反射型液晶表示素子および画像表示装置
【課題】反射型液晶表示素子において、端子数の増加を抑えつつ温度分布を計測できるようにする。
【解決手段】反射型液晶表示素子５０は、透光性を有する共通電極２１６と、該共通電極を透過した光を反射する複数の反射電極２１４が形成された半導体基板２１１と、共通電極および半導体基板の間に配置された液晶層２１７とを有する。半導体基板に、複数の温度検出素子２５０と、該複数の温度検出素子からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、該デジタル信号を用いた処理を行う信号処理回路２６２と、該信号処理回路からの信号を出力する端子であって複数の温度検出素子の数よりも少ない数の出力端子３００とを設ける。
【解決手段】反射型液晶表示素子５０は、透光性を有する共通電極２１６と、該共通電極を透過した光を反射する複数の反射電極２１４が形成された半導体基板２１１と、共通電極および半導体基板の間に配置された液晶層２１７とを有する。半導体基板に、複数の温度検出素子２５０と、該複数の温度検出素子からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、該デジタル信号を用いた処理を行う信号処理回路２６２と、該信号処理回路からの信号を出力する端子であって複数の温度検出素子の数よりも少ない数の出力端子３００とを設ける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶プロジェクタ等の画像表示装置に用いられる反射型液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
反射型液晶表示素子は、Ｓｉ等の半導体により形成された半導体基板上にマトリックス状に配置された複数の画素電極（反射電極）と、透光性の導電膜により形成された共通の電極（共通電極）との間に液晶を配置して構成される。半導体基板における反射電極の下層には、アクティブマトリックス駆動に必要なＭＯＳトランジスタ等のスイッチング素子を含む液晶駆動回路が形成される。
【０００３】
このように構成される反射型液晶表示素子においては、共通電極と反射電極との間の電位差を画像信号に応じて画素電極ごとに変更することで画素ごとに液晶の配向を制御し、共通電極側から入射して反射電極にて反射する光を画素ごとに変調する。
【０００４】
液晶表示素子を搭載した液晶プロジェクタ等の画像表示装置では、該装置に設けられた光源からの高強度の光の入射や電気回路基板から発せられた熱の伝達によって液晶表示素子の温度が上昇する。また、外気温の変化も液晶表示素子の温度を変化させる。
【０００５】
そして、液晶表示素子の温度が変化すると、該液晶表示素子の電気光学特性が変化する。これには、液晶分子の屈折率異方性の温度依存性や温度変化によるセルギャップ変化によって液晶層に印加される実効電界が変化したり、液晶分子の配向状態が温度によって変化したりする等の様々な要因がある。液晶表示素子の電気光学特性が変化すると、液晶表示素子にて変調される光の明るさや色が変化し、該液晶表示素子を搭載した画像表示装置により表示される画像の画質が劣化する。
【０００６】
このため、特許文献１，２には、液晶表示素子の温度を直接測定できるように、液晶表示素子を構成する基板に温度検出素子を設けた液晶表示素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１２２８３８号公報
【特許文献２】特開平７−２５３７６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、液晶表示素子の温度は、その表示面内において均一ではなく、高低差（分布）を持つ場合が多い。このような温度分布は、表示面内での明るさや色の変化を発生させる。このため、液晶表示素子の温度分布に応じた補償を行う必要がある。
【０００９】
液晶表示素子の温度分布を計測するためには、液晶表示素子に複数の温度検出素子を設ければよい。しかし、温度検出素子の数が増えると、これら温度検出素子からの信号を出力するための端子が温度検出素子の数の分だけ必要となり、液晶表示素子における端子数が大幅に増加したり多数の端子の存在によって配線が制約されたりする。
【００１０】
本発明は、端子数の増加を抑えつつ温度分布を計測できるようにした反射型液晶表示素子およびこれを用いた画像表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一側面としての反射型液晶表示素子は、透光性を有する共通電極と、該共通電極を透過した光を反射する複数の反射電極が形成された半導体基板と、共通電極および半導体基板の間に配置された液晶層とを有する。そして、半導体基板に、複数の温度検出素子と、該複数の温度検出素子からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、該デジタル信号を用いた処理を行う信号処理回路と、該信号処理回路からの信号を出力する端子であって複数の温度検出素子の数よりも少ない数の出力端子とが設けられていることを特徴とする。
【００１２】
なお、上記反射型液晶表示素子の出力端子から出力された信号処理回路からの信号に応じて該装置の動作を制御するコントローラを有する画像表示装置も本発明の他の一側面を構成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、反射型液晶表示素子の端子数の増加を抑えつつ、該反射型液晶表示素子の温度分布を精度良く測定することができる。そして、このような反射型液晶表示素子を画像表示装置に用いることで、装置側の回路構成を複雑にすることなく、反射型液晶表示素子の温度分布に応じた該装置の良好な動作制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例１である反射型液晶表示素子の構造を示す断面図。
【図２】実施例１である反射型液晶表示素子に設けられた温度検出／信号処理用の回路構成を示す図。
【図３】本発明の実施例２である反射型液晶表示素子の温度検出／信号処理用の回路構成を示す図。
【図４】本発明の実施例３である画像表示装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１には、本発明の実施例１である反射型液晶表示素子５０の断面構造を示している。本実施例では、基台となる半導体基板２１１として、Ｐ型単結晶シリコン基板（Ｐ型Ｓｉ基板）を用いている。ただし、他の半導体により形成された基板を半導体基板２１１として用いてもよい。半導体基板２１１の表面（後述する液晶側の面）には、複数の画素を構成する複数の反射電極２１４がマトリックス状に配置されている。複数の反射電極２１４がマトリックス状に配置された領域が、反射型液晶表示素子５０の表示面となる。
