回路基板、及び、回路基板の製造方法
【課題】めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、導電部の表面はＮｉＳＯ４を含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるＳ成分のピークが、Ｎｉ成分のピークよりも小さい回路基板である。
【解決手段】窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、導電部の表面はＮｉＳＯ４を含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるＳ成分のピークが、Ｎｉ成分のピークよりも小さい回路基板である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化珪素基板を用いた回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、例えば電動車両用のインバーター等として高電圧、大電流動作が可能なパワー半導体モジュール（ＩＧＢＴモジュール等）が広く利用されている。このような半導体モジュールでは、半導体チップが動作中は比較的高温となるので、放熱の効率を高める必要がある。そこで上記半導体チップを搭載する回路基板として、機械強度が比較的高く、熱伝導率も比較的高い窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）基板が注目されている。
【０００３】
一般に半導体モジュールでは、窒化珪素基板の一面側に、銅合金等、比較的電気伝導率の高い金属で回路パターンが形成される。この回路パターンを構成する金属と、窒化珪素基板との接合は、活性金属ろう付け法等で行われる。この活性金属ろう付け法では、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）等の活性金属とともに低融点合金を作る銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属を混合したもの、又はこれらの合金をろう材として、回路パターンを形成する金属箔又は金属板を窒化珪素基板の表面にろう材相を介して不活性ガス又は真空雰囲気中で加熱圧着接合する。
【０００４】
また、回路パターンとなった金属の表面にはニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）等を含む無電解めっき層を形成しておく。これにより窒化珪素基板を用いた回路基板が得られ、この無電解めっき層の表面に半導体チップなどが搭載されてパワー半導体モジュールとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１８３８４３号公報
【特許文献２】世界知的所有権機関国際事務局 国際公開第２００７／１４８７８５号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の技術では無電解めっき層を形成する際、めっきの前処理として、回路パターンに対し、活性パラジウム（Ｐｄ）を塗布して洗浄している。これは回路パターンに対するめっき層の形成を助けるためであるが、実際には活性パラジウムは回路パターン表面だけでなく、回路パターン外に露出した窒化珪素基板の表面にも付着してしまう。
【０００７】
また窒化珪素基板の表面は、窒化珪素の柱状結晶がランダムに配列された組織となっており、洗浄によっても柱状結晶の組織内に活性パラジウムがトラップされた状態で残存する。めっきの工程では、当該残存した活性パラジウム部分にもめっきがされるため、めっき付着によって窒化珪素基板の表面に黒ずみ斑点等の外観不良等が生じる。
【０００８】
特許文献１では、活性パラジウムの代わりに触媒活性を示すニッケル片を用い、ニッケル化合物を主成分としてリン酸系化合物を還元剤として含有するめっき浴中で、電子部品の電極表面にＮｉ−Ｐの無電解めっき層を形成する技術が開示されている。しかしこの特許文献１に開示された技術では、めっき浴中にニッケル片を留めるため、めっき処理中には、当該ニッケル片表面にもめっきがされ、めっき浴の寿命を低下させる。
【０００９】
そこで、特許文献２では、触媒活性を示す球状のニッケル粒を接触させた状態で基板をめっき液中に置き、その後、めっき液から取り出して必要部分にめっき被覆が形成されていることを確認後、ニッケル粒をはずして再度基板のみをめっき浴中に置くこととしている。しかしながらこの方法では、回路パターン表面においてニッケル粒の接触している位置や、めっき浴から取り出したときの温度低下により、めっき表面における硫黄（Ｓ）成分（還元剤に含まれていたもの）の分布にばらつきが生じ、はんだ濡れ性を劣化させる場合があった。
【００１０】
本発明は、上記実情に鑑みなされたもので、めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法を提供することを、その目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、前記導電部の表面はＮｉＳＯ４を含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるＳ成分のピークが、Ｎｉ成分のピークよりも小さいこととしたものである。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る回路基板の製造方法は、窒化珪素基板上に島状に凸となった導電部を形成する工程と、少なくともその表面がＮｉである球状体を前記導電部に接触させた状態で、めっき液に浸漬する工程と、めっき液に浸漬させた状態で、前記球状体を導電部から引き離す工程と、を含み、前記球状体の半径Ｒを、前記導電部間の最大距離Ｗ１と、導電部表面の窒化珪素基板表面からの距離ｔとに基づき、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒで定められる半径としたものである。
【００１３】
ここに、球状体を前記導電部に接触させた状態で前記めっき液に浸漬する工程の持続時間を、めっき成長が開始するまでの時間として予め定めた時間としてもよい。
【００１４】
