半導体装置、実装構造体、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法
【課題】
高画素化及び接続信頼性を向上させることが可能な半導体装置、該半導体装置が実装された実装構造体、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
ドライバＩＣ１８は、第１の高さｈ１と第３の高さｈ３とを加えた長さと、第２の高さｈ２と第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じであるので、ドライバ側入力バンプ２８ａと電源用入力端子１５ａとの接続前の間隔やドライバ側入力バンプ２８ｂと信号用入力端子１６ａとの接続前の間隔やドライバ側出力バンプ２０と一端部１２ａとの接続前の間隔が同じになり、圧着により、ドライバ側出入力バンプ２０、２８ａ、２８ｂを均等に圧接し、接続信頼性を向上させることができる。電源用入力端子１５ａの高さを高くせずに、例えばドライバ側入力バンプ２８（例えば入力配線１５）の数を増加させて高画素化を実現できる。
高画素化及び接続信頼性を向上させることが可能な半導体装置、該半導体装置が実装された実装構造体、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
ドライバＩＣ１８は、第１の高さｈ１と第３の高さｈ３とを加えた長さと、第２の高さｈ２と第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じであるので、ドライバ側入力バンプ２８ａと電源用入力端子１５ａとの接続前の間隔やドライバ側入力バンプ２８ｂと信号用入力端子１６ａとの接続前の間隔やドライバ側出力バンプ２０と一端部１２ａとの接続前の間隔が同じになり、圧着により、ドライバ側出入力バンプ２０、２８ａ、２８ｂを均等に圧接し、接続信頼性を向上させることができる。電源用入力端子１５ａの高さを高くせずに、例えばドライバ側入力バンプ２８（例えば入力配線１５）の数を増加させて高画素化を実現できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる半導体装置、実装構造体、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置は、例えば２枚の基板の間に液晶が保持された表示パネルを備えている。表示パネルの一方の基板上には、例えば液晶を駆動するための信号を出力する半導体装置としてのＬＳＩチップがＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎ Ｇｌａｓｓ）実装されている。しかし、ＬＳＩチップの高密度が進み、金属バンプが微細化すると、その金属バンプの強度が弱くなり、ＬＳＩチップの実装の信頼性が低くなる、という問題があった。
【０００３】
この問題を解決するために、金属バンプの高密度化が必要な部分で金属バンプを微細化しつつ、別の金属バンプ（の幅）を大きくすることで、強度を十分に確保しようとする技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。例えば、基板上の信号用の配線（電極部）より幅の大きい電源用の配線（電極部）に、幅の大きい金属バンプを接続することで、強度を確保すると共に半導体装置への電源の供給能力を向上させている。
【特許文献１】特開２０００−３３２０４２号公報（段落［００１２］、［００１４］、図１、図２）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術では、高密度化が必要な金属バンプ（信号用の配線）とは別の金属バンプ（電源用の配線）の幅を大きくしているが、バンプ数（配線数）が増えるにつれ金属バンプ（電源用の配線）の幅を大きくすることも困難になっている。つまり、高密度化が必要な金属バンプ（信号用の配線）とは別の金属バンプ（電源用の配線）の幅を大きくするとバンプ数（配線数）を増加させることができず高画素化を実現することは難しい。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、高画素化及び接続信頼性を向上させることが可能な半導体装置、該半導体装置が実装された実装構造体、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る半導体装置は、電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプは、前記実装面からその頂点までの高さが異なるバンプを有する。
【０００７】
例えばバンプ（電源用の配線）の幅を大きくすることなく半導体装置への電源の供給能力を向上させるために、電源用の配線の高さを変更することが考えられる。しかし、このような場合には、複数のバンプの高さが均一であるのに対して、基板上の複数の配線の高さが異なることになり、半導体装置を基板に実装するときに、それぞれバンプと基板上の配線とを均一に圧着することができず接続の信頼性を確保することが難しくなるおそれがある。
【０００８】
本発明では、複数のバンプは、筐体の実装面からその頂点までの高さが異なるバンプを有するので、高さの低い配線（端子）に高さの高いバンプを対応させると共に、高さの高い配線（端子）に高さの低いバンプを対応させて接続することで、それぞれの配線（端子）とバンプとの圧着力をほぼ同じにして、接続信頼性を向上させることができる。このとき、筐体の実装面からの高さが他のバンプと異なり低いバンプは、基板からの高さの高い配線（端子）に電気的に接続される。例えば基板からの配線（端子）の高さを高くすることで、例えば配線（バンプ）の幅を大きくせずに配線（端子）に流れる電流を大きくすることができる。従って、バンプ（配線）の幅を大きくする場合に比べて、バンプ数（配線数）を増加させて高画素化を実現することができる。
【０００９】
本発明の一の形態によれば、前記バンプは、前記実装面に突設された樹脂部と、前記樹脂部を被覆し、前記電子回路に電気的に接続された端子部とを有する。これにより、半導体装置を基板に圧着して実装する場合に、万一複数のバンプの高さに誤差があっても、樹脂部の弾性力を用いてバンプの端子部と、基板の配線（端子）との電気的な接続性を更に向上させることができる。また、樹脂部の高さを容易に調整することができるので、製造が容易となる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記バンプは、前記実装面に突設された金属バンプである。これにより、金属バンプと、基板上の配線（端子）との電気的接続を確保することができると共に、導電量を容易に確保することができる。
【００１１】
本発明の他の観点に係る実装構造体は、電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置と、前記半導体装置が実装された基材とを具備し、前記基材上には、前記第１のバンプに電気的に接続され該基材からの高さが第３の高さの第１の配線と、前記第２のバンプに電気的に接続され該基材からの高さが前記第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じである。
【００１２】
例えば半導体装置の複数のバンプの高さ（厚さ）が均一であるのに対して基材上の複数の配線の高さが異なるときには、半導体装置を基材に圧着する場合に、複数のバンプと複数の配線とのそれぞれの圧着力が異なり接続信頼性を確保することが難しい。
【００１３】
本発明では、基材上には、第３の高さの第１の配線と、第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、半導体装置は、実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有し、第１のバンプの第１の高さと第１の配線の第３の高さとを加えた長さと、第２のバンプの第２の高さと第２の配線の第４の高さとを加えた長さとがほぼ同じである。従って、第１の配線に第１のバンプが対応し第２の配線に第２のバンプが対応して電気的に接続されることで、それぞれの配線とバンプとの圧着力をほぼ同じにして、接続後の接続信頼性を向上させることができる。また、例えば第１の配線の高さを高くすることで、第１の配線の幅を大きくせずに例えば第１の配線に流れる電流を大きくすることができる。従って、第１の配線の幅を大きくする場合に比べて、配線数を増加させて高画素化を実現することができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記第１のバンプは、電源用バンプであり、前記第２のバンプは、信号用バンプである。これにより、基材上の電源用配線（電源用端子）が電源用バンプに電気的に接続され、基材上の信号用配線（信号用端子）が信号用バンプに電気的に接続される場合には、電源用配線（電源用端子）の基板からの高さは、信号用配線（信号用端子）の基板からの高さより高くなる。従って、電源用配線（電源用端子）により半導体装置への電源の供給能力を向上させることができる。
【００１５】
本発明の他の観点に係る電気光学装置は、電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置と、前記半導体装置が実装され電気光学物質を保持する第１及び第２の基板とを具備し、前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板上には、前記第１のバンプに電気的に接続され該基板からの高さが第３の高さの第１の配線と、前記第２のバンプに電気的に接続され該基板からの高さが前記第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じである。
【００１６】
例えば半導体装置の複数のバンプの高さ（厚さ）が均一であるのに対して基板上の複数の配線の高さが異なるときには、半導体装置を基板に圧着する場合に、複数のバンプと複数の配線とのそれぞれ圧着力が異なり接続信頼性を確保することが難しい。
【００１７】
本発明では、第１及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板上には、第３の高さの第１の配線と、第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、半導体装置は、実装面からその頂点までのの高さが第１の高さの第１のバンプと、第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有し、第１のバンプの第１の高さと第１の配線の第３の高さとを加えた長さと、第２のバンプの第２の高さと第２の配線の第４の高さとを加えた長さとがほぼ同じであるので、第１の配線に第１のバンプが対応し第２の配線に第２のバンプが対応して電気的に接続されることで、それぞれの配線とバンプとの圧着力をほぼ同じにして、接続後の接続信頼性を向上させることができる。また、例えば第１の配線の高さを高くすることで、例えば第１の配線の幅を大きくせずに第１の配線に流れる電流を大きくすることができる。従って、第１の配線の幅を大きくする場合に比べて、配線数を増加させて高画素化を実現することができる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記第１のバンプは、電源用バンプであり、前記第２のバンプは、信号用バンプである。これにより、第１及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板上の電源用配線（電源用端子）が電源用バンプに電気的に接続され、この基板上の信号用配線（信号用端子）が信号用バンプに電気的に接続される場合には、電源用配線（電源用端子）のこの基板からの高さは、信号用配線（信号用端子）のこの基板からの高さより高くなる。従って、電源用配線（電源用端子）により半導体装置への電源の供給能力を向上させることができる。
