携帯電話
【課題】携帯通信装置を用いた認証システムを提供する。
【解決手段】センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段と、前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを前記使用者に通知する手段と、を有することを特長とする本人認証システム。
【解決手段】センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段と、前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを前記使用者に通知する手段と、を有することを特長とする本人認証システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は本人認証システムまたは本人認証方法に関し、特に、センサー付ディスプレイを用いて、本人認証を行うことを特徴とする本人認証システムまたは本人認証方法である。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、携帯情報端末などの携帯型の通信装置（携帯通信装置）を使用したインターネットによる、通信技術が急速に発展しつつある。従来のインターネットは、企業、家庭での据え置きパソコンに電話回線を接続し、通信をおこなっていた。しかし、現在では、携帯電話で、インターネットが簡単に出来るiモードが普及し、さまざまな情報交換が簡便に行われるようになった。
【０００３】
本明細書で記述するのはインターネットと携帯通信装置を用いた本人認証システムに関するのものである。
【０００４】
従来の携帯電話装置の例を図１６に示す。図１６に示されるような従来の携帯電話装置は本体２６０１、音声出力部２６０２、音声入力部２６０３、表示部２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ２６０６などによって構成されている。通常の電話をかける場合は液晶ディスプレイに相手先の電話番号や、電波の受信状態などが表示される。また、インターネットを使用する場合には、相手先の必要情報が表示されることになる。
【０００５】
図１６に示したような従来の携帯電話装置を用いて、インターネット上で金銭授受を行う場合、本人であることの確認が必要であるが、そのときは、あらかじめ相手先に登録した暗証番号を入力して、相手先とデータのやり取りを行い、確認を行っていた。
【０００６】
図１７に従来の本人認証のフローを示す。使用者はまず、要望する相手先とインターネットを介して接続を行う。次に、相手先の指定した条件下で、認証のための数値（暗証番号）を携帯電話装置より入力する。数値を受け取った相手先は自分のところにあらかじめ登録された数値との照合を行い、合致するかどうかを確認する。ここで合致が見られれば、使用者は本人と確認され、要望する対応を得ることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記にて説明したような従来の携帯電話を用いた認証システムでは以下の課題があった。
１、本人であることの確認が難しい。暗証番号が本人以外の人間に漏洩した場合、悪用される可能性がある。
２、本人確認が毎回、相手先との通信を介して行われるため、通信コストが上昇し、また、通話の断絶が発生すると、再確認が必要となる。
３、キーボードの入力の手間が多い。
という問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、を有することを特長とする本人認証システムが提供される。
【０００９】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを前記使用者に通知する手段と、を有することを特長とする本人認証システムが提供される。
【００１０】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を有する携帯通信装置を用いた本人認証システムであって 前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、を有することを特長とする本人認証システムが提供される。
【００１１】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を有する携帯通信装置を用いた本人認証システムであって 前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを情報として前記携帯通信装置に伝える手段と、を有することを特長とする本人認証システムが提供される。
【００１２】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、を有することを特長とする本人認証方法が提供される。
【００１３】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを前記使用者に通知する手段と、を有することを特長とする本人認証方法が提供される。
【００１４】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を有する携帯通信装置を用いた本人認証方法であって 前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、を有することを特長とする本人認証方法が提供される。
【００１５】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を有する携帯通信装置を用いた本人認証方法であって 前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを情報として前記携帯通信装置に伝える手段と、を有することを特長とする本人認証方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の携帯通信装置は、装置内部のセンサーに機能により本人認証が可能であり、従来の数値入力（暗証番号）を入力する認証作業に対して、高信頼性、簡易性を有することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の本人認証システムの認証フロー。
【図２】本発明の携帯通信装置の外観図。
【図３】本発明の携帯通信装置の使用方法について示した図。
【図４】本発明の携帯通信装置の使用方法について示した図。
【図５】センサー内蔵型ディスプレイの構造を示すブロック図。
【図６】センサー内蔵型ディスプレイの構造を示すブロック図。
【図７】センサー部の回路図。
【図８】画素の回路図。
【図９】センサー部の回路図。
【図１０】センサー内蔵型ディスプレイの構造を示すブロック図。
【図１１】センサー内蔵型ディスプレイの作製行程を示す図。
【図１２】センサー内蔵型ディスプレイの作製行程を示す図。
【図１３】センサー内蔵型ディスプレイの作製行程を示す図。
【図１４】センサー内蔵型ディスプレイの外観図及び断面図。
【図１５】センサー内蔵型ディスプレイの外観図及び断面図。
【図１６】従来の携帯電話の図。
【図１７】従来の本人認証のフロー。
【図１８】読み取る掌紋の位置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明では、以上に述べた問題点を解決するための形態として、本人認証を暗証番号ではなく、使用者が持つ生体情報（指紋、掌紋などその人間が生まれつき持っている身体的な特徴情報）を識別し、本人認証に使用するものである。また認証作業を相手先で行うのではなく、携帯通信装置自体で行うことにより、システムとしての簡便性を増すものである。
【００１９】
図１に本発明の本人認証システムの認証フローを示す。まず、キーボード上で生体情報収集を指示する。あらかじめプログラムされていれば、１つのキーを押すことによって、生体情報収集がはじめられるようにすることも容易に可能である。また、携帯通信装置の電源投入時に自動的に生体情報収集がはじめられるようにすることも可能である。
【００２０】
得られた生体情報はあらかじめ携帯通信装置の中の不揮発性メモリに蓄えられている基準となる本人の生体情報と比較される。ここで、読み取られた生体情報と、基準となる生体情報が合致すると判断されれば、使用者は携帯通信装置の正しい所有者であると判断される。判断終了後、相手先に送信をおこなう。このとき、認証作業はすでに終了しているので、新たに相手先との間で認証作業をする必要はなく、携帯通信装置から認証は終了しているという情報を相手先は受け取るだけでよい。
【００２１】
本実施の形態の本人認証システムに使用する携帯通信装置が従来と異なるのは、従来の携帯電話のディスプレイが表示専用であるのに対し、本実施の形態の認証システムのディスプレイではセンサーを内臓していることである。ここで用いるセンサーはエリアセンサーであり、使用者の生体情報を読み取るのに使用する。ここでいう生体情報とは。使用者が生まれつき持っている、身体上の固有の情報で、たとえば、指紋や手のひらの掌紋（手相）などである。
【００２２】
次に本発明の携帯通信装置について述べる。図２に示すのは本発明の携帯通信装置であり、２７０１は表示用パネル、２７０２は操作用パネルである。表示用パネル２７０１と操作用パネル２７０２とは接続部２７０３において接続されている。そして接続部２７０３における、表示用パネル２７０１のセンサー内蔵ディスプレイ（センサー内蔵の表示装置）２７０４が設けられている面と操作用パネル２７０２の操作キー２７０６が設けられている面との角度θは、任意に変えることができる。
【００２３】
表示用パネル２７０１はセンサー内蔵ディスプレイ２７０４を有している。また図２に示した携帯通信装置は電話としての機能を有しており、表示用パネル２７０１は音声出力部２７０５を有しており、音声が音声出力部２７０５から出力される。センサー内蔵ディスプレイ２７０４にはＥＬディスプレイが用いられている。
【００２４】
操作用パネル２７０２は操作キー２７０６、電源スイッチ２７０７、音声入力部２７０８を有している。なお図２では操作キー２７０６と電源スイッチ２７０７とを別個に設けたが、操作キー２７０６の中に電源スイッチ２７０７が含まれる構成にしても良い。音声入力部２７０８において、音声が入力される。
【００２５】
なお図２では表示用パネル２７０１が音声出力部２７０５を有し、操作用パネル２７０２が音声入力部２７０８を有しているが、本実施例はこの構成に限定されない。表示用パネル２７０１が音声入力部２７０８を有し、操作用パネルが音声出力部２７０５を有していても良い。また音声出力部２７０５と音声入力部２７０８とが共に表示用パネル２７０１に設けられていても良いし、音声出力部２７０５と音声入力部２７０８とが共に操作用パネル２７０２に設けられていても良い。
【００２６】
図３、図４を用いて、図２で示した携帯通信装置の使用方法について説明する。図３に示すように、本装置によって認証を行う場合には、手のひらを携帯通信装置に覆いかぶせるようにして使用する。認証はキーボードでキー操作を行うとともに、使用者の手相をセンサー付ディスプレイが読み取り、認証作業を行う。
ここで手のひらは携帯装置を覆っているため、センシングにもちいられる光は、ディスプレイ内部より得る必要がある。よって、ディスプレイは有機ＥＬディスプレイのように自発光のディスプレイが望ましい。図１８に示すように、掌紋（手相）がセンサーによって読みとられる。
【００２７】
なお図３では操作キー２７０６を人差し指で操作している例について示したが、図４に示すように、親指で操作キー２７０６を操作することも可能である。なお操作キー２７０６は操作用パネル２７０２の側面に設けても良い。操作は片手（きき手）の人差し指のみ、または親指のみでも可能である。
【００２８】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２９】
以下に本発明に用いるセンサー内蔵ディスプレイを有する携帯通信装置の実施例の構成と、その動作について説明する。
【００３０】
図５は本実施例の携帯通信装置のブロック図である。この携帯通信装置はアンテナ６０１、送信受信回路６０２、信号を圧縮伸張化、符号化する信号処理回路６０３、制御用マイコン６０４、フラッシュメモリ６０５、キーボード６０６、音声入力回路６０７、音声出力回路６０８、マイク６０９、スピーカ６１０などを有していることは従来と同じであるが、それに加えてセンサー内蔵ディスプレイ６１１、照合回路部６１２などを有している。
【００３１】
照合を行うときには、ディスプレイ内部のセンサーによって得られたアナログ画像情報はＡ/Ｄコンバータ６１３によってデジタル信号に変換される。変換された信号はＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）６１４におくられ、信号処理を行われる。信号処理としては、手相をより判別しやすくするため、微分フィルタなどを用い映像の濃淡が変わるところを際立たせることが可能である。得られた手相データはＤＳＰ６１４内部で数値化し、比較回路６１５に送られる。比較回路６１５にはフラッシュメモリ６０５に記憶している基準データも呼び出され、２つのデータは比較照合される。
【００３２】
生体情報データを判別する方法としては、元になるデータと収集したデータのそれぞれの特徴を比較して照合する特徴照合方式と二つのデータを直接比較する画像マッチング方式があるが、どちらの方式を用いても問題はない。また基準データは１つだけではなく、手の向きを多少変えるなどして、複数の認証データを備えたほうがより確実な認証が可能となる。
【００３３】
ここで合致が見られれば、制御用マイコン６０４は認証信号を出力し、信号処理部６０３、送受信回路６０２、アンテナ６０１を介して、送信され、インターネットなどを通じて伝達される。
【実施例２】
【００３４】
図６は本発明で使用するセンサー内蔵型ディスプレイの構造を示すブロック図である。１２０はソース信号線駆動回路、１２２はゲート信号線駆動回路であり、共にスイッチング用ＴＦＴ１０４及びＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５の駆動を制御している。また１２１はセンサー用ソース信号線駆動回路、１２３はセンサー用ゲート信号線駆動回路であり、共にリセット用ＴＦＴ１１０、バッファ用ＴＦＴ１１１及び選択用ＴＦＴ１１２の駆動を制御している。なお本明細書において、ソース信号線駆動回路１２０、ゲート信号線駆動回路１２２、センサー用ソース信号線駆動回路１２１、センサー用ゲート信号線駆動回路１２３を駆動部と呼ぶ。
【００３５】
ソース信号線駆動回路１２０は、シフトレジスタ１２０ａ、ラッチ（Ａ）１２０ｂ、ラッチ（Ｂ）１２０ｃを有している。ソース信号線駆動回路１２０において、シフトレジスタ１２０ａにクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ１２０ａは、これらのクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発生させ、後段の回路へタイミング信号を順次供給する。
【００３６】
なおシフトレジスタ１２０ａからのタイミング信号を、バッファ等（図示せず）によって緩衝増幅し、後段の回路へ緩衝増幅したタイミング信号を順次供給しても良い。タイミング信号が供給される配線には、多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐために、このバッファが設けられる。
【００３７】
図７にセンサー部１０１の回路図を示す。センサー部１０１はソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙ、リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙ、センサー用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙ、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘ、センサー用電源線ＶＢが設けられている。
【００３８】
センサー部１０１は複数の画素１０２を有している。画素１０２は、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つと、リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つと、センサー用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙのいずれか１つと、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つと、センサー用電源線ＶＢとを有している。
【００３９】
センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘはそれぞれ定電流電源１０３＿１〜１０３＿ｘに接続されている。
【００４０】
図８に画素１０２の詳しい構成を示す。点線で囲まれた領域が画素１０２である。なお、ソース信号線Ｓは、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つを意味する。また電源供給線Ｖは電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つを意味する。またゲート信号線Ｇはゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つを意味する。またリセット用ゲート信号線ＲＧはリセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つを意味する。またセンサー用ゲート信号線ＳＧは、センサー用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙのいずれか１つを意味する。またセンサー出力配線ＳＳはセンサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つを意味する。
【００４１】
画素１０２はスイッチング用ＴＦＴ１０４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５、ＥＬ素子１０６を有している。また図８では画素１０２にコンデンサ１０７が設けられているが、コンデンサ１０７を設けなくとも良い。
【００４２】
ＥＬ素子１０６は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が対向電極、陰極が画素電極である。
【００４３】
スイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極はゲート信号線Ｇに接続されている。そしてスイッチング用ＴＦＴ１０４のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線Ｓに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極に接続されている。
【００４４】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域は、一方が電源供給線Ｖに、もう一方がＥＬ素子１０６に接続されている。コンデンサ１０７はＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極と電源供給線Ｖとに接続して設けられている。
【００４５】
さらに画素１０２は、リセット用ＴＦＴ１１０、バッファ用ＴＦＴ１１１、選択用ＴＦＴ１１２、フォトダイオード１１３を有している。
【００４６】
リセット用ＴＦＴ１１０のゲート電極はリセット用ゲート信号線ＲＧに接続されている。リセット用ＴＦＴ１１０のソース領域はセンサー用電源線ＶＢに接続されている。センサー用電源線ＶＢは常に一定の電位（基準電位）に保たれている。またリセット用ＴＦＴ１１０のドレイン領域はフォトダイオード１１３及びバッファ用ＴＦＴ１１１のゲート電極に接続されている。
【００４７】
図示しないが、フォトダイオード１１３はカソード電極と、アノード電極と、カソード電極とアノード電極の間に設けられた光電変換層とを有している。リセット用ＴＦＴ１１０のドレイン領域は、具体的にはフォトダイオード１１３のアノード電極又はカソード電極に接続されている。
【００４８】
バッファ用ＴＦＴ１１１のドレイン領域はセンサー用電源線ＶＢに接続されており、常に一定の基準電位に保たれている。そしてバッファ用ＴＦＴ１１１のソース領域は選択用ＴＦＴ１１２のソース領域又はドレイン領域に接続されている。
【００４９】
選択用ＴＦＴ１１２のゲート電極はセンサー用ゲート信号線ＳＧに接続されている。そして選択用ＴＦＴ１１２のソース領域とドレイン領域は、一方は上述したとおりバッファ用ＴＦＴ１１１のソース領域に接続されており、もう一方はセンサー出力配線ＳＳに接続されている。センサー出力配線ＳＳは定電流電源１０３（定電流電源１０３＿１〜１０３＿ｘのいずれか１つ）に接続されており、常に一定の電流が流れている。
【００５０】
図６に示したシフトレジスタ１２０ａからのタイミング信号は、ラッチ（Ａ）
１２０ｂに供給される。ラッチ（Ａ）１２０ｂは、デジタル信号（digital signals）を処理する複数のステージのラッチを有している。ラッチ（Ａ）１２０ｂは、前記タイミング信号が入力されると同時に、デジタル信号を順次書き込み、保持する。
【００５１】
なお、ラッチ（Ａ）１２０ｂにデジタル信号を取り込む際に、ラッチ（Ａ）１２０ｂが有する複数のステージのラッチに、順にデジタル信号を入力しても良い。しかし本願発明はこの構成に限定されない。ラッチ（Ａ）１２０ｂが有する複数のステージのラッチをいくつかのグループに分け、各グループごとに並行して同時にデジタル信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っても良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。例えば４つのステージごとにラッチをグループに分けた場合、４分割で分割駆動すると言う。
【００５２】
ラッチ（Ａ）１２０ｂの全ステージのラッチへのデジタル信号の書き込みが一通り終了するまでの時間を、ライン期間と呼ぶ。すなわち、ラッチ（Ａ）１２０ｂ中で一番左側のステージのラッチにデジタル信号の書き込みが開始される時点から、一番右側のステージのラッチにデジタル信号の書き込みが終了する時点までの時間間隔がライン期間である。実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含むことがある。
【００５３】
１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）１２０ｃにラッチシグナル（Latch Signal）が供給される。この瞬間、ラッチ（Ａ）１２０ｂに書き込まれ保持されているデジタル信号は、ラッチ（Ｂ）１２０ｃに一斉に送出され、ラッチ（Ｂ）
１２０ｃの全ステージのラッチに書き込まれ、保持される。
【００５４】
デジタル信号をラッチ（Ｂ）１２０ｃに送出し終えたラッチ（Ａ）１２０ｂは、シフトレジスタ１２０ａからのタイミング信号に基づき、再びデジタル信号の書き込みを順次行う。
【００５５】
この２順目の１ライン期間中には、ラッチ（Ｂ）１２０ｂに書き込まれ、保持されているデジタル信号がソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力される。
【００５６】
一方、ゲート信号側駆動回路１２２は、それぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）を有している。また場合によっては、ゲート信号側駆動回路１２２が、シフトレジスタ、バッファの他にレベルシフトを有していても良い。
【００５７】
ゲート信号側駆動回路１２２において、シフトレジスタ（図示せず）からのゲート信号がバッファ（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線に供給される。ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙには、それぞれ１ライン分の画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極が接続されており、１ライン分全ての画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４を同時にオンの状態にしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
【００５８】
なおソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路の数、構成及びその動作は、本実施例で示した構成に限定されない。本発明のセンサー内蔵ディスプレイに用いられるエリアセンサーは、公知のソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路を用いることが可能である。
【００５９】
本実施例の構成は、実施例１と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例３】
【００６０】
実施例２のセンサー部とは異なる構成を有するセンサー部の回路図を図９に示す。センサー部１００１はソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙ、リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙ、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘ、センサー用電源線ＶＢが設けられている。
【００６１】
センサー部１００１は複数の画素１００２を有している。画素１００２は、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つと、リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つと、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つと、センサー用電源線ＶＢとを有している。
【００６２】
センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘはそれぞれ定電流電源１００３＿１〜１００３＿ｘに接続されている。
【００６３】
画素１００２はスイッチング用ＴＦＴ１００４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５、ＥＬ素子１００６を有している。また図９では画素１００２にコンデンサ１００７が設けられているが、コンデンサ１００７を設けなくとも良い。さらに画素１００２は、リセット用ＴＦＴ１０１０、バッファ用ＴＦＴ１０１１、選択用ＴＦＴ１０１２、フォトダイオード１０１３を有している。
【００６４】
ＥＬ素子１００６は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が対向電極、陰極が画素電極である。
【００６５】
スイッチング用ＴＦＴ１００４のゲート電極はゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に接続されている。そしてスイッチング用ＴＦＴ１００４のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線Ｓに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のゲート電極に接続されている。
【００６６】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のソース領域とドレイン領域は、一方が電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）に、もう一方がＥＬ素子１００６に接続されている。コンデンサ１００７はＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のゲート電極と電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）
とに接続して設けられている。
【００６７】
リセット用ＴＦＴ１０１０のゲート電極はリセット用ゲート信号線（ＲＧ１〜ＲＧｘ）に接続されている。リセット用ＴＦＴ１０１０のソース領域はセンサー用電源線ＶＢに接続されている。センサー用電源線ＶＢは常に一定の電位（基準電位）に保たれている。またリセット用ＴＦＴ１０１０のドレイン領域はフォトダイオード１０１３及びバッファ用ＴＦＴ１０１１のゲート電極に接続されている。
【００６８】
図示しないが、フォトダイオード１０１３はカソード電極と、アノード電極と、カソード電極とアノード電極の間に設けられた光電変換層とを有している。リセット用ＴＦＴ１０１０のドレイン領域は、具体的にはフォトダイオード１０１３のアノード電極又はカソード電極に接続されている。
【００６９】
バッファ用ＴＦＴ１０１１のドレイン領域はセンサー用電源線ＶＢに接続されており、常に一定の基準電位に保たれている。そしてバッファ用ＴＦＴ１０１１のソース領域は選択用ＴＦＴ１０１２のソース領域又はドレイン領域に接続されている。
【００７０】
選択用ＴＦＴ１０１２のゲート電極はゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）に接続されている。そして選択用ＴＦＴ１０１２のソース領域とドレイン領域は、一方は上述したとおりバッファ用ＴＦＴ１０１１のソース領域に接続されており、もう一方はセンサー出力配線（ＳＳ１〜ＳＳｘ）に接続されている。センサー出力配線（ＳＳ１〜ＳＳｘ）は定電流電源１００３（定電流電源１００３＿１〜１００３＿ｘ）にそれぞれ接続されており、常に一定の電流が流れている。
【００７１】
本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ１００４及び選択用ＴＦＴ１０１２の極性は同じである。つまり。スイッチング用ＴＦＴ１００４がｎチャネル型ＴＦＴの場合、選択用ＴＦＴ１０１２もｎチャネル型ＴＦＴである。またスイッチング用ＴＦＴ１００４がｐチャネル型ＴＦＴの場合、選択用ＴＦＴ１０１２もｐチャネル型ＴＦＴである。
【００７２】
そして本実施例のエリアセンサーのセンサー部は、図７に示したエリアセンサーと異なり、スイッチング用ＴＦＴ１００４のゲート電極と、選択用ＴＦＴ１０１２のゲート電極が、共にゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）に接続されていることである。よって本実施例のエリアセンサーの場合、各画素の有するＥＬ素子１００６の発光する期間は、サンプリング期間（ＳＴ１〜ＳＴｎ）と同じ長さである。
上記構成によって、本実施例のエリアセンサーは配線の数を図７の場合に比べて少なくすることができる。
【００７３】
なお本実施例のエリアセンサーも、センサー部１００１に画像を表示することは可能である。
【００７４】
本実施例の構成は、実施例１または実施例２と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例４】
【００７５】
図１０に本実施例のエリアセンサーの上面図を示す。１３０はソース信号線駆動回路、１３２はゲート信号線駆動回路である。また１３１はセンサー用ソース信号線駆動回路、１３３はセンサー用ゲート信号線駆動回路である。本実施例ではソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路とを１つづつ設けたが、本願発明はこの構成に限定されない。ソース信号線駆動回路を２つ設けても良い。また、ゲート信号線駆動回路を２つ設けても良い。
【００７６】
なお本明細書において、ソース信号線駆動回路１３０、ゲート信号線駆動回路１３２、センサー用ソース信号線駆動回路１３１、センサー用ゲート信号線駆動回路１３３を駆動部と呼ぶ。
【００７７】
ソース信号線駆動回路１３０は、シフトレジスタ１３０ａ、レベルシフト１３０ｂ、サンプリング回路１３０ｃを有している。なおレベルシフトは必要に応じて用いればよく、必ずしも用いなくとも良い。また本実施例においてレベルシフトはシフトレジスタ１３０ａとサンプリング回路１３０ｃとの間に設ける構成としたが、本願発明はこの構成に限定されない。またシフトレジスタ１３０ａの中にレベルシフト１３０ｂが組み込まれている構成にしても良い。
【００７８】
クロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス信号（ＳＰ）がシフトレジスタ１３０ａに入力される。シフトレジスタ１３０ａからアナログの信号（アナログ信号）をサンプリングするためのサンプリング信号が出力される。出力されたサンプリング信号はレベルシフト１３０ｂに入力され、その電位の振幅が大きくなって出力される。
【００７９】
レベルシフト１３０ｂから出力されたサンプリング信号は、サンプリング回路１３０ｃに入力される。そしてサンプリング回路１３０ｃに入力されるアナログ信号がサンプリング信号によってそれぞれサンプリングされ、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力される。
【００８０】
一方、ゲート信号側駆動回路１３２は、それぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）を有している。また場合によっては、ゲート信号側駆動回路１３２が、シフトレジスタ、バッファの他にレベルシフトを有していても良い。
【００８１】
ゲート信号側駆動回路１３２において、シフトレジスタ（図示せず）からのゲート信号がバッファ（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線に供給される。ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙには、それぞれ１ライン分の画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極が接続されており、１ライン分全ての画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４を同時にオンの状態にしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
【００８２】
なおソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路の数、構成及びその動作は、本実施例で示した構成に限定されない。本発明のセンサー内蔵ディスプレイに用いられるエリアセンサーは、公知のソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路を用いることが可能である。
【００８３】
なお本実施例において、センサー部１０１は図７または図９に示した構成を有していても良い。
【００８４】
本実施例は実施例１または実施例３と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例５】
【００８５】
本実施例では基板上にセンサー部のＴＦＴを作製する方法について詳細に説明する。
【００８６】
まず、図１１（Ａ）に示すように、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスから成る基板７００上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜７０１を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜７０１ａを１０〜２００nm（好ましくは５０〜１００nm）形成し、同様にＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜７０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０nm）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜７０１を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。
【００８７】
島状半導体層７０２〜７０７は、非晶質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この島状半導体層７０２〜７０７の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）
の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【００８８】
レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００mJ/cm2(代表的には２００〜３００mJ/cm2)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１〜１０ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００mJ/cm2(代表的には３５０〜５００mJ/cm2)とすると良い。
そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％として行う。
【００８９】
次いで、島状半導体層７０２〜７０７を覆うゲート絶縁膜７０８を形成する。
ゲート絶縁膜７０８はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、１２０ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜７０８はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【００９０】
そして、ゲート絶縁膜７０８上にゲート電極を形成するための第１の導電膜７０９ａと第２の導電膜７０９ｂとを形成する。本実施例では、第１の導電膜７０９ａをＴａで５０〜１００ｎｍの厚さに形成し、第２の導電膜７０９ｂをＷで１００〜３００ｎｍの厚さに形成する。
【００９１】
Ｔａ膜はスパッタ法で形成し、ＴａのターゲットをＡｒでスパッタする。この場合、Ａｒに適量のＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することができる。また、α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩcm程度でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０μΩcm程度でありゲート電極とするには不向きである。α相のＴａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い結晶構造をもつ窒化タンタルを１０〜５０ｎｍ程度の厚さでＴａの下地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易に得ることができる。
【００９２】
Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲットとしたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９％のＷターゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩｃｍを実現することができる。
【００９３】
なお、本実施例では、第１の導電膜７０９ａをＴａ、第２の導電膜７０９ｂをＷとしたが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の他の組み合わせの一例は、第１の導電膜７０９ａを窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜７０９ｂをＷとする組み合わせ、第１の導電膜７０９ａを窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜７０９ｂをＡｌとする組み合わせ、第１の導電膜７０９ａを窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜７０９ｂをＣｕとする組み合わせで形成することが好ましい。
【００９４】
次に、レジストによるマスク７１０〜７１５を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側（試料ステージ）にも１００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはＷ膜及びＴａ膜とも同程度にエッチングされる。
【００９５】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。テーパー部の角度は１５〜４５°となる。
ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０nm程度エッチングされることになる。こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層７１９〜７２４（第１の導電層７１９ａ〜７２４ａと第２の導電層７１９ｂ〜７２４ｂ）を形成する。７１８はゲート絶縁膜であり、第１の形状の導電層７１９〜７２４で覆われない領域は２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。（図１１（Ｂ））
【００９６】
そして、第１のドーピング処理を行いｎ型を付与する不純物元素を添加する。
（図１１（Ｃ））ドーピングの方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０14atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層７１９〜７２４がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域７２６〜７３１が形成される。第１の不純物領域７２６〜７３１には１×１０20〜１×１０21atomic/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。
【００９７】
次に、図１１（Ｄ）に示すように第２のエッチング処理を行う。同様にＩＣＰエッチング法を用い、エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2を混合して、１Paの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ電力(13.56MHz)を供給し、プラズマを生成して行う。基板側（試料ステージ）には５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、第１のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。このような条件によりＷ膜を異方性エッチングし、かつ、それより遅いエッチング速度で第１の導電層であるＴａを異方性エッチングして第２の形状の導電層７３３〜７３８（第１の導電層７３３ａ〜７３８ａと第２の導電層７３３ｂ〜７３８ｂ）を形成する。７３２はゲート絶縁膜であり、第２の形状の導電層７３３〜７３８で覆われない領域はさらに２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００９８】
Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ4とＣｌ2の混合ガスによるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオン種と反応生成物の蒸気圧から推測することができる。ＷとＴａのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗのフッ化物であるＷＦ6が極端に高く、その他のＷＣｌ5、ＴａＦ5、ＴａＣｌ5は同程度である。従って、ＣＦ4とＣｌ2の混合ガスではＷ膜及びＴａ膜共にエッチングされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ2を添加するとＣＦ4とＯ2が反応してＣＯとＦになり、ＦラジカルまたはＦイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一方、ＴａはＦが増大しても相対的にエッチング速度の増加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすいので、Ｏ2を添加することでＴａの表面が酸化される。Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応しないためさらにＴａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となりＷ膜のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすることが可能となる。
【００９９】
そして、図１２（Ａ）に示すように第２のドーピング処理を行う。この場合、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてｎ型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０ｋｅＶとし、１×１０13/cm2のドーズ量で行い、図１１（Ｃ）で島状半導体層に形成された第１の不純物領域の内側に新な不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の形状の導電層７３３〜７３８を不純物元素に対するマスクとして用い、第２の導電層７３３ａ〜７３８ａの下側の領域にも不純物元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第２の導電層７３３ａ〜７３８ａと重なる第３の不純物領域７３９〜７４４と、第１の不純物領域と第３の不純物領域との間の第２の不純物領域７４６〜７５１とを形成する。ｎ型を付与する不純物元素は、第２の不純物領域で１×１０17〜１×１０19atoms/cm3の濃度となるようにし、第３の不純物領域で１×１０16〜１×１０18atoms/cm3の濃度となるようにする。
【０１００】
そして、図１２（Ｂ）に示すように、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層７０４、７０７に一導電型とは逆の導電型の第４の不純物領域７５５〜７５７を形成する。第２の導電層７３５ｂ、７３８ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層７０２、７０３、７０６の全面と７０５の一部は、レジストマスク７５２〜７５４で被覆しておく。不純物領域７５５ａ、ｂ、ｃ〜７５７ａ、ｂ、ｃには異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成し、そのいずれの領域においても不純物濃度を２×１０20〜２×１０21atoms/cm3となるようにする。
【０１０１】
以上までの工程でそれぞれの島状半導体層に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる第２の導電層７３３〜７３８がゲート電極として機能する。
【０１０２】
レジストマスク７５２〜７５４を除去した後、導電型の制御を目的として図１２（Ｃ）に示すように、それぞれの島状半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであり、本実施例では５００℃で４時間の熱処理を行う。ただし、７３３〜７３８に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
【０１０３】
さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０１０４】
次いで、第１の層間絶縁膜７６０は酸化窒化シリコン膜から１００〜２００ｎｍの厚さで形成する。その上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜７６１を形成する。次いで、コンタクトホールを形成するためのエッチング工程を行う。
【０１０５】
そして、島状半導体層のソース領域とコンタクトを形成するソース配線７６２〜７６７、ドレイン領域とコンタクトを形成するドレイン配線７６８〜７７３を形成する。図示していないが、本実施例ではこの電極を、Ｔｉ膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むＡｌ膜３００ｎｍ、Ｔｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続して形成した３層構造の電極として用いた（図１３（Ａ））。
【０１０６】
そして、ソース配線７６２〜７６７と、ドレイン配線７６８〜７７３と、第２の層間絶縁膜７６１を覆ってパッシベーション膜７７４を形成した。パッシベーション膜７７４は、窒化珪素膜で５０ｎｍの厚さで形成した。さらに、有機樹脂からなる第３の層間絶縁膜７７５を約１０００ｎｍの厚さに形成した。有機樹脂膜としては、ポリイミド、アクリル、ポリイミドアミド等を使用することができる。有機樹脂膜を用いることの利点は、成膜方法が簡単である点や、比誘電率が低いので、寄生容量を低減できる点、平坦性に優れる点などが上げられる。なお上述した以外の有機樹脂膜を用いることもできる。ここでは、基板に塗布後、熱重合するタイプのポリイミドを用い、３００℃で焼成して形成した。
【０１０７】
次に、第３の層間絶縁膜７７５及びパッシベーション膜７７４に、ドレイン配線７７３、７７１に達するコンタクトホールを形成し、画素電極７７６、センサー用配線７７７を形成する。本実施例では酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜を１１０ｎｍの厚さに形成し、パターニングを行ってセンサー用配線７７７及び画素電極７７６を同時に形成する。また、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いても良い。この画素電極７７６がＥＬ素子の陽極となる（図１３（Ｂ））。
【０１０８】
次に、樹脂材料でなるバンク７７８を形成する。バンク７７８は１〜２μm厚のアクリル膜またはポリイミド膜をパターニングして形成すれば良い。このバンク７７８は画素と画素との間にストライプ状に形成される。本実施例では、バンク７７８はソース配線７７６上に沿って形成しているが、ゲート配線（図示せず）上に沿って形成しても良い。なおバンク７７８を形成している樹脂材料に顔料等を混ぜ、バンク７７８を遮蔽膜として用いても良い。
【０１０９】
またバンク７７８を形成する際に同時に、画素電極７７６の、ドレイン配線７７３に達するコンタクトホール上に、画素電極７７６上に形成されるＥＬ層を平坦化するための平坦化部を形成しても良い。
【０１１０】
次に、ＥＬ層７７９及び陰極（ＭｇＡｇ電極）７８０を、真空蒸着法を用いて大気解放しないで連続形成する。なお、ＥＬ層７７９の膜厚は８０〜２００ｎｍ（典型的には１００〜１２０ｎｍ）、陰極７８０の厚さは１８０〜３００ｎｍ（典型的には２００〜２５０ｎｍ）とすれば良い。なお、本実施例では一画素しか図示されていないが、このとき同時に赤色に発光するＥＬ層、緑色に発光するＥＬ層及び青色に発光するＥＬ層が形成される。
【０１１１】
この工程では、赤色に対応する画素、緑色に対応する画素及び青色に対応する画素に対して順次ＥＬ層７７９及び陰極７８０を形成する。但し、ＥＬ層７７９は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリソグラフィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。そこでメタルマスクを用いて所望の画素以外を隠し、必要箇所だけ選択的にＥＬ層７７９及び陰極７８０を形成するのが好ましい。
【０１１２】
即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光のＥＬ層及び陰極を選択的に形成する。次いで、緑色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて緑色発光のＥＬ層及び陰極を選択的に形成する。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて青色発光のＥＬ層及び陰極を選択的に形成する。なお、ここでは全て異なるマスクを用いるように記載しているが、同じマスクを使いまわしても構わない。また、全画素にＥＬ層及び陰極を形成するまで真空を破らずに処理することが好ましい。
【０１１３】
なお、本実施例ではＥＬ層７７９を発光層のみからなる単層構造とするが、ＥＬ層は発光層の他に正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等を有していても構わない。このように組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。ＥＬ層７７９としては公知の材料を用いることができる。公知の材料としては、ＥＬ駆動電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。また、本実施例ではＥＬ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いた例を示すが、公知の他の材料を用いることが可能である。
【０１１４】
こうして図１３（Ｃ）に示すような構造のセンサー基板が完成する。なお、バンク７７８を形成した後、陰極７８０を形成するまでの工程をマルチチャンバー方式（またはインライン方式）の薄膜形成装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効である。
【０１１５】
なお本実施例ではセンサー部が有するＴＦＴの作製行程について説明したが、駆動部が有するＴＦＴも上述したプロセスを参照して、同時に基板上に形成しても良い。
【０１１６】
７８１はバッファ用ＴＦＴ、７８２は選択用ＴＦＴ、７８３はリセット用ＴＦＴ、７８４はフォトダイオード、７８５はスイッチング用ＴＦＴ、７８６はＥＬ駆動用ＴＦＴに相当する。
【０１１７】
本実施例ではスイッチング用ＴＦＴ７８５をシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造でも構わないし、トリプルゲート構造やそれ以上のゲート本数を持つマルチゲート構造でも構わない。スイッチング用ＴＦＴ７８５をダブルゲート構造とすることで、実質的に二つのＴＦＴが直列された構造となり、オフ電流値を低減することができるという利点がある。
【０１１８】
なお本実施例においてフォトダイオード７８４上に設けられているゲート電極７３６は、フォトダイオード７８４に光が照射されていない時に、カソード電極７８７とアノード電極７８８の間に設けられた光電変換層７８９に電流が流れないような電位に常に保たれている。
【０１１９】
本実施例においてバッファ用ＴＦＴ７８１と、選択用ＴＦＴ７８２と、スイッチング用ＴＦＴ７８５はｎチャネル型ＴＦＴであり、それぞれチャネル形成領域８０１〜８０３、第１のゲート電極７３３ａ、７３４ａ、７３７ａと重なる第３の不純物領域８０４〜８０６（Ｌｏｖ領域）、第１のゲート電極７３３ａ、７３４ａ、７３７ａの外側に形成される第２の不純物領域８０７〜８０９（Ｌｏｆｆ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する第１の不純物領域８１０〜８１２を有している。
【０１２０】