さらに本発明の別の態様に係る集合回路基板の製造方法は、島状に凸となった導電部を含む複数の回路パターンを、窒化珪素基板上に繰り返し形成する工程と、少なくともその表面がＮｉである球状体を前記導電部の各々に接触させた状態で、めっき液に浸漬する工程と、めっき液に浸漬させた状態で、前記球状体を前記導電部から引き離す工程と、を含み、前記球状体の半径Ｒを、前記導電部間の最大距離Ｗ１と、導電部表面の窒化珪素基板表面からの距離ｔとに基づき、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒで定められる半径としたものである。
【００１５】
さらに本発明の一態様に係る回路基板は、一定電圧６．６ｋＶを印加し続けたときの絶縁破壊時間ｈが、１３００００時間以上であることとしたものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係る回路基板の製造方法を表すフロー図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る回路基板の例を表す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る回路基板の例を表す側面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る回路基板をめっき液に浸漬させる際の状態を表す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る回路基板に対するニッケル球の接触状態の例を表す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る回路基板に対するニッケル球の接触状態の別の例を表す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る回路基板に対するニッケル球の接触状態のさらに別の例を表す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る回路基板のめっき表面をグロー放電発光分析したときの硫黄成分とニッケル成分との放出経過の概要を表す説明図である。
【図９】めっき表面の硫黄成分量に対するはんだ濡れ性の関係を表す説明図である。
【図１０】本実施例で用いる集合回路基板の例を表す説明図である。
【図１１】本実施例と比較例とのそれぞれに係る集合回路基板の絶縁破壊電圧と絶縁破壊時間との関係を表す説明図である。
【図１２】本実施例と比較例とのそれぞれに係る集合回路基板のめっき表面のグロー放電発光分析の結果を表す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。本発明の実施の形態に係る回路基板は図１に例示するように、次のようにして製造される。
【００１９】
回路パターンに従って加工した銅合金板（導電部）２０を窒化珪素基板１０の平面側にろう付けした基板を用意する（Ｓ１）。この基板で導電部２０は、図２に示すように、窒化珪素基板上に島状に複数配され、導電部２０の間には空隙Ｇが空けられる。また、この導電部２０は、図３に側面図を示すように、窒化珪素基板表面よりも凸となっている。
【００２０】
なお、この導電部２０は窒化珪素基板の平面側に形成し、底面側はその全面に導電部を形成してもよい。ＩＧＢＴモジュール等の場合、この底面側の導電部は放熱の役割を果たす。
【００２１】
次にこの基板の導電部２０の表面を清浄化する（Ｓ２）。清浄化は例えば有機溶剤による脱脂や、酸性の水溶液を用いた洗浄、またはエッチングなど広く知られた方法で行うことができる。
【００２２】
清浄化した基板を、ナイロン製のメッシュケースなど、めっき液が内外に流通するケース内部に配し、ニッケル球３０を充填する（図４）。このとき、基板両面の各導電部２０に少なくとも一つのニッケル球３０が接するよう、メッシュケース４０のサイズやニッケル球３０の数、サイズ等を調整しておく。なお、ここでニッケル球３０は、少なくともその表面がニッケルである球状体であればよい。つまり球の内部までニッケルでできていてもよいし、樹脂製の球表面をニッケルで被覆したものであってもよい。
【００２３】
次に、基板をナイロン製のメッシュケース４０ごとめっき液内に浸漬する（Ｓ３）。このめっき液は、無電解Ｎｉ−Ｐめっき液としては、ＮｉＳＯ４を含む、広く知られたものを用いる。予め定めた時間（第１の時間）だけ経過した後（Ｓ４）、めっき液中でナイロン製メッシュケース４０から基板を取り出し、ニッケル球をめっき液から取り出す（Ｓ５）。つまり、基板はめっき液に浸漬させた状態のまま、ニッケル球３０を導電部から引き離す。ここで第１の時間は、予め実験的に、導電部２０の表面にめっき成長が開始するに十分な時間として定められたものである。
【００２４】
そしてまた予め定めた時間（第２の時間）だけ、基板の導電部２０上に無電解めっきを行って（Ｓ６）、導電部２０表面にＮｉ−Ｐめっき膜を形成する。こうして窒化珪素基板１０上に形成された導電部２０を含み、導電部２０の表面にＮｉ−Ｐめっき膜が形成された回路基板が得られる。
【００２５】
また本実施の形態では、上記ニッケル球３０のサイズを次のようにして定める。すなわちニッケル球３０の半径をＲとし、導電部間２０の最大の距離（最大の空隙の幅）をＷ１とし、導電部２０表面の窒化珪素基板１０表面からの距離をｔとする（図５）。このとき、ニッケル球３０が導電部２０表面には接するが、窒化珪素基板１０表面に触れないようにするには、ニッケル球３０が空隙を挟む一対の導電部２０の端部で支えられるときに、ニッケル球３０の中心Ｏから窒化珪素基板１０の表面に下ろした垂線の足Ｆまでの長さＯＦが、ニッケル球３０の半径Ｒよりも大きいこと、つまり、ＯＦ＞Ｒであればよい。
【００２６】
ここでニッケル球３０が接する導電部２０の端部（一方をＡとする）を結ぶ線分と、ＯＦとが交わる点をＰとすると、ＯＦ＝ＯＰ＋ｔである。また、角ＯＡＰをθとするとＯＰは、Ｒ・ｓｉｎθとなる。よって、ｔ＋Ｒ・ｓｉｎθ＞Ｒ。一方、２Ｒ・ｃｏｓθ＝Ｗ１なので、ｓｉｎθ＝√（１−ｃｏｓ２θ）＝（１／２Ｒ）×√（４Ｒ２−Ｗ１２）であり、従って、条件は、（１／２）×√（４Ｒ２−Ｗ１２）＞Ｒ−ｔと書き直せる。両辺ともに正の値なので、それぞれ二乗して整理し、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒを得る。