【００１９】
本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造方法は、電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置を製造する工程と、前記半導体装置が実装される基板からの高さが第３の高さである第１の配線と、前記基板からの高さが前記第３の高さより低い第４の高さである第２の配線とを有する電気光学パネルを製造する工程と、前記第１のバンプと前記第１の配線とが対向し前記第２のバンプと前記第２の配線とが対向するように前記半導体装置と前記電気光学パネルとを位置合わせした状態で圧着することで、前記第１のバンプと前記第１の配線とを電気的に接続すると共に、前記第２のバンプと前記第２の配線とを電気的に接続する工程とを具備し、前記位置合わせした状態では、前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じである。
【００２０】
半導体装置と電気光学パネルとを位置合わせした状態で圧着するときに、例えば半導体装置の複数のバンプの高さ（厚さ）が均一あるのに対して電気光学パネルの複数の配線の高さが異なるときには、複数のバンプと複数の配線とのそれぞれの圧着力が異なり接続信頼性を確保することが難しい。
【００２１】
本発明では、第１のバンプと第１の配線とが対向し第２のバンプと第２の配線とが対向するように半導体装置と電気光学パネルとを位置合わせした状態で圧着するときに、この位置合わせした状態では、第１のバンプの第１の高さと第１の配線の第３の高さとを加えた長さと、第２のバンプの第２の高さと第２の配線の第４の高さとを加えた長さとが同じであるので、第１のバンプと第１の配線との接続前の間隔と第２のバンプと第２の配線との間隔等がほぼ同じになり、圧着時にそれぞれのバンプと配線とを均等に圧接することができる。また、例えば第１の配線の高さを高くすることで、例えば第１の配線の幅を大きくせずに第１の配線に流れる電流を大きくすることができる。従って、第１の配線の幅を大きくする場合に比べて、配線数を増加させて高画素化を実現することができる。従って、バンプと配線との電気的な接続信頼性及び高画素化が実現された電気光学装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、液晶装置、具体的には反射半透過型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス方式の液晶装置について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２３】
（第１の実施形態）
【００２４】
図１は第１の実施形態の液晶装置の斜視図、図２は図１の液晶装置のＡ−Ａ断面図、図３は図１の液晶装置のＢ−Ｂ断面図、図４は図１の液晶装置のＣ−Ｃ断面図、図５は図１の液晶装置のドライバＩＣの底面図である。
【００２５】
（液晶装置の構成）
【００２６】
液晶装置１は、図１に示すように、液晶パネル２と、液晶パネル２に接続された回路基板３と、図２に示す照明装置４とを備えている。なお、液晶装置１は、液晶パネル２を支持するフレーム５等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。
【００２７】
液晶パネル２は、基板６と、基板６に対向するように設けられた基板７と、基板６、７の間に設けられたシール材８及び基板６、７により封止された図示しない液晶とを備えている。液晶には、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）が用いられている。
【００２８】
基板６及び基板７は、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材である。基板６の液晶側には、ゲート電極９、ソース電極１０、薄膜トランジスタ素子Ｔ及び画素電極１１が形成されており、基板７の液晶側には、共通電極７ａが形成されている。
【００２９】
ゲート電極９はＸ方向に、ソース電極１０はＹ方向に、それぞれ例えばアルミニウム等の金属材料等によって形成されている。ソース電極１０は、例えば図１に示すように上半分が左側に、下半分が右側に引き回されて形成されている。なお、ゲート電極９及びソース電極１０の本数は、液晶装置１の解像度や表示領域の大きさに応じて適宜変更可能である。
【００３０】
薄膜トランジスタ素子Ｔは、ゲート電極９、ソース電極１０及び画素電極１１にそれぞれ接続される３つの端子を備えている。これにより、ゲート電極９に電圧を印加したときにソース電極１０から画素電極１１に又はその逆に電流が流れるように構成されている。
【００３１】
また、基板６は、基板７の外縁から張り出した領域（以下、「張り出し部」と表記する）６ａを備えている。張り出し部６ａの面上には、出力配線１２〜１４、入力配線１５〜１７が付設されていると共に、例えば液晶を駆動するためのドライバＩＣ１８が実装されている。
【００３２】
出力配線１２は、図２に示すように一端部１２ａがドライバＩＣ１８のドライバ側出力バンプ２０にＡＣＦ３１を介して接続され、他側がゲート電極９に繋がっている。一端部１２ａの厚さは、図３に示すように、第４の高さｈ４（厚さ）となっている。出力配線１３及び出力配線１４は、図３に示す一端部１３ａ、１４ａがそれぞれドライバＩＣ１８のドライバ側出力バンプ２０ｂにＡＣＦ３１を介して接続され、図１に示すように他側がソース電極１０に繋がっている。図３に示すように、出力配線１３及び出力配線１４の一端部１３ａ、１４ａの高さ（厚さ）も、第４の高さｈ４とほぼ同じになっている。
【００３３】
入力配線１５は、図２に示すように、ドライバＩＣ１８側の一端部１５ａがドライバＩＣ１８のドライバ側入力バンプ２８にＡＣＦ３１を介して接続され、他端部１５ｂが回路基板３の可撓性基材２４の一面側に付設された配線２５の一端部にＡＣＦ２６を介して接続されている。
【００３４】
例えば、複数の入力配線１５のうちの少なくとも１本は、電源用入力配線１５である。以下、電源用入力配線１５の一端部１５ａを電源用入力端子１５ａという。図４に示すように、電源用入力端子１５ａは、基板６からの高さが第３の高さｈ３（>第４の高さｈ４）になっている。
【００３５】
図１に示す入力配線１６、１７は、図４に示すその一端部１６ａ、１７ａがそれぞれドライバＩＣ１８のドライバ側入力バンプ２８にＡＣＦ３１を介して接続され、図示しない他端部が可撓性基材２４の一面側に付設された図１に示す配線２９、３０にＡＣＦ２６を介して接続されている。
【００３６】
以下、信号用の入力配線１６、１７の一端部１６ａ、１７ａを信号用入力端子１６ａ、１７ａという。信号用入力端子１６ａ、１７ａは、図４に示すように、基板６からの高さが第３の高さｈ３より低い第４の高さｈ４になっている。この第４の高さｈ４は、図３に示す一端部１２ａ、１３ａ及び１４ａの第４の高さｈ４（厚さ）とほぼ同じである。
【００３７】
ドライバＩＣ１８は、図２に示すように、内部に電子回路が収容された筐体３３と、筐体３３の基板６と対向する実装面３３ａ（図３、図４参照）側に突設されたドライバ側出力バンプ２０、ドライバ側入力バンプ２８とを備えている。ドライバＩＣ１８は、図３、図４に示すように、ＡＣＦ３１等の接着材により基板６側に接着されている。ＡＣＦ３１は、接着材の基材３１ａに導電粒子３１ｂが含まれた異方性導電膜である。
【００３８】
筐体３３は、例えばドライバ側出力バンプ２０、ドライバ側入力バンプ２８が突設されたシリコン基板、電子回路としての図示しないシリコンチップを内部に封止する樹脂などにより構成されている。筐体３３は、図１、図５に示すように例えばＹ方向に長手方向を有している。
【００３９】
ドライバ側入力バンプ２８は、図５に示すように、ドライバＩＣ１８の長手方向（Ｙ方向）に複数配設されている。図５に示すドライバ側出力バンプ２０についてもこの長手方向に複数配設されている。
【００４０】
図３に示すように、例えば、一端部１２ａ、１３ａ及び１４ａに電気的に接続されたドライバ側出力バンプ２０（２０ａ、２０ｂ）は、実装面３３ａからその頂点までの高さが第２の高さｈ２になっている。
【００４１】
また、ドライバ側出力バンプ２０（２０ａ）の第２の高さｈ２と一端部１２ａの第４の高さｈ４とを加えた長さと、ドライバ側出力バンプ２０（２０ｂ）の第２の高さｈ２と一端部１３ａ（又は、１４ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。例えば他のドライバ側出力バンプ２０の実装面３３ａからその頂点までの第２の高さｈ２と、この第２の高さｈ２のドライバ側出力バンプ２０に電気的に接続された一端部の基板６からの第４の高さｈ４とを加えた長さについても、上述した長さと同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。
【００４２】
図４に示すように、例えば、電源用入力端子１５ａに電気的に接続されたドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）は、実装面３３ａからその頂点までの高さが第１の高さｈ１になっている。信号用入力端子１６ａ、１７ａに電気的に接続されたドライバ側入力バンプ２８（２８ｂ）は、実装面３３ａからその頂点までの高さが第１の高さｈ１より高い第２の高さｈ２になっている。
【００４３】
また、ドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）の第１の高さｈ１と電源用入力端子１５ａの第３の高さｈ３とを加えた長さと、ドライバ側入力バンプ２８（２８ｂ）の第２の高さｈ２と信号用入力端子１６ａ（又は、１７ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。例えばドライバ側入力バンプ２８ａとドライバ側入力バンプ２８ｂと間のドライバ側入力バンプ２８の実装面３３ａからの第５の高さｈ５と、この第５の高さｈ５のドライバ側入力バンプ２８に電気的に接続された信号用入力端子の基板６からの第６の高さｈ６とを加えた長さについても、上述した長さと同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。
【００４４】
図３に示すドライバ側出力バンプ２０（２０ａ）の第２の高さｈ２と一端部１２ａの第４の高さｈ４とを加えた長さと、図４に示すドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）の第１の高さｈ１と電源用入力端子１５ａの第３の高さｈ３とを加えた長さとはほぼ同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。これにより、ドライバＩＣ１８の基板６に対する水平性が保たれている。
【００４５】
また、例えばドライバ側出力バンプ２０は、図２に示すように、例えば筐体３３に突設された樹脂コア３４と、樹脂コア３４を被覆するように設けられたドライバ側出力端子部３５とを備えている。ドライバ側入力バンプ２８は、図２、図４に示すように、例えば筐体３３に突設された樹脂コア３６と、樹脂コア３６を被覆するように設けられたドライバ側入力端子部３７とを備えている。樹脂コア３４、３６の構成材料には、例えば基材としてエポキシ樹脂が用いられている。
【００４６】
