと、第２ワイヤーを第１ボンドにボンディングステップと、第２ワイヤーをボンドポストに結合するステップとを含む。
【０００６】
次の詳細な説明および特許請求の範囲において、特定のシステムの部品を示すのに、所定の用語を使用している。当業者であれば理解できるように、種々の部品は異なる名称により１つの部品を意味することがある。本明細書は、名称が異なるが、機能では同じである部品を区別してはいない。次の詳細な説明および特許請求の範囲において、「含む」および「備える」なる用語は、他の要素を含むように用いられており、よって他の要素を含むように解釈すべきであり、限定的に解釈すべきでない。更に、「結合」なる用語は、間接的または直接的な電気的な接続を意味するものであり、従って、第１デバイスが第２デバイスに接続されている場合、その接続は直接的な電気的な接続によるものか、または他のデバイスおよび接続を介した間接的な電気的接続によるものである。名詞として使用するときの「ボンド」および「ワイヤーボンド」なる用語は、２つ以上のエンティティの電気的な接続を示す。動詞として用いた「ボンドする（ボンディングする）」なる用語は、上記で定義したようなボンドの実施を示す。更に用語「ボンドポスト」は、「ボンドフィンガー」なる用語と相互に交換可能に使用でき、および／または共通して使用される同義語である。また、「外側ダイパッド」、「ボンドパッド」、「ダイボンドパッド」および「外側ダイボンドパッド」なる用語も相互に交換可能に使用できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
次の説明は、本発明の種々の実施例に関するものであり、当業者であれば次の記載は広義の用途を有し、実施例の説明はその実施例だけに限られるものであることが理解できよう。
【０００８】
本明細書にはＩＣの信頼性に最小の影響しか与えない、現行のボンドの頂部に多数のボールボンドを形成する技術が示されている。これら技術は、これまで述べた問題の一部またはすべてを生じることなく、ダイ上のＩ／Ｏ接続部の数を増すことができる。本発明の好ましい種々の実施例によれば、多数のボンドを同時に結合し、これらボンド間のワイヤーの全部の数を増すためにスタンドオフスティッチワイヤーボンド技術（ＳＳＢ）（または他の適当なボンディング技術）を使用することにより、下記に示す技術は単一のワイヤー接続部の横断面の面積に対する各ワイヤー接続部の横断面の面積を実質的に広くできる。このようなワイヤーの横断面の面積を広くできることにより、接続抵抗を低減し、接続部のインダクタンスを改善し、性能の質を低下することなく、固定されたサイズのダイ上のＩ／Ｏ接続部の数を増すことができる。
【０００９】
図１ａおよび１ｂは一実施例を示し、そのうちの図２ａはこの実施例に関連するプロセスを示す。図１ａおよび１ｂは、一対のダイ１００および１０２を備えたＩＣパッケージ９６を示し、各ダイは１つ以上の外側ダイパッド９８を含む。外側ダイパッド９８と外側ダイパッド８８とはダイ上に形成された回路とＩＣパッケージ９６の外部のデバイスとを電気的に接続するために使用されるものである。ＩＣパッケージ９６は複数のボンドポスト１０４も備え、各ボンドポスト１０４は外側ダイパッド９８のうちの１つ以上または外側ダイパッド８８のうちの１つ以上の電気的に接続できる。これらボンドポストの目的は外部デバイスとダイの外側ダイパッドとの間でなされる接続を促進することにある。図１ａの例では、ＩＣパッケージ９６内のワイヤー１０９はダイパッド９８のうちの１つをボンドポスト１０４のうちの１つに相互接続する。このように、ワイヤー１０９の一端はダイパッド９８にボンディングされ、ワイヤー１０９の反対の端部はボンドポスト１０４にボンディングされる。少なくとも一部の実施例では、外側ダイパッド９８はダイ１０２上に所望する数の外側ダイパッド９８を形成できるようなサイズにすることができる。
【００１０】
次に図１ａおよび２ａを参照する。好ましいプロセスは、低ループワイヤーボンドを形成すること（図２ａ内のブロック２００）から始まり、ここではボンドポスト１０４と外側ダイパッド９８との間にワイヤー１０９を接続する。より詳細には、ボンドポスト１０４の上にウェッジボンド１０６を形成し、ワイヤー１０９をボンドポスト１０４に電気的に連結させる。更に外側ダイパッド９８の上にボールボンド１０８を形成し、よってワイヤー１０９の他端を外側ダイパッド９８に連結させる。従って、外側ダイパッド９８とボンドポスト１０４との間に電流パス路を形成する。他の実施例では、ウェッジボンド１０６および／またはボールボンド１０８に対し、任意のボンドを使用してもよい。例えばボールボンドは所望するようなウェッジボンドに置換してもよく、更に所望する変化した角度および形状のワイヤーを実現するのに種々のループプロファイル（例えば物理的ワイヤー構造）のうちの任意のものを使用できる。
【００１１】
図１ａに示されるように、ワイヤー１０９を所定位置にボンディングした後に、図１ｂに示され、図２ａのブロック２０２に記載されているように、第２ワイヤー１１１を所定位置に接合する。少なくとも１つの実施例では、ＳＳＢ技術または他の適当なボンディング技術によりワイヤー１１１を所定場所にボンディングする。より詳細には、このプロセスは、ボンドポスト１０４の上にボールボンド１１０を形成するステップと、ボールボンド１０８の上部にウェッジボンド１１２を形成するステップを含む。図１ｂの実施例では、ボンドポスト１０４上の２つの分離されている位置にワイヤー１０９と１１１を付着しながら、外側ダイパッド９８上の同じ位置にワイヤー１０９と１１１を付着する。更に、ボンドポスト１０４にパッド９８を接続するのに２本のワイヤーを使用しているので、ワイヤー１０９と１１１とを組み合わせた横断面の面積は１本のワイヤーだけを使用した場合よりも広くなり、パッド９８とボンドポスト１０４の間の抵抗を効果的に低減できる。ダイの間の低いワイヤー高さ条件によりスタックされたダイＩＣに対して、開示した技術は有用となり得る。
【００１２】