また本実施例において、リセット用ＴＦＴ７８３、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７８６はｐチャネル型ＴＦＴであり、それぞれチャネル形成領域８１３、８１４、第１のゲート電極７３５ａ、７３８ａと重なる第４の不純物領域８１５、８１６、第１のゲート電極７３５ａ、７３８ａの外側に形成される第５の不純物領域８１７、８１８、ソース領域またはドレイン領域として機能する第６の不純物領域８１９、８２０を有している。
【０１２１】
なお、実際には図１３（Ｃ）まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のシーリング材でパッケージング（封入）することが好ましい。その際、シーリング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＥＬ素子の信頼性が向上する。
【０１２２】
また、パッケージング等の処理により気密性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクター（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）を取り付けて製品として完成する。このような出荷できるまでした状態を本明細書中ではエリアセンサという。
【０１２３】
なお、本発明は上述した作製方法に限定されず、公知の方法を用いて作製することが可能である。また本実施例は、実施例１〜実施例４と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例６】
【０１２４】
本実施例は本発明を使用する状況を述べるものである。本人認証が生体情報までの高度な認証が不要な場合は本発明を使用しないこともありえる。小額の金銭移動などの場合は必ずしも必要ではない。
【０１２５】
このため、認証の有無が選択できること、たとえば金銭が高額な移動が伴う場合のみに選択的に認証が出来るようにすることも可能である。取引先の状況に合わせ使用することや、あらかじめ携帯情報装置の制御マイコン上に判定基準を設定しておき、数値が一定値を超えた場合のみ使用することが可能である。また、認証結果を必要な場合のみ認証結果をインターネットで伝達することも可能である。
【０１２６】
なお、本実施例は、実施例１〜実施例５と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例７】
【０１２７】
本実施例では、本発明のセンサー内蔵ディスプレイに用いられるＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイ（エリアセンサー）を作製した例について説明する。なお、図１４（Ａ）は本発明のＥＬ表示装置の上面図であり、図１４（Ｂ）はその断面図である。
【０１２８】
図１４（Ａ）、（Ｂ）において、４００１は基板、４００２は画素部、４００３はソース側駆動回路、４００４はゲート側駆動回路であり、それぞれの駆動回路は配線４００５を経てＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４００６に至り、外部機器へと接続される。
【０１２９】
このとき、画素部４００２、ソース側駆動回路４００３及びゲート側駆動回路４００４を囲むようにして第１シール材４１０１、カバー材４１０２、充填材４１０３及び第２シール材４１０４が設けられている。
【０１３０】
図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図に相当し、基板４００１の上にフォトダイオード４２０１及び画素部４００２に含まれるＥＬ駆動用ＴＦＴ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）４２０２が形成されている。
【０１３１】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用いられる。また、画素部４００２にはＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のゲートに接続された保持容量（図示せず）が設けられる。
【０１３２】
フォトダイオード４２０１及びＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化膜）４３０１が形成され、その上にＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電気的に接続する画素電極（陽極）４３０２が形成される。
画素電極４３０２としては仕事関数の大きい透明導電膜が用いられる。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。
また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。
【０１３３】
そして、画素電極４３０２の上には絶縁膜４３０３が形成され、絶縁膜４３０３は画素電極４３０２の上に開口部が形成されている。この開口部において、画素電極４３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層４３０４が形成される。ＥＬ層４３０４は公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることができる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちらを用いても良い。
【０１３４】
ＥＬ層４３０４の形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば良い。
【０１３５】
ＥＬ層４３０４の上には遮光性を有する導電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）からなる陰極４３０５が形成される。また、陰極４３０５とＥＬ層４３０４の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連続成膜するか、ＥＬ層４３０４を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極４３０５を形成するといった工夫が必要である。本実施例ではマルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。
【０１３６】
そして陰極４３０５は４３０６で示される領域において配線４００５に電気的に接続される。配線４００５は陰極４３０５に所定の電圧を与えるための配線であり、異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続される。
【０１３７】
以上のようにして、画素電極（陽極）４３０２、ＥＬ層４３０４及び陰極４３０５からなるＥＬ素子が形成される。このＥＬ素子は、第１シール材４１０１及び第１シール材４１０１によって基板４００１に貼り合わされたカバー材４１０２で囲まれ、充填材４１０３により封入されている。
【０１３８】
カバー材４１０２としては、ガラス材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いることができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０１３９】
但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明物質を用いる。
【０１４０】
また、充填材４１０３としては紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。この充填材４１０３の内部に吸湿性物質（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる物質を設けておくとＥＬ素子の劣化を抑制できる。
【０１４１】
また、充填材４１０３の中にスペーサを含有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの圧力を緩和するバッファ層として陰極４３０５上に樹脂膜を設けることも有効である。
【０１４２】
また、配線４００５は異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続される。配線４００５は画素部４００２、ソース側駆動回路４００３及びゲート側駆動回路４００４に送られる信号をＦＰＣ４００６に伝え、ＦＰＣ４００６により外部機器と電気的に接続される。
【０１４３】
また、本実施例では第１シール材４１０１の露呈部及びＦＰＣ４００６の一部を覆うように第２シール材４１０４を設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮断する構造となっている。こうして図１４（Ｂ）の断面構造を有するＥＬ表示装置となる。
【実施例８】
【０１４４】
本実施例では、本発明で用いられるＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置の図１４とは異なる例について説明する。なお、図１５（Ａ）は本発明のＥＬ表示装置の上面図であり、図１５（Ｂ）はその断面図である。なお図１４で既に示したものは同じ符号を用いる。
【０１４５】
図１５（Ａ）、（Ｂ）において４５０１はカバー層であり、画素部４００２、ソース側駆動回路４００３及びゲート側駆動回路４００４を覆うように、基板４００１上に形成されている。
【０１４６】
図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図に相当し、フォトダイオード４２０１及びＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化膜）４３０１が形成され、その上にＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電気的に接続する画素電極（陽極）４３０２が形成される。
【０１４７】
そして、画素電極４３０２の上には絶縁膜４３０３が形成され、絶縁膜４３０３は画素電極４３０２の上に開口部が形成されている。この開口部において、画素電極４３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層４３０４が形成される。ＥＬ層４３０４は公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることができる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちらを用いても良い。
【０１４８】
ＥＬ層４３０４の形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば良い。
【０１４９】
ＥＬ層４３０４の上には遮光性を有する導電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）からなる陰極４３０５が形成される。また、陰極４３０５とＥＬ層４３０４の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連続成膜するか、ＥＬ層４３０４を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極４３０５を形成するといった工夫が必要である。本実施例ではマルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。
【０１５０】
本実施例では、陰極４３０５上にバリア層４５０１を形成する。本実施例ではバリア層４５０１としてＳｉが添加されたＤＬＣ（Diamond like carbon）膜を用いたが、本実施例はこれに限定されない。Ｓｉが添加されたＤＬＣ膜の他に、酸化タンタル、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、ＤＬＣ膜も用いることが可能である。
【０１５１】
ＥＬ層は熱に弱いので、陰極及びバリア層はなるべく低温で（好ましくは室温から１２０℃までの温度範囲）で成膜するのが望ましい。本実施例ではバリア層４５０１はプラズマＣＶＤ法を用いて室温で形成するが、スパッタリング法を用いて形成することもできる。プラズマＣＶＤ法を用いてバリア層を形成することで、ＥＬ層、陰極及びバリア層をマルチチャンバー内において連続形成することが可能である。バリア層の厚さは１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、本実施例ではバリア層４５０１を５０ｎｍの厚さに形成した。
【０１５２】
バリア層４５０１を形成したら、バリア層４５０１の上に有機樹脂からなるカバー層４５０２を形成する。なお、有機樹脂を溶媒に溶かしたり、有機樹脂自体の粘度を適度に調節して有機樹脂液を作製した後、これを材料室に備えて電解塗布法により塗布し、カバー層４５０２を形成する。このとき有機樹脂液の粘性は、１×１０-3〜３×１０-2Ｐａ・ｓであることが望ましい。
【０１５３】
またこの時、カバー層を形成する有機樹脂液の内部に酸化バリウムといった吸湿剤や酸化防止剤を添加しておくことで、ＥＬ素子の劣化を促進する水分や酸素がＥＬ層の中に進入するのを防ぐことができる。
【０１５４】
そして陰極４３０５は４３０６で示される領域において配線４００５に電気的に接続される。配線４００５は陰極４３０５に所定の電圧を与えるための配線であり、異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続される。
【０１５５】
カバー材４１０２としては、ガラス材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いることができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０１５６】
但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明物質を用いる。
【０１５７】
また、カバー層４５０２の中にスペーサを含有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの圧力を緩和するバッファ層として陰極４３０５上に樹脂膜を設けることも有効である。
【０１５８】
また、配線４００５は異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続される。配線４００５は画素部４００２、ソース側駆動回路４００３及びゲート側駆動回路４００４に送られる信号をＦＰＣ４００６に伝え、ＦＰＣ４００６により外部機器と電気的に接続される。
【０１５９】
また、本実施例では第１シール材４１０１の露呈部及びＦＰＣ４００６の一部を覆うように第２シール材４１０４を設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮断する構造となっている。こうして図１５（Ｂ）の断面構造を有するＥＬ表示装置となる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は本人認証システムまたは本人認証方法に関し、特に、センサー付ディスプレイを用いて、本人認証を行うことを特徴とする本人認証システムまたは本人認証方法である。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、携帯情報端末などの携帯型の通信装置（携帯通信装置）を使用したインターネットによる、通信技術が急速に発展しつつある。従来のインターネットは、企業、家庭での据え置きパソコンに電話回線を接続し、通信をおこなっていた。しかし、現在では、携帯電話で、インターネットが簡単に出来るiモードが普及し、さまざまな情報交換が簡便に行われるようになった。
【０００３】
本明細書で記述するのはインターネットと携帯通信装置を用いた本人認証システムに関するのものである。
【０００４】
従来の携帯電話装置の例を図１６に示す。図１６に示されるような従来の携帯電話装置は本体２６０１、音声出力部２６０２、音声入力部２６０３、表示部２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ２６０６などによって構成されている。通常の電話をかける場合は液晶ディスプレイに相手先の電話番号や、電波の受信状態などが表示される。また、インターネットを使用する場合には、相手先の必要情報が表示されることになる。
【０００５】
図１６に示したような従来の携帯電話装置を用いて、インターネット上で金銭授受を行う場合、本人であることの確認が必要であるが、そのときは、あらかじめ相手先に登録した暗証番号を入力して、相手先とデータのやり取りを行い、確認を行っていた。
【０００６】
図１７に従来の本人認証のフローを示す。使用者はまず、要望する相手先とインターネットを介して接続を行う。次に、相手先の指定した条件下で、認証のための数値（暗証番号）を携帯電話装置より入力する。数値を受け取った相手先は自分のところにあらかじめ登録された数値との照合を行い、合致するかどうかを確認する。ここで合致が見られれば、使用者は本人と確認され、要望する対応を得ることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記にて説明したような従来の携帯電話を用いた認証システムでは以下の課題があった。
１、本人であることの確認が難しい。暗証番号が本人以外の人間に漏洩した場合、悪用される可能性がある。
２、本人確認が毎回、相手先との通信を介して行われるため、通信コストが上昇し、また、通話の断絶が発生すると、再確認が必要となる。
３、キーボードの入力の手間が多い。
という問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、を有することを特長とする本人認証システムが提供される。
【０００９】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを前記使用者に通知する手段と、を有することを特長とする本人認証システムが提供される。
【００１０】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を有する携帯通信装置を用いた本人認証システムであって 前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、を有することを特長とする本人認証システムが提供される。
【００１１】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を有する携帯通信装置を用いた本人認証システムであって 前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを情報として前記携帯通信装置に伝える手段と、を有することを特長とする本人認証システムが提供される。
