弾性波素子、およびこれを用いた電子機器
【課題】弾性波素子の歩留まりを向上。
【解決手段】弾性波素子であって、圧電基板と、圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、圧電基板上に設けられ、ＩＤＴ電極に電気的に接続された内部電極と、内部電極上であって、ＩＤＴ電極の周囲に設けられた側壁と、側壁上に、ＩＤＴ電極上の空間を覆うように設けられた蓋体と、内部電極上であって、側壁の外側に設けられた電極下地層と、電極下地層上に設けられた接続電極とを備え、接続電極は、電極下地層上に設けられた第一接続電極と、第一接続電極上に設けられた第二接続電極とを有し、第二接続電極の水平断面形状が非円形状である。
【解決手段】弾性波素子であって、圧電基板と、圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、圧電基板上に設けられ、ＩＤＴ電極に電気的に接続された内部電極と、内部電極上であって、ＩＤＴ電極の周囲に設けられた側壁と、側壁上に、ＩＤＴ電極上の空間を覆うように設けられた蓋体と、内部電極上であって、側壁の外側に設けられた電極下地層と、電極下地層上に設けられた接続電極とを備え、接続電極は、電極下地層上に設けられた第一接続電極と、第一接続電極上に設けられた第二接続電極とを有し、第二接続電極の水平断面形状が非円形状である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波素子、およびこれを用いた携帯電話等の電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の弾性波素子について、図面を用いて説明する。図１３は、従来の弾性波素子の断面模式図である。
【０００３】
従来の弾性波素子１０１は、圧電基板１０２、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ−Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１０３、内部電極１０４、外部電極１１１、側壁１０５、蓋体１０７、絶縁体１１０および接続電極１１２を備えている。
【０００４】
ＩＤＴ電極１０３は、圧電基板１０２上に設けられている。内部電極１０４は、圧電基板１０２上に設けられ、ＩＤＴ電極１０３と電気的に接続されている。外部電極１１１は、絶縁体１１０の上に設けられ、外部の回路と接続されている。接続電極１１２は、内部電極１０４上に、電極下地層１０９を介して形成されている。また、接続電極１１２は、絶縁体１１０を貫通するように設けられ、外部電極１１１と内部電極１０４とを電極下地層１０９を介して電気的に接続している。
【０００５】
側壁１０５は、内部電極１０４上であって、ＩＤＴ電極１０３の周囲に設けられている。蓋体１０７は、側壁１０５上に、接着層１０６を介して、ＩＤＴ電極１０３上の空間１０８を覆うように設けられている。
【０００６】
さらに、弾性波素子１０１は、蓋体１０７の上に蓋体下地層１１３を設け、蓋体下地層１１３の上に蓋体補強層１１４を形成することにより、蓋体１０７の補強を図っている。
【０００７】
尚、この出願に関する先行文献として、例えば特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００６／１０６８３１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
電極下地層１０９の上側に設置される接続電極１１２は、二回の電解メッキ処理によって形成される。接続電極１１２は、電極下地層１０９の上側であって、一度目の電解メッキ処理によって設けられた第一接続電極１１２ａと、二度目の電解メッキ処理によって設けられる第二接続電極１１２ｂとから構成される。第二接続電極１１２ｂの水平断面形状（圧電基板１０２の主面に対し平行な断面の形状）は円形である。
【００１０】
第二接続電極１１２ｂを形成する際には、二度目の電解メッキ処理を行う前に、第一接続電極１１２ａとその周辺の上面に感光性レジストを形成する。次に、このレジストの上側であって、第一接続電極１１２ａの上面部分に円形状のマスクを設け、マスクの上面から感光性レジストに光を当てて、このマスク周辺のレジストを固める。次に、現像液に浸してマスクの下部分のレジストを溶解して取り除くことにより、水平断面形状が円形である開口部を形成する。その後、二度目の電解メッキ処理を行うことによって、この開口部に第二接続電極１１２ｂを形成することができる。
【００１１】
マスクの上面から感光性レジストに光を当てたとき、光は感光性のレジストを透過して第一接続電極１１２ａの上面を照射する。照射した光は第一接続電極１１２ａの上面の凹凸により反射され、その反射光がマスクの下部分のレジストを照射してしまう。
【００１２】
円形状のマスクの下部分のレジストは、水平断面形状が円形の円柱体となる。この円柱体の周縁部の壁面が、第一接続電極１１２ａ上面の凹凸により反射された反射光をさらに反射する光源となってしまう。そして、円柱体の壁面により反射された光は円形状の水平断面の中心に集中し、円柱体の中心の縦軸に光の合点軸が形成される。
【００１３】
このため、合点軸付近の感光性のレジストは、その合点軸に集中された光のエネルギーによって固まり、レジスト塊が形成されてしまう。その後、現像液に浸すことによってマスク下部分のレジストを溶解し、水平断面が円形状である開口部を形成しようとしても、合点軸付近で形成されたレジスト塊は溶解されずに開口部の中に残ってしまう。
【００１４】
この結果、二度目の電解メッキ処理により開口部に形成される、第二接続電極１１２ｂの信頼性が低下して、弾性波素子の歩留まりが悪くなるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の弾性波素子は、圧電基板、ＩＤＴ電極、内部電極、側壁、蓋体、電極下地層、および、接続電極を備えている。ＩＤＴ電極は、圧電基板上に設けられている。内部電極は、圧電基板上に設けられ、ＩＤＴ電極に電気的に接続されている。側壁は、内部電極上であって、ＩＤＴ電極の周囲に設けられている。蓋体は、側壁上に、ＩＤＴ電極上の空間を覆うように設けられている。電極下地層は、内部電極上であって、側壁の外側に設けられている。接続電極は、電極下地層上に設けられている。さらに、接続電極は、電極下地層上に設けられた第一接続電極と、第一接続電極上に設けられた第二接続電極とを有し、第二接続電極の水平断面形状が非円形状である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の弾性波素子においては、第二接続電極の水平断面形状を非円形状にしている。これにより、感光性レジストに光を当てて固めるとき、後に第二接続電極が形成されるべき部分において、合点軸に反射光が集中して感光性レジスト塊が形成されることを防止することができる。よって、第二接続電極の形成信頼性を高め、弾性波素子の歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の断面模式図
【図２Ａ】本発明の第１の実施の形態における、第二接続電極の断面形状を示す図
【図２Ｂ】本発明の第１の実施の形態における、第二接続電極の断面形状を示す図
【図２Ｃ】本発明の第１の実施の形態における、第二接続電極の断面形状を示す図
【図２Ｄ】本発明の第１の実施の形態における、第二接続電極の断面形状を示す図
【図３Ａ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図３Ｂ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図３Ｃ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図４Ａ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図４Ｂ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図４Ｃ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図５Ａ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図５Ｂ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図５Ｃ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図６】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の断面模式図
【図７】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の別の例を示す断面模式図
【図８Ａ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図８Ｂ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図８Ｃ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図９Ａ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図９Ｂ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図９Ｃ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図１０Ａ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図１０Ｂ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図１０Ｃ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図１１】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子のさらに別の例を示す断面模式図
【図１２】本発明の第２の実施の形態における、弾性波フィルタの内部電極、側壁、蓋体および無機絶縁膜のパターン配置を示す上面透視図
【図１３】従来の弾性波素子の断面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態における弾性波素子について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の断面模式図である。
【００２０】
弾性波素子１は、チップサイズパッケージ素子である。弾性波素子１は、圧電基板２と、圧電基板２の上面（主面）に設けられたＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ−Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極３と、ＩＤＴ電極３を外部環境から保護すべく、ＩＤＴ電極３を覆うように圧電基板２上に形成された絶縁体１０とを備えている。
【００２１】
弾性波素子１は、さらに、内部電極４、側壁５、蓋体７、接着層６、蓋体下地層１３、蓋体補強層１４、電極下地層９、外部電極１１、および、接続電極１２を備えている。
【００２２】
圧電基板２は、板厚１００〜３５０μｍ程度の単結晶圧電体を含む。圧電基板２は、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、またはニオブ酸カリウム系の基板を用いることができる。
【００２３】
ＩＤＴ電極３は、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の櫛形電極である。ＩＤＴ電極３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、もしくはモリブデンからなる単体金属、これらを主成分とする合金、または、それらの金属の積層物を用いることができる。
【００２４】
内部電極４は、圧電基板２の上に設けられ、ＩＤＴ電極３に電気的に接続されている。内部電極４は、ＩＤＴ電極３と外部電極１１とを電気的に接続する導体である。内部電極４の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、あるいは銀からなる単体金属、これらを主成分とする合金、またはそれらの金属の積層物を用いることができる。
【００２５】
側壁５は、内部電極４の上面に設けられている。側壁５は、ＩＤＴ電極３の周囲の少なくとも一部を囲む、高さが５〜１５μｍ程度の壁である。側壁５の材料としては、所定の形状に加工することが容易なことから、樹脂を用いることができる。
【００２６】
