多数個取り基板
【課題】クラックが生じる可能性を低減できる多数個取り基板を提供する。
【解決手段】基板として取り出されるべき基板領域２ａ〜２ｏが複数形成された多数個取り基板１であって、基板領域２ａ〜２ｏには発熱体６が設けられており、基板領域２ａ〜２ｏの一辺を除く周囲の辺には空隙３が形成されている。これにより、発熱体６が設けられた部位と、発熱体６が存在しない部位との間での熱応力の発生が抑制される。この結果、多数個取り配線基板１にクラックが生じる可能性を低減できる。
【解決手段】基板として取り出されるべき基板領域２ａ〜２ｏが複数形成された多数個取り基板１であって、基板領域２ａ〜２ｏには発熱体６が設けられており、基板領域２ａ〜２ｏの一辺を除く周囲の辺には空隙３が形成されている。これにより、発熱体６が設けられた部位と、発熱体６が存在しない部位との間での熱応力の発生が抑制される。この結果、多数個取り配線基板１にクラックが生じる可能性を低減できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板として取り出されるべき基板領域が複数形成された多数個取り基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
温度ヒューズ、ガスセンサ等に用いられる基板は、一般に、多数個取り基板を個片化することによって作製される（例えば、特許文献１参照）。この多数個取り基板は、基板として取り出されるべき基板領域が複数形成されている。この基板領域には、発熱体が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−０１０１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来の多数個取り基板では、個片化する前に、発熱体が所望の性能を有しているか否か、検査する必要がある。具体的には、基板領域に設けられた発熱体を、短時間のうちに所望の温度に上昇させることによって、発熱体が所望の性能を有しているか否かを検査する。しかしながら、基板領域に設けられた発熱体を発熱させると、多数個取り基板において、発熱体が設けられた部位と発熱体が存在しない部位との間で熱応力が発生し、クラックが生じる可能性があった。
【０００５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、クラックが生じる可能性を低減できる多数個取り基板に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明における多数個取り基板は、基板として取り出されるべき基板領域が複数形成された多数個取り基板であって、前記基板領域には発熱体が設けられており、前記基板領域の一辺を除く周囲の辺には空隙が形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の多数個取り基板は、クラックが生じる可能性を低減できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る多数個取り配線基板の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１中に示したＡの部分を拡大した図である。
【図３】図２中に示した切断線Ｉ−Ｉに沿って切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る多数個取り配線基板１の概略構成を示す平面図である。図１に示すように、多数個取り配線基板１は、基板として取り出されるべき基板領域２ａ〜２ｏが、縦横の並びに複数配列形成されている。なお、図１では、基板領域２ａ〜２ｏが１５個形成されている例について図示したが、これに限定されない。すなわち、多数個取り基板１に形成されるべき基板領域の数については、任意である。
【００１１】
ここで、以下では、基板領域を説明する際、特に区別する必要のある場合にのみ、例えば、基板領域２ａのように、それぞれを区別するための英小文字を付して説明し、特に区別する必要がない場合、あるいは、総称する場合には、例えば、基板領域２のように、英小文字を付さずに説明する。
【００１２】
多数個取り配線基板１は、基板領域２の一辺を除く周囲の辺に空隙３が形成されている。空隙３が形成されている理由については後述する。なお、空隙３の幅や形状については任意である。
【００１３】
また、多数個取り配線基板１は、基板領域２の少なくとも一辺の一部に切欠４が形成されていることが好ましい。ここで、この切欠４は、基板領域２の表面を切り欠いた溝である。本実施形態では、基板領域２の一辺の一部に２個の切欠４が形成されているが、これに限定されない。なお、空隙３と同様、切欠４も幅、形状、数については任意である。切欠４が形成されているので、分割ラインＣに沿って基板領域２を基板として容易に取り出すことができる。なお、切欠４は、例えば、金型、レーザ等により形成される。
【００１４】
なお、切欠４の代わりに、基板領域２を貫く切抜が形成されていてもよい。
【００１５】
ここで、多数個取り配線基板１から取り出した基板は、例えば、温度ヒューズ、ガスセンサ用の基板として用いられる。
