光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法
【課題】 本発明は、金属製のリフレクターとリードフレームを用いる場合においても、リフレクターとリードフレームのリード部（電極部）との間の絶縁性を確保しつつ、反射率が高く、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 金属リードフレームのリード部（電極部）を段差構造とし、この段差に絶縁性樹脂を充填することで金属リフレクターとの絶縁性を確保し、一方、金属リードフレームのダイパッド部（素子載置部）と金属リフレクターとを、伝熱性を有する接着層を介して接合することにより、上記課題を解決する。
【解決手段】 金属リードフレームのリード部（電極部）を段差構造とし、この段差に絶縁性樹脂を充填することで金属リフレクターとの絶縁性を確保し、一方、金属リードフレームのダイパッド部（素子載置部）と金属リフレクターとを、伝熱性を有する接着層を介して接合することにより、上記課題を解決する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ等の光半導体素子を載置する光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、互いに絶縁された端子部（電極）を有するリードフレームとＬＥＤ素子とを有する光半導体装置を含むものがある。
【０００３】
このような光半導体装置として、例えば、特許文献１には、ＰＬＣＣ（Plastic leaded chip carrier）タイプの光半導体装置が開示されている。特許文献１において、ＰＬＣＣタイプの光半導体装置は、リードフレームを保持する構造体と、ＬＥＤ素子を封止するドーム形カプセル材料とを有している。
【０００４】
ここで、上述のような光半導体装置においては、効率良く光を取り出すために、リフレクターを設ける必要がある。光半導体装置において、金属製の基板またはリードフレームを用いた場合には、リフレクターは樹脂により形成されることが一般的である。
しかしながら、樹脂製のリフレクターは反射率が十分でなく、かつ、樹脂劣化による反射率の低下が問題となる。また、ＬＥＤ素子の発光により生じた熱を、放熱する特性も十分ではない。
【０００５】
そこで、反射率や放熱特性を向上させることを目的に、リフレクターを金属製とすることが提案されている（特許文献２〜４）。
ただし、金属リフレクターを金属リードフレームに用いるためには、両者の絶縁を確保することが必要になる。
【０００６】
例えば、特許文献２には、絶縁性接着層を介して金属リフレクターを金属リードフレームに固定する光半導体装置、または、金属リフレクター（アルミニウム製）の表面に金属酸化膜（アルマイト）を形成し、導電性接着層を介して金属リフレクターを金属リードフレームに固定する光半導体装置が記載されている。
【０００７】
また、特許文献３には、金属リフレクターの底部を一部削除加工して段差を形成し、この段差に絶縁層を形成することで、金属リードフレームとの絶縁性を確保した光半導体装置が記載されている。
【０００８】
また、特許文献４には、金属リフレクターとダイパッドを一体に形成し、絶縁性接着層を介してリード部（電極部）が固定されている光半導体装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−４９１６７号公報
【特許文献１】特開２００９−２８３６５３号公報
【特許文献２】特開２００９−２８３６５４号公報
【特許文献３】特開２０１０−２１４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、一般に、絶縁性接着層はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などから構成されており、熱伝導率が低い。
それゆえ、上述のように、絶縁性接着層を介して金属リフレクターを金属リードフレームに固定する構造では、ＬＥＤ素子からの熱を金属リードフレームから金属リフレクターに効率良く伝達させることは困難であり、これに伴い、ＬＥＤ素子からの熱を金属リフレクターから放熱させることも困難になるので、放熱特性の向上は得られ難い。
【００１１】
一方、アルマイト等の金属酸化膜は、一般に、酸化される前の金属よりも反射率が低いため、金属リフレクターの表面をアルマイトにした場合は、絶縁性は確保できたとしても、光の反射率は低下してしまうことになる。
【００１２】
また、絶縁性確保のために、金属リフレクターの底部を一部削除して段差を形成する方法では、その削除した箇所からは光が反射されないため、反射効率が低下する。
【００１３】
また、金属リフレクターとダイパッドを一体化する方法では、構造が複雑になり、このような光半導体装置を製造することは困難性を伴い、生産性が低下する。
【００１４】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、例えば、金属製のリフレクターとリードフレームを用いる場合においても、リフレクターとリードフレームのリード部（電極部）との間の絶縁性を確保しつつ、反射率が高く、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、種々研究した結果、金属リードフレームのリード部（電極部）を段差構造とし、この段差に絶縁性樹脂を充填することで金属リフレクターとの絶縁性を確保し、一方、金属リードフレームのダイパッド部（素子載置部）と金属リフレクターとを、伝熱性を有する接着層を介して接合することで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１６】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、金属材料から構成され、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面が傾斜している枠状構造を有する第１部材と、金属材料から構成され、前記第１部材の前記枠状構造の底面の一部と伝熱性を有する接着層を介して接合されている第２部材と、金属材料から構成され、接続部と、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部と、を有し、平面視上、前記接続部が前記第１部材の底側の開口内に配置され、前記薄肉部が前記第１部材の前記枠状構造の底面の下に配置されている第３部材と、を備え、絶縁性樹脂が、前記第３部材と前記第１部材とが絶縁されるように、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在し、かつ、前記第３部材と前記第２部材とが絶縁されるように、前記第３部材と前記第２部材との間に介在することを特徴とする光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００１７】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記伝熱性を有する接着層が、導電性接着層であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００１８】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在する絶縁性樹脂と、前記第１部材の枠状構造の底面の一部とが、接着層を介して接合されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００１９】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記第１部材の開口側面に、銀を含むめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００２０】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記第２部材における前記第1部材側の面、および前記第３部材の接続部における前記第1部材側の面に、銀を含むめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００２１】
また、本発明の請求項６に係る発明は、１個の前記第１部材に対して、前記第２部材または前記第３部材のいずれかを複数個、あるいはその両方を複数個有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００２２】
また、本発明の請求項７に係る発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームに用いられる光半導体装置用リードフレームであって、前記第２部材と、前記第３部材と、を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
【００２３】
また、本発明の請求項８に係る発明は、請求項７に記載の光半導体装置用リードフレームと、前記第２部材と前記第３部材との間、および、前記第３部材の薄肉部上に形成された絶縁性樹脂と、を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。
【００２４】
また、本発明の請求項９に係る発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造に用いられる光半導体装置用リードフレーム基板であって、前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材とが平面上に複数組多面付けされており、前記第２部材と前記第３部材とが多面付けされている最外周には、前記第２部材および前記第３部材を保持する外枠部を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレーム基板である。
【００２５】
また、本発明の請求項１０に係る発明は、請求項９に記載の光半導体装置用リードフレーム基板と、前記第２部材と前記第３部材との間、および、前記第３部材の薄肉部上に形成された絶縁性樹脂と、を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板である。
【００２６】
また、本発明の請求項１１に係る発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームと、前記第２部材における前記第1部材側の面に載置された光半導体素子と、前記光半導体素子を封止し、前記光半導体素子が発する光を透過する透光性樹脂と、を備えたことを特徴とする光半導体装置である。
【００２７】
また、本発明の請求項１２に係る発明は、金属材料から構成され、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面が傾斜している枠状構造を有する第１部材と、金属材料から構成され、前記第１部材の前記枠状構造の底面の一部と伝熱性を有する接着層を介して接合されている第２部材と、金属材料から構成され、接続部と、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部と、を有し、平面視上、前記接続部が前記第１部材の底側の開口内に配置され、前記薄肉部が前記第１部材の前記枠状構造の底面の下に配置されている第３部材と、を備え、絶縁性樹脂が、前記第３部材と前記第１部材とが絶縁されるように、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在し、かつ、前記第３部材と前記第２部材とが絶縁されるように、前記第３部材と前記第２部材との間に介在する光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法であって、前記第１部材が平面上に複数多面付けされた第１の基板を形成する工程と、前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材が平面上に複数組多面付けされた第２の基板を形成する工程と、前記第２の基板の前記第２部材と前記第３部材の間、および、前記第３部材の接続部と薄肉部の段差を埋めるように前記絶縁性樹脂を形成する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを位置合わせして、前記第１の基板の複数の前記第１部材の各底面の一部と、前記第２の基板の各第２部材における前記第1部材側の面とを、接着層を介して接合する工程と、を備えることを特徴とする光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法である。
【００２８】
また、本発明の請求項１３に係る発明は、請求項１２に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られた光半導体装置用反射部材付リードフレームの前記第２部材における前記第1部材側の面に光半導体素子を載置する工程と、前記第１部材の開口に前記透光性樹脂を充填し、前記光半導体素子を封止して多面付けされた光半導体装置を得る工程と、前記多面付けされた光半導体装置を個片化して個々の光半導体装置を得る工程と、を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２９】
上述のような構成を有するため、本発明によれば、リフレクターとリードフレームのリード部との間の絶縁性を確保でき、反射率が高く、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、および光半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
【図３】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの他の例の構成部材を示す斜視図である。
【図４】本発明に係る光半導体装置用リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
【図５】本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
【図６】本発明に係る光半導体装置用リードフレーム基板の一例を示す説明図である。
【図７】本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板の一例を示す説明図である。
【図８】本発明に係る光半導体装置の一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第１の基板を示す説明図である。
【図１０】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第２の基板を示す説明図であり、（ａ）は樹脂形成前の状態を示し、（ｂ）は樹脂形成後の状態を示す。
【図１１】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第１の基板と樹脂形成後の第２の基板を接合した状態を示す説明図である。