蓋体７は、側壁５の上に、ＩＤＴ電極３上の空間８を覆うように設けられている。蓋体７は、接着層６を介して側壁５の上部に接着されることにより保持された、厚みが１〜１０μｍ程度の天板である。蓋体７は、圧電基板２および側壁５とともにＩＤＴ電極３を収容している。蓋体７の材料として金属を用いると、機械的強度に優れるとともに、導電性を有するため、蓋体７の電位を制御することが可能となる。さらに、蓋体７の材料として銅を用いると、単結晶の圧電基板２と線膨張係数を実質的に等しくすることができる。
【００２７】
接着層６は、蓋体７と側壁５との間に設けられている。接着層６は、厚みが１〜１０μｍ程度の接着剤である。接着層６は、単位面積当たりの絶縁体１０に対する接着力が側壁５よりも大きな材料から構成される。接着層６は、例えば、エポキシ系、ポリフェニレン系、もしくは、ブタジエン系の樹脂、またはこれらの混合樹脂を含んでいる。
【００２８】
本明細書において、空間８とは、圧電基板２、側壁５および蓋体７によって囲まれた領域のことをいう。空間８は気密性を有し、その内部にＩＤＴ電極３を収容している。空間８内は、通常気圧の空気であってもよいが、減圧密封することで、ＩＤＴ電極３の腐食を防止できる。
【００２９】
蓋体補強層１４は、メッキ金属を含み、蓋体７の機械的強度を向上するために、蓋体７の上に、蓋体下地層１３を介して設けられている。蓋体補強層１４は、蓋体下地層１３の上面に電解メッキ処理により形成された、厚みが２０〜４０μｍ程度の層である。蓋体補強層１４の材質としては、銅、金、銀、白金、もしくは、ニッケルからなる単体金属、または、これらを主成分とする合金等を用いることができる。蓋体補強層１４として銅を用いると、機械的強度に優れ、かつ、線膨張係数を圧電基板２と整合させることができる。
【００３０】
蓋体下地層１３は、蓋体７上に形成された金属薄膜であり、蓋体補強層１４を形成する際の、電解メッキの下地となるものである。蓋体下地層１３の材料としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、もしくは、マグネシウムからなる単体金属、または、これらを主成分とする合金を用いることができる。特に、チタンは密着性が高いので、蓋体下地層１３の材料として好ましい。また、蓋体下地層１３を、チタンの上部に銅を形成して２層構造にすると、蓋体補強層１４が形成しやすい。
【００３１】
絶縁体１０は、圧電基板２上に、蓋体補強層１４を覆うように形成されている。絶縁体１０は、圧電基板２の主面上全体を覆うことにより、機械的衝撃等からＩＤＴ電極３等を保護する機能を有している。絶縁体１０の材質として熱硬化性樹脂を用いれば、取り扱い性に優れる。また、絶縁体１０の材料として、エポキシ樹脂を用いることが、耐熱性および気密性の点で好ましく、さらにエポキシ樹脂中に無機フィラーを含有させることが、線膨張係数を低減することができるので、さらに好ましい。無機フィラーとしては、アルミナ粉末、二酸化珪素粉末または酸化マグネシウム粉末等を用いることができる。なお、無機フィラーとしては、これらの粉末に限定されず、様々な無機系材料を使用することができる。この際、絶縁体１０と圧電基板２との密着性を向上させるために、これらの間に無機絶縁膜を形成してもよい。
【００３２】
電極下地層９は、内部電極４の上面、側壁５に対して空間８とは反対側、すなわち側壁５の外側の面、および、側壁５の上面の一部に設けられている。電極下地層９は金属薄膜である。電極下地層９の材質としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、もしくは、マグネシウムからなる単体金属、または、これらを主成分とする合金等の、内部電極４よりもメッキ液溶解性の低い材質を用いることができる。特に、チタンは密着性が高いので電極下地層９として好ましい。また、電極下地層９を、チタンの上部に銅を形成して２層構造にすると、後述する接続電極１２が形成しやすい。
【００３３】
接続電極１２は、電極下地層９を介して、内部電極４および側壁５上に電解メッキ処理により形成された電極である。接続電極１２は、メッキ金属を含み、電極下地層９の上に絶縁体１０を貫通するように設けられ、外部電極１１とＩＤＴ電極３とを電気的に接続している。
【００３４】
接続電極１２は、二度の電解メッキ処理を行うことによって形成される。本明細書では、一度目の電解メッキ処理によって形成された部分を第一接続電極１２ａ、二度目の電解メッキ処理によって形成された部分を第二接続電極１２ｂと、それぞれ称する。一度目の電解メッキ処理によって形成される第一接続電極１２ａの水平断面（圧電基板２の主面に対し平行な断面）の形状については、任意の形状とすることができる。本実施の形態において、二度目の電解メッキ処理で形成される第二接続電極１２ｂの水平断面は非円形状である。なお、接続電極１２の形成で二度の電解メッキ処理を実施する理由は、弾性波素子１を基板に実装する際の衝撃を直接圧電基板２に加わることを避けるのを目的として、側壁５がこの衝撃緩和層となるように第二接続電極１２と外部電極１１を側壁５の上方に設けるためである。
【００３５】
接続電極１２の材料としては、銅、金、銀、白金、もしくは、ニッケルからなる単体金属、または、これらを主成分とする合金を用いることができる。接続電極１２の材料として銅を用いると、機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を圧電基板２と整合させることができる。
【００３６】
外部電極１１は、絶縁体１０の外部に形成され、接続電極１２と電気的に接続する電極である。本実施の形態においては、外部電極１１と側壁５との間に絶縁体１０を形成しているので、外部電極１１は側壁５とは直接接しない構成となっている。
【００３７】
以上述べたように、本実施の形態の弾性波素子１においては、接続電極１２の第二接続電極１２ｂの水平断面を非円形状にしている。これによって、感光性レジストに光を当てて固める際に、後で二度目の電解メッキ処理によって第二接続電極１２ｂが形成されるべき部分において、水平断面を円形状とした場合のように、反射光が集中して合点軸付近で光のエネルギーが高くなることを抑制することができる。その結果、第二接続電極１２ｂの形成部分において、感光性レジスト塊が形成されることを防止し、第二接続電極１２ｂの形成信頼性を高め、弾性波素子１の歩留まりを向上することができる。また、第二接続電極１２ｂの水平断面を非円形状とすることで、第二接続電極１２ｂと接続電極１２との接触面積若しくは第二接続電極１２ｂと第一接続電極１１の接触面積が大きくなり、両者の接続信頼性が向上する。
【００３８】
図２Ａ〜Ｄは、本発明の第１の実施の形態における、第二接続電極１２ｂの断面形状を示す図である。なお、図２Ａ〜Ｄは、図１におけるＡＡ断面の形状を示すものである。第二接続電極１２ｂの断面形状を、非円形状であるとしているが、ここで、非円形状とは、円形状以外のすべての形状を含む。一例としては、第二接続電極１２ｂの断面形状を、図２Ａに示す四角形状、図２Ｂに示す、長軸と短軸の比が１.２以上である楕円形状、図２Ｃに示す、十六角形以下の多角形状（図２Ｃの例は六角形状）、または、図２Ｄに示す、その周縁に３５μｍ以上８０μｍ以下の直線部を有する形状とすることができる。
【００３９】
特に、第二接続電極１２ｂの水平断面形状の周縁部を、３５μｍ以上８０μｍ以下の直線部を有する構成とする事で、第二接続電極１２ｂの形成部分における感光性レジスト塊の形成を完全に防止することができ、弾性波素子１の歩留まりを大幅に向上することができる。なお、直線部以外の形状については、任意の形状とすることができ、図２Ｄに示した形状に限定されるものではない。
【００４０】
次に、本発明の第１の実施の形態における弾性波素子１の製造方法について、以下に説明する。
【００４１】
図３Ａ〜Ｃ、図４Ａ〜Ｃ、および、図５Ａ〜Ｃは、第１の実施の形態における弾性波素子１の製造工程を示す図である。
【００４２】
まず、図３Ａに示すように、圧電基板２の表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、複数のＩＤＴ電極３をスパッタ形成すると共に、内部電極４を蒸着形成する。
【００４３】
次に、図３Ｂに示すように、感光性のポリイミド系樹脂１６を圧電基板２の主面の全体に形成する。ポリイミド系樹脂１６は、スピンコート法、ディスペンス法、またはスクリーン印刷法等の膜形成方法により形成する。ポリイミド系樹脂１６は、ＩＤＴ電極３および内部電極４を覆うように形成する。ポリイミド系樹脂１６の形成方法としてスピンコート法を用いれば、均一な膜厚を形成することができる。
【００４４】
次に、ポリイミド系樹脂１６に対して、上面から露光、現像を行い、さらに熱硬化させる。これにより、図３Ｃに示すように、ＩＤＴ電極３を囲む側壁５を形成することができる。なお、この工程では、側壁５を所定の形状に加工した後に、必要に応じて加熱処理を施して、材料の硬化を促進させる。
【００４５】
次に、図４Ａに示す様に、蓋体７となる金属箔１７を、接着剤１８を介して側壁５の上面に貼り付ける。そして、その上からレジスト（図示せず）を用いたフォトリソグラフィにより、金属箔１７を所定のパターン形状にエッチングする。レジストを除去して、その後、接着剤１８の不要部分をドライエッチングにて除去することで、図４Ｂに示す様な、蓋体７と接着層６によってＩＤＴ電極３上の空間８を覆う構成を得ることができる。
【００４６】
なお、図４Ｂの構成において、側壁５の上面の全面に、蓋体７と接着層６とが残らないことが望ましい。すなわち、上方から見た場合に、蓋体７と接着層６とが、側壁５の上面の外縁部よりも内側に形成されていることが好ましい。これは、上方から見た場合に、蓋体７と接着層６とが、側壁５の上面より外側に突出していると、この後に下地層１９をスパッタ形成する際に、側壁５の外側面や、側壁５と圧電基板２との境界部に、下地層１９が付着しにくくなるという問題が生じ得るからである。
【００４７】
次に、図４Ｃに示す様に、内部電極４、側壁５および蓋体７の上面側を覆う下地層１９をスパッタにより形成する。そして、下地層１９の上面の、次に電解メッキ成長により形成する、接続電極１２および蓋体補強層１４以外の部分に、フォトリソグラフィ技術にてレジスト（図示せず）を形成する。この下地層１９の内、蓋体７の上面に形成された部分が蓋体下地層１３となり、内部電極４の上面に形成された部分が電極下地層９となる。
【００４８】
次に、図５Ａに示す様に、電極下地層９上に一度目の電解メッキ処理を施して、第一接続電極１２ａを形成する。このとき、同時に蓋体下地層１３の上面にも電解メッキ処理を施して、蓋体補強層１４を形成する。
【００４９】
次に、図５Ｂに示す様に、第一接続電極１２ａ上面と蓋体補強層１４の上面に感光性のレジスト２０を設ける。このレジスト２０の上側であって、第一接続電極１２ａ上面に対向する部分に、水平断面形状が非円形状であるマスク２１を設ける。例えば、マスク２１の水平断面形状は、図２Ａ〜Ｄに示したような、長軸と短軸の比が１.２以上である楕円形状、十六角形以下の多角形状、または、３５μｍ以上８０μｍ以下の直線部を有する形状とすることができる。
【００５０】
次に、マスク２１の上面よりレジスト２０に光２２を当てて、マスク２１を設けた部分以外のレジスト２０を固める。図５Ｂにおいて、光２２の一部は、感光性レジスト２０を透過して第一接続電極１２ａの上面を照射し、第一接続電極１２ａの上面の凹凸により反射される。そして、その反射光がマスク２１の周辺（直下部分を含む）のレジストを照射してしまう。よって、レジスト壁面２３が、第一接続電極１２ａの凹凸部分が反射した反射光をさらに反射する光源となってしまう可能性がある。
【００５１】
ここで、マスク２１の水平断面を、長軸と短軸の比が１.２以上の楕円形状とした場合、マスク２１の直下部分のレジスト２０は、水平断面が楕円形状の円柱体になる。したがって、レジスト壁面２３が反射した反射光は水平断面で二つの焦点に分かれて集中する。その焦点各々での光エネルギーは、水平断面を円形とした場合に、その円中心に集中する光エネルギーよりも弱い。すなわち、楕円の焦点各々を通る反射光の光エネルギーを合わせても、感光性のレジスト２０を固める程度の光エネルギーまで至らないので、マスク２１の直下部分にレジスト塊は形成されない。
【００５２】
また、マスク２１の水平断面形状を十六角形以下の多角形とした場合、マスク２１の直下部分のレジスト２０は、その水平断面形状が十六角形以下の多角柱体になる。したがって、レジスト壁面２３に反射された光は、水平断面内の至るところで合点を形成し、その夫々の合点での光エネルギーは、水平断面を円形とした場合に、その円中心に集中する光エネルギーよりも弱い。よって、第一接続電極１２ａの上面の凹凸により反射された夫々の合点を通る反射光を合わせても、感光性のレジスト２０を固める程度の光エネルギーまで至らないので、マスク２１の直下部分にレジスト塊は形成されない。
【００５３】
さらに、マスク２１の水平断面形状を、３５μｍ以上８０μｍ以下の直線部を有する形状としてもよいし、水平断面形状の重心から周囲までの距離が異なる形状としてもよい。これらの場合にも、レジスト壁面２３に反射された反射光は、感光性のレジスト２０を固める程度の光エネルギーまで至らないので、マスク２１の直下部分にレジスト塊は形成されない。
【００５４】
