新規２−ピリジニルエチルベンズアミド化合物
一般式（Ｉ）で表される化合物：この化合物の調製方法。一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する殺真菌剤組成物。一般式（Ｉ）で表される化合物又はその化合物を含有する組成物を施用することによる植物の処置方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規Ｎ−［２−（２−ピリジニル）エチル］ベンズアミド誘導体、それらを調製する方法、殺真菌剤としてのそれらの使用、特に、殺真菌剤組成物の形態におけるそれらの使用、及び、それら化合物又はそれらの組成物を使用して植物の植物病原性真菌類を防除する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
国際特許出願ＷＯ０１／１１９６５号には、２−ピリジル基が少なくとも１つのハロゲノアルキル基で置換されている広範な一群の殺真菌性化合物が開示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
農業従事者により使用される活性成分に対する耐性菌株の発達を回避するか又はそのような耐性菌株と戦うための新規な農薬活性化合物を使用することは、農業分野において常に高い関心が持たれている。既に知られている化合物の有効性と少なくとも同等の有効性を維持しながら、同時に、農業従事者により使用される活性物質の量を低減させる目的で、当業者に既に知られている化合物よりもさらに活性が高い新規化合物を使用することにも高い関心が持たれている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、上記特性を有する新規な化合物群を見いだした。
【０００５】
従って、本発明は、一般式（Ｉ）：
【０００６】
【化４７】
［式中、
− ｎは、１、２又は３であり；
− Ｘは、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、カルバモイル基、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、カルバメート基、（ヒドロキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ２〜Ｃ８−ハロゲノアルケニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−アルキニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノアルキニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、（Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）オキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、（Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）−Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルアミノ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルケニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルキニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（ベンジルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジルオキシ、ベンジルスルファニル、ベンジルアミノ、フェノキシ、フェニルスルファニル又はフェニルアミノであり；
− Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、カルバモイル基、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、カルバメート基、（ヒドロキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ２〜Ｃ８−ハロゲノアルケニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−アルキニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノアルキニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル−Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルアミノ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルケニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルキニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（ベンジルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジルオキシ、１〜５個のハロゲン原子で場合により置換されていてもよいベンジルスルファニル、ベンジルアミノ、フェノキシ、１〜５個のハロゲン原子で場合により置換されていてもよいフェニルスルファニル、又はフェニルアミノであるが；
但し、ＸとＲ１は、両方とも水素原子であることはなく；
− Ｒ２及びＲ３は、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニルオキシ若しくはＣ１〜Ｃ６−アルキルカルボニルアミノであるか；
又は、Ｒ２とＲ３は、一緒になって、３員、４員、５員若しくは６員の炭素環を形成していてもよく；
− Ｒ４及びＲ５は、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、若しくは１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキルであるか；
又は、Ｒ４とＲ５は、一緒になって、３員、４員、５員若しくは６員の炭素環を形成していてもよく；
− Ｒ６は、水素原子、シアノ基、ホルミル基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルコキシ、Ｃ３〜Ｃ６−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ６−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ６−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−シアノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アミノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲンアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルオキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−ベンジルオキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホニル、又は１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキルスルホニルであり；
− ｐは、１、２、３又は４であり；
− Ｙは、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ−Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、又はＣ１〜Ｃ８−アルキルスルホンアミドであり；および
− Ｒ７は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ−Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、又はＣ１〜Ｃ８−アルキルスルホンアミドである］
で表されるＮ−［２−（２−ピリジニル）エチル］ベンズアミド誘導体、並びに、その塩、Ｎ−オキシド、金属錯体及び半金属錯体に関する。
【０００７】
本発明との関連において：
− ハロゲンは、フッ素、臭素、塩素及びヨウ素を意味する；
