半導体装置
【課題】半導体素子表面から直接、高効率に放熱可能で、かつ蒸気流路と液流路を分離し、多孔質体内の流動距離を短縮化した低背冷却構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】回路基板２上に搭載された半導体素子３の背面上に直接、例えば微粒子噴射法、即ちガスデポジション法により多孔質膜７を形成し、これを含み回路基板を一方の面とする密閉空間１３を構成する。本密閉空間の一の壁面開口部９と他の壁面開口部１０とを管１１で連結して密閉循環路を形成する。多孔質膜中の冷媒は半導体素子の高温で蒸気化して多層質膜から分離し、一の壁面開口部から管に入り、管内を循環して冷却され液化する。液化した冷媒は管を通過して他の壁面開口部から多孔質膜上に滴下される。この滴下冷媒は毛細管力で多孔質膜中を進み、再度半導体素子の熱により蒸気化する。この蒸気化潜熱により半導体素子を冷却する。
【解決手段】回路基板２上に搭載された半導体素子３の背面上に直接、例えば微粒子噴射法、即ちガスデポジション法により多孔質膜７を形成し、これを含み回路基板を一方の面とする密閉空間１３を構成する。本密閉空間の一の壁面開口部９と他の壁面開口部１０とを管１１で連結して密閉循環路を形成する。多孔質膜中の冷媒は半導体素子の高温で蒸気化して多層質膜から分離し、一の壁面開口部から管に入り、管内を循環して冷却され液化する。液化した冷媒は管を通過して他の壁面開口部から多孔質膜上に滴下される。この滴下冷媒は毛細管力で多孔質膜中を進み、再度半導体素子の熱により蒸気化する。この蒸気化潜熱により半導体素子を冷却する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搭載された半導体素子を冷却する機能を具備した半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（ＬＳＩ）など半導体素子の更なる高性能化に伴い、発熱量が増大するため、素子の冷却技術の重要性が高まっている。半導体装置に適用される代表的な冷却方式としては、空冷方式と冷媒循環方式とがある。
【０００３】
空冷方式では、半導体素子の接合部近傍、具体的には素子パッケージの一方の面ないし両面にヒートシンクを具備させ、このヒートシンクに冷却風を当てて熱を奪う方法である。
【０００４】
図４に空冷方式の例を示す。本図は、空冷方式を用いた半導体装置１０１の断面模式図であり、回路基板１０２上に、半導体素子１０３を含み、その電極１０４と接続するはんだ１０５を外部出力端子とする半導体パッケージ１０７を、回路基板１０２の電極パッド１０６と接続する。半導体パッケージ１０７上に熱伝導性を考慮した接着剤などの材料である、ＴＩＭ（熱界面材料、Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）１０８を介して、ヒートシンク１０９を装着する。このヒートシンク１０９や回路基板１０２に冷却風を当てて冷却する。
【０００５】
空冷方式で冷却するためには、相当の放熱面積を必要とする。発熱量の増大に対応するためにはヒートシンクの大型化か、あるいは冷却風の風量の増大が必要である。半導体素子の周辺には様々な電子部品が設置されるため、スペースが少なく、半導体素子直上に設けられるヒートシンクの大型化は容易ではない。また、冷却風の増大は送風ファンの電力増加だけでなく、ファンの風切り音が増すことによる騒音増大にもつながるので、風量の増大は極力避けたい。
【０００６】
冷媒循環方式は、基本的に、液状の冷媒をポンプにより強制的に循環し、冷媒への熱伝達により半導体素子の熱を奪う方法である。通常、二つの熱交換器がパイプにより連結された構造をもち、流路の途中に冷媒を循環させるためのポンプがある。半導体素子の熱は、パッケージ直上に設置された第一の熱交換器に伝わり、内部の冷媒の温度を上昇させることにより、顕熱として冷媒に吸収される。第二の熱交換器において冷却された冷媒は再び第一の熱交換器に還流する。
【０００７】
この冷媒循環方式の利点は、放熱器となる第二の熱交換器を半導体素子から離れたところへ設置できることにある。この利点により電子部品が少なく、スペース上の制限が少ない領域に大きな放熱器を設置して、少ない風量で効率的に冷却することが可能となる。しかし、冷媒の顕熱を利用した熱輸送を伴うため、冷媒の循環にポンプを必要とし、冷却に余分な電力を必要とする。
【０００８】
上記冷媒循環方式において、熱輸送を効率的に行うために、冷媒の蒸発潜熱を利用する方法が提案されている。図５はその方法の一例を説明するための模式図である。図において、発熱体１１０は、例えば、電子基板１１１上にＬＳＩなどの電子部品１１２が実装されたもので、その表面に防水層１１３と含水層１１４とが形成されたものである。含水層１１４は毛細管現象で水を吸い上げる効果を有するもので形成され、発熱体１１０の凹凸面でも均等に覆うように形成されている。缶体１１５は密閉空間１１６を構成し、その底部の水溜部１１７には水１１８が貯液されている。発熱体１１０は含水層１１４の端部を水１１８に浸漬するようにして缶体１１５内に収容されている。缶体１１５と減湿装置１１９が空気循環路としての管路１２０により連結され閉ループを構成している。そして、空気循環手段としての空気循環器１２１が管路１２０に配設され、循環空気Ａが閉ループ内を循環するように構成されている。さらに、減湿装置１１９の底部と缶体１１５の底部とが返水手段としての返水管１２２で連結され、減湿装置１１９の底部の底部に溜まった水が返水管１２２を介して缶体１１５の水溜部１１７に返水されるように構成されている。減湿装置１１９は、例えば、冷媒圧縮式空気冷却機で構成する。
