多層基板の間の相互接続構造の製造方法及びその相互接続構造
【課題】多層基板の間の相互接続構造の製造方法及びその相互接続構造を提供する。
【解決手段】多層基板の間の相互接続構造の製造方法は、各多層基板の少なくとも一つの誘電層の端縁とそれに対応する金属層の端縁を、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる工程と、一つの多層基板の少なくとも一つの誘電層の分離端縁を他方の一つの多層基板の金属層の分離端縁と接着させ、多層基板の間の相互接続構造を完成させる工程とを含む。相互接続構造は、第１の多層基板（３００）と第２の多層基板（４００）を含む。第１の多層基板の少なくとも一つの第１の金属層（１２、１５、１８）と第２の多層基板の少なくとも一つの第２の金属層（２２、２５、２７）は、互いに接着されて接続部を形成する。
【解決手段】多層基板の間の相互接続構造の製造方法は、各多層基板の少なくとも一つの誘電層の端縁とそれに対応する金属層の端縁を、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる工程と、一つの多層基板の少なくとも一つの誘電層の分離端縁を他方の一つの多層基板の金属層の分離端縁と接着させ、多層基板の間の相互接続構造を完成させる工程とを含む。相互接続構造は、第１の多層基板（３００）と第２の多層基板（４００）を含む。第１の多層基板の少なくとも一つの第１の金属層（１２、１５、１８）と第２の多層基板の少なくとも一つの第２の金属層（２２、２５、２７）は、互いに接着されて接続部を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板の間の相互接続構造の製造方法及びその相互接続構造に関し、特にフレキシブル封止に応用されるとともに、各種形式のチップ素子に適用される多層の任意の種類の基板の間の相互接続構造の製造方法及びその相互接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のいずれかの電子製品は小型化の方向へ向かって発展している。半導体製造工程のサイズの小型化に伴い、後段プロセスの封止技術も小型化の方向へ向かって発展する必要がある。そのため、現在、Ｉ.Ｃ. 集積回路の集積度は大幅に高められていて、多層基板を使用して異なる種類の素子を封止することで、各種機能を高効率のシステムに統合する必要がある。例えば、基本構成を有する統合システムは異なるチップ素子（例えば論理素子、メモリ素子、アナログ素子、光電素子、マイクロ電気機械素子または発光素子）を備えることが可能であり、この異なる種類のチップ素子の間の相互接続は、一つの封止基板を共用して実行する。もしチップ素子と他方のチップ素子と直接に相互接続する場合、封止密度を高めてシステムを小型化させることができる。現在、チップとチップとの間の封止に関する積層チップスケールパッケージ（Stacked Chip Scale Package：ＳＣＳＰ)がすでに発展されているが、いわゆる３Ｄパッケージ（3D package)である。しかし、この封止技術は、剛性的なシステムにだけ制限される。
【０００３】
なお、電子製品の多様性及び変動に合致するため、封止基板はフレキシブル多層基板（例えばノートブック型コンピュータのマザーボードとスクリーンの間の制御接続配線）であることが可能であり、或いは、封止基板は非平面または非規格面の形態でもよい。現在の技術に応じて、二つの多層基板の間の相互接続は、基板以外の接続線または基板の外部の封止などといった方式により実行することが必要である。そのため、弾性をさらに有するフレキシブル回路基板（フレキシブル多層基板）、多チップ積層または一般の平面封止基板でないフレキシブル封止に適合するため、現在の多層基板封止技術を改良して効果的に封止の密度及び統合システムの各種チップ素子の間の接続密度を高め、いわゆるシステムインパッケージにさらに応用されることは、現在の封止技術の非常に重要な課題と挑戦である。
【０００４】
従って、もし任意の種類のチップの多層基板を封止するために用いられ、基板と基板の間の相互接続密度を高めるとともに、フレキシブル多層基板の接続封止とする多層基板の間の相互接続構造及びその製造方法を発展することができる場合、封止の密度を高めるとともに、システムを小型化させることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの目的は、任意の種類のチップ素子を、一つの封止基板を共用する必要がなく、直接に相互接続して封止の密度を上げるとともに、システムを小型化することができる多層基板の間の相互接続構造の製造方法及びその相互接続構造を提供することを課題とする。
【０００６】
本発明のまた一つの目的は、封止の密度を上げてシステムを小型化することができるとともに、変形できる特性またはフレキシブル特性をさらに提供し、フレキシブル封止のシステムに応用されることができる多層基板の間の相互接続構造の製造方法及びその相互接続構造を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の多層基板の間の相互接続構造の製造方法は、以下の工程を含む。
【０００８】
工程（１）において、各多層基板の少なくとも一つの誘電層の端縁とそれに対応する金属層の端縁を、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる。
【０００９】
工程（２）において、一つの多層基板の少なくとも一つの誘電層の分離端縁を他方の一つの多層基板の金属層の分離端縁と接着させ、多層基板の間の相互接続構造を完成させる。
【００１０】
また、本発明によれば、分離工程（１）前に、前記一つの多層基板を形成するために用いられるキャリアを提供する工程（ａ）をさらに含む。前記多層基板を形成する工程は、以下の工程を含む。
【００１１】
工程（ｂ）において、キャリア上に誘電層を塗布する。
【００１２】
工程（ｃ）において、誘電層上に金属層及び必要とされるビア（ＶＩＡ）ホールを形成した後、誘電層をさらに塗布する。
【００１３】
工程（ｄ）において、工程（ｃ）を繰り返して多層基板を形成する。
【００１４】
工程（ｅ）において、分離端縁に沿ってキャリア及び前記多層基板を分割するとともに、多層基板をキャリアから分離する。
【００１５】
本発明の製造方法の工程（ｂ）において、キャリアの端縁に界面接着強化処理を行うことで、誘電層の端縁とキャリアとの間の接着強度を上げる工程をさらに含み、或いは、キャリア上の表面に界面接着強化処理を行うことで、誘電層とキャリアとの間の接着強度を上げるとともに、誘電層上の表面に他方の誘電層をさらに塗布する。もし前述の誘電層上の表面に他方の誘電層をさらに塗布する場合、工程（ｅ）において、前記誘電層と前記他方の誘電層の間で前記多層基板を前記キャリアから分離する。
【００１６】
本発明の製造方法は、接着工程（２）の前にまたは後に、多層基板の第１の外層面と第２の外層面に接続封止を実行する工程をさらに含む。前記接続封止は、複数のチップ素子及び第３の基板と接続される。
【００１７】
本発明の多層基板の間の相互接続構造は、第１の多層基板と第２の多層基板を含む。第１の多層基板は、互いに重なり合った複数の第１の金属層と複数の第１の誘電層を有し、少なくとも一つの第１の金属層の端縁は、それに対応する第１の誘電層の端縁と互いに接続され、それと隣接する他の第１の金属層の端縁とそれに対応する他の第１の誘電層の端縁から分離される。第２の多層基板は、互いに重なり合った複数の第２の金属層と複数の第２の誘電層を有し、少なくとも一つの第２の金属層の端縁は、それに対応する第２の誘電層の端縁と互いに接続され、それと隣接する他の第２の金属層の端縁とそれに対応する他の第２の誘電層の端縁から分離される。前記第１の多層基板の少なくとも一つの第１の金属層と前記第２の多層基板の少なくとも一つの第２の金属層は、互いに接着されて接続部を形成して、多層基板の間の相互接続構造を完成させる。
【００１８】
本発明の相互接続構造は、第１の多層基板の第１の外層面と接続して封止されるために用いられる第１のチップ素子と、第２の多層基板の第１の外層面と接続して封止されるために用いられる第２のチップ素子をさらに含む。第１のチップ素子及び第２のチップ素子は、論理素子、メモリ素子、アナログ素子、光電素子、マイクロ電気機械素子及び発光素子から一つを任意に選択する。
【００１９】
本発明の多層基板の間の相互接続構造は、第１の多層基板と第２の多層基板と接続して封止されるために用いられる第３の基板をさらに含む。
【発明の効果】
【００２０】
現在の技術に比べ、本発明により提供された多層基板の間の相互接続構造及びその製造方法は、任意の種類のチップ素子を直接に相互接続させることができ、封止の密度を上げるとともに、システムを小型化することができる。なお、本発明の多層基板の間の相互接続構造は、変形できる特性またはフレキシブル特性をさらに提供し、これにより、フレキシブル封止のシステムに応用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】〜
【図１Ｉ】本発明の第１の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図２Ａ】〜
【図２Ｉ】本発明の第２の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図３Ａ】〜
【図３Ｈ】本発明の第３の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図４Ａ】〜
【図４Ｉ】本発明の第４の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図５Ａ】〜
【図５Ｉ】本発明の第５の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図６Ａ】〜
【図６Ｈ】本発明の第６の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図７Ａ】〜
【図７Ｉ】本発明の第７の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図８】本発明の第１、第２、第４及び第５の実施形態による多層基板の間の相互接続構造を示す断面図である。
【図９】本発明の第３及び第６の実施形態による多層基板の間の相互接続構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２３】
図１Ａ乃至図１Ｈは、本発明の第１の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｇ）に対応する構造を示す図である。
【００２４】
本発明の第１の実施形態による複数の多層基板の間の相互接続構造の製造方法は、以下の工程を含む。
【００２５】
図１Ａは工程（ａ）を示し、多層基板（例えば第１の多層基板３００）を形成するために用いられるキャリア１０２を提供する。
【００２６】
図１Ｂは工程（ｂ）を示し、キャリアに領域１１９に沿って界面接着強化処理を行うことで、キャリア１０２に対応する第１の誘電層１９の端縁１１９とキャリア１０２との間の接着強度を上げる。
【００２７】
図１Ｃは工程（ｃ）を示し、第１の誘電層１９上に第１の金属層１８及び必要とされる複数のビアホール９（via hole、図１Ｄに示される）を形成した後、他方の第１の誘電層１６を塗布する。
【００２８】
図１Ｄは工程（ｄ）を示し、工程（ｃ）を繰り返し、第１の多層基板３００を形成する。しかし、本実施形態では、領域１７、１７‐１は接着強化処理を行わない。
【００２９】
図１Ｅは工程（ｅ）を示し、分離端縁に沿って（つまり図１Ｄの垂直分割線ｄ１、ｄ２）、領域１１９及びそれに対応する多層基板の端縁１２０を分割することで、第１の多層基板３００をキャリア１０２から分離する。