次に、図５Ｂまでの工程で製造された素子を現像液に浸し、上側にマスク２１を設けた部分のレジスト２０を溶解して取り除く。この結果、図５Ｃに示す様に、マスク２１を設けた下方部分には、マスク２１の水平断面形状に相当する水平断面形状を有する、開口部２４が形成される。
【００５５】
次に、二度目の電解メッキ処理を用いて、開口部２４に第二接続電極１２ｂを形成する。その水平断面形状は、上述のマスク２１の水平断面形状と同様になる。
【００５６】
なお、第二接続電極１２ｂの水平断面面積を、第一接続電極１２ａの水平断面面積より小さくすることで、第一接続電極１２ａの上面に第二接続電極１２ｂを確実に形成することができ、接続電極１２の接続信頼性を向上することができるので、歩留まりを向上することができる。なお、第二接続電極１２ｂの垂直断面形状（圧電基板２の主面に対し垂直な断面）は逆テーパー形状であることが望ましい。即ち、第二接続電極１２ｂの水平断面積が上から下に向けて（即ち、圧電基板２に近づくにつれて）小さくなることが望ましい。これは、レジスト２０の垂直断面形状を下から上に向けて広がるテーパ形状にすることで、第二接続電極１２ｂを形成するためのレジスト２０の穴へのメッキ液回りを良くし、二度目のメッキ処理におけるメッキ成長性を向上させるからである。
【００５７】
次に、剥離液中で素子を浸漬・揺動させて、レジストパターンを剥離する。その後、接続電極１２の上面を露出させながら、圧電基板２主面上の構造物を覆う絶縁体１０を形成する。この絶縁体１０の形成方法としては、印刷工法を用いる。
【００５８】
最後に、接続電極１２と電気的に接続される外部電極１１を、接続電極１２の上面に形成する。そして、ダイシングにより圧電基板２および絶縁体１０を同時に切断することにより、集合基板から、図１に示したような、個片の弾性波素子１を得ることができる。
【００５９】
なお、本実施の形態の弾性波素子１を、ラダー型フィルタやＤＭＳフィルタ等のフィルタに適用してもよい。さらに、弾性波素子１を適用したフィルタと、フィルタに接続された半導体集積回路素子と、半導体集積回路素子に接続された再生装置とを用いて電子機器を構成することも可能である。
【００６０】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態における弾性波素子について図面を参照しながら説明する。
【００６１】
図６は、本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の断面模式図である。
【００６２】
図６に示した弾性波素子５１は、チップサイズパッケージ素子である。弾性波素子５１は、圧電基板５２、ＩＤＴ電極５３、内部電極５４、側壁５５、蓋体５７、蓋体補強層６４、電極下地層５９、外部電極６１、接続電極６２、絶縁体６０、および、無機絶縁膜７０を備えている。
【００６３】
圧電基板５２は、板厚１００〜３５０μｍ程度の単結晶圧電体を含む。圧電基板５２は、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、またはニオブ酸カリウム系の基板である。
【００６４】
ＩＤＴ電極５３は、圧電基板５２の上面（主面）に設けられている。ＩＤＴ電極５３は、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の櫛形電極である。ＩＤＴ電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、もしくは、モリブデンからなる単体金属、これらを主成分とする合金、または、それらの金属の積層物を用いることができる。
【００６５】
内部電極５４は、圧電基板５２上に設けられ、ＩＤＴ電極５３に電気的に接続されている。内部電極５４は、ＩＤＴ電極５３と外部電極６１とを電気的に接続する導体である。内部電極５４の材料としては、例えば、アルミニウム、銅もしくは銀からなる単体金属、これらを主成分とする合金、または、それらの金属の積層物を用いることができる。
【００６６】
側壁５５は、圧電基板５２の上面または内部電極５４の上面であって、ＩＤＴ電極５３の周囲に設けられている。側壁５５は、ＩＤＴ電極５３の周囲の少なくとも一部を囲む、高さが５〜１５μｍ程度の壁である。側壁５５の材料としては、所定の形状に加工することが容易なことから樹脂を用いている。特に、側壁５５の材料として感光性樹脂を用いることで、圧電基板５２上に複数個の弾性波素子５１を作るための側壁５５を精度良く所望の形状に形成することが可能である。感光性樹脂としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、または感光性アクリレート樹脂等、感光性を有する樹脂材料であれば、様々な材料を用いることが可能である。感光性ポリイミド樹脂を用いれば、ガラス転移点が高いので、高温環境下での信頼性を高くすることができる。
【００６７】
蓋体５７は、側壁５５の上側に、ＩＤＴ電極５３上の空間５８を覆うように設けられている。蓋体５７は、側壁５５の上部に接着により保持された天板であり、圧電基板５２および側壁５５とともに、その内側の空間５８にＩＤＴ電極５３を収容している。蓋体５７の厚みは、１〜１０μｍ程度である。
【００６８】
接着層５６は、例えばエポキシ樹脂等の、単位面積当たりの絶縁体６０に対する接着力が、側壁５５よりも大きい材料を含む。接着層５６は、蓋体５７と側壁５５とを接着する。
【００６９】
蓋体５７として樹脂を用いる場合は、蓋体５７と接着層５６とが一体化され、所定の形状に加工することが容易な、感光性樹脂を含む接着シートを用いることが好ましい。感光性樹脂としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、または感光性アクリレート樹脂等の、感光性を有する様々な材料を用いることができる。なお、感光性ポリイミド樹脂を用いれば、ガラス転移点が高いので、高温環境下での信頼性を高くすることができる。
【００７０】
蓋体５７として金属を用いる場合には、接着層５６として、エポキシ系、ポリフェニレン系、もしくはブタジエン系の樹脂、またはこれらの混合樹脂を用いることができる。
【００７１】
蓋体５７として金属を用いた場合には、機械的強度に優れ、かつ導電性を有することにより蓋体５７の電位を制御することができる。さらに、蓋体５７として銅を用いると、単結晶の圧電基板５２と線膨張係数を実質的に等しくすることができる。
【００７２】
また、蓋体５７としては箔状のものを用いることができる、この場合、蓋体５７に、あらかじめ接着層５６を形成しておき、その後に側壁５５の上部に貼り付ける構成とすれば、製造上の取り扱いを便利にすることができる。
【００７３】
本明細書において、圧電基板５２、側壁５５および蓋体５７によって囲まれた領域のことを空間５８と記す。この空間５８は気密性を有するものであり、その内部にＩＤＴ電極５３が収容されている。この空間５８内は、通常気圧の空気であってもよいが、空間５８内を減圧密封すれば、ＩＤＴ電極５３の腐食を防止することができる。
【００７４】
蓋体下地層６３は、蓋体５７上に形成された金属薄膜である。蓋体下地層６３の材料としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、もしくは、マグネシウムからなる単体金属、または、これらを主成分とする合金を用いることができる。チタンを用いることにより、密着性を高くすることができる。また、蓋体下地層６３を、チタンの上部に銅を形成して２層構造にすることにより、蓋体補強層６４を形成しやすくできる。蓋体下地層６３は、蓋体補強層６４を形成する電解メッキの下地となるものである。
【００７５】
蓋体補強層６４はメッキ金属を含み、蓋体５７の機械的強度を向上すべく、蓋体５７の上に、蓋体下地層６３を介して設けられている。蓋体補強層６４は、蓋体下地層６３の上面に、電解メッキ処理により厚みが２０〜４０μｍ程度となるように形成された層である。蓋体補強層６４の材質としては、銅、金、銀、白金、もしくはニッケルからなる単体金属、またはこれらを主成分とする合金等を用いることができる。蓋体補強層６４の材料として銅を用いると、機械的強度に優れ、かつ、線膨張係数を圧電基板５２と整合させることができる。
【００７６】
電極下地層５９は、内部電極５４の上面、側壁５５に対して空間５８の反対側、つまり側壁５５の外側面、および、側壁５５の上面の一部に設けられている。電極下地層５９は金属薄膜であり、内部電極５４上であって、側壁５５の外側、すなわち、側壁５５を基準として、空間５８側とは逆側の、側壁５５の外側面に形成されている。電極下地層５９の材質としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、もしくはマグネシウムからなる単体金属、またはこれらを主成分とする合金等の、内部電極５４よりもメッキ液に対する溶解性の低い材質を用いることができる。チタンを用いれば、密着性を高くすることができる。また、電極下地層５９を、チタンの上部に銅を形成して２層構造にすると、後述する接続電極６２が形成しやすい。
【００７７】
絶縁体６０は、有機樹脂を含み、ＩＤＴ電極５３を外部環境から保護するために、ＩＤＴ電極５３を覆うように圧電基板５２上に形成されている。絶縁体６０は、蓋体補強層６４を覆うように形成されている。この絶縁体６０の材質として、熱硬化性樹脂を用いれば、取り扱い性に優れる。特に、エポキシ樹脂が、耐熱性および気密性の点で好ましく、さらにエポキシ樹脂中に無機フィラーを含有させることにより、線膨張係数を低減することができる。無機フィラーとしては、アルミナ粉末、酸化シリコン粉末、または酸化マグネシウム粉末等を用いることができる。なお、無機フィラーとしては、これらの粉末に限定されず、様々な無機系材料を使用することができる。
【００７８】
外部電極６１は、絶縁体６０の外部に形成され、接続電極６２と電気的に接続する電極である。本実施の形態においては、外部電極６１と側壁５５との間に絶縁体６０を形成しているので、外部電極６１は側壁５５とは直接接しない構成となっている。
【００７９】
接続電極６２はメッキ金属を含み、電極下地層５９上に絶縁体６０を貫通するように設けられ、外部電極６１とＩＤＴ電極５３とを電気的に接続している。接続電極６２は、電極下地層５９を介して、内部電極５４上に電解メッキ処理により形成された電極である。接続電極６２は、内部電極５４と電気的に接続されている。接続電極６２の材料としては、銅、金、銀、白金、もしくはニッケルからなる単体金属、またはこれらを主成分とする合金等を用いることができる。接続電極６２の材料として銅を用いると、機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を圧電基板５２と整合させることができる。
【００８０】
接続電極６２が入出力端子に接続される場合は、接続電極６２と、蓋体５７、蓋体下地層６３、および蓋体補強層６４とは、後述する無機絶縁膜７０の機能により、電気的に絶縁状態となる。一方、接続電極６２がグランド端子に接続される場合は、接続電極６２を、蓋体５７、蓋体下地層６３、および蓋体補強層６４に接続することで、グランド電位の安定を図ることができる。
【００８１】
弾性波素子５１は、絶縁体６０と蓋体５７との間、および、絶縁体６０と側壁５５との間に、無機絶縁膜７０を備えている。無機絶縁膜７０は、少なくとも、絶縁体６０側に面する、蓋体５７と側壁５５との境界部に設けられている。無機絶縁膜７０は、有機樹脂と比較して、湿気を通しにくい特徴を有している。したがって、絶縁体６０と蓋体５７との間、および、絶縁体６０と側壁５５との間であって、少なくとも側壁５５と蓋体５７との境界部に無機絶縁膜７０を形成することによって、湿気が蓋体５７と側壁５５の間を通過してＩＤＴ電極５３上の空間５８に浸入するのを防止する。その結果、弾性波素子５１の耐湿性を向上させ、ＩＤＴ電極５３が腐食されることによる経時的な特性劣化を防止することができる。
【００８２】
図６に示したように、弾性波素子５１においては、無機絶縁膜７０を、接続電極６２の外側（すなわち、接続電極６２に対して側壁５５とは逆側）における、絶縁体６０と圧電基板５２との間にも形成している。ただし、この部分に無機絶縁膜７０を形成することは、必須ではない。弾性波素子５１においては、有機樹脂と比較して湿気を通しにくい金属からなる接続電極６２と電極下地層５９とを、側壁５５の外側に設けている。これにより、絶縁体６０と圧電基板５２との間の湿気の浸入を防止することができる。
【００８３】
無機絶縁膜７０は、厚みが１μｍ〜１０μｍ程度の保護膜である。無機絶縁膜７０の材料としては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のうち、少なくとも１つを含む材料を用いることができる。例えば、絶縁体６０が酸化シリコンからなる無機フィラーを含む場合に、無機絶縁膜７０を酸化シリコンとすると、無機絶縁膜７０と絶縁体６０との接着力を向上させることができる。このように、無機絶縁膜７０に、絶縁体６０に含有される無機フィラーと同質材料を含ませることにより、無機絶縁膜７０と絶縁体６０との接着性を向上させることができる。
【００８４】