【０００９】
この方法は冷媒（空気）の循環に空気循環機を用いており、このため、これを作動するには電力を必要とする。また、水の蒸発潜熱を用いていることから、電子部品の絶縁のために防水層を設ける必要があることから、これが、熱伝導効率の低下を招き、発熱体表面から直接熱を奪う場合に比べ、冷却効果が劣る。
【００１０】
上記の冷却方式においては、冷却装置と素子表面の発熱部位との間にはパッケージ材（防水層）やＴＩＭなどの介在物が存在し、冷却効果を低下させている。冷却効果の向上に限らず、省スペースの観点からも、素子表面からの直接放熱をすることが望ましい。
【００１１】
半導体素子表面から直接放熱させる技術として、低沸点で絶縁性の冷媒中に、ＬＳＩやＬＳＩモジュールを浸漬する技術が提案されている。図６は、その例を説明するための断面模式図である。図において、半導体装置１２３は、ヒートパイプ１２４と、その内部に半導体チップ１２５を備え、半導体チップ１２５は配線１２６を介してヒートパイプ１２４の外部と電気的に接続されている。半導体チップ１２５は実装基板１２７上に形成され、実装基板１２７はヒートパイプ１２４の壁面の一部としてよい。半導体チップ１２５は配線１２６とボンディングワイヤ１２８により接続されている。ヒートパイプ１２４は、内部にウィック１２９および作動液１３０（水、アルコール、または代替フロンなど）を有している。半導体チップ１２５は作動液１３０に直接（または薄い保護膜を介して）接触している。このように、冷媒（作動液）の蒸発・凝縮の相変化に伴う潜熱を利用して冷却するため、効率よく冷却できる。
【００１２】
半導体素子表面から直接放熱させる技術においては、冷媒の蒸発潜熱を利用した冷却方法を用いたものも提案されている。図７は、その例を説明するための断面模式図である。熱制御装置１３１は、無底ヒート筐体１３２が取付台１３３上に一体載着しており、冷媒液を含むウィック１３４は発熱物１３５を被包して無底ヒート筐体１３２および無底ヒート筐体１３２内取付台１３３上面全域に亙り内張りされており、取付リム１３６で無底ヒート筐体１３２を取付台１３３上に取付る。
【００１３】
発熱物１３５からの発熱は発熱物１３５に接するウィック１３４の吸熱部１３７に含まれる冷媒液が蒸発するとき、蒸発潜熱として蒸気に取り込まれ、取付台１３３に伝えられ、取付台１３３から外部へ放熱される。取付台１３３は発熱物１３５の温度より低いために蒸気はそこで液体に相変化し、輸送してきた熱量を凝縮熱として無底ヒート筐体１３２に伝熱するので再び液体となってウィック１３４内を毛細管作用により連続的に吸熱部１３７へと循環する。
【００１４】
このように、ウィック（即ち、多孔質体）が流路に設けられており、多孔質体に冷媒が浸透する際の毛細管力を、冷媒を加熱面まで還流させる駆動力として用いるので、重力による還流に比べて、半導体装置の姿勢や冷却部の配置の影響を受けにくいといった特徴を持っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特許第３０６８２０９号
【特許文献２】特開２００９−２０６３６９号公報
【特許文献３】特開平０４−８３３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかし、図６で示したような、低沸点で絶縁性の冷媒中に、ＬＳＩやＬＳＩモジュールを浸漬する冷却方法は、蒸気と液の流路が分離していないため、熱を輸送中の蒸気と、放熱後の液とが干渉して放熱部に十分に熱が運ばれず、冷却効率が低下する。また、冷媒の還流手段として、主に重力を利用するので、冷却性能を維持するためには、凝縮した液が重力により落下して、ＬＳＩに常に液が供給されるような配置・姿勢にする必要がある。したがって、使用状況に応じて上下方向が変わるモバイル機器などでは、安定的な冷却性能が期待できない。
【００１７】
一方、図７で示したような、冷媒の蒸発潜熱を利用した冷却方法においては、冷媒が多孔質体の連通した微細な気孔内を流動するので、流動抵抗が大きく、熱輸送距離が制限される。また、冷媒が還流する輸送管は、蒸気が移動する径路の役割も果たしており、蒸気と液の干渉による冷却効果の低下が避けられない。
【００１８】
そこで、本発明の課題は、高効率である冷媒直接冷却方式で、パッケージ部材やＴＩＭを介在させることなく、半導体素子表面から直接、高効率に放熱可能で、かつ蒸気流路と液流路を分離し、多孔質体内の流動距離を短縮化した、低背の冷却構造を有する半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の半導体装置は、
回路基板と、
一の面で前記回路基板上に接続された半導体素子と、
前記半導体素子の他の面上に直接形成された多孔質膜と、
前記回路基板上で前記半導体素子と前記多孔質膜を覆う密閉構造と、