− カルボキシは、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨを意味する；
− カルボニルは、−Ｃ（＝Ｏ）−を意味する；
− カルバモイルは、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２を意味する；
− Ｎ−ヒドロキシカルバモイルは、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＯＨを意味する；
− アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基並びにこれらの用語を含んでいる部分は、直鎖又は分枝鎖であり得る。
【０００８】
本発明との関連において、二置換アミノ基及び二置換カルバモイ基の場合は、２つの置換基がそれらを有している窒素原子と一緒になって、３〜７個原子を含んでいる飽和ヘテロ環式環を形成していてもよいことも理解されなければならない。
【０００９】
本発明の化合物は、いずれも、その化合物内の不斉中心の数に応じて、１種類以上の光学異性体又はキラル異性体の形態で存在し得る。従って、本発明は、そのような全ての光学異性体、及び、それらのラセミ混合物又はスカレミック混合物（用語「スカレミック（scalemic）」は、エナンチオマーの異なった比率の混合物を意味する）、及び、全ての可能な立体異性体の全ての比率における混合物に同等に関係する。ジアステレオ異性体及び／又は光学異性体は、それ自体当業者に知られている方法により分離することができる。
【００１０】
本発明の化合物は、いずれも、該化合物内の二重結合の数に応じて、１種類以上の幾何異性体の形態でも存在し得る。従って、本発明は、全ての幾何異性体及び全ての比率における可能な全ての混合物に同等に関係する。幾何異性体は、それ自体当業者に知られている方法により分離することができる。
【００１１】
一般式（Ｉ）［式中、Ｒ１は、ヒドロキシ基若しくはスルファニル基を表し、及び／又は、Ｘは、ヒドロキシ基、スルファニル基若しくはアミノ基を表す］で表される化合物は、いずれも、該ヒドロキシ基、スルファニル基又はアミノ基のプロトンがシフトする結果として、その互変異性体形態で存在し得る。そのような化合物の互変異性体形態も、本発明の一部である。より一般的にいえば、一般式（Ｉ）［式中、Ｒ１は、ヒドロキシ基若しくはスルファニル基を表し、及び／又は、Ｘは、ヒドロキシ基、スルファニル基若しくはアミノ基を表す］で表される化合物の全ての互変異性体形態、及び、上記調製方法において場合により中間体として使用し得る化合物の全ての互変異性体形態、及び、該調製方法の記述において定義される化合物の全ての互変異性体形態も、同様に、本発明の一部である。
【００１２】
本発明によれば、２−ピリジルは、６位がＲ１で置換されており、他の任意の位置は、（Ｘ）ｎで置換され得る。ここで、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりである。好ましくは、本発明は、一般式（Ｉ）で表されるＮ−［２−（２−ピリジニル）エチル］ベンズアミド誘導体に関し、ここで、種々の下記特性は、単独で選択され得るか又は組み合わせて選択され得る：
− Ｒ１に関しては、Ｒ１は、水素原子又はハロゲン原子である；
− ｎに関しては、ｎは、１又は２である；
− Ｘに関しては、Ｘは、ハロゲン原子又はＣ１〜Ｃ８−アルキルである；
− Ｘが置換する２−ピリジル部分の位置に関しては、２−ピリジル部分は、３位及び／又は５位がＸで置換される。
【００１３】
本発明によれば、フェニルは、オルト位がＲ７で置換されており、他の任意の位置は、（Ｙ）ｐで置換され得る。ここで、Ｙ及びｐは、上記で定義されているとおりである。好ましくは、本発明は、一般式（Ｉ）で表されるＮ−［２−（２−ピリジニル）エチル］ベンズアミド誘導体に関し、ここで、種々の下記特性は、単独で選択され得るか又は組み合わせて選択され得る：
− Ｒ７に関しては、Ｒ７は、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、又は、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルである；
− ｐに関しては、ｐは、１又は２であり、さらに好ましくは、ｐは１である；
− Ｙに関しては、Ｙは、水素原子、ハロゲン原子又はＣ１〜Ｃ８−アルキルであり、さらに好ましくは、Ｙは水素原子である；
− Ｙが置換するフェニル部分の位置に関しては、フェニル部分は、優先的に第一にパラ位がＹで置換される。
【００１４】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製する方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００１５】
【化４８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための方法（Ａ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ａ−１）：
【００１６】
【化４９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルであり；Ｕは、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、０℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩ）で表されるシアノアセテート誘導体を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＩＶ）で表される２−（ピリジル）シアノアセテート誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−２）：
【００１７】
【化５０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、水素原子であり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＩＶ）で表される化合物を、塩基性加水分解するか、酸性加水分解するか、又は、ハロゲン化物で置換して、４０℃から還流温度までの温度で加熱することにより、一般式（Ｖａ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−３）：
【００１８】
【化５１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（Ｖａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩＩ）で表される試薬でアルキル化して、一般式（Ｖｂ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−４）：
【００１９】
【化５２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、水素原子又はＣ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ１は、−ＯＲ８基又は−ＯＣＯＲ８基であるように選択される脱離基であり（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、０℃〜１５０℃の温度で、１バール〜１００バールの圧力下、触媒の存在下及び一般式（ＶＩ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−５）：
【００２０】
【化５３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第五ステップ（ここで、該第五ステップは、酸性媒体又は塩基性媒体中で、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護反応に付して、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−６）：
【００２１】
【化５４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ２は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８基（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【００２２】
【化５５】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第六ステップ（ここで、該第六ステップは、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００２３】