【００１２】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、を有することを特長とする本人認証方法が提供される。
【００１３】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを前記使用者に通知する手段と、を有することを特長とする本人認証方法が提供される。
【００１４】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を有する携帯通信装置を用いた本人認証方法であって 前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、を有することを特長とする本人認証方法が提供される。
【００１５】
本発明によって、 センサー内蔵型の表示装置を有する携帯通信装置を用いた本人認証方法であって 前記センサー内蔵型の表示装置を用いて使用者の生体情報を読み取る手段と、 読み取った生体情報と、前記携帯通信装置に記憶されている基準となる生体情報を照合する手段と、 前記照合が合致した場合、交信先に合致したことを情報として伝える手段と、 前記交信先が、前記照合が合致したことを情報として受け取った後、前記使用者と前記交信先の間の通信が許可されたことを情報として前記携帯通信装置に伝える手段と、を有することを特長とする本人認証方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の携帯通信装置は、装置内部のセンサーに機能により本人認証が可能であり、従来の数値入力（暗証番号）を入力する認証作業に対して、高信頼性、簡易性を有することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の本人認証システムの認証フロー。
【図２】本発明の携帯通信装置の外観図。
【図３】本発明の携帯通信装置の使用方法について示した図。
【図４】本発明の携帯通信装置の使用方法について示した図。
【図５】センサー内蔵型ディスプレイの構造を示すブロック図。
【図６】センサー内蔵型ディスプレイの構造を示すブロック図。
【図７】センサー部の回路図。
【図８】画素の回路図。
【図９】センサー部の回路図。
【図１０】センサー内蔵型ディスプレイの構造を示すブロック図。
【図１１】センサー内蔵型ディスプレイの作製行程を示す図。
【図１２】センサー内蔵型ディスプレイの作製行程を示す図。
【図１３】センサー内蔵型ディスプレイの作製行程を示す図。
【図１４】センサー内蔵型ディスプレイの外観図及び断面図。
【図１５】センサー内蔵型ディスプレイの外観図及び断面図。
【図１６】従来の携帯電話の図。
【図１７】従来の本人認証のフロー。
【図１８】読み取る掌紋の位置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明では、以上に述べた問題点を解決するための形態として、本人認証を暗証番号ではなく、使用者が持つ生体情報（指紋、掌紋などその人間が生まれつき持っている身体的な特徴情報）を識別し、本人認証に使用するものである。また認証作業を相手先で行うのではなく、携帯通信装置自体で行うことにより、システムとしての簡便性を増すものである。
【００１９】
図１に本発明の本人認証システムの認証フローを示す。まず、キーボード上で生体情報収集を指示する。あらかじめプログラムされていれば、１つのキーを押すことによって、生体情報収集がはじめられるようにすることも容易に可能である。また、携帯通信装置の電源投入時に自動的に生体情報収集がはじめられるようにすることも可能である。
【００２０】
得られた生体情報はあらかじめ携帯通信装置の中の不揮発性メモリに蓄えられている基準となる本人の生体情報と比較される。ここで、読み取られた生体情報と、基準となる生体情報が合致すると判断されれば、使用者は携帯通信装置の正しい所有者であると判断される。判断終了後、相手先に送信をおこなう。このとき、認証作業はすでに終了しているので、新たに相手先との間で認証作業をする必要はなく、携帯通信装置から認証は終了しているという情報を相手先は受け取るだけでよい。
【００２１】
本実施の形態の本人認証システムに使用する携帯通信装置が従来と異なるのは、従来の携帯電話のディスプレイが表示専用であるのに対し、本実施の形態の認証システムのディスプレイではセンサーを内臓していることである。ここで用いるセンサーはエリアセンサーであり、使用者の生体情報を読み取るのに使用する。ここでいう生体情報とは。使用者が生まれつき持っている、身体上の固有の情報で、たとえば、指紋や手のひらの掌紋（手相）などである。
【００２２】
次に本発明の携帯通信装置について述べる。図２に示すのは本発明の携帯通信装置であり、２７０１は表示用パネル、２７０２は操作用パネルである。表示用パネル２７０１と操作用パネル２７０２とは接続部２７０３において接続されている。そして接続部２７０３における、表示用パネル２７０１のセンサー内蔵ディスプレイ（センサー内蔵の表示装置）２７０４が設けられている面と操作用パネル２７０２の操作キー２７０６が設けられている面との角度θは、任意に変えることができる。
【００２３】
表示用パネル２７０１はセンサー内蔵ディスプレイ２７０４を有している。また図２に示した携帯通信装置は電話としての機能を有しており、表示用パネル２７０１は音声出力部２７０５を有しており、音声が音声出力部２７０５から出力される。センサー内蔵ディスプレイ２７０４にはＥＬディスプレイが用いられている。
【００２４】
操作用パネル２７０２は操作キー２７０６、電源スイッチ２７０７、音声入力部２７０８を有している。なお図２では操作キー２７０６と電源スイッチ２７０７とを別個に設けたが、操作キー２７０６の中に電源スイッチ２７０７が含まれる構成にしても良い。音声入力部２７０８において、音声が入力される。
【００２５】
なお図２では表示用パネル２７０１が音声出力部２７０５を有し、操作用パネル２７０２が音声入力部２７０８を有しているが、本実施例はこの構成に限定されない。表示用パネル２７０１が音声入力部２７０８を有し、操作用パネルが音声出力部２７０５を有していても良い。また音声出力部２７０５と音声入力部２７０８とが共に表示用パネル２７０１に設けられていても良いし、音声出力部２７０５と音声入力部２７０８とが共に操作用パネル２７０２に設けられていても良い。
【００２６】
図３、図４を用いて、図２で示した携帯通信装置の使用方法について説明する。図３に示すように、本装置によって認証を行う場合には、手のひらを携帯通信装置に覆いかぶせるようにして使用する。認証はキーボードでキー操作を行うとともに、使用者の手相をセンサー付ディスプレイが読み取り、認証作業を行う。
ここで手のひらは携帯装置を覆っているため、センシングにもちいられる光は、ディスプレイ内部より得る必要がある。よって、ディスプレイは有機ＥＬディスプレイのように自発光のディスプレイが望ましい。図１８に示すように、掌紋（手相）がセンサーによって読みとられる。
【００２７】
なお図３では操作キー２７０６を人差し指で操作している例について示したが、図４に示すように、親指で操作キー２７０６を操作することも可能である。なお操作キー２７０６は操作用パネル２７０２の側面に設けても良い。操作は片手（きき手）の人差し指のみ、または親指のみでも可能である。
【００２８】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２９】
以下に本発明に用いるセンサー内蔵ディスプレイを有する携帯通信装置の実施例の構成と、その動作について説明する。
【００３０】
図５は本実施例の携帯通信装置のブロック図である。この携帯通信装置はアンテナ６０１、送信受信回路６０２、信号を圧縮伸張化、符号化する信号処理回路６０３、制御用マイコン６０４、フラッシュメモリ６０５、キーボード６０６、音声入力回路６０７、音声出力回路６０８、マイク６０９、スピーカ６１０などを有していることは従来と同じであるが、それに加えてセンサー内蔵ディスプレイ６１１、照合回路部６１２などを有している。
【００３１】
照合を行うときには、ディスプレイ内部のセンサーによって得られたアナログ画像情報はＡ/Ｄコンバータ６１３によってデジタル信号に変換される。変換された信号はＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）６１４におくられ、信号処理を行われる。信号処理としては、手相をより判別しやすくするため、微分フィルタなどを用い映像の濃淡が変わるところを際立たせることが可能である。得られた手相データはＤＳＰ６１４内部で数値化し、比較回路６１５に送られる。比較回路６１５にはフラッシュメモリ６０５に記憶している基準データも呼び出され、２つのデータは比較照合される。
【００３２】
生体情報データを判別する方法としては、元になるデータと収集したデータのそれぞれの特徴を比較して照合する特徴照合方式と二つのデータを直接比較する画像マッチング方式があるが、どちらの方式を用いても問題はない。また基準データは１つだけではなく、手の向きを多少変えるなどして、複数の認証データを備えたほうがより確実な認証が可能となる。
【００３３】
ここで合致が見られれば、制御用マイコン６０４は認証信号を出力し、信号処理部６０３、送受信回路６０２、アンテナ６０１を介して、送信され、インターネットなどを通じて伝達される。
【実施例２】
【００３４】
図６は本発明で使用するセンサー内蔵型ディスプレイの構造を示すブロック図である。１２０はソース信号線駆動回路、１２２はゲート信号線駆動回路であり、共にスイッチング用ＴＦＴ１０４及びＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５の駆動を制御している。また１２１はセンサー用ソース信号線駆動回路、１２３はセンサー用ゲート信号線駆動回路であり、共にリセット用ＴＦＴ１１０、バッファ用ＴＦＴ１１１及び選択用ＴＦＴ１１２の駆動を制御している。なお本明細書において、ソース信号線駆動回路１２０、ゲート信号線駆動回路１２２、センサー用ソース信号線駆動回路１２１、センサー用ゲート信号線駆動回路１２３を駆動部と呼ぶ。
【００３５】
ソース信号線駆動回路１２０は、シフトレジスタ１２０ａ、ラッチ（Ａ）１２０ｂ、ラッチ（Ｂ）１２０ｃを有している。ソース信号線駆動回路１２０において、シフトレジスタ１２０ａにクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ１２０ａは、これらのクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発生させ、後段の回路へタイミング信号を順次供給する。
【００３６】
なおシフトレジスタ１２０ａからのタイミング信号を、バッファ等（図示せず）によって緩衝増幅し、後段の回路へ緩衝増幅したタイミング信号を順次供給しても良い。タイミング信号が供給される配線には、多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐために、このバッファが設けられる。
【００３７】
図７にセンサー部１０１の回路図を示す。センサー部１０１はソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙ、リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙ、センサー用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙ、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘ、センサー用電源線ＶＢが設けられている。
【００３８】
センサー部１０１は複数の画素１０２を有している。画素１０２は、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つと、リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つと、センサー用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙのいずれか１つと、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つと、センサー用電源線ＶＢとを有している。
【００３９】
センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘはそれぞれ定電流電源１０３＿１〜１０３＿ｘに接続されている。
【００４０】
図８に画素１０２の詳しい構成を示す。点線で囲まれた領域が画素１０２である。なお、ソース信号線Ｓは、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つを意味する。また電源供給線Ｖは電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つを意味する。またゲート信号線Ｇはゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つを意味する。またリセット用ゲート信号線ＲＧはリセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つを意味する。またセンサー用ゲート信号線ＳＧは、センサー用ゲート信号線ＳＧ１〜ＳＧｙのいずれか１つを意味する。またセンサー出力配線ＳＳはセンサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つを意味する。
【００４１】
画素１０２はスイッチング用ＴＦＴ１０４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５、ＥＬ素子１０６を有している。また図８では画素１０２にコンデンサ１０７が設けられているが、コンデンサ１０７を設けなくとも良い。
【００４２】
ＥＬ素子１０６は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が対向電極、陰極が画素電極である。
【００４３】
スイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極はゲート信号線Ｇに接続されている。そしてスイッチング用ＴＦＴ１０４のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線Ｓに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極に接続されている。
【００４４】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域は、一方が電源供給線Ｖに、もう一方がＥＬ素子１０６に接続されている。コンデンサ１０７はＥＬ駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極と電源供給線Ｖとに接続して設けられている。
【００４５】
さらに画素１０２は、リセット用ＴＦＴ１１０、バッファ用ＴＦＴ１１１、選択用ＴＦＴ１１２、フォトダイオード１１３を有している。
【００４６】
リセット用ＴＦＴ１１０のゲート電極はリセット用ゲート信号線ＲＧに接続されている。リセット用ＴＦＴ１１０のソース領域はセンサー用電源線ＶＢに接続されている。センサー用電源線ＶＢは常に一定の電位（基準電位）に保たれている。またリセット用ＴＦＴ１１０のドレイン領域はフォトダイオード１１３及びバッファ用ＴＦＴ１１１のゲート電極に接続されている。
【００４７】
図示しないが、フォトダイオード１１３はカソード電極と、アノード電極と、カソード電極とアノード電極の間に設けられた光電変換層とを有している。リセット用ＴＦＴ１１０のドレイン領域は、具体的にはフォトダイオード１１３のアノード電極又はカソード電極に接続されている。
【００４８】
バッファ用ＴＦＴ１１１のドレイン領域はセンサー用電源線ＶＢに接続されており、常に一定の基準電位に保たれている。そしてバッファ用ＴＦＴ１１１のソース領域は選択用ＴＦＴ１１２のソース領域又はドレイン領域に接続されている。
【００４９】
選択用ＴＦＴ１１２のゲート電極はセンサー用ゲート信号線ＳＧに接続されている。そして選択用ＴＦＴ１１２のソース領域とドレイン領域は、一方は上述したとおりバッファ用ＴＦＴ１１１のソース領域に接続されており、もう一方はセンサー出力配線ＳＳに接続されている。センサー出力配線ＳＳは定電流電源１０３（定電流電源１０３＿１〜１０３＿ｘのいずれか１つ）に接続されており、常に一定の電流が流れている。
【００５０】
図６に示したシフトレジスタ１２０ａからのタイミング信号は、ラッチ（Ａ）
１２０ｂに供給される。ラッチ（Ａ）１２０ｂは、デジタル信号（digital signals）を処理する複数のステージのラッチを有している。ラッチ（Ａ）１２０ｂは、前記タイミング信号が入力されると同時に、デジタル信号を順次書き込み、保持する。
【００５１】
なお、ラッチ（Ａ）１２０ｂにデジタル信号を取り込む際に、ラッチ（Ａ）１２０ｂが有する複数のステージのラッチに、順にデジタル信号を入力しても良い。しかし本願発明はこの構成に限定されない。ラッチ（Ａ）１２０ｂが有する複数のステージのラッチをいくつかのグループに分け、各グループごとに並行して同時にデジタル信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っても良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。例えば４つのステージごとにラッチをグループに分けた場合、４分割で分割駆動すると言う。
【００５２】
ラッチ（Ａ）１２０ｂの全ステージのラッチへのデジタル信号の書き込みが一通り終了するまでの時間を、ライン期間と呼ぶ。すなわち、ラッチ（Ａ）１２０ｂ中で一番左側のステージのラッチにデジタル信号の書き込みが開始される時点から、一番右側のステージのラッチにデジタル信号の書き込みが終了する時点までの時間間隔がライン期間である。実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含むことがある。
【００５３】
１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）１２０ｃにラッチシグナル（Latch Signal）が供給される。この瞬間、ラッチ（Ａ）１２０ｂに書き込まれ保持されているデジタル信号は、ラッチ（Ｂ）１２０ｃに一斉に送出され、ラッチ（Ｂ）
１２０ｃの全ステージのラッチに書き込まれ、保持される。
【００５４】
デジタル信号をラッチ（Ｂ）１２０ｃに送出し終えたラッチ（Ａ）１２０ｂは、シフトレジスタ１２０ａからのタイミング信号に基づき、再びデジタル信号の書き込みを順次行う。