なお、蓋体５７が金属の場合には、素子外部からの湿気は、蓋体５７を通過しにくいが、接着層５６を比較的容易に通過する。この場合には、無機絶縁膜７０を、蓋体５７と絶縁体６０との間には形成せずに、接着層５６と絶縁体６０との間に形成する。これにより、湿気が接着層５６を通してＩＤＴ電極５３の空間５８に浸入するのを抑制することができる。また、蓋体５７が有機樹脂の場合には、無機絶縁膜７０を、蓋体５７と絶縁体６０との間全体に形成することにより、湿気が蓋体５７を通してＩＤＴ電極５３の空間５８に浸入するのを抑制することができる。
【００８５】
また、無機絶縁膜７０は、ＩＤＴ電極５３から発生する熱を素子外部に拡散させる作用も有する。例えば、側壁５５が有機樹脂の場合、無機絶縁膜７０は側壁５５より熱の伝導性に優れているので、ＩＤＴ電極５３から生じる熱は、無機絶縁膜７０を伝導して隣の接続電極６２等に拡散される。この結果、弾性波素子５１の放熱性を向上させることができる。
【００８６】
次に、本発明の第２の実施の形態における、弾性波素子の別の構成例について説明する。図７は、本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の別の例を示す、断面模式図である。
【００８７】
図７に示す弾性波素子７１は、図６に示した弾性波素子５１と比較して、接続電極６２を含まない点で異なる。また、弾性波素子７１は、絶縁体６０と蓋体５７との間、および、絶縁体６０と側壁５５との間にそれぞれ無機絶縁膜７０を備えると共に、圧電基板５２と絶縁体６０との間にも無機絶縁膜７０を備える。弾性波素子７１の構成によっても、湿気が、蓋体５７と側壁５５の間や、圧電基板５２と絶縁体６０との間等を通過して、ＩＤＴ電極５３上の空間５８に浸入することを防止できる。また、無機絶縁膜７０によって、放熱性を向上させることができる。
【００８８】
次に、第２の実施の形態における弾性波素子５１の製造方法について、図面を用いて説明する。
【００８９】
図８Ａ〜Ｃ、図９Ａ〜Ｃ、および、図１０Ａ〜Ｃは、それぞれ、本発明の第２の実施の形態における弾性波素子５１の製造工程を示す図である。
【００９０】
まず、図８Ａに示すように、圧電基板５２の表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、複数のＩＤＴ電極５３をスパッタ形成すると共に、内部電極５４を蒸着形成する。
【００９１】
次に、図８Ｂに示すように、感光性のポリイミド系樹脂６６を圧電基板５２上に、スピンコート法、ディスペンス法、またはスクリーン印刷法等の膜形成方法により形成する。ポリイミド系樹脂６６は、ＩＤＴ電極５３および内部電極５４を覆うように、圧電基板５２の主面の全面に形成する。ポリイミド系樹脂６６の形成方法としてスピンコート法を用いれば、均一な膜厚を形成することができる。
【００９２】
次に、ポリイミド系樹脂６６の上面から、露光、現像を行い、そして熱硬化させる。これにより、図８Ｃに示すように、ＩＤＴ電極５３を囲む側壁５５を形成することができる。この工程においては、側壁５５を、所定の形状に加工した後、必要に応じて加熱処理を施し、材料の硬化を促進させる。
【００９３】
次に、図９Ａに示す様に、蓋体５７となる金属箔６７を、接着剤６８を介して側壁５５の上面に貼り付ける。そして、その上からレジスト（図示せず）を用いて、フォトリソグラフィにより金属箔６７を所定のパターン形状にエッチングし、レジストを除去する。その後、接着剤６８の不要部分をドライエッチングにて除去することで、図９Ｂに示す様に、蓋体５７と接着層５６とによって、ＩＤＴ電極５３上の空間５８を覆う構成を得ることができる。
【００９４】
なお、側壁５５の上面の全面に蓋体５７と接着層５６とを残さないことが望ましい。すなわち、上方から見て、蓋体５７と接着層５６とが、側壁５５の上面の外縁部より内側に形成されていることが好ましい。これは、上方から見て蓋体５７と接着層５６が側壁５５の上面より外側に突出していると、この後に下地層をスパッタ形成する際、側壁５５の外側面や、側壁５５と圧電基板５２との境界部に下地層が付着しにくくなるという問題が生じ得るからである。
【００９５】
次に、図９Ｃに示す様に、内部電極５４、側壁５５、および、蓋体５７の上面側を覆う下地層を、スパッタにより形成する。そして、形成した下地層の上面に、追って電解メッキ成長により形成する接続電極６２および蓋体補強層６４以外の部分に、フォトリソグラフィ技術にてレジスト（図示せず）を形成する。この下地層の内、蓋体５７の上面に形成された部分が蓋体下地層６３となり、内部電極５４の上面に形成された部分が電極下地層５９となる。
【００９６】
次に、図１０Ａに示す様に、接続電極６２を形成する。具体的には、側壁５５上面の電極下地層５９において、接続電極６２を形成しない部分にレジストを形成した状態で、電極下地層５９上面の接続電極６２を形成する部分に、一度目の電解メッキ処理を施して、接続電極６２の一部を形成する。このとき、蓋体下地層６３の上面にも電解メッキ処理を施して、蓋体補強層６４を形成する。
【００９７】
一度目の電解メッキ処理後、蓋体補強層６４上面と、一度目の電解メッキ処理で形成された接続電極６２の上面で、二度目の電解メッキ処理を行わない部分とにレジストを形成する。その後、接続電極６２の一部に二度目の電解メッキ処理を施して、接続電極６２の残り部分を形成する。
【００９８】
次に、側壁５５の上面と蓋体５７の側面に形成されたレジストを剥離液で取り除き、下地層をエッチングで除去する。
【００９９】
その後、図１０Ｂに示す様に、接続電極６２と蓋体補強層６４の上面にフォトリソグラフィ技術にてレジスト(図示せず)を形成し、蒸着技術を用いて、露出した側壁５５の上面、蓋体５７の側面、および圧電基板５２の上面にポリシラザンからなる無機絶縁膜７０を形成する。このポリシラザンは、（ＳｉＨ2ＮＨ）−、を基本ユニットとする無機ポリマを含む。ポリシラザンは、焼成した後、常温になると緻密な酸化シリコン膜へ転化する。
【０１００】
次に、剥離液中で素子を浸漬・揺動させて、レジストパターンを剥離する。このとき、レジストを形成せずに、素子上面全体にポリシラザンを蒸着することで、最終形態として、図１１に示す弾性波素子８１の様に、蓋体補強層６４の上面や接続電極６２の側面にも無機絶縁膜７０を有する構成としても良い。図１１は、本発明の第２の実施の形態における弾性波素子のさらに別の例を示す断面模式図である。弾性波素子８１の構成によっても、湿気が、蓋体５７と側壁５５の間や、圧電基板５２と絶縁体６０との間等を通過して、ＩＤＴ電極５３上の空間５８に浸入することをさらに防止できる。また、無機絶縁膜７０によって、放熱性をさらに向上させることができる。
【０１０１】
次に、図１０Ｃに示す様に、接続電極６２の上面を露出させながら、圧電基板５２上面の無機絶縁膜７０の上部、および圧電基板５２主面上の構造物を覆う絶縁体６０を形成する。この絶縁体６０の形成方法としては、印刷工法を用いる。
【０１０２】
最後に、接続電極６２と電気的に接続される外部電極６１を、接続電極６２の上面に形成する。そして、ダイシングにより圧電基板５２および絶縁体６０を同時に切断することにより、集合基板から個片の弾性波素子５１を得る。
【０１０３】
次に、第２の実施の形態における弾性波素子５１，７１，８１を弾性波フィルタに適用したときの、内部電極５４、側壁５５、蓋体５７および無機絶縁膜７０のパターン配置について、図面を参照しながら説明する。
【０１０４】
図１２は、本発明の第２の実施の形態における、弾性波フィルタの内部電極５４、側壁５５、蓋体５７および無機絶縁膜７０のパターン配置を示す上面透視図である。なお、図１２において、蓋体補強層６４、絶縁体６０、接続電極６２等は省略して示している。
【０１０５】
弾性波素子５１，７１，８１を適用した弾性波フィルタ３２は、ラダー型フィルタである。弾性波フィルタ３２は、圧電基板５２の表面に、２個のパッド用内部電極５４ａ、配線用内部電極５４ｂ、複数の直列ＩＤＴ電極５３ａ、グランド用内部電極５４ｃ、および、並列ＩＤＴ電極５３ｂを備えている。
【０１０６】
２個のパッド用内部電極５４ａは、入出力端子（図示せず）に接続されている。複数の直列ＩＤＴ電極５３ａは、この２個のパッド用内部電極５４ａの間に、配線用内部電極５４ｂを介して直列に接続されている。グランド用内部電極５４ｃは、グランド端子（図示せず）に接続されている。並列ＩＤＴ電極５３ｂは、このグランド用内部電極５４ｃと配線用内部電極５４ｂの間に接続されている。
【０１０７】
図１２に示す破線のうち、内側の破線は、蓋体５７の配置を示す。この内側の破線に沿って蓋体５７の側面に配置された無機絶縁膜７０が存在する。さらに、内側の破線と外側の破線との間にも、側壁５５の上面に配置された無機絶縁膜７０が存在する。さらにまた、弾性波フィルタ３２の外周縁部の斜線部分には、圧電基板５２と絶縁体６０（図示せず）との間に配置された無機絶縁膜７０が存在する。
【０１０８】
図１２に示すように、圧電基板５２と絶縁体６０との間に設けられた無機絶縁膜７０は、湿気が弾性波素子５１，７１，８１の外部から素子内部に浸入するのを防止する。側壁５５と蓋体５７との境界部に設けられた無機絶縁膜７０は、素子内部に浸入した湿気がＩＤＴ電極５３の空間５８に浸入するのを抑制する。したがって、弾性波素子５１，７１，８１の耐湿性を向上することができる。
【０１０９】
なお、本実施の形態の弾性波素子５１，７１，８１を、ラダー型フィルタだけでなくＤＭＳ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｍｏｄｅ ＳＡＷ）フィルタ等の他のフィルタに適用することもできる。さらに、弾性波素子５１，７１，８１を適用したフィルタと、フィルタに接続された半導体集積回路素子(図示せず)と、半導体集積回路素子（図示せず）に接続された再生装置とを用いて、電子機器を構成することもできる。
【０１１０】
これにより、フィルタ、および、電子機器における通信品質劣化を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
以上述べたように、本発明の弾性波素子は、弾性波素子の歩留まりを向上するという効果を有し、移動体通信機器等の電子機器等への適用も可能である。
【符号の説明】
【０１１２】
１ 弾性波素子
２ 圧電基板
３ ＩＤＴ電極
４ 内部電極
５ 側壁
６ 接着層
７ 蓋体
８ 空間
９ 電極下地層
１０ 絶縁体
１１ 外部電極
１２ａ 第一接続電極
１２ｂ 第二接続電極
１３ 蓋体下地層
１４ 蓋体補強層
７０ 無機絶縁膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波素子、およびこれを用いた携帯電話等の電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の弾性波素子について、図面を用いて説明する。図１３は、従来の弾性波素子の断面模式図である。
【０００３】
従来の弾性波素子１０１は、圧電基板１０２、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ−Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１０３、内部電極１０４、外部電極１１１、側壁１０５、蓋体１０７、絶縁体１１０および接続電極１１２を備えている。
【０００４】
ＩＤＴ電極１０３は、圧電基板１０２上に設けられている。内部電極１０４は、圧電基板１０２上に設けられ、ＩＤＴ電極１０３と電気的に接続されている。外部電極１１１は、絶縁体１１０の上に設けられ、外部の回路と接続されている。接続電極１１２は、内部電極１０４上に、電極下地層１０９を介して形成されている。また、接続電極１１２は、絶縁体１１０を貫通するように設けられ、外部電極１１１と内部電極１０４とを電極下地層１０９を介して電気的に接続している。
【０００５】
側壁１０５は、内部電極１０４上であって、ＩＤＴ電極１０３の周囲に設けられている。蓋体１０７は、側壁１０５上に、接着層１０６を介して、ＩＤＴ電極１０３上の空間１０８を覆うように設けられている。
【０００６】
さらに、弾性波素子１０１は、蓋体１０７の上に蓋体下地層１１３を設け、蓋体下地層１１３の上に蓋体補強層１１４を形成することにより、蓋体１０７の補強を図っている。
【０００７】
尚、この出願に関する先行文献として、例えば特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００６／１０６８３１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
電極下地層１０９の上側に設置される接続電極１１２は、二回の電解メッキ処理によって形成される。接続電極１１２は、電極下地層１０９の上側であって、一度目の電解メッキ処理によって設けられた第一接続電極１１２ａと、二度目の電解メッキ処理によって設けられる第二接続電極１１２ｂとから構成される。第二接続電極１１２ｂの水平断面形状（圧電基板１０２の主面に対し平行な断面の形状）は円形である。
【００１０】