【図１２】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１３】本発明に係る光半導体装置の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１４】本発明に係る光半導体装置の一例の製造工程における光半導体素子を載置した状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法について詳細に説明する。
【００３２】
［光半導体装置用反射部材付リードフレーム］
まず、本発明の光半導体装置用反射部材付リードフレームについて説明する。
図１は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図２は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
【００３３】
図１、または図２に示すように、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレーム１は、金属材料から構成される第１部材１１、第２部材１３、および第３部材１４を備えており、第３部材１４と第１部材１１とが絶縁されるように、かつ、第３部材１４と第２部材１３とが絶縁されるように、絶縁性樹脂１５が設けられている。
【００３４】
ここで、第１部材１１は、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面１１ａが傾斜している枠状構造を有している。
また、第２部材１３は、前記第１部材の前記枠状構造の底面の一部と伝熱性を有する接着層１２ａを介して接合されている。
また、第３部材１４は、接続部１４Ａと、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部１４Ｂとを有し、平面視上、前記接続部１４Ａは前記第１部材の底側の開口内に配置されており、前記薄肉部１４Ｂは、少なくとも一部が前記第１部材１１の前記枠状構造の底面の下に配置されている。
そして、絶縁性樹脂１５が、前記第３部材と前記第１部材とが絶縁されるように、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在し、かつ、前記第３部材と前記第２部材とが絶縁されるように、前記第３部材と前記第２部材との間に介在している。
【００３５】
第１部材１１は、リフレクターとして機能するものであり、光反射性と放熱性を備えた材料である金属材料から構成されている。
また、第２部材１３は、主にリードフレームのダイパッド部（素子載置部）として機能するものであり、第３部材１４は、主にリードフレームのリード部（電極部）として機能するものである。第２部材１３および第３部材１４は、光反射性、放熱性、および導電性を備えた材料である金属材料から構成されている。
【００３６】
上述のような第１部材１１、第２部材１３、第３部材１４の材料としては、例えば、金属材料が挙げられ、好ましくは、銅（Ｃｕ）、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）である。
【００３７】
また、前記第１部材１１の開口側面１１ａには、銀（Ａｇ）を含むめっき膜が形成されていることが好ましく、前記第２部材１３における前記第１部材側の面、および前記第３部材１４の接続部上面にも、銀を含むめっき膜が形成されていることが好ましい。光半導体素子からの光を、より効率良く反射することができるからである。
ここで、第１部材１１においては、その開口側面１１ａに前記銀を含むめっき膜が形成されていれば上述の効果を奏するが、前記銀を含むめっき膜は、第１部材１１の表面全体に形成されていてもよい。
また、前記第２部材１３においては、前記第１部材１１側の面であって前記第１部材の底側の開口に対応する部分に、前記銀を含むめっき膜が形成されていれば上述の効果を奏するが、前記銀を含むめっき膜は、第２部材１３の表面全体に形成されていてもよい。
また、同様に、前記第３部材１４においては、その接続部上面に前記銀を含むめっき膜が形成されていれば上述の効果を奏するが、前記銀を含むめっき膜は、第３部材１４の表面全体に形成されていてもよい。
【００３８】
また、第１部材１１と第２部材１３を接合する接着層１２ａは、伝熱性を有するものであり、例えば、導電性接着層である。
【００３９】
また、絶縁性樹脂１５は絶縁性を有する樹脂であり、例えば、従来の光半導体装置のリフレクターに用いられている熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を用いることができる。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタンおよびポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることも可能である。
【００４０】
上述のような構成を有するため、本発明の光半導体装置用反射部材付リードフレームは、リフレクター（第１部材）とリードフレームのリード部（第３部材）との絶縁性を確保しながらも、反射率が高く、放熱性に優れたものになっている。
【００４１】
より詳しく説明すると、本発明においては、例えば金属材料のように光反射性と放熱性を備えた材料からなる枠状構造の第１部材を、リフレクターとして用いることにより、反射率が高い光半導体装置用反射部材付リードフレームとすることができる。
【００４２】
また、本発明においては、上述の特許文献３に記載されているような、絶縁性確保のために金属リフレクターの底部を一部削除して段差を形成したリードフレームとは異なり、リフレクターに相当する第１部材の底面には段差が無く、第２部材の素子載置面まで開口側面が形成されているため、光半導体素子からの光を効率よく反射することができる。
【００４３】
また、本発明においては、例えば導電性接着層のように伝熱性を有する接着層を介して、リフレクターとして機能する第１部材と、主にリードフレームのダイパッド部として機能する第２部材が接合されているため、第２部材に載置される光半導体素子からの熱を、第２部材から第１部材に効率良く伝達させることができ、かつ、第１部材から効率良く放熱させることができるので、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレームとすることができる。
【００４４】
一方、主にリードフレームのリード部（電極部）として機能する第３部材について述べると、図１に示すように、まず、接続部１４Ａは、平面視上、第１部材１１の底側の開口内に配置されるため、第１部材１１とは非接触な関係、すなわち絶縁された関係であり、また、薄肉部１４Ｂは、第１部材１１の枠状構造の底面との間に絶縁性樹脂１５が介在するため、第１部材１１とは絶縁された関係である。
それゆえ、第３部材１４は、第１部材１１から絶縁されており、例えば、第１部材１１を介して、第３部材１４と第２部材とが短絡するということはない。
なお、第３部材１４と第２部材１３との間には、絶縁性樹脂１５が介在するため、第３部材１４と第２部材が直接接触することで短絡するということはない。
すなわち、本発明における第３部材１４は、第１部材１１および第２部材１３に対し、絶縁性を確保したものである。
【００４５】
また、本発明においては、図１に示すように、第１部材１１の前記枠状構造の底面の一部と、第３部材１４の薄肉部１４Ｂと第１部材１１の枠状構造の底面との間に形成された絶縁性樹脂１５とが、接着層１２ｂを介して接合されている構成としてもよい。
【００４６】
このような構成であれば、第１部材１１と絶縁性樹脂１５との接合は、接着層１２ｂが担うことになるため、絶縁性樹脂１５には接合特性は要求されず、絶縁性樹脂１５の材料選択において、より自由度が増すことになる。例えば、絶縁性樹脂１５の材料として、光の反射特性がより高い材料を選択することができる。
【００４７】
なお、上述の第１部材１１と第２部材１３とを接合する接着層１２ａは、例えば、導電性接着層のように、高い伝熱性を有することが好ましいが、この第１部材１１と絶縁性樹脂１５とを接合する接着層１２ｂは、伝熱性については特に要求されず、導電性接着層以外に絶縁性接着層であっても良い。
【００４８】
なお、図１および図２においては、１個の第１部材１１に対して、１個の第２部材１３、および１個の第３部材１４を有する光半導体装置用反射部材付リードフレームの例を示しているが、本発明においては、載置する光半導体素子の数や種類に応じて、１個の前記第１部材に対して、前記第２部材または前記第３部材のいずれかを複数個、あるいはその両方を複数個有する形態であってもよい。
【００４９】
図３は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの他の例の構成部材を示す斜視図である。なお、煩雑となるのを避けるため、図３においては、図２における第１部材１１、および樹脂１５は記載せず、第２部材と第３部材のみを図示している。
【００５０】
例えば、図３（ａ）または図３（ｂ）に示すように、本発明においては、１個の第１部材に対して、１個の第２部材と２個の第３部材を有する構成としても良い。
ここで、図３（ａ）に示す例においては、１個の第２部材１３ａの一側面に対向して、２個の第３部材１４ａ、１４ｂが配置されており、図３（ｂ）に示す例においては、１個の第２部材１３ｂを両側から挟むようにして、２個の第３部材１４ｃ、１４ｄが配置されている。
【００５１】
また、同様に、本発明においては、１個の前記第１部材に対して、２個の第２部材と１個の第３部材を有する構成としても良い。例えば、図３（ｂ）に示す例においては、２個の第２部材１３ｃ、１３ｄの間に１個の第３部材１４ｅが配置されている。
【００５２】
なお、上記の実施形態は例示であり、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５３】
［光半導体装置用リードフレーム］
次に、本発明の光半導体装置用リードフレームについて説明する。
図４は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
図４に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム２は、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームに用いられる光半導体装置用リードフレームであって、第２部材１３と、第３部材１４とを有するものである。
なお、第２部材１３、および第３部材１４については、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
また、本発明の光半導体装置用リードフレームは、上述の図３に示す第２部材および第３部材から構成されていても良い。
【００５４】
［樹脂付き光半導体装置用リードフレーム］
次に、本発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームについて説明する。
図５は、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
図５に示すように、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３は、上述の光半導体装置用リードフレーム２と、第２部材１３と第３部材１４との間、および、第３部材１４の薄肉部１４Ｂの上に形成された絶縁性樹脂１５と、を備えたものである。
なお、第２部材１３、第３部材１４、および絶縁性樹脂１５については、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００５５】
［光半導体装置用リードフレーム基板］
次に、本発明の光半導体装置用リードフレーム基板について説明する。
図６は、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム基板の一例を示す説明図である。
図６に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム基板４は、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造に用いられる光半導体装置用リードフレーム基板であって、前記第１部材１１に対応する一組の前記第２部材１３と前記第３部材１４とが平面上に複数組多面付けされており、前記第２部材１３と前記第３部材１４とが多面付けされている最外周には、前記第２部材１３および前記第３部材１４を保持する外枠部４１を有するものである。
一組の第２部材１３と第３部材１４の外周は、ダイシングライン４２になっており、一組の第２部材と第３部材と隣接する他の一組の第２部材と第３部材は、このダイシングライン４２で分離されることにより、個々の光半導体装置用リードフレームとなる。
なお、第２部材１３、および第３部材１４については、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００５６】
［樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板］
次に、本発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板について説明する。
図７は、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板の一例を示す説明図である。
図７に示すように、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板５は、上述の光半導体装置用リードフレーム基板と、前記第２部材と前記第３部材との間、および、前記第３部材の薄肉部の上に形成された絶縁性樹脂１５と、を備えたものである。
上述の光半導体装置用リードフレーム基板と同様に、この樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板５においても、一組の第２部材１３と第３部材１４の外周は、ダイシングライン４２になっており、一組の第２部材と第３部材と隣接する他の一組の第２部材と第３部材は、このダイシングライン４２で分離されることにより、個々の樹脂付き光半導体装置用リードフレームとなる。
なお、第２部材１３、第３部材１４、および絶縁性樹脂１５については、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００５７】
［光半導体装置］
次に、本発明の光半導体装置について説明する。
図８は、本発明に係る光半導体装置の一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００５８】
図８に示すように、本発明に係る光半導体装置２０は、上述の本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームと、前記第１部材１１の底側の開口内の前記第２部材１３の上面に載置された光半導体素子２１と、前記光半導体素子２１を封止し、少なくとも前記光半導体素子２１が発する光の一部を透過する透光性樹脂２４と、を備えたものである。
【００５９】
本発明に係る光半導体装置においては、リードフレームとして、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレームを用いているため、リフレクターとリードフレームのリード部との絶縁性を確保しながらも、反射率が高く、放熱性に優れた光半導体装置とすることができる。