【００３０】
図１Ｆは工程（ｅ’）を示し、キャリアと隣接する第１の誘電層１９を除去し、第１の誘電層１９に対応する第１の金属層１８を露出させる。
【００３１】
図１Ｇは工程（ｆ）を示し、第１の多層基板３００の誘電層の端縁とそれに対応する金属層の端縁のそれぞれを、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる（１０と１２、１３と１５、１６と１８）ことで、他の多層基板に相互接続される接続部１２０を形成する。
【００３２】
図１Ｈは工程（ｇ）を示し、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８の分離端縁は、第２の多層基板４００の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着される。且つ第１の多層基板３００の上下に対応して第２の多層基板４００を逆さにして、これによって、この製造工程において、元々誘電層２０、２３及び２６に対応してその下方に位置する金属層２２、２５及び２７は、誘電層２０、２３及び２６の上方に位置する。第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８と第２の多層基板４００の金属層２２、２５及び２７の間の接着方式は、スズの溶融接着、共晶接合（Eutectic bonding）、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film bonding）接着、金‐金接着（Gold-Gold bonding）または金‐銅接着（Gold-Cooper bonding）等の方式であることができ、多層基板の間の相互接続構造を完成させる。
【００３３】
図１Ｉは工程（ｈ）を示し、第１のチップ素子１００、第２のチップ素子２００及び第３の基板を使用して、この多層基板の第１の外層面と第２の外層面（つまり上下層面）を接続して封止する。接続封止の方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。
【００３４】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００３５】
図２Ｄは、本発明の第２の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の第１の実施形態と異なる工程（ｃ）と工程（ｄ）に対応する構造を示す図である。工程（ｃ）と工程（ｄ）以外に、第２の実施形態において図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｅ乃至図２Ｉが示す他の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００３６】
図２Ｃは工程（ｃ）を示し、第１の誘電層１６を塗布する前に、第２の実施形態では、領域１７に接着強化の処理を行うことで、第１の誘電層１６と工程（ｂ）において塗布された第１の誘電層１９との間の接着強度を上げ、更に後続の図２Ｄに示される工程（ｄ）において固着の状態を維持することができ、誘電層間の分離または変形に至る密接がない可能性を下げ、これによって、工程歩留まりを高める。
【００３７】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００３８】
図３Ｃ乃至図３Ｇは、本発明の第３の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の第１の実施形態と異なる工程（ｃ）乃至工程（ｇ）に対応する構造を示す図である。工程（ｃ）乃至工程（ｇ）以外に、第３の実施形態において図３Ａと図３Ｂが示す残りの工程は、第２の実施形態と同様である。
【００３９】
図３Ｃは工程（ｃ）を示し、第１の誘電層１６を塗布する前に、第３の実施形態では、領域１７、１７‐１に接着強化処理を行うことで、この領域の接着強度を上げ、更に後続の図３Ｄに示される工程（ｄ）において固着の状態を維持することができ、誘電層間の分離または変形に至る密接がない可能性を下げ、これによって、工程歩留まりを高める。
【００４０】
図３Ｅに示される工程（ｅ）を実行した後、工程（ｅ’）を省略し、図３Ｆに示される工程（ｆ）を直接に実行してキャリアと隣接する第１の誘電層１９を除去しない。
【００４１】
図３Ｆは工程（ｆ）を示し、第１の多層基板３００の誘電層の端縁とそれに対応する前記金属層の端縁のそれぞれを、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる（１０と１２、１３と１５、１６と１８）ことで、他の多層基板に相互接続される接続部１２０を形成するとともに、第１の誘電層１９の端縁１９‐１を除去し、第１の誘電層１９に対応する第１の金属層１８の端縁が露出され、図３Ｇに示される工程（ｇ）において、他方の多層基板（例えば第２の多層基板４００）の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着されるために用いられる。
【００４２】
図３Ｇは工程（ｇ）を示し、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８の分離端縁は、第２の多層基板４００の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着される。且つ第１の多層基板３００の上下に対応して第２の多層基板４００を逆さにして、これによって、この製造工程において、元々誘電層２０、２３及び２６に対応してその下方に位置する金属層２２、２５及び２７は、誘電層２０、２３及び２６の上方に位置する。第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８と第２の多層基板４００の金属層２２、２５及び２７の間の接着方式は、スズの溶融接着、共晶接合（Eutectic bonding）、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film bonding）接着、金‐金接着（Gold-Gold bonding）または金‐銅接着（Gold-Cooper bonding）等の方式であることができる。
【００４３】
図３Ｈは工程（ｈ）を示し、第１のチップ素子１００、第２のチップ素子２００及び第３の基板を使用して、この多層基板の第１の外層面と第２の外層面（つまり上下層面）を接続して封止する。接続封止の方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。
【００４４】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００４５】
図４Ａ乃至図４Ｈは、本発明の第４の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｇ）に対応する構造を示す図である。
【００４６】
本発明の第４の実施形態による複数の多層基板の間の相互接続構造の製造方法は、以下の工程を含む。
【００４７】
図４Ａは工程（ａ）を示し、多層基板（例えば第１の多層基板３００）を形成するために用いられるキャリア１０２を提供する。
【００４８】
図４Ｂは工程（ｂ）を示し、キャリア上に界面接着強化処理を行うことで、誘電層１０４とキャリア１０２の間の接着強度を上げるとともに、この誘電層１０４を硬化した後、誘電層１０４上に他方の誘電層１９を塗布する。
【００４９】
図４Ｃは工程（ｃ）を示し、誘電層１９上に第１の金属層１８及び必要とされる複数のビアホール９（図４Ｄに示される）を形成した後、他方の第１の誘電層１６を塗布する。
【００５０】
図４Ｄは工程（ｄ）を示し、工程（ｃ）を繰り返し、第１の多層基板３００を形成する。しかし、本実施形態では、領域１７、１７‐１は接着強化処理を行わない。
【００５１】
図４Ｅは工程（ｅ）を示し、分離端縁に沿って（つまり図４Ｄの垂直分割線ｄ１、ｄ２）、領域１１９（図４Ｃに示される）及びそれに対応する多層基板の端縁１２０を分割することで、第１の誘電層１９と第１の誘電層１０４の間から、第１の多層基板３００とキャリア１０２（図４Ｂに示される）を分離する。
【００５２】
図４Ｆは工程（ｅ’）を示し、第１の誘電層１９を除去し、第１の誘電層１９に対応する第１の金属層１８を露出させる。
【００５３】
図４Ｇは工程（ｆ）を示し、第１の多層基板の誘電層の端縁とそれに対応する前記金属層の端縁のそれぞれを、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる（１０と１２、１３と１５、１６と１８）ことで、他の多層基板に相互接続される接続部１２０を形成する。
【００５４】
図４Ｈは工程（ｇ）を示し、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８の分離端縁は、第２の多層基板４００の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着される。且つ第１の多層基板３００の上下に対応して第２の多層基板４００を逆さにして、これによって、この製造工程において、元々誘電層２０、２３及び２６に対応してその下方に位置する金属層２２、２５及び２７は、誘電層２０、２３及び２６の上方に位置する。第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８と第２の多層基板４００の金属層２２、２５及び２７の間の接着方式は、スズの溶融接着、共晶接合（Eutectic bonding）、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film bonding）接着、金‐金接着（Gold-Gold bonding）または金‐銅接着（Gold-Cooper bonding）等の方式であることができ、多層基板の間の相互接続構造を完成させる。
【００５５】
図４Ｉは工程（ｈ）を示し、第１のチップ素子１００、第２のチップ素子２００及び第３の基板を使用して、この多層基板の第１の外層面と第２の外層面（つまり上下層面）を接続して封止する。この接続封止の方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。
【００５６】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００５７】
図５Ｄは、本発明の第５の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の第４の実施形態と異なる工程（ｃ）と工程（ｄ）に対応する構造を示す図である。工程（ｃ）と工程（ｄ）以外に、第４の実施形態において図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｅ乃至図５Ｉが示す他の工程は、第４の実施形態と同様である。
【００５８】
図５Ｃは工程（ｃ）を示し、第１の誘電層１６を塗布する前に、第５の実施形態では、領域１７（図５Ｄに示す）に接着強化処理を行うことで、第１の誘電層１６と工程（ｂ）において塗布された第１の誘電層１９との間の接着強度を上げ、更に後続の図５Ｄに示される工程（ｄ）において固着の状態を維持することができ、誘電層間の分離または変形に至る密接がない可能性を下げ、これによって、工程歩留まりを高める。
【００５９】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００６０】
図６Ｃ乃至図６Ｇは、本発明の第６の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ｃ）乃至工程（ｇ）に対応する構造を示す図である。