【００１７】
また、半導体基板２１１の内部には、ポリシリコンで形成されたゲート線２０１や、メタル層で形成された信号線２０５や、スイッチングトランジスタのドレイン領域２０２や、ゲート領域２０６が水平方向に広がるように形成されている。ゲート線２０１の一部は、スイッチング素子となるスイッチングトランジスタのゲートを構成する。
【００１８】
また、スイッチングトランジスタのドレイン領域２０２は、半導体基板２１１の厚み方向に延びるドレインコンタクト２０３を介してそれぞれ信号線２０５と接続されている。また、信号線２０５はスルーホール２０４を介して反射電極２１４に接続されている。
【００１９】
また、信号線２０５と反射電極２１４との間には、互いに隣り合う反射電極２１４間の隙間から入射する光を遮るための遮光層２１５が設けられている。
【００２０】
半導体基板２１１に対向して、ＩＴＯ膜（透光性導電膜）により形成された液晶共通電極２１６が配置されている。液晶共通電極２１６は、不図示のガラス基板（透光性基板）によって保持されている。そして、半導体基板２１１（反射電極２１４）と液晶共通電極２１６との間には、液晶（液晶層ともいう）２１７が配置されている。
【００２１】
この反射型液晶表示素子５０における液晶層２１７の厚みをd（μm）とする。液晶層２１７の厚みは図示しないスペーサーによって制御されている。
【００２２】
液晶材料の屈折率異方性をΔｎとする。屈折率異方性とは液晶分子の長軸方向の屈折率ｎｅと単軸方向の屈折率ｎｏとの差で与えられる。この屈折率の値は波長分散特性を有し、各々の波長に対して固有の値を有する。
【００２３】
ここで、反射型液晶表示素子５０の駆動原理について説明する。反射型液晶表示素子５０は、１フレーム（例えば６０Ｈｚ）を複数フィールドに分割し、フィールド毎に正負の電圧を反転させた駆動電圧を半導体基板２１１に構成された半導体回路を通して反射電極２１４に印加することにより駆動する。垂直配向した負の誘電率異方性を有する液晶材料は、駆動電圧が０Ｖのときには基板面に対してほぼ垂直に液晶分子が配向している。そして、駆動電圧を高くしていくと、基板面に対して水平方向に液晶分子が傾いていく。液晶分子が傾くに従い、液晶層２１７を透過する光の偏光方向を変調することにより、反射型液晶表示素子５０の反射率を変化させ階調表示することが可能となる。
【００２４】
反射率は、
ｓｉｎ２（２πΔｎｅｆｆｄ／λ） （１）
で表せる。ここで、Δｎｅｆｆは駆動電圧を印加し、液晶分子が傾いたときの長軸方向の実効的な屈折率ｎｅと単軸方向の実効的な屈折率ｎｏとの差である。
【００２５】
垂直配向している液晶においては、駆動電圧を大きくするにしたがい、Δｎｅｆｆは大きくなる。そして、液晶分子が基板と平行になるまでΔｎｅｆｆは大きくなり続ける。
【００２６】
また、λは反射型液晶表示素子５０に入射される光の波長である。この液晶表示素子は、反射型液晶表示素子であるため、入射した光は液晶層２１７を２回透過することになるため、Δｎｄの値に２を乗算している。
【００２７】
ここまでの反射型液晶表示素子５０の構成および動作は、従来の反射型液晶表示素子と基本的に同じである。
【００２８】
本実施例では、さらに図１に示すように、半導体基板２１１の内部（すなわち、半導体基板２１１におけるソース領域２０６やドレイン領域２０２等が形成された厚み領域内）に、温度検出素子２５０としてのＰＮ接合ダイオード（半導体素子）を複数設けている。該複数の温度検出素子２５０は、例えば、半導体基板２１１のうち反射型液晶表示素子５０の表示面に対応する領域の中央部と周辺部（四隅部）に分散されて配置されている。また、半導体基板２１１の内部には、温度検出回路２６１および信号処理回路２６２も設けられている。
【００２９】
図２には、本実施例の反射型液晶表示素子５０における温度検出／信号処理用の回路構成を示している。各温度検出素子２５０に対して定電流を流したときの電圧を温度検出素子２５０ごとに設けられた温度検出回路２６１により測定する。これにより、反射型液晶表示素子５０における各温度検出素子２５０が設けられた部分の温度を検出することができる。具体的には、各温度検出回路２６１はＡＤ変換素子を含んでおり、該ＡＤ変換素子によって、各温度検出素子２５０としてのＰＮ接合ダイオードのアノード−カソード間の電圧（アナログ信号）を、温度を示すデジタル信号に変換する。
【００３０】
信号処理回路２６２は、各温度検出回路２６１からのデジタル信号に対して演算処理を行い、その演算処理により得られた反射型液晶表示素子５０の温度分布に関する情報を生成する。そして、信号処理回路２６２は、該温度分布に関する情報を、半導体基板２１１の液晶２１７よりも外側の領域に設けられた温度出力端子３００から外部に出力する。温度分布に関する情報としては、温度分布そのもの、すなわち反射型液晶表示素子５０上の複数の位置（座標）と位置ごとの温度を示す情報であってもよいし、複数の温度検出素子２５０により検出された温度の平均値や最頻値であってもよい。また、信号処理回路２６２は、温度分布に関する情報をアナログ信号およびデジタル信号のうちいずれで出力してもよい。なお、半導体基板２１１の液晶２１７よりも外側の領域には、接地（ＧＮＤ）用の端子も設けられている。
【００３１】
このように、本実施例では、複数の温度検出素子２５０（温度検出回路２６１）からの信号を処理して出力情報としての温度分布に関する情報を生成する信号処理回路２６２を反射型液晶表示素子５０に設けている。これにより、信号処理回路２６２にて生成された該情報を外部に出力するために反射型液晶表示素子５０に設けられる温度出力端子３００の数を、温度検出素子２５０の数よりも少なくすることができる。つまり、温度出力端子３００を含めた反射型液晶表示素子５０に設けられる端子の数の増加を抑えつつ、複数の温度検出素子２５０により反射型液晶表示素子５０の温度分布に関する情報を得ることができる。端子の数の増加を抑えることで、反射型液晶表示素子５０の大型化や配線の制約の増加も回避することができる。
【００３２】
なお、温度検出素子２５０としては、ＰＮ接合ダイオードに限らず、同じく半導体素子としてのＰＮＰトランジスタやＮＰＮトランジスタを用いることもできる。また、また、温度変化によって電気抵抗が変化する抵抗素子（サーミスタ）を用いてもよい。
【００３３】
また、本実施例では、温度出力端子３００が１つ設けられている場合を示したが、温度出力端子の数は、複数の温度検出素子２５０の数よりも少なければ、複数であってもよい。
【実施例２】
【００３４】