回路基板３は、図１、図２に示すように、一端部が張り出し部６ａに例えばＡＣＦ２６を介して接続されていると共に曲げて設けられて、図２に示すように、他端部が反射板３８に接続されている。回路基板３は、図１に示すように可撓性基材２４と、可撓性基材２４の一面（内面）側に設けられた配線２５、２９及び３０とを備えている。可撓性基材２４には、例えばこの他にも図示しない半導体ＩＣ等が実装されている。
【００４７】
可撓性基材２４は、回路基板３の基材として用いられており、例えば構成材料には樹脂材料等が用いられている。樹脂材料としては、例えばポリイミドが用いられている。
【００４８】
配線２５、２９及び３０は、図１に示すように、可撓性基材２４の一面（内面）側に設けられている。配線２５は、図２に示すように張り出し部６ａ側の一端部がＡＣＦ２６を介して入力配線１５の他端部１５ｂに接続されており、配線２５の他端部は図示しない電源等に電気的に接続されている。配線２９、３０は、図１に示すように、一端部がＡＣＦ２６を介して入力配線１６、１７に接続されており、他端部は例えば図示しない半導体ＩＣに接続されている。
【００４９】
照明装置４は、導光板３９、反射板３８及びＬＥＤ４０等を備えている。導光板３９は、図２に示すように、液晶パネル２に重なるように設けられている。導光板３９は、構成材料には例えばアクリル樹脂、ポリイミド等の透明材料が用いられている。なお、導光板３９の外側には、例えば反射板３８が導光板３９に重なるように配置されている。図２に示すように導光板３９の一側面３９Ｂに隣接してＬＥＤ４０が配置されている。
【００５０】
（液晶装置１の製造方法）
【００５１】
次に、液晶装置１の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００５２】
図６は第１の実施形態の液晶装置１の製造工程を示すフローチャートである。なお、本実施形態では、ドライバ側出入力バンプ２０、２８を備えたドライバＩＣ１８の製造工程（Ｓ１）について中心的に説明する。
【００５３】
まず、ドライバ側出入力バンプ２０、２８が形成されていないドライバＩＣ１８の図４に示す実装面３３ａ側に樹脂（レジスト）を塗布し、マスクを介して露光、現像を行うことで、例えば、ドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）を形成するためのほぼ第１の高さｈ１を有する樹脂コア３６を形成し、続いて樹脂を塗布し、別のマスクを介して露光、現像を行うことで、高さｈ５を有する樹脂コア３６を形成する等して、更に、樹脂を塗布し、更に別のマスクを介して露光、現像を行うことで、ドライバ側入力バンプ２８（２８ｂ）を形成するためのほぼ第２の高さｈ２を有する樹脂コア３６を形成する。ついで、例えば金等の膜を形成した後にエッチングすることにより、樹脂コア３６を覆うようにドライバ側入力端子部３７を形成する。これにより、第１の高さｈ１のドライバ側入力バンプ２１、第１の高さｈ１より高い第２の高さｈ２のドライバ側入力バンプ２２等が形成されたドライバＩＣ１８を製造する（Ｓ１）。
【００５４】
なお、本実施形態では、樹脂コア３６を形成するときに、上述したように異なるマスクを用いて、レジストを塗布、露光及び現像を複数回繰り返す例を示した。しかし、実装面３３ａに第２の高さｈ２の樹脂（レジスト）を塗布し、ハーフトーンマスクを介して露光、現像を行うことで、ドライバ側入力バンプ２１、２２を形成するための樹脂コア３６を形成するようにしてもよい。
【００５５】
続いて、ドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）と電源用入力端子１５ａとが対向し、ドライバ側入力バンプ２８（２８ｂ）と信号用入力端子１６ａ（又１７ａ）とが対向するように、基板６に対してドライバＩＣ１８を位置合わせする。このとき、ドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）の第１の高さｈ１と電源用入力端子１５ａの第３の高さｈ３とを加えた長さと、ドライバ側入力バンプ２８（２８ｂ）の第２の高さｈ２と信号用入力端子１６ａ（又は、１７ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さと、ドライバ側出力バンプ２０ａ（２０ｂ）の第２の高さｈ２と一端部１２ａ（１３ａ又は１４ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じになる（他の入力端子と、ドライバ側入力バンプとを加えた長さについても同様）。
【００５６】
そして、ドライバＩＣ１８をＡＣＦ３１を介して液晶パネル２の基板６に熱圧着する（Ｓ２）。このとき、第１の高さｈ１と第３の高さｈ３とを加えた長さと、第２の高さｈ２と第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じになるようにそれぞれのドライバ側入力バンプと基板６の入力端子との高さが調整されているので（他の入力端子と、ドライバ側入力バンプとを加えた長さについても同様）、ドライバ側入力バンプ２１と電源用入力端子１５ａとの導電粒子３１ｂを介した電気的な接続やドライバ側入力バンプ２２と信号用入力端子１６ａ、１７ａとの導電粒子３１ｂを介した電気的な接続やドライバ側出力バンプ２０と出力配線１２、１３及び１４との導電粒子３１ｂを介した電気的な接続が良好に確保される。
【００５７】
一方、回路基板３を製造し（Ｓ３）、ＡＣＦ２６を介して回路基板３を液晶パネル２に接続する（Ｓ４）。
【００５８】
次いで、例えば液晶パネル２に導光板３９等と共にフレーム５をセットし、導光板３９の外側に反射板３８等を配置し、回路基板３を反射板３８の外側に曲げて回路基板３の他端部を例えば反射板３８に接着する等して液晶装置１を製造する（Ｓ５）。
【００５９】
以上で液晶装置１の製造方法についての説明を終了する。
【００６０】
このように本実施形態によれば、ドライバＩＣ１８は、実装面３３ａからその頂点までの高さが第１の高さｈ１であるドライバ側入力バンプ２８ａと、実装面３３ａからその頂点までの高さが第２の高さｈ２であるドライバ側入力バンプ２８ｂとを備えている。また、ドライバ側入力バンプ２８ａと第３の高さｈ３の電源用入力端子１５ａとが電気的に接続されていると共に、ドライバ側入力バンプ２８ｂと第４の高さｈ４の信号用入力端子１６ａ、１７ａとが電気的に接続されている。ドライバＩＣ１８を基板６に実装するときに、信号用入力端子１６ａ、１７ａにドライバ側入力バンプ２８ｂを対応させると共に、電源用入力端子１５ａにドライバ側入力バンプ２８ａを対応させた位置合わせ状態では、第１の高さｈ１と第３の高さｈ３とを加えた長さと、第２の高さｈ２と第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じであるので、ドライバ側入力バンプ２８ａと電源用入力端子１５ａとの接続前の間隔やドライバ側入力バンプ２８ｂと信号用入力端子１６ａ、１７ａとの接続前の間隔やドライバ側出力バンプ２０と一端部１２ａ等との間隔がほぼ同じになり、この位置合わせ状態で圧着することで、ドライバ側入力バンプ２１と電源用入力端子１５ａとやドライバ側入力バンプ２２と信号用入力端子１６ａ、１７ａとやドライバ側出力バンプ２０と一端部１２ａとを均等に圧接して、接続信頼性を向上させることができる。
【００６１】
また、ドライバ側入力バンプ２８ａは、基板６からの高さの高い電源用入力端子１５ａに電気的に接続されている。基板６からの電源用入力端子１５ａの高さを高くすることで、ドライバ側入力バンプ２８ａ（電源用入力端子１５ａ）の幅を大きくせずに電源用入力端子１５ａに流れる電流を大きくすることができる。従って、電源用入力端子１５ａ（ドライバ側入力バンプ２８ａ）の幅を大きくする場合に比べて、ドライバ側入力バンプ２８の数（入力配線１５等の数）を増加させて高画素化を実現することができる。
【００６２】
更に、ドライバ側入力バンプ２１は、筐体３３の実装面３３ａに突設された樹脂コア３６と、樹脂コア３６を被覆するように設けられたドライバ側入力端子部３７とを備えている。これにより、ドライバＩＣ１８を基板６に圧着して実装する場合に、樹脂コア３６や電源用入力端子１５ａ等に高さの誤差が万一生じていても、樹脂コア３６の弾性力を用いてドライバ側入力バンプ２１のドライバ側入力端子部３７と、基板６上の電源用入力端子１５ａとの電気的な接続性を更に向上させることができる。また、樹脂コアを製造するときに、樹脂の塗布量を調整することで、樹脂コアの高さを調整することが容易なので、ドライバ側入力バンプ２０等を容易に製造することができる。
【００６３】
（第１の変形例）
【００６４】
図７は第１の変形例のドライバＩＣの断面図である。なお、本変形例以降においては、上記実施形態と同一の構成部材等には同一の符号を付しその説明を省略し、異なる箇所（ドライバＩＣのドライバ側入力バンプ）を中心に説明する。
【００６５】
本変形例の液晶装置１´に用いられるドライバＩＣ１８´は、上記実施形態の複数のドライバ側入力バンプ２８の代わりに、複数の金属製のドライバ側入力バンプ４８を備えている。
【００６６】
ドライバ側入力バンプ４８は、例えば上記実施形態の樹脂コア３６及びドライバ側入力端子部３７の代わりに、金属製のバンプを備えている。なお、複数のドライバ側入力バンプ４８は、上記実施形態の複数のドライバ側入力バンプ２８とほぼ同じ形状で同じ位置に配設されている。
【００６７】
つまり、図７に示すように、ドライバ側入力バンプ４８（４１）の第１の高さｈ１と電源用入力端子１５ａの第３の高さｈ３とを加えた長さと、ドライバ側入力バンプ４８（４２）の第２の高さｈ２と信号用入力端子１６ａ（又は、１７ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さと、図３に示したドライバ側出力バンプ２０の第２の高さｈ２と一端部１２ａとを加えた長さとが同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。他のドライバ側入力バンプ４８の実装面３３ａからの第５の高さｈ５と、この第５の高さｈ５のドライバ側入力バンプ４８に電気的に接続された信号用入力端子１７ａの基板６からの第６の高さｈ６とを加えた長さについても、上述した長さと同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。
【００６８】
（液晶装置１´の製造方法）
【００６９】
本変形例の液晶装置の製造方法については、上記実施形態に比べて、ドライバ側入力バンプ４８の製造方法が異なるので、ドライバ側入力バンプ４８の製造方法について説明する。
【００７０】
（ドライバ側入力バンプ４８の製造方法）
【００７１】
複数のドライバ側入力バンプ４８は、まず、例えば筐体３３の実装面３３ａにマスクを形成した後、第１の高さｈ１の金属層を形成し、続いて例えば別のマスクを形成した後、メッキにより第５の高さｈ５の金属層を形成し、更に別のマスクを形成した後、メッキにより第２の高さｈ２の金属層を形成することで、図７に示すようにそれぞれ独立して形成されている。
【００７２】
なお、複数のドライバ側入力バンプ４８は、まず、例えば筐体３３の実装面３３ａに第２の高さｈ２の金属層を形成し、次に、マスクを介してエッチングを施し、金属層を部分的に第１の高さｈ１や第５の高さｈ５にし、更に別のマスクを介してそれぞれ独立したドライバ側入力バンプを形成するようにしてもよい。
【００７３】
このような構成によれば、ドライバ側入力バンプ４８は、筐体３３の実装面３３ａに突設された金属バンプである。これにより、金属製のドライバ側入力バンプ４８と、基板６上の電源用入力端子１５ａや信号用入力端子１６ａ、１７ａとの電気的接続を確保することができると共に、ドライバ側入力バンプ４８は、全て金属材料で形成されているので、導電量を容易に確保することができる。
【００７４】
（第２の変形例）