【００６１】
図６Ｃは工程（ｃ）を示し、誘電層１６を塗布する前に、第６の実施形態では、領域１７、１７‐１（図６Ｄに示す）に接着強化処理を行うことで、この領域の接着強度を上げ、更に後続の図６Ｄに示される工程（ｄ）において固着の状態を維持することができ、誘電層間の分離または変形に至る密接がない可能性を下げ、これによって、工程歩留まりを高める。
【００６２】
図６Ｅに示される工程（ｅ）を実行した後、工程（ｅ’）を省略し、図３Ｆに示される工程（ｆ）を直接に実行してキャリアと隣接する第１の誘電層１９を除去しない。
【００６３】
図６Ｆは工程（ｆ）を示し、第１の多層基板３００の誘電層の端縁とそれに対応する前記金属層の端縁のそれぞれを、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる（１０と１２、１３と１５、１６と１８）ことで、他の多層基板に相互接続される接続部１２０を形成するとともに、第１の誘電層１９の端縁１９‐１を除去し、第１の誘電層１９に対応する第１の金属層１８の端縁が露出され、図６Ｇに示される工程（ｇ）において、他方の多層基板（例えば第２の多層基板４００）の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着されるために用いられる。
【００６４】
図６Ｇは工程（ｇ）を示し、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８の分離端縁は、第２の多層基板４００の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着される。且つ第１の多層基板３００の上下に対応して第２の多層基板４００を逆さにして、これによって、この製造工程において、元々誘電層２０、２３及び２６に対応してその下方に位置する金属層２２、２５及び２７は、誘電層２０、２３及び２６の上方に位置する。第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８と第２の多層基板４００の金属層２２、２５及び２７の間の接着方式は、スズの溶融接着、共晶接合（Eutectic bonding）、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film bonding）接着、金‐金接着（Gold-Gold bonding）または金‐銅接着（Gold-Cooper bonding）等の方式であることができる。
【００６５】
図６Ｈは工程（ｈ）を示し、第１のチップ素子１００、第２のチップ素子２００及び第３の基板を使用して、この多層基板の第１の外層面と第２の外層面（つまり上下層面）を接続して封止する。接続封止の方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。
【００６６】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００６７】
図７Ｄ乃至図７Ｉは、本発明の第７の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ｄ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。工程（ｄ）乃至工程（ｈ）以外に、第７の実施形態において図７Ａ乃至図７Ｃが示す他の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００６８】
図７Ｄは工程（ｄ）を示し、工程（ｃ）を繰り返し、第１の多層基板３００を形成するとともに、図７Ｄに示すように、同時に第１の多層基板３００に隣接する第３の多層基板５００を形成する。
【００６９】
図７Ｅは工程（ｅ）を示し、多層基板の分離端縁に沿って（つまり図７Ｄの垂直分割線ｄ１、ｄ３）キャリア及びそれに対応する多層基板を完全に分割し、ｄ２に沿って、チップから最上の第１の金属層１２及び第１の誘電層１０まで分割するとともに、第１の多層基板３００と第３の多層基板５００をキャリア１０２から分離する。
【００７０】
図７Ｆは工程（ｅ’）を示し、キャリアと隣接する第１の多層基板３００と第３の多層基板５００の第１の誘電層１９を除去し、第１の誘電層１９に対応する第１の金属層１８を露出させる。
【００７１】
図７Ｇは工程（ｆ）を示し、第１の多層基板３００の誘電層の端縁とそれに対応する前記金属層の端縁のそれぞれを、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる（１０と１２、１３と１５、１６と１８）ことで、他の多層基板に相互接続される接続部１２０を形成する。しかし、第３の多層基板５００と第１の多層基板３００の間の第１の金属層１２と第１の誘電層１０との接続を維持し、第３の多層基板５００の誘電層及びそれに対応する金属層の端縁が分離されない。
【００７２】
図７Ｈは工程（ｇ）を示し、第１の実施形態と類似しており、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８の分離端縁は、第２の多層基板４００の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着される。
【００７３】
図７Ｉは工程（ｈ）を示し、第１のチップ素子１００、第２のチップ素子２００及び第３の基板を使用して、この多層基板により形成された多層基板の間の多重相互接続構造の上下層面を接続して封止する。接続封止の方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。第１の実施形態と異なり、第２のチップ素子は第３の多層基板５００と接続して封止される。そのため、本発明の多層基板の間の多重相互接続は、相互接続構造におけるフレキシビリティーをさらに提供することができる。
【００７４】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００７５】
図８は、本発明の第１、第２、第４及び第５の実施形態による多層基板の間の相互接続構造を示す断面図である。本発明の多層基板の間の相互接続構造は、第１の多層基板３００と第２の多層基板４００を含む。第１の多層基板３００の第１の外層面は、第１のチップ素子１００と接続して封止される。第２の多層基板４００の第１の外層面は、第２のチップ素子２００と接続して封止される。第１のチップ素子１００と第２のチップ素子２００は、論理素子、メモリ素子、アナログ素子、光電素子、マイクロ電気機械素子または発光素子などといった任意のチップ素子であることができる。
【００７６】
この多層基板の間の相互接続構造は、第３の多層基板（図示せず）をさらに含む。図８に示すように、第３の多層基板は、半田ボール４１０によって第１の多層基板３００と接続して封止され、半田ボール４２０によって第２の多層基板４００と接続して封止され、或いは第１のチップ素子または第２のチップ素子と接続して封止される。前述の第３の多層基板の封止方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。
【００７７】
なお、第１の多層基板３００、第２の多層基板４００及び第３の多層基板は、内部接続線を有するフレキシブル多層基板であることができる。本発明の多層基板の間の相互接続構造により、変形できる特性またはフレキシブル特性を提供することができ、これにより、フレキシブル多層基板の封止接続とすることができる。
【００７８】
前述の第１の多層基板３００は、複数の第１の誘電層１０、１３及び１６と第１の金属層１２、１５及び１８を含む。且つ、前述の第２の多層基板４００は、複数の第２の誘電層２０、２３及び２６と第２の金属層２２、２５及び２７を含む。そのため、第１のチップ素子１００は、実質上半田ボール１１０により第１の多層基板３００の第１の誘電層１０のビアホール９（via hole）に接続され、第２のチップ素子２００は、実質上半田ボール２１０により第２の多層基板４００の第２の誘電層２６のビアホール（via hole）または２の金属層２７に接続される。
【００７９】
第１の多層基板３００の第１の金属層１２及びそれに対応する第１の誘電層１０の端縁、第１の金属層１５及びそれに対応する第１の誘電層１３の端縁、及び第１の金属層１８及びそれに対応する第１の誘電層１６の端縁のそれぞれは、それに隣接する第１の金属層及びそれに対応する第１の誘電層から分離させる。相対的に、第２の多層基板４００の第２の金属層２２及びそれに対応する第２の誘電層２０の端縁、第２の金属層２５及びそれに対応する第２の誘電層２３の端縁、及び第２の金属層２７及びそれに対応する第２の誘電層２６の端縁のそれぞれは、それに隣接する第２の金属層及びそれに対応する第２の誘電層から分離させる。
【００８０】
第１の多層基板３００と第２の多層基板４００を相互接続する場合、第２の多層基板４００を逆さにされ、第２の多層基板４００の第２の金属層２２、２５及び２７の分離端縁のそれぞれは、第１の多層基板３００の第１の金属層１２、１５及び１８の各分離端縁と互いに接着され、図７に示すように、相互接続構造の接続部１２０を形成する。その接着方式は、接着剤１、２、３、スズの溶融接着、共晶接合（Eutectic bonding）、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film bonding）接着、金‐金接着（Gold-Gold bonding）または金‐銅接着（Gold-Cooper bonding）等の方式であることができる。互いに接着された方式により、第２の金属層２２、２５及び２７は、第１の金属層１２、１５及び１８と一体に相互接続されることができる。この多層基板の間の相互接続構造により、直接に第１のチップ１００と第２のチップ２００と互いに接続することができる。
【００８１】
多層基板の誘電層及びそれに対応する金属層を分離しなくて直接に封止する構造である現在の技術に比べ、第１の多層基板３００と第２の多層基板４００の間に基板の分離端縁を利用して相互接続を実行するため、封止の密度を上げるとともに、システムを小型化することができ、且つ変形できる特性またはフレキシブル特性をさらに提供し、これにより、フレキシブル封止のシステムに応用されることができる。
【００８２】
また、図８において、界面接着強化処理は、誘電層の間に行われて、その処理領域１１、１４、２１及び２４は太線で示す。ここで特に注意しなければならないのは、基板の分離端縁以外の他の各領域に（接続部１２０以外の誘電層の間に）界面接着強化処理を行って誘電層の間の接着強度を上げるため、この界面接着強化処理を行わない端縁に（接続部１２０内に）任意の誘電層の端縁及びそれに対応する金属層の端縁を容易に分離させることができる。
【００８３】
前述の多層基板の端縁の分離方式は、両面テープ（ＵＶテープ）を利用して第１の多層基板３００または第２の多層基板４００の第１の外層面と第２の外層面へ貼り付け、次にテープを剥がすことで、界面接着強化処理を行わない端縁を分離させる。テープを貼り付けたり剥がしたりを繰り返すことで、接着強化処理を行わない多層の端縁を分離させることができるが、金属層１２、１５、１８、２２、２５及び２７のそれぞれは、誘電層１０、１３、１６、２０、２３及び２６と互いに接続される。誘電層／誘電層間に界面接着強化処理を選択的に行って、これにより、本発明の第１の多層基板３００または第２の多層基板４００の間の相互接続構造を完成することができる。例えば、本発明において、誘電層の材料はポリイミド（polyimide）であることで、酸素またはアルゴンプラズマ処理を利用して前述の界面接着強化処理を行うことができる。
【００８４】
