説明

多層膜反射鏡

【課題】極端紫外線用の反射鏡の多層膜構成を簡略化し、製作効率の向上および製造コストの低減を図る。
【解決手段】第1材料Aと第2材料Bからなる2層構成の第1積層体2の上に、第1材料Aと第2材料Bと第3材料Cからなる3層構成の第2積層体3を積み重ねた多層膜反射鏡を製造する。2層構成と3層構成を組み合わせることで、全体が3層構成の多層膜反射鏡に比べて膜構成の複雑化を抑制することができる。多層膜反射鏡の入射面に近い3層構成の第2積層体3の周期数を2層構成の第1積層体2の周期数より小さくして、全体を3層構成にした状態と同等の反射率を得られるよう、層数および厚さを最適化する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、軟X線用の反射鏡として使われる多層膜反射鏡に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体集積回路素子の微細化の進展に伴い、従来の紫外線に代わって軟X線(波長11〜14nm)を使用したEUVリソグラフィー技術が開発されている。この領域の光に対して、物質の屈折率は1に非常に近く、またその吸収も大きいため、原理的にレンズ作用を利用することができない。よって反射鏡を利用した光学系が用いられる。使用される反射鏡は、X線領域で吸収が少なく、互いの屈折率差の大きい2種類の物質を交互に何層も積層することにより作製される。EUVリソグラフィー用として広く用いられているのはMoとSiを構成材料とする多層膜反射鏡である。
【0003】
このような多層膜反射鏡には、全体が一定の膜厚である1/4波長積層体に似た分布ブラッグ反射で構成されるものが広く用いられている。この方法で、MoとSiから形成される多層膜反射鏡の反射率は、最大で70%を超える。
【0004】
現在は、膜厚が同じ交互周期層が主流であるが、最高反射率を出すためには、Mo、Siの割合を膜が付くに従い変化させてMoを少なくし、表面付近では吸収の小さいSiが厚い構成にする必要があるとの報告がある(非特許文献1参照)。
【0005】
一方で、特許文献1に開示されたように、膜厚変化構成と、Si、Moの構成だけではなく、Ru、Rhなど種々の材料を交互周期層の間に挟みこむ構成を組み合わせることによって、反射率が81%を超えるX線用の多層膜反射鏡が提案されている。
【0006】
また、特許文献2に開示されたように、SiとMoの界面反応によって生成されるシリサイド層による反射率低下を防ぐために、B4 Cを挟みこむ構成も知られている。
【非特許文献1】M.Yamamoto and T.Narioka:Layer-by-Layer design method for soft-x-ray multilayers, Appl. Phys, vol 31. No 10/1 April,(1992), 95
【特許文献1】特開2001−51106号公報
【特許文献2】特開昭60−7400号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
このように、多層膜内の層の材料および膜厚構成によってより高い反射率を求められることが理論的には知られているが、現実にそのような複雑な構成の多層膜を厳密に作製することは、成膜の制御性および測定精度の観点からも困難である。
【0008】
すなわち、Si/Moの2層構成の交互周期層を、例えばSi/Ru/Moの3層構成の周期層にするだけでも反射率は高くなる。しかしながら、Ruという一層が加わるだけで、成膜中のターゲット切替が一周期ごとに1回余分に発生し、この切替で例えば3分間ロスすると、従来10時間で終わるはずの40周期の多層膜成膜に12時間要することになり、多層膜の製作効率が大幅に落ちてしまう。
【0009】
また、RuはMoやSiに比べて高価で、Moと比べると約10倍の価格になるのが一般的である。例えばSi/Mo周期層のMo膜厚2.5nmのうち約1nmがRuにとって変わることでより高い反射率を得られるが、このわずか1nmの材料費差によるコスト増加を考えると、約5倍の費用を要する計算になり、製造コストが高騰する。
【0010】
また、2層構成の多層膜の場合、膜厚制御は2層のトータルの厚さのみを制御すれば膜特性を満足することが可能となるが、3層構成の場合、3層のトータルの厚さを制御し、各層の膜厚は不明瞭なままであると、膜特性を満足することが困難である。従って隣接する2層の膜厚を制御しなければならず、そのため、制御対象が3種類になり、成膜や計測の誤差が増えることになる。