【００２７】
すなわち本実施の形態ではニッケル球３０の半径Ｒを、形成された導電部間２０の最大距離（最大の空隙の幅）をＷ１とし、導電部２０表面の窒化珪素基板１０表面からの距離をｔとするとき、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔより大きくする。
【００２８】
しかしながらニッケル球３０の半径を大きくしすぎると、図６に例示するように、比較的幅の狭い導電部２０にニッケル球３０が接触しない場合がある。そこで、めっき液に浸漬させている間、ニッケル球３０を基板に対して流動させる。これは例えばメッシュケース４０ごと揺動させるようにするなど、様々な方法で行うことができる。
【００２９】
また、ニッケル球３０の半径を（２Ｗ１＋Ｗ２）／２＞Ｒとしておくこととしてもよい。これは図７のように接する場合を考慮して、Ｗ２＋２Ｒ・ｃｏｓθ＞２Ｒとの条件（及びこの場合のｃｏｓθ＝Ｗ１／Ｒ）から導かれる条件である。
【００３０】
図８は、以上のようにニッケル球３０の球半径を制御し、まためっき成長開始後にめっき液に浸漬させた状態のままでニッケル球３０を導電部２０から引き離して得た回路基板に対し、その導電部２０表面に存在する各分子の存在比を、グロー放電発光分析法（GD-OES: Glow Discharge Optical Emission Spectroscopy）を利用して測定したものである。このグロー放電発光分析法による測定を行う装置としては、例えば堀場製作所製のＧＤ−Ｐｒｏｆｉｌｅｒ２等がある。
【００３１】
図８において、横軸は測定開始からの時間、縦軸は各成分が放出された量を表す。図８には比較のために、従来の方法（ニッケル球の半径をＷ１，Ｗ２に関わりなく定め、ニッケル球を導電部から引き離すときにめっき液から一旦取り出す方法）で製造された回路基板における結果（ｂ）と、本実施の形態の方法で製造された回路基板における結果（ａ）とを示している。
【００３２】
図８（ａ），（ｂ）を比較すると、従来の方法で製造された回路基板に比べ、本実施の形態の方法で製造された回路基板では、導電部２０上に形成されためっき表面のグロー放電発光分析により見いだされる硫黄（Ｓ）成分のピークが、ニッケル（Ｎｉ）成分のピークよりも小さくなっている。
【００３３】
またＳ成分のピークに対するはんだ濡れ性について実験した結果を図９に示す。図９において横軸はＳ成分のピークの値、縦軸ははんだ濡れ性を表す。ここではんだ濡れ性とは、例えば導電部（Ｎｉ−Ｐめっきをしたもの）上に面積Ａ0のはんだを載せてリフロー処理したときに、当該リフロー処理後のはんだの面積ＡのＡ0に対する比、Ａ／Ａ0を単位パーセントで表したものである。
【００３４】
図９に示すように、めっき表面に含まれるＳ成分の濃度（a.u：規格化単位）とはんだ濡れ性とには相関が見られ、本実施の方法で製造された回路基板では、導電部２０上に形成されためっき表面のグロー放電発光分析により見いだされる硫黄（Ｓ）成分のピークが、ニッケル（Ｎｉ）成分のピークよりも小さくなっているので、はんだ濡れ性を高くすることができる。
【００３５】
なお、本実施の形態の方法で製造する基板は、窒化珪素基板上に複数の同じ回路パターン５０を繰り返し形成した集合基板であってもよい（図１０）。この場合には、各回路パターン５０の外周に、ガイド枠６０を形成してもよい。このガイド枠は回路パターンと同様に、銅合金板をガイド枠の形状に加工し、窒化珪素基板にろう付けしたものとすればよい。このガイド枠の表面と窒化珪素基板の表面との間の距離は、導電部の表面と窒化珪素基板の表面との間の距離と同じでよい。またこの集合基板において、回路パターンに含まれる導電部間の最大距離よりも、回路パターンに含まれる導電部とガイド枠との間の距離が大きい部分があるときには、当該回路パターンに含まれる導電部とガイド枠との間の最大距離をＷ１として、上述の方法でニッケル球の半径Ｒを定める。
【００３６】
本実施の形態の方法では、ニッケル球をめっき液から取り出すことでめっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上でき、また、ニッケル球が窒化珪素基板に接触しないようにしたので、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止できる。
【実施例】
【００３７】
次に、本発明に係る実施例について説明する。
【００３８】
ここでは図１０に示した集合回路基板を処理の対象とした例について述べる。図１０の集合回路基板は、窒化珪素基板上に、銅合金板を回路パターンに従って加工した導電部５０が４×１１のマトリクス状に繰り返し配されている。また、これら複数の導電部５０の外周には、ガイド枠６０を銅合金板で形成している。ここでは、これら導電部５０及びガイド枠６０が導電部となっている。図１０の基板では、導電部の間にある間隙のうち最大の間隙は、基板の左半分と右半分との間にある間隙（長さＷ０）である。さらに導電部はいずれも、その表面と窒化珪素基板の表面との距離がｔ＝０．５ｍｍとなっている。
【００３９】
この基板の導電部の表面は清浄化しておき、（４ｔ２＋Ｗ０２）／８ｔ＜Ｒ＜（２Ｗ０＋Ｗ２）／２の条件を満足するＲの半径を有するニッケル球を用意した。ここでＷ２は、めっきを要する導電部の幅のうち、もっとも狭い幅（図１０の導電部５０の上下方向の幅ｗ）としている。
【００４０】
清浄化した基板を、ナイロン製のメッシュケースに収納し、用意した半径Ｒのニッケル球を充填した。そしてメッシュケースごと、基板をめっき液内に浸漬し、予め実験的に、導電部の表面にめっき成長が開始するに十分な時間として定められた第１の時間だけ待機した。この第１の時間が経過した後、めっき液中でメッシュケースから基板を取り出し、ニッケル球を導電部から引き離した。さらにニッケル球はめっき液から取り出した。
【００４１】
そしてさらに３０分間、無電解めっきを行い、導電部の表面にＮｉ−Ｐめっき膜を形成した回路基板（実施例）を得た。
【００４２】