図１ｃは、ボンドポスト１０４に付着しているワイヤー１０９および１１１の端部を、図１ｂに示されているように２つの分離された位置ではなく、ボンドポスト１０４上の共通位置に付着する別の実施例を示す。図１ｃに示されている技術は図２ｂにも示されており、この技術は、図１ａに示され、これまで説明したように、ボールボンド１０８を使用した外側ダイパッド９８とウェッジボンド１０６を使用したボンドポスト１０４との間の所定場所にワイヤー１０９をボンディングする低ループワイヤーボンド（ブロック２５０）を形成することを含む。ブロック２５２では、ワイヤー１１１を所定場所にボンディングする、図１ｃに示されるようにボールボンドまたは任意の適当なタイプのボンドを形成する。より詳細には、ウェッジボンド１０６上に形成されたボールボンド１１０により、ボンドポスト１０４にワイヤー１１１の一端を付着し、ボールボンド１０８の上部に形成されたウェッジボンド１１２により、外側ダイポスト９８にワイヤー１１１の他端を付着する。
【００１３】
図１ｄは図１ｃに示された実施例とほぼ同一の更に別の実施例を示すが、ボンドポスト１０４およびウェッジボンド１１２に別のワイヤー１１３がボンディングされている点が異なる。図２ｃには、図１ｄに示された技術も図示されており、この技術は図１ａに示され、これまで説明したように、ボールボンド１０８を使用する外側ダイパッド９８とウェッジボンド１０６を使用するボンドポスト１０４との間の所定の場所にワイヤー１０９をボンディングする低ループワイヤーボンド（ブロック２７６）を形成するステップを含む。ブロック２７８では、上記のようにワイヤー１１１を所定場所にボンディングする図１ｃに示されるように、ボールボンド１１０または同様なボンド（例えばＳＳＢ技術）を形成できる。ブロック２０８では、ウェッジボンド１１６により、ボンドポスト１０４にワイヤー１１３の一端を付着する。図１ｄに示されるように、ウェッジボンド１１２の上部に形成されたボールボンド１１４により、外側ダイパッド９８にワイヤー１１３の他端を付着する。このように、外側ダイパッド９８とボンドポスト１０４を接続するワイヤーの横断面の面積は、１本のワイヤーだけを使用した場合よりも広くなり、実質的にワイヤーのインダクタンスを低減でき、導電性を改善し、ＩＣ設計および製造コストを低減できる。このように、外側ダイパッド９８およびボンドポスト１０４に任意の本数のワイヤーをボンディングすることによって性能を改善できる。
【００１４】
図３ａ〜３ｃは、かかる別の技術が示されており、図３ａは下記の説明を容易に続けるために一般に図１ａを示している。図３ａ〜３ｃの各々は、複数のボンドポスト１０４と、多数の外側ダイパッド９８を備えたダイ１０２の上にスタックされたダイ１００とを含むＩＣ９６を示す。図３ａ〜３ｃに示された技術は、図４にも示されており、この技術は外側ダイパッド９８にボールボンド３０２を確立するステップと、ボールボンド３０２に取り付けられたワイヤーを除去するステップとを備える（ブロック４００）。ブロック４０２では、ボンドポスト１０４の上にボールボンド３０４を形成し、図３ｂに示されるように、ワイヤー３０３によりボールボンド３０２の上部に形成されたウェッジボンド３１０にボールボンド３０４を接続できる。ブロック４０４では、ウェッジボンド３０６により、ボンドポスト１０４にワイヤー３０５を付着し、次にウェッジボンド３１０の上部に形成されたボールボンド３０８により、外側ダイパッド９８に付着できる。前に述べたように、開示範囲は上記タイプのボンドだけに限定されるものではない。ボンドのタイプは任意に自由に代えることができる。例えば別の実施例では、ブロック４０４はボールボンドによりボンドポスト１０４に付着され、任意のタイプのボンド（図示せず）によってウェッジボンド３１０にボンディングされたワイヤー３０５によりボンドポスト３０４とボンドパッド９８を電気的に接続するステップを含むことができる。
【００１５】
一例では、外側ダイパッド９８は、この外側パッド９８に最大０.８ｍｍ径のワイヤーをボンディングできるようなサイズとなっている。０.８ｍｍより太い直径のワイヤーは一般には使用されない。その理由は、かかる太いワイヤーは隣接するワイヤーまたは外側ダイパッド９８に接触し、短絡を生じさせ、ＩＣ９８の機能的な完全性を損なわせ得るからである。１ｍｍ径のワイヤーが標準的なサイズのワイヤーと見なされているので、これよりも細い０.８ｍｍ径のワイヤーは標準的なサイズのワイヤーよりも大きいインダクタンスを有する。しかしながら、上記技術のいずれかを用いると、外側ダイパッド９８をボンドポスト１０４に接続するワイヤーの横断面の全面積は、外側ダイパッド９８をボンドポスト１０４に接続する１本のワイヤーの横断面よりも広くなる。従って、これらワイヤーの全インダクタンスは０.８ｍｍ径のワイヤーまたは１ｍｍ径のワイヤーのインダクタンスに等しいか、それ以上となる。同様に、これらワイヤーの抵抗は、１本のワイヤーの抵抗よりも実質的に低くなり得るので、外側ダイパッド９８とボンドポスト１０４との間で、より多くの量の電流を転送できるようにする。
【００１６】
本明細書に開示した技術は、ダイボンドパッドをボンドポストにボンディングすることだけに限定されない。かかるダブルボンド技術は図５ａ〜５ｃに示されるように、ダイボンドパッドを他のダイボンドパッドに接続するワイヤーにも適用できる。図５ａ〜５ｃの各々は、ダイ１０２の上にスタックされたダイ１００を備えたＩＣ９６を示す。このダイ１００は、複数の外側ダイパッド８８を備え、ダイ１０２は複数の細長い外側ダイパッド９９を備える。図５ａ〜５ｃに示された技術は図６にも示されており、外側ダイパッド８８にボールボンド５００を形成し、ボールボンド５００に取り付けられたワイヤーを除去するステップを備える（ブロック６００）。ブロック６０２では、図５ｂに示されるようにボールボンド５０２により外側ダイパッド９９にワイヤー６０３を付着し、ボールボンド５００の上部に形成されたウェッジボンド５０４により外側ダイパッド８８にワイヤー６０３を付着する。ブロック６０４では、図５ｃに示されるように外側ダイパッド９９の上部に形成されたボールボンド５０６によって外側ダイパッド９９にワイヤー６０５を付着し、ウェッジボンド５０４の上部に形成されたウェッジボンド５０８により外側ダイパッド８８に付着できる。少なくとも一部の実施例では、外側ダイパッド８８および外側ダイパッド９９に任意の数のワイヤーをボンディングまたは他の方法で電気的に接続できる。発明の開示の範囲は、これまで説明したタイプのボンドだけに限定されず、ボンドのタイプは所望する種々のボンドタイプのうちの任意のものに代えることができる。