【００６０】
上述の光半導体素子としては、例えば、従来一般に用いられているＬＥＤ素子を用いることができる。ここで、ＬＥＤ素子は、発光層として、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、または、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができるものである。
【００６１】
光半導体素子の載置形態としては、例えば、図８に示すように、１個の第２部材１３の上面に１個の光半導体素子２１が載置され、２本のボンディングワイヤ２２により、第２部材１３および第３部材１４に接続される形態がある。
また、図示はしないが、光半導体素子が、第２部材と第３部材に跨るように載置され、ボンディングワイヤに代えて、半田や、導電性および伝熱性を有する接着剤等によって、第２部材と第３部材に接続される形態（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）もある。
【００６２】
また、上述の図３（ａ）または図３（ｂ）に示すリードフレームを用いる場合は、１個の第２部材１３ａまたは１３ｂの上面に２個の光半導体素子が載置され、ボンディングワイヤにより、第２部材と、２個の第３部材１４ａと１４ｂ、または１４ｃと１４ｄに接続される形態が挙げられる。
【００６３】
さらに、上述の図３（ｃ）に示すリードフレームを用いる場合は、２個の第２部材１３ｃおよび１３ｄの上面にそれぞれ光半導体素子が１個載置され、ボンディングワイヤにより、２個の第２部材１３ｃ、１３ｄと１個の第３部材１４ｅに接続される形態が挙げられる。
【００６４】
なお、光半導体素子２１は、一般に、半田や、伝熱性を有する接着剤２３により固定実装される。ここで、半田の代わりにダイボンディングペーストを用いる場合には、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
【００６５】
また、ボンディングワイヤ２２は、例えば、金（Ａｕ）等の導電性の良い材料からなり、１本のボンディングワイヤ２２により光半導体素子２１と第２部材が接続され、別のボンディングワイヤ２２により光半導体素子２１と第３部材が接続される。
なお、光半導体素子と第２部材、および第３部材との接続には、上述のように、ボンディングワイヤに代えて、半田や、導電性を有する接着剤等によって、第２部材、および第３部材に接続される方法もある。
また、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）、ＮＣＦ（非導電性フィルム）、またはＮＣＰ（非導電性ペースト）等を用いて光半導体素子の端子を第２部材、および第３部材の端子部に直接接合する方法もある。
【００６６】
次に、透光性樹脂について説明する。
本発明に係る透光性樹脂としては、光の取り出し効率を向上させるために、光半導体素子の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、光半導体素子として高輝度ＬＥＤを用いる場合、透光性樹脂は強い光にさらされるため、透光性樹脂は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。
【００６７】
なお、第１部材１１等、光半導体装置用反射部材付リードフレームを構成する各部材については、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００６８】
［光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法］
次に、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法について説明する。
本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法は、前記第１部材が平面上に複数多面付けされた第１の基板を形成する工程と、前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材が平面上に複数組多面付けされた第２の基板を形成する工程と、前記第２の基板の前記第２部材と前記第３部材の間、および前記第３部材の接続部と薄肉部の段差を埋めるように前記絶縁性樹脂を形成する工程と、前記第１の基板の複数の第１部材と対応する前記第２の基板の各第２部材とを位置合わせして、前記第１の基板の複数の前記第１部材の各底面の一部と前記第２の基板の各第２部材における前記第1部材側の面とを接着層を介して接合し、多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレームを形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００６９】
まず、上述の製造方法における第１の基板を形成する工程について説明する。
図９は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第１の基板を示す説明図である。
図９に示すように、平板状の第１の基板３０には、第１部材１１が多面付けされており、最外周には、前記第１部材１１を保持する外枠部３１が設けられている。そして、隣接する第１部材１１と第１部材１１の間は、個々の光半導体装置に分離されるためのダイシングライン３２になっている。
【００７０】
第１の基板３０を構成する材料は、第１部材１１を構成する材料と同じであり、例えば、銅（Ｃｕ）、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。また、第１の基板３０の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲である。
【００７１】
また、第１の基板３０における第１部材１１の開口側面には、銀（Ａｇ）を含むめっき膜が形成されていることが好ましい。光半導体素子からの光を、より効率良く反射することができるからである。なお、前記めっき膜は、第１の基板３０の表面全体に形成されていても良い。
前記めっき膜の厚みは、例えば、０．０２μｍ〜１２μｍの範囲である。
【００７２】
上述のような第１の基板３０は、エッチング法やプレス法等の加工方法を用いて金属基板等を加工することで形成することができる。
例えば、第１の基板３０の材料として、銅を用いる場合、感光性レジストを塗布し、露光現像してパターニングした後に、エッチング液に塩化第二鉄水溶液を使用して、スプレーエッチングで加工することができる。
【００７３】
なお、本発明において第１部材は、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面が傾斜している枠状構造を有するが、例えば、上記のようにエッチング法で第１の基板３０を加工する場合には、そのエッチング条件（スプレー圧や温度等）を調整することにより、前記開口側面の傾斜を所望の形状に形成することができる。
【００７４】
また、上述のような銀を含むめっき膜を形成する場合は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電解めっきを施すことにより、第１の基板３０の表面に、めっき膜を形成することができる。
なお、前記めっき膜を形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程、を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき膜を形成してもよい。
【００７５】
次に、上述の製造方法における第２の基板を形成する工程について説明する。
図１０は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第２の基板を示す説明図であり、（ａ）は樹脂形成前の状態を示し、（ｂ）は樹脂形成後の状態を示す。
【００７６】
まず、図１０（ａ）に示すように、第２の基板４０には、上述の第１の基板３０に多面付けされたそれぞれの第１部材１１に対応する、一組の第２部材１３と第３部材１４が、平面上に複数組多面付けされており、前記第２部材１３と前記第３部材１４が多面付けされている最外周には、前記第２部材１３および前記第３部材１４を保持する外枠部４１が設けられている。そして、一組の第２部材１３と第３部材１４の外周は、個々の光半導体装置に分離されるためのダイシングライン４２になっている。
すなわち、図１０（ａ）に示す第２の基板４０は、上述の図６に示す光半導体装置用リードフレーム基板４と同じ構成要素を有するものである。
【００７７】
第２の基板４０を構成する材料は、第２部材１３、および第３部材１４を構成する材料と同じであり、例えば、銅（Ｃｕ）、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。第２の基板４０の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲である。
【００７８】
また、第２の基板４０における第２部材１３の上面、および第３部材１４の段差上面には、銀（Ａｇ）を含むめっき膜が形成されていることが好ましい。光半導体素子からの光を、より効率良く反射することができるからである。なお、前記めっき膜は、第２の基板４０の表面全体に形成されていても良い。
前記めっき膜の厚みは、例えば、０．０２μｍ〜１２μｍの範囲である。
【００７９】
上述のような第２の基板４０は、エッチング法やプレス法等の加工方法を用いて金属基板等を加工することで形成することができる。
例えば、第２の基板４０の材料として、銅を用いる場合、感光性レジストを塗布し、露光現像してパターニングした後に、エッチング液に塩化第二鉄水溶液を使用して、スプレーエッチングで加工することができる。
【００８０】
なお、本発明において第３部材１４は、上述のように、接続部１４Ａと、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部１４Ｂとを有するが、このような段差構造は、例えば、第２の基板４０をハーフエッチング加工することで得ることができる。
【００８１】
また、上述のような銀を含むめっき膜を形成する場合は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電解めっきを施すことにより、第２の基板４０の表面に、めっき膜を形成することができる。
なお、前記めっき膜を形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程、を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき膜を形成してもよい。
【００８２】
次に、図１０（ｂ）に示すように、第２の基板４０の第２部材１３と第３部材１４の間、および第３部材１４の薄肉部１４Ｂの上には、絶縁性樹脂１５が形成される。
絶縁性樹脂１５の形成は、例えば、所望の形状に加工した金型を用いて、熱可塑性樹脂を射出成型またはトランスファ成型することにより形成することができ、これにより、第２の基板４０と絶縁性樹脂１５とが一体に結合される。
なお、図１０（ｂ）に示す樹脂付き第２の基板５０は、上述の図７に示す樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板５と同じ構成要素を有するものである。
【００８３】
次に、本発明の製造工程における前記第１の基板と前記絶縁性樹脂を形成した前記第２の基板とを接合し、多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレームを形成する工程について説明する。
本発明においては、前記第１の基板３０と前記樹脂付き第２の基板５０とを位置合わせして、前記第１の基板３０の複数の前記第１部材１１の各底面の一部と、それぞれ対応する前記樹脂付き第２の基板５０の各第２部材１３における前記第１部材側の面とを、接着層１２ａを介して接合し、多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレーム６０を形成する。
なお、前記第１の基板３０と前記樹脂付き第２の基板５０との位置合わせは、公知の方法で行えばよい。また、前記接着層１２ａは、公知の方法で形成することができる。
【００８４】
図１１は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第１の基板と樹脂形成後の第２の基板を接合した状態を示す説明図である。
図１１に示すように、接合後の第１の基板３０の複数の第１部材１１の開口からは、それぞれ対応する樹脂付き第２の基板５０の一組の第２部材１３の上面の一部、第３部材１４の接続部１４Ａ、および、絶縁性樹脂１５の一部が露出している。
すなわち、図１１は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレーム１が、平板状に多面付けされた形態を示しており、例えば、ダイシングライン３２で切断（ダイシング）されることによって、多面付け光半導体装置用反射部材付リードフレーム６０から、個片化された個々の光半導体装置用反射部材付リードフレーム１を得ることができる。
なお、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームを用いて光半導体装置を製造する方法としては、例えば、光半導体装置用反射部材付リードフレームを個片化した後に半導体素子載置工程を行う方法や、光半導体装置用反射部材付リードフレームが多面付けされた状態で半導体素子載置工程を行う方法があり、本発明においては、いずれの方法も用いることができるが、製造効率の面から、後述の多面付けされた状態で半導体素子載置工程を行う方法が好ましい。
【００８５】
次に、上述の本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程を、各工程における断面図を用いて説明する。
図１２は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【００８６】
まず、図１２（ａ）に示すように、平板状の第２の基板材料４０Ａを準備し、上述のエッチング法やプレス法により所望の形状に加工して、一組の第２部材１３と第３部材１４が平面上に複数組多面付けされた第２の基板４０を形成する（図１２（ｂ））。なお、図示はしないが、上述のように、電解めっき法により、第２の基板４０の表面に銀を含むめっき膜を形成しても良い。
【００８７】
次に、図１２（ｃ）に示すように、第２の基板４０の第２部材１３と第３部材１４の間、および第３部材１４の接続部１４Ａと薄肉部１４Ｂの段差を埋めるように、絶縁性樹脂１５を形成する。成型方法には、上述のように、所望の形状に加工した金型を用いて、熱可塑性樹脂を射出成型またはトランスファ成型する方法を用いることができる。
【００８８】