【００７５】
図８は第２の変形例のドライバＩＣの断面図である。
【００７６】
本変形例の液晶装置１Ａに用いられるドライバＩＣ１８Ａは、上記実施形態の複数の独立したドライバ側入出力バンプ２８、２０の代わりに、蒲鉾状の樹脂コア３６Ａ上に複数のドライバ側入力端子部３７Ａが配置されて形成された複数のドライバ側入力バンプ５８等を備えている。
【００７７】
ドライバ側入力バンプ５８は、図８に示すように、ドライバＩＣ１８Ａの長手方向（Ｙ方向）に複数のドライバ側入力バンプ５８に亘って配置された蒲鉾状の樹脂コア３６Ａと、互いに離間して樹脂コア３６Ａを被覆するように配置された複数のドライバ側入力端子部３７Ａとで構成されている。
【００７８】
樹脂コア３６Ａは、図８に示すように、ドライバ側入力バンプ５１を形成する部分の高さが高さｈｃ１であり、ドライバ側入力バンプ５２を形成する部分の高さが高さｈｃ２であり、例えばドライバ側入力バンプ５１、５２の間のドライバ側入力バンプ５８を形成する部分の高さが高さｈｃ３である。
【００７９】
ドライバ側入力バンプ５１は、図８に示すように、電源用入力端子１５ａに電気的に接続されており、ドライバ側入力バンプ５２は、信号用入力端子１６ａ、１７ａに電気的に接続されている。ドライバ側入力バンプ５１とドライバ側入力バンプ５２との間のドライバ側入力バンプ５８も例えば信号用入力端子に電気的に接続されている。ドライバＩＣ１８Ａの図示しないドライバ側出力バンプは、例えば入力側と同様に図示しない蒲鉾状の樹脂コアにより構成されており、ドライバ側出力バンプの高さは第１の実施形態と同様に第２の高さｈ２になっている。
【００８０】
図８に示すように、例えば、ドライバ側入力バンプ５１は、実装面３３ａからの高さが第１の高さｈ１になっている。ドライバ側入力バンプ５２は、実装面３３ａからの高さが第１の高さｈ１より高い第２の高さｈ２になっている。
【００８１】
また、ドライバ側入力バンプ５１の第１の高さｈ１と電源用入力端子１５ａの第３の高さｈ３とを加えた長さと、ドライバ側入力バンプ５２の第２の高さｈ２と信号用入力端子１６ａ（又は、１７ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さと、図示しないドライバ側出力バンプの第２の高さｈ２と一端部１２ａの第４の高さｈ４とを加えた高さｈ４とが同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。他のドライバ側入力バンプ５８の実装面３３ａからの第５の高さｈ５と、この第５の高さｈ５のドライバ側入力バンプ５８に電気的に接続された信号用入力端子１７ａの基板６からの第６の高さｈ６とを加えた長さについても、上述した長さと同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。
【００８２】
ドライバ側入力バンプ５８の製造方法は、上記実施形態に比べて、筐体３３の実装面３３ａ上に塗布された樹脂（レジスト）を露光する際に、蒲鉾状の樹脂コア３６Ａが形成されるようなマスクを用いる。これにより、筐体３３の実装面３３ａに蒲鉾状の樹脂コア３６Ａが形成される。他の製造工程については、上記実施形態と同様なのでその説明を省略する。
【００８３】
このように、ドライバ側入力バンプ５８等を製造する場合に、筐体３３の実装面３３ａ上に樹脂（レジスト）を塗布し、蒲鉾状の樹脂コア３６Ａが形成されるようなマスクを用いて、塗布された樹脂（レジスト）を露光し、現像することで、容易に蒲鉾状の樹脂コア３６Ａ等を製造することができる。従って、生産性を向上させつつドライバＩＣ１８Ａのドライバ側入力バンプ５８と、基板６側の電源用入力端子１５ａ、信号用入力端子１６ａ、１７ａとの接続等の信頼性を向上させることができる。
【００８４】
また、ドライバＩＣ１８Ａは、実装面３３ａからの高さが第１の高さｈ１であるドライバ側入力バンプ５１と、実装面３３ａからの高さが第２の高さｈ２であるドライバ側入力バンプ５２とを備えている。また、ドライバ側入力バンプ５１と電源用入力端子１５ａとが電気的に接続されていると共に、ドライバ側入力バンプ５２と信号用入力端子１６ａ、１７ａとが電気的に接続されている。ドライバＩＣ１８Ａを基板６に実装するときに、信号用入力端子１６ａ、１７ａにドライバ側入力バンプ５２を対応させ、電源用入力端子１５ａにドライバ側入力バンプ５１を対応させ、図示しない第２の高さｈ２のドライバ側出力バンプと第４の高さｈ４の一端部１２ａ（図３参照）とを対応させた位置合わせ状態では、第１の高さｈ１と第３の高さｈ３とを加えた長さと、第２の高さｈ２と第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じであるので、ドライバ側入力バンプ５１と電源用入力端子１５ａとの接続前の間隔やドライバ側入力バンプ５２と信号用入力端子１６ａ、１７ａとの接続前の間隔やドライバ側出力バンプと一端部１２ａとの接続前の間隔がほぼ同じになり、この位置合わせ状態で圧着することで、ドライバ側入力バンプ５１と電源用入力端子１５ａとやドライバ側入力バンプ５２と信号用入力端子１６ａ、１７ａとやドライバ側出力バンプと一端部１２ａ（図３参照）とを均等に圧接して、接続信頼性を向上させることができる。
【００８５】
また、ドライバ側入力バンプ５１は、基板６からの高さの高い電源用入力端子１５ａに電気的に接続されている。基板６からの電源用入力端子１５ａの高さを高くすることで、ドライバ側入力バンプ５１（電源用入力端子１５ａ）の幅を大きくせずに電源用入力端子１５ａに流れる電流を大きくすることができる。従って、電源用入力端子１５ａ（ドライバ側入力バンプ５１）の幅を大きくする場合に比べて、ドライバ側入力バンプ５８の数（入力配線１５等の数）を増加させて高画素化を実現することができる。
【００８６】
なお、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態及び変形例を組み合わせ得る。
【００８７】
例えば、上述の実施形態ではＴＦＴ型の液晶装置１等について説明したがこれに限られるものではなく、例えばＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）型アクティブマトリックス型、パッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。また、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ‐Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ等）などの各種電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００８８】
上記実施形態では、複数のドライバ側入力バンプ２８のうち電源用入力端子１５ａに電気的に接続されたドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）が、ドライバＩＣ１８の長手方向中央に設けられ、信号用入力端子１６ａ、１７ａが同じ長手方向の両端等に設けられる例を示したが、電源用入力端子１５ａや信号入力端子１６ａ、１７ａの位置は、これに限定されず、適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】第１の実施形態の液晶装置の斜視図である。
【図２】図１の液晶装置のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１の液晶装置のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】図１の液晶装置のＣ−Ｃ断面図である。
【図５】図１の液晶装置のドライバＩＣの底面図である。
【図６】図１の液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図７】第１の変形例のドライバＩＣの断面図である。
【図８】第２の変形例のドライバＩＣの断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
Ｔ 薄膜トランジスタ素子、 １，１´，１Ａ 液晶装置、 ２ 液晶パネル、 ３ 回路基板、 ４ 照明装置、 ５ フレーム、 ６，７ 基板、 ６ａ 張り出し部、 ７ａ 共通電極、 ８ シール材、 ９ ゲート電極、 １０ ソース電極、 １１ 画素電極、 １２〜１４ 出力配線、 １２ａ 一端部、 １６ａ，１７ａ 一端部（信号用入力端子）、 １５ 入力配線（電源用入力配線）、 １５ａ 一端部（電源用入力端子）、 １５ｂ 他端部、 １６〜１７ 入力配線、 １８，１８Ａ ドライバＩＣ、 ２０（２０ａ，２０ｂ） ドライバ側出力バンプ、 ２８（２８ａ，２８ｂ），４８，５１，５２ ドライバ側入力バンプ、 ２４ 可撓性基材、 ２５，２９，３０ 配線、 ２６，３１ ＡＣＦ、 ３１ａ 基材、 ３１ｂ 導電粒子、 ３３ 筐体、 ３３ａ 実装面、 ３４，３６，３６Ａ 樹脂コア、 ３５，３７，３７Ａ ドライバ側入力端子部、 ３８ 反射板、 ３９ 導光板、 ３９Ｂ 一側面、 ４０ ＬＥＤ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる半導体装置、実装構造体、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置は、例えば２枚の基板の間に液晶が保持された表示パネルを備えている。表示パネルの一方の基板上には、例えば液晶を駆動するための信号を出力する半導体装置としてのＬＳＩチップがＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎ Ｇｌａｓｓ）実装されている。しかし、ＬＳＩチップの高密度が進み、金属バンプが微細化すると、その金属バンプの強度が弱くなり、ＬＳＩチップの実装の信頼性が低くなる、という問題があった。
【０００３】
この問題を解決するために、金属バンプの高密度化が必要な部分で金属バンプを微細化しつつ、別の金属バンプ（の幅）を大きくすることで、強度を十分に確保しようとする技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。例えば、基板上の信号用の配線（電極部）より幅の大きい電源用の配線（電極部）に、幅の大きい金属バンプを接続することで、強度を確保すると共に半導体装置への電源の供給能力を向上させている。
【特許文献１】特開２０００−３３２０４２号公報（段落［００１２］、［００１４］、図１、図２）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術では、高密度化が必要な金属バンプ（信号用の配線）とは別の金属バンプ（電源用の配線）の幅を大きくしているが、バンプ数（配線数）が増えるにつれ金属バンプ（電源用の配線）の幅を大きくすることも困難になっている。つまり、高密度化が必要な金属バンプ（信号用の配線）とは別の金属バンプ（電源用の配線）の幅を大きくするとバンプ数（配線数）を増加させることができず高画素化を実現することは難しい。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、高画素化及び接続信頼性を向上させることが可能な半導体装置、該半導体装置が実装された実装構造体、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る半導体装置は、電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプは、前記実装面からその頂点までの高さが異なるバンプを有する。
【０００７】