【００１７】
図７ａ〜７ｃには別のダイ間ダブルボンディング技術が示されており、図７ａ〜７ｃの各々はダイ１０２の上にスタックされたダイ１００を備えたＩＣ９６を示す。ダイ１００は、複数の外側ダイパッド８８を備え、ダイ１０２は複数の外側ダイパッド９８を備える。図７ａ〜７ｃに示された技術は図８にも示されており、この技術はダイ１０２の外側ダイパッド９８にＳＳＢボールボンド７００または他の適当なボンドをボンディングし、ワイヤーを除去し、パッド９８上にボールボンド７００だけを残すステップを備える（ブロック８００）。ダイ１００の外側ダイパッド８８に第２ボールボンド７０２をボンディングし、次に、ボールボンド７００の上に形成されたウェッジボンド７０４にワイヤー７０６により電気的に接続する（ブロック８０２）。最後に、ボールボンド７０２にボールボンド７０８をボンディングし、ウェッジボンド７０４の上部に形成されたウェッジボンド７１０にワイヤー７１２により電気的に接続する（ブロック８０４）。
【００１８】
ここに開示した要旨は単一のダイにも、または多数のダイにも適用できる。上記実施例は特定のタイプのボンドについて述べたが、特定のボンドを任意のタイプのボンドに置換できる（例えば、ウェッジボンドをボールボンドに置換できる）。上記ボンドおよびダブルボンドのすべては、任意のボンディング技術、例えばＳＤワイヤーボンド技術およびその任意の変形例（例えば、ＳＳＢボンド、ウェッジボンド、ＵＬボンド、エスカルゴボンド、ＦＪループボンドおよび折りたたみループボンドを含むすべての低ループおよび超低ループ技術）を使って形成できる。例えば上記ウェッジボンドはエスカルゴボンドに置換できる。当業者には多数の変形例および変更例が明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１ａ−１ｄ】本発明の実施例に係わる、ダイと基板のボンドフィンガーとの間のワイヤーボンドの形成を示す。
【図２ａ−２ｃ】図１ａ〜１ｄに示されたボンドパッド−ダイ間の接続に関する多様なプロセスを示す。
【図３ａ−３ｃ】ボンドパッドとボンドポストとの間のワイヤー接続の別の実施例を示す。
【図４】図３ａ〜３ｃの実施例に関するプロセスを示す。
【図５ａ−５ｃ】多数のダイ間のボンドパッド上にワイヤーボンド接続部を形成する別の実施例を示す。
【図６】図５ａ〜５ｃの実施例に係わるプロセスを示す。
【図７ａ−７ｃ】多数のダイ間のボンドパッド上にワイヤーボンド接続部を形成する別の実施例を示す。
【図８】図７ａ〜７ｃの実施例に関するプロセスを示す。
【図１ａ】
【図１ｂ】
【図１ｃ】
【図１ｄ】
【図２ａ】
【図２ｂ】
【図２ｃ】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図３ｃ】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路ダイのためのワイヤーボンドに関する。
【背景技術】
【０００２】
高性能集積回路（ＩＣ）設計に対する要求が高まることによって所定のダイサイズに対する入出力（Ｉ／Ｏ）接続部（すなわちボンドパッド）の数を増加することが促進される。Ｉ／Ｏ接続部を多くすることは、現在では少なくとも２つの周知の技術のうちの１つによって可能とされている。第１の技術では、１つの列からのボンドパッドを別の列からのボンドパッドに対してオフセットするマルチ列のＩ／Ｏ接続を互い違い（スタガー状）にする方法である。このようなスタガー構造にするには、一般にダイのサイズを大きくしなければならないので、スタガー構造は製造コストを増し、望ましくないものとなっている。更に追加パワーおよびグランド接続部を適合させ、ＩＣの機能を維持するためには、別のボンドフィンガーが必要となり、このことによっても製造コストが増す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
Ｉ／Ｏ接続部の数を増す第２の技術は、ボンドパッドのサイズを小さくし、よってダイの上に、より多数のボンドパッドを形成する方法である。しかしながら、ボンドパッドのサイズを小さくするには直径（すなわちワイヤーの横断面積）を細くしたワイヤーボンド用ワイヤーが必要である。ワイヤー径を細くすると、多数の欠点が生じる。１つの欠点は、ワイヤーの抵抗およびインダクタンスが増加し、よってＩＣの性能の質が低下することである。別の欠点は、共通するモールディングプロセス中のワイヤー流れ（所定の場所からずれる）効果によって生じるものであり、このワイヤー流れに対処するには、ワイヤーの長さを短くしなければならず、製造が複雑となる。第３の欠点は、スタガー構造のダイおよび縮小したボンドパッドサイズで生じ得る。密なボンドパッドピッチに起因し、ボンドワイヤーは接近した状態に配置され、多数のワイヤーが交差する危険性が増し得る。
【０００４】
ワイヤーのインダクタンスを大きくするためにワイヤー径を縮小しても、いくつかの別の欠点が生じ得る。例えばワイヤーのインダクタンスが増すことにより、ＩＣを適性に機能させるのに必要な給電量およびグランド接続部の数を増加しなければならない。次に給電量およびグランド接続部の数が増すことによって、Ｉ／Ｏ接続部に利用できるダイのスペースの値が限定されることが有り得る。高性能のレベルを維持するためにはＩ／Ｏ接続部を基板まで下げ、利用できる基板のルーティング面積を狭くしなければならない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題は、ダイのボンドパッドとボンドポストとを接続するために、マルチワイヤーを使用する方法によって大部分が解決される。一実施例は、第１ワイヤーを単一のダイボンドパッドにボンディングして第１ボンドを形成するステップと、第１ワイヤーをボンドポストにボンディングして第２ボンドを形成するステップと、第２ワイヤーを第１ボンドにボンディングステップと、第２ワイヤーをボンドポストに結合するステップとを含む。