次に、図１２（ｄ）に示すように、別途、エッチング法等で形成した第１の基板３０と、前記絶縁性樹脂１５を形成した第２の基板（樹脂付き第２の基板５０）とを、位置合わせし、第１の基板３０の複数の第１部材１１の底面の一部と、それぞれ対応する樹脂付き第２の基板５０の各第２部材１３における前記第１部材側の面とを、接着層１２ａを介して接合して、多面付けされた形態の本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレーム６０を得る（図１２（ｅ））。
【００８９】
なお、図１２（ｄ）に示す例においては、図１における接着層１２ｂが接着層１２ａと同じであり、導電性接着層を用いている。ここで、図１２（ｄ）においては、第１の基板３０の底面に接着層１２ａが形成されている例を示しているが、接着層１２ａは、第２の基板４０、および樹脂１５の上面に形成されていても良い。
【００９０】
上述のように、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法によれば、第１部材が平面上に複数多面付けされた第１の基板と、前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材が平面上に複数組多面付けされた樹脂付き第２の基板とを、位置合わせして、接着層を介して接合することで、複数個の本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームを、一括して製造することができる。
また、前記第１の基板、および前記樹脂付き第２の基板とも、互いに接合する面は平坦であるため、突起形状がある場合に比べて、位置合わせや接合は容易である。
それゆえ、本発明によれば、生産性良く、光半導体装置用反射部材付リードフレームを製造することができる。
【００９１】
また、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られる光半導体装置用反射部材付リードフレームは、リフレクター（第１部材）とリードフレームのリード部（第３部材）との絶縁性を確保しながらも、反射率が高く、放熱性に優れたものになっている。
【００９２】
より詳しく説明すると、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られる光半導体装置用反射部材付リードフレームは、金属材料のように光反射性と放熱性を備えた材料からなる枠状構造の第１部材を、リフレクターとして用いることにより、反射率が高い光半導体装置用反射部材付リードフレームとすることができる。
【００９３】
また、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られる光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいては、上述の特許文献３に記載されているような、絶縁性確保のために金属リフレクターの底部を一部削除して段差を形成したリードフレームとは異なり、リフレクターに相当する第１部材の底面には段差が無く、第２部材の素子載置面まで開口側面が形成されているため、光半導体素子からの光を効率よく反射することができる。
【００９４】
また、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られる光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいては、例えば導電性接着層のように伝熱性を有する接着層を介して、リフレクターとして機能する第１部材と、主にリードフレームのダイパッド部として機能する第２部材が接合されているため、第２部材に載置される光半導体素子からの熱を、第２部材から第１部材に効率良く伝達させることができ、かつ、第１部材から効率良く放熱させることができるので、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレームとすることができる。
【００９５】
［光半導体装置の製造方法］
次に、本発明に係る光半導体装置の製造方法について、説明する。
図１３は、本発明に係る光半導体装置の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
また、図１４は、本発明に係る光半導体装置の一例の製造工程における光半導体素子を載置した状態を示す説明図である。
【００９６】
本発明に係る光半導体装置の製造方法は、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られた多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレームの前記第２部材における前記第１部材側の面に光半導体素子を載置する工程と、前記第１部材の開口に前記透光性樹脂を充填し、前記光半導体素子を封止して多面付けされた光半導体装置を得る工程と、前記多面付けされた光半導体装置を個片化して個々の光半導体装置を得る工程と、を備えることを特徴とする。
【００９７】
本発明に係る光半導体装置の製造方法としては、まず、図１３（ａ）に示すように、上述の製造方法により得られた多面付け光半導体装置用反射部材付リードフレーム６０を準備し、次いで、第１部材１１の開口内の第２部材１３の上面に、半田、または伝熱性を有する接着剤２３を介して光半導体素子２１を載置し、ボンディングワイヤ２２により、光半導体素子２１と第２部材１３、および、光半導体素子２１と第３部材１４とを電気的に接続する。（図１３（ｂ））。
【００９８】
ここで、第３部材１４は、接続部１４Ａと薄肉部１４Ｂからなる段差構造を有しているため、接続部１４Ａの上面を、第２部材１３の上面と同じ高さ位置にしておけば、ボンディングワイヤ２２による接続は容易になる。
【００９９】
なお、この図１３（ｂ）における状態の平面図が、図１４に相当する。
図１４に示すように、第１の基板３０に多面付けされた複数個の第１部材１１の開口内の第２部材１３の上面には、光半導体素子２１が載置され、ボンディングワイヤ２２により、光半導体素子２１と第２部材１３、および、光半導体素子２１と第３部材１４とが、電気的に接続されている。
【０１００】
次に、図１３（ｃ）に示すように、第１部材１１の開口に透光性樹脂２４を充填して光半導体素子２１を封止し、次いで、第１の基板３０、接着層１２ａ、および第２の基板４０を、ダイシングライン３２で切断（ダイシング）して、個片化された個々の光半導体装置２０を得る（図１３（ｄ）、（ｅ））。
【０１０１】
上述のように、本発明によれば、前記光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られた多面付け光半導体装置用反射部材付リードフレームを用いて、複数個の光半導体装置を一括して製造することができる。
ここで、前記多面付け光半導体装置用反射部材付リードフレームは、従来の平板状のリードフレームに樹脂製のリフレクターを形成したリードフレームと同様に扱えるため、従来と同様な自動化ラインを用いて、本発明に係る光半導体装置を一括して製造することができる。
すなわち、特殊な専用ラインを新たに導入する必要がないため、生産コストの上昇を抑制することができる。
【０１０２】
また、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームは、従来の樹脂製のリフレクターを有するリードフレームに比べて、反射率が高く、放熱性に優れたものであるため、本発明に係る光半導体装置も、従来の樹脂製のリフレクターを有する光半導体装置に比べて、反射率が高く、放熱性に優れたものになる。
【０１０３】
以上、本発明の光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１０４】
１・・・光半導体装置用反射部材付リードフレーム
２・・・光半導体装置用リードフレーム
３・・・樹脂付き光半導体装置用リードフレーム
４・・・光半導体装置用リードフレーム基板
５・・・樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板
１１・・・第１部材
１１ａ・・・開口側面
１２ａ・・・接着層
１２ｂ・・・接着層
１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ・・・第２部材
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ・・・第３部材
１４Ａ・・・接続部
１４Ｂ・・・薄肉部
１５・・・絶縁性樹脂
２０・・・光半導体装置
２１・・・光半導体素子
２２・・・ボンディングワイヤ
２３・・・接着剤
２４・・・透光性樹脂
３０・・・第１の基板
３１・・・外枠部
３２・・・ダイシングライン
４０・・・第２の基板
４０Ａ・・・第２の基板材料
４１・・・外枠部
４２・・・ダイシングライン
５０・・・樹脂付き第２の基板
６０・・・多面付け光半導体装置用反射部材付リードフレーム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ等の光半導体素子を載置する光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、互いに絶縁された端子部（電極）を有するリードフレームとＬＥＤ素子とを有する光半導体装置を含むものがある。
【０００３】
このような光半導体装置として、例えば、特許文献１には、ＰＬＣＣ（Plastic leaded chip carrier）タイプの光半導体装置が開示されている。特許文献１において、ＰＬＣＣタイプの光半導体装置は、リードフレームを保持する構造体と、ＬＥＤ素子を封止するドーム形カプセル材料とを有している。
【０００４】
ここで、上述のような光半導体装置においては、効率良く光を取り出すために、リフレクターを設ける必要がある。光半導体装置において、金属製の基板またはリードフレームを用いた場合には、リフレクターは樹脂により形成されることが一般的である。
しかしながら、樹脂製のリフレクターは反射率が十分でなく、かつ、樹脂劣化による反射率の低下が問題となる。また、ＬＥＤ素子の発光により生じた熱を、放熱する特性も十分ではない。
【０００５】
そこで、反射率や放熱特性を向上させることを目的に、リフレクターを金属製とすることが提案されている（特許文献２〜４）。
ただし、金属リフレクターを金属リードフレームに用いるためには、両者の絶縁を確保することが必要になる。
【０００６】
例えば、特許文献２には、絶縁性接着層を介して金属リフレクターを金属リードフレームに固定する光半導体装置、または、金属リフレクター（アルミニウム製）の表面に金属酸化膜（アルマイト）を形成し、導電性接着層を介して金属リフレクターを金属リードフレームに固定する光半導体装置が記載されている。
【０００７】
また、特許文献３には、金属リフレクターの底部を一部削除加工して段差を形成し、この段差に絶縁層を形成することで、金属リードフレームとの絶縁性を確保した光半導体装置が記載されている。
【０００８】
また、特許文献４には、金属リフレクターとダイパッドを一体に形成し、絶縁性接着層を介してリード部（電極部）が固定されている光半導体装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−４９１６７号公報
【特許文献１】特開２００９−２８３６５３号公報
【特許文献２】特開２００９−２８３６５４号公報
【特許文献３】特開２０１０−２１４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、一般に、絶縁性接着層はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などから構成されており、熱伝導率が低い。
それゆえ、上述のように、絶縁性接着層を介して金属リフレクターを金属リードフレームに固定する構造では、ＬＥＤ素子からの熱を金属リードフレームから金属リフレクターに効率良く伝達させることは困難であり、これに伴い、ＬＥＤ素子からの熱を金属リフレクターから放熱させることも困難になるので、放熱特性の向上は得られ難い。
【００１１】
一方、アルマイト等の金属酸化膜は、一般に、酸化される前の金属よりも反射率が低いため、金属リフレクターの表面をアルマイトにした場合は、絶縁性は確保できたとしても、光の反射率は低下してしまうことになる。
【００１２】
また、絶縁性確保のために、金属リフレクターの底部を一部削除して段差を形成する方法では、その削除した箇所からは光が反射されないため、反射効率が低下する。
【００１３】
また、金属リフレクターとダイパッドを一体化する方法では、構造が複雑になり、このような光半導体装置を製造することは困難性を伴い、生産性が低下する。
【００１４】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、例えば、金属製のリフレクターとリードフレームを用いる場合においても、リフレクターとリードフレームのリード部（電極部）との間の絶縁性を確保しつつ、反射率が高く、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、種々研究した結果、金属リードフレームのリード部（電極部）を段差構造とし、この段差に絶縁性樹脂を充填することで金属リフレクターとの絶縁性を確保し、一方、金属リードフレームのダイパッド部（素子載置部）と金属リフレクターとを、伝熱性を有する接着層を介して接合することで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１６】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、金属材料から構成され、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面が傾斜している枠状構造を有する第１部材と、金属材料から構成され、前記第１部材の前記枠状構造の底面の一部と伝熱性を有する接着層を介して接合されている第２部材と、金属材料から構成され、接続部と、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部と、を有し、平面視上、前記接続部が前記第１部材の底側の開口内に配置され、前記薄肉部が前記第１部材の前記枠状構造の底面の下に配置されている第３部材と、を備え、絶縁性樹脂が、前記第３部材と前記第１部材とが絶縁されるように、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在し、かつ、前記第３部材と前記第２部材とが絶縁されるように、前記第３部材と前記第２部材との間に介在することを特徴とする光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００１７】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記伝熱性を有する接着層が、導電性接着層であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００１８】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在する絶縁性樹脂と、前記第１部材の枠状構造の底面の一部とが、接着層を介して接合されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００１９】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記第１部材の開口側面に、銀を含むめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００２０】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記第２部材における前記第1部材側の面、および前記第３部材の接続部における前記第1部材側の面に、銀を含むめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００２１】