前記多孔質膜に浸透した冷媒と、
前記密閉構造の前記多孔質膜と対向する二ヶ所に設けられた第１の壁面開口部及び第２の壁面開口部と、
前記第１の壁面開口部と前記第２の壁面開口部とを接続し、気化状態又は液化状態の前記冷媒が通過する密閉流路と
を、有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の半導体装置により、半導体素子背面に直接形成した多孔質膜を用いること、冷媒の流路を一貫して一方通行化したこと、かつ多孔質膜内の流動距離も最小化したことで、高効率で、低背である冷媒直接冷却構成を有する半導体装置を実現し得た。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の半導体装置を説明する図（その１）
【図２】本発明の半導体装置を説明する図（その２）
【図３】本発明の半導体装置を説明する図（その３）
【図４】従来の冷却方法を説明する図（その１）
【図５】従来の冷却方法を説明する図（その２）
【図６】従来の冷却方法を説明する図（その３）
【図７】従来の冷却方法を説明する図（その４）
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に、本発明の実施の形態を、添付図を参照しつつ説明する。
（実施構成例）
図１に本発明の半導体装置の構成を説明するための断面模式図を、図２にその半導体装置の上面の模式図、そして、図３にその半導体装置の多孔質膜上面の模式図を示す。図１は、図３における、Ｂ−Ｃ間の断面に相当する。
【００２３】
図１において、半導体装置１は、回路基板２の一面側に、半導体素子３が、その電極４に形成された、例えばボール状のはんだ５と、回路基板２の電極パッド６との接続を介して、搭載されている。半導体素子３の基板接続面の反対側背面上には、多孔質膜７が直接形成されている。回路基板２の半導体素子接続面を一つの面として、その上の、多孔質膜７形成の半導体素子３をその内部空間に包含する密閉空間を有するパッケージ８が搭載される。図１、２を参照し、パッケージ８の一方端の開口部９と他方端の開口部１０は、例えば、金属製あるいは合成樹脂製のフレキシブルチューブなどの管１１で接続される。管１１の、例えば中間位置に、ヒートシンク１２を具備する。また、他方端の開口部１０近傍のパッケージ８内の空間には、液溜部１３の空間を形成する。
【００２４】
半導体素子３に接触する多孔質膜７中の、常温状態で液体である冷媒は、電流印加によって高温化した半導体素子のため、多孔質膜７内で蒸気化する。図３を参照して、多孔質膜７が、膜中の冷媒蒸気が効率よくそれから分離蒸発するようにパターン化された櫛形状の蒸気流出溝１４−１が複数形成された、蒸気流出溝形成領域１４において、多孔質膜７中の冷媒蒸気が空中に蒸発し、蒸気は一方端の開口部９に流入する。この蒸気は、図１を参照して、一方端の開口部９に接続された管１１における、蒸気流路１１−１の領域を流れる。やがて蒸気はヒートシンク１２が形成された管１１の領域、すなわち冷却流路１１−２中に入って冷却され、液化する。液化した冷媒は、管１１中を移動して液流路１１−３の領域を通過し、やがて液は、他方端の開口部１０からパッケージ８内に還流する。他方端の開口部１０からパッケージ８内に流入した液は、図１、３を参照して、液溜部１３の、多孔質膜７の（櫛形状が形成されていない）液溜空間領域１５上に滴下し、その部分の多孔質膜７は液状の冷媒に満たされる。多孔質膜７の毛細管力により、液溜空間領域１５の冷媒液は蒸気流出溝形成領域１４へ移動しつつ温度上昇を受けて蒸気化し、これにより、高温化した半導体素子３の熱は、冷媒の蒸発潜熱により冷媒に奪われ、半導体素子３は冷却化される。
【００２５】
この様に、本発明の構成では、冷媒は多孔質膜７中を液体から蒸気へと変化する一方向の経路、そして、管１１中を蒸気（蒸気流路１１−１中）の状態から（冷却流路１１−２を経て）液体（液流路１１−３中）の状態へと変化する一方向の経路を確保して、液体と蒸気の流路を完全に分離しており、多孔質中、管中いずれも、液体・蒸気の両状態の干渉による冷却効果の低下を防いでいる。また、多孔質膜内の液体−蒸気の流動距離を半導体素子の背面長とほぼ同等の最短距離化を実現しており、余計な流動を抑制していることも冷却効率の向上に寄与する。
【００２６】
さらに、本実施例では多孔質膜の接続に関し、ＴＩＭなどを介さず、半導体素子３のパッケージの背面表面に直接形成しているため、半導体素子の熱を効果的に多孔質膜中の冷媒に伝導することができる。
【００２７】
こうして、従来の冷却機能搭載の半導体装置に比べ、冷却効果が高く、かつ低背構造の半導体装置を形成することが可能となる。
（実施例）
図１〜３で示した装置構成において、図１の一部拡大模式図に示すよう様に、幅２０ｍｍの背面面積を有するＬＳＩ（半導体素子３）の背面上に、ニッケル（Ｎｉ）のナノサイズの微粒子を、微粒子噴射法、つまりガスデポジション法によって、直接、厚さ３０μｍの多孔質膜７を形成した。図３に示す蒸気流出溝形成領域１４における多孔質膜７と蒸気流出溝１４−１の幅は、それぞれ１．８ｍｍとして櫛形パターンとした。勿論、パターン形状はこれに限る必要は無い。冷媒還流による上記のような冷却効果を得るためには、多孔質膜の厚さについては、２０μｍ程度以上で、１００μｍ程度以下であることが望ましい。