本発明による調製方法Ａの第一ステップ（ステップ（Ａ−１））は、塩基の存在下で実施する。好ましくは、該塩基は、無機塩基又は有機塩基であるように選択される。そのような塩基の適切な例は、例えば、アルカリ土類金属又はアルカリ金属の水素化物、水酸化物、アミド、アルコラート、炭酸塩、炭酸水素塩、酢酸塩、又は、第三級アミンであり得る。
【００２４】
本発明による調製方法Ａの第一ステップ（ステップ（Ａ−１））は、０℃〜２００℃の温度で実施する。好ましくは、第一ステップ（ステップ（Ａ−１））は、０℃〜１２０℃の温度で実施し、さらに好ましくは、０℃〜８０℃の温度で実施する。
【００２５】
本発明による調製方法Ａの第一ステップ（ステップ（Ａ−１））は、溶媒の存在下で実施し得る。好ましくは、該溶媒は、水、有機溶媒、又は、水と有機溶媒の混合物であるように選択される。適切な有機溶媒は、例えば、脂肪族溶媒、脂環式溶媒又は芳香族溶媒であり得る。
【００２６】
本発明による調製方法Ａの第一ステップ（ステップ（Ａ−１））は、さらにまた、触媒の存在下でも実施し得る。好ましくは、該触媒は、パラジウム塩又はパラジウム錯体であるように選択される。さらに好ましくは、該触媒は、パラジウム錯体であるように選択される。適切なパラジウム錯体触媒は、例えば、反応混合物にパラジウム塩と錯体配位子を別々に添加することにより該反応混合物中で直接生成させ得る。適切な配位子は、例えば、バルキーなホスフィン配位子又はアルシン配位子、例えば、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジフェニルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジ−ｔ−ブチルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；又は、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物などであり得る。
【００２７】
本発明による調製方法Ａの第四ステップ（ステップ（Ａ−４））は、水素化物供与体の存在下で実施する。好ましくは、該水素化物供与体は、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＫＢＨ４、Ｂ２Ｈ６などのような金属水素化物又は半金属水素化物であるように選択される。
【００２８】
本発明による調製方法Ａの第四ステップ（ステップ（Ａ−４））は、触媒の存在下で実施する。好ましくは、該触媒は、Ｃｏ（ＩＩ）塩化物、Ｎｉ（ＩＩ）塩化物、アンモニア若しくはその塩の内の１種類、炭素担持パラジウム、ラネーニッケル、ラネーコバルト又は白金であるように選択される。
【００２９】
本発明による調製方法Ａの第四ステップ（ステップ（Ａ−４））は、０℃〜１５０℃で実施する。好ましくは、該温度は、１０℃〜１２０℃である。さらに好ましくは、該温度は、１０℃〜８０℃である。
【００３０】
本発明による調製方法Ａの第四ステップ（ステップ（Ａ−４））は、１バール〜１００バールの圧力下で実施する。好ましくは、該圧力は、１バール〜５０バールである。
【００３１】
本発明による調製方法Ａの第四ステップ（ステップ（Ａ−４））は、有機溶媒の存在下、水の存在下、又は、それらの混合物の存在下で実施し得る。好ましくは、該溶媒は、エーテル、アルコール、カルボン酸、又はそれらと水もしくは純水との混合物であるように選択される。
【００３２】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００３３】
【化５６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための第二の方法（Ｂ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｂ−１）：
【００３４】
【化５７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、一般式（ＩＩＩ）で表されるシアノアセテート誘導体を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＩＶ）で表される２−ピリジルシアノアセテート誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−２）：
【００３５】
【化５８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＩＶ）で表される化合物を、塩基性加水分解するか、酸性加水分解するか、又は、ハロゲン化物で置換して、４０℃から還流温度までの温度で加熱することにより、一般式（Ｖａ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−３）：
【００３６】
【化５９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（Ｖａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩＩ）で表される試薬でアルキル化して、一般式（Ｖｂ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−４）：
【００３７】
【化６０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ３は、−ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、又は、式：
【００３８】
【化６１】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、０℃〜１５０℃の温度で、１バール〜１００バールの圧力下、触媒の存在下及び一般式（ＩＸ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００３９】
本発明による一般式（Ｉａ）の化合物は、調製方法Ｂに準じて調製し得る。
【００４０】
方法Ｂのステップ（Ｂ−１）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−１）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００４１】
方法Ｂのステップ（Ｂ−２）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−２）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００４２】
方法Ｂのステップ（Ｂ−３）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−３）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００４３】
方法Ｂのステップ（Ｂ−４）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−４）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００４４】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００４５】
【化６２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりである］
で表される化合物を調製するための第三の方法（Ｃ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｃ−１）：
【００４６】
【化６３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、−１００℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩｂ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（Ｖｂ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−２）：
【００４７】
【化６４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｌ１は、−ＯＲ８基又は−ＯＣＯＲ８基であるように選択される脱離基であり（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＶＩ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−３）：