図９は、本発明の第３及び第６の実施形態による多層基板の間の相互接続構造を示す断面図である。本発明の第１、第２、第４及び第５の実施形態において多層基板の間の相互接続構造と異なり、封止方式が同じでないため、前述の工程（ｃ）において他方の誘電層を塗布する前に、領域１７‐１に接着強化処理を行って、次に、第３の基板のボンディングパッド（pad）の方式を変化させることで、異なる接続の選択とする。本発明の実施形態において、例えば、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８のそれぞれは、第２の多層基板４００の第２の金属層２２、２５及び２７と一対一で接着されているが、これに限定されることなく、選択的な接着または１対多の基板接続を使用することもできる。
【００８５】
現在の技術に比べ、本発明による提供された多層基板の間の相互接続構造及びその製造方法は、任意の種類のチップ素子を、直接にチップを封止する多層基板の間の相互接続構造によって相互接続させることができ、第３の基板による必要がなく、封止の密度を上げるとともに、システムを小型化することができる。なお、本発明の多層基板の間の相互接続構造は、変形できる特性またはフレキシブル特性をさらに提供し、これにより、フレキシブル封止のシステムに応用されることができる。現在の技術に比べ、チップとチップの間の封止、または多層基板の間の接続封止を問わず、本発明は、更に高整合性及び高実装密度のシステムインパッケージ能力を持つ。
【００８６】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と範囲を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００８７】
１０、１３、１６、１９ 第１の誘電層、１００ 第１のチップ素子、１０２キャリア、１０４ 誘電層、１１、１４、２１、２４ 処理領域、１１０、４１０、４２０ 半田ボール、１１９、１７、１７‐１ 領域、１２、１５、１８ 第１の金属層、１２０ 接続部、１９‐１ 端縁、２０、２３、２６ 第２の誘電層、２００ 第２のチップ素子、２２、２５、２７ 第２の金属層、３００ 第１の多層基板、４００ 第２の多層基板、５００ 第３の多層基板、９ ビアホール
【図１Ａ−１Ｅ】
【図１Ｆ−１Ｉ】
【図２Ａ−２Ｅ】
【図２Ｆ−２Ｉ】
【図３Ａ−３Ｄ】
【図３Ｅ−３Ｈ】
【図４Ａ−４Ｅ】
【図４Ｆ−４Ｉ】
【図５Ａ−５Ｅ】
【図５Ｆ−５Ｉ】
【図６Ａ−６Ｄ】
【図６Ｅ−６Ｈ】
【図７Ａ−７Ｅ】
【図７Ｆ−７Ｉ】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板の間の相互接続構造の製造方法及びその相互接続構造に関し、特にフレキシブル封止に応用されるとともに、各種形式のチップ素子に適用される多層の任意の種類の基板の間の相互接続構造の製造方法及びその相互接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のいずれかの電子製品は小型化の方向へ向かって発展している。半導体製造工程のサイズの小型化に伴い、後段プロセスの封止技術も小型化の方向へ向かって発展する必要がある。そのため、現在、Ｉ.Ｃ. 集積回路の集積度は大幅に高められていて、多層基板を使用して異なる種類の素子を封止することで、各種機能を高効率のシステムに統合する必要がある。例えば、基本構成を有する統合システムは異なるチップ素子（例えば論理素子、メモリ素子、アナログ素子、光電素子、マイクロ電気機械素子または発光素子）を備えることが可能であり、この異なる種類のチップ素子の間の相互接続は、一つの封止基板を共用して実行する。もしチップ素子と他方のチップ素子と直接に相互接続する場合、封止密度を高めてシステムを小型化させることができる。現在、チップとチップとの間の封止に関する積層チップスケールパッケージ（Stacked Chip Scale Package：ＳＣＳＰ)がすでに発展されているが、いわゆる３Ｄパッケージ（3D package)である。しかし、この封止技術は、剛性的なシステムにだけ制限される。
【０００３】
なお、電子製品の多様性及び変動に合致するため、封止基板はフレキシブル多層基板（例えばノートブック型コンピュータのマザーボードとスクリーンの間の制御接続配線）であることが可能であり、或いは、封止基板は非平面または非規格面の形態でもよい。現在の技術に応じて、二つの多層基板の間の相互接続は、基板以外の接続線または基板の外部の封止などといった方式により実行することが必要である。そのため、弾性をさらに有するフレキシブル回路基板（フレキシブル多層基板）、多チップ積層または一般の平面封止基板でないフレキシブル封止に適合するため、現在の多層基板封止技術を改良して効果的に封止の密度及び統合システムの各種チップ素子の間の接続密度を高め、いわゆるシステムインパッケージにさらに応用されることは、現在の封止技術の非常に重要な課題と挑戦である。
【０００４】
従って、もし任意の種類のチップの多層基板を封止するために用いられ、基板と基板の間の相互接続密度を高めるとともに、フレキシブル多層基板の接続封止とする多層基板の間の相互接続構造及びその製造方法を発展することができる場合、封止の密度を高めるとともに、システムを小型化させることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの目的は、任意の種類のチップ素子を、一つの封止基板を共用する必要がなく、直接に相互接続して封止の密度を上げるとともに、システムを小型化することができる多層基板の間の相互接続構造の製造方法及びその相互接続構造を提供することを課題とする。
【０００６】
本発明のまた一つの目的は、封止の密度を上げてシステムを小型化することができるとともに、変形できる特性またはフレキシブル特性をさらに提供し、フレキシブル封止のシステムに応用されることができる多層基板の間の相互接続構造の製造方法及びその相互接続構造を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の多層基板の間の相互接続構造の製造方法は、以下の工程を含む。
【０００８】
工程（１）において、各多層基板の少なくとも一つの誘電層の端縁とそれに対応する金属層の端縁を、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる。
【０００９】
工程（２）において、一つの多層基板の少なくとも一つの誘電層の分離端縁を他方の一つの多層基板の金属層の分離端縁と接着させ、多層基板の間の相互接続構造を完成させる。
【００１０】
また、本発明によれば、分離工程（１）前に、前記一つの多層基板を形成するために用いられるキャリアを提供する工程（ａ）をさらに含む。前記多層基板を形成する工程は、以下の工程を含む。
【００１１】
工程（ｂ）において、キャリア上に誘電層を塗布する。
【００１２】
工程（ｃ）において、誘電層上に金属層及び必要とされるビア（ＶＩＡ）ホールを形成した後、誘電層をさらに塗布する。
【００１３】
工程（ｄ）において、工程（ｃ）を繰り返して多層基板を形成する。
【００１４】
工程（ｅ）において、分離端縁に沿ってキャリア及び前記多層基板を分割するとともに、多層基板をキャリアから分離する。
【００１５】
本発明の製造方法の工程（ｂ）において、キャリアの端縁に界面接着強化処理を行うことで、誘電層の端縁とキャリアとの間の接着強度を上げる工程をさらに含み、或いは、キャリア上の表面に界面接着強化処理を行うことで、誘電層とキャリアとの間の接着強度を上げるとともに、誘電層上の表面に他方の誘電層をさらに塗布する。もし前述の誘電層上の表面に他方の誘電層をさらに塗布する場合、工程（ｅ）において、前記誘電層と前記他方の誘電層の間で前記多層基板を前記キャリアから分離する。
【００１６】
本発明の製造方法は、接着工程（２）の前にまたは後に、多層基板の第１の外層面と第２の外層面に接続封止を実行する工程をさらに含む。前記接続封止は、複数のチップ素子及び第３の基板と接続される。
【００１７】
本発明の多層基板の間の相互接続構造は、第１の多層基板と第２の多層基板を含む。第１の多層基板は、互いに重なり合った複数の第１の金属層と複数の第１の誘電層を有し、少なくとも一つの第１の金属層の端縁は、それに対応する第１の誘電層の端縁と互いに接続され、それと隣接する他の第１の金属層の端縁とそれに対応する他の第１の誘電層の端縁から分離される。第２の多層基板は、互いに重なり合った複数の第２の金属層と複数の第２の誘電層を有し、少なくとも一つの第２の金属層の端縁は、それに対応する第２の誘電層の端縁と互いに接続され、それと隣接する他の第２の金属層の端縁とそれに対応する他の第２の誘電層の端縁から分離される。前記第１の多層基板の少なくとも一つの第１の金属層と前記第２の多層基板の少なくとも一つの第２の金属層は、互いに接着されて接続部を形成して、多層基板の間の相互接続構造を完成させる。
【００１８】
本発明の相互接続構造は、第１の多層基板の第１の外層面と接続して封止されるために用いられる第１のチップ素子と、第２の多層基板の第１の外層面と接続して封止されるために用いられる第２のチップ素子をさらに含む。第１のチップ素子及び第２のチップ素子は、論理素子、メモリ素子、アナログ素子、光電素子、マイクロ電気機械素子及び発光素子から一つを任意に選択する。
【００１９】
本発明の多層基板の間の相互接続構造は、第１の多層基板と第２の多層基板と接続して封止されるために用いられる第３の基板をさらに含む。
【発明の効果】
【００２０】
現在の技術に比べ、本発明により提供された多層基板の間の相互接続構造及びその製造方法は、任意の種類のチップ素子を直接に相互接続させることができ、封止の密度を上げるとともに、システムを小型化することができる。なお、本発明の多層基板の間の相互接続構造は、変形できる特性またはフレキシブル特性をさらに提供し、これにより、フレキシブル封止のシステムに応用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】〜
【図１Ｉ】本発明の第１の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図２Ａ】〜
【図２Ｉ】本発明の第２の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図３Ａ】〜
【図３Ｈ】本発明の第３の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図４Ａ】〜
【図４Ｉ】本発明の第４の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図５Ａ】〜
【図５Ｉ】本発明の第５の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図６Ａ】〜
【図６Ｈ】本発明の第６の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図７Ａ】〜
【図７Ｉ】本発明の第７の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。
【図８】本発明の第１、第２、第４及び第５の実施形態による多層基板の間の相互接続構造を示す断面図である。
【図９】本発明の第３及び第６の実施形態による多層基板の間の相互接続構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２３】
図１Ａ乃至図１Ｈは、本発明の第１の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｇ）に対応する構造を示す図である。
【００２４】
本発明の第１の実施形態による複数の多層基板の間の相互接続構造の製造方法は、以下の工程を含む。