また比較のため、図１０に示した同じ導電部を有する基板を作成し、この基板の導電部の表面を清浄化した後、ナイロン製のメッシュケースに収納し、用意した半径Ｒのニッケル球を充填した。そしてメッシュケースごと、基板をめっき液内に浸漬し、５秒から１０秒の間にめっき液から引き上げ、メッシュケースから基板を取り出して各導電部においてめっき成長が始まっていることを目視で確認した。その後、当該基板を再びめっき液に浸漬し、３０分間無電解めっきを行い、導電部の表面にＮｉ−Ｐめっき膜を形成した回路基板（比較例）を得た。
【００４３】
これら実施例と比較例とのそれぞれの導電部表面に存在する各分子の存在比を、堀場製作所製のＧＤ−Ｐｒｏｆｉｌｅｒ２を用い、グロー放電発光分析法（GD-OES: Glow Discharge Optical Emission Spectroscopy）により測定した。実験の条件としては、アルゴン（Ａｒ）ガス圧力が５００Ｐａ、ＲＦ出力を３５Ｗ、アノード径が４ｍｍ、１．７μｍ毎秒の速度でノーマルスパッタを行った。また蛍光Ｘ線分析により、導電部表面に存在するリン（Ｐ）成分の濃度（％）を併せて測定した。
【００４４】
さらに、実施例と比較例とにおける導電部上でのはんだ濡れ性と、絶縁耐圧とを測定した。ここで絶縁耐圧は次のようにして得たデータである。すなわち８から１０ｋＶの間の互いに異なる電圧Ｖ１，Ｖ２…Ｖｎを、回路基板の表裏間に印加し、絶縁破壊が生じるまでの時間を測定した。この結果を図１１に示す。なお、この際に島状に存在する各導電部は互いに短絡させておいた。
【００４５】
図１１において縦軸（ｙ軸）は、絶縁破壊が生じた印加電圧（ｋＶ）、横軸（ｘ軸）は絶縁破壊が生じるまでの時間（時間）である。この測定の結果から比較例の回路基板について、
ｙ＝6.7ｘ-0.06
との相関関数を得た。また実施例の回路基板について、
ｙ＝8.8ｘ-0.03
との相関関数を得た。
【００４６】
これらの相関関数から、１５年経過時点での絶縁耐圧を外挿して予測した値を次の表１、２に示す。それぞれ表１が実施例に関する実験の結果であり、表２が比較例に関する実験の結果である。
【表１】
【表２】
【００４７】
表１に示す実施例１から実施例２４は、いずれもガイド枠を形成した集合基板を、ボール径Ｒが（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒの条件を満足したニッケル球を用い、まためっき液から引き出すことなく、ニッケル球を導電部から引き離した（引き出しなし）ものである。この表に示す通り、測定される硫黄（Ｓ）成分は、比較的低く、またリン（Ｐ）濃度も７乃至８．５％の間に安定している。はんだ濡れ性は９７％以上であり、１５年経過時点（約１３００００時間）での絶縁耐圧の予測値は６．０ｋＶ以上となっている。つまり、実施例に係る回路基板では、一定電圧６．６ｋＶを印加し続けたときの絶縁破壊時間ｈは、１３００００時間以上である。
【００４８】
一方、表２に示す比較例１、２は、ガイド枠を形成しなかったものである。また、比較例３，４は、めっき液から引き出した状態で、ニッケル球を導電部から引き離した（引き出し有り）ものである。その他の比較例５から１１は、ボール径（Ｒ）が、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒの条件を満足していない。なお、表２では、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔを、最小ボール径として表示した。
【００４９】
この結果、表２に示す比較例では、比較例３，４を除いて１５年経過時点での絶縁耐圧の予測値が４．０ｋＶ未満となっている。また、比較例３，４では、１５年経過時点での絶縁耐圧の予測値は６．０ｋＶ以上となっているが、めっき表面の硫黄（Ｓ）成分やリン（Ｐ）濃度が比較的高く、はんだ濡れ性が７５％未満に低下している。
【００５０】
図１２は、比較例と実施例とのそれぞれに係る回路基板について、導電部表面の成分をグロー放電発光分析法により測定した例を表したものである。双方でニッケル（Ｎｉ）成分のピークは約３a.u.で変わらないが、硫黄（Ｓ）成分のピークは比較例で５．０a.u.、実施例で２．５a.u.と異なっている。
【符号の説明】
【００５１】
１０ 窒化珪素基板、２０，５０ 導電部 ３０ ニッケル球、４０ メッシュケース、６０ ガイド枠。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化珪素基板を用いた回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、例えば電動車両用のインバーター等として高電圧、大電流動作が可能なパワー半導体モジュール（ＩＧＢＴモジュール等）が広く利用されている。このような半導体モジュールでは、半導体チップが動作中は比較的高温となるので、放熱の効率を高める必要がある。そこで上記半導体チップを搭載する回路基板として、機械強度が比較的高く、熱伝導率も比較的高い窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）基板が注目されている。
【０００３】
一般に半導体モジュールでは、窒化珪素基板の一面側に、銅合金等、比較的電気伝導率の高い金属で回路パターンが形成される。この回路パターンを構成する金属と、窒化珪素基板との接合は、活性金属ろう付け法等で行われる。この活性金属ろう付け法では、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）等の活性金属とともに低融点合金を作る銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属を混合したもの、又はこれらの合金をろう材として、回路パターンを形成する金属箔又は金属板を窒化珪素基板の表面にろう材相を介して不活性ガス又は真空雰囲気中で加熱圧着接合する。
【０００４】
また、回路パターンとなった金属の表面にはニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）等を含む無電解めっき層を形成しておく。これにより窒化珪素基板を用いた回路基板が得られ、この無電解めっき層の表面に半導体チップなどが搭載されてパワー半導体モジュールとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１８３８４３号公報