【0011】
このように、材料および膜厚構成を複雑化することは、製作効率や経済的にも大きなハンディキャップを背負うことになる。また成膜制御性、測定精度の観点でも大きな問題となる。
【0012】
実際のミラーの生産においては、多層膜の製作時間を1時間以上削減することが生産効率の観点か非常に重要である。すなわち製作時間を1時間削減することができれば、成膜工程の前後の各工程や、それらとの成膜前の基板や成膜後の多層膜反射鏡の搬送の自由度をアップすることが可能となる。従って、単に、多層膜の製作時間の短縮のみではなく、多層膜反射鏡の製造コストを大幅に削減することが可能となる。
【0013】
本発明は、成膜制御性、生産効率の観点から、膜構成の複雑化をできる限り抑えた、より単純な多層膜構成を用いて、高い反射率を実現できる極端紫外線用の多層膜反射鏡を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明の多層膜反射鏡は、基板上に、第1材料と第2材料からなる2層構成の交互周期層を積層することで形成された第1積層体と、前記第1積層体の上に、前記第1材料と前記第2材料と第3材料からなる3層構成の交互周期層を積層することで形成された第2積層体と、を有し、前記第1積層体より前記第2積層体の周期数が少ないことを特徴とする。
【発明の効果】
【0015】
本発明では2層構成と3層構成とを組み合わせて、積層体全てが3層構成のものとほぼ同等な反射率が得られるように最適化している。すなわち、Si/Ru/Moの3層構成であれば、その中にSi/Moの2層構成が多く存在することにより、例えば60周期の多層膜の製作時間を60分以上短縮できる。また、Siを除いた層の製造コストを約1/3に抑えられる。また積層体全てが3層構成のものに比べて積層体量が減るため、成膜制御性による誤差を減じ、測定誤差を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【0017】
図1に示すように、より単純な多層膜構成において高い反射率を得るために、基板1上に、2層構成の第1積層体2を積層し、その上に、第1積層体2よりも全体の厚みが薄い3層構成の第2積層体3を積み重ねた多層膜反射鏡を形成する。
【0018】
第1積層体2は、屈折率の異なる第1材料Aと第2材料Bからなる2層構成の交互周期層の積層体であり、第2積層体3は、第1材料Aと第2材料Bと屈折率の最も小さい第3材料Cからなる3層構成の交互周期層の積層体である。
【0019】
3層構成の交互周期層と2層構成の交互周期層では周期長がほぼ同等であることから、第1積層体2より第2積層体3の方が周期数が少ない。この多層膜構成において、全体が第1材料Aと第2材料Bと第3材料Cからなる3層構成の同じ厚さの多層膜反射鏡と同等な反射率が得られるように最適化する。同等な反射率とは、反射率測定装置の測定精度±0.2%の範囲内である。これは一般的に反射率の0.2%の差は、実質的に光学特性に影響しない範囲であるためである。
【0020】
多層膜を構成する材料はSi、Mo、Ru、Rhのような一般的に極端紫外線用の軟X線反射鏡に用いられる金属材料である。
【0021】
2層構成と3層構成を組み合わせることで多層膜構成を簡略化するものであるため、入射面に近い3層構成の積層体の周期数をできるだけ小さくして、全体を3層構成にした状態と同等の反射率を得られるように層数および厚さを選択する。入射面に近い3層構成の積層体の最小層数は、全体が3層構成の場合の反射率から0.2%低い反射率を維持できる層数とする。最大層数は製作効率と製造コストの効果が望める範囲内で設定する。
【0022】
なお、基板側から表面に向かって、例えばA/C/B/A/C/Bと切り良く終わる必要はなく、A/C/B/A/C/B/Aと終わってもよい。このように、積層体全体の層数や構成の違いにより、3層構成の層数の全体に対する比率や絶対数が異なり、それぞれに最適解が存在する。
【0023】
例えば、屈折率の大きい順にSi、MoおよびRuまたはRhを用いた図1の膜構成において、全体が一定膜厚で、1/4波長積層体に似た分布ブラッグ反射構造を持ち、入射角度が0度のときにピーク波長が13.5nmになるような多層膜反射鏡を製作する。
【0024】
図2は、この多層膜反射鏡を成膜するためのスパッタリング成膜装置を示す。この装置のすべての制御系はコンピューター接続されており、一括制御可能であり、真空チャンバー901は真空ポンプ902によって排気される。
【0025】