【００１６】
図２は、図１中に示したＡの部分を拡大した図である。図３は、図２中に示した切断線Ｉ−Ｉに沿って切断した断面図である。
【００１７】
図２に示すように、基板領域２ｆ（２）には、載置部５が設けられている。例えば、基板がガスセンサ用の基板として用いられる場合、載置部５は、ガス感応体（例えば、触媒、金属酸化物半導体等）が載置されるための役割を担うことになる。
【００１８】
また、図３に示すように、多数個取り配線基板１は、第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に積層された第２絶縁層１２とを含んでいる。第１絶縁層１１および第２絶縁層１２は、例えば、セラミック、シリコン、ガラス等の絶縁性材料からなるが、特に、セラミックからなるのが好ましい。セラミックは、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体、ガラスセラミック焼結体等である。
【００１９】
なお、図３では、多数個取り基板１は、第１絶縁層１１および第２絶縁層１２の２つの絶縁層を含んでいる例について図示したが、これに限定されない。すなわち、多数個取り基板１は、任意の数の絶縁層を含んでいてもよい。
【００２０】
また、第１絶縁層１１の上面には、発熱体６が設けられている。すなわち、発熱体６は、第１絶縁層１１と第２絶縁層１２との間に埋設されている。発熱体６は、発熱する役割を担う部材である。発熱体６は、例えば、白金、モリブデン、タンタル、タングステン等からなる。例えば、基板がガスセンサ用の基板として用いられる場合、発熱体６は、載置部５に載置されるべきガス感応体を熱によって活性化する役割を担うことになる。
【００２１】
また、第１絶縁層１１の上面には、検査配線７が設けられている。この検査配線７は、発熱体６と電気的に接続されている。検査配線７を介して発熱体６に電圧を印加することにより、発熱体６は、検査工程において発熱することができる。これにより、発熱体６が所望の性能を有しているか否かを検査することができる。なお、図１では、検査配線７の図示を省略している。
【００２２】
なお、検査工程は、多数個取り配線基板１を製造した後に行われる。すなわち、多数個取り配線基板１の製造工程を経た後に、検査工程が行われる。検査工程を経た後に、分割ラインＣに沿って基板領域２を基板として取り出す工程（取り出し工程）が行われる。
【００２３】
また、第１絶縁層１１の下面には、電極８が設けられている。電極８は、銀、銅、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料からなる。
【００２４】
また、第１絶縁層１１には、発熱体６と電極８とを電気的に接続するための貫通導体９が埋設されている。貫通導体９は、銀、銅、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料からなる。なお、貫通導体９に、例えば、ニッケル、金等のめっき膜が施されていてもよい。これにより、多数個取り配線基板１から取り出した基板を、例えば、温度ヒューズ、ガスセンサ用の基板として用いた場合、電極８および貫通導体９を介して、発熱体６へ電圧を印加することが可能となる。
【００２５】
なお、上記では、第１絶縁層１１には、発熱体６と電極８とを電気的に接続するための貫通導体９が埋設されている例について説明したが、これに限定されない。すなわち、基板領域２の一部にキャスタレーションを形成し、このキャスタレーションによって発熱体６と電極８とを電気的に接続してもよい。例えば、基板領域２の少なくとも一辺の一部に形成された切欠４に側面導体を設けることにより、この側面導体によって発熱体６と電極８とを電気的に接続する。この側面導体も、貫通導体９と同様、銀、銅、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料からなる。また、側面導体に、例えば、ニッケル、金等のめっき膜が施されていてもよい。
【００２６】
以上のように、本実施形態に係る多数個取り配線基板１は、基板領域２の一辺を除く周囲の辺に空隙３が形成されている。このため、個片化する前に、発熱体６が所望の性能を有しているか否か検査した場合であっても、発熱体６の熱は、基板領域２内に蓄熱する（こもる）ことになる。すなわち、発熱体６が存在しない部位には、発熱体６からの熱の影響は抑制される。そのため、発熱体６が設けられた部位（基板領域２）と、発熱体６が存在しない部位との間での熱応力の発生が抑制される。この結果、多数個取り配線基板１にクラックが生じる可能性を低減できる。
【符号の説明】
【００２７】
１ 多数個取り配線基板
２ａ〜２ｏ 基板領域
３ 空隙
４ 切欠
６ 発熱体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板として取り出されるべき基板領域が複数形成された多数個取り基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