【００４８】
【化６５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、酸性媒体又は塩基性媒体中で、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護反応に付して、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−４）：
【００４９】
【化６６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８基（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【００５０】
【化６７】
【００５１】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００５２】
本発明による調製方法Ｃの第一ステップ（ステップ（Ｃ−１））は、−１００℃〜２００℃の温度で実施する。好ましくは、第一ステップ（ステップ（Ｃ−１））は、−８０℃〜１２０℃の温度で実施し、さらに好ましくは、−８０℃〜８０℃の温度で実施する。
【００５３】
本発明による調製方法Ｃの第一ステップ（ステップ（Ｃ−１））は、塩基の存在下で実施する。好ましくは、該塩基は、無機塩基又は有機塩基であるように選択される。そのような塩基の適切な例は、例えば、アルカリ土類金属又はアルカリ金属の水素化物、水酸化物、アミド、アルコラート、炭酸塩、炭酸水素塩、酢酸塩、又は、第三級アミンであり得る。
【００５４】
本発明による調製方法Ｃの第一ステップ（ステップ（Ｃ−１））は、溶媒の存在下で実施し得る。好ましくは、該溶媒は、水、有機溶媒、又は、水と有機溶媒の混合物であるように選択される。適切な有機溶媒は、例えば、脂肪族溶媒、脂環式溶媒又は芳香族溶媒であり得る。
【００５５】
本発明による調製方法Ｃの第一ステップ（ステップ（Ｃ−１））は、さらにまた、触媒の存在下でも実施し得る。好ましくは、該触媒は、パラジウム塩又はパラジウム錯体であるように選択される。さらに好ましくは、該触媒は、パラジウム錯体であるように選択される。適切なパラジウム錯体触媒は、例えば、反応混合物にパラジウム塩と錯体配位子を別々に添加することにより該反応混合物中で直接生成させ得る。適切な配位子は、例えば、バルキーなホスフィン配位子又はアルシン配位子、例えば、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジフェニルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジ−ｔ−ブチルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；又は、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物などであり得る。
【００５６】
方法Ｃのステップ（Ｃ−２）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−４）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００５７】
方法Ｃのステップ（Ｃ−３）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−５）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００５８】
方法Ｃのステップ（Ｃ−４）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−６）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００５９】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００６０】
【化６８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための第四の方法（Ｄ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｄ−１）：
【００６１】
【化６９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、−１００℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩｂ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（Ｖｂ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｄ−２）：
【００６２】
【化７０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ３は、−ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、又は、式：
【００６３】
【化７１】
【００６４】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＩＸ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００６５】
本発明による一般式（Ｉａ）の化合物は、調製方法Ｄに準じて調製し得る。
【００６６】
方法Ｄのステップ（Ｄ−１）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ｃのステップ（Ｃ−１）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００６７】
方法Ｄのステップ（Ｄ−２）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−４）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００６８】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００６９】
【化７２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり、Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【００７０】
【化７３】
【００７１】
で表される基であるように選択される脱離基である］
で表される化合物を調製するための第五の方法（Ｅ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｅ−１）：
【００７２】
【化７４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、一般式（Ｘ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＸＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−２）：
【００７３】
【化７５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式Ｒ５−Ｍ（式中、Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり、Ｍは、金属種である）を添加することにより、一般式（ＸＩ）で表される化合物を一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物に変換することを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−３）：
【００７４】
【化７６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を一般式（ＸＩＶ）で表される化合物に変換することにより、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を活性化することを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−４）：
【００７５】
【化７７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＸＩＶ）で表される化合物をフタルイミド誘導体又はその塩の内の１種類で置換して、一般式（ＸＶａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−５）：
