ブロック管理システムを伴うメモリにおいて、時間が重視されるメモリ動作中のブロック内のプログラム障害が、ブレークアウトブロック内のプログラミング動作を継続することによって処理される。後のあまり危機的でないときに、中断前に障害ブロック内に記録されたデータは他のブロックに転送され、この他のブロックもブレークアウトブロックであってもよい。その後、障害ブロックを廃棄することができる。このように、プログラミング中に不良ブロックが生じる場合に、データを失うこともなく、不良ブロック内に記憶されたデータを直ちに転送しなければならないことによって指定された時間制限を超えることもなく、不良ブロックを処理することができる。このエラー処理は、危機的な最中にすべての動作を新規のブロックに対して繰り返す必要がないようにするために、ガーベッジコレクションにとっては特に重要である。その後、都合のよいときに、不良ブロックからのデータは、他のブロックへ移転されることによって復旧される。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のブロックに組織化された不揮発性メモリであって、各ブロックは、共に消去可能なメモリユニットに分割され、各メモリユニットは、データの論理ユニットを記憶するためのものである不揮発性メモリにおいて、前記メモリ内のデータを記憶する方法は、
データの論理ユニットのシーケンスを第１のブロックに記憶するステップと、
数多くの論理ユニットを記憶した後の第１のブロックにおける記憶障害に応じて、後続の論理ユニットを、第１のブロックについてのブレークアウトブロックとしての役割を果たす第２のブロックへ記憶するステップと、
予め規定されたイベントに応じて、第１のブロックに記憶された論理ユニットを第３のブロックに転送するステップと、
第１のブロックを廃棄するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第３のブロックおよび第２のブロックは、同一である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第３のブロックおよび第２のブロックは、異なっている請求項１記載の方法。
【請求項４】
数多くの論理ユニットの第１のブロックから第３のブロックへの転送には、論理ユニットの現在のバージョンのみが関与する請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記不揮発性メモリは、フローティングゲートメモリセルを有する請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記不揮発性メモリは、フラッシュＥＥＰＲＯＭである請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記不揮発性メモリは、ＮＲＯＭである請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記不揮発性メモリは、メモリカード内にある請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータの１ビットを記憶するメモリセルを有する請求項１〜８のいずれか記載の方法。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータの１ビットより多くを記憶するメモリセルを有する請求項１〜８のいずれか記載の方法。
【請求項１１】
不揮発性メモリにおいて、
複数のブロックに組織化されたメモリであって、各ブロックは、共に消去可能なメモリユニットに分割され、各メモリユニットは、データの論理ユニットを記憶するためのものであるメモリと、
前記ブロックの動作を制御するためのコントローラと、を備え、
前記コントローラは、論理ユニットのシーケンスを第１のブロックに記憶し、
前記コントローラは、数多くの論理ユニットを記憶した後の第１のブロックにおける記憶障害に応じて、後続の論理ユニットを、第１のブロックについてのブレークアウトブロックとしての役割を果たす第２のブロックに記憶し、
予め規定されたイベントに応じて、前記コントローラは、第１のブロックに記憶された論理ユニットを第３のブロックへ転送する不揮発性メモリ。
【請求項１２】
前記第３のブロックおよび第２のブロックは、同一である請求項１１記載の不揮発性メモリ。
【請求項１３】
前記第３のブロックおよび第２のブロックは、異なっている請求項１１記載の不揮発性メモリ。
【請求項１４】
論理ユニットの現在のバージョンのみが、前記コントローラによって前記第１のブロックから第３のブロックへ転送される請求項１１記載の不揮発性メモリ。
【請求項１５】
不揮発性メモリにおいて、
複数のブロックに組織化されたメモリであって、各ブロックは、共に消去可能なメモリユニットに分割され、各メモリユニットは、データの論理ユニットを記憶するためのものであるメモリと、
論理ユニットのシーケンスを第１のブロックに記憶するための手段と、
数多くの論理ユニットを記憶した後の第１のブロックにおける記憶障害に応じて、後続の論理ユニットを、第１のブロックについてのブレークアウトブロックとしての役割を果たす第２のブロックに記憶するための手段と、
予め規定されたイベントに応じて、第１のブロックに記憶された論理ユニットを第３のブロックへ転送するための手段と、
第１のブロックを廃棄するための手段と、
を備える不揮発性メモリ。
【請求項１６】
前記第３のブロックおよび第２のブロックは、同一である請求項１５記載の不揮発性メモリ。
【請求項１７】
前記第３のブロックおよび第２のブロックは、異なっている請求項１５記載の不揮発性メモリ。
【請求項１８】
論理ユニットの現在のバージョンのみが、前記コントローラによって前記第１のブロックから第３のブロックへ転送される請求項１５記載の不揮発性メモリ。
【請求項１９】
前記不揮発性メモリは、フローティングゲートメモリセルを有する請求項１１記載の不揮発性メモリ。
【請求項２０】
前記不揮発性メモリは、フラッシュＥＥＰＲＯＭである請求項１１記載の不揮発性メモリ。
【請求項２１】
前記不揮発性メモリは、ＮＲＯＭである請求項１１記載の不揮発性メモリ。
【請求項２２】
前記不揮発性メモリは、メモリカード内にある請求項１１記載の不揮発性メモリ。
【請求項２３】
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータの１ビットを記憶するメモリセルを有する請求項１１〜２２のいずれか記載の不揮発性メモリ。
【請求項２４】
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータの１ビットより多くを記憶するメモリセルを有する請求項１１〜２２のいずれか記載の不揮発性メモリ。
【請求項２５】
複数のブロックに組織化された不揮発性メモリであって、各ブロックは、共に消去可能なメモリユニットに分割され、各メモリユニットは、データの論理ユニットを記憶するためのものである不揮発性メモリにおいて、前記メモリ内のデータを記憶および更新する方法は、
データを複数の論理グループに組織化するステップであって、各論理グループは、論理ユニットのグループであるステップと、
論理ユニットにパッケージ化されたホストデータを受信するステップと、
グループの論理ユニットの第１のバージョンを第１の順序に従って第１のブロック内に記憶することによって、論理グループの元ブロックを作成するステップと、
第２の順序に従ってグループの論理ユニットの後続のバージョンを含む第２のブロック内に記憶することによって、論理グループの更新ブロックを作成するステップと、
統合化のための予め規定されたイベントに応じて、元ブロックおよび更新ブロックから収集されたグループの論理ユニットの現在のバージョンを第１の順序と同様に第３のブロック内に記憶することによって、論理グループについての統合化ブロックを作成するステップと、
統合化ブロックにおける記憶障害に応じて、統合化ブロックから失われたグループの論理ユニットを第１の順序と同様に第４のブロック内に記憶することによって、ブレークアウト統合化ブロックを設けるステップと、
第１のブロックを第２のブロックに置換し、第２のブロックを第３のブロックに置換するステップと、
を含む方法。
【請求項２６】
ブレークアウト統合化ブロックの完全な統合化のための予め規定されたイベントに応じて、ブレークアウト統合化ブロック内にそこから失われたグループの論理ユニットを第１の順序と同様に記憶するステップと、
グループの元ブロックを完全に統合化されたブレークアウト統合化ブロックに置換するステップと、
をさらに含む請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
各論理ユニットは、ホストデータのセクタである請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
各論理ユニットは、メモリのメモリページ内に記憶可能なデータの論理ページである請求項２５記載の方法。
【請求項２９】
各論理ページは、データの１つ以上のセクタを備える請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記不揮発性メモリは、フローティングゲートメモリセルを有する請求項２５記載の方法。
【請求項３１】
前記不揮発性メモリは、フラッシュＥＥＰＲＯＭである請求項２５記載の方法。
【請求項３２】
前記不揮発性メモリは、ＮＲＯＭである請求項２５記載の方法。
【請求項３３】
前記不揮発性メモリは、メモリカード内にある請求項２５記載の方法。
【請求項３４】
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータの１ビットを記憶するメモリセルを有する請求項２５〜３３のいずれか記載の方法。
【請求項３５】
前記不揮発性メモリは、それぞれがデータの１ビットより多くを記憶するメモリセルを有する、請求項２５〜３３のいずれか記載の方法。