図３には、本発明の実施例２である反射型液晶表示素子５０における温度検出／信号処理用の回路構成を示している。
【００３５】
実施例１では、温度検出素子２５０ごとに温度検出回路２６１を設けた（つまり複数の温度検出回路２６１を設けた）場合について説明したが、本実施例では、信号処理回路２６２′に温度検出回路の機能も持たせている。信号処理回路２６２′は、複数の温度検出素子２５０に対して定電流を流したときの電圧を温度検出素子２５０ごとに測定する。そして、信号処理回路２６２′は、測定した電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、該デジタル信号に対して演算処理を行って反射型液晶表示素子５０の温度分布に関する情報を生成する。さらに、信号処理回路２６２′は、該温度分布に関する情報を、実施例１と同様に半導体基板に設けられた温度出力端子３００から外部に出力する。
【００３６】
本実施例によれば、実施例１に比べて、温度検出回路の数を少なくすることができる。
【実施例３】
【００３７】
図４には、上記各実施例にて説明した反射型液晶表示素子を用いた画像表示装置の１つである液晶プロジェクタの構成を示している。なお、上記各実施例の反射型液晶表示素子は、液晶プロジェクタに限らず、反射型液晶表示素子をモニタとして用いる直視型の画像表示装置にも用いることができる。
【００３８】
液晶プロジェクタ１は、ランプ１０と、照明光学系２０と、色分解合成光学系３０と、投射レンズ（投射光学系）４０と、反射型液晶表示素子（以下、反射型液晶パネルという）５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂと、ＣＰＵ等により構成されたコントローラ７０とを有する。これらの構成要素は、筐体１ａの内部に収容される。
【００３９】
光源ランプ１０の発光管１１から発せられた光（白色の無偏光光）は、リフレクタ１２により集光され、第１のシリンダアレイ２１に入射する。第１のシリンダアレイ２１に入射した光束は、複数の光束に分割され、各分割光束は、紫外線吸収フィルタ２３および第２のシリンダアレイ２２を介して偏光変換素子２４の近傍にて結像する。偏光変換素子２４は、入射した無偏光光を、所定の偏光方向を有する偏光光（ここではＳ偏光光とする）に変換して射出する。
【００４０】
偏光変換素子２４から射出した複数の光束は、フロントコンプレッサ２５、反射ミラー２６、コンデンサーレンズ２７およびリアコンプレッサ２８を介してダイクロイックミラー３１に入射する。フロントコンプレッサ２５、コンデンサーレンズ２７およびリアコンプレッサ２８の光学的作用により、複数の光束は後述する反射型液晶パネル５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ上において重ね合わされる。
【００４１】
ダイクロイックミラー３１は、青光と赤光を反射して、緑光を透過する。ダイクロイックミラー３１を透過した緑光は、入射側偏光板３２ａを通過して偏光ビームスプリッタ３３ａにＳ偏光として入射し、その偏光分離面で反射されて緑用の反射型液晶パネル５０Ｇに入射する。コントローラ７０は、液晶プロジェクタ１に入力された映像信号に応じて緑用、赤用および青用の反射型液晶パネル５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのそれぞれにおける反射電極の電位を制御して、各反射型液晶パネルに各色の原画像を形成させる。緑用の反射型液晶パネル５０Ｇは、入射した緑光を反射するとともに緑用の原画像に応じて変調する。
【００４２】
変調されて偏光ビームスプリッタ３３ａに再び入射した緑光のうちＰ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ３３ａの偏光分離面を透過して色合成プリズムである偏光ビームスプリッタ３３ｃに向かう。偏光ビームスプリッタ３３ａと緑用の反射型液晶パネル５０Ｇとの間に設けられた１／４波長板３５Ｇの遅相軸の方位を調整することで、偏光ビームスプリッタ３３ａと緑用の反射型液晶パネル５０Ｇとで発生する偏光状態の乱れを小さくすることができる。Ｐ偏光である緑光は偏光ビームスプリッタ３３ｃの偏光分離面を透過して投射レンズ４０に向かう。
【００４３】
ダイクロイックミラー３１で反射された赤光と青光は、Ｓ偏光として偏光板３２ｂを通過して色選択性位相差板３６ａに入射する。色選択性位相差板３６ａは、青光の偏光方向のみを９０度回転させる作用を有する。このため、青光はＰ偏光に変換されて、赤光はＳ偏光のまま色選択性位相差板３６ａから射出し、偏光ビームスプリッタ３３ｂに入射する。
【００４４】
Ｓ偏光である赤光は、偏光ビームスプリッタ３３ｂの偏光分離面で反射されて、赤用の反射型液晶パネル５０Ｒに入射し、ここで反射されるとともに赤用の原画像に応じて変調されて偏光ビームスプリッタ３３ｂに再び入射する。また、Ｐ偏光である青光は、偏光ビームスプリッタ３３ｂの偏光分離面を透過して青用の反射型液晶パネル５０Ｂに入射し、ここで反射されるとともに青用の原画像に応じて変調されて偏光ビームスプリッタ３３ｂに再び入射する。
【００４５】
偏光ビームスプリッタ３３ｂに再入射した赤光のうちＰ偏光成分は、該偏光ビームスプリッタ３３ｂの偏光分離面を透過して、色選択性位相差板３６ｂに入射する。また、偏光ビームスプリッタ３３ｂに再入射した青光のうちＳ偏光成分は、該偏光ビームスプリッタ３３ｂの偏光分離面で反射されて色選択性位相差板３６ｂに入射する。色選択性位相差板３６ｂは、赤光の偏光方向のみを９０度回転させる作用を有する。このため、赤光はＳ偏光に変換されて、青光はＳ偏光のまま色選択性位相差板３６ｂから射出し、偏光ビームスプリッタ３３ｃに入射する。偏光ビームスプリッタ３３ｂと赤用および青用の反射型液晶パネル５０Ｒ，５０Ｂとの間に設けられた１／４波長板３５Ｒ，３５Ｂの遅相軸の方位を調整することで、緑光と同様に赤光および青光の偏光状態の乱れを小さくすることができる。
【００４６】
偏光ビームスプリッタ３３ｃにＳ偏光として入射した赤光および青光は、偏光ビームスプリッタ３３ｃの偏光分離面で反射されて投射レンズ４０に向かう。こうして、偏光ビームスプリッタ３３ｃにて合成された緑光、赤光および青光は、投射レンズ４０によって不図示のスクリーン等の被投射面に投射され、カラー画像を表示する。
【００４７】
ここで、反射型液晶パネル５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂにおいては、入射する光の波長によって、最も効率良く入射光の変調を行う、すなわち反射光のほとんど全てを変調して、最も明るい画像を投射するために反射電極に与えるべき電位が異なる。例えば緑用の反射型液晶パネル５０Ｇにおいて反射電極に与えるべき電位は、緑光にその半波長分のリタデーションを与えるような電位である。また、赤用および青用の反射型液晶パネル５０Ｒ，５０Ｂにおいて反射電極に与えるべき電位もそれぞれ、赤光および青光にそれらの半波長分のリタデーションを与えるような電位である。