温度ヒューズ、ガスセンサ等に用いられる基板は、一般に、多数個取り基板を個片化することによって作製される（例えば、特許文献１参照）。この多数個取り基板は、基板として取り出されるべき基板領域が複数形成されている。この基板領域には、発熱体が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−０１０１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来の多数個取り基板では、個片化する前に、発熱体が所望の性能を有しているか否か、検査する必要がある。具体的には、基板領域に設けられた発熱体を、短時間のうちに所望の温度に上昇させることによって、発熱体が所望の性能を有しているか否かを検査する。しかしながら、基板領域に設けられた発熱体を発熱させると、多数個取り基板において、発熱体が設けられた部位と発熱体が存在しない部位との間で熱応力が発生し、クラックが生じる可能性があった。
【０００５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、クラックが生じる可能性を低減できる多数個取り基板に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明における多数個取り基板は、基板として取り出されるべき基板領域が複数形成された多数個取り基板であって、前記基板領域には発熱体が設けられており、前記基板領域の一辺を除く周囲の辺には空隙が形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の多数個取り基板は、クラックが生じる可能性を低減できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る多数個取り配線基板の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１中に示したＡの部分を拡大した図である。
【図３】図２中に示した切断線Ｉ−Ｉに沿って切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る多数個取り配線基板１の概略構成を示す平面図である。図１に示すように、多数個取り配線基板１は、基板として取り出されるべき基板領域２ａ〜２ｏが、縦横の並びに複数配列形成されている。なお、図１では、基板領域２ａ〜２ｏが１５個形成されている例について図示したが、これに限定されない。すなわち、多数個取り基板１に形成されるべき基板領域の数については、任意である。
【００１１】
ここで、以下では、基板領域を説明する際、特に区別する必要のある場合にのみ、例えば、基板領域２ａのように、それぞれを区別するための英小文字を付して説明し、特に区別する必要がない場合、あるいは、総称する場合には、例えば、基板領域２のように、英小文字を付さずに説明する。
【００１２】
多数個取り配線基板１は、基板領域２の一辺を除く周囲の辺に空隙３が形成されている。空隙３が形成されている理由については後述する。なお、空隙３の幅や形状については任意である。
【００１３】
また、多数個取り配線基板１は、基板領域２の少なくとも一辺の一部に切欠４が形成されていることが好ましい。ここで、この切欠４は、基板領域２の表面を切り欠いた溝である。本実施形態では、基板領域２の一辺の一部に２個の切欠４が形成されているが、これに限定されない。なお、空隙３と同様、切欠４も幅、形状、数については任意である。切欠４が形成されているので、分割ラインＣに沿って基板領域２を基板として容易に取り出すことができる。なお、切欠４は、例えば、金型、レーザ等により形成される。
【００１４】
なお、切欠４の代わりに、基板領域２を貫く切抜が形成されていてもよい。
【００１５】
ここで、多数個取り配線基板１から取り出した基板は、例えば、温度ヒューズ、ガスセンサ用の基板として用いられる。
【００１６】
図２は、図１中に示したＡの部分を拡大した図である。図３は、図２中に示した切断線Ｉ−Ｉに沿って切断した断面図である。
【００１７】
図２に示すように、基板領域２ｆ（２）には、載置部５が設けられている。例えば、基板がガスセンサ用の基板として用いられる場合、載置部５は、ガス感応体（例えば、触媒、金属酸化物半導体等）が載置されるための役割を担うことになる。
【００１８】
また、図３に示すように、多数個取り配線基板１は、第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１に積層された第２絶縁層１２とを含んでいる。第１絶縁層１１および第２絶縁層１２は、例えば、セラミック、シリコン、ガラス等の絶縁性材料からなるが、特に、セラミックからなるのが好ましい。セラミックは、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体、ガラスセラミック焼結体等である。
【００１９】
なお、図３では、多数個取り基板１は、第１絶縁層１１および第２絶縁層１２の２つの絶縁層を含んでいる例について図示したが、これに限定されない。すなわち、多数個取り基板１は、任意の数の絶縁層を含んでいてもよい。
【００２０】