また、本発明の請求項６に係る発明は、１個の前記第１部材に対して、前記第２部材または前記第３部材のいずれかを複数個、あるいはその両方を複数個有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームである。
【００２２】
また、本発明の請求項７に係る発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームに用いられる光半導体装置用リードフレームであって、前記第２部材と、前記第３部材と、を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
【００２３】
また、本発明の請求項８に係る発明は、請求項７に記載の光半導体装置用リードフレームと、前記第２部材と前記第３部材との間、および、前記第３部材の薄肉部上に形成された絶縁性樹脂と、を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。
【００２４】
また、本発明の請求項９に係る発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造に用いられる光半導体装置用リードフレーム基板であって、前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材とが平面上に複数組多面付けされており、前記第２部材と前記第３部材とが多面付けされている最外周には、前記第２部材および前記第３部材を保持する外枠部を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレーム基板である。
【００２５】
また、本発明の請求項１０に係る発明は、請求項９に記載の光半導体装置用リードフレーム基板と、前記第２部材と前記第３部材との間、および、前記第３部材の薄肉部上に形成された絶縁性樹脂と、を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板である。
【００２６】
また、本発明の請求項１１に係る発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームと、前記第２部材における前記第1部材側の面に載置された光半導体素子と、前記光半導体素子を封止し、前記光半導体素子が発する光を透過する透光性樹脂と、を備えたことを特徴とする光半導体装置である。
【００２７】
また、本発明の請求項１２に係る発明は、金属材料から構成され、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面が傾斜している枠状構造を有する第１部材と、金属材料から構成され、前記第１部材の前記枠状構造の底面の一部と伝熱性を有する接着層を介して接合されている第２部材と、金属材料から構成され、接続部と、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部と、を有し、平面視上、前記接続部が前記第１部材の底側の開口内に配置され、前記薄肉部が前記第１部材の前記枠状構造の底面の下に配置されている第３部材と、を備え、絶縁性樹脂が、前記第３部材と前記第１部材とが絶縁されるように、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在し、かつ、前記第３部材と前記第２部材とが絶縁されるように、前記第３部材と前記第２部材との間に介在する光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法であって、前記第１部材が平面上に複数多面付けされた第１の基板を形成する工程と、前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材が平面上に複数組多面付けされた第２の基板を形成する工程と、前記第２の基板の前記第２部材と前記第３部材の間、および、前記第３部材の接続部と薄肉部の段差を埋めるように前記絶縁性樹脂を形成する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを位置合わせして、前記第１の基板の複数の前記第１部材の各底面の一部と、前記第２の基板の各第２部材における前記第1部材側の面とを、接着層を介して接合する工程と、を備えることを特徴とする光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法である。
【００２８】
また、本発明の請求項１３に係る発明は、請求項１２に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られた光半導体装置用反射部材付リードフレームの前記第２部材における前記第1部材側の面に光半導体素子を載置する工程と、前記第１部材の開口に前記透光性樹脂を充填し、前記光半導体素子を封止して多面付けされた光半導体装置を得る工程と、前記多面付けされた光半導体装置を個片化して個々の光半導体装置を得る工程と、を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２９】
上述のような構成を有するため、本発明によれば、リフレクターとリードフレームのリード部との間の絶縁性を確保でき、反射率が高く、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、および光半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
【図３】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの他の例の構成部材を示す斜視図である。
【図４】本発明に係る光半導体装置用リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
【図５】本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
【図６】本発明に係る光半導体装置用リードフレーム基板の一例を示す説明図である。
【図７】本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板の一例を示す説明図である。
【図８】本発明に係る光半導体装置の一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第１の基板を示す説明図である。
【図１０】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第２の基板を示す説明図であり、（ａ）は樹脂形成前の状態を示し、（ｂ）は樹脂形成後の状態を示す。
【図１１】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第１の基板と樹脂形成後の第２の基板を接合した状態を示す説明図である。
【図１２】本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１３】本発明に係る光半導体装置の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図１４】本発明に係る光半導体装置の一例の製造工程における光半導体素子を載置した状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法について詳細に説明する。
【００３２】
［光半導体装置用反射部材付リードフレーム］
まず、本発明の光半導体装置用反射部材付リードフレームについて説明する。
図１は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図２は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
【００３３】
図１、または図２に示すように、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレーム１は、金属材料から構成される第１部材１１、第２部材１３、および第３部材１４を備えており、第３部材１４と第１部材１１とが絶縁されるように、かつ、第３部材１４と第２部材１３とが絶縁されるように、絶縁性樹脂１５が設けられている。
【００３４】
ここで、第１部材１１は、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面１１ａが傾斜している枠状構造を有している。
また、第２部材１３は、前記第１部材の前記枠状構造の底面の一部と伝熱性を有する接着層１２ａを介して接合されている。
また、第３部材１４は、接続部１４Ａと、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部１４Ｂとを有し、平面視上、前記接続部１４Ａは前記第１部材の底側の開口内に配置されており、前記薄肉部１４Ｂは、少なくとも一部が前記第１部材１１の前記枠状構造の底面の下に配置されている。
そして、絶縁性樹脂１５が、前記第３部材と前記第１部材とが絶縁されるように、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在し、かつ、前記第３部材と前記第２部材とが絶縁されるように、前記第３部材と前記第２部材との間に介在している。
【００３５】
第１部材１１は、リフレクターとして機能するものであり、光反射性と放熱性を備えた材料である金属材料から構成されている。
また、第２部材１３は、主にリードフレームのダイパッド部（素子載置部）として機能するものであり、第３部材１４は、主にリードフレームのリード部（電極部）として機能するものである。第２部材１３および第３部材１４は、光反射性、放熱性、および導電性を備えた材料である金属材料から構成されている。
【００３６】
上述のような第１部材１１、第２部材１３、第３部材１４の材料としては、例えば、金属材料が挙げられ、好ましくは、銅（Ｃｕ）、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）である。
【００３７】
また、前記第１部材１１の開口側面１１ａには、銀（Ａｇ）を含むめっき膜が形成されていることが好ましく、前記第２部材１３における前記第１部材側の面、および前記第３部材１４の接続部上面にも、銀を含むめっき膜が形成されていることが好ましい。光半導体素子からの光を、より効率良く反射することができるからである。
ここで、第１部材１１においては、その開口側面１１ａに前記銀を含むめっき膜が形成されていれば上述の効果を奏するが、前記銀を含むめっき膜は、第１部材１１の表面全体に形成されていてもよい。
また、前記第２部材１３においては、前記第１部材１１側の面であって前記第１部材の底側の開口に対応する部分に、前記銀を含むめっき膜が形成されていれば上述の効果を奏するが、前記銀を含むめっき膜は、第２部材１３の表面全体に形成されていてもよい。
また、同様に、前記第３部材１４においては、その接続部上面に前記銀を含むめっき膜が形成されていれば上述の効果を奏するが、前記銀を含むめっき膜は、第３部材１４の表面全体に形成されていてもよい。
【００３８】
また、第１部材１１と第２部材１３を接合する接着層１２ａは、伝熱性を有するものであり、例えば、導電性接着層である。
【００３９】
また、絶縁性樹脂１５は絶縁性を有する樹脂であり、例えば、従来の光半導体装置のリフレクターに用いられている熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を用いることができる。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタンおよびポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることも可能である。
【００４０】
上述のような構成を有するため、本発明の光半導体装置用反射部材付リードフレームは、リフレクター（第１部材）とリードフレームのリード部（第３部材）との絶縁性を確保しながらも、反射率が高く、放熱性に優れたものになっている。
【００４１】
より詳しく説明すると、本発明においては、例えば金属材料のように光反射性と放熱性を備えた材料からなる枠状構造の第１部材を、リフレクターとして用いることにより、反射率が高い光半導体装置用反射部材付リードフレームとすることができる。
【００４２】
また、本発明においては、上述の特許文献３に記載されているような、絶縁性確保のために金属リフレクターの底部を一部削除して段差を形成したリードフレームとは異なり、リフレクターに相当する第１部材の底面には段差が無く、第２部材の素子載置面まで開口側面が形成されているため、光半導体素子からの光を効率よく反射することができる。
【００４３】
また、本発明においては、例えば導電性接着層のように伝熱性を有する接着層を介して、リフレクターとして機能する第１部材と、主にリードフレームのダイパッド部として機能する第２部材が接合されているため、第２部材に載置される光半導体素子からの熱を、第２部材から第１部材に効率良く伝達させることができ、かつ、第１部材から効率良く放熱させることができるので、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレームとすることができる。
【００４４】
一方、主にリードフレームのリード部（電極部）として機能する第３部材について述べると、図１に示すように、まず、接続部１４Ａは、平面視上、第１部材１１の底側の開口内に配置されるため、第１部材１１とは非接触な関係、すなわち絶縁された関係であり、また、薄肉部１４Ｂは、第１部材１１の枠状構造の底面との間に絶縁性樹脂１５が介在するため、第１部材１１とは絶縁された関係である。
それゆえ、第３部材１４は、第１部材１１から絶縁されており、例えば、第１部材１１を介して、第３部材１４と第２部材とが短絡するということはない。
なお、第３部材１４と第２部材１３との間には、絶縁性樹脂１５が介在するため、第３部材１４と第２部材が直接接触することで短絡するということはない。
すなわち、本発明における第３部材１４は、第１部材１１および第２部材１３に対し、絶縁性を確保したものである。
【００４５】
また、本発明においては、図１に示すように、第１部材１１の前記枠状構造の底面の一部と、第３部材１４の薄肉部１４Ｂと第１部材１１の枠状構造の底面との間に形成された絶縁性樹脂１５とが、接着層１２ｂを介して接合されている構成としてもよい。
【００４６】