【０００６】
次の詳細な説明および特許請求の範囲において、特定のシステムの部品を示すのに、所定の用語を使用している。当業者であれば理解できるように、種々の部品は異なる名称により１つの部品を意味することがある。本明細書は、名称が異なるが、機能では同じである部品を区別してはいない。次の詳細な説明および特許請求の範囲において、「含む」および「備える」なる用語は、他の要素を含むように用いられており、よって他の要素を含むように解釈すべきであり、限定的に解釈すべきでない。更に、「結合」なる用語は、間接的または直接的な電気的な接続を意味するものであり、従って、第１デバイスが第２デバイスに接続されている場合、その接続は直接的な電気的な接続によるものか、または他のデバイスおよび接続を介した間接的な電気的接続によるものである。名詞として使用するときの「ボンド」および「ワイヤーボンド」なる用語は、２つ以上のエンティティの電気的な接続を示す。動詞として用いた「ボンドする（ボンディングする）」なる用語は、上記で定義したようなボンドの実施を示す。更に用語「ボンドポスト」は、「ボンドフィンガー」なる用語と相互に交換可能に使用でき、および／または共通して使用される同義語である。また、「外側ダイパッド」、「ボンドパッド」、「ダイボンドパッド」および「外側ダイボンドパッド」なる用語も相互に交換可能に使用できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
次の説明は、本発明の種々の実施例に関するものであり、当業者であれば次の記載は広義の用途を有し、実施例の説明はその実施例だけに限られるものであることが理解できよう。
【０００８】
本明細書にはＩＣの信頼性に最小の影響しか与えない、現行のボンドの頂部に多数のボールボンドを形成する技術が示されている。これら技術は、これまで述べた問題の一部またはすべてを生じることなく、ダイ上のＩ／Ｏ接続部の数を増すことができる。本発明の好ましい種々の実施例によれば、多数のボンドを同時に結合し、これらボンド間のワイヤーの全部の数を増すためにスタンドオフスティッチワイヤーボンド技術（ＳＳＢ）（または他の適当なボンディング技術）を使用することにより、下記に示す技術は単一のワイヤー接続部の横断面の面積に対する各ワイヤー接続部の横断面の面積を実質的に広くできる。このようなワイヤーの横断面の面積を広くできることにより、接続抵抗を低減し、接続部のインダクタンスを改善し、性能の質を低下することなく、固定されたサイズのダイ上のＩ／Ｏ接続部の数を増すことができる。
【０００９】
図１ａおよび１ｂは一実施例を示し、そのうちの図２ａはこの実施例に関連するプロセスを示す。図１ａおよび１ｂは、一対のダイ１００および１０２を備えたＩＣパッケージ９６を示し、各ダイは１つ以上の外側ダイパッド９８を含む。外側ダイパッド９８と外側ダイパッド８８とはダイ上に形成された回路とＩＣパッケージ９６の外部のデバイスとを電気的に接続するために使用されるものである。ＩＣパッケージ９６は複数のボンドポスト１０４も備え、各ボンドポスト１０４は外側ダイパッド９８のうちの１つ以上または外側ダイパッド８８のうちの１つ以上の電気的に接続できる。これらボンドポストの目的は外部デバイスとダイの外側ダイパッドとの間でなされる接続を促進することにある。図１ａの例では、ＩＣパッケージ９６内のワイヤー１０９はダイパッド９８のうちの１つをボンドポスト１０４のうちの１つに相互接続する。このように、ワイヤー１０９の一端はダイパッド９８にボンディングされ、ワイヤー１０９の反対の端部はボンドポスト１０４にボンディングされる。少なくとも一部の実施例では、外側ダイパッド９８はダイ１０２上に所望する数の外側ダイパッド９８を形成できるようなサイズにすることができる。
【００１０】
次に図１ａおよび２ａを参照する。好ましいプロセスは、低ループワイヤーボンドを形成すること（図２ａ内のブロック２００）から始まり、ここではボンドポスト１０４と外側ダイパッド９８との間にワイヤー１０９を接続する。より詳細には、ボンドポスト１０４の上にウェッジボンド１０６を形成し、ワイヤー１０９をボンドポスト１０４に電気的に連結させる。更に外側ダイパッド９８の上にボールボンド１０８を形成し、よってワイヤー１０９の他端を外側ダイパッド９８に連結させる。従って、外側ダイパッド９８とボンドポスト１０４との間に電流パス路を形成する。他の実施例では、ウェッジボンド１０６および／またはボールボンド１０８に対し、任意のボンドを使用してもよい。例えばボールボンドは所望するようなウェッジボンドに置換してもよく、更に所望する変化した角度および形状のワイヤーを実現するのに種々のループプロファイル（例えば物理的ワイヤー構造）のうちの任意のものを使用できる。
【００１１】
図１ａに示されるように、ワイヤー１０９を所定位置にボンディングした後に、図１ｂに示され、図２ａのブロック２０２に記載されているように、第２ワイヤー１１１を所定位置に接合する。少なくとも１つの実施例では、ＳＳＢ技術または他の適当なボンディング技術によりワイヤー１１１を所定場所にボンディングする。より詳細には、このプロセスは、ボンドポスト１０４の上にボールボンド１１０を形成するステップと、ボールボンド１０８の上部にウェッジボンド１１２を形成するステップを含む。図１ｂの実施例では、ボンドポスト１０４上の２つの分離されている位置にワイヤー１０９と１１１を付着しながら、外側ダイパッド９８上の同じ位置にワイヤー１０９と１１１を付着する。更に、ボンドポスト１０４にパッド９８を接続するのに２本のワイヤーを使用しているので、ワイヤー１０９と１１１とを組み合わせた横断面の面積は１本のワイヤーだけを使用した場合よりも広くなり、パッド９８とボンドポスト１０４の間の抵抗を効果的に低減できる。ダイの間の低いワイヤー高さ条件によりスタックされたダイＩＣに対して、開示した技術は有用となり得る。