【特許文献２】世界知的所有権機関国際事務局 国際公開第２００７／１４８７８５号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の技術では無電解めっき層を形成する際、めっきの前処理として、回路パターンに対し、活性パラジウム（Ｐｄ）を塗布して洗浄している。これは回路パターンに対するめっき層の形成を助けるためであるが、実際には活性パラジウムは回路パターン表面だけでなく、回路パターン外に露出した窒化珪素基板の表面にも付着してしまう。
【０００７】
また窒化珪素基板の表面は、窒化珪素の柱状結晶がランダムに配列された組織となっており、洗浄によっても柱状結晶の組織内に活性パラジウムがトラップされた状態で残存する。めっきの工程では、当該残存した活性パラジウム部分にもめっきがされるため、めっき付着によって窒化珪素基板の表面に黒ずみ斑点等の外観不良等が生じる。
【０００８】
特許文献１では、活性パラジウムの代わりに触媒活性を示すニッケル片を用い、ニッケル化合物を主成分としてリン酸系化合物を還元剤として含有するめっき浴中で、電子部品の電極表面にＮｉ−Ｐの無電解めっき層を形成する技術が開示されている。しかしこの特許文献１に開示された技術では、めっき浴中にニッケル片を留めるため、めっき処理中には、当該ニッケル片表面にもめっきがされ、めっき浴の寿命を低下させる。
【０００９】
そこで、特許文献２では、触媒活性を示す球状のニッケル粒を接触させた状態で基板をめっき液中に置き、その後、めっき液から取り出して必要部分にめっき被覆が形成されていることを確認後、ニッケル粒をはずして再度基板のみをめっき浴中に置くこととしている。しかしながらこの方法では、回路パターン表面においてニッケル粒の接触している位置や、めっき浴から取り出したときの温度低下により、めっき表面における硫黄（Ｓ）成分（還元剤に含まれていたもの）の分布にばらつきが生じ、はんだ濡れ性を劣化させる場合があった。
【００１０】
本発明は、上記実情に鑑みなされたもので、めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法を提供することを、その目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、前記導電部の表面はＮｉＳＯ４を含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるＳ成分のピークが、Ｎｉ成分のピークよりも小さいこととしたものである。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る回路基板の製造方法は、窒化珪素基板上に島状に凸となった導電部を形成する工程と、少なくともその表面がＮｉである球状体を前記導電部に接触させた状態で、めっき液に浸漬する工程と、めっき液に浸漬させた状態で、前記球状体を導電部から引き離す工程と、を含み、前記球状体の半径Ｒを、前記導電部間の最大距離Ｗ１と、導電部表面の窒化珪素基板表面からの距離ｔとに基づき、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒで定められる半径としたものである。
【００１３】
ここに、球状体を前記導電部に接触させた状態で前記めっき液に浸漬する工程の持続時間を、めっき成長が開始するまでの時間として予め定めた時間としてもよい。
【００１４】
さらに本発明の別の態様に係る集合回路基板の製造方法は、島状に凸となった導電部を含む複数の回路パターンを、窒化珪素基板上に繰り返し形成する工程と、少なくともその表面がＮｉである球状体を前記導電部の各々に接触させた状態で、めっき液に浸漬する工程と、めっき液に浸漬させた状態で、前記球状体を前記導電部から引き離す工程と、を含み、前記球状体の半径Ｒを、前記導電部間の最大距離Ｗ１と、導電部表面の窒化珪素基板表面からの距離ｔとに基づき、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒで定められる半径としたものである。
【００１５】
さらに本発明の一態様に係る回路基板は、一定電圧６．６ｋＶを印加し続けたときの絶縁破壊時間ｈが、１３００００時間以上であることとしたものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係る回路基板の製造方法を表すフロー図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る回路基板の例を表す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る回路基板の例を表す側面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る回路基板をめっき液に浸漬させる際の状態を表す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る回路基板に対するニッケル球の接触状態の例を表す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る回路基板に対するニッケル球の接触状態の別の例を表す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る回路基板に対するニッケル球の接触状態のさらに別の例を表す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る回路基板のめっき表面をグロー放電発光分析したときの硫黄成分とニッケル成分との放出経過の概要を表す説明図である。
【図９】めっき表面の硫黄成分量に対するはんだ濡れ性の関係を表す説明図である。
【図１０】本実施例で用いる集合回路基板の例を表す説明図である。
【図１１】本実施例と比較例とのそれぞれに係る集合回路基板の絶縁破壊電圧と絶縁破壊時間との関係を表す説明図である。
【図１２】本実施例と比較例とのそれぞれに係る集合回路基板のめっき表面のグロー放電発光分析の結果を表す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。本発明の実施の形態に係る回路基板は図１に例示するように、次のようにして製造される。
【００１９】