例えばバンプ（電源用の配線）の幅を大きくすることなく半導体装置への電源の供給能力を向上させるために、電源用の配線の高さを変更することが考えられる。しかし、このような場合には、複数のバンプの高さが均一であるのに対して、基板上の複数の配線の高さが異なることになり、半導体装置を基板に実装するときに、それぞれバンプと基板上の配線とを均一に圧着することができず接続の信頼性を確保することが難しくなるおそれがある。
【０００８】
本発明では、複数のバンプは、筐体の実装面からその頂点までの高さが異なるバンプを有するので、高さの低い配線（端子）に高さの高いバンプを対応させると共に、高さの高い配線（端子）に高さの低いバンプを対応させて接続することで、それぞれの配線（端子）とバンプとの圧着力をほぼ同じにして、接続信頼性を向上させることができる。このとき、筐体の実装面からの高さが他のバンプと異なり低いバンプは、基板からの高さの高い配線（端子）に電気的に接続される。例えば基板からの配線（端子）の高さを高くすることで、例えば配線（バンプ）の幅を大きくせずに配線（端子）に流れる電流を大きくすることができる。従って、バンプ（配線）の幅を大きくする場合に比べて、バンプ数（配線数）を増加させて高画素化を実現することができる。
【０００９】
本発明の一の形態によれば、前記バンプは、前記実装面に突設された樹脂部と、前記樹脂部を被覆し、前記電子回路に電気的に接続された端子部とを有する。これにより、半導体装置を基板に圧着して実装する場合に、万一複数のバンプの高さに誤差があっても、樹脂部の弾性力を用いてバンプの端子部と、基板の配線（端子）との電気的な接続性を更に向上させることができる。また、樹脂部の高さを容易に調整することができるので、製造が容易となる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記バンプは、前記実装面に突設された金属バンプである。これにより、金属バンプと、基板上の配線（端子）との電気的接続を確保することができると共に、導電量を容易に確保することができる。
【００１１】
本発明の他の観点に係る実装構造体は、電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置と、前記半導体装置が実装された基材とを具備し、前記基材上には、前記第１のバンプに電気的に接続され該基材からの高さが第３の高さの第１の配線と、前記第２のバンプに電気的に接続され該基材からの高さが前記第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じである。
【００１２】
例えば半導体装置の複数のバンプの高さ（厚さ）が均一であるのに対して基材上の複数の配線の高さが異なるときには、半導体装置を基材に圧着する場合に、複数のバンプと複数の配線とのそれぞれの圧着力が異なり接続信頼性を確保することが難しい。
【００１３】
本発明では、基材上には、第３の高さの第１の配線と、第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、半導体装置は、実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有し、第１のバンプの第１の高さと第１の配線の第３の高さとを加えた長さと、第２のバンプの第２の高さと第２の配線の第４の高さとを加えた長さとがほぼ同じである。従って、第１の配線に第１のバンプが対応し第２の配線に第２のバンプが対応して電気的に接続されることで、それぞれの配線とバンプとの圧着力をほぼ同じにして、接続後の接続信頼性を向上させることができる。また、例えば第１の配線の高さを高くすることで、第１の配線の幅を大きくせずに例えば第１の配線に流れる電流を大きくすることができる。従って、第１の配線の幅を大きくする場合に比べて、配線数を増加させて高画素化を実現することができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記第１のバンプは、電源用バンプであり、前記第２のバンプは、信号用バンプである。これにより、基材上の電源用配線（電源用端子）が電源用バンプに電気的に接続され、基材上の信号用配線（信号用端子）が信号用バンプに電気的に接続される場合には、電源用配線（電源用端子）の基板からの高さは、信号用配線（信号用端子）の基板からの高さより高くなる。従って、電源用配線（電源用端子）により半導体装置への電源の供給能力を向上させることができる。
【００１５】
本発明の他の観点に係る電気光学装置は、電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置と、前記半導体装置が実装され電気光学物質を保持する第１及び第２の基板とを具備し、前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板上には、前記第１のバンプに電気的に接続され該基板からの高さが第３の高さの第１の配線と、前記第２のバンプに電気的に接続され該基板からの高さが前記第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じである。
【００１６】
例えば半導体装置の複数のバンプの高さ（厚さ）が均一であるのに対して基板上の複数の配線の高さが異なるときには、半導体装置を基板に圧着する場合に、複数のバンプと複数の配線とのそれぞれ圧着力が異なり接続信頼性を確保することが難しい。
【００１７】
本発明では、第１及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板上には、第３の高さの第１の配線と、第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、半導体装置は、実装面からその頂点までのの高さが第１の高さの第１のバンプと、第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有し、第１のバンプの第１の高さと第１の配線の第３の高さとを加えた長さと、第２のバンプの第２の高さと第２の配線の第４の高さとを加えた長さとがほぼ同じであるので、第１の配線に第１のバンプが対応し第２の配線に第２のバンプが対応して電気的に接続されることで、それぞれの配線とバンプとの圧着力をほぼ同じにして、接続後の接続信頼性を向上させることができる。また、例えば第１の配線の高さを高くすることで、例えば第１の配線の幅を大きくせずに第１の配線に流れる電流を大きくすることができる。従って、第１の配線の幅を大きくする場合に比べて、配線数を増加させて高画素化を実現することができる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記第１のバンプは、電源用バンプであり、前記第２のバンプは、信号用バンプである。これにより、第１及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板上の電源用配線（電源用端子）が電源用バンプに電気的に接続され、この基板上の信号用配線（信号用端子）が信号用バンプに電気的に接続される場合には、電源用配線（電源用端子）のこの基板からの高さは、信号用配線（信号用端子）のこの基板からの高さより高くなる。従って、電源用配線（電源用端子）により半導体装置への電源の供給能力を向上させることができる。
【００１９】
本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造方法は、電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置を製造する工程と、前記半導体装置が実装される基板からの高さが第３の高さである第１の配線と、前記基板からの高さが前記第３の高さより低い第４の高さである第２の配線とを有する電気光学パネルを製造する工程と、前記第１のバンプと前記第１の配線とが対向し前記第２のバンプと前記第２の配線とが対向するように前記半導体装置と前記電気光学パネルとを位置合わせした状態で圧着することで、前記第１のバンプと前記第１の配線とを電気的に接続すると共に、前記第２のバンプと前記第２の配線とを電気的に接続する工程とを具備し、前記位置合わせした状態では、前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じである。
【００２０】
半導体装置と電気光学パネルとを位置合わせした状態で圧着するときに、例えば半導体装置の複数のバンプの高さ（厚さ）が均一あるのに対して電気光学パネルの複数の配線の高さが異なるときには、複数のバンプと複数の配線とのそれぞれの圧着力が異なり接続信頼性を確保することが難しい。
【００２１】
本発明では、第１のバンプと第１の配線とが対向し第２のバンプと第２の配線とが対向するように半導体装置と電気光学パネルとを位置合わせした状態で圧着するときに、この位置合わせした状態では、第１のバンプの第１の高さと第１の配線の第３の高さとを加えた長さと、第２のバンプの第２の高さと第２の配線の第４の高さとを加えた長さとが同じであるので、第１のバンプと第１の配線との接続前の間隔と第２のバンプと第２の配線との間隔等がほぼ同じになり、圧着時にそれぞれのバンプと配線とを均等に圧接することができる。また、例えば第１の配線の高さを高くすることで、例えば第１の配線の幅を大きくせずに第１の配線に流れる電流を大きくすることができる。従って、第１の配線の幅を大きくする場合に比べて、配線数を増加させて高画素化を実現することができる。従って、バンプと配線との電気的な接続信頼性及び高画素化が実現された電気光学装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、液晶装置、具体的には反射半透過型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス方式の液晶装置について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２３】
（第１の実施形態）
【００２４】
図１は第１の実施形態の液晶装置の斜視図、図２は図１の液晶装置のＡ−Ａ断面図、図３は図１の液晶装置のＢ−Ｂ断面図、図４は図１の液晶装置のＣ−Ｃ断面図、図５は図１の液晶装置のドライバＩＣの底面図である。
【００２５】
（液晶装置の構成）
【００２６】
液晶装置１は、図１に示すように、液晶パネル２と、液晶パネル２に接続された回路基板３と、図２に示す照明装置４とを備えている。なお、液晶装置１は、液晶パネル２を支持するフレーム５等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。
【００２７】
液晶パネル２は、基板６と、基板６に対向するように設けられた基板７と、基板６、７の間に設けられたシール材８及び基板６、７により封止された図示しない液晶とを備えている。液晶には、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）が用いられている。
【００２８】
基板６及び基板７は、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材である。基板６の液晶側には、ゲート電極９、ソース電極１０、薄膜トランジスタ素子Ｔ及び画素電極１１が形成されており、基板７の液晶側には、共通電極７ａが形成されている。
【００２９】
ゲート電極９はＸ方向に、ソース電極１０はＹ方向に、それぞれ例えばアルミニウム等の金属材料等によって形成されている。ソース電極１０は、例えば図１に示すように上半分が左側に、下半分が右側に引き回されて形成されている。なお、ゲート電極９及びソース電極１０の本数は、液晶装置１の解像度や表示領域の大きさに応じて適宜変更可能である。
【００３０】