第二接続電極１１２ｂを形成する際には、二度目の電解メッキ処理を行う前に、第一接続電極１１２ａとその周辺の上面に感光性レジストを形成する。次に、このレジストの上側であって、第一接続電極１１２ａの上面部分に円形状のマスクを設け、マスクの上面から感光性レジストに光を当てて、このマスク周辺のレジストを固める。次に、現像液に浸してマスクの下部分のレジストを溶解して取り除くことにより、水平断面形状が円形である開口部を形成する。その後、二度目の電解メッキ処理を行うことによって、この開口部に第二接続電極１１２ｂを形成することができる。
【００１１】
マスクの上面から感光性レジストに光を当てたとき、光は感光性のレジストを透過して第一接続電極１１２ａの上面を照射する。照射した光は第一接続電極１１２ａの上面の凹凸により反射され、その反射光がマスクの下部分のレジストを照射してしまう。
【００１２】
円形状のマスクの下部分のレジストは、水平断面形状が円形の円柱体となる。この円柱体の周縁部の壁面が、第一接続電極１１２ａ上面の凹凸により反射された反射光をさらに反射する光源となってしまう。そして、円柱体の壁面により反射された光は円形状の水平断面の中心に集中し、円柱体の中心の縦軸に光の合点軸が形成される。
【００１３】
このため、合点軸付近の感光性のレジストは、その合点軸に集中された光のエネルギーによって固まり、レジスト塊が形成されてしまう。その後、現像液に浸すことによってマスク下部分のレジストを溶解し、水平断面が円形状である開口部を形成しようとしても、合点軸付近で形成されたレジスト塊は溶解されずに開口部の中に残ってしまう。
【００１４】
この結果、二度目の電解メッキ処理により開口部に形成される、第二接続電極１１２ｂの信頼性が低下して、弾性波素子の歩留まりが悪くなるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の弾性波素子は、圧電基板、ＩＤＴ電極、内部電極、側壁、蓋体、電極下地層、および、接続電極を備えている。ＩＤＴ電極は、圧電基板上に設けられている。内部電極は、圧電基板上に設けられ、ＩＤＴ電極に電気的に接続されている。側壁は、内部電極上であって、ＩＤＴ電極の周囲に設けられている。蓋体は、側壁上に、ＩＤＴ電極上の空間を覆うように設けられている。電極下地層は、内部電極上であって、側壁の外側に設けられている。接続電極は、電極下地層上に設けられている。さらに、接続電極は、電極下地層上に設けられた第一接続電極と、第一接続電極上に設けられた第二接続電極とを有し、第二接続電極の水平断面形状が非円形状である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の弾性波素子においては、第二接続電極の水平断面形状を非円形状にしている。これにより、感光性レジストに光を当てて固めるとき、後に第二接続電極が形成されるべき部分において、合点軸に反射光が集中して感光性レジスト塊が形成されることを防止することができる。よって、第二接続電極の形成信頼性を高め、弾性波素子の歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の断面模式図
【図２Ａ】本発明の第１の実施の形態における、第二接続電極の断面形状を示す図
【図２Ｂ】本発明の第１の実施の形態における、第二接続電極の断面形状を示す図
【図２Ｃ】本発明の第１の実施の形態における、第二接続電極の断面形状を示す図
【図２Ｄ】本発明の第１の実施の形態における、第二接続電極の断面形状を示す図
【図３Ａ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図３Ｂ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図３Ｃ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図４Ａ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図４Ｂ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図４Ｃ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図５Ａ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図５Ｂ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図５Ｃ】本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図６】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の断面模式図
【図７】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の別の例を示す断面模式図
【図８Ａ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図８Ｂ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図８Ｃ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図９Ａ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図９Ｂ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図９Ｃ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図１０Ａ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図１０Ｂ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図１０Ｃ】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の製造工程を示す図
【図１１】本発明の第２の実施の形態における弾性波素子のさらに別の例を示す断面模式図
【図１２】本発明の第２の実施の形態における、弾性波フィルタの内部電極、側壁、蓋体および無機絶縁膜のパターン配置を示す上面透視図
【図１３】従来の弾性波素子の断面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態における弾性波素子について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施の形態における弾性波素子の断面模式図である。
【００２０】
弾性波素子１は、チップサイズパッケージ素子である。弾性波素子１は、圧電基板２と、圧電基板２の上面（主面）に設けられたＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ−Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極３と、ＩＤＴ電極３を外部環境から保護すべく、ＩＤＴ電極３を覆うように圧電基板２上に形成された絶縁体１０とを備えている。
【００２１】
弾性波素子１は、さらに、内部電極４、側壁５、蓋体７、接着層６、蓋体下地層１３、蓋体補強層１４、電極下地層９、外部電極１１、および、接続電極１２を備えている。
【００２２】
圧電基板２は、板厚１００〜３５０μｍ程度の単結晶圧電体を含む。圧電基板２は、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、またはニオブ酸カリウム系の基板を用いることができる。
【００２３】
ＩＤＴ電極３は、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の櫛形電極である。ＩＤＴ電極３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、もしくはモリブデンからなる単体金属、これらを主成分とする合金、または、それらの金属の積層物を用いることができる。
【００２４】
内部電極４は、圧電基板２の上に設けられ、ＩＤＴ電極３に電気的に接続されている。内部電極４は、ＩＤＴ電極３と外部電極１１とを電気的に接続する導体である。内部電極４の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、あるいは銀からなる単体金属、これらを主成分とする合金、またはそれらの金属の積層物を用いることができる。
【００２５】
側壁５は、内部電極４の上面に設けられている。側壁５は、ＩＤＴ電極３の周囲の少なくとも一部を囲む、高さが５〜１５μｍ程度の壁である。側壁５の材料としては、所定の形状に加工することが容易なことから、樹脂を用いることができる。
【００２６】
蓋体７は、側壁５の上に、ＩＤＴ電極３上の空間８を覆うように設けられている。蓋体７は、接着層６を介して側壁５の上部に接着されることにより保持された、厚みが１〜１０μｍ程度の天板である。蓋体７は、圧電基板２および側壁５とともにＩＤＴ電極３を収容している。蓋体７の材料として金属を用いると、機械的強度に優れるとともに、導電性を有するため、蓋体７の電位を制御することが可能となる。さらに、蓋体７の材料として銅を用いると、単結晶の圧電基板２と線膨張係数を実質的に等しくすることができる。
【００２７】
接着層６は、蓋体７と側壁５との間に設けられている。接着層６は、厚みが１〜１０μｍ程度の接着剤である。接着層６は、単位面積当たりの絶縁体１０に対する接着力が側壁５よりも大きな材料から構成される。接着層６は、例えば、エポキシ系、ポリフェニレン系、もしくは、ブタジエン系の樹脂、またはこれらの混合樹脂を含んでいる。
【００２８】
本明細書において、空間８とは、圧電基板２、側壁５および蓋体７によって囲まれた領域のことをいう。空間８は気密性を有し、その内部にＩＤＴ電極３を収容している。空間８内は、通常気圧の空気であってもよいが、減圧密封することで、ＩＤＴ電極３の腐食を防止できる。
【００２９】
蓋体補強層１４は、メッキ金属を含み、蓋体７の機械的強度を向上するために、蓋体７の上に、蓋体下地層１３を介して設けられている。蓋体補強層１４は、蓋体下地層１３の上面に電解メッキ処理により形成された、厚みが２０〜４０μｍ程度の層である。蓋体補強層１４の材質としては、銅、金、銀、白金、もしくは、ニッケルからなる単体金属、または、これらを主成分とする合金等を用いることができる。蓋体補強層１４として銅を用いると、機械的強度に優れ、かつ、線膨張係数を圧電基板２と整合させることができる。
【００３０】
蓋体下地層１３は、蓋体７上に形成された金属薄膜であり、蓋体補強層１４を形成する際の、電解メッキの下地となるものである。蓋体下地層１３の材料としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、もしくは、マグネシウムからなる単体金属、または、これらを主成分とする合金を用いることができる。特に、チタンは密着性が高いので、蓋体下地層１３の材料として好ましい。また、蓋体下地層１３を、チタンの上部に銅を形成して２層構造にすると、蓋体補強層１４が形成しやすい。
【００３１】
絶縁体１０は、圧電基板２上に、蓋体補強層１４を覆うように形成されている。絶縁体１０は、圧電基板２の主面上全体を覆うことにより、機械的衝撃等からＩＤＴ電極３等を保護する機能を有している。絶縁体１０の材質として熱硬化性樹脂を用いれば、取り扱い性に優れる。また、絶縁体１０の材料として、エポキシ樹脂を用いることが、耐熱性および気密性の点で好ましく、さらにエポキシ樹脂中に無機フィラーを含有させることが、線膨張係数を低減することができるので、さらに好ましい。無機フィラーとしては、アルミナ粉末、二酸化珪素粉末または酸化マグネシウム粉末等を用いることができる。なお、無機フィラーとしては、これらの粉末に限定されず、様々な無機系材料を使用することができる。この際、絶縁体１０と圧電基板２との密着性を向上させるために、これらの間に無機絶縁膜を形成してもよい。
【００３２】
電極下地層９は、内部電極４の上面、側壁５に対して空間８とは反対側、すなわち側壁５の外側の面、および、側壁５の上面の一部に設けられている。電極下地層９は金属薄膜である。電極下地層９の材質としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、もしくは、マグネシウムからなる単体金属、または、これらを主成分とする合金等の、内部電極４よりもメッキ液溶解性の低い材質を用いることができる。特に、チタンは密着性が高いので電極下地層９として好ましい。また、電極下地層９を、チタンの上部に銅を形成して２層構造にすると、後述する接続電極１２が形成しやすい。
【００３３】
接続電極１２は、電極下地層９を介して、内部電極４および側壁５上に電解メッキ処理により形成された電極である。接続電極１２は、メッキ金属を含み、電極下地層９の上に絶縁体１０を貫通するように設けられ、外部電極１１とＩＤＴ電極３とを電気的に接続している。
【００３４】