回路パターンに従って加工した銅合金板（導電部）２０を窒化珪素基板１０の平面側にろう付けした基板を用意する（Ｓ１）。この基板で導電部２０は、図２に示すように、窒化珪素基板上に島状に複数配され、導電部２０の間には空隙Ｇが空けられる。また、この導電部２０は、図３に側面図を示すように、窒化珪素基板表面よりも凸となっている。
【００２０】
なお、この導電部２０は窒化珪素基板の平面側に形成し、底面側はその全面に導電部を形成してもよい。ＩＧＢＴモジュール等の場合、この底面側の導電部は放熱の役割を果たす。
【００２１】
次にこの基板の導電部２０の表面を清浄化する（Ｓ２）。清浄化は例えば有機溶剤による脱脂や、酸性の水溶液を用いた洗浄、またはエッチングなど広く知られた方法で行うことができる。
【００２２】
清浄化した基板を、ナイロン製のメッシュケースなど、めっき液が内外に流通するケース内部に配し、ニッケル球３０を充填する（図４）。このとき、基板両面の各導電部２０に少なくとも一つのニッケル球３０が接するよう、メッシュケース４０のサイズやニッケル球３０の数、サイズ等を調整しておく。なお、ここでニッケル球３０は、少なくともその表面がニッケルである球状体であればよい。つまり球の内部までニッケルでできていてもよいし、樹脂製の球表面をニッケルで被覆したものであってもよい。
【００２３】
次に、基板をナイロン製のメッシュケース４０ごとめっき液内に浸漬する（Ｓ３）。このめっき液は、無電解Ｎｉ−Ｐめっき液としては、ＮｉＳＯ４を含む、広く知られたものを用いる。予め定めた時間（第１の時間）だけ経過した後（Ｓ４）、めっき液中でナイロン製メッシュケース４０から基板を取り出し、ニッケル球をめっき液から取り出す（Ｓ５）。つまり、基板はめっき液に浸漬させた状態のまま、ニッケル球３０を導電部から引き離す。ここで第１の時間は、予め実験的に、導電部２０の表面にめっき成長が開始するに十分な時間として定められたものである。
【００２４】
そしてまた予め定めた時間（第２の時間）だけ、基板の導電部２０上に無電解めっきを行って（Ｓ６）、導電部２０表面にＮｉ−Ｐめっき膜を形成する。こうして窒化珪素基板１０上に形成された導電部２０を含み、導電部２０の表面にＮｉ−Ｐめっき膜が形成された回路基板が得られる。
【００２５】
また本実施の形態では、上記ニッケル球３０のサイズを次のようにして定める。すなわちニッケル球３０の半径をＲとし、導電部間２０の最大の距離（最大の空隙の幅）をＷ１とし、導電部２０表面の窒化珪素基板１０表面からの距離をｔとする（図５）。このとき、ニッケル球３０が導電部２０表面には接するが、窒化珪素基板１０表面に触れないようにするには、ニッケル球３０が空隙を挟む一対の導電部２０の端部で支えられるときに、ニッケル球３０の中心Ｏから窒化珪素基板１０の表面に下ろした垂線の足Ｆまでの長さＯＦが、ニッケル球３０の半径Ｒよりも大きいこと、つまり、ＯＦ＞Ｒであればよい。
【００２６】
ここでニッケル球３０が接する導電部２０の端部（一方をＡとする）を結ぶ線分と、ＯＦとが交わる点をＰとすると、ＯＦ＝ＯＰ＋ｔである。また、角ＯＡＰをθとするとＯＰは、Ｒ・ｓｉｎθとなる。よって、ｔ＋Ｒ・ｓｉｎθ＞Ｒ。一方、２Ｒ・ｃｏｓθ＝Ｗ１なので、ｓｉｎθ＝√（１−ｃｏｓ２θ）＝（１／２Ｒ）×√（４Ｒ２−Ｗ１２）であり、従って、条件は、（１／２）×√（４Ｒ２−Ｗ１２）＞Ｒ−ｔと書き直せる。両辺ともに正の値なので、それぞれ二乗して整理し、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒを得る。
【００２７】
すなわち本実施の形態ではニッケル球３０の半径Ｒを、形成された導電部間２０の最大距離（最大の空隙の幅）をＷ１とし、導電部２０表面の窒化珪素基板１０表面からの距離をｔとするとき、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔより大きくする。
【００２８】
しかしながらニッケル球３０の半径を大きくしすぎると、図６に例示するように、比較的幅の狭い導電部２０にニッケル球３０が接触しない場合がある。そこで、めっき液に浸漬させている間、ニッケル球３０を基板に対して流動させる。これは例えばメッシュケース４０ごと揺動させるようにするなど、様々な方法で行うことができる。
【００２９】
また、ニッケル球３０の半径を（２Ｗ１＋Ｗ２）／２＞Ｒとしておくこととしてもよい。これは図７のように接する場合を考慮して、Ｗ２＋２Ｒ・ｃｏｓθ＞２Ｒとの条件（及びこの場合のｃｏｓθ＝Ｗ１／Ｒ）から導かれる条件である。
【００３０】
図８は、以上のようにニッケル球３０の球半径を制御し、まためっき成長開始後にめっき液に浸漬させた状態のままでニッケル球３０を導電部２０から引き離して得た回路基板に対し、その導電部２０表面に存在する各分子の存在比を、グロー放電発光分析法（GD-OES: Glow Discharge Optical Emission Spectroscopy）を利用して測定したものである。このグロー放電発光分析法による測定を行う装置としては、例えば堀場製作所製のＧＤ−Ｐｒｏｆｉｌｅｒ２等がある。
【００３１】
図８において、横軸は測定開始からの時間、縦軸は各成分が放出された量を表す。図８には比較のために、従来の方法（ニッケル球の半径をＷ１，Ｗ２に関わりなく定め、ニッケル球を導電部から引き離すときにめっき液から一旦取り出す方法）で製造された回路基板における結果（ｂ）と、本実施の形態の方法で製造された回路基板における結果（ａ）とを示している。
【００３２】
図８（ａ），（ｂ）を比較すると、従来の方法で製造された回路基板に比べ、本実施の形態の方法で製造された回路基板では、導電部２０上に形成されためっき表面のグロー放電発光分析により見いだされる硫黄（Ｓ）成分のピークが、ニッケル（Ｎｉ）成分のピークよりも小さくなっている。
【００３３】
またＳ成分のピークに対するはんだ濡れ性について実験した結果を図９に示す。図９において横軸はＳ成分のピークの値、縦軸ははんだ濡れ性を表す。ここではんだ濡れ性とは、例えば導電部（Ｎｉ−Ｐめっきをしたもの）上に面積Ａ0のはんだを載せてリフロー処理したときに、当該リフロー処理後のはんだの面積ＡのＡ0に対する比、Ａ／Ａ0を単位パーセントで表したものである。
【００３４】
図９に示すように、めっき表面に含まれるＳ成分の濃度（a.u：規格化単位）とはんだ濡れ性とには相関が見られ、本実施の方法で製造された回路基板では、導電部２０上に形成されためっき表面のグロー放電発光分析により見いだされる硫黄（Ｓ）成分のピークが、ニッケル（Ｎｉ）成分のピークよりも小さくなっているので、はんだ濡れ性を高くすることができる。