【００５５】
この２順目の１ライン期間中には、ラッチ（Ｂ）１２０ｂに書き込まれ、保持されているデジタル信号がソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力される。
【００５６】
一方、ゲート信号側駆動回路１２２は、それぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）を有している。また場合によっては、ゲート信号側駆動回路１２２が、シフトレジスタ、バッファの他にレベルシフトを有していても良い。
【００５７】
ゲート信号側駆動回路１２２において、シフトレジスタ（図示せず）からのゲート信号がバッファ（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線に供給される。ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙには、それぞれ１ライン分の画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極が接続されており、１ライン分全ての画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４を同時にオンの状態にしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
【００５８】
なおソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路の数、構成及びその動作は、本実施例で示した構成に限定されない。本発明のセンサー内蔵ディスプレイに用いられるエリアセンサーは、公知のソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路を用いることが可能である。
【００５９】
本実施例の構成は、実施例１と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例３】
【００６０】
実施例２のセンサー部とは異なる構成を有するセンサー部の回路図を図９に示す。センサー部１００１はソース信号線Ｓ１〜Ｓｘ、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘ、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙ、リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙ、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘ、センサー用電源線ＶＢが設けられている。
【００６１】
センサー部１００１は複数の画素１００２を有している。画素１００２は、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つと、電源供給線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つと、ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つと、リセット用ゲート信号線ＲＧ１〜ＲＧｙのいずれか１つと、センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘのいずれか１つと、センサー用電源線ＶＢとを有している。
【００６２】
センサー出力配線ＳＳ１〜ＳＳｘはそれぞれ定電流電源１００３＿１〜１００３＿ｘに接続されている。
【００６３】
画素１００２はスイッチング用ＴＦＴ１００４、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５、ＥＬ素子１００６を有している。また図９では画素１００２にコンデンサ１００７が設けられているが、コンデンサ１００７を設けなくとも良い。さらに画素１００２は、リセット用ＴＦＴ１０１０、バッファ用ＴＦＴ１０１１、選択用ＴＦＴ１０１２、フォトダイオード１０１３を有している。
【００６４】
ＥＬ素子１００６は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。陽極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が対向電極、陰極が画素電極である。
【００６５】
スイッチング用ＴＦＴ１００４のゲート電極はゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に接続されている。そしてスイッチング用ＴＦＴ１００４のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線Ｓに、もう一方がＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のゲート電極に接続されている。
【００６６】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のソース領域とドレイン領域は、一方が電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）に、もう一方がＥＬ素子１００６に接続されている。コンデンサ１００７はＥＬ駆動用ＴＦＴ１００５のゲート電極と電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）
とに接続して設けられている。
【００６７】
リセット用ＴＦＴ１０１０のゲート電極はリセット用ゲート信号線（ＲＧ１〜ＲＧｘ）に接続されている。リセット用ＴＦＴ１０１０のソース領域はセンサー用電源線ＶＢに接続されている。センサー用電源線ＶＢは常に一定の電位（基準電位）に保たれている。またリセット用ＴＦＴ１０１０のドレイン領域はフォトダイオード１０１３及びバッファ用ＴＦＴ１０１１のゲート電極に接続されている。
【００６８】
図示しないが、フォトダイオード１０１３はカソード電極と、アノード電極と、カソード電極とアノード電極の間に設けられた光電変換層とを有している。リセット用ＴＦＴ１０１０のドレイン領域は、具体的にはフォトダイオード１０１３のアノード電極又はカソード電極に接続されている。
【００６９】
バッファ用ＴＦＴ１０１１のドレイン領域はセンサー用電源線ＶＢに接続されており、常に一定の基準電位に保たれている。そしてバッファ用ＴＦＴ１０１１のソース領域は選択用ＴＦＴ１０１２のソース領域又はドレイン領域に接続されている。
【００７０】
選択用ＴＦＴ１０１２のゲート電極はゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）に接続されている。そして選択用ＴＦＴ１０１２のソース領域とドレイン領域は、一方は上述したとおりバッファ用ＴＦＴ１０１１のソース領域に接続されており、もう一方はセンサー出力配線（ＳＳ１〜ＳＳｘ）に接続されている。センサー出力配線（ＳＳ１〜ＳＳｘ）は定電流電源１００３（定電流電源１００３＿１〜１００３＿ｘ）にそれぞれ接続されており、常に一定の電流が流れている。
【００７１】
本実施例において、スイッチング用ＴＦＴ１００４及び選択用ＴＦＴ１０１２の極性は同じである。つまり。スイッチング用ＴＦＴ１００４がｎチャネル型ＴＦＴの場合、選択用ＴＦＴ１０１２もｎチャネル型ＴＦＴである。またスイッチング用ＴＦＴ１００４がｐチャネル型ＴＦＴの場合、選択用ＴＦＴ１０１２もｐチャネル型ＴＦＴである。
【００７２】
そして本実施例のエリアセンサーのセンサー部は、図７に示したエリアセンサーと異なり、スイッチング用ＴＦＴ１００４のゲート電極と、選択用ＴＦＴ１０１２のゲート電極が、共にゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）に接続されていることである。よって本実施例のエリアセンサーの場合、各画素の有するＥＬ素子１００６の発光する期間は、サンプリング期間（ＳＴ１〜ＳＴｎ）と同じ長さである。
上記構成によって、本実施例のエリアセンサーは配線の数を図７の場合に比べて少なくすることができる。
【００７３】
なお本実施例のエリアセンサーも、センサー部１００１に画像を表示することは可能である。
【００７４】
本実施例の構成は、実施例１または実施例２と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例４】
【００７５】
図１０に本実施例のエリアセンサーの上面図を示す。１３０はソース信号線駆動回路、１３２はゲート信号線駆動回路である。また１３１はセンサー用ソース信号線駆動回路、１３３はセンサー用ゲート信号線駆動回路である。本実施例ではソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路とを１つづつ設けたが、本願発明はこの構成に限定されない。ソース信号線駆動回路を２つ設けても良い。また、ゲート信号線駆動回路を２つ設けても良い。
【００７６】
なお本明細書において、ソース信号線駆動回路１３０、ゲート信号線駆動回路１３２、センサー用ソース信号線駆動回路１３１、センサー用ゲート信号線駆動回路１３３を駆動部と呼ぶ。
【００７７】
ソース信号線駆動回路１３０は、シフトレジスタ１３０ａ、レベルシフト１３０ｂ、サンプリング回路１３０ｃを有している。なおレベルシフトは必要に応じて用いればよく、必ずしも用いなくとも良い。また本実施例においてレベルシフトはシフトレジスタ１３０ａとサンプリング回路１３０ｃとの間に設ける構成としたが、本願発明はこの構成に限定されない。またシフトレジスタ１３０ａの中にレベルシフト１３０ｂが組み込まれている構成にしても良い。
【００７８】
クロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス信号（ＳＰ）がシフトレジスタ１３０ａに入力される。シフトレジスタ１３０ａからアナログの信号（アナログ信号）をサンプリングするためのサンプリング信号が出力される。出力されたサンプリング信号はレベルシフト１３０ｂに入力され、その電位の振幅が大きくなって出力される。
【００７９】
レベルシフト１３０ｂから出力されたサンプリング信号は、サンプリング回路１３０ｃに入力される。そしてサンプリング回路１３０ｃに入力されるアナログ信号がサンプリング信号によってそれぞれサンプリングされ、ソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに入力される。
【００８０】
一方、ゲート信号側駆動回路１３２は、それぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）を有している。また場合によっては、ゲート信号側駆動回路１３２が、シフトレジスタ、バッファの他にレベルシフトを有していても良い。
【００８１】
ゲート信号側駆動回路１３２において、シフトレジスタ（図示せず）からのゲート信号がバッファ（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線に供給される。ゲート信号線Ｇ１〜Ｇｙには、それぞれ１ライン分の画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４のゲート電極が接続されており、１ライン分全ての画素のスイッチング用ＴＦＴ１０４を同時にオンの状態にしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
【００８２】
なおソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路の数、構成及びその動作は、本実施例で示した構成に限定されない。本発明のセンサー内蔵ディスプレイに用いられるエリアセンサーは、公知のソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路を用いることが可能である。
【００８３】
なお本実施例において、センサー部１０１は図７または図９に示した構成を有していても良い。
【００８４】
本実施例は実施例１または実施例３と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例５】
【００８５】
本実施例では基板上にセンサー部のＴＦＴを作製する方法について詳細に説明する。
【００８６】
まず、図１１（Ａ）に示すように、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスから成る基板７００上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜７０１を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜７０１ａを１０〜２００nm（好ましくは５０〜１００nm）形成し、同様にＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜７０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０nm）の厚さに積層形成する。本実施例では下地膜７０１を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。
【００８７】
島状半導体層７０２〜７０７は、非晶質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この島状半導体層７０２〜７０７の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）
の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【００８８】
レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００mJ/cm2(代表的には２００〜３００mJ/cm2)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１〜１０ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００mJ/cm2(代表的には３５０〜５００mJ/cm2)とすると良い。
そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％として行う。
【００８９】
次いで、島状半導体層７０２〜７０７を覆うゲート絶縁膜７０８を形成する。
ゲート絶縁膜７０８はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、１２０ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜７０８はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【００９０】
そして、ゲート絶縁膜７０８上にゲート電極を形成するための第１の導電膜７０９ａと第２の導電膜７０９ｂとを形成する。本実施例では、第１の導電膜７０９ａをＴａで５０〜１００ｎｍの厚さに形成し、第２の導電膜７０９ｂをＷで１００〜３００ｎｍの厚さに形成する。
【００９１】
Ｔａ膜はスパッタ法で形成し、ＴａのターゲットをＡｒでスパッタする。この場合、Ａｒに適量のＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することができる。また、α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩcm程度でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０μΩcm程度でありゲート電極とするには不向きである。α相のＴａ膜を形成するために、Ｔａのα相に近い結晶構造をもつ窒化タンタルを１０〜５０ｎｍ程度の厚さでＴａの下地に形成しておくとα相のＴａ膜を容易に得ることができる。
【００９２】
Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲットとしたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９％のＷターゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩｃｍを実現することができる。
【００９３】
なお、本実施例では、第１の導電膜７０９ａをＴａ、第２の導電膜７０９ｂをＷとしたが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の他の組み合わせの一例は、第１の導電膜７０９ａを窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜７０９ｂをＷとする組み合わせ、第１の導電膜７０９ａを窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜７０９ｂをＡｌとする組み合わせ、第１の導電膜７０９ａを窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜７０９ｂをＣｕとする組み合わせで形成することが好ましい。
【００９４】
次に、レジストによるマスク７１０〜７１５を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側（試料ステージ）にも１００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはＷ膜及びＴａ膜とも同程度にエッチングされる。
【００９５】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。テーパー部の角度は１５〜４５°となる。
ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０nm程度エッチングされることになる。こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層７１９〜７２４（第１の導電層７１９ａ〜７２４ａと第２の導電層７１９ｂ〜７２４ｂ）を形成する。７１８はゲート絶縁膜であり、第１の形状の導電層７１９〜７２４で覆われない領域は２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。（図１１（Ｂ））
【００９６】
そして、第１のドーピング処理を行いｎ型を付与する不純物元素を添加する。