薄膜トランジスタ素子Ｔは、ゲート電極９、ソース電極１０及び画素電極１１にそれぞれ接続される３つの端子を備えている。これにより、ゲート電極９に電圧を印加したときにソース電極１０から画素電極１１に又はその逆に電流が流れるように構成されている。
【００３１】
また、基板６は、基板７の外縁から張り出した領域（以下、「張り出し部」と表記する）６ａを備えている。張り出し部６ａの面上には、出力配線１２〜１４、入力配線１５〜１７が付設されていると共に、例えば液晶を駆動するためのドライバＩＣ１８が実装されている。
【００３２】
出力配線１２は、図２に示すように一端部１２ａがドライバＩＣ１８のドライバ側出力バンプ２０にＡＣＦ３１を介して接続され、他側がゲート電極９に繋がっている。一端部１２ａの厚さは、図３に示すように、第４の高さｈ４（厚さ）となっている。出力配線１３及び出力配線１４は、図３に示す一端部１３ａ、１４ａがそれぞれドライバＩＣ１８のドライバ側出力バンプ２０ｂにＡＣＦ３１を介して接続され、図１に示すように他側がソース電極１０に繋がっている。図３に示すように、出力配線１３及び出力配線１４の一端部１３ａ、１４ａの高さ（厚さ）も、第４の高さｈ４とほぼ同じになっている。
【００３３】
入力配線１５は、図２に示すように、ドライバＩＣ１８側の一端部１５ａがドライバＩＣ１８のドライバ側入力バンプ２８にＡＣＦ３１を介して接続され、他端部１５ｂが回路基板３の可撓性基材２４の一面側に付設された配線２５の一端部にＡＣＦ２６を介して接続されている。
【００３４】
例えば、複数の入力配線１５のうちの少なくとも１本は、電源用入力配線１５である。以下、電源用入力配線１５の一端部１５ａを電源用入力端子１５ａという。図４に示すように、電源用入力端子１５ａは、基板６からの高さが第３の高さｈ３（>第４の高さｈ４）になっている。
【００３５】
図１に示す入力配線１６、１７は、図４に示すその一端部１６ａ、１７ａがそれぞれドライバＩＣ１８のドライバ側入力バンプ２８にＡＣＦ３１を介して接続され、図示しない他端部が可撓性基材２４の一面側に付設された図１に示す配線２９、３０にＡＣＦ２６を介して接続されている。
【００３６】
以下、信号用の入力配線１６、１７の一端部１６ａ、１７ａを信号用入力端子１６ａ、１７ａという。信号用入力端子１６ａ、１７ａは、図４に示すように、基板６からの高さが第３の高さｈ３より低い第４の高さｈ４になっている。この第４の高さｈ４は、図３に示す一端部１２ａ、１３ａ及び１４ａの第４の高さｈ４（厚さ）とほぼ同じである。
【００３７】
ドライバＩＣ１８は、図２に示すように、内部に電子回路が収容された筐体３３と、筐体３３の基板６と対向する実装面３３ａ（図３、図４参照）側に突設されたドライバ側出力バンプ２０、ドライバ側入力バンプ２８とを備えている。ドライバＩＣ１８は、図３、図４に示すように、ＡＣＦ３１等の接着材により基板６側に接着されている。ＡＣＦ３１は、接着材の基材３１ａに導電粒子３１ｂが含まれた異方性導電膜である。
【００３８】
筐体３３は、例えばドライバ側出力バンプ２０、ドライバ側入力バンプ２８が突設されたシリコン基板、電子回路としての図示しないシリコンチップを内部に封止する樹脂などにより構成されている。筐体３３は、図１、図５に示すように例えばＹ方向に長手方向を有している。
【００３９】
ドライバ側入力バンプ２８は、図５に示すように、ドライバＩＣ１８の長手方向（Ｙ方向）に複数配設されている。図５に示すドライバ側出力バンプ２０についてもこの長手方向に複数配設されている。
【００４０】
図３に示すように、例えば、一端部１２ａ、１３ａ及び１４ａに電気的に接続されたドライバ側出力バンプ２０（２０ａ、２０ｂ）は、実装面３３ａからその頂点までの高さが第２の高さｈ２になっている。
【００４１】
また、ドライバ側出力バンプ２０（２０ａ）の第２の高さｈ２と一端部１２ａの第４の高さｈ４とを加えた長さと、ドライバ側出力バンプ２０（２０ｂ）の第２の高さｈ２と一端部１３ａ（又は、１４ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。例えば他のドライバ側出力バンプ２０の実装面３３ａからその頂点までの第２の高さｈ２と、この第２の高さｈ２のドライバ側出力バンプ２０に電気的に接続された一端部の基板６からの第４の高さｈ４とを加えた長さについても、上述した長さと同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。
【００４２】
図４に示すように、例えば、電源用入力端子１５ａに電気的に接続されたドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）は、実装面３３ａからその頂点までの高さが第１の高さｈ１になっている。信号用入力端子１６ａ、１７ａに電気的に接続されたドライバ側入力バンプ２８（２８ｂ）は、実装面３３ａからその頂点までの高さが第１の高さｈ１より高い第２の高さｈ２になっている。
【００４３】
また、ドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）の第１の高さｈ１と電源用入力端子１５ａの第３の高さｈ３とを加えた長さと、ドライバ側入力バンプ２８（２８ｂ）の第２の高さｈ２と信号用入力端子１６ａ（又は、１７ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。例えばドライバ側入力バンプ２８ａとドライバ側入力バンプ２８ｂと間のドライバ側入力バンプ２８の実装面３３ａからの第５の高さｈ５と、この第５の高さｈ５のドライバ側入力バンプ２８に電気的に接続された信号用入力端子の基板６からの第６の高さｈ６とを加えた長さについても、上述した長さと同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。
【００４４】
図３に示すドライバ側出力バンプ２０（２０ａ）の第２の高さｈ２と一端部１２ａの第４の高さｈ４とを加えた長さと、図４に示すドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）の第１の高さｈ１と電源用入力端子１５ａの第３の高さｈ３とを加えた長さとはほぼ同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。これにより、ドライバＩＣ１８の基板６に対する水平性が保たれている。
【００４５】
また、例えばドライバ側出力バンプ２０は、図２に示すように、例えば筐体３３に突設された樹脂コア３４と、樹脂コア３４を被覆するように設けられたドライバ側出力端子部３５とを備えている。ドライバ側入力バンプ２８は、図２、図４に示すように、例えば筐体３３に突設された樹脂コア３６と、樹脂コア３６を被覆するように設けられたドライバ側入力端子部３７とを備えている。樹脂コア３４、３６の構成材料には、例えば基材としてエポキシ樹脂が用いられている。
【００４６】
回路基板３は、図１、図２に示すように、一端部が張り出し部６ａに例えばＡＣＦ２６を介して接続されていると共に曲げて設けられて、図２に示すように、他端部が反射板３８に接続されている。回路基板３は、図１に示すように可撓性基材２４と、可撓性基材２４の一面（内面）側に設けられた配線２５、２９及び３０とを備えている。可撓性基材２４には、例えばこの他にも図示しない半導体ＩＣ等が実装されている。
【００４７】
可撓性基材２４は、回路基板３の基材として用いられており、例えば構成材料には樹脂材料等が用いられている。樹脂材料としては、例えばポリイミドが用いられている。
【００４８】
配線２５、２９及び３０は、図１に示すように、可撓性基材２４の一面（内面）側に設けられている。配線２５は、図２に示すように張り出し部６ａ側の一端部がＡＣＦ２６を介して入力配線１５の他端部１５ｂに接続されており、配線２５の他端部は図示しない電源等に電気的に接続されている。配線２９、３０は、図１に示すように、一端部がＡＣＦ２６を介して入力配線１６、１７に接続されており、他端部は例えば図示しない半導体ＩＣに接続されている。
【００４９】
照明装置４は、導光板３９、反射板３８及びＬＥＤ４０等を備えている。導光板３９は、図２に示すように、液晶パネル２に重なるように設けられている。導光板３９は、構成材料には例えばアクリル樹脂、ポリイミド等の透明材料が用いられている。なお、導光板３９の外側には、例えば反射板３８が導光板３９に重なるように配置されている。図２に示すように導光板３９の一側面３９Ｂに隣接してＬＥＤ４０が配置されている。
【００５０】
（液晶装置１の製造方法）
【００５１】
次に、液晶装置１の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００５２】
図６は第１の実施形態の液晶装置１の製造工程を示すフローチャートである。なお、本実施形態では、ドライバ側出入力バンプ２０、２８を備えたドライバＩＣ１８の製造工程（Ｓ１）について中心的に説明する。
【００５３】
まず、ドライバ側出入力バンプ２０、２８が形成されていないドライバＩＣ１８の図４に示す実装面３３ａ側に樹脂（レジスト）を塗布し、マスクを介して露光、現像を行うことで、例えば、ドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）を形成するためのほぼ第１の高さｈ１を有する樹脂コア３６を形成し、続いて樹脂を塗布し、別のマスクを介して露光、現像を行うことで、高さｈ５を有する樹脂コア３６を形成する等して、更に、樹脂を塗布し、更に別のマスクを介して露光、現像を行うことで、ドライバ側入力バンプ２８（２８ｂ）を形成するためのほぼ第２の高さｈ２を有する樹脂コア３６を形成する。ついで、例えば金等の膜を形成した後にエッチングすることにより、樹脂コア３６を覆うようにドライバ側入力端子部３７を形成する。これにより、第１の高さｈ１のドライバ側入力バンプ２１、第１の高さｈ１より高い第２の高さｈ２のドライバ側入力バンプ２２等が形成されたドライバＩＣ１８を製造する（Ｓ１）。
【００５４】
なお、本実施形態では、樹脂コア３６を形成するときに、上述したように異なるマスクを用いて、レジストを塗布、露光及び現像を複数回繰り返す例を示した。しかし、実装面３３ａに第２の高さｈ２の樹脂（レジスト）を塗布し、ハーフトーンマスクを介して露光、現像を行うことで、ドライバ側入力バンプ２１、２２を形成するための樹脂コア３６を形成するようにしてもよい。
【００５５】
続いて、ドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）と電源用入力端子１５ａとが対向し、ドライバ側入力バンプ２８（２８ｂ）と信号用入力端子１６ａ（又１７ａ）とが対向するように、基板６に対してドライバＩＣ１８を位置合わせする。このとき、ドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）の第１の高さｈ１と電源用入力端子１５ａの第３の高さｈ３とを加えた長さと、ドライバ側入力バンプ２８（２８ｂ）の第２の高さｈ２と信号用入力端子１６ａ（又は、１７ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さと、ドライバ側出力バンプ２０ａ（２０ｂ）の第２の高さｈ２と一端部１２ａ（１３ａ又は１４ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じになる（他の入力端子と、ドライバ側入力バンプとを加えた長さについても同様）。
【００５６】