【００１２】
図１ｃは、ボンドポスト１０４に付着しているワイヤー１０９および１１１の端部を、図１ｂに示されているように２つの分離された位置ではなく、ボンドポスト１０４上の共通位置に付着する別の実施例を示す。図１ｃに示されている技術は図２ｂにも示されており、この技術は、図１ａに示され、これまで説明したように、ボールボンド１０８を使用した外側ダイパッド９８とウェッジボンド１０６を使用したボンドポスト１０４との間の所定場所にワイヤー１０９をボンディングする低ループワイヤーボンド（ブロック２５０）を形成することを含む。ブロック２５２では、ワイヤー１１１を所定場所にボンディングする、図１ｃに示されるようにボールボンドまたは任意の適当なタイプのボンドを形成する。より詳細には、ウェッジボンド１０６上に形成されたボールボンド１１０により、ボンドポスト１０４にワイヤー１１１の一端を付着し、ボールボンド１０８の上部に形成されたウェッジボンド１１２により、外側ダイポスト９８にワイヤー１１１の他端を付着する。
【００１３】
図１ｄは図１ｃに示された実施例とほぼ同一の更に別の実施例を示すが、ボンドポスト１０４およびウェッジボンド１１２に別のワイヤー１１３がボンディングされている点が異なる。図２ｃには、図１ｄに示された技術も図示されており、この技術は図１ａに示され、これまで説明したように、ボールボンド１０８を使用する外側ダイパッド９８とウェッジボンド１０６を使用するボンドポスト１０４との間の所定の場所にワイヤー１０９をボンディングする低ループワイヤーボンド（ブロック２７６）を形成するステップを含む。ブロック２７８では、上記のようにワイヤー１１１を所定場所にボンディングする図１ｃに示されるように、ボールボンド１１０または同様なボンド（例えばＳＳＢ技術）を形成できる。ブロック２０８では、ウェッジボンド１１６により、ボンドポスト１０４にワイヤー１１３の一端を付着する。図１ｄに示されるように、ウェッジボンド１１２の上部に形成されたボールボンド１１４により、外側ダイパッド９８にワイヤー１１３の他端を付着する。このように、外側ダイパッド９８とボンドポスト１０４を接続するワイヤーの横断面の面積は、１本のワイヤーだけを使用した場合よりも広くなり、実質的にワイヤーのインダクタンスを低減でき、導電性を改善し、ＩＣ設計および製造コストを低減できる。このように、外側ダイパッド９８およびボンドポスト１０４に任意の本数のワイヤーをボンディングすることによって性能を改善できる。
【００１４】
図３ａ〜３ｃは、かかる別の技術が示されており、図３ａは下記の説明を容易に続けるために一般に図１ａを示している。図３ａ〜３ｃの各々は、複数のボンドポスト１０４と、多数の外側ダイパッド９８を備えたダイ１０２の上にスタックされたダイ１００とを含むＩＣ９６を示す。図３ａ〜３ｃに示された技術は、図４にも示されており、この技術は外側ダイパッド９８にボールボンド３０２を確立するステップと、ボールボンド３０２に取り付けられたワイヤーを除去するステップとを備える（ブロック４００）。ブロック４０２では、ボンドポスト１０４の上にボールボンド３０４を形成し、図３ｂに示されるように、ワイヤー３０３によりボールボンド３０２の上部に形成されたウェッジボンド３１０にボールボンド３０４を接続できる。ブロック４０４では、ウェッジボンド３０６により、ボンドポスト１０４にワイヤー３０５を付着し、次にウェッジボンド３１０の上部に形成されたボールボンド３０８により、外側ダイパッド９８に付着できる。前に述べたように、開示範囲は上記タイプのボンドだけに限定されるものではない。ボンドのタイプは任意に自由に代えることができる。例えば別の実施例では、ブロック４０４はボールボンドによりボンドポスト１０４に付着され、任意のタイプのボンド（図示せず）によってウェッジボンド３１０にボンディングされたワイヤー３０５によりボンドポスト３０４とボンドパッド９８を電気的に接続するステップを含むことができる。
【００１５】
一例では、外側ダイパッド９８は、この外側パッド９８に最大０.８ｍｍ径のワイヤーをボンディングできるようなサイズとなっている。０.８ｍｍより太い直径のワイヤーは一般には使用されない。その理由は、かかる太いワイヤーは隣接するワイヤーまたは外側ダイパッド９８に接触し、短絡を生じさせ、ＩＣ９８の機能的な完全性を損なわせ得るからである。１ｍｍ径のワイヤーが標準的なサイズのワイヤーと見なされているので、これよりも細い０.８ｍｍ径のワイヤーは標準的なサイズのワイヤーよりも大きいインダクタンスを有する。しかしながら、上記技術のいずれかを用いると、外側ダイパッド９８をボンドポスト１０４に接続するワイヤーの横断面の全面積は、外側ダイパッド９８をボンドポスト１０４に接続する１本のワイヤーの横断面よりも広くなる。従って、これらワイヤーの全インダクタンスは０.８ｍｍ径のワイヤーまたは１ｍｍ径のワイヤーのインダクタンスに等しいか、それ以上となる。同様に、これらワイヤーの抵抗は、１本のワイヤーの抵抗よりも実質的に低くなり得るので、外側ダイパッド９８とボンドポスト１０４との間で、より多くの量の電流を転送できるようにする。
【００１６】