【００２８】
使用するナノ粒子材料としては、ニッケル（Ｎｉ）以外にＳＵＳなどの金属材料、セラミック、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などが適用可能である。また、使用粒子の平均粒径は、０．３〜２μｍ程度が望ましい。
【００２９】
こうして、ガスデポジション法で製作した多孔質膜は、気孔の平均直径が２μｍ程度の膜が形成可能で、また気孔率も４０％程度のものが得られた。冷媒が毛細管力による浸透に十分であり、かつ、ＬＳＩ背面との接合強度においても、問題ないものが得られた。なお、毛細管力による十分な浸透を得るために、気孔の直径としては、０．５μｍ以上〜３μｍ以下が望ましく、気孔率は３０％程度以上が望ましい。
【００３０】
この用途に用いる多孔質膜を直接ＬＳＩなど半導体素子背面に直接形成するには、微粒子噴射法、即ちガスデポジション法が適している。粒子流生成室の圧力と膜生成室の圧力の差を制御することで、多孔質性を有する所望の膜（多孔質膜すなわちウィック）を形成できる。
【００３１】
回路基板２上に、多孔質膜７を形成して回路基板２に接続したＬＳＩ（半導体素子３）を包含密閉するように、パッケージ８を載置する。セラミック製のパッケージ８は２つの開口部９，１０（開口径２ｍｍ）を有し、これら開口部に接合する、蒸気流路１１−１、及び液流路１１−３の管１１部分は、金属製ないしフレキシブルな樹脂製のチューブを用いた。また管１１の冷却流路１１−２は、熱伝導率の良い銅を用い、これに多数のフィンを有するヒートシンク１２を取り付け、前記二つのチューブと繋いだ。パッケージ８の材料としては、合成樹脂、セラミック、および金属を用いることができる。
【００３２】
冷媒としては、フロロカーボンを用いたが、それ以外に、半導体素子などと接するため絶縁性で不活性であり、上記のような蒸発−凝固（液化）サイクルで還流する液体冷媒であれば、他の冷媒も使用でき、例えば、ハイドロフロロエーテルなども適用できる。
【００３３】
こうして、本発明の半導体装置は、非常にコンパクトな冷却システムを有する構成となる。蒸気−液の循環用の管の部分にフレキシブルな細い管を使用する場合には、引き回しが容易であり、回路基板上に搭載された他の電子部品上部と干渉するのを避けて、非搭載領域の低い高さの領域を引き回すなどをすることで、電子部品搭載基板の高さ制限を回避することが可能となる。
【００３４】
この半導体装置の高さは、基本的に密閉構造のパッケージ８の高さ（プラス、管の立上がり部分）である。実施例においては、パッケージ８内の多孔質膜７の上部に液溜部１３を設けているが、液溜部１３をパッケージ８の外部に設置して、液流路１１−３から入る液状冷媒がスムーズに多孔質膜７内に連続的に流れ込むようにすることも可能であり、この場合には、高さは、半導体素子の高さ＋多孔質膜厚＋パッケージ壁厚（プラス、管の立上がり部分）と非常に薄い構成が可能となる。
【００３５】
更に、管の立上がり部分に関し、実施例ではパッケージ８の上方に開口部９、１０を設ける構成にしていることから、高さ方向制限に管の立上がり部分を含むことになるが、両開口部をパッケージ８の左右の両側面に形成してもよい。こうすることで、本発明の半導体装置の高さが、従来のものに比べ、非常に低いものが形成可能であることがわかる。
【符号の説明】
【００３６】
１、１０１、１２３ 半導体装置
２、１０２ 回路基板
３、１０３ 半導体素子
４、１０４ 電極
５、１０５ はんだ
６、１０６ 電極パッド
７ 多孔質膜
８ パッケージ
９ 一方端の開口部
１０ 他方端の開口部
１１ 管
１２、１０９ ヒートシンク
１３ 液溜部
１４ 蒸気流出溝形成領域
１５ 液溜空間領域
１０７ 半導体パッケージ
１０８ ＴＩＭ
１１０ 発熱体
１１１ 電子基板
１１２ 電子部品
１１３ 防水層
１１４ 含水層
１１５ 缶体
１１６ 密閉空間
１１７ 水溜部
１１８ 水
１１９ 減湿装置
１２０ 管路
１２１ 空気循環器
１２２ 返水管
１２４ ヒートパイプ
１２５ 半導体チップ
１２６ 配線
１２７ 実装基板
１２８ ボンディングワイヤ
１２９、１３４ ウィック
１３０ 作動液
１３１ 熱制御装置
１３２ 無底ヒート筐体
１３３ 取付台
１３５ 発熱物
１３６ 取付リム
１３７ 吸熱部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搭載された半導体素子を冷却する機能を具備した半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（ＬＳＩ）など半導体素子の更なる高性能化に伴い、発熱量が増大するため、素子の冷却技術の重要性が高まっている。半導体装置に適用される代表的な冷却方式としては、空冷方式と冷媒循環方式とがある。
【０００３】
空冷方式では、半導体素子の接合部近傍、具体的には素子パッケージの一方の面ないし両面にヒートシンクを具備させ、このヒートシンクに冷却風を当てて熱を奪う方法である。
【０００４】