【００４８】
一方、光源ランプ１０からの高強度の光が入射する反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂでは、温度が上昇する。このため、図４に示したファン６０の回転によって、筐体１ａの外部から筐体１ａの内部に取り込んだ空気Ａを反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂに送ることで、これら反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂを冷却する。
【００４９】
また、液晶プロジェクタ１が設置された空間の温度（環境温度）の変化によっても反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂの温度が変化する。さらに、液晶プロジェクタ１が、明るさや画質を選択可能とする表示モードの変更機能を備えている場合、表示モードの変更によっても反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂの温度が変化する。しかも、厳密には、表示している画像の種類によって反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂの消費電力に差が生じたり、光源ランプ１０からの光が筐体１ａ内にこもったりすることによっても、反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂの温度が変化する。
【００５０】
そして、このような温度変化は、各反射型液晶パネルにおいて均一に発生せず、部分ごとに異なって発生する場合が多く、この結果、各反射型液晶パネルに温度分布が発生する。そして、各反射型液晶パネルにおける表示面内での温度分布の発生により、表示面内での電気光学特性にむらが生じ、この結果、画像に明るさむらや色むらが発生する。
【００５１】
そこで、本実施例では、反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂとして実施例１又は２で説明した反射型液晶表示素子５０を用い、各反射型液晶パネルの表示面内での温度分布に関する情報が得られるようにしている。コントローラ７０は、各反射型液晶パネルの温度出力端子３００から温度分布に関する情報を取得し、該情報に応じて反射電極に与える電圧（駆動信号）の振幅、周波数およびパルス幅等のパネル駆動条件を変更する。これにより、各反射型液晶パネルの温度分布に起因した画像の明るさむらや色むらを低減する動作としての温度補償動作を行うことができる。反射電極に与える駆動信号に対して温度に応じたゲインを乗じたり、ガンマテーブルを温度に応じて変更したりしてもよい。
【００５２】
温度補償動作の別の例として、コントローラ７０は、温度分布に関する情報に応じて、ファン６０の回転数（空気Ａの流量）を増減させたり、流路を変化させて各反射型液晶パネルに送られる空気Ａの分配比率を変更したりする等の冷却条件を変更してもよい。また、各反射型液晶パネルにおいて領域ごとに空気Ａの流量分布を異ならせるように冷却条件を変更してもよい。各反射型液晶パネルにペルチェ素子等の冷却素子が設けられている場合に、該冷却素子の駆動条件（つまりは冷却条件）を変更してもよい。
【００５３】
本実施例によれば、各反射型液晶パネルの温度出力端子３００の数が少ないので、コントローラ７０における入力端子数を増加させる等、回路構成を複雑にすることなく、各反射型液晶パネルの温度分布に関する情報をコントローラ７０が取得することができる。そして、コントローラ７０は、該情報に応じて各反射型液晶パネルの駆動条件や冷却条件を変更することで各反射型液晶パネルの温度を均一化し、明るさむらや色むらが少ない良好な投射画像を表示することができる。
【００５４】
なお、各反射型液晶パネルの温度分布に関する情報に応じて、各反射型液晶パネルの駆動条件や冷却条件の変更以外のプロジェクタ１の動作の制御（例えば、光源ランプ１０の明るさの制御や表示モードの自動切り替え）を行うようにしてもよい。
【００５５】
以上説明した各実施例は代表的な例にすぎず、本発明の実施に際しては、各実施例に対して種々の変形や変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
温度分布を計測可能な反射型液晶表示素子およびこれを用いて良好な画像を表示可能な画像表示装置を提供できる。
【符号の説明】
【００５７】
５０ 反射型液晶表示素子
２１１ 半導体基板
２１４ 反射電極
２１６ 共通電極
２１７ 液晶
２５０ 温度検出素子
２６２ 信号処理回路
３００ 温度出力端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶プロジェクタ等の画像表示装置に用いられる反射型液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
反射型液晶表示素子は、Ｓｉ等の半導体により形成された半導体基板上にマトリックス状に配置された複数の画素電極（反射電極）と、透光性の導電膜により形成された共通の電極（共通電極）との間に液晶を配置して構成される。半導体基板における反射電極の下層には、アクティブマトリックス駆動に必要なＭＯＳトランジスタ等のスイッチング素子を含む液晶駆動回路が形成される。
【０００３】
このように構成される反射型液晶表示素子においては、共通電極と反射電極との間の電位差を画像信号に応じて画素電極ごとに変更することで画素ごとに液晶の配向を制御し、共通電極側から入射して反射電極にて反射する光を画素ごとに変調する。
【０００４】
液晶表示素子を搭載した液晶プロジェクタ等の画像表示装置では、該装置に設けられた光源からの高強度の光の入射や電気回路基板から発せられた熱の伝達によって液晶表示素子の温度が上昇する。また、外気温の変化も液晶表示素子の温度を変化させる。
【０００５】
そして、液晶表示素子の温度が変化すると、該液晶表示素子の電気光学特性が変化する。これには、液晶分子の屈折率異方性の温度依存性や温度変化によるセルギャップ変化によって液晶層に印加される実効電界が変化したり、液晶分子の配向状態が温度によって変化したりする等の様々な要因がある。液晶表示素子の電気光学特性が変化すると、液晶表示素子にて変調される光の明るさや色が変化し、該液晶表示素子を搭載した画像表示装置により表示される画像の画質が劣化する。