本明細書に開示した技術は、ダイボンドパッドをボンドポストにボンディングすることだけに限定されない。かかるダブルボンド技術は図５ａ〜５ｃに示されるように、ダイボンドパッドを他のダイボンドパッドに接続するワイヤーにも適用できる。図５ａ〜５ｃの各々は、ダイ１０２の上にスタックされたダイ１００を備えたＩＣ９６を示す。このダイ１００は、複数の外側ダイパッド８８を備え、ダイ１０２は複数の細長い外側ダイパッド９９を備える。図５ａ〜５ｃに示された技術は図６にも示されており、外側ダイパッド８８にボールボンド５００を形成し、ボールボンド５００に取り付けられたワイヤーを除去するステップを備える（ブロック６００）。ブロック６０２では、図５ｂに示されるようにボールボンド５０２により外側ダイパッド９９にワイヤー６０３を付着し、ボールボンド５００の上部に形成されたウェッジボンド５０４により外側ダイパッド８８にワイヤー６０３を付着する。ブロック６０４では、図５ｃに示されるように外側ダイパッド９９の上部に形成されたボールボンド５０６によって外側ダイパッド９９にワイヤー６０５を付着し、ウェッジボンド５０４の上部に形成されたウェッジボンド５０８により外側ダイパッド８８に付着できる。少なくとも一部の実施例では、外側ダイパッド８８および外側ダイパッド９９に任意の数のワイヤーをボンディングまたは他の方法で電気的に接続できる。発明の開示の範囲は、これまで説明したタイプのボンドだけに限定されず、ボンドのタイプは所望する種々のボンドタイプのうちの任意のものに代えることができる。
【００１７】
図７ａ〜７ｃには別のダイ間ダブルボンディング技術が示されており、図７ａ〜７ｃの各々はダイ１０２の上にスタックされたダイ１００を備えたＩＣ９６を示す。ダイ１００は、複数の外側ダイパッド８８を備え、ダイ１０２は複数の外側ダイパッド９８を備える。図７ａ〜７ｃに示された技術は図８にも示されており、この技術はダイ１０２の外側ダイパッド９８にＳＳＢボールボンド７００または他の適当なボンドをボンディングし、ワイヤーを除去し、パッド９８上にボールボンド７００だけを残すステップを備える（ブロック８００）。ダイ１００の外側ダイパッド８８に第２ボールボンド７０２をボンディングし、次に、ボールボンド７００の上に形成されたウェッジボンド７０４にワイヤー７０６により電気的に接続する（ブロック８０２）。最後に、ボールボンド７０２にボールボンド７０８をボンディングし、ウェッジボンド７０４の上部に形成されたウェッジボンド７１０にワイヤー７１２により電気的に接続する（ブロック８０４）。
【００１８】
ここに開示した要旨は単一のダイにも、または多数のダイにも適用できる。上記実施例は特定のタイプのボンドについて述べたが、特定のボンドを任意のタイプのボンドに置換できる（例えば、ウェッジボンドをボールボンドに置換できる）。上記ボンドおよびダブルボンドのすべては、任意のボンディング技術、例えばＳＤワイヤーボンド技術およびその任意の変形例（例えば、ＳＳＢボンド、ウェッジボンド、ＵＬボンド、エスカルゴボンド、ＦＪループボンドおよび折りたたみループボンドを含むすべての低ループおよび超低ループ技術）を使って形成できる。例えば上記ウェッジボンドはエスカルゴボンドに置換できる。当業者には多数の変形例および変更例が明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１ａ−１ｄ】本発明の実施例に係わる、ダイと基板のボンドフィンガーとの間のワイヤーボンドの形成を示す。
【図２ａ−２ｃ】図１ａ〜１ｄに示されたボンドパッド−ダイ間の接続に関する多様なプロセスを示す。
【図３ａ−３ｃ】ボンドパッドとボンドポストとの間のワイヤー接続の別の実施例を示す。
【図４】図３ａ〜３ｃの実施例に関するプロセスを示す。
【図５ａ−５ｃ】多数のダイ間のボンドパッド上にワイヤーボンド接続部を形成する別の実施例を示す。
【図６】図５ａ〜５ｃの実施例に係わるプロセスを示す。
【図７ａ−７ｃ】多数のダイ間のボンドパッド上にワイヤーボンド接続部を形成する別の実施例を示す。
【図８】図７ａ〜７ｃの実施例に関するプロセスを示す。
【図１ａ】
【図１ｂ】
【図１ｃ】
【図１ｄ】
【図２ａ】
【図２ｂ】
【図２ｃ】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図３ｃ】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一のダイボンドパッドに第１ワイヤーをボンディングし、第１ボンドを形成するステップと、
ボンドポストに第１ワイヤーをボンディングし、第２ボンドを形成するステップと、
第１ボンドに第２ワイヤーをボンディングするステップと、
ボンドポストに第２ワイヤーを結合するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記第２ワイヤーを結合するステップが、前記第２ワイヤーを前記第２ボンドにボンディングすることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ボンディングは、スタンドオフスティッチワイヤーボンド技術（ＳＳＢ）を使用することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第２ワイヤーを結合するステップが、前記第２ワイヤーを前記ボンドポストにボンディングすることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第２ワイヤーを前記第１ボンドにボンディングすることにより形成されたボンドおよびボンドポストに第３ワイヤーをボンディングするステップを更に含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第２ワイヤーをボンディングする前に前記第１ワイヤーの少なくとも一部を除去するステップと、
前記第２ワイヤーを前記第１ワイヤーにボンディングし、第３ボンドを形成するステップと、
前記第２ワイヤーを前記ボンドポストにボンディングするステップと、
第３ワイヤーを前記ボンドポストおよび前記第３ボンドにボンディングするステップとを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ボンディングは、ウェッジボンド、ボールボンド、ループボンドおよび折りたたみループボンドを含むボンドの群のうちのいずれかを形成することを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