接続電極１２は、二度の電解メッキ処理を行うことによって形成される。本明細書では、一度目の電解メッキ処理によって形成された部分を第一接続電極１２ａ、二度目の電解メッキ処理によって形成された部分を第二接続電極１２ｂと、それぞれ称する。一度目の電解メッキ処理によって形成される第一接続電極１２ａの水平断面（圧電基板２の主面に対し平行な断面）の形状については、任意の形状とすることができる。本実施の形態において、二度目の電解メッキ処理で形成される第二接続電極１２ｂの水平断面は非円形状である。なお、接続電極１２の形成で二度の電解メッキ処理を実施する理由は、弾性波素子１を基板に実装する際の衝撃を直接圧電基板２に加わることを避けるのを目的として、側壁５がこの衝撃緩和層となるように第二接続電極１２と外部電極１１を側壁５の上方に設けるためである。
【００３５】
接続電極１２の材料としては、銅、金、銀、白金、もしくは、ニッケルからなる単体金属、または、これらを主成分とする合金を用いることができる。接続電極１２の材料として銅を用いると、機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を圧電基板２と整合させることができる。
【００３６】
外部電極１１は、絶縁体１０の外部に形成され、接続電極１２と電気的に接続する電極である。本実施の形態においては、外部電極１１と側壁５との間に絶縁体１０を形成しているので、外部電極１１は側壁５とは直接接しない構成となっている。
【００３７】
以上述べたように、本実施の形態の弾性波素子１においては、接続電極１２の第二接続電極１２ｂの水平断面を非円形状にしている。これによって、感光性レジストに光を当てて固める際に、後で二度目の電解メッキ処理によって第二接続電極１２ｂが形成されるべき部分において、水平断面を円形状とした場合のように、反射光が集中して合点軸付近で光のエネルギーが高くなることを抑制することができる。その結果、第二接続電極１２ｂの形成部分において、感光性レジスト塊が形成されることを防止し、第二接続電極１２ｂの形成信頼性を高め、弾性波素子１の歩留まりを向上することができる。また、第二接続電極１２ｂの水平断面を非円形状とすることで、第二接続電極１２ｂと接続電極１２との接触面積若しくは第二接続電極１２ｂと第一接続電極１１の接触面積が大きくなり、両者の接続信頼性が向上する。
【００３８】
図２Ａ〜Ｄは、本発明の第１の実施の形態における、第二接続電極１２ｂの断面形状を示す図である。なお、図２Ａ〜Ｄは、図１におけるＡＡ断面の形状を示すものである。第二接続電極１２ｂの断面形状を、非円形状であるとしているが、ここで、非円形状とは、円形状以外のすべての形状を含む。一例としては、第二接続電極１２ｂの断面形状を、図２Ａに示す四角形状、図２Ｂに示す、長軸と短軸の比が１.２以上である楕円形状、図２Ｃに示す、十六角形以下の多角形状（図２Ｃの例は六角形状）、または、図２Ｄに示す、その周縁に３５μｍ以上８０μｍ以下の直線部を有する形状とすることができる。
【００３９】
特に、第二接続電極１２ｂの水平断面形状の周縁部を、３５μｍ以上８０μｍ以下の直線部を有する構成とする事で、第二接続電極１２ｂの形成部分における感光性レジスト塊の形成を完全に防止することができ、弾性波素子１の歩留まりを大幅に向上することができる。なお、直線部以外の形状については、任意の形状とすることができ、図２Ｄに示した形状に限定されるものではない。
【００４０】
次に、本発明の第１の実施の形態における弾性波素子１の製造方法について、以下に説明する。
【００４１】
図３Ａ〜Ｃ、図４Ａ〜Ｃ、および、図５Ａ〜Ｃは、第１の実施の形態における弾性波素子１の製造工程を示す図である。
【００４２】
まず、図３Ａに示すように、圧電基板２の表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、複数のＩＤＴ電極３をスパッタ形成すると共に、内部電極４を蒸着形成する。
【００４３】
次に、図３Ｂに示すように、感光性のポリイミド系樹脂１６を圧電基板２の主面の全体に形成する。ポリイミド系樹脂１６は、スピンコート法、ディスペンス法、またはスクリーン印刷法等の膜形成方法により形成する。ポリイミド系樹脂１６は、ＩＤＴ電極３および内部電極４を覆うように形成する。ポリイミド系樹脂１６の形成方法としてスピンコート法を用いれば、均一な膜厚を形成することができる。
【００４４】
次に、ポリイミド系樹脂１６に対して、上面から露光、現像を行い、さらに熱硬化させる。これにより、図３Ｃに示すように、ＩＤＴ電極３を囲む側壁５を形成することができる。なお、この工程では、側壁５を所定の形状に加工した後に、必要に応じて加熱処理を施して、材料の硬化を促進させる。
【００４５】
次に、図４Ａに示す様に、蓋体７となる金属箔１７を、接着剤１８を介して側壁５の上面に貼り付ける。そして、その上からレジスト（図示せず）を用いたフォトリソグラフィにより、金属箔１７を所定のパターン形状にエッチングする。レジストを除去して、その後、接着剤１８の不要部分をドライエッチングにて除去することで、図４Ｂに示す様な、蓋体７と接着層６によってＩＤＴ電極３上の空間８を覆う構成を得ることができる。
【００４６】
なお、図４Ｂの構成において、側壁５の上面の全面に、蓋体７と接着層６とが残らないことが望ましい。すなわち、上方から見た場合に、蓋体７と接着層６とが、側壁５の上面の外縁部よりも内側に形成されていることが好ましい。これは、上方から見た場合に、蓋体７と接着層６とが、側壁５の上面より外側に突出していると、この後に下地層１９をスパッタ形成する際に、側壁５の外側面や、側壁５と圧電基板２との境界部に、下地層１９が付着しにくくなるという問題が生じ得るからである。
【００４７】
次に、図４Ｃに示す様に、内部電極４、側壁５および蓋体７の上面側を覆う下地層１９をスパッタにより形成する。そして、下地層１９の上面の、次に電解メッキ成長により形成する、接続電極１２および蓋体補強層１４以外の部分に、フォトリソグラフィ技術にてレジスト（図示せず）を形成する。この下地層１９の内、蓋体７の上面に形成された部分が蓋体下地層１３となり、内部電極４の上面に形成された部分が電極下地層９となる。
【００４８】
次に、図５Ａに示す様に、電極下地層９上に一度目の電解メッキ処理を施して、第一接続電極１２ａを形成する。このとき、同時に蓋体下地層１３の上面にも電解メッキ処理を施して、蓋体補強層１４を形成する。
【００４９】
次に、図５Ｂに示す様に、第一接続電極１２ａ上面と蓋体補強層１４の上面に感光性のレジスト２０を設ける。このレジスト２０の上側であって、第一接続電極１２ａ上面に対向する部分に、水平断面形状が非円形状であるマスク２１を設ける。例えば、マスク２１の水平断面形状は、図２Ａ〜Ｄに示したような、長軸と短軸の比が１.２以上である楕円形状、十六角形以下の多角形状、または、３５μｍ以上８０μｍ以下の直線部を有する形状とすることができる。
【００５０】
次に、マスク２１の上面よりレジスト２０に光２２を当てて、マスク２１を設けた部分以外のレジスト２０を固める。図５Ｂにおいて、光２２の一部は、感光性レジスト２０を透過して第一接続電極１２ａの上面を照射し、第一接続電極１２ａの上面の凹凸により反射される。そして、その反射光がマスク２１の周辺（直下部分を含む）のレジストを照射してしまう。よって、レジスト壁面２３が、第一接続電極１２ａの凹凸部分が反射した反射光をさらに反射する光源となってしまう可能性がある。
【００５１】
ここで、マスク２１の水平断面を、長軸と短軸の比が１.２以上の楕円形状とした場合、マスク２１の直下部分のレジスト２０は、水平断面が楕円形状の円柱体になる。したがって、レジスト壁面２３が反射した反射光は水平断面で二つの焦点に分かれて集中する。その焦点各々での光エネルギーは、水平断面を円形とした場合に、その円中心に集中する光エネルギーよりも弱い。すなわち、楕円の焦点各々を通る反射光の光エネルギーを合わせても、感光性のレジスト２０を固める程度の光エネルギーまで至らないので、マスク２１の直下部分にレジスト塊は形成されない。
【００５２】
また、マスク２１の水平断面形状を十六角形以下の多角形とした場合、マスク２１の直下部分のレジスト２０は、その水平断面形状が十六角形以下の多角柱体になる。したがって、レジスト壁面２３に反射された光は、水平断面内の至るところで合点を形成し、その夫々の合点での光エネルギーは、水平断面を円形とした場合に、その円中心に集中する光エネルギーよりも弱い。よって、第一接続電極１２ａの上面の凹凸により反射された夫々の合点を通る反射光を合わせても、感光性のレジスト２０を固める程度の光エネルギーまで至らないので、マスク２１の直下部分にレジスト塊は形成されない。
【００５３】
さらに、マスク２１の水平断面形状を、３５μｍ以上８０μｍ以下の直線部を有する形状としてもよいし、水平断面形状の重心から周囲までの距離が異なる形状としてもよい。これらの場合にも、レジスト壁面２３に反射された反射光は、感光性のレジスト２０を固める程度の光エネルギーまで至らないので、マスク２１の直下部分にレジスト塊は形成されない。
【００５４】
次に、図５Ｂまでの工程で製造された素子を現像液に浸し、上側にマスク２１を設けた部分のレジスト２０を溶解して取り除く。この結果、図５Ｃに示す様に、マスク２１を設けた下方部分には、マスク２１の水平断面形状に相当する水平断面形状を有する、開口部２４が形成される。
【００５５】
次に、二度目の電解メッキ処理を用いて、開口部２４に第二接続電極１２ｂを形成する。その水平断面形状は、上述のマスク２１の水平断面形状と同様になる。
【００５６】
なお、第二接続電極１２ｂの水平断面面積を、第一接続電極１２ａの水平断面面積より小さくすることで、第一接続電極１２ａの上面に第二接続電極１２ｂを確実に形成することができ、接続電極１２の接続信頼性を向上することができるので、歩留まりを向上することができる。なお、第二接続電極１２ｂの垂直断面形状（圧電基板２の主面に対し垂直な断面）は逆テーパー形状であることが望ましい。即ち、第二接続電極１２ｂの水平断面積が上から下に向けて（即ち、圧電基板２に近づくにつれて）小さくなることが望ましい。これは、レジスト２０の垂直断面形状を下から上に向けて広がるテーパ形状にすることで、第二接続電極１２ｂを形成するためのレジスト２０の穴へのメッキ液回りを良くし、二度目のメッキ処理におけるメッキ成長性を向上させるからである。
【００５７】
次に、剥離液中で素子を浸漬・揺動させて、レジストパターンを剥離する。その後、接続電極１２の上面を露出させながら、圧電基板２主面上の構造物を覆う絶縁体１０を形成する。この絶縁体１０の形成方法としては、印刷工法を用いる。
【００５８】
最後に、接続電極１２と電気的に接続される外部電極１１を、接続電極１２の上面に形成する。そして、ダイシングにより圧電基板２および絶縁体１０を同時に切断することにより、集合基板から、図１に示したような、個片の弾性波素子１を得ることができる。
【００５９】
なお、本実施の形態の弾性波素子１を、ラダー型フィルタやＤＭＳフィルタ等のフィルタに適用してもよい。さらに、弾性波素子１を適用したフィルタと、フィルタに接続された半導体集積回路素子と、半導体集積回路素子に接続された再生装置とを用いて電子機器を構成することも可能である。
【００６０】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態における弾性波素子について図面を参照しながら説明する。
【００６１】
図６は、本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の断面模式図である。
【００６２】
図６に示した弾性波素子５１は、チップサイズパッケージ素子である。弾性波素子５１は、圧電基板５２、ＩＤＴ電極５３、内部電極５４、側壁５５、蓋体５７、蓋体補強層６４、電極下地層５９、外部電極６１、接続電極６２、絶縁体６０、および、無機絶縁膜７０を備えている。
【００６３】
圧電基板５２は、板厚１００〜３５０μｍ程度の単結晶圧電体を含む。圧電基板５２は、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、またはニオブ酸カリウム系の基板である。
【００６４】
ＩＤＴ電極５３は、圧電基板５２の上面（主面）に設けられている。ＩＤＴ電極５３は、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の櫛形電極である。ＩＤＴ電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、もしくは、モリブデンからなる単体金属、これらを主成分とする合金、または、それらの金属の積層物を用いることができる。
【００６５】
内部電極５４は、圧電基板５２上に設けられ、ＩＤＴ電極５３に電気的に接続されている。内部電極５４は、ＩＤＴ電極５３と外部電極６１とを電気的に接続する導体である。内部電極５４の材料としては、例えば、アルミニウム、銅もしくは銀からなる単体金属、これらを主成分とする合金、または、それらの金属の積層物を用いることができる。
【００６６】