【０００６】
このため、特許文献１，２には、液晶表示素子の温度を直接測定できるように、液晶表示素子を構成する基板に温度検出素子を設けた液晶表示素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１２２８３８号公報
【特許文献２】特開平７−２５３７６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、液晶表示素子の温度は、その表示面内において均一ではなく、高低差（分布）を持つ場合が多い。このような温度分布は、表示面内での明るさや色の変化を発生させる。このため、液晶表示素子の温度分布に応じた補償を行う必要がある。
【０００９】
液晶表示素子の温度分布を計測するためには、液晶表示素子に複数の温度検出素子を設ければよい。しかし、温度検出素子の数が増えると、これら温度検出素子からの信号を出力するための端子が温度検出素子の数の分だけ必要となり、液晶表示素子における端子数が大幅に増加したり多数の端子の存在によって配線が制約されたりする。
【００１０】
本発明は、端子数の増加を抑えつつ温度分布を計測できるようにした反射型液晶表示素子およびこれを用いた画像表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一側面としての反射型液晶表示素子は、透光性を有する共通電極と、該共通電極を透過した光を反射する複数の反射電極が形成された半導体基板と、共通電極および半導体基板の間に配置された液晶層とを有する。そして、半導体基板に、複数の温度検出素子と、該複数の温度検出素子からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、該デジタル信号を用いた処理を行う信号処理回路と、該信号処理回路からの信号を出力する端子であって複数の温度検出素子の数よりも少ない数の出力端子とが設けられていることを特徴とする。
【００１２】
なお、上記反射型液晶表示素子の出力端子から出力された信号処理回路からの信号に応じて該装置の動作を制御するコントローラを有する画像表示装置も本発明の他の一側面を構成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、反射型液晶表示素子の端子数の増加を抑えつつ、該反射型液晶表示素子の温度分布を精度良く測定することができる。そして、このような反射型液晶表示素子を画像表示装置に用いることで、装置側の回路構成を複雑にすることなく、反射型液晶表示素子の温度分布に応じた該装置の良好な動作制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例１である反射型液晶表示素子の構造を示す断面図。
【図２】実施例１である反射型液晶表示素子に設けられた温度検出／信号処理用の回路構成を示す図。
【図３】本発明の実施例２である反射型液晶表示素子の温度検出／信号処理用の回路構成を示す図。
【図４】本発明の実施例３である画像表示装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１には、本発明の実施例１である反射型液晶表示素子５０の断面構造を示している。本実施例では、基台となる半導体基板２１１として、Ｐ型単結晶シリコン基板（Ｐ型Ｓｉ基板）を用いている。ただし、他の半導体により形成された基板を半導体基板２１１として用いてもよい。半導体基板２１１の表面（後述する液晶側の面）には、複数の画素を構成する複数の反射電極２１４がマトリックス状に配置されている。複数の反射電極２１４がマトリックス状に配置された領域が、反射型液晶表示素子５０の表示面となる。
【００１７】
また、半導体基板２１１の内部には、ポリシリコンで形成されたゲート線２０１や、メタル層で形成された信号線２０５や、スイッチングトランジスタのドレイン領域２０２や、ゲート領域２０６が水平方向に広がるように形成されている。ゲート線２０１の一部は、スイッチング素子となるスイッチングトランジスタのゲートを構成する。
【００１８】
また、スイッチングトランジスタのドレイン領域２０２は、半導体基板２１１の厚み方向に延びるドレインコンタクト２０３を介してそれぞれ信号線２０５と接続されている。また、信号線２０５はスルーホール２０４を介して反射電極２１４に接続されている。
【００１９】
また、信号線２０５と反射電極２１４との間には、互いに隣り合う反射電極２１４間の隙間から入射する光を遮るための遮光層２１５が設けられている。
【００２０】
半導体基板２１１に対向して、ＩＴＯ膜（透光性導電膜）により形成された液晶共通電極２１６が配置されている。液晶共通電極２１６は、不図示のガラス基板（透光性基板）によって保持されている。そして、半導体基板２１１（反射電極２１４）と液晶共通電極２１６との間には、液晶（液晶層ともいう）２１７が配置されている。
【００２１】
この反射型液晶表示素子５０における液晶層２１７の厚みをd（μm）とする。液晶層２１７の厚みは図示しないスペーサーによって制御されている。
【００２２】
液晶材料の屈折率異方性をΔｎとする。屈折率異方性とは液晶分子の長軸方向の屈折率ｎｅと単軸方向の屈折率ｎｏとの差で与えられる。この屈折率の値は波長分散特性を有し、各々の波長に対して固有の値を有する。
【００２３】
ここで、反射型液晶表示素子５０の駆動原理について説明する。反射型液晶表示素子５０は、１フレーム（例えば６０Ｈｚ）を複数フィールドに分割し、フィールド毎に正負の電圧を反転させた駆動電圧を半導体基板２１１に構成された半導体回路を通して反射電極２１４に印加することにより駆動する。垂直配向した負の誘電率異方性を有する液晶材料は、駆動電圧が０Ｖのときには基板面に対してほぼ垂直に液晶分子が配向している。そして、駆動電圧を高くしていくと、基板面に対して水平方向に液晶分子が傾いていく。液晶分子が傾くに従い、液晶層２１７を透過する光の偏光方向を変調することにより、反射型液晶表示素子５０の反射率を変化させ階調表示することが可能となる。
【００２４】
反射率は、
ｓｉｎ２（２πΔｎｅｆｆｄ／λ） （１）
で表せる。ここで、Δｎｅｆｆは駆動電圧を印加し、液晶分子が傾いたときの長軸方向の実効的な屈折率ｎｅと単軸方向の実効的な屈折率ｎｏとの差である。
【００２５】
垂直配向している液晶においては、駆動電圧を大きくするにしたがい、Δｎｅｆｆは大きくなる。そして、液晶分子が基板と平行になるまでΔｎｅｆｆは大きくなり続ける。
【００２６】
また、λは反射型液晶表示素子５０に入射される光の波長である。この液晶表示素子は、反射型液晶表示素子であるため、入射した光は液晶層２１７を２回透過することになるため、Δｎｄの値に２を乗算している。