ターゲットホルダー909には、直径4インチのBドープした多晶質のSi、金属Mo、Ruが取り付けられており、DC電源910に接続される。ターゲットホルダー909が回転し、各材料を切り替えて、基板ホルダー907上の基板に成膜する。このターゲットの材料は交換することも可能である。
【0026】
基板は、直径500mm、厚さ300μmのシリコンを用いており、成膜時自転している。基板とターゲットの間には、シャッター906や、基板上の膜厚分布を制御するための可動マスク904がある。成膜時はプロセスガスとして、ガス導入制御装置913からArガスを30sccm導入する。ターゲットに投入する電力は、RF電源911から13.56MHzのRF高周波150Wとした。各層の膜厚はコンピューター912により、時間制御している。
【0027】
成膜方法はスパッタリング成膜方法を用いたが、製法はこの限りではなく、例えば蒸着法を用いても同様な膜が成膜可能である。
【0028】
まず、性能を比較するために、Si、Moの交互層(交互周期層)を60回積層した多層膜反射鏡(比較例1)と、Si、Ru、Moの交互層(交互周期層)を60回積層した多層膜反射鏡(比較例2)を製作した。入射角度が0度のときにピーク波長が13.5nmにくるように設計した場合では、比較例1ではSiの厚さは4.22nm、Moの厚さは2.68nmであり、成膜時間はそれぞれ42秒と13秒であった。また、比較例2ではSiの厚さは4.23nm、Ruの厚さは1.00nm、Moの厚さは1.67nmであり、成膜時間はそれぞれ42秒と5秒と8秒であった。
【0029】
このように成膜された、入射角度が0度のときにピーク波長が13.5nmにくるような多層膜反射鏡の波長反射特性を図3に示す。波長13.5nmにおける反射率は、比較例1では74.8%、比較例2では76.3%である。これらの比較例から、明らかにSi/Moの2層構成の積層体よりもSi/Ru/Moの3層構成の積層体の方が反射性能において優れていることがわかる。なお、反射率は最高値を算出するために、比較例1はSi、比較例2はRuで交互層を終わらせている。
【実施例1】
【0030】
図2の成膜装置を用いて、0度入射のとき、ピーク波長が13.5nmになる多層膜反射鏡を以下のように作製した。
【0031】
まず、基板側からMo(第2材料)、Si(第1材料)の順に膜厚をそれぞれ2.55nm、4.41nmにして、2層構成の交互層を積層する。この上にMo、Si、Ru(第3材料)の順に、膜厚をそれぞれ1.65nm、4.19nm、1.08nmにして、3層構成の交互層を積層した。全体で60周期145層の多層膜である。
【0032】
図4は、本実施例の60周期多層膜において、60周期内の3層構成の周期数を変えた場合の、波長13.5nmにおけるピーク反射率を示すもので、同図の横軸は60周期全てが3層構成であることを意味している。3層構成の交互層の周期数が0、5、10、15、20、25、30、35、60の場合の値を測定し、それらの値をもとに図4に示すグラフを作成している。
【0033】
測定結果から全てがMo、Si、Ruの3層構成である、60周期180層の交互層の反射率76.04%であった。この76.04%との差が0.2%以内の範囲は、75.84%以上76.24%以下である。従って図4から分るように、すべての交互層が3層構成である場合とほぼ同等の反射率が得られているのは、3層構成の交互層が24周期形成されている場合である。すなわち3層構成の交互層の割合は全体の2/5にあたる。
【0034】
このとき、多層膜の製作時間は105分短縮でき、Siを除いた層の製造コストは約1/2に抑えられることができた。また、多層膜の製作時間は60分以上短縮するためには、3層構成の交互層は40周期以下としなければならない。すなわち3層構成の交互層の割合が全体の2/3以下としなければならない。
【実施例2】
【0035】
実施例1と同様に、0度入射のとき、ピーク波長が13.5nmになる多層膜反射鏡を以下のように作製した。
【0036】
まず、基板側からSi、Moの順に膜厚をそれぞれ4.20nm、2.70nmにして、2層構成の交互層を積層する。この上にSi、Ru、Moの順に膜厚をそれぞれ4.22nm、1.00nm、1.68nmにして、3層構成の交互層を積層し、最後を膜厚4.24nmのSi、膜厚1.69nmのRuの順で終わらせた。全体で60周期132層の多層膜である。
【0037】