（図１１（Ｃ））ドーピングの方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０14atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層７１９〜７２４がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域７２６〜７３１が形成される。第１の不純物領域７２６〜７３１には１×１０20〜１×１０21atomic/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。
【００９７】
次に、図１１（Ｄ）に示すように第２のエッチング処理を行う。同様にＩＣＰエッチング法を用い、エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2を混合して、１Paの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ電力(13.56MHz)を供給し、プラズマを生成して行う。基板側（試料ステージ）には５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、第１のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。このような条件によりＷ膜を異方性エッチングし、かつ、それより遅いエッチング速度で第１の導電層であるＴａを異方性エッチングして第２の形状の導電層７３３〜７３８（第１の導電層７３３ａ〜７３８ａと第２の導電層７３３ｂ〜７３８ｂ）を形成する。７３２はゲート絶縁膜であり、第２の形状の導電層７３３〜７３８で覆われない領域はさらに２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００９８】
Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ4とＣｌ2の混合ガスによるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオン種と反応生成物の蒸気圧から推測することができる。ＷとＴａのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗのフッ化物であるＷＦ6が極端に高く、その他のＷＣｌ5、ＴａＦ5、ＴａＣｌ5は同程度である。従って、ＣＦ4とＣｌ2の混合ガスではＷ膜及びＴａ膜共にエッチングされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ2を添加するとＣＦ4とＯ2が反応してＣＯとＦになり、ＦラジカルまたはＦイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一方、ＴａはＦが増大しても相対的にエッチング速度の増加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすいので、Ｏ2を添加することでＴａの表面が酸化される。Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応しないためさらにＴａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となりＷ膜のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすることが可能となる。
【００９９】
そして、図１２（Ａ）に示すように第２のドーピング処理を行う。この場合、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてｎ型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０ｋｅＶとし、１×１０13/cm2のドーズ量で行い、図１１（Ｃ）で島状半導体層に形成された第１の不純物領域の内側に新な不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の形状の導電層７３３〜７３８を不純物元素に対するマスクとして用い、第２の導電層７３３ａ〜７３８ａの下側の領域にも不純物元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第２の導電層７３３ａ〜７３８ａと重なる第３の不純物領域７３９〜７４４と、第１の不純物領域と第３の不純物領域との間の第２の不純物領域７４６〜７５１とを形成する。ｎ型を付与する不純物元素は、第２の不純物領域で１×１０17〜１×１０19atoms/cm3の濃度となるようにし、第３の不純物領域で１×１０16〜１×１０18atoms/cm3の濃度となるようにする。
【０１００】
そして、図１２（Ｂ）に示すように、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層７０４、７０７に一導電型とは逆の導電型の第４の不純物領域７５５〜７５７を形成する。第２の導電層７３５ｂ、７３８ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層７０２、７０３、７０６の全面と７０５の一部は、レジストマスク７５２〜７５４で被覆しておく。不純物領域７５５ａ、ｂ、ｃ〜７５７ａ、ｂ、ｃには異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成し、そのいずれの領域においても不純物濃度を２×１０20〜２×１０21atoms/cm3となるようにする。
【０１０１】
以上までの工程でそれぞれの島状半導体層に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる第２の導電層７３３〜７３８がゲート電極として機能する。
【０１０２】
レジストマスク７５２〜７５４を除去した後、導電型の制御を目的として図１２（Ｃ）に示すように、それぞれの島状半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであり、本実施例では５００℃で４時間の熱処理を行う。ただし、７３３〜７３８に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
【０１０３】
さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０１０４】
次いで、第１の層間絶縁膜７６０は酸化窒化シリコン膜から１００〜２００ｎｍの厚さで形成する。その上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜７６１を形成する。次いで、コンタクトホールを形成するためのエッチング工程を行う。
【０１０５】
そして、島状半導体層のソース領域とコンタクトを形成するソース配線７６２〜７６７、ドレイン領域とコンタクトを形成するドレイン配線７６８〜７７３を形成する。図示していないが、本実施例ではこの電極を、Ｔｉ膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むＡｌ膜３００ｎｍ、Ｔｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続して形成した３層構造の電極として用いた（図１３（Ａ））。
【０１０６】
そして、ソース配線７６２〜７６７と、ドレイン配線７６８〜７７３と、第２の層間絶縁膜７６１を覆ってパッシベーション膜７７４を形成した。パッシベーション膜７７４は、窒化珪素膜で５０ｎｍの厚さで形成した。さらに、有機樹脂からなる第３の層間絶縁膜７７５を約１０００ｎｍの厚さに形成した。有機樹脂膜としては、ポリイミド、アクリル、ポリイミドアミド等を使用することができる。有機樹脂膜を用いることの利点は、成膜方法が簡単である点や、比誘電率が低いので、寄生容量を低減できる点、平坦性に優れる点などが上げられる。なお上述した以外の有機樹脂膜を用いることもできる。ここでは、基板に塗布後、熱重合するタイプのポリイミドを用い、３００℃で焼成して形成した。
【０１０７】
次に、第３の層間絶縁膜７７５及びパッシベーション膜７７４に、ドレイン配線７７３、７７１に達するコンタクトホールを形成し、画素電極７７６、センサー用配線７７７を形成する。本実施例では酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜を１１０ｎｍの厚さに形成し、パターニングを行ってセンサー用配線７７７及び画素電極７７６を同時に形成する。また、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いても良い。この画素電極７７６がＥＬ素子の陽極となる（図１３（Ｂ））。
【０１０８】
次に、樹脂材料でなるバンク７７８を形成する。バンク７７８は１〜２μm厚のアクリル膜またはポリイミド膜をパターニングして形成すれば良い。このバンク７７８は画素と画素との間にストライプ状に形成される。本実施例では、バンク７７８はソース配線７７６上に沿って形成しているが、ゲート配線（図示せず）上に沿って形成しても良い。なおバンク７７８を形成している樹脂材料に顔料等を混ぜ、バンク７７８を遮蔽膜として用いても良い。
【０１０９】
またバンク７７８を形成する際に同時に、画素電極７７６の、ドレイン配線７７３に達するコンタクトホール上に、画素電極７７６上に形成されるＥＬ層を平坦化するための平坦化部を形成しても良い。
【０１１０】
次に、ＥＬ層７７９及び陰極（ＭｇＡｇ電極）７８０を、真空蒸着法を用いて大気解放しないで連続形成する。なお、ＥＬ層７７９の膜厚は８０〜２００ｎｍ（典型的には１００〜１２０ｎｍ）、陰極７８０の厚さは１８０〜３００ｎｍ（典型的には２００〜２５０ｎｍ）とすれば良い。なお、本実施例では一画素しか図示されていないが、このとき同時に赤色に発光するＥＬ層、緑色に発光するＥＬ層及び青色に発光するＥＬ層が形成される。
【０１１１】
この工程では、赤色に対応する画素、緑色に対応する画素及び青色に対応する画素に対して順次ＥＬ層７７９及び陰極７８０を形成する。但し、ＥＬ層７７９は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリソグラフィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。そこでメタルマスクを用いて所望の画素以外を隠し、必要箇所だけ選択的にＥＬ層７７９及び陰極７８０を形成するのが好ましい。
【０１１２】
即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光のＥＬ層及び陰極を選択的に形成する。次いで、緑色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて緑色発光のＥＬ層及び陰極を選択的に形成する。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて青色発光のＥＬ層及び陰極を選択的に形成する。なお、ここでは全て異なるマスクを用いるように記載しているが、同じマスクを使いまわしても構わない。また、全画素にＥＬ層及び陰極を形成するまで真空を破らずに処理することが好ましい。
【０１１３】
なお、本実施例ではＥＬ層７７９を発光層のみからなる単層構造とするが、ＥＬ層は発光層の他に正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等を有していても構わない。このように組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。ＥＬ層７７９としては公知の材料を用いることができる。公知の材料としては、ＥＬ駆動電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。また、本実施例ではＥＬ素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いた例を示すが、公知の他の材料を用いることが可能である。
【０１１４】
こうして図１３（Ｃ）に示すような構造のセンサー基板が完成する。なお、バンク７７８を形成した後、陰極７８０を形成するまでの工程をマルチチャンバー方式（またはインライン方式）の薄膜形成装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効である。
【０１１５】
なお本実施例ではセンサー部が有するＴＦＴの作製行程について説明したが、駆動部が有するＴＦＴも上述したプロセスを参照して、同時に基板上に形成しても良い。
【０１１６】
７８１はバッファ用ＴＦＴ、７８２は選択用ＴＦＴ、７８３はリセット用ＴＦＴ、７８４はフォトダイオード、７８５はスイッチング用ＴＦＴ、７８６はＥＬ駆動用ＴＦＴに相当する。
【０１１７】
本実施例ではスイッチング用ＴＦＴ７８５をシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造でも構わないし、トリプルゲート構造やそれ以上のゲート本数を持つマルチゲート構造でも構わない。スイッチング用ＴＦＴ７８５をダブルゲート構造とすることで、実質的に二つのＴＦＴが直列された構造となり、オフ電流値を低減することができるという利点がある。
【０１１８】
なお本実施例においてフォトダイオード７８４上に設けられているゲート電極７３６は、フォトダイオード７８４に光が照射されていない時に、カソード電極７８７とアノード電極７８８の間に設けられた光電変換層７８９に電流が流れないような電位に常に保たれている。
【０１１９】
本実施例においてバッファ用ＴＦＴ７８１と、選択用ＴＦＴ７８２と、スイッチング用ＴＦＴ７８５はｎチャネル型ＴＦＴであり、それぞれチャネル形成領域８０１〜８０３、第１のゲート電極７３３ａ、７３４ａ、７３７ａと重なる第３の不純物領域８０４〜８０６（Ｌｏｖ領域）、第１のゲート電極７３３ａ、７３４ａ、７３７ａの外側に形成される第２の不純物領域８０７〜８０９（Ｌｏｆｆ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する第１の不純物領域８１０〜８１２を有している。
【０１２０】
また本実施例において、リセット用ＴＦＴ７８３、ＥＬ駆動用ＴＦＴ７８６はｐチャネル型ＴＦＴであり、それぞれチャネル形成領域８１３、８１４、第１のゲート電極７３５ａ、７３８ａと重なる第４の不純物領域８１５、８１６、第１のゲート電極７３５ａ、７３８ａの外側に形成される第５の不純物領域８１７、８１８、ソース領域またはドレイン領域として機能する第６の不純物領域８１９、８２０を有している。
【０１２１】
なお、実際には図１３（Ｃ）まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のシーリング材でパッケージング（封入）することが好ましい。その際、シーリング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＥＬ素子の信頼性が向上する。
【０１２２】
また、パッケージング等の処理により気密性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクター（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）を取り付けて製品として完成する。このような出荷できるまでした状態を本明細書中ではエリアセンサという。
【０１２３】
なお、本発明は上述した作製方法に限定されず、公知の方法を用いて作製することが可能である。また本実施例は、実施例１〜実施例４と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例６】
【０１２４】
本実施例は本発明を使用する状況を述べるものである。本人認証が生体情報までの高度な認証が不要な場合は本発明を使用しないこともありえる。小額の金銭移動などの場合は必ずしも必要ではない。
【０１２５】
このため、認証の有無が選択できること、たとえば金銭が高額な移動が伴う場合のみに選択的に認証が出来るようにすることも可能である。取引先の状況に合わせ使用することや、あらかじめ携帯情報装置の制御マイコン上に判定基準を設定しておき、数値が一定値を超えた場合のみ使用することが可能である。また、認証結果を必要な場合のみ認証結果をインターネットで伝達することも可能である。
【０１２６】
なお、本実施例は、実施例１〜実施例５と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例７】
【０１２７】
本実施例では、本発明のセンサー内蔵ディスプレイに用いられるＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイ（エリアセンサー）を作製した例について説明する。なお、図１４（Ａ）は本発明のＥＬ表示装置の上面図であり、図１４（Ｂ）はその断面図である。
【０１２８】
図１４（Ａ）、（Ｂ）において、４００１は基板、４００２は画素部、４００３はソース側駆動回路、４００４はゲート側駆動回路であり、それぞれの駆動回路は配線４００５を経てＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４００６に至り、外部機器へと接続される。
【０１２９】
このとき、画素部４００２、ソース側駆動回路４００３及びゲート側駆動回路４００４を囲むようにして第１シール材４１０１、カバー材４１０２、充填材４１０３及び第２シール材４１０４が設けられている。
【０１３０】
図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図に相当し、基板４００１の上にフォトダイオード４２０１及び画素部４００２に含まれるＥＬ駆動用ＴＦＴ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）４２０２が形成されている。
【０１３１】
ＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用いられる。また、画素部４００２にはＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のゲートに接続された保持容量（図示せず）が設けられる。
【０１３２】
フォトダイオード４２０１及びＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化膜）４３０１が形成され、その上にＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電気的に接続する画素電極（陽極）４３０２が形成される。
画素電極４３０２としては仕事関数の大きい透明導電膜が用いられる。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。
また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。