このような構成であれば、第１部材１１と絶縁性樹脂１５との接合は、接着層１２ｂが担うことになるため、絶縁性樹脂１５には接合特性は要求されず、絶縁性樹脂１５の材料選択において、より自由度が増すことになる。例えば、絶縁性樹脂１５の材料として、光の反射特性がより高い材料を選択することができる。
【００４７】
なお、上述の第１部材１１と第２部材１３とを接合する接着層１２ａは、例えば、導電性接着層のように、高い伝熱性を有することが好ましいが、この第１部材１１と絶縁性樹脂１５とを接合する接着層１２ｂは、伝熱性については特に要求されず、導電性接着層以外に絶縁性接着層であっても良い。
【００４８】
なお、図１および図２においては、１個の第１部材１１に対して、１個の第２部材１３、および１個の第３部材１４を有する光半導体装置用反射部材付リードフレームの例を示しているが、本発明においては、載置する光半導体素子の数や種類に応じて、１個の前記第１部材に対して、前記第２部材または前記第３部材のいずれかを複数個、あるいはその両方を複数個有する形態であってもよい。
【００４９】
図３は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの他の例の構成部材を示す斜視図である。なお、煩雑となるのを避けるため、図３においては、図２における第１部材１１、および樹脂１５は記載せず、第２部材と第３部材のみを図示している。
【００５０】
例えば、図３（ａ）または図３（ｂ）に示すように、本発明においては、１個の第１部材に対して、１個の第２部材と２個の第３部材を有する構成としても良い。
ここで、図３（ａ）に示す例においては、１個の第２部材１３ａの一側面に対向して、２個の第３部材１４ａ、１４ｂが配置されており、図３（ｂ）に示す例においては、１個の第２部材１３ｂを両側から挟むようにして、２個の第３部材１４ｃ、１４ｄが配置されている。
【００５１】
また、同様に、本発明においては、１個の前記第１部材に対して、２個の第２部材と１個の第３部材を有する構成としても良い。例えば、図３（ｂ）に示す例においては、２個の第２部材１３ｃ、１３ｄの間に１個の第３部材１４ｅが配置されている。
【００５２】
なお、上記の実施形態は例示であり、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５３】
［光半導体装置用リードフレーム］
次に、本発明の光半導体装置用リードフレームについて説明する。
図４は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
図４に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム２は、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームに用いられる光半導体装置用リードフレームであって、第２部材１３と、第３部材１４とを有するものである。
なお、第２部材１３、および第３部材１４については、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
また、本発明の光半導体装置用リードフレームは、上述の図３に示す第２部材および第３部材から構成されていても良い。
【００５４】
［樹脂付き光半導体装置用リードフレーム］
次に、本発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームについて説明する。
図５は、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの一例の構成を説明する斜視図である。
図５に示すように、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３は、上述の光半導体装置用リードフレーム２と、第２部材１３と第３部材１４との間、および、第３部材１４の薄肉部１４Ｂの上に形成された絶縁性樹脂１５と、を備えたものである。
なお、第２部材１３、第３部材１４、および絶縁性樹脂１５については、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００５５】
［光半導体装置用リードフレーム基板］
次に、本発明の光半導体装置用リードフレーム基板について説明する。
図６は、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム基板の一例を示す説明図である。
図６に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム基板４は、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造に用いられる光半導体装置用リードフレーム基板であって、前記第１部材１１に対応する一組の前記第２部材１３と前記第３部材１４とが平面上に複数組多面付けされており、前記第２部材１３と前記第３部材１４とが多面付けされている最外周には、前記第２部材１３および前記第３部材１４を保持する外枠部４１を有するものである。
一組の第２部材１３と第３部材１４の外周は、ダイシングライン４２になっており、一組の第２部材と第３部材と隣接する他の一組の第２部材と第３部材は、このダイシングライン４２で分離されることにより、個々の光半導体装置用リードフレームとなる。
なお、第２部材１３、および第３部材１４については、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００５６】
［樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板］
次に、本発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板について説明する。
図７は、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板の一例を示す説明図である。
図７に示すように、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板５は、上述の光半導体装置用リードフレーム基板と、前記第２部材と前記第３部材との間、および、前記第３部材の薄肉部の上に形成された絶縁性樹脂１５と、を備えたものである。
上述の光半導体装置用リードフレーム基板と同様に、この樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板５においても、一組の第２部材１３と第３部材１４の外周は、ダイシングライン４２になっており、一組の第２部材と第３部材と隣接する他の一組の第２部材と第３部材は、このダイシングライン４２で分離されることにより、個々の樹脂付き光半導体装置用リードフレームとなる。
なお、第２部材１３、第３部材１４、および絶縁性樹脂１５については、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００５７】
［光半導体装置］
次に、本発明の光半導体装置について説明する。
図８は、本発明に係る光半導体装置の一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００５８】
図８に示すように、本発明に係る光半導体装置２０は、上述の本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームと、前記第１部材１１の底側の開口内の前記第２部材１３の上面に載置された光半導体素子２１と、前記光半導体素子２１を封止し、少なくとも前記光半導体素子２１が発する光の一部を透過する透光性樹脂２４と、を備えたものである。
【００５９】
本発明に係る光半導体装置においては、リードフレームとして、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレームを用いているため、リフレクターとリードフレームのリード部との絶縁性を確保しながらも、反射率が高く、放熱性に優れた光半導体装置とすることができる。
【００６０】
上述の光半導体素子としては、例えば、従来一般に用いられているＬＥＤ素子を用いることができる。ここで、ＬＥＤ素子は、発光層として、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、または、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができるものである。
【００６１】
光半導体素子の載置形態としては、例えば、図８に示すように、１個の第２部材１３の上面に１個の光半導体素子２１が載置され、２本のボンディングワイヤ２２により、第２部材１３および第３部材１４に接続される形態がある。
また、図示はしないが、光半導体素子が、第２部材と第３部材に跨るように載置され、ボンディングワイヤに代えて、半田や、導電性および伝熱性を有する接着剤等によって、第２部材と第３部材に接続される形態（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）もある。
【００６２】
また、上述の図３（ａ）または図３（ｂ）に示すリードフレームを用いる場合は、１個の第２部材１３ａまたは１３ｂの上面に２個の光半導体素子が載置され、ボンディングワイヤにより、第２部材と、２個の第３部材１４ａと１４ｂ、または１４ｃと１４ｄに接続される形態が挙げられる。
【００６３】
さらに、上述の図３（ｃ）に示すリードフレームを用いる場合は、２個の第２部材１３ｃおよび１３ｄの上面にそれぞれ光半導体素子が１個載置され、ボンディングワイヤにより、２個の第２部材１３ｃ、１３ｄと１個の第３部材１４ｅに接続される形態が挙げられる。
【００６４】
なお、光半導体素子２１は、一般に、半田や、伝熱性を有する接着剤２３により固定実装される。ここで、半田の代わりにダイボンディングペーストを用いる場合には、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
【００６５】
また、ボンディングワイヤ２２は、例えば、金（Ａｕ）等の導電性の良い材料からなり、１本のボンディングワイヤ２２により光半導体素子２１と第２部材が接続され、別のボンディングワイヤ２２により光半導体素子２１と第３部材が接続される。
なお、光半導体素子と第２部材、および第３部材との接続には、上述のように、ボンディングワイヤに代えて、半田や、導電性を有する接着剤等によって、第２部材、および第３部材に接続される方法もある。
また、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）、ＮＣＦ（非導電性フィルム）、またはＮＣＰ（非導電性ペースト）等を用いて光半導体素子の端子を第２部材、および第３部材の端子部に直接接合する方法もある。
【００６６】
次に、透光性樹脂について説明する。
本発明に係る透光性樹脂としては、光の取り出し効率を向上させるために、光半導体素子の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、光半導体素子として高輝度ＬＥＤを用いる場合、透光性樹脂は強い光にさらされるため、透光性樹脂は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。
【００６７】
なお、第１部材１１等、光半導体装置用反射部材付リードフレームを構成する各部材については、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいて説明した内容と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００６８】
［光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法］
次に、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法について説明する。
本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法は、前記第１部材が平面上に複数多面付けされた第１の基板を形成する工程と、前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材が平面上に複数組多面付けされた第２の基板を形成する工程と、前記第２の基板の前記第２部材と前記第３部材の間、および前記第３部材の接続部と薄肉部の段差を埋めるように前記絶縁性樹脂を形成する工程と、前記第１の基板の複数の第１部材と対応する前記第２の基板の各第２部材とを位置合わせして、前記第１の基板の複数の前記第１部材の各底面の一部と前記第２の基板の各第２部材における前記第1部材側の面とを接着層を介して接合し、多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレームを形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００６９】
まず、上述の製造方法における第１の基板を形成する工程について説明する。
図９は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第１の基板を示す説明図である。
図９に示すように、平板状の第１の基板３０には、第１部材１１が多面付けされており、最外周には、前記第１部材１１を保持する外枠部３１が設けられている。そして、隣接する第１部材１１と第１部材１１の間は、個々の光半導体装置に分離されるためのダイシングライン３２になっている。
【００７０】
第１の基板３０を構成する材料は、第１部材１１を構成する材料と同じであり、例えば、銅（Ｃｕ）、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。また、第１の基板３０の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲である。
【００７１】
また、第１の基板３０における第１部材１１の開口側面には、銀（Ａｇ）を含むめっき膜が形成されていることが好ましい。光半導体素子からの光を、より効率良く反射することができるからである。なお、前記めっき膜は、第１の基板３０の表面全体に形成されていても良い。
前記めっき膜の厚みは、例えば、０．０２μｍ〜１２μｍの範囲である。
【００７２】
上述のような第１の基板３０は、エッチング法やプレス法等の加工方法を用いて金属基板等を加工することで形成することができる。
例えば、第１の基板３０の材料として、銅を用いる場合、感光性レジストを塗布し、露光現像してパターニングした後に、エッチング液に塩化第二鉄水溶液を使用して、スプレーエッチングで加工することができる。
【００７３】
なお、本発明において第１部材は、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面が傾斜している枠状構造を有するが、例えば、上記のようにエッチング法で第１の基板３０を加工する場合には、そのエッチング条件（スプレー圧や温度等）を調整することにより、前記開口側面の傾斜を所望の形状に形成することができる。
【００７４】
また、上述のような銀を含むめっき膜を形成する場合は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電解めっきを施すことにより、第１の基板３０の表面に、めっき膜を形成することができる。