図5は、本実施例の60周期多層膜において、60周期内の3層構成の周期数を変えた場合の、波長13.5nmにおけるピーク反射率を示すもので、同図の横軸は60周期全てが3層構成であることを意味している。3層構成の交互層の周期数が0、5、10、15、20、25、30、60の場合の値を測定し、それらの値をもとに図5に示すグラフを作成している。
【0038】
測定結果から全てがSi、Ru、Moの3層構成で同様に最後をSi、Ruの順で終わらせている60周期182層の交互層の反射率76.34%であった。この76.34%との差が0.2%以内の範囲は、76.14%以上76.54%以下である。従って図5から分るように、すべての交互層が3層構成である場合とほぼ同等の反射率が得られているのは、3層構成の交互層が10周期形成されている場合である。すなわち3層構成の交互層の割合は全体の1/6にあたる。
【0039】
このとき、多層膜の製作時間は150分短縮でき、Siを除いた層の製造コストは約1/3に抑えることができた。また、多層膜の製作時間は60分以上短縮するためには、3層構成の交互層は40周期以下としなければならない。すなわち3層構成の交互層の割合が全体の2/3以下としなければならない。
【実施例3】
【0040】
実施例1と同様に、0度入射のとき、ピーク波長が13.5nmになる多層膜反射鏡を以下のように作製した。
【0041】
まず、基板側からSi、Moの順に膜厚をそれぞれ4.16nm、2.74nmにして、2層構成の交互層を積層する。この上にSi、Ru、Moの順に膜厚をそれぞれ4.22nm、0.99nm、1.69nmにして、3層構成の交互層を積層し、最後を膜厚4.25nmのSi、膜厚1.69nmのRuの順で終わらせた。全体で50周期112層の多層膜である。
【0042】
図6は、本実施例の50周期多層膜において、50周期内の3層構成の周期数を変えた場合の、波長13.5nmにおけるピーク反射率を示すもので、横軸は50周期全てが3層構成であることを意味している。3層構成の交互層の周期数が0、5、10、15、20、25、50の場合の値を測定し、それらの値をもとに図6に示すグラフを作成している。
【0043】
測定結果から全てがSi、Ru、Moの3層構成で同様に最後をSi、Ruの順で終わらせている50周期152層の交互層の反射率76.26%であった。この76.26%との差が0.2%以内の範囲は、76.06%以上76.46%以下である。従って図6から分るように、すべての交互層が3層構成である場合とほぼ同等の反射率が得られているのは、3層構成の交互層が10周期形成されている場合である。すなわち3層構成の交互層の割合は全体の1/5にあたる。
【0044】
このとき、多層膜の製作時間は120分短縮でき、Siを除いた層の製造コストは約1/3に抑えることができた。また、多層膜の製作時間は60分以上短縮するためには、3層構成の交互層は30周期以下としなければならない。すなわち3層構成の交互層の割合が全体の3/5以下としなければならない。
【実施例4】
【0045】
実施例1と同様に、0度入射のとき、ピーク波長が13.5nmになる多層膜反射鏡を以下のように作製した。
【0046】
まず、基板側からSi、Moの順に膜厚をそれぞれ4.11nm、2.82nmにして、2層構成の交互層を積層する。この上にSi、Ru、Moの順に膜厚をそれぞれ4.19nm、1.01nm、1.70nmにして、3層構成の交互層を積層し、最後を膜厚4.23nmのSi、膜厚1.69nmのRuの順で終わらせた。全体で40周期98層の多層膜である。
【0047】
図7は、本実施例の40周期多層膜において、40周期内の3層構成の周期数を変えた場合の、波長13.5nmにおけるピーク反射率を示すもので、同図の横軸は40周期全てが3層構成であることを意味している。3層構成の交互層の周期数が0、5、10、15、20、25、40の場合の値を測定し、それらの値をもとに図7に示すグラフを作成している。
【0048】
測定結果から、全てがSi、Ru、Moの3層構成で同様に最後をSi、Ruの順で終わらせている40周期122層の交互層の反射率75.93%であった。この75.93%との差が0.2%以内の範囲は、75.78%以上76.08%以下である。従って図7から分るように、すべての交互層が3層構成である場合とほぼ同等の反射率が得られているのは、3層構成の交互層が16周期形成されている場合である。すなわち3層構成の交互層の割合は全体の2/5にあたる。
【0049】
このとき、多層膜の製作時間は63分短縮でき、Siを除いた層の製造コストは約1/2に抑えることができた。また、多層膜の製作時間は60分以上短縮するためには、3層構成の交互層は20周期以下としなければならない。すなわち3層構成の交互層の割合が全体の1/2以下としなければならない。