【００２７】
ここまでの反射型液晶表示素子５０の構成および動作は、従来の反射型液晶表示素子と基本的に同じである。
【００２８】
本実施例では、さらに図１に示すように、半導体基板２１１の内部（すなわち、半導体基板２１１におけるソース領域２０６やドレイン領域２０２等が形成された厚み領域内）に、温度検出素子２５０としてのＰＮ接合ダイオード（半導体素子）を複数設けている。該複数の温度検出素子２５０は、例えば、半導体基板２１１のうち反射型液晶表示素子５０の表示面に対応する領域の中央部と周辺部（四隅部）に分散されて配置されている。また、半導体基板２１１の内部には、温度検出回路２６１および信号処理回路２６２も設けられている。
【００２９】
図２には、本実施例の反射型液晶表示素子５０における温度検出／信号処理用の回路構成を示している。各温度検出素子２５０に対して定電流を流したときの電圧を温度検出素子２５０ごとに設けられた温度検出回路２６１により測定する。これにより、反射型液晶表示素子５０における各温度検出素子２５０が設けられた部分の温度を検出することができる。具体的には、各温度検出回路２６１はＡＤ変換素子を含んでおり、該ＡＤ変換素子によって、各温度検出素子２５０としてのＰＮ接合ダイオードのアノード−カソード間の電圧（アナログ信号）を、温度を示すデジタル信号に変換する。
【００３０】
信号処理回路２６２は、各温度検出回路２６１からのデジタル信号に対して演算処理を行い、その演算処理により得られた反射型液晶表示素子５０の温度分布に関する情報を生成する。そして、信号処理回路２６２は、該温度分布に関する情報を、半導体基板２１１の液晶２１７よりも外側の領域に設けられた温度出力端子３００から外部に出力する。温度分布に関する情報としては、温度分布そのもの、すなわち反射型液晶表示素子５０上の複数の位置（座標）と位置ごとの温度を示す情報であってもよいし、複数の温度検出素子２５０により検出された温度の平均値や最頻値であってもよい。また、信号処理回路２６２は、温度分布に関する情報をアナログ信号およびデジタル信号のうちいずれで出力してもよい。なお、半導体基板２１１の液晶２１７よりも外側の領域には、接地（ＧＮＤ）用の端子も設けられている。
【００３１】
このように、本実施例では、複数の温度検出素子２５０（温度検出回路２６１）からの信号を処理して出力情報としての温度分布に関する情報を生成する信号処理回路２６２を反射型液晶表示素子５０に設けている。これにより、信号処理回路２６２にて生成された該情報を外部に出力するために反射型液晶表示素子５０に設けられる温度出力端子３００の数を、温度検出素子２５０の数よりも少なくすることができる。つまり、温度出力端子３００を含めた反射型液晶表示素子５０に設けられる端子の数の増加を抑えつつ、複数の温度検出素子２５０により反射型液晶表示素子５０の温度分布に関する情報を得ることができる。端子の数の増加を抑えることで、反射型液晶表示素子５０の大型化や配線の制約の増加も回避することができる。
【００３２】
なお、温度検出素子２５０としては、ＰＮ接合ダイオードに限らず、同じく半導体素子としてのＰＮＰトランジスタやＮＰＮトランジスタを用いることもできる。また、また、温度変化によって電気抵抗が変化する抵抗素子（サーミスタ）を用いてもよい。
【００３３】
また、本実施例では、温度出力端子３００が１つ設けられている場合を示したが、温度出力端子の数は、複数の温度検出素子２５０の数よりも少なければ、複数であってもよい。
【実施例２】
【００３４】
図３には、本発明の実施例２である反射型液晶表示素子５０における温度検出／信号処理用の回路構成を示している。
【００３５】
実施例１では、温度検出素子２５０ごとに温度検出回路２６１を設けた（つまり複数の温度検出回路２６１を設けた）場合について説明したが、本実施例では、信号処理回路２６２′に温度検出回路の機能も持たせている。信号処理回路２６２′は、複数の温度検出素子２５０に対して定電流を流したときの電圧を温度検出素子２５０ごとに測定する。そして、信号処理回路２６２′は、測定した電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、該デジタル信号に対して演算処理を行って反射型液晶表示素子５０の温度分布に関する情報を生成する。さらに、信号処理回路２６２′は、該温度分布に関する情報を、実施例１と同様に半導体基板に設けられた温度出力端子３００から外部に出力する。
【００３６】
本実施例によれば、実施例１に比べて、温度検出回路の数を少なくすることができる。
【実施例３】
【００３７】
図４には、上記各実施例にて説明した反射型液晶表示素子を用いた画像表示装置の１つである液晶プロジェクタの構成を示している。なお、上記各実施例の反射型液晶表示素子は、液晶プロジェクタに限らず、反射型液晶表示素子をモニタとして用いる直視型の画像表示装置にも用いることができる。
【００３８】
液晶プロジェクタ１は、ランプ１０と、照明光学系２０と、色分解合成光学系３０と、投射レンズ（投射光学系）４０と、反射型液晶表示素子（以下、反射型液晶パネルという）５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂと、ＣＰＵ等により構成されたコントローラ７０とを有する。これらの構成要素は、筐体１ａの内部に収容される。
【００３９】
光源ランプ１０の発光管１１から発せられた光（白色の無偏光光）は、リフレクタ１２により集光され、第１のシリンダアレイ２１に入射する。第１のシリンダアレイ２１に入射した光束は、複数の光束に分割され、各分割光束は、紫外線吸収フィルタ２３および第２のシリンダアレイ２２を介して偏光変換素子２４の近傍にて結像する。偏光変換素子２４は、入射した無偏光光を、所定の偏光方向を有する偏光光（ここではＳ偏光光とする）に変換して射出する。
【００４０】
偏光変換素子２４から射出した複数の光束は、フロントコンプレッサ２５、反射ミラー２６、コンデンサーレンズ２７およびリアコンプレッサ２８を介してダイクロイックミラー３１に入射する。フロントコンプレッサ２５、コンデンサーレンズ２７およびリアコンプレッサ２８の光学的作用により、複数の光束は後述する反射型液晶パネル５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ上において重ね合わされる。
【００４１】