【００２５】
図１Ａは工程（ａ）を示し、多層基板（例えば第１の多層基板３００）を形成するために用いられるキャリア１０２を提供する。
【００２６】
図１Ｂは工程（ｂ）を示し、キャリアに領域１１９に沿って界面接着強化処理を行うことで、キャリア１０２に対応する第１の誘電層１９の端縁１１９とキャリア１０２との間の接着強度を上げる。
【００２７】
図１Ｃは工程（ｃ）を示し、第１の誘電層１９上に第１の金属層１８及び必要とされる複数のビアホール９（via hole、図１Ｄに示される）を形成した後、他方の第１の誘電層１６を塗布する。
【００２８】
図１Ｄは工程（ｄ）を示し、工程（ｃ）を繰り返し、第１の多層基板３００を形成する。しかし、本実施形態では、領域１７、１７‐１は接着強化処理を行わない。
【００２９】
図１Ｅは工程（ｅ）を示し、分離端縁に沿って（つまり図１Ｄの垂直分割線ｄ１、ｄ２）、領域１１９及びそれに対応する多層基板の端縁１２０を分割することで、第１の多層基板３００をキャリア１０２から分離する。
【００３０】
図１Ｆは工程（ｅ’）を示し、キャリアと隣接する第１の誘電層１９を除去し、第１の誘電層１９に対応する第１の金属層１８を露出させる。
【００３１】
図１Ｇは工程（ｆ）を示し、第１の多層基板３００の誘電層の端縁とそれに対応する金属層の端縁のそれぞれを、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる（１０と１２、１３と１５、１６と１８）ことで、他の多層基板に相互接続される接続部１２０を形成する。
【００３２】
図１Ｈは工程（ｇ）を示し、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８の分離端縁は、第２の多層基板４００の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着される。且つ第１の多層基板３００の上下に対応して第２の多層基板４００を逆さにして、これによって、この製造工程において、元々誘電層２０、２３及び２６に対応してその下方に位置する金属層２２、２５及び２７は、誘電層２０、２３及び２６の上方に位置する。第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８と第２の多層基板４００の金属層２２、２５及び２７の間の接着方式は、スズの溶融接着、共晶接合（Eutectic bonding）、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film bonding）接着、金‐金接着（Gold-Gold bonding）または金‐銅接着（Gold-Cooper bonding）等の方式であることができ、多層基板の間の相互接続構造を完成させる。
【００３３】
図１Ｉは工程（ｈ）を示し、第１のチップ素子１００、第２のチップ素子２００及び第３の基板を使用して、この多層基板の第１の外層面と第２の外層面（つまり上下層面）を接続して封止する。接続封止の方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。
【００３４】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００３５】
図２Ｄは、本発明の第２の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の第１の実施形態と異なる工程（ｃ）と工程（ｄ）に対応する構造を示す図である。工程（ｃ）と工程（ｄ）以外に、第２の実施形態において図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｅ乃至図２Ｉが示す他の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００３６】
図２Ｃは工程（ｃ）を示し、第１の誘電層１６を塗布する前に、第２の実施形態では、領域１７に接着強化の処理を行うことで、第１の誘電層１６と工程（ｂ）において塗布された第１の誘電層１９との間の接着強度を上げ、更に後続の図２Ｄに示される工程（ｄ）において固着の状態を維持することができ、誘電層間の分離または変形に至る密接がない可能性を下げ、これによって、工程歩留まりを高める。
【００３７】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００３８】
図３Ｃ乃至図３Ｇは、本発明の第３の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の第１の実施形態と異なる工程（ｃ）乃至工程（ｇ）に対応する構造を示す図である。工程（ｃ）乃至工程（ｇ）以外に、第３の実施形態において図３Ａと図３Ｂが示す残りの工程は、第２の実施形態と同様である。
【００３９】
図３Ｃは工程（ｃ）を示し、第１の誘電層１６を塗布する前に、第３の実施形態では、領域１７、１７‐１に接着強化処理を行うことで、この領域の接着強度を上げ、更に後続の図３Ｄに示される工程（ｄ）において固着の状態を維持することができ、誘電層間の分離または変形に至る密接がない可能性を下げ、これによって、工程歩留まりを高める。
【００４０】
図３Ｅに示される工程（ｅ）を実行した後、工程（ｅ’）を省略し、図３Ｆに示される工程（ｆ）を直接に実行してキャリアと隣接する第１の誘電層１９を除去しない。
【００４１】
図３Ｆは工程（ｆ）を示し、第１の多層基板３００の誘電層の端縁とそれに対応する前記金属層の端縁のそれぞれを、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる（１０と１２、１３と１５、１６と１８）ことで、他の多層基板に相互接続される接続部１２０を形成するとともに、第１の誘電層１９の端縁１９‐１を除去し、第１の誘電層１９に対応する第１の金属層１８の端縁が露出され、図３Ｇに示される工程（ｇ）において、他方の多層基板（例えば第２の多層基板４００）の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着されるために用いられる。
【００４２】
図３Ｇは工程（ｇ）を示し、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８の分離端縁は、第２の多層基板４００の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着される。且つ第１の多層基板３００の上下に対応して第２の多層基板４００を逆さにして、これによって、この製造工程において、元々誘電層２０、２３及び２６に対応してその下方に位置する金属層２２、２５及び２７は、誘電層２０、２３及び２６の上方に位置する。第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８と第２の多層基板４００の金属層２２、２５及び２７の間の接着方式は、スズの溶融接着、共晶接合（Eutectic bonding）、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film bonding）接着、金‐金接着（Gold-Gold bonding）または金‐銅接着（Gold-Cooper bonding）等の方式であることができる。
【００４３】
図３Ｈは工程（ｈ）を示し、第１のチップ素子１００、第２のチップ素子２００及び第３の基板を使用して、この多層基板の第１の外層面と第２の外層面（つまり上下層面）を接続して封止する。接続封止の方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。
【００４４】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００４５】
図４Ａ乃至図４Ｈは、本発明の第４の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ａ）乃至工程（ｇ）に対応する構造を示す図である。
【００４６】
本発明の第４の実施形態による複数の多層基板の間の相互接続構造の製造方法は、以下の工程を含む。
【００４７】
図４Ａは工程（ａ）を示し、多層基板（例えば第１の多層基板３００）を形成するために用いられるキャリア１０２を提供する。
【００４８】
図４Ｂは工程（ｂ）を示し、キャリア上に界面接着強化処理を行うことで、誘電層１０４とキャリア１０２の間の接着強度を上げるとともに、この誘電層１０４を硬化した後、誘電層１０４上に他方の誘電層１９を塗布する。
【００４９】
図４Ｃは工程（ｃ）を示し、誘電層１９上に第１の金属層１８及び必要とされる複数のビアホール９（図４Ｄに示される）を形成した後、他方の第１の誘電層１６を塗布する。
【００５０】
図４Ｄは工程（ｄ）を示し、工程（ｃ）を繰り返し、第１の多層基板３００を形成する。しかし、本実施形態では、領域１７、１７‐１は接着強化処理を行わない。
【００５１】
図４Ｅは工程（ｅ）を示し、分離端縁に沿って（つまり図４Ｄの垂直分割線ｄ１、ｄ２）、領域１１９（図４Ｃに示される）及びそれに対応する多層基板の端縁１２０を分割することで、第１の誘電層１９と第１の誘電層１０４の間から、第１の多層基板３００とキャリア１０２（図４Ｂに示される）を分離する。
【００５２】
図４Ｆは工程（ｅ’）を示し、第１の誘電層１９を除去し、第１の誘電層１９に対応する第１の金属層１８を露出させる。
【００５３】
図４Ｇは工程（ｆ）を示し、第１の多層基板の誘電層の端縁とそれに対応する前記金属層の端縁のそれぞれを、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる（１０と１２、１３と１５、１６と１８）ことで、他の多層基板に相互接続される接続部１２０を形成する。
【００５４】
図４Ｈは工程（ｇ）を示し、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８の分離端縁は、第２の多層基板４００の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着される。且つ第１の多層基板３００の上下に対応して第２の多層基板４００を逆さにして、これによって、この製造工程において、元々誘電層２０、２３及び２６に対応してその下方に位置する金属層２２、２５及び２７は、誘電層２０、２３及び２６の上方に位置する。第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８と第２の多層基板４００の金属層２２、２５及び２７の間の接着方式は、スズの溶融接着、共晶接合（Eutectic bonding）、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film bonding）接着、金‐金接着（Gold-Gold bonding）または金‐銅接着（Gold-Cooper bonding）等の方式であることができ、多層基板の間の相互接続構造を完成させる。
【００５５】
図４Ｉは工程（ｈ）を示し、第１のチップ素子１００、第２のチップ素子２００及び第３の基板を使用して、この多層基板の第１の外層面と第２の外層面（つまり上下層面）を接続して封止する。この接続封止の方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。
【００５６】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００５７】