【００７６】
【化７８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルである］
による第五ステップ（ここで、該第五ステップは、一般式（ＸＶａ）で表される化合物をヒドラジン水和物又はヒドラジン塩と反応させることにより、一般式（ＸＶａ）で表される化合物を脱保護して、一般式（ＶＩＩＩｃ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−６）：
【００７７】
【化７９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【００７８】
【化８０】
【００７９】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第六ステップ（ここで、該第六ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００８０】
本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、調製方法Ｅに準じて調製し得る。
【００８１】
方法Ｅのステップ（Ｅ−６）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−６）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００８２】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００８３】
【化８１】
［式中、Ｒ１、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり、Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
で表される化合物を調製するための第六の方法（Ｆ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｆ−１）：
【００８４】
【化８２】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基であり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択され；Ｍは、金属種又は半金属種である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、０℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体と一般式（ＸＶＩ）で表されるビニル誘導体のカップリング反応を行って、一般式（ＸＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−２）：
【００８５】
【化８３】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＸＶＩＩ）で表される化合物にフタルイミド又はその塩の内の１種類を添加して、一般式（ＸＶｂ）を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−３）：
【００８６】
【化８４】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（ＸＶｂ）で表される化合物をヒドラジン水和物又はヒドラジン塩で脱保護して、一般式（ＶＩＩＩｄ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−４）：
【００８７】
【化８５】
［式中、Ｒ１、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択され；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【００８８】
【化８６】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００８９】
本発明による調製方法Ｆの第一ステップ（ステップ（Ｆ−１））は、一般式（ＸＶＩ）［式中、Ｍは、金属種又は半金属種であり得る。好ましくは、Ｍは、スズ誘導体又はホウ素誘導体である。さらに好ましくは、Ｍは、トリ−ｎ−ブチルスズ基である］で表されるビニル基を含んでいる化学種の存在下で実施する。
【００９０】
本発明による調製方法Ｆの第一ステップ（ステップ（Ｆ−１））は、０℃〜２００℃の温度で実施する。好ましくは、ステップ（Ｇ−１）は、６０℃〜１６０℃の温度で実施し、さらに好ましくは、８０℃〜１４０℃の温度で実施する。
【００９１】
本発明による調製方法Ｆの第一ステップ（ステップ（Ｆ−１））は、溶媒の存在下で実施し得る。好ましくは、該溶媒は、水、有機溶媒、又は、水と有機溶媒の混合物であるように選択される。適切な有機溶媒は、例えば、脂肪族溶媒、脂環式溶媒又は芳香族溶媒であり得る。
【００９２】
本発明による調製方法Ｆの第一ステップ（ステップ（Ｆ−１））は、さらにまた、触媒の存在下でも実施し得る。好ましくは、該触媒は、パラジウム塩又はパラジウム錯体であるように選択される。さらに好ましくは、該触媒は、パラジウム錯体であるように選択される。適切なパラジウム錯体触媒は、例えば、反応混合物にパラジウム塩と錯体配位子を別々に添加することにより該反応混合物中で直接生成させ得る。適切な配位子は、例えば、バルキーなホスフィン配位子又はアルシン配位子、例えば、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジフェニルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジ−ｔ−ブチルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；又は、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物などであり得る。
【００９３】
本発明による調製方法Ｆの第一ステップ（ステップ（Ｆ−１））は、さらにまた、塩基の存在下で実施し得る。好ましくは、該塩基は、無機塩基又は有機塩基であるように選択される。そのような塩基の適切な例は、例えば、アルカリ土類金属又はアルカリ金属の水素化物、水酸化物、アミド、アルコラート、炭酸塩、炭酸水素塩、酢酸塩、又は、第三級アミンであり得る。
【００９４】
方法Ｆのステップ（Ｆ−３）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ｅのステップ（Ｅ−５）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００９５】
方法Ｆのステップ（Ｆ−４）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−６）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００９６】
上記で記載した調製方法Ａ〜調製方法Ｆは、いずれも、場合により、反応スキーム（Ｇ）：
【００９７】
【化８７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｌ５は、ハロゲン原子、４−メチルフェニルスルホニルオキシ又は、メチルスルホニルオキシであるように選択される脱離基である］
による更なるステップ（ここで、該更なるステップは、一般式（Ｉａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩ）で表される化合物と反応させて、一般式（Ｉｂ）で表される化合物を生成させることを含む）を必要に応じて含むことができる。
【００９８】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、上記で定義されている一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための第七の方法（Ｈ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｈ−１）：
【００９９】
【化８８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、０℃〜２００℃の温度で、一般式（Ｘ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＸＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−２）：
【０１００】