なお、前記めっき膜を形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程、を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき膜を形成してもよい。
【００７５】
次に、上述の製造方法における第２の基板を形成する工程について説明する。
図１０は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第２の基板を示す説明図であり、（ａ）は樹脂形成前の状態を示し、（ｂ）は樹脂形成後の状態を示す。
【００７６】
まず、図１０（ａ）に示すように、第２の基板４０には、上述の第１の基板３０に多面付けされたそれぞれの第１部材１１に対応する、一組の第２部材１３と第３部材１４が、平面上に複数組多面付けされており、前記第２部材１３と前記第３部材１４が多面付けされている最外周には、前記第２部材１３および前記第３部材１４を保持する外枠部４１が設けられている。そして、一組の第２部材１３と第３部材１４の外周は、個々の光半導体装置に分離されるためのダイシングライン４２になっている。
すなわち、図１０（ａ）に示す第２の基板４０は、上述の図６に示す光半導体装置用リードフレーム基板４と同じ構成要素を有するものである。
【００７７】
第２の基板４０を構成する材料は、第２部材１３、および第３部材１４を構成する材料と同じであり、例えば、銅（Ｃｕ）、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。第２の基板４０の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲である。
【００７８】
また、第２の基板４０における第２部材１３の上面、および第３部材１４の段差上面には、銀（Ａｇ）を含むめっき膜が形成されていることが好ましい。光半導体素子からの光を、より効率良く反射することができるからである。なお、前記めっき膜は、第２の基板４０の表面全体に形成されていても良い。
前記めっき膜の厚みは、例えば、０．０２μｍ〜１２μｍの範囲である。
【００７９】
上述のような第２の基板４０は、エッチング法やプレス法等の加工方法を用いて金属基板等を加工することで形成することができる。
例えば、第２の基板４０の材料として、銅を用いる場合、感光性レジストを塗布し、露光現像してパターニングした後に、エッチング液に塩化第二鉄水溶液を使用して、スプレーエッチングで加工することができる。
【００８０】
なお、本発明において第３部材１４は、上述のように、接続部１４Ａと、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部１４Ｂとを有するが、このような段差構造は、例えば、第２の基板４０をハーフエッチング加工することで得ることができる。
【００８１】
また、上述のような銀を含むめっき膜を形成する場合は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電解めっきを施すことにより、第２の基板４０の表面に、めっき膜を形成することができる。
なお、前記めっき膜を形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程、を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき膜を形成してもよい。
【００８２】
次に、図１０（ｂ）に示すように、第２の基板４０の第２部材１３と第３部材１４の間、および第３部材１４の薄肉部１４Ｂの上には、絶縁性樹脂１５が形成される。
絶縁性樹脂１５の形成は、例えば、所望の形状に加工した金型を用いて、熱可塑性樹脂を射出成型またはトランスファ成型することにより形成することができ、これにより、第２の基板４０と絶縁性樹脂１５とが一体に結合される。
なお、図１０（ｂ）に示す樹脂付き第２の基板５０は、上述の図７に示す樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板５と同じ構成要素を有するものである。
【００８３】
次に、本発明の製造工程における前記第１の基板と前記絶縁性樹脂を形成した前記第２の基板とを接合し、多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレームを形成する工程について説明する。
本発明においては、前記第１の基板３０と前記樹脂付き第２の基板５０とを位置合わせして、前記第１の基板３０の複数の前記第１部材１１の各底面の一部と、それぞれ対応する前記樹脂付き第２の基板５０の各第２部材１３における前記第１部材側の面とを、接着層１２ａを介して接合し、多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレーム６０を形成する。
なお、前記第１の基板３０と前記樹脂付き第２の基板５０との位置合わせは、公知の方法で行えばよい。また、前記接着層１２ａは、公知の方法で形成することができる。
【００８４】
図１１は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程における第１の基板と樹脂形成後の第２の基板を接合した状態を示す説明図である。
図１１に示すように、接合後の第１の基板３０の複数の第１部材１１の開口からは、それぞれ対応する樹脂付き第２の基板５０の一組の第２部材１３の上面の一部、第３部材１４の接続部１４Ａ、および、絶縁性樹脂１５の一部が露出している。
すなわち、図１１は、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレーム１が、平板状に多面付けされた形態を示しており、例えば、ダイシングライン３２で切断（ダイシング）されることによって、多面付け光半導体装置用反射部材付リードフレーム６０から、個片化された個々の光半導体装置用反射部材付リードフレーム１を得ることができる。
なお、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームを用いて光半導体装置を製造する方法としては、例えば、光半導体装置用反射部材付リードフレームを個片化した後に半導体素子載置工程を行う方法や、光半導体装置用反射部材付リードフレームが多面付けされた状態で半導体素子載置工程を行う方法があり、本発明においては、いずれの方法も用いることができるが、製造効率の面から、後述の多面付けされた状態で半導体素子載置工程を行う方法が好ましい。
【００８５】
次に、上述の本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの一例の製造工程を、各工程における断面図を用いて説明する。
図１２は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【００８６】
まず、図１２（ａ）に示すように、平板状の第２の基板材料４０Ａを準備し、上述のエッチング法やプレス法により所望の形状に加工して、一組の第２部材１３と第３部材１４が平面上に複数組多面付けされた第２の基板４０を形成する（図１２（ｂ））。なお、図示はしないが、上述のように、電解めっき法により、第２の基板４０の表面に銀を含むめっき膜を形成しても良い。
【００８７】
次に、図１２（ｃ）に示すように、第２の基板４０の第２部材１３と第３部材１４の間、および第３部材１４の接続部１４Ａと薄肉部１４Ｂの段差を埋めるように、絶縁性樹脂１５を形成する。成型方法には、上述のように、所望の形状に加工した金型を用いて、熱可塑性樹脂を射出成型またはトランスファ成型する方法を用いることができる。
【００８８】
次に、図１２（ｄ）に示すように、別途、エッチング法等で形成した第１の基板３０と、前記絶縁性樹脂１５を形成した第２の基板（樹脂付き第２の基板５０）とを、位置合わせし、第１の基板３０の複数の第１部材１１の底面の一部と、それぞれ対応する樹脂付き第２の基板５０の各第２部材１３における前記第１部材側の面とを、接着層１２ａを介して接合して、多面付けされた形態の本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレーム６０を得る（図１２（ｅ））。
【００８９】
なお、図１２（ｄ）に示す例においては、図１における接着層１２ｂが接着層１２ａと同じであり、導電性接着層を用いている。ここで、図１２（ｄ）においては、第１の基板３０の底面に接着層１２ａが形成されている例を示しているが、接着層１２ａは、第２の基板４０、および樹脂１５の上面に形成されていても良い。
【００９０】
上述のように、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法によれば、第１部材が平面上に複数多面付けされた第１の基板と、前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材が平面上に複数組多面付けされた樹脂付き第２の基板とを、位置合わせして、接着層を介して接合することで、複数個の本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームを、一括して製造することができる。
また、前記第１の基板、および前記樹脂付き第２の基板とも、互いに接合する面は平坦であるため、突起形状がある場合に比べて、位置合わせや接合は容易である。
それゆえ、本発明によれば、生産性良く、光半導体装置用反射部材付リードフレームを製造することができる。
【００９１】
また、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られる光半導体装置用反射部材付リードフレームは、リフレクター（第１部材）とリードフレームのリード部（第３部材）との絶縁性を確保しながらも、反射率が高く、放熱性に優れたものになっている。
【００９２】
より詳しく説明すると、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られる光半導体装置用反射部材付リードフレームは、金属材料のように光反射性と放熱性を備えた材料からなる枠状構造の第１部材を、リフレクターとして用いることにより、反射率が高い光半導体装置用反射部材付リードフレームとすることができる。
【００９３】
また、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られる光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいては、上述の特許文献３に記載されているような、絶縁性確保のために金属リフレクターの底部を一部削除して段差を形成したリードフレームとは異なり、リフレクターに相当する第１部材の底面には段差が無く、第２部材の素子載置面まで開口側面が形成されているため、光半導体素子からの光を効率よく反射することができる。
【００９４】
また、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られる光半導体装置用反射部材付リードフレームにおいては、例えば導電性接着層のように伝熱性を有する接着層を介して、リフレクターとして機能する第１部材と、主にリードフレームのダイパッド部として機能する第２部材が接合されているため、第２部材に載置される光半導体素子からの熱を、第２部材から第１部材に効率良く伝達させることができ、かつ、第１部材から効率良く放熱させることができるので、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレームとすることができる。
【００９５】
［光半導体装置の製造方法］
次に、本発明に係る光半導体装置の製造方法について、説明する。
図１３は、本発明に係る光半導体装置の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
また、図１４は、本発明に係る光半導体装置の一例の製造工程における光半導体素子を載置した状態を示す説明図である。
【００９６】
本発明に係る光半導体装置の製造方法は、上述の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られた多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレームの前記第２部材における前記第１部材側の面に光半導体素子を載置する工程と、前記第１部材の開口に前記透光性樹脂を充填し、前記光半導体素子を封止して多面付けされた光半導体装置を得る工程と、前記多面付けされた光半導体装置を個片化して個々の光半導体装置を得る工程と、を備えることを特徴とする。
【００９７】
本発明に係る光半導体装置の製造方法としては、まず、図１３（ａ）に示すように、上述の製造方法により得られた多面付け光半導体装置用反射部材付リードフレーム６０を準備し、次いで、第１部材１１の開口内の第２部材１３の上面に、半田、または伝熱性を有する接着剤２３を介して光半導体素子２１を載置し、ボンディングワイヤ２２により、光半導体素子２１と第２部材１３、および、光半導体素子２１と第３部材１４とを電気的に接続する。（図１３（ｂ））。
【００９８】
ここで、第３部材１４は、接続部１４Ａと薄肉部１４Ｂからなる段差構造を有しているため、接続部１４Ａの上面を、第２部材１３の上面と同じ高さ位置にしておけば、ボンディングワイヤ２２による接続は容易になる。
【００９９】
なお、この図１３（ｂ）における状態の平面図が、図１４に相当する。
図１４に示すように、第１の基板３０に多面付けされた複数個の第１部材１１の開口内の第２部材１３の上面には、光半導体素子２１が載置され、ボンディングワイヤ２２により、光半導体素子２１と第２部材１３、および、光半導体素子２１と第３部材１４とが、電気的に接続されている。
【０１００】
次に、図１３（ｃ）に示すように、第１部材１１の開口に透光性樹脂２４を充填して光半導体素子２１を封止し、次いで、第１の基板３０、接着層１２ａ、および第２の基板４０を、ダイシングライン３２で切断（ダイシング）して、個片化された個々の光半導体装置２０を得る（図１３（ｄ）、（ｅ））。
【０１０１】
上述のように、本発明によれば、前記光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られた多面付け光半導体装置用反射部材付リードフレームを用いて、複数個の光半導体装置を一括して製造することができる。
ここで、前記多面付け光半導体装置用反射部材付リードフレームは、従来の平板状のリードフレームに樹脂製のリフレクターを形成したリードフレームと同様に扱えるため、従来と同様な自動化ラインを用いて、本発明に係る光半導体装置を一括して製造することができる。
すなわち、特殊な専用ラインを新たに導入する必要がないため、生産コストの上昇を抑制することができる。
【０１０２】
また、本発明に係る光半導体装置用反射部材付リードフレームは、従来の樹脂製のリフレクターを有するリードフレームに比べて、反射率が高く、放熱性に優れたものであるため、本発明に係る光半導体装置も、従来の樹脂製のリフレクターを有する光半導体装置に比べて、反射率が高く、放熱性に優れたものになる。
【０１０３】