ダイクロイックミラー３１は、青光と赤光を反射して、緑光を透過する。ダイクロイックミラー３１を透過した緑光は、入射側偏光板３２ａを通過して偏光ビームスプリッタ３３ａにＳ偏光として入射し、その偏光分離面で反射されて緑用の反射型液晶パネル５０Ｇに入射する。コントローラ７０は、液晶プロジェクタ１に入力された映像信号に応じて緑用、赤用および青用の反射型液晶パネル５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのそれぞれにおける反射電極の電位を制御して、各反射型液晶パネルに各色の原画像を形成させる。緑用の反射型液晶パネル５０Ｇは、入射した緑光を反射するとともに緑用の原画像に応じて変調する。
【００４２】
変調されて偏光ビームスプリッタ３３ａに再び入射した緑光のうちＰ偏光成分は、偏光ビームスプリッタ３３ａの偏光分離面を透過して色合成プリズムである偏光ビームスプリッタ３３ｃに向かう。偏光ビームスプリッタ３３ａと緑用の反射型液晶パネル５０Ｇとの間に設けられた１／４波長板３５Ｇの遅相軸の方位を調整することで、偏光ビームスプリッタ３３ａと緑用の反射型液晶パネル５０Ｇとで発生する偏光状態の乱れを小さくすることができる。Ｐ偏光である緑光は偏光ビームスプリッタ３３ｃの偏光分離面を透過して投射レンズ４０に向かう。
【００４３】
ダイクロイックミラー３１で反射された赤光と青光は、Ｓ偏光として偏光板３２ｂを通過して色選択性位相差板３６ａに入射する。色選択性位相差板３６ａは、青光の偏光方向のみを９０度回転させる作用を有する。このため、青光はＰ偏光に変換されて、赤光はＳ偏光のまま色選択性位相差板３６ａから射出し、偏光ビームスプリッタ３３ｂに入射する。
【００４４】
Ｓ偏光である赤光は、偏光ビームスプリッタ３３ｂの偏光分離面で反射されて、赤用の反射型液晶パネル５０Ｒに入射し、ここで反射されるとともに赤用の原画像に応じて変調されて偏光ビームスプリッタ３３ｂに再び入射する。また、Ｐ偏光である青光は、偏光ビームスプリッタ３３ｂの偏光分離面を透過して青用の反射型液晶パネル５０Ｂに入射し、ここで反射されるとともに青用の原画像に応じて変調されて偏光ビームスプリッタ３３ｂに再び入射する。
【００４５】
偏光ビームスプリッタ３３ｂに再入射した赤光のうちＰ偏光成分は、該偏光ビームスプリッタ３３ｂの偏光分離面を透過して、色選択性位相差板３６ｂに入射する。また、偏光ビームスプリッタ３３ｂに再入射した青光のうちＳ偏光成分は、該偏光ビームスプリッタ３３ｂの偏光分離面で反射されて色選択性位相差板３６ｂに入射する。色選択性位相差板３６ｂは、赤光の偏光方向のみを９０度回転させる作用を有する。このため、赤光はＳ偏光に変換されて、青光はＳ偏光のまま色選択性位相差板３６ｂから射出し、偏光ビームスプリッタ３３ｃに入射する。偏光ビームスプリッタ３３ｂと赤用および青用の反射型液晶パネル５０Ｒ，５０Ｂとの間に設けられた１／４波長板３５Ｒ，３５Ｂの遅相軸の方位を調整することで、緑光と同様に赤光および青光の偏光状態の乱れを小さくすることができる。
【００４６】
偏光ビームスプリッタ３３ｃにＳ偏光として入射した赤光および青光は、偏光ビームスプリッタ３３ｃの偏光分離面で反射されて投射レンズ４０に向かう。こうして、偏光ビームスプリッタ３３ｃにて合成された緑光、赤光および青光は、投射レンズ４０によって不図示のスクリーン等の被投射面に投射され、カラー画像を表示する。
【００４７】
ここで、反射型液晶パネル５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂにおいては、入射する光の波長によって、最も効率良く入射光の変調を行う、すなわち反射光のほとんど全てを変調して、最も明るい画像を投射するために反射電極に与えるべき電位が異なる。例えば緑用の反射型液晶パネル５０Ｇにおいて反射電極に与えるべき電位は、緑光にその半波長分のリタデーションを与えるような電位である。また、赤用および青用の反射型液晶パネル５０Ｒ，５０Ｂにおいて反射電極に与えるべき電位もそれぞれ、赤光および青光にそれらの半波長分のリタデーションを与えるような電位である。
【００４８】
一方、光源ランプ１０からの高強度の光が入射する反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂでは、温度が上昇する。このため、図４に示したファン６０の回転によって、筐体１ａの外部から筐体１ａの内部に取り込んだ空気Ａを反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂに送ることで、これら反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂを冷却する。
【００４９】
また、液晶プロジェクタ１が設置された空間の温度（環境温度）の変化によっても反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂの温度が変化する。さらに、液晶プロジェクタ１が、明るさや画質を選択可能とする表示モードの変更機能を備えている場合、表示モードの変更によっても反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂの温度が変化する。しかも、厳密には、表示している画像の種類によって反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂの消費電力に差が生じたり、光源ランプ１０からの光が筐体１ａ内にこもったりすることによっても、反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂの温度が変化する。
【００５０】
そして、このような温度変化は、各反射型液晶パネルにおいて均一に発生せず、部分ごとに異なって発生する場合が多く、この結果、各反射型液晶パネルに温度分布が発生する。そして、各反射型液晶パネルにおける表示面内での温度分布の発生により、表示面内での電気光学特性にむらが生じ、この結果、画像に明るさむらや色むらが発生する。
【００５１】
そこで、本実施例では、反射型液晶パネル５０Ｇ，５０Ｒ，５０Ｂとして実施例１又は２で説明した反射型液晶表示素子５０を用い、各反射型液晶パネルの表示面内での温度分布に関する情報が得られるようにしている。コントローラ７０は、各反射型液晶パネルの温度出力端子３００から温度分布に関する情報を取得し、該情報に応じて反射電極に与える電圧（駆動信号）の振幅、周波数およびパルス幅等のパネル駆動条件を変更する。これにより、各反射型液晶パネルの温度分布に起因した画像の明るさむらや色むらを低減する動作としての温度補償動作を行うことができる。反射電極に与える駆動信号に対して温度に応じたゲインを乗じたり、ガンマテーブルを温度に応じて変更したりしてもよい。
【００５２】