【化８９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＸＩ）で表される化合物を式Ｒ６−ＮＨ２で表されるアミンと反応させて、一般式（ＸＩＩ）で表されるイミン誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−３）：
【０１０１】
【化９０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＸＩＩ）で表されるイミン誘導体を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−４）：
【０１０２】
【化９１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【０１０３】
【化９２】
【０１０４】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【０１０５】
本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、調製方法Ｈに準じて調製し得る。
【０１０６】
方法Ｈのステップ（Ｈ−１）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−１）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【０１０７】
本発明による調製方法Ｈの第三ステップ（ステップ（Ｈ−３））は、水素化物供与体の存在下で実施する。好ましくは、該水素化物供与体は、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＫＢＨ４、Ｂ２Ｈ６などのような金属水素化物又は半金属水素化物であるように選択される。
【０１０８】
本発明の化合物は、上記で記述した一般的な調製方法に準じて調製することができる。しかしながら、当業者が、自分の一般的な知識及び利用可能な刊行物に基づいて、合成することが望まれる化合物のそれぞれの特性に照らして該方法を適合させることができるということは理解されるであろう。
【０１０９】
本発明は、さらに、有効量の一般式（Ｉ）で表される活性物質を含んでいる殺真菌剤組成物にも関する。従って、本発明により、活性成分としての有効量の上記で定義されている一般式（Ｉ）の化合物、及び、農業上許容される支持体、担体又は増量剤を含んでいる殺真菌剤組成物が提供される。
【０１１０】
本明細書において、用語「支持体（support）」は、該活性物質と組み合わせて、特に植物の一部分に対して、より容易に施用できるようにする、天然又は合成の有機又は無機物質を意味する。このような支持体は、従って、一般に不活性であり、また、農業上許容されるものであるべきである。支持体は、固体であってもよいし、又は、液体であってもよい。適切な支持体の例としては、クレー、天然又は合成のシリケート、シリカ、樹脂、蝋、固形肥料、水、アルコール（特に、ブタノール）、有機溶媒、鉱油及び植物油、並びに、それらの誘導体などを挙げることができる。このような支持体の混合物を使用することもできる。
【０１１１】
上記組成物は、さらにまた、付加的な成分も含有することができる。特に、該組成物は、さらに界面活性剤を含有することができる。該界面活性剤は、イオン性若しくは非イオン性のタイプの乳化剤、分散剤若しくは湿潤剤であることが可能であるか、又は、そのような界面活性剤の混合物であることが可能である。例えば、以下のものを挙げることができる：ポリアクリル酸塩、リグノスルホン酸塩、フェノールスルホン酸塩若しくはナフタレンスルホン酸塩、エチレンオキシドと脂肪アルコールの重縮合物、エチレンオキシドと脂肪酸の重縮合物若しくはエチレンオキシドと脂肪アミンの重縮合物、置換されているフェノール（特に、アルキルフェノール又はアリールフェノール）、スルホコハク酸エステルの塩、タウリン誘導体（特に、アルキルタウレート）、ポリオキシエチル化アルコールのリン酸エステル若しくはポリオキシエチル化フェノールのリン酸エステル、ポリオールの脂肪酸エステル、並びに、硫酸官能基、スルホン酸官能基又はリン酸官能基を含んでいる上記化合物の誘導体。該活性物質及び／又は該不活性支持体が水不溶性である場合、及び、施用のための媒介物（vector agent）が水である場合、一般に、少なくとも１種類の界面活性剤を存在させることが必要である。好ましくは、界面活性剤の含有量は、該組成物の５〜４０重量％であり得る。
【０１１２】
場合により、さらなる成分、例えば、保護コロイド、粘着剤、増粘剤、チキソトロープ剤、浸透剤、安定化剤、金属イオン封鎖剤などを含ませることもできる。さらに一般的には、該活性物質は、通常の製剤技術に従う固体又は液体の任意の添加剤と組み合わせることが可能である。
【０１１３】
一般に、本発明の組成物は、０.０５〜９９（重量）％の活性物質、好ましくは、１０〜７０重量％の活性物質を含有することができる。
【０１１４】
本発明の組成物は、エーロゾルディスペンサー（aerosol dispenser）、カプセル懸濁液剤（capsule suspension）、冷煙霧濃厚剤（cold fogging concentrate）、散粉性粉剤（dustable powder）、乳剤、水中油型エマルション剤、油中水型エマルション剤、カプセル化粒剤、細粒剤（fine granule）、種子処理用フロアブル剤（flowable concentrate for seed treatment）、ガス剤（gas）（加圧下）、ガス生成剤（gas generating product）、粒剤、温煙霧濃厚剤（hot fogging concentrate）、大型粒剤（macrogranule）、微粒剤（microgranule）、油分散性粉剤（oil dispersible powder）、油混和性フロアブル剤（oil miscible flowable concentrate）、油混和性液剤（oil miscible liquid）、ペースト剤、植物用棒状剤（plant rodlet）、乾燥種子処理用粉剤（powder for dry seed treatment）、農薬粉衣種子（seed coated with a pesticide）、可溶性濃厚剤（soluble concentrate）、可溶性粉剤（soluble powder）、種子処理用溶液剤（solution for seed treatment）、懸濁液剤（フロアブル剤）、微量散布用液剤（ultra low volume (ulv) liquid）、微量散布用懸濁液剤（ultra low volume (ulv) suspension）、顆粒水和剤（water dispersible granule）、水分散性錠剤（water dispersible tablet）、泥水処理用水和剤（water dispersible powder for slurry treatment）、水溶性顆粒剤（water soluble granule）、水溶性錠剤（water soluble tablet）、種子処理用水溶性粉剤（water soluble powder for seed treatment）、及び、水和剤のような、さまざまな形態で使用することが可能である。
【０１１５】
これらの組成物には、処理対象の植物又は種子に対して噴霧装置又は散粉装置のような適切な装置により施用される状態にある組成物のみではなく、作物に対して施用する前に希釈することが必要な市販の濃厚組成物も包含される。
【０１１６】
さらにまた、本発明の化合物は、１種類以上の殺虫剤、殺真菌剤、殺細菌剤、誘引性殺ダニ剤若しくはフェロモン、又は、生物学的活性を有する別の化合物と混合することもできる。そのようにして得られた混合物は、拡大された活性スペクトルを有する。別の殺真菌剤との混合物が特に有利である。
【０１１７】
本発明の殺真菌剤組成物を使用して、作物の植物病原性真菌類を治療的又は予防的に防除することができる。従って、本発明のさらに別の態様により、作物の植物病原性真菌類を治療的又は予防的に防除する方法が提供され、ここで、該方法は、上記で定義した殺真菌剤組成物を、種子、植物及び／若しくは植物の果実に施用するか、又は、植物が成育している土壌若しくは植物を栽培するのが望ましい土壌に施用することを特徴とする。
【０１１８】
作物の植物病原性真菌類に対して使用する本発明の組成物は、有効で且つ植物に対して毒性を示さない量の一般式（Ｉ）の活性物質を含有している。
【０１１９】
「有効で且つ植物に対して毒性を示さない量」という表現は、作物上に存在しているか又はおそらく出現するであろう真菌類を防除又は駆除するのに充分で、且つ、該作物について植物毒性の感知可能などのような症状も引き起こすことのない、本発明組成物の量を意味する。そのような量は、防除対象の真菌類、作物のタイプ、気候条件、及び、本発明の殺真菌剤組成物に含まれている化合物に応じて、広い範囲で変動し得る。