【0050】
図8は、上記実施例1〜4で作成した反射鏡を用いた反射型縮小投影露光装置の反射縮小投影光学系を示す。光源に13.5nmのEUV光を用いて、反射型マスク1107上に形成されたパターンを反射鏡1101、1102、1103、1104、1105、1106より構成された反射縮小投影光学系により基板1108上のレジストに転写した。これにより、マスク上0.1μmのパターンに対して寸法0.025μmのレジストパターンが正確に得られた。縮小率、波長等は、本実施例の値に限らない。レジストについても同様である。さらに、光学系の構成も図8に示したものに限らない。
【0051】
ミラーへの光線入射角度分布範囲が5度以内の小さい反射鏡1101、1102、1104、1106は、従来のものを用い、ミラーへの光線入射角度分布範囲が5度以上の大きい反射鏡1103および1105は、実施例1〜4で作製した反射鏡を用いた。
【図面の簡単な説明】
【0052】
【図1】一実施の形態による多層膜反射鏡の膜構成を示す模式図である。
【図2】図1の多層膜反射鏡を成膜するための成膜装置を示す図である。
【図3】比較例による多層膜反射鏡の理論波長反射特性図である。
【図4】実施例1による多層膜反射鏡において、全周期数内における3層構成の周期数に対するピーク反射率の依存性を示すグラフである。
【図5】実施例2による多層膜反射鏡において、全周期数内における3層構成の周期数に対するピーク反射率の依存性を示すグラフである。
【図6】実施例3による多層膜反射鏡において、全周期数内における3層構成の周期数に対するピーク反射率の依存性を示すグラフである。
【図7】実施例4による多層膜反射鏡において、全周期数内における3層構成の周期数に対するピーク反射率の依存性を示すグラフである。
【図8】反射型縮小投影露光装置の反射縮小投影光学系を示す図である。
【符号の説明】
【0053】
1 基板
2 第1積層体
3 第2積層体
901 真空チャンバー
902 真空ポンプ
904 可動マスク
906 シャッター
907 基板ホルダー
909 ターゲットホルダー
910 DC電源
911 RF電源
912 コンピューター
913 ガス導入制御装置

【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に、第1材料と第2材料からなる2層構成の交互周期層を積層することで形成された第1積層体と、前記第1積層体の上に、前記第1材料と前記第2材料と第3材料からなる3層構成の交互周期層を積層することで形成された第2積層体と、を有し、前記第1積層体より前記第2積層体の周期数が少ないことを特徴とする多層膜反射鏡。
【請求項2】
前記第1および前記第2積層体の周期数の和は40周期以上60周期以下であり、前記第2積層体の周期数は、前記周期数の和の2/5以上、1/2以下であることを特徴とする請求項1記載の多層膜反射鏡。
【請求項3】
前記多層膜反射鏡の反射率と、前記第1および前記第2積層体の周期数の和と同数の前記3層構成の交互周期層のみからなる多層膜反射鏡の反射率との差は±0.2%以下であることを特徴とする請求項1または2記載の多層膜反射鏡。
【請求項4】
前記第3材料の屈折率が最も小さいことを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の多層膜反射鏡。
【請求項5】
前記第1材料はSi、前記第2材料はMoであることを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の多層膜反射鏡。
【請求項6】
前記第3材料がRuまたはRhであることを特徴とする請求項5記載の多層膜反射鏡。
【請求項7】
請求項1ないし6いずれか1項記載の多層膜反射鏡を有する光学系を備えたことを特徴とする露光装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【公開番号】特開2008−151983(P2008−151983A)
【公開日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−339424(P2006−339424)
【出願日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【出願人】(000001007)キヤノン株式会社 (59,756)
【Fターム(参考)】