【０１３３】
そして、画素電極４３０２の上には絶縁膜４３０３が形成され、絶縁膜４３０３は画素電極４３０２の上に開口部が形成されている。この開口部において、画素電極４３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層４３０４が形成される。ＥＬ層４３０４は公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることができる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちらを用いても良い。
【０１３４】
ＥＬ層４３０４の形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば良い。
【０１３５】
ＥＬ層４３０４の上には遮光性を有する導電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）からなる陰極４３０５が形成される。また、陰極４３０５とＥＬ層４３０４の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連続成膜するか、ＥＬ層４３０４を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極４３０５を形成するといった工夫が必要である。本実施例ではマルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。
【０１３６】
そして陰極４３０５は４３０６で示される領域において配線４００５に電気的に接続される。配線４００５は陰極４３０５に所定の電圧を与えるための配線であり、異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続される。
【０１３７】
以上のようにして、画素電極（陽極）４３０２、ＥＬ層４３０４及び陰極４３０５からなるＥＬ素子が形成される。このＥＬ素子は、第１シール材４１０１及び第１シール材４１０１によって基板４００１に貼り合わされたカバー材４１０２で囲まれ、充填材４１０３により封入されている。
【０１３８】
カバー材４１０２としては、ガラス材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いることができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０１３９】
但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明物質を用いる。
【０１４０】
また、充填材４１０３としては紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。この充填材４１０３の内部に吸湿性物質（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる物質を設けておくとＥＬ素子の劣化を抑制できる。
【０１４１】
また、充填材４１０３の中にスペーサを含有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの圧力を緩和するバッファ層として陰極４３０５上に樹脂膜を設けることも有効である。
【０１４２】
また、配線４００５は異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続される。配線４００５は画素部４００２、ソース側駆動回路４００３及びゲート側駆動回路４００４に送られる信号をＦＰＣ４００６に伝え、ＦＰＣ４００６により外部機器と電気的に接続される。
【０１４３】
また、本実施例では第１シール材４１０１の露呈部及びＦＰＣ４００６の一部を覆うように第２シール材４１０４を設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮断する構造となっている。こうして図１４（Ｂ）の断面構造を有するＥＬ表示装置となる。
【実施例８】
【０１４４】
本実施例では、本発明で用いられるＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置の図１４とは異なる例について説明する。なお、図１５（Ａ）は本発明のＥＬ表示装置の上面図であり、図１５（Ｂ）はその断面図である。なお図１４で既に示したものは同じ符号を用いる。
【０１４５】
図１５（Ａ）、（Ｂ）において４５０１はカバー層であり、画素部４００２、ソース側駆動回路４００３及びゲート側駆動回路４００４を覆うように、基板４００１上に形成されている。
【０１４６】
図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図に相当し、フォトダイオード４２０１及びＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化膜）４３０１が形成され、その上にＥＬ駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電気的に接続する画素電極（陽極）４３０２が形成される。
【０１４７】
そして、画素電極４３０２の上には絶縁膜４３０３が形成され、絶縁膜４３０３は画素電極４３０２の上に開口部が形成されている。この開口部において、画素電極４３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層４３０４が形成される。ＥＬ層４３０４は公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることができる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちらを用いても良い。
【０１４８】
ＥＬ層４３０４の形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば良い。
【０１４９】
ＥＬ層４３０４の上には遮光性を有する導電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）からなる陰極４３０５が形成される。また、陰極４３０５とＥＬ層４３０４の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連続成膜するか、ＥＬ層４３０４を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極４３０５を形成するといった工夫が必要である。本実施例ではマルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。
【０１５０】
本実施例では、陰極４３０５上にバリア層４５０１を形成する。本実施例ではバリア層４５０１としてＳｉが添加されたＤＬＣ（Diamond like carbon）膜を用いたが、本実施例はこれに限定されない。Ｓｉが添加されたＤＬＣ膜の他に、酸化タンタル、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、ＤＬＣ膜も用いることが可能である。
【０１５１】
ＥＬ層は熱に弱いので、陰極及びバリア層はなるべく低温で（好ましくは室温から１２０℃までの温度範囲）で成膜するのが望ましい。本実施例ではバリア層４５０１はプラズマＣＶＤ法を用いて室温で形成するが、スパッタリング法を用いて形成することもできる。プラズマＣＶＤ法を用いてバリア層を形成することで、ＥＬ層、陰極及びバリア層をマルチチャンバー内において連続形成することが可能である。バリア層の厚さは１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、本実施例ではバリア層４５０１を５０ｎｍの厚さに形成した。
【０１５２】
バリア層４５０１を形成したら、バリア層４５０１の上に有機樹脂からなるカバー層４５０２を形成する。なお、有機樹脂を溶媒に溶かしたり、有機樹脂自体の粘度を適度に調節して有機樹脂液を作製した後、これを材料室に備えて電解塗布法により塗布し、カバー層４５０２を形成する。このとき有機樹脂液の粘性は、１×１０-3〜３×１０-2Ｐａ・ｓであることが望ましい。
【０１５３】
またこの時、カバー層を形成する有機樹脂液の内部に酸化バリウムといった吸湿剤や酸化防止剤を添加しておくことで、ＥＬ素子の劣化を促進する水分や酸素がＥＬ層の中に進入するのを防ぐことができる。
【０１５４】
そして陰極４３０５は４３０６で示される領域において配線４００５に電気的に接続される。配線４００５は陰極４３０５に所定の電圧を与えるための配線であり、異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続される。
【０１５５】
カバー材４１０２としては、ガラス材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いることができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０１５６】
但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明物質を用いる。
【０１５７】
また、カバー層４５０２の中にスペーサを含有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの圧力を緩和するバッファ層として陰極４３０５上に樹脂膜を設けることも有効である。
【０１５８】
また、配線４００５は異方導電性フィルム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続される。配線４００５は画素部４００２、ソース側駆動回路４００３及びゲート側駆動回路４００４に送られる信号をＦＰＣ４００６に伝え、ＦＰＣ４００６により外部機器と電気的に接続される。
【０１５９】
また、本実施例では第１シール材４１０１の露呈部及びＦＰＣ４００６の一部を覆うように第２シール材４１０４を設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮断する構造となっている。こうして図１５（Ｂ）の断面構造を有するＥＬ表示装置となる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と音声入力部とが設けられた表示用パネルと、
操作キーと音声出力部とが設けられた操作用パネルと、を有し、
前記表示用パネルと前記操作用パネルとは接続され、
前記表示部には手相の認証を行うための光センサーが内蔵されており、
手のひらを前記表示部に覆いかぶせた状態で、前記表示部から得られる光を用いて前記センシングが行われ、
前記手のひらを前記表示部に覆いかぶせた状態で、前記操作キーを操作することにより、片手だけで前記センシングが行われることを特徴とする携帯電話。
【請求項２】
請求項１において、
基準データと、前記センシングされた前記手相の情報と、の照合を行い、前記照合が合致した場合に、交信先に前記照合が合致したことを情報として伝える手段を有することを特徴とする携帯電話。
【請求項３】
請求項２において、
前記基準データは前記手のひらの向きを変えて取得した複数のデータから構成されていることを特徴とする携帯電話。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記表示用パネルにアンテナが設けられていることを特徴とする携帯電話。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記手相の認証は小額の金銭移動の場合は行われず、高額の金銭移動が伴う場合に行われることを特徴とする携帯電話。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記表示部は、ＥＬ素子と、コンデンサと、フォトダイオードと、第１乃至第５のＴＦＴと、第１乃至第７の配線と、を備えた画素を複数有し、
前記第１のＴＦＴのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース又はドレインの他方は、前記第２のＴＦＴのゲートと、前記コンデンサの一方の電極と、に電気的に接続され、
前記第１のＴＦＴのゲートは第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース又はドレインの一方は、前記ＥＬ素子に電気的に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記コンデンサの他方の電極は、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記第３のＴＦＴのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第３のＴＦＴのソース又はドレインの他方は、前記第４のＴＦＴのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第３のＴＦＴのゲートは、前記第５の配線に電気的に接続され、
前記第４のＴＦＴのソース又はドレインの他方は、前記第６の配線に電気的に接続され、
前記第４のＴＦＴのゲートは、前記フォトダイオードと、前記第５のＴＦＴのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第５のＴＦＴのソース又はドレインの他方は、前記第６の配線に電気的に接続され、
前記第５のＴＦＴのゲートは、前記第７の配線に電気的に接続されていることを特徴とする携帯電話。
【請求項７】
請求項６において、
前記フォトダイオードの半導体層は、前記第１乃至前記第５のＴＦＴの半導体層と同時に形成されたものであり、
前記フォトダイオードの半導体層上には、前記第１乃至前記第５のＴＦＴのゲート電極と同時に形成された導電層が形成されていることを特徴とする携帯電話。
【請求項１】
表示部と音声入力部とが設けられた表示用パネルと、
操作キーと音声出力部とが設けられた操作用パネルと、を有し、
前記表示用パネルと前記操作用パネルとは接続され、
前記表示部には手相の認証を行うための光センサーが内蔵されており、
手のひらを前記表示部に覆いかぶせた状態で、前記表示部から得られる光を用いて前記センシングが行われ、
前記手のひらを前記表示部に覆いかぶせた状態で、前記操作キーを操作することにより、片手だけで前記センシングが行われることを特徴とする携帯電話。
【請求項２】
請求項１において、
基準データと、前記センシングされた前記手相の情報と、の照合を行い、前記照合が合致した場合に、交信先に前記照合が合致したことを情報として伝える手段を有することを特徴とする携帯電話。
【請求項３】
請求項２において、
前記基準データは前記手のひらの向きを変えて取得した複数のデータから構成されていることを特徴とする携帯電話。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記表示用パネルにアンテナが設けられていることを特徴とする携帯電話。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記手相の認証は小額の金銭移動の場合は行われず、高額の金銭移動が伴う場合に行われることを特徴とする携帯電話。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記表示部は、ＥＬ素子と、コンデンサと、フォトダイオードと、第１乃至第５のＴＦＴと、第１乃至第７の配線と、を備えた画素を複数有し、
前記第１のＴＦＴのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース又はドレインの他方は、前記第２のＴＦＴのゲートと、前記コンデンサの一方の電極と、に電気的に接続され、
前記第１のＴＦＴのゲートは第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース又はドレインの一方は、前記ＥＬ素子に電気的に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記コンデンサの他方の電極は、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記第３のＴＦＴのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第３のＴＦＴのソース又はドレインの他方は、前記第４のＴＦＴのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第３のＴＦＴのゲートは、前記第５の配線に電気的に接続され、
前記第４のＴＦＴのソース又はドレインの他方は、前記第６の配線に電気的に接続され、
前記第４のＴＦＴのゲートは、前記フォトダイオードと、前記第５のＴＦＴのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第５のＴＦＴのソース又はドレインの他方は、前記第６の配線に電気的に接続され、
前記第５のＴＦＴのゲートは、前記第７の配線に電気的に接続されていることを特徴とする携帯電話。
【請求項７】
請求項６において、
前記フォトダイオードの半導体層は、前記第１乃至前記第５のＴＦＴの半導体層と同時に形成されたものであり、
前記フォトダイオードの半導体層上には、前記第１乃至前記第５のＴＦＴのゲート電極と同時に形成された導電層が形成されていることを特徴とする携帯電話。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１１−２２２０２３（Ｐ２０１１−２２２０２３Ａ）
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９１７５３（Ｐ２０１１−９１７５３）
【出願日】平成２３年４月１８日（２０１１．４．１８）
【分割の表示】特願２００１−１１７５８４（Ｐ２００１−１１７５８４）の分割
【原出願日】平成１３年４月１７日（２００１．４．１７）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ｉモード
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月１８日（２０１１．４．１８）
【分割の表示】特願２００１−１１７５８４（Ｐ２００１−１１７５８４）の分割
【原出願日】平成１３年４月１７日（２００１．４．１７）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ｉモード
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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