以上、本発明の光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１０４】
１・・・光半導体装置用反射部材付リードフレーム
２・・・光半導体装置用リードフレーム
３・・・樹脂付き光半導体装置用リードフレーム
４・・・光半導体装置用リードフレーム基板
５・・・樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板
１１・・・第１部材
１１ａ・・・開口側面
１２ａ・・・接着層
１２ｂ・・・接着層
１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ・・・第２部材
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ・・・第３部材
１４Ａ・・・接続部
１４Ｂ・・・薄肉部
１５・・・絶縁性樹脂
２０・・・光半導体装置
２１・・・光半導体素子
２２・・・ボンディングワイヤ
２３・・・接着剤
２４・・・透光性樹脂
３０・・・第１の基板
３１・・・外枠部
３２・・・ダイシングライン
４０・・・第２の基板
４０Ａ・・・第２の基板材料
４１・・・外枠部
４２・・・ダイシングライン
５０・・・樹脂付き第２の基板
６０・・・多面付け光半導体装置用反射部材付リードフレーム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料から構成され、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面が傾斜している枠状構造を有する第１部材と、
金属材料から構成され、前記第１部材の前記枠状構造の底面の一部と伝熱性を有する接着層を介して接合されている第２部材と、
金属材料から構成され、
接続部と、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部と、を有し、
平面視上、
前記接続部が前記第１部材の底側の開口内に配置され、
前記薄肉部が前記第１部材の前記枠状構造の底面の下に配置されている第３部材と、
を備え、
絶縁性樹脂が、
前記第３部材と前記第１部材とが絶縁されるように、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在し、かつ、
前記第３部材と前記第２部材とが絶縁されるように、前記第３部材と前記第２部材との間に介在することを特徴とする光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項２】
前記伝熱性を有する接着層が、導電性接着層であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項３】
前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在する絶縁性樹脂と、前記第１部材の枠状構造の底面の一部とが、接着層を介して接合されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項４】
前記第１部材の開口側面に、銀を含むめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項５】
前記第２部材における前記第1部材側の面、および前記第３部材の接続部における前記第1部材側の面に、銀を含むめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項６】
１個の前記第１部材に対して、前記第２部材または前記第３部材のいずれかを複数個、あるいはその両方を複数個有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームに用いられる光半導体装置用リードフレームであって、前記第２部材と、前記第３部材と、を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
【請求項８】
請求項７に記載の光半導体装置用リードフレームと、
前記第２部材と前記第３部材との間、および、前記第３部材の薄肉部上に形成された絶縁性樹脂と、
を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造に用いられる光半導体装置用リードフレーム基板であって、
前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材とが平面上に複数組多面付けされており、前記第２部材と前記第３部材とが多面付けされている最外周には、前記第２部材および前記第３部材を保持する外枠部を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレーム基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の光半導体装置用リードフレーム基板と、
前記第２部材と前記第３部材との間、および、前記第３部材の薄肉部上に形成された絶縁性樹脂と、
を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームと、
前記第２部材における前記第1部材側の面に載置された光半導体素子と、
前記光半導体素子を封止し、前記光半導体素子が発する光を透過する透光性樹脂と、
を備えたことを特徴とする光半導体装置。
【請求項１２】
金属材料から構成され、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面が傾斜している枠状構造を有する第１部材と、金属材料から構成され、前記第１部材の前記枠状構造の底面の一部と伝熱性を有する接着層を介して接合されている第２部材と、金属材料から構成され、接続部と、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部と、を有し、平面視上、前記接続部が前記第１部材の底側の開口内に配置され、前記薄肉部が前記第１部材の前記枠状構造の底面の下に配置されている第３部材と、を備え、絶縁性樹脂が、前記第３部材と前記第１部材とが絶縁されるように、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在し、かつ、前記第３部材と前記第２部材とが絶縁されるように、前記第３部材と前記第２部材との間に介在する光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法であって、
前記第１部材が平面上に複数多面付けされた第１の基板を形成する工程と、
前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材が平面上に複数組多面付けされた第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２部材と前記第３部材の間、および、前記第３部材の接続部と薄肉部の段差を埋めるように前記絶縁性樹脂を形成する工程と、
前記第１の基板と前記絶縁性樹脂を形成した前記第２の基板とを位置合わせして、前記第１の基板の複数の前記第１部材の各底面の一部と、前記第２の基板の各第２部材における前記第1部材側の面とを、接着層を介して接合し、多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレームを形成する工程と、
を備えることを特徴とする光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られた多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレームの前記第２部材における前記第1部材側の面に光半導体素子を載置する工程と、
前記第１部材の開口に前記透光性樹脂を充填し、前記光半導体素子を封止して多面付けされた光半導体装置を得る工程と、
前記多面付けされた光半導体装置を個片化して個々の光半導体装置を得る工程と、
を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項１】
金属材料から構成され、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面が傾斜している枠状構造を有する第１部材と、
金属材料から構成され、前記第１部材の前記枠状構造の底面の一部と伝熱性を有する接着層を介して接合されている第２部材と、
金属材料から構成され、
接続部と、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部と、を有し、
平面視上、
前記接続部が前記第１部材の底側の開口内に配置され、
前記薄肉部が前記第１部材の前記枠状構造の底面の下に配置されている第３部材と、
を備え、
絶縁性樹脂が、
前記第３部材と前記第１部材とが絶縁されるように、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在し、かつ、
前記第３部材と前記第２部材とが絶縁されるように、前記第３部材と前記第２部材との間に介在することを特徴とする光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項２】
前記伝熱性を有する接着層が、導電性接着層であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項３】
前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在する絶縁性樹脂と、前記第１部材の枠状構造の底面の一部とが、接着層を介して接合されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項４】
前記第１部材の開口側面に、銀を含むめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項５】
前記第２部材における前記第1部材側の面、および前記第３部材の接続部における前記第1部材側の面に、銀を含むめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項６】
１個の前記第１部材に対して、前記第２部材または前記第３部材のいずれかを複数個、あるいはその両方を複数個有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレーム。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームに用いられる光半導体装置用リードフレームであって、前記第２部材と、前記第３部材と、を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
【請求項８】
請求項７に記載の光半導体装置用リードフレームと、
前記第２部材と前記第３部材との間、および、前記第３部材の薄肉部上に形成された絶縁性樹脂と、
を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造に用いられる光半導体装置用リードフレーム基板であって、
前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材とが平面上に複数組多面付けされており、前記第２部材と前記第３部材とが多面付けされている最外周には、前記第２部材および前記第３部材を保持する外枠部を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレーム基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の光半導体装置用リードフレーム基板と、
前記第２部材と前記第３部材との間、および、前記第３部材の薄肉部上に形成された絶縁性樹脂と、
を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム基板。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームと、
前記第２部材における前記第1部材側の面に載置された光半導体素子と、
前記光半導体素子を封止し、前記光半導体素子が発する光を透過する透光性樹脂と、
を備えたことを特徴とする光半導体装置。
【請求項１２】
金属材料から構成され、天側の開口が底側の開口よりも大きくなるように開口側面が傾斜している枠状構造を有する第１部材と、金属材料から構成され、前記第１部材の前記枠状構造の底面の一部と伝熱性を有する接着層を介して接合されている第２部材と、金属材料から構成され、接続部と、前記接続部よりも厚さの薄い薄肉部と、を有し、平面視上、前記接続部が前記第１部材の底側の開口内に配置され、前記薄肉部が前記第１部材の前記枠状構造の底面の下に配置されている第３部材と、を備え、絶縁性樹脂が、前記第３部材と前記第１部材とが絶縁されるように、前記第３部材の薄肉部と前記第１部材の枠状構造の底面との間に介在し、かつ、前記第３部材と前記第２部材とが絶縁されるように、前記第３部材と前記第２部材との間に介在する光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法であって、
前記第１部材が平面上に複数多面付けされた第１の基板を形成する工程と、
前記第１部材に対応する一組の前記第２部材と前記第３部材が平面上に複数組多面付けされた第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第２部材と前記第３部材の間、および、前記第３部材の接続部と薄肉部の段差を埋めるように前記絶縁性樹脂を形成する工程と、
前記第１の基板と前記絶縁性樹脂を形成した前記第２の基板とを位置合わせして、前記第１の基板の複数の前記第１部材の各底面の一部と、前記第２の基板の各第２部材における前記第1部材側の面とを、接着層を介して接合し、多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレームを形成する工程と、
を備えることを特徴とする光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法により得られた多面付けされた光半導体装置用反射部材付リードフレームの前記第２部材における前記第1部材側の面に光半導体素子を載置する工程と、
前記第１部材の開口に前記透光性樹脂を充填し、前記光半導体素子を封止して多面付けされた光半導体装置を得る工程と、
前記多面付けされた光半導体装置を個片化して個々の光半導体装置を得る工程と、
を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１３−６９９７２（Ｐ２０１３−６９９７２Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０８７４２（Ｐ２０１１−２０８７４２）
【出願日】平成２３年９月２６日（２０１１．９．２６）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２６日（２０１１．９．２６）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
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