そして、ドライバＩＣ１８をＡＣＦ３１を介して液晶パネル２の基板６に熱圧着する（Ｓ２）。このとき、第１の高さｈ１と第３の高さｈ３とを加えた長さと、第２の高さｈ２と第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じになるようにそれぞれのドライバ側入力バンプと基板６の入力端子との高さが調整されているので（他の入力端子と、ドライバ側入力バンプとを加えた長さについても同様）、ドライバ側入力バンプ２１と電源用入力端子１５ａとの導電粒子３１ｂを介した電気的な接続やドライバ側入力バンプ２２と信号用入力端子１６ａ、１７ａとの導電粒子３１ｂを介した電気的な接続やドライバ側出力バンプ２０と出力配線１２、１３及び１４との導電粒子３１ｂを介した電気的な接続が良好に確保される。
【００５７】
一方、回路基板３を製造し（Ｓ３）、ＡＣＦ２６を介して回路基板３を液晶パネル２に接続する（Ｓ４）。
【００５８】
次いで、例えば液晶パネル２に導光板３９等と共にフレーム５をセットし、導光板３９の外側に反射板３８等を配置し、回路基板３を反射板３８の外側に曲げて回路基板３の他端部を例えば反射板３８に接着する等して液晶装置１を製造する（Ｓ５）。
【００５９】
以上で液晶装置１の製造方法についての説明を終了する。
【００６０】
このように本実施形態によれば、ドライバＩＣ１８は、実装面３３ａからその頂点までの高さが第１の高さｈ１であるドライバ側入力バンプ２８ａと、実装面３３ａからその頂点までの高さが第２の高さｈ２であるドライバ側入力バンプ２８ｂとを備えている。また、ドライバ側入力バンプ２８ａと第３の高さｈ３の電源用入力端子１５ａとが電気的に接続されていると共に、ドライバ側入力バンプ２８ｂと第４の高さｈ４の信号用入力端子１６ａ、１７ａとが電気的に接続されている。ドライバＩＣ１８を基板６に実装するときに、信号用入力端子１６ａ、１７ａにドライバ側入力バンプ２８ｂを対応させると共に、電源用入力端子１５ａにドライバ側入力バンプ２８ａを対応させた位置合わせ状態では、第１の高さｈ１と第３の高さｈ３とを加えた長さと、第２の高さｈ２と第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じであるので、ドライバ側入力バンプ２８ａと電源用入力端子１５ａとの接続前の間隔やドライバ側入力バンプ２８ｂと信号用入力端子１６ａ、１７ａとの接続前の間隔やドライバ側出力バンプ２０と一端部１２ａ等との間隔がほぼ同じになり、この位置合わせ状態で圧着することで、ドライバ側入力バンプ２１と電源用入力端子１５ａとやドライバ側入力バンプ２２と信号用入力端子１６ａ、１７ａとやドライバ側出力バンプ２０と一端部１２ａとを均等に圧接して、接続信頼性を向上させることができる。
【００６１】
また、ドライバ側入力バンプ２８ａは、基板６からの高さの高い電源用入力端子１５ａに電気的に接続されている。基板６からの電源用入力端子１５ａの高さを高くすることで、ドライバ側入力バンプ２８ａ（電源用入力端子１５ａ）の幅を大きくせずに電源用入力端子１５ａに流れる電流を大きくすることができる。従って、電源用入力端子１５ａ（ドライバ側入力バンプ２８ａ）の幅を大きくする場合に比べて、ドライバ側入力バンプ２８の数（入力配線１５等の数）を増加させて高画素化を実現することができる。
【００６２】
更に、ドライバ側入力バンプ２１は、筐体３３の実装面３３ａに突設された樹脂コア３６と、樹脂コア３６を被覆するように設けられたドライバ側入力端子部３７とを備えている。これにより、ドライバＩＣ１８を基板６に圧着して実装する場合に、樹脂コア３６や電源用入力端子１５ａ等に高さの誤差が万一生じていても、樹脂コア３６の弾性力を用いてドライバ側入力バンプ２１のドライバ側入力端子部３７と、基板６上の電源用入力端子１５ａとの電気的な接続性を更に向上させることができる。また、樹脂コアを製造するときに、樹脂の塗布量を調整することで、樹脂コアの高さを調整することが容易なので、ドライバ側入力バンプ２０等を容易に製造することができる。
【００６３】
（第１の変形例）
【００６４】
図７は第１の変形例のドライバＩＣの断面図である。なお、本変形例以降においては、上記実施形態と同一の構成部材等には同一の符号を付しその説明を省略し、異なる箇所（ドライバＩＣのドライバ側入力バンプ）を中心に説明する。
【００６５】
本変形例の液晶装置１´に用いられるドライバＩＣ１８´は、上記実施形態の複数のドライバ側入力バンプ２８の代わりに、複数の金属製のドライバ側入力バンプ４８を備えている。
【００６６】
ドライバ側入力バンプ４８は、例えば上記実施形態の樹脂コア３６及びドライバ側入力端子部３７の代わりに、金属製のバンプを備えている。なお、複数のドライバ側入力バンプ４８は、上記実施形態の複数のドライバ側入力バンプ２８とほぼ同じ形状で同じ位置に配設されている。
【００６７】
つまり、図７に示すように、ドライバ側入力バンプ４８（４１）の第１の高さｈ１と電源用入力端子１５ａの第３の高さｈ３とを加えた長さと、ドライバ側入力バンプ４８（４２）の第２の高さｈ２と信号用入力端子１６ａ（又は、１７ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さと、図３に示したドライバ側出力バンプ２０の第２の高さｈ２と一端部１２ａとを加えた長さとが同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。他のドライバ側入力バンプ４８の実装面３３ａからの第５の高さｈ５と、この第５の高さｈ５のドライバ側入力バンプ４８に電気的に接続された信号用入力端子１７ａの基板６からの第６の高さｈ６とを加えた長さについても、上述した長さと同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。
【００６８】
（液晶装置１´の製造方法）
【００６９】
本変形例の液晶装置の製造方法については、上記実施形態に比べて、ドライバ側入力バンプ４８の製造方法が異なるので、ドライバ側入力バンプ４８の製造方法について説明する。
【００７０】
（ドライバ側入力バンプ４８の製造方法）
【００７１】
複数のドライバ側入力バンプ４８は、まず、例えば筐体３３の実装面３３ａにマスクを形成した後、第１の高さｈ１の金属層を形成し、続いて例えば別のマスクを形成した後、メッキにより第５の高さｈ５の金属層を形成し、更に別のマスクを形成した後、メッキにより第２の高さｈ２の金属層を形成することで、図７に示すようにそれぞれ独立して形成されている。
【００７２】
なお、複数のドライバ側入力バンプ４８は、まず、例えば筐体３３の実装面３３ａに第２の高さｈ２の金属層を形成し、次に、マスクを介してエッチングを施し、金属層を部分的に第１の高さｈ１や第５の高さｈ５にし、更に別のマスクを介してそれぞれ独立したドライバ側入力バンプを形成するようにしてもよい。
【００７３】
このような構成によれば、ドライバ側入力バンプ４８は、筐体３３の実装面３３ａに突設された金属バンプである。これにより、金属製のドライバ側入力バンプ４８と、基板６上の電源用入力端子１５ａや信号用入力端子１６ａ、１７ａとの電気的接続を確保することができると共に、ドライバ側入力バンプ４８は、全て金属材料で形成されているので、導電量を容易に確保することができる。
【００７４】
（第２の変形例）
【００７５】
図８は第２の変形例のドライバＩＣの断面図である。
【００７６】
本変形例の液晶装置１Ａに用いられるドライバＩＣ１８Ａは、上記実施形態の複数の独立したドライバ側入出力バンプ２８、２０の代わりに、蒲鉾状の樹脂コア３６Ａ上に複数のドライバ側入力端子部３７Ａが配置されて形成された複数のドライバ側入力バンプ５８等を備えている。
【００７７】
ドライバ側入力バンプ５８は、図８に示すように、ドライバＩＣ１８Ａの長手方向（Ｙ方向）に複数のドライバ側入力バンプ５８に亘って配置された蒲鉾状の樹脂コア３６Ａと、互いに離間して樹脂コア３６Ａを被覆するように配置された複数のドライバ側入力端子部３７Ａとで構成されている。
【００７８】
樹脂コア３６Ａは、図８に示すように、ドライバ側入力バンプ５１を形成する部分の高さが高さｈｃ１であり、ドライバ側入力バンプ５２を形成する部分の高さが高さｈｃ２であり、例えばドライバ側入力バンプ５１、５２の間のドライバ側入力バンプ５８を形成する部分の高さが高さｈｃ３である。
【００７９】
ドライバ側入力バンプ５１は、図８に示すように、電源用入力端子１５ａに電気的に接続されており、ドライバ側入力バンプ５２は、信号用入力端子１６ａ、１７ａに電気的に接続されている。ドライバ側入力バンプ５１とドライバ側入力バンプ５２との間のドライバ側入力バンプ５８も例えば信号用入力端子に電気的に接続されている。ドライバＩＣ１８Ａの図示しないドライバ側出力バンプは、例えば入力側と同様に図示しない蒲鉾状の樹脂コアにより構成されており、ドライバ側出力バンプの高さは第１の実施形態と同様に第２の高さｈ２になっている。
【００８０】
図８に示すように、例えば、ドライバ側入力バンプ５１は、実装面３３ａからの高さが第１の高さｈ１になっている。ドライバ側入力バンプ５２は、実装面３３ａからの高さが第１の高さｈ１より高い第２の高さｈ２になっている。
【００８１】
また、ドライバ側入力バンプ５１の第１の高さｈ１と電源用入力端子１５ａの第３の高さｈ３とを加えた長さと、ドライバ側入力バンプ５２の第２の高さｈ２と信号用入力端子１６ａ（又は、１７ａ）の第４の高さｈ４とを加えた長さと、図示しないドライバ側出力バンプの第２の高さｈ２と一端部１２ａの第４の高さｈ４とを加えた高さｈ４とが同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。他のドライバ側入力バンプ５８の実装面３３ａからの第５の高さｈ５と、この第５の高さｈ５のドライバ側入力バンプ５８に電気的に接続された信号用入力端子１７ａの基板６からの第６の高さｈ６とを加えた長さについても、上述した長さと同じになるようにそれぞれの高さが調整されている。
【００８２】
ドライバ側入力バンプ５８の製造方法は、上記実施形態に比べて、筐体３３の実装面３３ａ上に塗布された樹脂（レジスト）を露光する際に、蒲鉾状の樹脂コア３６Ａが形成されるようなマスクを用いる。これにより、筐体３３の実装面３３ａに蒲鉾状の樹脂コア３６Ａが形成される。他の製造工程については、上記実施形態と同様なのでその説明を省略する。
【００８３】
このように、ドライバ側入力バンプ５８等を製造する場合に、筐体３３の実装面３３ａ上に樹脂（レジスト）を塗布し、蒲鉾状の樹脂コア３６Ａが形成されるようなマスクを用いて、塗布された樹脂（レジスト）を露光し、現像することで、容易に蒲鉾状の樹脂コア３６Ａ等を製造することができる。従って、生産性を向上させつつドライバＩＣ１８Ａのドライバ側入力バンプ５８と、基板６側の電源用入力端子１５ａ、信号用入力端子１６ａ、１７ａとの接続等の信頼性を向上させることができる。
【００８４】
また、ドライバＩＣ１８Ａは、実装面３３ａからの高さが第１の高さｈ１であるドライバ側入力バンプ５１と、実装面３３ａからの高さが第２の高さｈ２であるドライバ側入力バンプ５２とを備えている。また、ドライバ側入力バンプ５１と電源用入力端子１５ａとが電気的に接続されていると共に、ドライバ側入力バンプ５２と信号用入力端子１６ａ、１７ａとが電気的に接続されている。ドライバＩＣ１８Ａを基板６に実装するときに、信号用入力端子１６ａ、１７ａにドライバ側入力バンプ５２を対応させ、電源用入力端子１５ａにドライバ側入力バンプ５１を対応させ、図示しない第２の高さｈ２のドライバ側出力バンプと第４の高さｈ４の一端部１２ａ（図３参照）とを対応させた位置合わせ状態では、第１の高さｈ１と第３の高さｈ３とを加えた長さと、第２の高さｈ２と第４の高さｈ４とを加えた長さとが同じであるので、ドライバ側入力バンプ５１と電源用入力端子１５ａとの接続前の間隔やドライバ側入力バンプ５２と信号用入力端子１６ａ、１７ａとの接続前の間隔やドライバ側出力バンプと一端部１２ａとの接続前の間隔がほぼ同じになり、この位置合わせ状態で圧着することで、ドライバ側入力バンプ５１と電源用入力端子１５ａとやドライバ側入力バンプ５２と信号用入力端子１６ａ、１７ａとやドライバ側出力バンプと一端部１２ａ（図３参照）とを均等に圧接して、接続信頼性を向上させることができる。