３本以上のワイヤーを使って前記第１ボンドを前記ボンドポストに電気的に接続するステップを更に含み、各ワイヤーが前記第１ボンドおよび前記ボンドポストに電気的に接続され、請求項１記載の方法。
【請求項９】
第１ダイパッドに第１ワイヤーをボンディングし、第１ボンドを形成するステップと、
前記ワイヤーの少なくとも一部を除去するステップと、
第２ダイパッドに第２ワイヤーをボンディングし、第２ボンドを形成するステップと、
前記第１ボンドに前記第２ワイヤーをボンディングし、第３ボンドを形成するステップとを含む方法。
【請求項１０】
前記第２ボンドおよび前記第３ボンドに第３ワイヤーをボンディングするステップを更に含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
３本以上のワイヤーを使って前記第２ボンドおよび前記第３ボンドを電気的に接続するステップを更に含み、各ワイヤーが前記第２ボンドおよび前記第３ボンドに電気的に接続されている、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記ボンディングは、ＳＳＢを使用することを含む、請求項９記載の方法。
【請求項１３】
ボンドフィンガーと、
各々が前記ボンドフィンガーおよびダイボンドパッドに電気的に接続されている多数のワイヤーを使って前記ボンドフィンガーに結合された前記ダイボンドパッドとを含む集積回路パッケージ。
【請求項１４】
ウェッジボンド、ボールボンド、ループボンドおよび折りたたみループボンドを備えたボンドの群のうちのいずれかを使って、各ワイヤーが前記ボンドフィンガーおよび前記ダイボンドパッドに電気的に接続されている、請求項１３記載のパッケージ。
【請求項１５】
第１ワイヤーが、第１ウェッジボンドにより前記ボンドフィンガーにボンディングされ、そして第１ボールボンドにより前記ダイボンドパッドにボンディングされている、請求項１３記載のパッケージ。
【請求項１６】
第２ワイヤーが、第２ボールボンドにより前記ボンドフィンガーにボンディングされ、そして第２ウェッジボンドにより前記第１ボールボンドにボンディングされている、請求項１５記載のパッケージ。
【請求項１７】
第２ワイヤーが、第２ボールボンドにより前記第１ウェッジボンドにボンディングされ、そして第２ウェッジボンドにより前記第１ボールボンドにボンディングされている、請求項１５記載のパッケージ。
【請求項１８】
第３ワイヤーが、第３ウェッジボンドにより前記ボンドフィンガーにボンディングされ、そして第３ボールボンドにより前記第２ウェッジボンドにボンディングされている、請求項１７記載のパッケージ。
【請求項１９】
第１ワイヤーが、ボールボンドにより前記ボンドフィンガーにボンディングされ、そして第１ウェッジボンドにより前記ダイボンドパッド上に存在するボンドにボンディングされている、請求項１３記載のパッケージ。
【請求項２０】
第２ワイヤーが、第２ウェッジボンドにより前記ボンドフィンガーにボンディングされ、そしてボールボンドにより前記第１ウェッジボンドにボンディングされている、請求項１９記載のパッケージ。
【請求項２１】
第１ボンドパッドを含む第１ダイと、
第２ボンドパッドを含む第２ダイとを含み、前記第２ボンドパッドが多数のワイヤーを使って前記第１ボンドパッドに電気的に接続されており、各ワイヤーが前記第１ボンドパッドおよび前記第２ボンドパッドにボンディングされている、集積回路パッケージ。
【請求項２２】
第１ワイヤーが、第１ボールボンドを使って前記第１ボンドパッドにボンディングされ、そして第１ウェッジボンドを使って前記第２ボンドパッド上に存在するボンドにボンディングされている、請求項２１記載のパッケージ。
【請求項２３】
第２ワイヤーが、第２ボールボンドを使って前記第１ボールボンドにボンディングされ、そして第２ウェッジボンドを使って前記第１ウェッジボンドにボンディングされている、請求項２２記載のパッケージ。
【請求項２４】
前記第１ダイ上に前記第２ダイがスタックされている、請求項２１記載のパッケージ。
【請求項１】
単一のダイボンドパッドに第１ワイヤーをボンディングし、第１ボンドを形成するステップと、
ボンドポストに第１ワイヤーをボンディングし、第２ボンドを形成するステップと、
第１ボンドに第２ワイヤーをボンディングするステップと、
ボンドポストに第２ワイヤーを結合するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記第２ワイヤーを結合するステップが、前記第２ワイヤーを前記第２ボンドにボンディングすることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ボンディングは、スタンドオフスティッチワイヤーボンド技術（ＳＳＢ）を使用することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第２ワイヤーを結合するステップが、前記第２ワイヤーを前記ボンドポストにボンディングすることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第２ワイヤーを前記第１ボンドにボンディングすることにより形成されたボンドおよびボンドポストに第３ワイヤーをボンディングするステップを更に含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第２ワイヤーをボンディングする前に前記第１ワイヤーの少なくとも一部を除去するステップと、
前記第２ワイヤーを前記第１ワイヤーにボンディングし、第３ボンドを形成するステップと、
前記第２ワイヤーを前記ボンドポストにボンディングするステップと、
第３ワイヤーを前記ボンドポストおよび前記第３ボンドにボンディングするステップとを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ボンディングは、ウェッジボンド、ボールボンド、ループボンドおよび折りたたみループボンドを含むボンドの群のうちのいずれかを形成することを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