図４に空冷方式の例を示す。本図は、空冷方式を用いた半導体装置１０１の断面模式図であり、回路基板１０２上に、半導体素子１０３を含み、その電極１０４と接続するはんだ１０５を外部出力端子とする半導体パッケージ１０７を、回路基板１０２の電極パッド１０６と接続する。半導体パッケージ１０７上に熱伝導性を考慮した接着剤などの材料である、ＴＩＭ（熱界面材料、Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）１０８を介して、ヒートシンク１０９を装着する。このヒートシンク１０９や回路基板１０２に冷却風を当てて冷却する。
【０００５】
空冷方式で冷却するためには、相当の放熱面積を必要とする。発熱量の増大に対応するためにはヒートシンクの大型化か、あるいは冷却風の風量の増大が必要である。半導体素子の周辺には様々な電子部品が設置されるため、スペースが少なく、半導体素子直上に設けられるヒートシンクの大型化は容易ではない。また、冷却風の増大は送風ファンの電力増加だけでなく、ファンの風切り音が増すことによる騒音増大にもつながるので、風量の増大は極力避けたい。
【０００６】
冷媒循環方式は、基本的に、液状の冷媒をポンプにより強制的に循環し、冷媒への熱伝達により半導体素子の熱を奪う方法である。通常、二つの熱交換器がパイプにより連結された構造をもち、流路の途中に冷媒を循環させるためのポンプがある。半導体素子の熱は、パッケージ直上に設置された第一の熱交換器に伝わり、内部の冷媒の温度を上昇させることにより、顕熱として冷媒に吸収される。第二の熱交換器において冷却された冷媒は再び第一の熱交換器に還流する。
【０００７】
この冷媒循環方式の利点は、放熱器となる第二の熱交換器を半導体素子から離れたところへ設置できることにある。この利点により電子部品が少なく、スペース上の制限が少ない領域に大きな放熱器を設置して、少ない風量で効率的に冷却することが可能となる。しかし、冷媒の顕熱を利用した熱輸送を伴うため、冷媒の循環にポンプを必要とし、冷却に余分な電力を必要とする。
【０００８】
上記冷媒循環方式において、熱輸送を効率的に行うために、冷媒の蒸発潜熱を利用する方法が提案されている。図５はその方法の一例を説明するための模式図である。図において、発熱体１１０は、例えば、電子基板１１１上にＬＳＩなどの電子部品１１２が実装されたもので、その表面に防水層１１３と含水層１１４とが形成されたものである。含水層１１４は毛細管現象で水を吸い上げる効果を有するもので形成され、発熱体１１０の凹凸面でも均等に覆うように形成されている。缶体１１５は密閉空間１１６を構成し、その底部の水溜部１１７には水１１８が貯液されている。発熱体１１０は含水層１１４の端部を水１１８に浸漬するようにして缶体１１５内に収容されている。缶体１１５と減湿装置１１９が空気循環路としての管路１２０により連結され閉ループを構成している。そして、空気循環手段としての空気循環器１２１が管路１２０に配設され、循環空気Ａが閉ループ内を循環するように構成されている。さらに、減湿装置１１９の底部と缶体１１５の底部とが返水手段としての返水管１２２で連結され、減湿装置１１９の底部の底部に溜まった水が返水管１２２を介して缶体１１５の水溜部１１７に返水されるように構成されている。減湿装置１１９は、例えば、冷媒圧縮式空気冷却機で構成する。
【０００９】
この方法は冷媒（空気）の循環に空気循環機を用いており、このため、これを作動するには電力を必要とする。また、水の蒸発潜熱を用いていることから、電子部品の絶縁のために防水層を設ける必要があることから、これが、熱伝導効率の低下を招き、発熱体表面から直接熱を奪う場合に比べ、冷却効果が劣る。
【００１０】
上記の冷却方式においては、冷却装置と素子表面の発熱部位との間にはパッケージ材（防水層）やＴＩＭなどの介在物が存在し、冷却効果を低下させている。冷却効果の向上に限らず、省スペースの観点からも、素子表面からの直接放熱をすることが望ましい。
【００１１】
半導体素子表面から直接放熱させる技術として、低沸点で絶縁性の冷媒中に、ＬＳＩやＬＳＩモジュールを浸漬する技術が提案されている。図６は、その例を説明するための断面模式図である。図において、半導体装置１２３は、ヒートパイプ１２４と、その内部に半導体チップ１２５を備え、半導体チップ１２５は配線１２６を介してヒートパイプ１２４の外部と電気的に接続されている。半導体チップ１２５は実装基板１２７上に形成され、実装基板１２７はヒートパイプ１２４の壁面の一部としてよい。半導体チップ１２５は配線１２６とボンディングワイヤ１２８により接続されている。ヒートパイプ１２４は、内部にウィック１２９および作動液１３０（水、アルコール、または代替フロンなど）を有している。半導体チップ１２５は作動液１３０に直接（または薄い保護膜を介して）接触している。このように、冷媒（作動液）の蒸発・凝縮の相変化に伴う潜熱を利用して冷却するため、効率よく冷却できる。
【００１２】
半導体素子表面から直接放熱させる技術においては、冷媒の蒸発潜熱を利用した冷却方法を用いたものも提案されている。図７は、その例を説明するための断面模式図である。熱制御装置１３１は、無底ヒート筐体１３２が取付台１３３上に一体載着しており、冷媒液を含むウィック１３４は発熱物１３５を被包して無底ヒート筐体１３２および無底ヒート筐体１３２内取付台１３３上面全域に亙り内張りされており、取付リム１３６で無底ヒート筐体１３２を取付台１３３上に取付る。