【図１】

【図２】

【図３Ａ】

【図３Ｂ】

【図４】

【図５Ａ】

【図５Ｂ】

【図５Ｃ】

【図６】

【図７Ａ】

【図７Ｂ】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１Ａ】

【図１１Ｂ】

【図１２Ａ】

【図１２Ｂ】

【図１３Ａ】

【図１３Ｂ】

【図１４（Ａ）−１４（Ｂ）】

【図１４（Ｃ）−１４（Ｅ）】

【図１４（Ｆ）−１４（Ｈ）】

【図１４（Ｉ）−１４（Ｊ）】

【図１５】

【図１６Ａ】

【図１６Ｂ】

【図１６Ｃ】

【図１６Ｄ】

【図１６Ｅ】

【図１７Ａ】

【図１７Ｂ】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２Ａ】

【図２２Ｂ】

【図２３Ａ】

【図２３Ｂ】

【図２４Ａ】

【図２４Ｂ】

【図２４Ｃ】

【図２５】

【図２６Ａ】

【図２６Ｂ】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１Ａ】

【図３１Ｂ】

【図３２Ａ】

【図３２Ｂ】

【図３３】

【図３４Ａ】

【図３４Ｂ】

【図３５Ａ】

【図３５Ｂ】

【図３６Ａ】

【図３６Ｂ】

【図３６Ｃ】

【図３７】

【図３８Ａ】

【図３８Ｂ】

【図３８Ｃ】

【図３９Ａ】

【図３９Ｂ】

【図４０】

【図４１Ａ】

【図４１Ｂ】

【図４２】

【図４３】

【図４４Ａ】

【図４４Ｂ】

【図４４Ｃ】

【図４５】

【図４６Ａ】

【図４６Ｂ】

【図４７】

【図４８】

【公表番号】特表２００７−５１９９９６（Ｐ２００７−５１９９９６Ａ）
【公表日】平成１９年７月１９日（２００７．７．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５４７４５７（Ｐ２００６−５４７４５７）
【出願日】平成１６年１２月２２日（２００４．１２．２２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０４３５９７
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０６６９６４
【国際公開日】平成１７年７月２１日（２００５．７．２１）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．フロッピー
【出願人】（５０６１９７９０１）サンディスク　コーポレイション (175)
【Ｆターム（参考）】