側壁５５は、圧電基板５２の上面または内部電極５４の上面であって、ＩＤＴ電極５３の周囲に設けられている。側壁５５は、ＩＤＴ電極５３の周囲の少なくとも一部を囲む、高さが５〜１５μｍ程度の壁である。側壁５５の材料としては、所定の形状に加工することが容易なことから樹脂を用いている。特に、側壁５５の材料として感光性樹脂を用いることで、圧電基板５２上に複数個の弾性波素子５１を作るための側壁５５を精度良く所望の形状に形成することが可能である。感光性樹脂としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、または感光性アクリレート樹脂等、感光性を有する樹脂材料であれば、様々な材料を用いることが可能である。感光性ポリイミド樹脂を用いれば、ガラス転移点が高いので、高温環境下での信頼性を高くすることができる。
【００６７】
蓋体５７は、側壁５５の上側に、ＩＤＴ電極５３上の空間５８を覆うように設けられている。蓋体５７は、側壁５５の上部に接着により保持された天板であり、圧電基板５２および側壁５５とともに、その内側の空間５８にＩＤＴ電極５３を収容している。蓋体５７の厚みは、１〜１０μｍ程度である。
【００６８】
接着層５６は、例えばエポキシ樹脂等の、単位面積当たりの絶縁体６０に対する接着力が、側壁５５よりも大きい材料を含む。接着層５６は、蓋体５７と側壁５５とを接着する。
【００６９】
蓋体５７として樹脂を用いる場合は、蓋体５７と接着層５６とが一体化され、所定の形状に加工することが容易な、感光性樹脂を含む接着シートを用いることが好ましい。感光性樹脂としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、または感光性アクリレート樹脂等の、感光性を有する様々な材料を用いることができる。なお、感光性ポリイミド樹脂を用いれば、ガラス転移点が高いので、高温環境下での信頼性を高くすることができる。
【００７０】
蓋体５７として金属を用いる場合には、接着層５６として、エポキシ系、ポリフェニレン系、もしくはブタジエン系の樹脂、またはこれらの混合樹脂を用いることができる。
【００７１】
蓋体５７として金属を用いた場合には、機械的強度に優れ、かつ導電性を有することにより蓋体５７の電位を制御することができる。さらに、蓋体５７として銅を用いると、単結晶の圧電基板５２と線膨張係数を実質的に等しくすることができる。
【００７２】
また、蓋体５７としては箔状のものを用いることができる、この場合、蓋体５７に、あらかじめ接着層５６を形成しておき、その後に側壁５５の上部に貼り付ける構成とすれば、製造上の取り扱いを便利にすることができる。
【００７３】
本明細書において、圧電基板５２、側壁５５および蓋体５７によって囲まれた領域のことを空間５８と記す。この空間５８は気密性を有するものであり、その内部にＩＤＴ電極５３が収容されている。この空間５８内は、通常気圧の空気であってもよいが、空間５８内を減圧密封すれば、ＩＤＴ電極５３の腐食を防止することができる。
【００７４】
蓋体下地層６３は、蓋体５７上に形成された金属薄膜である。蓋体下地層６３の材料としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、もしくは、マグネシウムからなる単体金属、または、これらを主成分とする合金を用いることができる。チタンを用いることにより、密着性を高くすることができる。また、蓋体下地層６３を、チタンの上部に銅を形成して２層構造にすることにより、蓋体補強層６４を形成しやすくできる。蓋体下地層６３は、蓋体補強層６４を形成する電解メッキの下地となるものである。
【００７５】
蓋体補強層６４はメッキ金属を含み、蓋体５７の機械的強度を向上すべく、蓋体５７の上に、蓋体下地層６３を介して設けられている。蓋体補強層６４は、蓋体下地層６３の上面に、電解メッキ処理により厚みが２０〜４０μｍ程度となるように形成された層である。蓋体補強層６４の材質としては、銅、金、銀、白金、もしくはニッケルからなる単体金属、またはこれらを主成分とする合金等を用いることができる。蓋体補強層６４の材料として銅を用いると、機械的強度に優れ、かつ、線膨張係数を圧電基板５２と整合させることができる。
【００７６】
電極下地層５９は、内部電極５４の上面、側壁５５に対して空間５８の反対側、つまり側壁５５の外側面、および、側壁５５の上面の一部に設けられている。電極下地層５９は金属薄膜であり、内部電極５４上であって、側壁５５の外側、すなわち、側壁５５を基準として、空間５８側とは逆側の、側壁５５の外側面に形成されている。電極下地層５９の材質としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、もしくはマグネシウムからなる単体金属、またはこれらを主成分とする合金等の、内部電極５４よりもメッキ液に対する溶解性の低い材質を用いることができる。チタンを用いれば、密着性を高くすることができる。また、電極下地層５９を、チタンの上部に銅を形成して２層構造にすると、後述する接続電極６２が形成しやすい。
【００７７】
絶縁体６０は、有機樹脂を含み、ＩＤＴ電極５３を外部環境から保護するために、ＩＤＴ電極５３を覆うように圧電基板５２上に形成されている。絶縁体６０は、蓋体補強層６４を覆うように形成されている。この絶縁体６０の材質として、熱硬化性樹脂を用いれば、取り扱い性に優れる。特に、エポキシ樹脂が、耐熱性および気密性の点で好ましく、さらにエポキシ樹脂中に無機フィラーを含有させることにより、線膨張係数を低減することができる。無機フィラーとしては、アルミナ粉末、酸化シリコン粉末、または酸化マグネシウム粉末等を用いることができる。なお、無機フィラーとしては、これらの粉末に限定されず、様々な無機系材料を使用することができる。
【００７８】
外部電極６１は、絶縁体６０の外部に形成され、接続電極６２と電気的に接続する電極である。本実施の形態においては、外部電極６１と側壁５５との間に絶縁体６０を形成しているので、外部電極６１は側壁５５とは直接接しない構成となっている。
【００７９】
接続電極６２はメッキ金属を含み、電極下地層５９上に絶縁体６０を貫通するように設けられ、外部電極６１とＩＤＴ電極５３とを電気的に接続している。接続電極６２は、電極下地層５９を介して、内部電極５４上に電解メッキ処理により形成された電極である。接続電極６２は、内部電極５４と電気的に接続されている。接続電極６２の材料としては、銅、金、銀、白金、もしくはニッケルからなる単体金属、またはこれらを主成分とする合金等を用いることができる。接続電極６２の材料として銅を用いると、機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を圧電基板５２と整合させることができる。
【００８０】
接続電極６２が入出力端子に接続される場合は、接続電極６２と、蓋体５７、蓋体下地層６３、および蓋体補強層６４とは、後述する無機絶縁膜７０の機能により、電気的に絶縁状態となる。一方、接続電極６２がグランド端子に接続される場合は、接続電極６２を、蓋体５７、蓋体下地層６３、および蓋体補強層６４に接続することで、グランド電位の安定を図ることができる。
【００８１】
弾性波素子５１は、絶縁体６０と蓋体５７との間、および、絶縁体６０と側壁５５との間に、無機絶縁膜７０を備えている。無機絶縁膜７０は、少なくとも、絶縁体６０側に面する、蓋体５７と側壁５５との境界部に設けられている。無機絶縁膜７０は、有機樹脂と比較して、湿気を通しにくい特徴を有している。したがって、絶縁体６０と蓋体５７との間、および、絶縁体６０と側壁５５との間であって、少なくとも側壁５５と蓋体５７との境界部に無機絶縁膜７０を形成することによって、湿気が蓋体５７と側壁５５の間を通過してＩＤＴ電極５３上の空間５８に浸入するのを防止する。その結果、弾性波素子５１の耐湿性を向上させ、ＩＤＴ電極５３が腐食されることによる経時的な特性劣化を防止することができる。
【００８２】
図６に示したように、弾性波素子５１においては、無機絶縁膜７０を、接続電極６２の外側（すなわち、接続電極６２に対して側壁５５とは逆側）における、絶縁体６０と圧電基板５２との間にも形成している。ただし、この部分に無機絶縁膜７０を形成することは、必須ではない。弾性波素子５１においては、有機樹脂と比較して湿気を通しにくい金属からなる接続電極６２と電極下地層５９とを、側壁５５の外側に設けている。これにより、絶縁体６０と圧電基板５２との間の湿気の浸入を防止することができる。
【００８３】
無機絶縁膜７０は、厚みが１μｍ〜１０μｍ程度の保護膜である。無機絶縁膜７０の材料としては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のうち、少なくとも１つを含む材料を用いることができる。例えば、絶縁体６０が酸化シリコンからなる無機フィラーを含む場合に、無機絶縁膜７０を酸化シリコンとすると、無機絶縁膜７０と絶縁体６０との接着力を向上させることができる。このように、無機絶縁膜７０に、絶縁体６０に含有される無機フィラーと同質材料を含ませることにより、無機絶縁膜７０と絶縁体６０との接着性を向上させることができる。
【００８４】
なお、蓋体５７が金属の場合には、素子外部からの湿気は、蓋体５７を通過しにくいが、接着層５６を比較的容易に通過する。この場合には、無機絶縁膜７０を、蓋体５７と絶縁体６０との間には形成せずに、接着層５６と絶縁体６０との間に形成する。これにより、湿気が接着層５６を通してＩＤＴ電極５３の空間５８に浸入するのを抑制することができる。また、蓋体５７が有機樹脂の場合には、無機絶縁膜７０を、蓋体５７と絶縁体６０との間全体に形成することにより、湿気が蓋体５７を通してＩＤＴ電極５３の空間５８に浸入するのを抑制することができる。
【００８５】
また、無機絶縁膜７０は、ＩＤＴ電極５３から発生する熱を素子外部に拡散させる作用も有する。例えば、側壁５５が有機樹脂の場合、無機絶縁膜７０は側壁５５より熱の伝導性に優れているので、ＩＤＴ電極５３から生じる熱は、無機絶縁膜７０を伝導して隣の接続電極６２等に拡散される。この結果、弾性波素子５１の放熱性を向上させることができる。
【００８６】
次に、本発明の第２の実施の形態における、弾性波素子の別の構成例について説明する。図７は、本発明の第２の実施の形態における弾性波素子の別の例を示す、断面模式図である。
【００８７】
図７に示す弾性波素子７１は、図６に示した弾性波素子５１と比較して、接続電極６２を含まない点で異なる。また、弾性波素子７１は、絶縁体６０と蓋体５７との間、および、絶縁体６０と側壁５５との間にそれぞれ無機絶縁膜７０を備えると共に、圧電基板５２と絶縁体６０との間にも無機絶縁膜７０を備える。弾性波素子７１の構成によっても、湿気が、蓋体５７と側壁５５の間や、圧電基板５２と絶縁体６０との間等を通過して、ＩＤＴ電極５３上の空間５８に浸入することを防止できる。また、無機絶縁膜７０によって、放熱性を向上させることができる。
【００８８】
次に、第２の実施の形態における弾性波素子５１の製造方法について、図面を用いて説明する。
【００８９】
図８Ａ〜Ｃ、図９Ａ〜Ｃ、および、図１０Ａ〜Ｃは、それぞれ、本発明の第２の実施の形態における弾性波素子５１の製造工程を示す図である。
【００９０】
まず、図８Ａに示すように、圧電基板５２の表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、複数のＩＤＴ電極５３をスパッタ形成すると共に、内部電極５４を蒸着形成する。
【００９１】
次に、図８Ｂに示すように、感光性のポリイミド系樹脂６６を圧電基板５２上に、スピンコート法、ディスペンス法、またはスクリーン印刷法等の膜形成方法により形成する。ポリイミド系樹脂６６は、ＩＤＴ電極５３および内部電極５４を覆うように、圧電基板５２の主面の全面に形成する。ポリイミド系樹脂６６の形成方法としてスピンコート法を用いれば、均一な膜厚を形成することができる。
【００９２】
次に、ポリイミド系樹脂６６の上面から、露光、現像を行い、そして熱硬化させる。これにより、図８Ｃに示すように、ＩＤＴ電極５３を囲む側壁５５を形成することができる。この工程においては、側壁５５を、所定の形状に加工した後、必要に応じて加熱処理を施し、材料の硬化を促進させる。
【００９３】
次に、図９Ａに示す様に、蓋体５７となる金属箔６７を、接着剤６８を介して側壁５５の上面に貼り付ける。そして、その上からレジスト（図示せず）を用いて、フォトリソグラフィにより金属箔６７を所定のパターン形状にエッチングし、レジストを除去する。その後、接着剤６８の不要部分をドライエッチングにて除去することで、図９Ｂに示す様に、蓋体５７と接着層５６とによって、ＩＤＴ電極５３上の空間５８を覆う構成を得ることができる。
【００９４】
なお、側壁５５の上面の全面に蓋体５７と接着層５６とを残さないことが望ましい。すなわち、上方から見て、蓋体５７と接着層５６とが、側壁５５の上面の外縁部より内側に形成されていることが好ましい。これは、上方から見て蓋体５７と接着層５６が側壁５５の上面より外側に突出していると、この後に下地層をスパッタ形成する際、側壁５５の外側面や、側壁５５と圧電基板５２との境界部に下地層が付着しにくくなるという問題が生じ得るからである。
【００９５】