【００１３】
発熱物１３５からの発熱は発熱物１３５に接するウィック１３４の吸熱部１３７に含まれる冷媒液が蒸発するとき、蒸発潜熱として蒸気に取り込まれ、取付台１３３に伝えられ、取付台１３３から外部へ放熱される。取付台１３３は発熱物１３５の温度より低いために蒸気はそこで液体に相変化し、輸送してきた熱量を凝縮熱として無底ヒート筐体１３２に伝熱するので再び液体となってウィック１３４内を毛細管作用により連続的に吸熱部１３７へと循環する。
【００１４】
このように、ウィック（即ち、多孔質体）が流路に設けられており、多孔質体に冷媒が浸透する際の毛細管力を、冷媒を加熱面まで還流させる駆動力として用いるので、重力による還流に比べて、半導体装置の姿勢や冷却部の配置の影響を受けにくいといった特徴を持っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特許第３０６８２０９号
【特許文献２】特開２００９−２０６３６９号公報
【特許文献３】特開平０４−８３３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかし、図６で示したような、低沸点で絶縁性の冷媒中に、ＬＳＩやＬＳＩモジュールを浸漬する冷却方法は、蒸気と液の流路が分離していないため、熱を輸送中の蒸気と、放熱後の液とが干渉して放熱部に十分に熱が運ばれず、冷却効率が低下する。また、冷媒の還流手段として、主に重力を利用するので、冷却性能を維持するためには、凝縮した液が重力により落下して、ＬＳＩに常に液が供給されるような配置・姿勢にする必要がある。したがって、使用状況に応じて上下方向が変わるモバイル機器などでは、安定的な冷却性能が期待できない。
【００１７】
一方、図７で示したような、冷媒の蒸発潜熱を利用した冷却方法においては、冷媒が多孔質体の連通した微細な気孔内を流動するので、流動抵抗が大きく、熱輸送距離が制限される。また、冷媒が還流する輸送管は、蒸気が移動する径路の役割も果たしており、蒸気と液の干渉による冷却効果の低下が避けられない。
【００１８】
そこで、本発明の課題は、高効率である冷媒直接冷却方式で、パッケージ部材やＴＩＭを介在させることなく、半導体素子表面から直接、高効率に放熱可能で、かつ蒸気流路と液流路を分離し、多孔質体内の流動距離を短縮化した、低背の冷却構造を有する半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の半導体装置は、
回路基板と、
一の面で前記回路基板上に接続された半導体素子と、
前記半導体素子の他の面上に直接形成された多孔質膜と、
前記回路基板上で前記半導体素子と前記多孔質膜を覆う密閉構造と、
前記多孔質膜に浸透した冷媒と、
前記密閉構造の前記多孔質膜と対向する二ヶ所に設けられた第１の壁面開口部及び第２の壁面開口部と、
前記第１の壁面開口部と前記第２の壁面開口部とを接続し、気化状態又は液化状態の前記冷媒が通過する密閉流路と
を、有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の半導体装置により、半導体素子背面に直接形成した多孔質膜を用いること、冷媒の流路を一貫して一方通行化したこと、かつ多孔質膜内の流動距離も最小化したことで、高効率で、低背である冷媒直接冷却構成を有する半導体装置を実現し得た。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の半導体装置を説明する図（その１）
【図２】本発明の半導体装置を説明する図（その２）
【図３】本発明の半導体装置を説明する図（その３）
【図４】従来の冷却方法を説明する図（その１）
【図５】従来の冷却方法を説明する図（その２）
【図６】従来の冷却方法を説明する図（その３）
【図７】従来の冷却方法を説明する図（その４）
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に、本発明の実施の形態を、添付図を参照しつつ説明する。
（実施構成例）
図１に本発明の半導体装置の構成を説明するための断面模式図を、図２にその半導体装置の上面の模式図、そして、図３にその半導体装置の多孔質膜上面の模式図を示す。図１は、図３における、Ｂ−Ｃ間の断面に相当する。
【００２３】
図１において、半導体装置１は、回路基板２の一面側に、半導体素子３が、その電極４に形成された、例えばボール状のはんだ５と、回路基板２の電極パッド６との接続を介して、搭載されている。半導体素子３の基板接続面の反対側背面上には、多孔質膜７が直接形成されている。回路基板２の半導体素子接続面を一つの面として、その上の、多孔質膜７形成の半導体素子３をその内部空間に包含する密閉空間を有するパッケージ８が搭載される。図１、２を参照し、パッケージ８の一方端の開口部９と他方端の開口部１０は、例えば、金属製あるいは合成樹脂製のフレキシブルチューブなどの管１１で接続される。管１１の、例えば中間位置に、ヒートシンク１２を具備する。また、他方端の開口部１０近傍のパッケージ８内の空間には、液溜部１３の空間を形成する。
【００２４】