【０１２０】
そのような量は、当業者が実行可能な範囲内にある体系的な圃場試験により決定することが可能である。
【０１２１】
本発明による処置方法は、塊茎又は根茎のような繁殖材料を処置するのに有効であるのみではなく、種子、実生又は移植実生（seedlings pricking out）及び植物又は移植植物（plants pricking out）を処置するのにも有効である。この処置方法は、根を処置するのにも有効であり得る。本発明による処置方法は、関係している植物の樹幹、茎又は柄、葉、花及び果実のような植物の地上部を処置するのにも有効であり得る。
【０１２２】
本発明の方法で保護可能な植物の中で、以下のものを挙げることができる：ワタ；アマ；ブドウ；果実作物又は野菜作物、例えば、Ｒｏｓａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、種子果（pip fruit）、例えば、リンゴ及びナシ、さらに、石果、例えば、アンズ、アーモンド及びモモ）、Ｒｉｂｅｓｉｏｉｄａｅ ｓｐ．、Ｊｕｇｌａｎｄａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｂｅｔｕｌａｃｅａｅ ｓｐ．、Ａｎａｃａｒｄｉａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｆａｇａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｍｏｒａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｏｌｅａｃｅａｅ ｓｐ．、Ａｃｔｉｎｉｄａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｌａｕｒａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｍｕｓａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、バナナの木及びプランタン）、Ｒｕｂｉａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｔｈｅａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｓｔｅｒｃｕｌｉｃｅａｅ ｓｐ．、Ｒｕｔａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、レモン、オレンジ及びグレープフルーツ）；マメ科作物、例えば、Ｓｏｌａｎａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、トマト）、Ｌｉｌｉａｃｅａｅ ｓｐ．、Ａｓｔｅｒａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、レタス）、Ｕｍｂｅｌｌｉｆｅｒａｅ ｓｐ．、Ｃｒｕｃｉｆｅｒａｅ ｓｐ．、Ｃｈｅｎｏｐｏｄｉａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｃｕｃｕｒｂｉｔａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｐａｐｉｌｉｏｎａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、エンドウ）、Ｒｏｓａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、イチゴ）；大型作物（big crop）、例えば、Ｇｒａｍｉｎａｅ ｓｐ．（例えば、トウモロコシ、芝又は禾穀類、例えば、コムギ、イネ、オオムギ及びライコムギ）、Ａｓｔｅｒａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、ヒマワリ）、Ｃｒｕｃｉｆｅｒａｅ ｓｐ．（例えば、ナタネ）、Ｐａｐｉｌｉｏｎａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、ダイズ）、Ｓｏｌａｎａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、ジャガイモ）、Ｃｈｅｎｏｐｏｄｉａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、ビート（beetroot））；園芸作物及び森林作物（forest crops）；さらに、これら作物の遺伝的に修飾された相同物。
【０１２３】
本発明の方法で保護される植物及びそれら植物の可能性のある病害の中で、以下のものを挙げることができる：
・ コムギ〔以下に示す種子の病害の防除に関して〕：フザリア（fusaria）（Ｍｉｃｒｏｄｏｃｈｉｕｍ ｎｉｖａｌｅ、及び、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｒｏｓｅｕｍ）、なまぐさ黒穂病（Ｔｉｌｌｅｔｉａ ｃａｒｉｅｓ、Ｔｉｌｌｅｔｉａ ｃｏｎｔｒｏｖｅｒｓａ、又は、Ｔｉｌｌｅｔｉａ ｉｎｄｉｃａ）、セプトリア病（Ｓｅｐｔｏｒｉａ ｎｏｄｏｒｕｍ）、及び、裸黒穂病；
・ コムギ〔以下に示すコムギ植物の地上部の病害の防除に関して〕：穀類眼紋病（cereal eyespot）（Ｔａｐｅｓｉａ ｙａｌｌｕｎｄａｅ、Ｔａｐｅｓｉａ ａｃｕｉｆｏｒｍｉｓ）、立枯病（Ｇａｅｕｍａｎｎｏｍｙｃｅｓ ｇｒａｍｉｎｉｓ）、赤かび病（foot blight）（Ｆ．ｃｕｌｍｏｒｕｍ、Ｆ．ｇｒａｍｉｎｅａｒｕｍ）、ブラックスペック（black speck）（Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｃｅｒｅａｌｉｓ）、うどんこ病（Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｇｒａｍｉｎｉｓ ｆｏｒｍａ ｓｐｅｃｉｅ ｔｒｉｔｉｃｉ）、さび病（Ｐｕｃｃｉｎｉａ ｓｔｒｉｉｆｏｒｍｉｓ、及び、Ｐｕｃｃｉｎｉａ ｒｅｃｏｎｄｉｔａ）、及び、セプトリア病（Ｓｅｐｔｏｒｉａ ｔｒｉｔｉｃｉ、及び、Ｓｅｐｔｏｒｉａ ｎｏｄｏｒｕｍ）；
・ コムギ及びオオムギ〔細菌病及びウイルス病の防除に関して〕：例えば、オオムギ縞萎縮病（barley yellow mosaic）；
・ オオムギ〔以下に示す種子の病害の防除に関して）：網斑病（Ｐｙｒｅｎｏｐｈｏｒａ ｇｒａｍｉｎｅａ、Ｐｙｒｅｎｏｐｈｏｒａ ｔｅｒｅｓ、及び、Ｃｏｃｈｌｉｏｂｏｌｕｓ ｓａｔｉｖｕｓ）、裸黒穂病（Ｕｓｔｉｌａｇｏ ｎｕｄａ）、及び、フザリア（fusaria）（Ｍｉｃｒｏｄｏｃｈｉｕｍ ｎｉｖａｌｅ、及び、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｒｏｓｅｕｍ）；
・ オオムギ〔以下に示すオオムギ植物の地上部の病害の防除に関して〕：穀類眼紋病（cereal eyespot）（Ｔａｐｅｓｉａ ｙａｌｌｕｎｄａｅ）、網斑病（Ｐｙｒｅｎｏｐｈｏｒａ ｔｅｒｅｓ、及び、Ｃｏｃｈｌｉｏｂｏｌｕｓ ｓａｔｉｖｕｓ）、うどんこ病（Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｇｒａｍｉｎｉｓ ｆｏｒｍａ ｓｐｅｃｉｅ ｈｏｒｄｅｉ）、小さび病（Ｐｕｃｃｉｎｉａ ｈｏｒｄｅｉ）、及び、雲形病（Ｒｈｙｎｃｈｏｓｐｏｒｉｕｍ ｓｅｃａｌｉｓ）；
・ ジャガイモ〔塊茎の病害の防除に関して〕：（特に、Ｈｅｌｍｉｎｔｈｏｓｐｏｒｉｕｍ ｓｏｌａｎｉ、Ｐｈｏｍａ ｔｕｂｅｒｏｓａ、Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｓｏｌａｎｉ）、べと病（Ｐｈｙｔｏｐｔｈｏｒａ ｉｎｆｅｓｔａｎｓ）、及び、特定のウイルス（ウイルスＹ）；
・ ジャガイモ〔以下に示す茎葉部の病害の防除に関して〕：夏疫病（Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｓｏｌａｎｉ）、べと病（Ｐｈｙｔｏｐｈｔｈｏｒａ ｉｎｆｅｓｔａｎｓ）；
・ ワタ〔種子から生育した幼植物の以下に示す病害の防除に関して〕：立枯病及び地際部腐敗（collar rot）（Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｏｘｙｓｐｏｒｕｍ）、及び、黒根腐病（black root rot）（Ｔｈｉｅｌａｖｉｏｐｓｉｓ ｂａｓｉｃｏｌａ）；