【００３５】
なお、本実施の形態の方法で製造する基板は、窒化珪素基板上に複数の同じ回路パターン５０を繰り返し形成した集合基板であってもよい（図１０）。この場合には、各回路パターン５０の外周に、ガイド枠６０を形成してもよい。このガイド枠は回路パターンと同様に、銅合金板をガイド枠の形状に加工し、窒化珪素基板にろう付けしたものとすればよい。このガイド枠の表面と窒化珪素基板の表面との間の距離は、導電部の表面と窒化珪素基板の表面との間の距離と同じでよい。またこの集合基板において、回路パターンに含まれる導電部間の最大距離よりも、回路パターンに含まれる導電部とガイド枠との間の距離が大きい部分があるときには、当該回路パターンに含まれる導電部とガイド枠との間の最大距離をＷ１として、上述の方法でニッケル球の半径Ｒを定める。
【００３６】
本実施の形態の方法では、ニッケル球をめっき液から取り出すことでめっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上でき、また、ニッケル球が窒化珪素基板に接触しないようにしたので、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止できる。
【実施例】
【００３７】
次に、本発明に係る実施例について説明する。
【００３８】
ここでは図１０に示した集合回路基板を処理の対象とした例について述べる。図１０の集合回路基板は、窒化珪素基板上に、銅合金板を回路パターンに従って加工した導電部５０が４×１１のマトリクス状に繰り返し配されている。また、これら複数の導電部５０の外周には、ガイド枠６０を銅合金板で形成している。ここでは、これら導電部５０及びガイド枠６０が導電部となっている。図１０の基板では、導電部の間にある間隙のうち最大の間隙は、基板の左半分と右半分との間にある間隙（長さＷ０）である。さらに導電部はいずれも、その表面と窒化珪素基板の表面との距離がｔ＝０．５ｍｍとなっている。
【００３９】
この基板の導電部の表面は清浄化しておき、（４ｔ２＋Ｗ０２）／８ｔ＜Ｒ＜（２Ｗ０＋Ｗ２）／２の条件を満足するＲの半径を有するニッケル球を用意した。ここでＷ２は、めっきを要する導電部の幅のうち、もっとも狭い幅（図１０の導電部５０の上下方向の幅ｗ）としている。
【００４０】
清浄化した基板を、ナイロン製のメッシュケースに収納し、用意した半径Ｒのニッケル球を充填した。そしてメッシュケースごと、基板をめっき液内に浸漬し、予め実験的に、導電部の表面にめっき成長が開始するに十分な時間として定められた第１の時間だけ待機した。この第１の時間が経過した後、めっき液中でメッシュケースから基板を取り出し、ニッケル球を導電部から引き離した。さらにニッケル球はめっき液から取り出した。
【００４１】
そしてさらに３０分間、無電解めっきを行い、導電部の表面にＮｉ−Ｐめっき膜を形成した回路基板（実施例）を得た。
【００４２】
また比較のため、図１０に示した同じ導電部を有する基板を作成し、この基板の導電部の表面を清浄化した後、ナイロン製のメッシュケースに収納し、用意した半径Ｒのニッケル球を充填した。そしてメッシュケースごと、基板をめっき液内に浸漬し、５秒から１０秒の間にめっき液から引き上げ、メッシュケースから基板を取り出して各導電部においてめっき成長が始まっていることを目視で確認した。その後、当該基板を再びめっき液に浸漬し、３０分間無電解めっきを行い、導電部の表面にＮｉ−Ｐめっき膜を形成した回路基板（比較例）を得た。
【００４３】
これら実施例と比較例とのそれぞれの導電部表面に存在する各分子の存在比を、堀場製作所製のＧＤ−Ｐｒｏｆｉｌｅｒ２を用い、グロー放電発光分析法（GD-OES: Glow Discharge Optical Emission Spectroscopy）により測定した。実験の条件としては、アルゴン（Ａｒ）ガス圧力が５００Ｐａ、ＲＦ出力を３５Ｗ、アノード径が４ｍｍ、１．７μｍ毎秒の速度でノーマルスパッタを行った。また蛍光Ｘ線分析により、導電部表面に存在するリン（Ｐ）成分の濃度（％）を併せて測定した。
【００４４】
さらに、実施例と比較例とにおける導電部上でのはんだ濡れ性と、絶縁耐圧とを測定した。ここで絶縁耐圧は次のようにして得たデータである。すなわち８から１０ｋＶの間の互いに異なる電圧Ｖ１，Ｖ２…Ｖｎを、回路基板の表裏間に印加し、絶縁破壊が生じるまでの時間を測定した。この結果を図１１に示す。なお、この際に島状に存在する各導電部は互いに短絡させておいた。
【００４５】
図１１において縦軸（ｙ軸）は、絶縁破壊が生じた印加電圧（ｋＶ）、横軸（ｘ軸）は絶縁破壊が生じるまでの時間（時間）である。この測定の結果から比較例の回路基板について、
ｙ＝6.7ｘ-0.06
との相関関数を得た。また実施例の回路基板について、
ｙ＝8.8ｘ-0.03
との相関関数を得た。
【００４６】
これらの相関関数から、１５年経過時点での絶縁耐圧を外挿して予測した値を次の表１、２に示す。それぞれ表１が実施例に関する実験の結果であり、表２が比較例に関する実験の結果である。
【表１】
【表２】
【００４７】
表１に示す実施例１から実施例２４は、いずれもガイド枠を形成した集合基板を、ボール径Ｒが（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒの条件を満足したニッケル球を用い、まためっき液から引き出すことなく、ニッケル球を導電部から引き離した（引き出しなし）ものである。この表に示す通り、測定される硫黄（Ｓ）成分は、比較的低く、またリン（Ｐ）濃度も７乃至８．５％の間に安定している。はんだ濡れ性は９７％以上であり、１５年経過時点（約１３００００時間）での絶縁耐圧の予測値は６．０ｋＶ以上となっている。つまり、実施例に係る回路基板では、一定電圧６．６ｋＶを印加し続けたときの絶縁破壊時間ｈは、１３００００時間以上である。
【００４８】
一方、表２に示す比較例１、２は、ガイド枠を形成しなかったものである。また、比較例３，４は、めっき液から引き出した状態で、ニッケル球を導電部から引き離した（引き出し有り）ものである。その他の比較例５から１１は、ボール径（Ｒ）が、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒの条件を満足していない。なお、表２では、（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔを、最小ボール径として表示した。