半導体素子３に接触する多孔質膜７中の、常温状態で液体である冷媒は、電流印加によって高温化した半導体素子のため、多孔質膜７内で蒸気化する。図３を参照して、多孔質膜７が、膜中の冷媒蒸気が効率よくそれから分離蒸発するようにパターン化された櫛形状の蒸気流出溝１４−１が複数形成された、蒸気流出溝形成領域１４において、多孔質膜７中の冷媒蒸気が空中に蒸発し、蒸気は一方端の開口部９に流入する。この蒸気は、図１を参照して、一方端の開口部９に接続された管１１における、蒸気流路１１−１の領域を流れる。やがて蒸気はヒートシンク１２が形成された管１１の領域、すなわち冷却流路１１−２中に入って冷却され、液化する。液化した冷媒は、管１１中を移動して液流路１１−３の領域を通過し、やがて液は、他方端の開口部１０からパッケージ８内に還流する。他方端の開口部１０からパッケージ８内に流入した液は、図１、３を参照して、液溜部１３の、多孔質膜７の（櫛形状が形成されていない）液溜空間領域１５上に滴下し、その部分の多孔質膜７は液状の冷媒に満たされる。多孔質膜７の毛細管力により、液溜空間領域１５の冷媒液は蒸気流出溝形成領域１４へ移動しつつ温度上昇を受けて蒸気化し、これにより、高温化した半導体素子３の熱は、冷媒の蒸発潜熱により冷媒に奪われ、半導体素子３は冷却化される。
【００２５】
この様に、本発明の構成では、冷媒は多孔質膜７中を液体から蒸気へと変化する一方向の経路、そして、管１１中を蒸気（蒸気流路１１−１中）の状態から（冷却流路１１−２を経て）液体（液流路１１−３中）の状態へと変化する一方向の経路を確保して、液体と蒸気の流路を完全に分離しており、多孔質中、管中いずれも、液体・蒸気の両状態の干渉による冷却効果の低下を防いでいる。また、多孔質膜内の液体−蒸気の流動距離を半導体素子の背面長とほぼ同等の最短距離化を実現しており、余計な流動を抑制していることも冷却効率の向上に寄与する。
【００２６】
さらに、本実施例では多孔質膜の接続に関し、ＴＩＭなどを介さず、半導体素子３のパッケージの背面表面に直接形成しているため、半導体素子の熱を効果的に多孔質膜中の冷媒に伝導することができる。
【００２７】
こうして、従来の冷却機能搭載の半導体装置に比べ、冷却効果が高く、かつ低背構造の半導体装置を形成することが可能となる。
（実施例）
図１〜３で示した装置構成において、図１の一部拡大模式図に示すよう様に、幅２０ｍｍの背面面積を有するＬＳＩ（半導体素子３）の背面上に、ニッケル（Ｎｉ）のナノサイズの微粒子を、微粒子噴射法、つまりガスデポジション法によって、直接、厚さ３０μｍの多孔質膜７を形成した。図３に示す蒸気流出溝形成領域１４における多孔質膜７と蒸気流出溝１４−１の幅は、それぞれ１．８ｍｍとして櫛形パターンとした。勿論、パターン形状はこれに限る必要は無い。冷媒還流による上記のような冷却効果を得るためには、多孔質膜の厚さについては、２０μｍ程度以上で、１００μｍ程度以下であることが望ましい。
【００２８】
使用するナノ粒子材料としては、ニッケル（Ｎｉ）以外にＳＵＳなどの金属材料、セラミック、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などが適用可能である。また、使用粒子の平均粒径は、０．３〜２μｍ程度が望ましい。
【００２９】
こうして、ガスデポジション法で製作した多孔質膜は、気孔の平均直径が２μｍ程度の膜が形成可能で、また気孔率も４０％程度のものが得られた。冷媒が毛細管力による浸透に十分であり、かつ、ＬＳＩ背面との接合強度においても、問題ないものが得られた。なお、毛細管力による十分な浸透を得るために、気孔の直径としては、０．５μｍ以上〜３μｍ以下が望ましく、気孔率は３０％程度以上が望ましい。
【００３０】
この用途に用いる多孔質膜を直接ＬＳＩなど半導体素子背面に直接形成するには、微粒子噴射法、即ちガスデポジション法が適している。粒子流生成室の圧力と膜生成室の圧力の差を制御することで、多孔質性を有する所望の膜（多孔質膜すなわちウィック）を形成できる。
【００３１】
回路基板２上に、多孔質膜７を形成して回路基板２に接続したＬＳＩ（半導体素子３）を包含密閉するように、パッケージ８を載置する。セラミック製のパッケージ８は２つの開口部９，１０（開口径２ｍｍ）を有し、これら開口部に接合する、蒸気流路１１−１、及び液流路１１−３の管１１部分は、金属製ないしフレキシブルな樹脂製のチューブを用いた。また管１１の冷却流路１１−２は、熱伝導率の良い銅を用い、これに多数のフィンを有するヒートシンク１２を取り付け、前記二つのチューブと繋いだ。パッケージ８の材料としては、合成樹脂、セラミック、および金属を用いることができる。
【００３２】
冷媒としては、フロロカーボンを用いたが、それ以外に、半導体素子などと接するため絶縁性で不活性であり、上記のような蒸発−凝固（液化）サイクルで還流する液体冷媒であれば、他の冷媒も使用でき、例えば、ハイドロフロロエーテルなども適用できる。
【００３３】
こうして、本発明の半導体装置は、非常にコンパクトな冷却システムを有する構成となる。蒸気−液の循環用の管の部分にフレキシブルな細い管を使用する場合には、引き回しが容易であり、回路基板上に搭載された他の電子部品上部と干渉するのを避けて、非搭載領域の低い高さの領域を引き回すなどをすることで、電子部品搭載基板の高さ制限を回避することが可能となる。