【００８５】
また、ドライバ側入力バンプ５１は、基板６からの高さの高い電源用入力端子１５ａに電気的に接続されている。基板６からの電源用入力端子１５ａの高さを高くすることで、ドライバ側入力バンプ５１（電源用入力端子１５ａ）の幅を大きくせずに電源用入力端子１５ａに流れる電流を大きくすることができる。従って、電源用入力端子１５ａ（ドライバ側入力バンプ５１）の幅を大きくする場合に比べて、ドライバ側入力バンプ５８の数（入力配線１５等の数）を増加させて高画素化を実現することができる。
【００８６】
なお、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態及び変形例を組み合わせ得る。
【００８７】
例えば、上述の実施形態ではＴＦＴ型の液晶装置１等について説明したがこれに限られるものではなく、例えばＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）型アクティブマトリックス型、パッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。また、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ‐Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ等）などの各種電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００８８】
上記実施形態では、複数のドライバ側入力バンプ２８のうち電源用入力端子１５ａに電気的に接続されたドライバ側入力バンプ２８（２８ａ）が、ドライバＩＣ１８の長手方向中央に設けられ、信号用入力端子１６ａ、１７ａが同じ長手方向の両端等に設けられる例を示したが、電源用入力端子１５ａや信号入力端子１６ａ、１７ａの位置は、これに限定されず、適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】第１の実施形態の液晶装置の斜視図である。
【図２】図１の液晶装置のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１の液晶装置のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】図１の液晶装置のＣ−Ｃ断面図である。
【図５】図１の液晶装置のドライバＩＣの底面図である。
【図６】図１の液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図７】第１の変形例のドライバＩＣの断面図である。
【図８】第２の変形例のドライバＩＣの断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
Ｔ 薄膜トランジスタ素子、 １，１´，１Ａ 液晶装置、 ２ 液晶パネル、 ３ 回路基板、 ４ 照明装置、 ５ フレーム、 ６，７ 基板、 ６ａ 張り出し部、 ７ａ 共通電極、 ８ シール材、 ９ ゲート電極、 １０ ソース電極、 １１ 画素電極、 １２〜１４ 出力配線、 １２ａ 一端部、 １６ａ，１７ａ 一端部（信号用入力端子）、 １５ 入力配線（電源用入力配線）、 １５ａ 一端部（電源用入力端子）、 １５ｂ 他端部、 １６〜１７ 入力配線、 １８，１８Ａ ドライバＩＣ、 ２０（２０ａ，２０ｂ） ドライバ側出力バンプ、 ２８（２８ａ，２８ｂ），４８，５１，５２ ドライバ側入力バンプ、 ２４ 可撓性基材、 ２５，２９，３０ 配線、 ２６，３１ ＡＣＦ、 ３１ａ 基材、 ３１ｂ 導電粒子、 ３３ 筐体、 ３３ａ 実装面、 ３４，３６，３６Ａ 樹脂コア、 ３５，３７，３７Ａ ドライバ側入力端子部、 ３８ 反射板、 ３９ 導光板、 ３９Ｂ 一側面、 ４０ ＬＥＤ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路を有する筐体と、
前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、
前記複数のバンプは、前記実装面からその頂点までの高さが異なるバンプを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記バンプは、前記実装面に突設された樹脂部と、前記樹脂部を被覆し、前記電子回路に電気的に接続された端子部とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置であって、
前記バンプは、前記実装面に突設された金属バンプであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置と、
前記半導体装置が実装された基材とを具備し、
前記基材上には、前記第１のバンプに電気的に接続され該基材からの高さが第３の高さの第１の配線と、前記第２のバンプに電気的に接続され該基材からの高さが前記第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、
前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じであることを特徴とする実装構造体。
【請求項５】
請求項４に記載の実装構造体であって、
前記第１のバンプは、電源用バンプであり、前記第２のバンプは、信号用バンプであることを特徴とする実装構造体。
【請求項６】
電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置と、
前記半導体装置が実装され電気光学物質を保持する第１及び第２の基板とを具備し、
前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板上には、前記第１のバンプに電気的に接続され該基板からの高さが第３の高さの第１の配線と、前記第２のバンプに電気的に接続され該基板からの高さが前記第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、
前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置であって、
前記第１のバンプは、電源用バンプであり、前記第２のバンプは、信号用バンプであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置を製造する工程と、
前記半導体装置が実装される基板からの高さが第３の高さである第１の配線と、前記基板からの高さが前記第３の高さより低い第４の高さである第２の配線とを有する電気光学パネルを製造する工程と、
前記第１のバンプと前記第１の配線とが対向し前記第２のバンプと前記第２の配線とが対向するように前記半導体装置と前記電気光学パネルとを位置合わせした状態で圧着することで、前記第１のバンプと前記第１の配線とを電気的に接続すると共に、前記第２のバンプと前記第２の配線とを電気的に接続する工程とを具備し、
前記位置合わせした状態では、前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
電子回路を有する筐体と、
前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、
前記複数のバンプは、前記実装面からその頂点までの高さが異なるバンプを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記バンプは、前記実装面に突設された樹脂部と、前記樹脂部を被覆し、前記電子回路に電気的に接続された端子部とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置であって、
前記バンプは、前記実装面に突設された金属バンプであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置と、
前記半導体装置が実装された基材とを具備し、
前記基材上には、前記第１のバンプに電気的に接続され該基材からの高さが第３の高さの第１の配線と、前記第２のバンプに電気的に接続され該基材からの高さが前記第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、
前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じであることを特徴とする実装構造体。
【請求項５】
請求項４に記載の実装構造体であって、
前記第１のバンプは、電源用バンプであり、前記第２のバンプは、信号用バンプであることを特徴とする実装構造体。
【請求項６】
電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置と、
前記半導体装置が実装され電気光学物質を保持する第１及び第２の基板とを具備し、
前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板上には、前記第１のバンプに電気的に接続され該基板からの高さが第３の高さの第１の配線と、前記第２のバンプに電気的に接続され該基板からの高さが前記第１の配線より低い第４の高さの第２の配線とが形成され、
前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置であって、
前記第１のバンプは、電源用バンプであり、前記第２のバンプは、信号用バンプであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
電子回路を有する筐体と、前記筐体の実装面に突設され、前記電子回路に電気的に接続された複数のバンプとを具備し、前記複数のバンプが、前記実装面からその頂点までの高さが第１の高さの第１のバンプと、前記第１の高さより高い第２の高さの第２のバンプとを有する半導体装置を製造する工程と、
前記半導体装置が実装される基板からの高さが第３の高さである第１の配線と、前記基板からの高さが前記第３の高さより低い第４の高さである第２の配線とを有する電気光学パネルを製造する工程と、
前記第１のバンプと前記第１の配線とが対向し前記第２のバンプと前記第２の配線とが対向するように前記半導体装置と前記電気光学パネルとを位置合わせした状態で圧着することで、前記第１のバンプと前記第１の配線とを電気的に接続すると共に、前記第２のバンプと前記第２の配線とを電気的に接続する工程とを具備し、
前記位置合わせした状態では、前記第１のバンプの前記第１の高さと前記第１の配線の前記第３の高さとを加えた長さと、前記第２のバンプの前記第２の高さと前記第２の配線の前記第４の高さとを加えた長さとが同じであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００９−８８０９５（Ｐ２００９−８８０９５Ａ）
【公開日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２５３５８５（Ｐ２００７−２５３５８５）
【出願日】平成１９年９月２８日（２００７．９．２８）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月２８日（２００７．９．２８）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
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