３本以上のワイヤーを使って前記第１ボンドを前記ボンドポストに電気的に接続するステップを更に含み、各ワイヤーが前記第１ボンドおよび前記ボンドポストに電気的に接続され、請求項１記載の方法。
【請求項９】
第１ダイパッドに第１ワイヤーをボンディングし、第１ボンドを形成するステップと、
前記ワイヤーの少なくとも一部を除去するステップと、
第２ダイパッドに第２ワイヤーをボンディングし、第２ボンドを形成するステップと、
前記第１ボンドに前記第２ワイヤーをボンディングし、第３ボンドを形成するステップとを含む方法。
【請求項１０】
前記第２ボンドおよび前記第３ボンドに第３ワイヤーをボンディングするステップを更に含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
３本以上のワイヤーを使って前記第２ボンドおよび前記第３ボンドを電気的に接続するステップを更に含み、各ワイヤーが前記第２ボンドおよび前記第３ボンドに電気的に接続されている、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記ボンディングは、ＳＳＢを使用することを含む、請求項９記載の方法。
【請求項１３】
ボンドフィンガーと、
各々が前記ボンドフィンガーおよびダイボンドパッドに電気的に接続されている多数のワイヤーを使って前記ボンドフィンガーに結合された前記ダイボンドパッドとを含む集積回路パッケージ。
【請求項１４】
ウェッジボンド、ボールボンド、ループボンドおよび折りたたみループボンドを備えたボンドの群のうちのいずれかを使って、各ワイヤーが前記ボンドフィンガーおよび前記ダイボンドパッドに電気的に接続されている、請求項１３記載のパッケージ。
【請求項１５】
第１ワイヤーが、第１ウェッジボンドにより前記ボンドフィンガーにボンディングされ、そして第１ボールボンドにより前記ダイボンドパッドにボンディングされている、請求項１３記載のパッケージ。
【請求項１６】
第２ワイヤーが、第２ボールボンドにより前記ボンドフィンガーにボンディングされ、そして第２ウェッジボンドにより前記第１ボールボンドにボンディングされている、請求項１５記載のパッケージ。
【請求項１７】
第２ワイヤーが、第２ボールボンドにより前記第１ウェッジボンドにボンディングされ、そして第２ウェッジボンドにより前記第１ボールボンドにボンディングされている、請求項１５記載のパッケージ。
【請求項１８】
第３ワイヤーが、第３ウェッジボンドにより前記ボンドフィンガーにボンディングされ、そして第３ボールボンドにより前記第２ウェッジボンドにボンディングされている、請求項１７記載のパッケージ。
【請求項１９】
第１ワイヤーが、ボールボンドにより前記ボンドフィンガーにボンディングされ、そして第１ウェッジボンドにより前記ダイボンドパッド上に存在するボンドにボンディングされている、請求項１３記載のパッケージ。
【請求項２０】
第２ワイヤーが、第２ウェッジボンドにより前記ボンドフィンガーにボンディングされ、そしてボールボンドにより前記第１ウェッジボンドにボンディングされている、請求項１９記載のパッケージ。
【請求項２１】
第１ボンドパッドを含む第１ダイと、
第２ボンドパッドを含む第２ダイとを含み、前記第２ボンドパッドが多数のワイヤーを使って前記第１ボンドパッドに電気的に接続されており、各ワイヤーが前記第１ボンドパッドおよび前記第２ボンドパッドにボンディングされている、集積回路パッケージ。
【請求項２２】
第１ワイヤーが、第１ボールボンドを使って前記第１ボンドパッドにボンディングされ、そして第１ウェッジボンドを使って前記第２ボンドパッド上に存在するボンドにボンディングされている、請求項２１記載のパッケージ。
【請求項２３】
第２ワイヤーが、第２ボールボンドを使って前記第１ボールボンドにボンディングされ、そして第２ウェッジボンドを使って前記第１ウェッジボンドにボンディングされている、請求項２２記載のパッケージ。
【請求項２４】
前記第１ダイ上に前記第２ダイがスタックされている、請求項２１記載のパッケージ。
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図５ｃ】
【図６】
【図７ａ】
【図７ｂ】
【図７ｃ】
【図８】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図５ｃ】
【図６】
【図７ａ】
【図７ｂ】
【図７ｃ】
【図８】
【公表番号】特表２００７−５３８４１２（Ｐ２００７−５３８４１２Ａ）
【公表日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５２７４５７（Ｐ２００７−５２７４５７）
【出願日】平成１７年５月２０日（２００５．５．２０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０１７６５２
【国際公開番号】ＷＯ２００５／１１４７３１
【国際公開日】平成１７年１２月１日（２００５．１２．１）
【出願人】（５０１２２９５２８）テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド (111)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年５月２０日（２００５．５．２０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００５／０１７６５２
【国際公開番号】ＷＯ２００５／１１４７３１
【国際公開日】平成１７年１２月１日（２００５．１２．１）
【出願人】（５０１２２９５２８）テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド (111)
【Ｆターム（参考）】
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