また、第１絶縁層１１の上面には、発熱体６が設けられている。すなわち、発熱体６は、第１絶縁層１１と第２絶縁層１２との間に埋設されている。発熱体６は、発熱する役割を担う部材である。発熱体６は、例えば、白金、モリブデン、タンタル、タングステン等からなる。例えば、基板がガスセンサ用の基板として用いられる場合、発熱体６は、載置部５に載置されるべきガス感応体を熱によって活性化する役割を担うことになる。
【００２１】
また、第１絶縁層１１の上面には、検査配線７が設けられている。この検査配線７は、発熱体６と電気的に接続されている。検査配線７を介して発熱体６に電圧を印加することにより、発熱体６は、検査工程において発熱することができる。これにより、発熱体６が所望の性能を有しているか否かを検査することができる。なお、図１では、検査配線７の図示を省略している。
【００２２】
なお、検査工程は、多数個取り配線基板１を製造した後に行われる。すなわち、多数個取り配線基板１の製造工程を経た後に、検査工程が行われる。検査工程を経た後に、分割ラインＣに沿って基板領域２を基板として取り出す工程（取り出し工程）が行われる。
【００２３】
また、第１絶縁層１１の下面には、電極８が設けられている。電極８は、銀、銅、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料からなる。
【００２４】
また、第１絶縁層１１には、発熱体６と電極８とを電気的に接続するための貫通導体９が埋設されている。貫通導体９は、銀、銅、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料からなる。なお、貫通導体９に、例えば、ニッケル、金等のめっき膜が施されていてもよい。これにより、多数個取り配線基板１から取り出した基板を、例えば、温度ヒューズ、ガスセンサ用の基板として用いた場合、電極８および貫通導体９を介して、発熱体６へ電圧を印加することが可能となる。
【００２５】
なお、上記では、第１絶縁層１１には、発熱体６と電極８とを電気的に接続するための貫通導体９が埋設されている例について説明したが、これに限定されない。すなわち、基板領域２の一部にキャスタレーションを形成し、このキャスタレーションによって発熱体６と電極８とを電気的に接続してもよい。例えば、基板領域２の少なくとも一辺の一部に形成された切欠４に側面導体を設けることにより、この側面導体によって発熱体６と電極８とを電気的に接続する。この側面導体も、貫通導体９と同様、銀、銅、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料からなる。また、側面導体に、例えば、ニッケル、金等のめっき膜が施されていてもよい。
【００２６】
以上のように、本実施形態に係る多数個取り配線基板１は、基板領域２の一辺を除く周囲の辺に空隙３が形成されている。このため、個片化する前に、発熱体６が所望の性能を有しているか否か検査した場合であっても、発熱体６の熱は、基板領域２内に蓄熱する（こもる）ことになる。すなわち、発熱体６が存在しない部位には、発熱体６からの熱の影響は抑制される。そのため、発熱体６が設けられた部位（基板領域２）と、発熱体６が存在しない部位との間での熱応力の発生が抑制される。この結果、多数個取り配線基板１にクラックが生じる可能性を低減できる。
【符号の説明】
【００２７】
１ 多数個取り配線基板
２ａ〜２ｏ 基板領域
３ 空隙
４ 切欠
６ 発熱体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板として取り出されるべき基板領域が複数形成された多数個取り基板であって、
前記基板領域には発熱体が設けられており、
前記基板領域の一辺を除く周囲の辺には空隙が形成されていることを特徴とする多数個取り基板。
【請求項２】
前記基板領域の一辺の一部には、切欠または切抜が形成されている、請求項１に記載の多数個取り基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の多数個取り基板において前記基板領域を取り出すことにより得られる、基板。
【請求項１】
基板として取り出されるべき基板領域が複数形成された多数個取り基板であって、
前記基板領域には発熱体が設けられており、
前記基板領域の一辺を除く周囲の辺には空隙が形成されていることを特徴とする多数個取り基板。
【請求項２】
前記基板領域の一辺の一部には、切欠または切抜が形成されている、請求項１に記載の多数個取り基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の多数個取り基板において前記基板領域を取り出すことにより得られる、基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１１−１４６４１８（Ｐ２０１１−１４６４１８Ａ）
【公開日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−３７３６（Ｐ２０１０−３７３６）
【出願日】平成２２年１月１２日（２０１０．１．１２）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月１２日（２０１０．１．１２）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]