図５Ｄは、本発明の第５の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の第４の実施形態と異なる工程（ｃ）と工程（ｄ）に対応する構造を示す図である。工程（ｃ）と工程（ｄ）以外に、第４の実施形態において図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｅ乃至図５Ｉが示す他の工程は、第４の実施形態と同様である。
【００５８】
図５Ｃは工程（ｃ）を示し、第１の誘電層１６を塗布する前に、第５の実施形態では、領域１７（図５Ｄに示す）に接着強化処理を行うことで、第１の誘電層１６と工程（ｂ）において塗布された第１の誘電層１９との間の接着強度を上げ、更に後続の図５Ｄに示される工程（ｄ）において固着の状態を維持することができ、誘電層間の分離または変形に至る密接がない可能性を下げ、これによって、工程歩留まりを高める。
【００５９】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００６０】
図６Ｃ乃至図６Ｇは、本発明の第６の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ｃ）乃至工程（ｇ）に対応する構造を示す図である。
【００６１】
図６Ｃは工程（ｃ）を示し、誘電層１６を塗布する前に、第６の実施形態では、領域１７、１７‐１（図６Ｄに示す）に接着強化処理を行うことで、この領域の接着強度を上げ、更に後続の図６Ｄに示される工程（ｄ）において固着の状態を維持することができ、誘電層間の分離または変形に至る密接がない可能性を下げ、これによって、工程歩留まりを高める。
【００６２】
図６Ｅに示される工程（ｅ）を実行した後、工程（ｅ’）を省略し、図３Ｆに示される工程（ｆ）を直接に実行してキャリアと隣接する第１の誘電層１９を除去しない。
【００６３】
図６Ｆは工程（ｆ）を示し、第１の多層基板３００の誘電層の端縁とそれに対応する前記金属層の端縁のそれぞれを、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる（１０と１２、１３と１５、１６と１８）ことで、他の多層基板に相互接続される接続部１２０を形成するとともに、第１の誘電層１９の端縁１９‐１を除去し、第１の誘電層１９に対応する第１の金属層１８の端縁が露出され、図６Ｇに示される工程（ｇ）において、他方の多層基板（例えば第２の多層基板４００）の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着されるために用いられる。
【００６４】
図６Ｇは工程（ｇ）を示し、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８の分離端縁は、第２の多層基板４００の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着される。且つ第１の多層基板３００の上下に対応して第２の多層基板４００を逆さにして、これによって、この製造工程において、元々誘電層２０、２３及び２６に対応してその下方に位置する金属層２２、２５及び２７は、誘電層２０、２３及び２６の上方に位置する。第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８と第２の多層基板４００の金属層２２、２５及び２７の間の接着方式は、スズの溶融接着、共晶接合（Eutectic bonding）、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film bonding）接着、金‐金接着（Gold-Gold bonding）または金‐銅接着（Gold-Cooper bonding）等の方式であることができる。
【００６５】
図６Ｈは工程（ｈ）を示し、第１のチップ素子１００、第２のチップ素子２００及び第３の基板を使用して、この多層基板の第１の外層面と第２の外層面（つまり上下層面）を接続して封止する。接続封止の方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。
【００６６】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００６７】
図７Ｄ乃至図７Ｉは、本発明の第７の実施形態による多層基板の間の相互接続構造の製造方法の工程（ｄ）乃至工程（ｈ）に対応する構造を示す図である。工程（ｄ）乃至工程（ｈ）以外に、第７の実施形態において図７Ａ乃至図７Ｃが示す他の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００６８】
図７Ｄは工程（ｄ）を示し、工程（ｃ）を繰り返し、第１の多層基板３００を形成するとともに、図７Ｄに示すように、同時に第１の多層基板３００に隣接する第３の多層基板５００を形成する。
【００６９】
図７Ｅは工程（ｅ）を示し、多層基板の分離端縁に沿って（つまり図７Ｄの垂直分割線ｄ１、ｄ３）キャリア及びそれに対応する多層基板を完全に分割し、ｄ２に沿って、チップから最上の第１の金属層１２及び第１の誘電層１０まで分割するとともに、第１の多層基板３００と第３の多層基板５００をキャリア１０２から分離する。
【００７０】
図７Ｆは工程（ｅ’）を示し、キャリアと隣接する第１の多層基板３００と第３の多層基板５００の第１の誘電層１９を除去し、第１の誘電層１９に対応する第１の金属層１８を露出させる。
【００７１】
図７Ｇは工程（ｆ）を示し、第１の多層基板３００の誘電層の端縁とそれに対応する前記金属層の端縁のそれぞれを、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる（１０と１２、１３と１５、１６と１８）ことで、他の多層基板に相互接続される接続部１２０を形成する。しかし、第３の多層基板５００と第１の多層基板３００の間の第１の金属層１２と第１の誘電層１０との接続を維持し、第３の多層基板５００の誘電層及びそれに対応する金属層の端縁が分離されない。
【００７２】
図７Ｈは工程（ｇ）を示し、第１の実施形態と類似しており、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８の分離端縁は、第２の多層基板４００の分離端縁を有する金属層２２、２５及び２７に接着される。
【００７３】
図７Ｉは工程（ｈ）を示し、第１のチップ素子１００、第２のチップ素子２００及び第３の基板を使用して、この多層基板により形成された多層基板の間の多重相互接続構造の上下層面を接続して封止する。接続封止の方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。第１の実施形態と異なり、第２のチップ素子は第３の多層基板５００と接続して封止される。そのため、本発明の多層基板の間の多重相互接続は、相互接続構造におけるフレキシビリティーをさらに提供することができる。
【００７４】
本実施形態では、工程（ｇ）と工程（ｈ）の順番は交換することができ、本発明の相互接続構造を変化させなく、その機能に影響も及ぼしない。
【００７５】
図８は、本発明の第１、第２、第４及び第５の実施形態による多層基板の間の相互接続構造を示す断面図である。本発明の多層基板の間の相互接続構造は、第１の多層基板３００と第２の多層基板４００を含む。第１の多層基板３００の第１の外層面は、第１のチップ素子１００と接続して封止される。第２の多層基板４００の第１の外層面は、第２のチップ素子２００と接続して封止される。第１のチップ素子１００と第２のチップ素子２００は、論理素子、メモリ素子、アナログ素子、光電素子、マイクロ電気機械素子または発光素子などといった任意のチップ素子であることができる。
【００７６】
この多層基板の間の相互接続構造は、第３の多層基板（図示せず）をさらに含む。図８に示すように、第３の多層基板は、半田ボール４１０によって第１の多層基板３００と接続して封止され、半田ボール４２０によって第２の多層基板４００と接続して封止され、或いは第１のチップ素子または第２のチップ素子と接続して封止される。前述の第３の多層基板の封止方式は、ＢＧＡパッケージ、ＬＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージまたはワイヤボンディング（Wire Bond）パッケージ等の方式であることができる。
【００７７】
なお、第１の多層基板３００、第２の多層基板４００及び第３の多層基板は、内部接続線を有するフレキシブル多層基板であることができる。本発明の多層基板の間の相互接続構造により、変形できる特性またはフレキシブル特性を提供することができ、これにより、フレキシブル多層基板の封止接続とすることができる。
【００７８】
前述の第１の多層基板３００は、複数の第１の誘電層１０、１３及び１６と第１の金属層１２、１５及び１８を含む。且つ、前述の第２の多層基板４００は、複数の第２の誘電層２０、２３及び２６と第２の金属層２２、２５及び２７を含む。そのため、第１のチップ素子１００は、実質上半田ボール１１０により第１の多層基板３００の第１の誘電層１０のビアホール９（via hole）に接続され、第２のチップ素子２００は、実質上半田ボール２１０により第２の多層基板４００の第２の誘電層２６のビアホール（via hole）または２の金属層２７に接続される。
【００７９】
第１の多層基板３００の第１の金属層１２及びそれに対応する第１の誘電層１０の端縁、第１の金属層１５及びそれに対応する第１の誘電層１３の端縁、及び第１の金属層１８及びそれに対応する第１の誘電層１６の端縁のそれぞれは、それに隣接する第１の金属層及びそれに対応する第１の誘電層から分離させる。相対的に、第２の多層基板４００の第２の金属層２２及びそれに対応する第２の誘電層２０の端縁、第２の金属層２５及びそれに対応する第２の誘電層２３の端縁、及び第２の金属層２７及びそれに対応する第２の誘電層２６の端縁のそれぞれは、それに隣接する第２の金属層及びそれに対応する第２の誘電層から分離させる。
【００８０】
第１の多層基板３００と第２の多層基板４００を相互接続する場合、第２の多層基板４００を逆さにされ、第２の多層基板４００の第２の金属層２２、２５及び２７の分離端縁のそれぞれは、第１の多層基板３００の第１の金属層１２、１５及び１８の各分離端縁と互いに接着され、図７に示すように、相互接続構造の接続部１２０を形成する。その接着方式は、接着剤１、２、３、スズの溶融接着、共晶接合（Eutectic bonding）、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film bonding）接着、金‐金接着（Gold-Gold bonding）または金‐銅接着（Gold-Cooper bonding）等の方式であることができる。互いに接着された方式により、第２の金属層２２、２５及び２７は、第１の金属層１２、１５及び１８と一体に相互接続されることができる。この多層基板の間の相互接続構造により、直接に第１のチップ１００と第２のチップ２００と互いに接続することができる。
【００８１】
多層基板の誘電層及びそれに対応する金属層を分離しなくて直接に封止する構造である現在の技術に比べ、第１の多層基板３００と第２の多層基板４００の間に基板の分離端縁を利用して相互接続を実行するため、封止の密度を上げるとともに、システムを小型化することができ、且つ変形できる特性またはフレキシブル特性をさらに提供し、これにより、フレキシブル封止のシステムに応用されることができる。
【００８２】
また、図８において、界面接着強化処理は、誘電層の間に行われて、その処理領域１１、１４、２１及び２４は太線で示す。ここで特に注意しなければならないのは、基板の分離端縁以外の他の各領域に（接続部１２０以外の誘電層の間に）界面接着強化処理を行って誘電層の間の接着強度を上げるため、この界面接着強化処理を行わない端縁に（接続部１２０内に）任意の誘電層の端縁及びそれに対応する金属層の端縁を容易に分離させることができる。