温度補償動作の別の例として、コントローラ７０は、温度分布に関する情報に応じて、ファン６０の回転数（空気Ａの流量）を増減させたり、流路を変化させて各反射型液晶パネルに送られる空気Ａの分配比率を変更したりする等の冷却条件を変更してもよい。また、各反射型液晶パネルにおいて領域ごとに空気Ａの流量分布を異ならせるように冷却条件を変更してもよい。各反射型液晶パネルにペルチェ素子等の冷却素子が設けられている場合に、該冷却素子の駆動条件（つまりは冷却条件）を変更してもよい。
【００５３】
本実施例によれば、各反射型液晶パネルの温度出力端子３００の数が少ないので、コントローラ７０における入力端子数を増加させる等、回路構成を複雑にすることなく、各反射型液晶パネルの温度分布に関する情報をコントローラ７０が取得することができる。そして、コントローラ７０は、該情報に応じて各反射型液晶パネルの駆動条件や冷却条件を変更することで各反射型液晶パネルの温度を均一化し、明るさむらや色むらが少ない良好な投射画像を表示することができる。
【００５４】
なお、各反射型液晶パネルの温度分布に関する情報に応じて、各反射型液晶パネルの駆動条件や冷却条件の変更以外のプロジェクタ１の動作の制御（例えば、光源ランプ１０の明るさの制御や表示モードの自動切り替え）を行うようにしてもよい。
【００５５】
以上説明した各実施例は代表的な例にすぎず、本発明の実施に際しては、各実施例に対して種々の変形や変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
温度分布を計測可能な反射型液晶表示素子およびこれを用いて良好な画像を表示可能な画像表示装置を提供できる。
【符号の説明】
【００５７】
５０ 反射型液晶表示素子
２１１ 半導体基板
２１４ 反射電極
２１６ 共通電極
２１７ 液晶
２５０ 温度検出素子
２６２ 信号処理回路
３００ 温度出力端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する共通電極と、該共通電極を透過した光を反射する複数の反射電極が形成された半導体基板と、前記共通電極および前記半導体基板の間に配置された液晶層とを有する反射型液晶表示素子であって、
前記半導体基板に、
複数の温度検出素子と、
該複数の温度検出素子からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、該デジタル信号を用いた処理を行う信号処理回路と、
該信号処理回路からの信号を出力する端子であって前記複数の温度検出素子の数よりも少ない数の出力端子とが設けられていることを特徴とする反射型液晶表示素子
【請求項２】
前記温度検出素子は、半導体素子または抵抗素子であることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示素子。
【請求項３】
反射型液晶表示素子により変調した光を用いて画像を表示する画像表示装置であって、
前記反射型液晶表示素子は、
透光性を有する共通電極と、該共通電極を透過した光を反射する複数の反射電極が形成された半導体基板と、前記共通電極および前記半導体基板の間に配置された液晶層とを有し、
前記半導体基板に、
複数の温度検出素子と、
該複数の温度検出素子からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、該デジタル信号を用いた処理を行う信号処理回路と、
該信号処理回路からの信号を出力する端子であって前記複数の温度検出素子の数よりも少ない数の出力端子とが設けられており、
該画像表示装置は、
前記出力端子から出力された前記信号処理回路からの信号に応じて該装置の動作を制御するコントローラを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記信号処理回路からの信号に応じて、前記液晶表示素子の駆動条件または冷却条件を変更することを特徴とする請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項１】
透光性を有する共通電極と、該共通電極を透過した光を反射する複数の反射電極が形成された半導体基板と、前記共通電極および前記半導体基板の間に配置された液晶層とを有する反射型液晶表示素子であって、
前記半導体基板に、
複数の温度検出素子と、
該複数の温度検出素子からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、該デジタル信号を用いた処理を行う信号処理回路と、
該信号処理回路からの信号を出力する端子であって前記複数の温度検出素子の数よりも少ない数の出力端子とが設けられていることを特徴とする反射型液晶表示素子
【請求項２】
前記温度検出素子は、半導体素子または抵抗素子であることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示素子。
【請求項３】
反射型液晶表示素子により変調した光を用いて画像を表示する画像表示装置であって、
前記反射型液晶表示素子は、
透光性を有する共通電極と、該共通電極を透過した光を反射する複数の反射電極が形成された半導体基板と、前記共通電極および前記半導体基板の間に配置された液晶層とを有し、
前記半導体基板に、
複数の温度検出素子と、
該複数の温度検出素子からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、該デジタル信号を用いた処理を行う信号処理回路と、
該信号処理回路からの信号を出力する端子であって前記複数の温度検出素子の数よりも少ない数の出力端子とが設けられており、
該画像表示装置は、
前記出力端子から出力された前記信号処理回路からの信号に応じて該装置の動作を制御するコントローラを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記信号処理回路からの信号に応じて、前記液晶表示素子の駆動条件または冷却条件を変更することを特徴とする請求項３に記載の画像表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−２２６０６２（Ｐ２０１２−２２６０６２Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９２５６７（Ｐ２０１１−９２５６７）
【出願日】平成２３年４月１９日（２０１１．４．１９）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月１９日（２０１１．４．１９）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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