【００３４】
この半導体装置の高さは、基本的に密閉構造のパッケージ８の高さ（プラス、管の立上がり部分）である。実施例においては、パッケージ８内の多孔質膜７の上部に液溜部１３を設けているが、液溜部１３をパッケージ８の外部に設置して、液流路１１−３から入る液状冷媒がスムーズに多孔質膜７内に連続的に流れ込むようにすることも可能であり、この場合には、高さは、半導体素子の高さ＋多孔質膜厚＋パッケージ壁厚（プラス、管の立上がり部分）と非常に薄い構成が可能となる。
【００３５】
更に、管の立上がり部分に関し、実施例ではパッケージ８の上方に開口部９、１０を設ける構成にしていることから、高さ方向制限に管の立上がり部分を含むことになるが、両開口部をパッケージ８の左右の両側面に形成してもよい。こうすることで、本発明の半導体装置の高さが、従来のものに比べ、非常に低いものが形成可能であることがわかる。
【符号の説明】
【００３６】
１、１０１、１２３ 半導体装置
２、１０２ 回路基板
３、１０３ 半導体素子
４、１０４ 電極
５、１０５ はんだ
６、１０６ 電極パッド
７ 多孔質膜
８ パッケージ
９ 一方端の開口部
１０ 他方端の開口部
１１ 管
１２、１０９ ヒートシンク
１３ 液溜部
１４ 蒸気流出溝形成領域
１５ 液溜空間領域
１０７ 半導体パッケージ
１０８ ＴＩＭ
１１０ 発熱体
１１１ 電子基板
１１２ 電子部品
１１３ 防水層
１１４ 含水層
１１５ 缶体
１１６ 密閉空間
１１７ 水溜部
１１８ 水
１１９ 減湿装置
１２０ 管路
１２１ 空気循環器
１２２ 返水管
１２４ ヒートパイプ
１２５ 半導体チップ
１２６ 配線
１２７ 実装基板
１２８ ボンディングワイヤ
１２９、１３４ ウィック
１３０ 作動液
１３１ 熱制御装置
１３２ 無底ヒート筐体
１３３ 取付台
１３５ 発熱物
１３６ 取付リム
１３７ 吸熱部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
一の面で前記回路基板上に接続された半導体素子と、
前記半導体素子の他の面上に直接形成された多孔質膜と、
前記回路基板上で前記半導体素子と前記多孔質膜を覆う密閉構造と、
前記多孔質膜に浸透した冷媒と、
前記密閉構造の前記多孔質膜と対向する二ヶ所に設けられた第１の壁面開口部及び第２の壁面開口部と、
前記第１の壁面開口部と前記第２の壁面開口部とを接続し、気化状態又は液化状態の前記冷媒が通過する密閉流路と
を、有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記多孔質膜は、微粒子噴射法により形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１又は第２の壁面開口部の一つの開口部近傍に附設された液溜部を有することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記密閉流路の途中に附設された凝縮部を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１】
回路基板と、
一の面で前記回路基板上に接続された半導体素子と、
前記半導体素子の他の面上に直接形成された多孔質膜と、
前記回路基板上で前記半導体素子と前記多孔質膜を覆う密閉構造と、
前記多孔質膜に浸透した冷媒と、
前記密閉構造の前記多孔質膜と対向する二ヶ所に設けられた第１の壁面開口部及び第２の壁面開口部と、
前記第１の壁面開口部と前記第２の壁面開口部とを接続し、気化状態又は液化状態の前記冷媒が通過する密閉流路と
を、有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記多孔質膜は、微粒子噴射法により形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１又は第２の壁面開口部の一つの開口部近傍に附設された液溜部を有することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記密閉流路の途中に附設された凝縮部を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−４３９５４（Ｐ２０１２−４３９５４Ａ）
【公開日】平成２４年３月１日（２０１２．３．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１８３３７１（Ｐ２０１０−１８３３７１）
【出願日】平成２２年８月１８日（２０１０．８．１８）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１日（２０１２．３．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月１８日（２０１０．８．１８）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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