【００８３】
前述の多層基板の端縁の分離方式は、両面テープ（ＵＶテープ）を利用して第１の多層基板３００または第２の多層基板４００の第１の外層面と第２の外層面へ貼り付け、次にテープを剥がすことで、界面接着強化処理を行わない端縁を分離させる。テープを貼り付けたり剥がしたりを繰り返すことで、接着強化処理を行わない多層の端縁を分離させることができるが、金属層１２、１５、１８、２２、２５及び２７のそれぞれは、誘電層１０、１３、１６、２０、２３及び２６と互いに接続される。誘電層／誘電層間に界面接着強化処理を選択的に行って、これにより、本発明の第１の多層基板３００または第２の多層基板４００の間の相互接続構造を完成することができる。例えば、本発明において、誘電層の材料はポリイミド（polyimide）であることで、酸素またはアルゴンプラズマ処理を利用して前述の界面接着強化処理を行うことができる。
【００８４】
図９は、本発明の第３及び第６の実施形態による多層基板の間の相互接続構造を示す断面図である。本発明の第１、第２、第４及び第５の実施形態において多層基板の間の相互接続構造と異なり、封止方式が同じでないため、前述の工程（ｃ）において他方の誘電層を塗布する前に、領域１７‐１に接着強化処理を行って、次に、第３の基板のボンディングパッド（pad）の方式を変化させることで、異なる接続の選択とする。本発明の実施形態において、例えば、第１の多層基板３００の金属層１２、１５及び１８のそれぞれは、第２の多層基板４００の第２の金属層２２、２５及び２７と一対一で接着されているが、これに限定されることなく、選択的な接着または１対多の基板接続を使用することもできる。
【００８５】
現在の技術に比べ、本発明による提供された多層基板の間の相互接続構造及びその製造方法は、任意の種類のチップ素子を、直接にチップを封止する多層基板の間の相互接続構造によって相互接続させることができ、第３の基板による必要がなく、封止の密度を上げるとともに、システムを小型化することができる。なお、本発明の多層基板の間の相互接続構造は、変形できる特性またはフレキシブル特性をさらに提供し、これにより、フレキシブル封止のシステムに応用されることができる。現在の技術に比べ、チップとチップの間の封止、または多層基板の間の接続封止を問わず、本発明は、更に高整合性及び高実装密度のシステムインパッケージ能力を持つ。
【００８６】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と範囲を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００８７】
１０、１３、１６、１９ 第１の誘電層、１００ 第１のチップ素子、１０２キャリア、１０４ 誘電層、１１、１４、２１、２４ 処理領域、１１０、４１０、４２０ 半田ボール、１１９、１７、１７‐１ 領域、１２、１５、１８ 第１の金属層、１２０ 接続部、１９‐１ 端縁、２０、２３、２６ 第２の誘電層、２００ 第２のチップ素子、２２、２５、２７ 第２の金属層、３００ 第１の多層基板、４００ 第２の多層基板、５００ 第３の多層基板、９ ビアホール
【図１Ａ−１Ｅ】
【図１Ｆ−１Ｉ】
【図２Ａ−２Ｅ】
【図２Ｆ−２Ｉ】
【図３Ａ−３Ｄ】
【図３Ｅ−３Ｈ】
【図４Ａ−４Ｅ】
【図４Ｆ−４Ｉ】
【図５Ａ−５Ｅ】
【図５Ｆ−５Ｉ】
【図６Ａ−６Ｄ】
【図６Ｅ−６Ｈ】
【図７Ａ−７Ｅ】
【図７Ｆ−７Ｉ】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の多層基板の間の相互接続構造の製造方法であって、前記各多層基板は互いに重なり合った複数の金属層と複数の誘電層を有し、
前記各多層基板の少なくとも一つの誘電層の端縁とそれに対応する前記金属層の端縁を、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる工程と、
一つの多層基板の前記少なくとも一つの誘電層の分離端縁を他方の一つの多層基板の金属層の分離端縁と接着させて前記多層基板の間の相互接続構造を完成させる工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
（ａ）前記分離工程前に、前記一つの多層基板を形成するために用いられるキャリアを提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記多層基板を形成する工程は、
（ｂ）前記キャリア上に誘電層を塗布する工程と、
（ｃ）前記誘電層上に金属層及び必要とされるビアホールを形成した後、他方の誘電層を塗布する工程と、
（ｄ）工程（ｃ）を繰り返して前記多層基板を形成する工程と、
（ｅ）前記分離端縁に沿って前記キャリア及び前記多層基板を分割し、前記多層基板を前記キャリアから分離する工程と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
工程（ｂ）において、前記キャリアの端縁に界面接着強化処理を行うことで、前記誘電層の端縁と前記キャリアとの間の接着強度を上げる工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
工程（ｂ）において、前記キャリア上の表面に界面接着強化処理を行うことで、前記誘電層と前記キャリアとの間の接着強度を上げるとともに、前記誘電層上の表面に他方の誘電層をさらに塗布する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項６】
前記界面接着強化処理は、プラズマ処理であることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
工程（ｅ）において、前記誘電層と前記他方の誘電層の間で前記多層基板を前記キャリアから分離することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項８】
（ｅ’） 前記キャリアと隣接する誘電層を除去し、前記誘電層に対応する前記金属層を露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項９】
工程（ｃ）において、前記誘電層を塗布する前に、前記誘電層の端縁に界面接着強化処理を行うことで、前記誘電層の端縁と工程（ｂ）において塗布された誘電層との間の接着強度を上げる工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項１０】
（ｅ’） 前記キャリアと隣接する誘電層を除去し、前記誘電層に対応する前記金属層を露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
工程（ｃ）において、前記誘電層を塗布する前に、前記金属層の表面と前記誘電層の端縁以外の他の領域に界面接着強化処理を行うことで、前記他の領域の接着強度を上げる工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項１２】
工程（ｅ）後、前記キャリアと隣接する誘電層の分離端縁を除去し、前記誘電層に対応する前記金属層の端縁を露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記接着工程後、前記多層基板の第１の外層面と第２の外層面に接続封止を実行する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記接続封止は、複数のチップ素子及び第３の基板と接続されることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記接着工程前に、前記多層基板の第１の外層面と第２の外層面に接続封止を実行する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記接続封止は、複数のチップ素子及び第３の基板と接続されることを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
第１の多層基板と第２の多層基板を含み、前記第１の多層基板は互いに重なり合った複数の第１の金属層と複数の第１の誘電層を有し、前記第２の多層基板は互いに重なり合った複数の第２の金属層と複数の第２の誘電層を有する多層基板の間の相互接続構造であって、
前記第１の多層基板の前記少なくとも一つの第１の金属層の端縁は、それに対応する第１の誘電層の端縁と互いに接続され、それと隣接する他の第１の金属層の端縁とそれに対応する他の第１の誘電層の端縁から分離され、
前記第２の多層基板の前記少なくとも一つの第２の金属層の端縁は、それに対応する第２の誘電層の端縁と互いに接続され、それと隣接する他の第２の金属層の端縁とそれに対応する他の第２の誘電層の端縁から分離され、
前記第１の多層基板の前記少なくとも一つの第１の金属層と前記第２の多層基板の前記少なくとも一つの第２の金属層は、互いに接着されて接続部を形成することを特徴とする相互接続構造。
【請求項１８】
前記第１の多層基板の前記誘電層の分離端縁以外の他の領域に界面接着強化処理を行うことで、前記誘電層の間の接着強度を上げることを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項１９】
前記界面接着強化処理は、プラズマ処理であることを特徴とする請求項１８に記載の相互接続構造。
【請求項２０】
前記誘電層の材料はポリイミドであることを特徴とする請求項１９に記載の相互接続構造。
【請求項２１】
前記誘電層の材料はポリイミドであることを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項２２】
前記第２の多層基板の前記誘電層の分離端縁以外の他の領域に界面接着強化処理を行うことで、前記誘電層の間の接着強度を上げることを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項２３】
前記界面接着強化処理は、プラズマ処理であることを特徴とする請求項２２に記載の相互接続構造。
【請求項２４】
前記誘電層の材料はポリイミドであることを特徴とする請求項２３に記載の相互接続構造。
【請求項２５】
前記誘電層の材料はポリイミドであることを特徴とする請求項２２に記載の相互接続構造。
【請求項２６】
前記第１の多層基板の第１の外層面と接続して封止されるために用いられる第１のチップ素子をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項２７】
前記第１のチップ素子は、論理素子、メモリ素子、アナログ素子、光電素子、マイクロ電気機械素子及び発光素子から一つを選択することを特徴とする請求項２６に記載の相互接続構造。
【請求項２８】
前記第１の多層基板と接続して封止されるために用いられる第３の基板をさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の相互接続構造。
【請求項２９】
前記第２の多層基板の第１の外層面と接続して封止されるために用いられる第２のチップ素子をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項３０】
前記第２のチップ素子は、論理素子、メモリ素子、アナログ素子、光電素子、マイクロ電気機械素子及び発光素子から一つを選択することを特徴とする請求項２９に記載の相互接続構造。
【請求項３１】
前記第２の多層基板と接続して封止されるために用いられる第３の基板をさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載の相互接続構造。
【請求項３２】
前記第１の多層基板または前記第２の多層基板と接続して封止されるために用いられる第３の基板をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項３３】