【００４９】
この結果、表２に示す比較例では、比較例３，４を除いて１５年経過時点での絶縁耐圧の予測値が４．０ｋＶ未満となっている。また、比較例３，４では、１５年経過時点での絶縁耐圧の予測値は６．０ｋＶ以上となっているが、めっき表面の硫黄（Ｓ）成分やリン（Ｐ）濃度が比較的高く、はんだ濡れ性が７５％未満に低下している。
【００５０】
図１２は、比較例と実施例とのそれぞれに係る回路基板について、導電部表面の成分をグロー放電発光分析法により測定した例を表したものである。双方でニッケル（Ｎｉ）成分のピークは約３a.u.で変わらないが、硫黄（Ｓ）成分のピークは比較例で５．０a.u.、実施例で２．５a.u.と異なっている。
【符号の説明】
【００５１】
１０ 窒化珪素基板、２０，５０ 導電部 ３０ ニッケル球、４０ メッシュケース、６０ ガイド枠。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、
前記導電部の表面はＮｉＳＯ４を含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるＳ成分のピークが、Ｎｉ成分のピークよりも小さいことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
窒化珪素基板上に島状に凸となった導電部を形成する工程と、
少なくともその表面がＮｉである球状体を前記導電部に接触させた状態で、めっき液に浸漬する工程と、
めっき液に浸漬させた状態で、前記球状体を導電部から引き離す工程と、
を含み、
前記球状体の半径Ｒを、前記導電部間の最大距離Ｗ１と、導電部表面の窒化珪素基板表面からの距離ｔとに基づき、
（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒ
で定められる半径としたことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の製造方法であって、
球状体を前記導電部に接触させた状態で前記めっき液に浸漬する工程の持続時間を、めっき成長が開始するまでの時間として予め定めた時間とすることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項４】
島状に凸となった導電部を含む複数の回路パターンを、窒化珪素基板上に繰り返し形成する工程と、
少なくともその表面がＮｉである球状体を前記導電部の各々に接触させた状態で、めっき液に浸漬する工程と、
めっき液に浸漬させた状態で、前記球状体を前記導電部から引き離す工程と、
を含み、
前記球状体の半径Ｒを、前記導電部間の最大距離Ｗ１と、導電部表面の窒化珪素基板表面からの距離ｔとに基づき、
（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒ
で定められる半径としたことを特徴とする集合回路基板の製造方法。
【請求項５】
一定電圧６．６ｋＶを印加し続けたときの絶縁破壊時間ｈが、１３００００時間以上であることを特徴とする回路基板。
【請求項１】
窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、
前記導電部の表面はＮｉＳＯ４を含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるＳ成分のピークが、Ｎｉ成分のピークよりも小さいことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
窒化珪素基板上に島状に凸となった導電部を形成する工程と、
少なくともその表面がＮｉである球状体を前記導電部に接触させた状態で、めっき液に浸漬する工程と、
めっき液に浸漬させた状態で、前記球状体を導電部から引き離す工程と、
を含み、
前記球状体の半径Ｒを、前記導電部間の最大距離Ｗ１と、導電部表面の窒化珪素基板表面からの距離ｔとに基づき、
（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒ
で定められる半径としたことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の製造方法であって、
球状体を前記導電部に接触させた状態で前記めっき液に浸漬する工程の持続時間を、めっき成長が開始するまでの時間として予め定めた時間とすることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項４】
島状に凸となった導電部を含む複数の回路パターンを、窒化珪素基板上に繰り返し形成する工程と、
少なくともその表面がＮｉである球状体を前記導電部の各々に接触させた状態で、めっき液に浸漬する工程と、
めっき液に浸漬させた状態で、前記球状体を前記導電部から引き離す工程と、
を含み、
前記球状体の半径Ｒを、前記導電部間の最大距離Ｗ１と、導電部表面の窒化珪素基板表面からの距離ｔとに基づき、
（４ｔ２＋Ｗ１２）／８ｔ＜Ｒ
で定められる半径としたことを特徴とする集合回路基板の製造方法。
【請求項５】
一定電圧６．６ｋＶを印加し続けたときの絶縁破壊時間ｈが、１３００００時間以上であることを特徴とする回路基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１０−２３８９４９（Ｐ２０１０−２３８９４９Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−８５８７２（Ｐ２００９−８５８７２）
【出願日】平成２１年３月３１日（２００９．３．３１）
【出願人】（０００００５０８３）日立金属株式会社 (2,051)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月３１日（２００９．３．３１）
【出願人】（０００００５０８３）日立金属株式会社 (2,051)
【Ｆターム（参考）】
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