次に、図９Ｃに示す様に、内部電極５４、側壁５５、および、蓋体５７の上面側を覆う下地層を、スパッタにより形成する。そして、形成した下地層の上面に、追って電解メッキ成長により形成する接続電極６２および蓋体補強層６４以外の部分に、フォトリソグラフィ技術にてレジスト（図示せず）を形成する。この下地層の内、蓋体５７の上面に形成された部分が蓋体下地層６３となり、内部電極５４の上面に形成された部分が電極下地層５９となる。
【００９６】
次に、図１０Ａに示す様に、接続電極６２を形成する。具体的には、側壁５５上面の電極下地層５９において、接続電極６２を形成しない部分にレジストを形成した状態で、電極下地層５９上面の接続電極６２を形成する部分に、一度目の電解メッキ処理を施して、接続電極６２の一部を形成する。このとき、蓋体下地層６３の上面にも電解メッキ処理を施して、蓋体補強層６４を形成する。
【００９７】
一度目の電解メッキ処理後、蓋体補強層６４上面と、一度目の電解メッキ処理で形成された接続電極６２の上面で、二度目の電解メッキ処理を行わない部分とにレジストを形成する。その後、接続電極６２の一部に二度目の電解メッキ処理を施して、接続電極６２の残り部分を形成する。
【００９８】
次に、側壁５５の上面と蓋体５７の側面に形成されたレジストを剥離液で取り除き、下地層をエッチングで除去する。
【００９９】
その後、図１０Ｂに示す様に、接続電極６２と蓋体補強層６４の上面にフォトリソグラフィ技術にてレジスト(図示せず)を形成し、蒸着技術を用いて、露出した側壁５５の上面、蓋体５７の側面、および圧電基板５２の上面にポリシラザンからなる無機絶縁膜７０を形成する。このポリシラザンは、（ＳｉＨ2ＮＨ）−、を基本ユニットとする無機ポリマを含む。ポリシラザンは、焼成した後、常温になると緻密な酸化シリコン膜へ転化する。
【０１００】
次に、剥離液中で素子を浸漬・揺動させて、レジストパターンを剥離する。このとき、レジストを形成せずに、素子上面全体にポリシラザンを蒸着することで、最終形態として、図１１に示す弾性波素子８１の様に、蓋体補強層６４の上面や接続電極６２の側面にも無機絶縁膜７０を有する構成としても良い。図１１は、本発明の第２の実施の形態における弾性波素子のさらに別の例を示す断面模式図である。弾性波素子８１の構成によっても、湿気が、蓋体５７と側壁５５の間や、圧電基板５２と絶縁体６０との間等を通過して、ＩＤＴ電極５３上の空間５８に浸入することをさらに防止できる。また、無機絶縁膜７０によって、放熱性をさらに向上させることができる。
【０１０１】
次に、図１０Ｃに示す様に、接続電極６２の上面を露出させながら、圧電基板５２上面の無機絶縁膜７０の上部、および圧電基板５２主面上の構造物を覆う絶縁体６０を形成する。この絶縁体６０の形成方法としては、印刷工法を用いる。
【０１０２】
最後に、接続電極６２と電気的に接続される外部電極６１を、接続電極６２の上面に形成する。そして、ダイシングにより圧電基板５２および絶縁体６０を同時に切断することにより、集合基板から個片の弾性波素子５１を得る。
【０１０３】
次に、第２の実施の形態における弾性波素子５１，７１，８１を弾性波フィルタに適用したときの、内部電極５４、側壁５５、蓋体５７および無機絶縁膜７０のパターン配置について、図面を参照しながら説明する。
【０１０４】
図１２は、本発明の第２の実施の形態における、弾性波フィルタの内部電極５４、側壁５５、蓋体５７および無機絶縁膜７０のパターン配置を示す上面透視図である。なお、図１２において、蓋体補強層６４、絶縁体６０、接続電極６２等は省略して示している。
【０１０５】
弾性波素子５１，７１，８１を適用した弾性波フィルタ３２は、ラダー型フィルタである。弾性波フィルタ３２は、圧電基板５２の表面に、２個のパッド用内部電極５４ａ、配線用内部電極５４ｂ、複数の直列ＩＤＴ電極５３ａ、グランド用内部電極５４ｃ、および、並列ＩＤＴ電極５３ｂを備えている。
【０１０６】
２個のパッド用内部電極５４ａは、入出力端子（図示せず）に接続されている。複数の直列ＩＤＴ電極５３ａは、この２個のパッド用内部電極５４ａの間に、配線用内部電極５４ｂを介して直列に接続されている。グランド用内部電極５４ｃは、グランド端子（図示せず）に接続されている。並列ＩＤＴ電極５３ｂは、このグランド用内部電極５４ｃと配線用内部電極５４ｂの間に接続されている。
【０１０７】
図１２に示す破線のうち、内側の破線は、蓋体５７の配置を示す。この内側の破線に沿って蓋体５７の側面に配置された無機絶縁膜７０が存在する。さらに、内側の破線と外側の破線との間にも、側壁５５の上面に配置された無機絶縁膜７０が存在する。さらにまた、弾性波フィルタ３２の外周縁部の斜線部分には、圧電基板５２と絶縁体６０（図示せず）との間に配置された無機絶縁膜７０が存在する。
【０１０８】
図１２に示すように、圧電基板５２と絶縁体６０との間に設けられた無機絶縁膜７０は、湿気が弾性波素子５１，７１，８１の外部から素子内部に浸入するのを防止する。側壁５５と蓋体５７との境界部に設けられた無機絶縁膜７０は、素子内部に浸入した湿気がＩＤＴ電極５３の空間５８に浸入するのを抑制する。したがって、弾性波素子５１，７１，８１の耐湿性を向上することができる。
【０１０９】
なお、本実施の形態の弾性波素子５１，７１，８１を、ラダー型フィルタだけでなくＤＭＳ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｍｏｄｅ ＳＡＷ）フィルタ等の他のフィルタに適用することもできる。さらに、弾性波素子５１，７１，８１を適用したフィルタと、フィルタに接続された半導体集積回路素子(図示せず)と、半導体集積回路素子（図示せず）に接続された再生装置とを用いて、電子機器を構成することもできる。
【０１１０】
これにより、フィルタ、および、電子機器における通信品質劣化を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
以上述べたように、本発明の弾性波素子は、弾性波素子の歩留まりを向上するという効果を有し、移動体通信機器等の電子機器等への適用も可能である。
【符号の説明】
【０１１２】
１ 弾性波素子
２ 圧電基板
３ ＩＤＴ電極
４ 内部電極
５ 側壁
６ 接着層
７ 蓋体
８ 空間
９ 電極下地層
１０ 絶縁体
１１ 外部電極
１２ａ 第一接続電極
１２ｂ 第二接続電極
１３ 蓋体下地層
１４ 蓋体補強層
７０ 無機絶縁膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に設けられ、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続された内部電極と、前記内部電極上であって、前記ＩＤＴ電極の周囲に設けられた側壁と、
前記側壁上に、前記ＩＤＴ電極上の空間を覆うように設けられた蓋体と、
前記内部電極上であって、前記側壁の外側に設けられた電極下地層と、
前記電極下地層上に設けられた接続電極とを備え、
前記接続電極は、前記電極下地層上に設けられた第一接続電極と、前記第一接続電極上に設けられた前記第二接続電極とを有し、
前記第二接続電極の水平断面形状が非円形状である弾性波素子。
【請求項２】
前記第二接続電極の水平断面面積が、前記第一接続電極の水平断面面積よりも小さい、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記非円形状は、楕円形状または多角形状である請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記非円形状が、長軸と短軸の比が１．２以上である楕円形状である請求項３に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記非円形状が、十六角形以下の多角形状である請求項３に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記非円形状が、周縁部が３５μｍ以上８０μｍ以下の直線部を有する形状である請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項７】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上であって、前記ＩＤＴ電極の周囲に設けられた側壁と、
前記側壁上に、前記ＩＤＴ電極上の空間を覆うように設けられた蓋体と、
少なくとも前記蓋体と前記側壁との境界部に設けられた無機絶縁膜とを備えた弾性波素子。
【請求項８】
前記圧電基板、前記ＩＤＴ電極、前記側壁、および前記蓋体を覆うように設けられた絶縁体をさらに備え、
前記無機絶縁膜が、前記絶縁体と前記圧電基板との間にも設けられた請求項７に記載の弾性波素子。
【請求項９】
前記絶縁体には無機フィラーが含有され、
前記無機絶縁膜の材質が、前記絶縁体の前記無機フィラーの材質と同じである請求項８に記載の弾性波素子。
【請求項１０】
請求項１に記載の弾性波素子と、
前記弾性波素子に接続された半導体集積回路素子と、
前記半導体集積回路素子に接続された再生装置とを備えた電子機器。
【請求項１１】
請求項７に記載の弾性波素子と、
前記弾性波素子に接続された半導体集積回路素子と、
前記半導体集積回路素子に接続された再生装置とを備えた電子機器。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に設けられ、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続された内部電極と、前記内部電極上であって、前記ＩＤＴ電極の周囲に設けられた側壁と、
前記側壁上に、前記ＩＤＴ電極上の空間を覆うように設けられた蓋体と、
前記内部電極上であって、前記側壁の外側に設けられた電極下地層と、
前記電極下地層上に設けられた接続電極とを備え、
前記接続電極は、前記電極下地層上に設けられた第一接続電極と、前記第一接続電極上に設けられた前記第二接続電極とを有し、
前記第二接続電極の水平断面形状が非円形状である弾性波素子。
【請求項２】
前記第二接続電極の水平断面面積が、前記第一接続電極の水平断面面積よりも小さい、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記非円形状は、楕円形状または多角形状である請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記非円形状が、長軸と短軸の比が１．２以上である楕円形状である請求項３に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記非円形状が、十六角形以下の多角形状である請求項３に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記非円形状が、周縁部が３５μｍ以上８０μｍ以下の直線部を有する形状である請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項７】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上であって、前記ＩＤＴ電極の周囲に設けられた側壁と、
前記側壁上に、前記ＩＤＴ電極上の空間を覆うように設けられた蓋体と、
少なくとも前記蓋体と前記側壁との境界部に設けられた無機絶縁膜とを備えた弾性波素子。
【請求項８】
前記圧電基板、前記ＩＤＴ電極、前記側壁、および前記蓋体を覆うように設けられた絶縁体をさらに備え、
前記無機絶縁膜が、前記絶縁体と前記圧電基板との間にも設けられた請求項７に記載の弾性波素子。
【請求項９】
前記絶縁体には無機フィラーが含有され、
前記無機絶縁膜の材質が、前記絶縁体の前記無機フィラーの材質と同じである請求項８に記載の弾性波素子。
【請求項１０】
請求項１に記載の弾性波素子と、
前記弾性波素子に接続された半導体集積回路素子と、
前記半導体集積回路素子に接続された再生装置とを備えた電子機器。
【請求項１１】
請求項７に記載の弾性波素子と、
前記弾性波素子に接続された半導体集積回路素子と、
前記半導体集積回路素子に接続された再生装置とを備えた電子機器。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１０Ｃ】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１０Ｃ】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１１−１０３６４５（Ｐ２０１１−１０３６４５Ａ）
【公開日】平成２３年５月２６日（２０１１．５．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３１２３３（Ｐ２０１０−２３１２３３）
【出願日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年５月２６日（２０１１．５．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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