前記第３の基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項３２に記載の相互接続構造。
【請求項３４】
前記第１の多層基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項３５】
前記第２の多層基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項３６】
多層基板であって、複数の金属層と、前記複数の金属層と互いに重なり合った複数の誘電層とを含み、前記少なくとも一つの金属層の端縁は、それに対応する誘電層の端縁と互いに接続され、それと隣接する他の金属層の端縁と誘電層の端縁から分離され、前記少なくとも一つの金属層と他方の多層基板の少なくとも一つの金属層は、互いに接着されて接続部を形成することを特徴とする多層基板。
【請求項１】
複数の多層基板の間の相互接続構造の製造方法であって、前記各多層基板は互いに重なり合った複数の金属層と複数の誘電層を有し、
前記各多層基板の少なくとも一つの誘電層の端縁とそれに対応する前記金属層の端縁を、それと隣接する他の誘電層の端縁とそれに対応する他の金属層の端縁から分離させる工程と、
一つの多層基板の前記少なくとも一つの誘電層の分離端縁を他方の一つの多層基板の金属層の分離端縁と接着させて前記多層基板の間の相互接続構造を完成させる工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
（ａ）前記分離工程前に、前記一つの多層基板を形成するために用いられるキャリアを提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記多層基板を形成する工程は、
（ｂ）前記キャリア上に誘電層を塗布する工程と、
（ｃ）前記誘電層上に金属層及び必要とされるビアホールを形成した後、他方の誘電層を塗布する工程と、
（ｄ）工程（ｃ）を繰り返して前記多層基板を形成する工程と、
（ｅ）前記分離端縁に沿って前記キャリア及び前記多層基板を分割し、前記多層基板を前記キャリアから分離する工程と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
工程（ｂ）において、前記キャリアの端縁に界面接着強化処理を行うことで、前記誘電層の端縁と前記キャリアとの間の接着強度を上げる工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
工程（ｂ）において、前記キャリア上の表面に界面接着強化処理を行うことで、前記誘電層と前記キャリアとの間の接着強度を上げるとともに、前記誘電層上の表面に他方の誘電層をさらに塗布する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項６】
前記界面接着強化処理は、プラズマ処理であることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
工程（ｅ）において、前記誘電層と前記他方の誘電層の間で前記多層基板を前記キャリアから分離することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項８】
（ｅ’） 前記キャリアと隣接する誘電層を除去し、前記誘電層に対応する前記金属層を露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項９】
工程（ｃ）において、前記誘電層を塗布する前に、前記誘電層の端縁に界面接着強化処理を行うことで、前記誘電層の端縁と工程（ｂ）において塗布された誘電層との間の接着強度を上げる工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項１０】
（ｅ’） 前記キャリアと隣接する誘電層を除去し、前記誘電層に対応する前記金属層を露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
工程（ｃ）において、前記誘電層を塗布する前に、前記金属層の表面と前記誘電層の端縁以外の他の領域に界面接着強化処理を行うことで、前記他の領域の接着強度を上げる工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項１２】
工程（ｅ）後、前記キャリアと隣接する誘電層の分離端縁を除去し、前記誘電層に対応する前記金属層の端縁を露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記接着工程後、前記多層基板の第１の外層面と第２の外層面に接続封止を実行する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記接続封止は、複数のチップ素子及び第３の基板と接続されることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記接着工程前に、前記多層基板の第１の外層面と第２の外層面に接続封止を実行する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記接続封止は、複数のチップ素子及び第３の基板と接続されることを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
第１の多層基板と第２の多層基板を含み、前記第１の多層基板は互いに重なり合った複数の第１の金属層と複数の第１の誘電層を有し、前記第２の多層基板は互いに重なり合った複数の第２の金属層と複数の第２の誘電層を有する多層基板の間の相互接続構造であって、
前記第１の多層基板の前記少なくとも一つの第１の金属層の端縁は、それに対応する第１の誘電層の端縁と互いに接続され、それと隣接する他の第１の金属層の端縁とそれに対応する他の第１の誘電層の端縁から分離され、
前記第２の多層基板の前記少なくとも一つの第２の金属層の端縁は、それに対応する第２の誘電層の端縁と互いに接続され、それと隣接する他の第２の金属層の端縁とそれに対応する他の第２の誘電層の端縁から分離され、
前記第１の多層基板の前記少なくとも一つの第１の金属層と前記第２の多層基板の前記少なくとも一つの第２の金属層は、互いに接着されて接続部を形成することを特徴とする相互接続構造。
【請求項１８】
前記第１の多層基板の前記誘電層の分離端縁以外の他の領域に界面接着強化処理を行うことで、前記誘電層の間の接着強度を上げることを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項１９】
前記界面接着強化処理は、プラズマ処理であることを特徴とする請求項１８に記載の相互接続構造。
【請求項２０】
前記誘電層の材料はポリイミドであることを特徴とする請求項１９に記載の相互接続構造。
【請求項２１】
前記誘電層の材料はポリイミドであることを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項２２】
前記第２の多層基板の前記誘電層の分離端縁以外の他の領域に界面接着強化処理を行うことで、前記誘電層の間の接着強度を上げることを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項２３】
前記界面接着強化処理は、プラズマ処理であることを特徴とする請求項２２に記載の相互接続構造。
【請求項２４】
前記誘電層の材料はポリイミドであることを特徴とする請求項２３に記載の相互接続構造。
【請求項２５】
前記誘電層の材料はポリイミドであることを特徴とする請求項２２に記載の相互接続構造。
【請求項２６】
前記第１の多層基板の第１の外層面と接続して封止されるために用いられる第１のチップ素子をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項２７】
前記第１のチップ素子は、論理素子、メモリ素子、アナログ素子、光電素子、マイクロ電気機械素子及び発光素子から一つを選択することを特徴とする請求項２６に記載の相互接続構造。
【請求項２８】
前記第１の多層基板と接続して封止されるために用いられる第３の基板をさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の相互接続構造。
【請求項２９】
前記第２の多層基板の第１の外層面と接続して封止されるために用いられる第２のチップ素子をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項３０】
前記第２のチップ素子は、論理素子、メモリ素子、アナログ素子、光電素子、マイクロ電気機械素子及び発光素子から一つを選択することを特徴とする請求項２９に記載の相互接続構造。
【請求項３１】
前記第２の多層基板と接続して封止されるために用いられる第３の基板をさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載の相互接続構造。
【請求項３２】
前記第１の多層基板または前記第２の多層基板と接続して封止されるために用いられる第３の基板をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項３３】
前記第３の基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項３２に記載の相互接続構造。
【請求項３４】
前記第１の多層基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項３５】
前記第２の多層基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項１７に記載の相互接続構造。
【請求項３６】
多層基板であって、複数の金属層と、前記複数の金属層と互いに重なり合った複数の誘電層とを含み、前記少なくとも一つの金属層の端縁は、それに対応する誘電層の端縁と互いに接続され、それと隣接する他の金属層の端縁と誘電層の端縁から分離され、前記少なくとも一つの金属層と他方の多層基板の少なくとも一つの金属層は、互いに接着されて接続部を形成することを特徴とする多層基板。
【図８】
【図９】
【図９】
【公表番号】特表２０１０−５１８６０７（Ｐ２０１０−５１８６０７Ａ）
【公表日】平成２２年５月２７日（２０１０．５．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５４８５５７（Ｐ２００９−５４８５５７）
【出願日】平成１９年２月５日（２００７．２．５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＣＮ２００７／０００３７８
【国際公開番号】ＷＯ２００８／０９５３３７
【国際公開日】平成２０年８月１４日（２００８．８．１４）
【出願人】（３１０００３６６９）巨擘科技股▲ふん▼有限公司 (7)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２２年５月２７日（２０１０．５．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月５日（２００７．２．５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＣＮ２００７／０００３７８
【国際公開番号】ＷＯ２００８／０９５３３７
【国際公開日】平成２０年８月１４日（２００８．８．１４）
【出願人】（３１０００３６６９）巨擘科技股▲ふん▼有限公司 (7)
【Ｆターム（参考）】
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