・ 蛋白質産生作物（protein yielding crop）、例えば、エンドウ〔以下に示す種子の病害の防除に関して〕：炭疽病（Ａｓｃｏｃｈｙｔａ ｐｉｓｉ、Ｍｙｃｏｓｐｈａｅｒｅｌｌａ ｐｉｎｏｄｅｓ）、フザリア（fusaria）（Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｏｘｙｓｐｏｒｕｍ）、灰色かび病（Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａ）、及び、べと病（Ｐｅｒｏｎｏｓｐｏｒａ ｐｉｓｉ）；
・ 油料作物（oil-bearing crop）、例えば、ナタネ〔以下に示す種子の病害の防除に関して〕：Ｐｈｏｍａ ｌｉｎｇａｍ、Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｂｒａｓｓｉｃａｅ、及び、Ｓｃｌｅｒｏｔｉｎｉａ ｓｃｌｅｒｏｔｉｏｒｕｍ；
・ トウモロコシ〔種子の病害の防除に関して〕：（Ｒｈｉｚｏｐｕｓ ｓｐ．、Ｐｅｎｉｃｉｌｌｉｕｍ ｓｐ．、Ｔｒｉｃｈｏｄｅｒｍａ ｓｐ．、Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｓｐ．、及び、Ｇｉｂｂｅｒｅｌｌａ ｆｕｊｉｋｕｒｏｉ）；
・ アマ〔種子の病害の防除に関して〕：Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｌｉｎｉｃｏｌａ；
・ 森林樹〔立枯病の防除に関して〕：（Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｏｘｙｓｐｏｒｕｍ、Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ）；
・ イネ〔以下に示す地上部の病害の防除に関して〕：いもち病（Ｍａｇｎａｐｏｒｔｈｅ ｇｒｉｓｅａ）、紋枯病（bordered sheath spot）（Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ）；
・ マメ科作物〔種子又は種子から生育した幼植物の以下に示す病害の防除に関して〕：立枯病及び地際部腐敗（collar rot）（Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｏｘｙｓｐｏｒｕｍ、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｒｏｓｅｕｍ、Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ、Ｐｙｔｈｉｕｍ ｓｐ．）；
・ マメ科作物〔以下に示す地上部の病害の防除に関して〕：灰色かび病（Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｓｐ．）、うどんこ病（特に、Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｃｉｃｈｏｒａｃｅａｒｕｍ、Ｓｐｈａｅｒｏｔｈｅｃａ ｆｕｌｉｇｉｎｅａ、及び、Ｌｅｖｅｉｌｌｕｌａ ｔａｕｒｉｃａ）、フザリア（fusaria）（Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｏｘｙｓｐｏｒｕｍ、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｒｏｓｅｕｍ）、斑点病（Ｃｌａｄｏｓｐｏｒｉｕｍ ｓｐ．）、褐点病（alternaria leaf spot）（Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｓｐ．）、炭疽病（Ｃｏｌｌｅｔｏｔｒｉｃｈｕｍ ｓｐ．）、セプトリア斑点病（septoria leaf spot）（Ｓｅｐｔｏｒｉａ ｓｐ．）、ブラックスペック（black speck）（Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ）、べと病（例えば、Ｂｒｅｍｉａ ｌａｃｔｕｃａｅ、Ｐｅｒｏｎｏｓｐｏｒａ ｓｐ．、Ｐｓｅｕｄｏｐｅｒｏｎｏｓｐｏｒａ ｓｐ．、Ｐｈｙｔｏｐｈｔｈｏｒａ ｓｐ．）；
・ 果樹〔地上部の病害に関して〕：モニリア病（Ｍｏｎｉｌｉａ ｆｒｕｃｔｉｇｅｎａｅ、Ｍ．ｌａｘａ）、瘡痂病（Ｖｅｎｔｕｒｉａ ｉｎａｅｑｕａｌｉｓ）、うどんこ病（Ｐｏｄｏｓｐｈａｅｒａ ｌｅｕｃｏｔｒｉｃｈａ）；
・ ブドウ〔茎葉部の病害に関して〕：特に、灰色かび病（Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａ）、うどんこ病（Ｕｎｃｉｎｕｌａ ｎｅｃａｔｏｒ）、黒腐病（Ｇｕｉｇｎａｒｄｉａ ｂｉｗｅｌｌｉ）、及び、べと病（Ｐｌａｓｍｏｐａｒａ ｖｉｔｉｃｏｌａ）；
・ ビート（beetroot）〔以下に示す地上部の病害に関して〕：サーコスポラ葉枯病（cercospora blight）（Ｃｅｒｃｏｓｐｏｒａ ｂｅｔｉｃｏｌａ）、うどんこ病（Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｂｅｔｉｃｏｌａ）、斑点病（Ｒａｍｕｌａｒｉａ ｂｅｔｉｃｏｌａ）。
【０１２４】
本発明の殺真菌剤組成物は、木材の表面又は内部で発生するであろう真菌病に対しても使用することができる。用語「材木」は、全ての種類の木、そのような木を建築用に加工した全てのタイプのもの、例えば、ソリッドウッド、高密度木材、積層木材及び合板などを意味する。本発明による材木の処理方法は、主に、本発明の１種類以上の化合物又は本発明の組成物を接触させることにより行う。これには、例えば、直接的な施用、噴霧、浸漬、注入、又は、別の適切な任意の方法が包含される。
【０１２５】
本発明の処理において通常施用される活性物質の薬量は、一般に、また、有利には、茎葉処理における施用では、１０〜８００ｇ／ｈａ、好ましくは、５０〜３００ｇ／ｈａである。種子処理の場合は、活性物質の施用薬量は、一般に、また、有利には、種子１００ｋｇ当たり２〜２００ｇ、好ましくは、種子１００ｋｇ当たり３〜１５０ｇである。上記で示されている薬量が本発明を例証するための例として挙げられていることは、明確に理解される。当業者は、処理対象の作物の種類に基づいて、該施用薬量を適合させる方法を理解するであろう。
【０１２６】
さらにまた、本発明の殺真菌剤組成物は、遺伝的に改変されている生物の本発明化合物又は本発明農薬組成物による処理においても使用することができる。遺伝的に改変されている植物は、興味深い蛋白質をコードする異種の遺伝子がゲノムに安定的に組み込まれている植物である。「興味深い蛋白質をコードする異種の遺伝子（heterologous gene encoding a protein of interest）」という表現は、本質的に、形質転換される植物に新しい農業的特性を付与する遺伝子を意味するか、又は、形質転換される植物の農業的特性を改善する遺伝子を意味する。
【０１２７】
さらにまた、本発明の組成物は、例えば、真菌症、皮膚病、白癬菌性疾患（trichophyton disease）及びカンジダ症、又は、Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｓｐｐ．（例えば、Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｆｕｍｉｇａｔｕｓ）に起因する疾患のようなヒト及び動物の真菌病を、治療的又は予防的に処置するのにも使用することもできる。
【０１２８】
本発明の態様について、化合物についての下記表及び実施例を参照して説明する。以下の表は、本発明の殺真菌性化合物の例について非限定的に例証している。下記実施例において、「Ｍ＋１」（又は、「Ｍ−１」）は、それぞれ、質量分析において観察された分子イオンピークプラス１ａ．ｍ．ｕ．（原子質量単位）又はマイナス１ａ．ｍ．ｕ．（原子質量単位）を意味し、「Ｍ（ＡｐｃＩ＋）」は、質量分析において、正の大気圧化学イオン化（positive atmospheric pressure chemical ionisation）により得られた分子イオンピークを意味する。
【０１２９】
【表１】
【実施例】
【０１３０】
一般式（Ｉ）で表される化合物の調製方法についての実施例
調製方法Ａの実施例：Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミド（化合物５）の調製
ステップ１：シアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸ｔ−ブチルの調製
５０ｍＬのジメトキシエタンに、０℃で、８．８ｇ（０．２２ｍｏｌ）の水素化ナトリウム（鉱油中の６０％分散液）を少量ずつゆっくりと添加した。
【０１３１】
この懸濁液に、さらに、５℃で、５０ｍＬのジメトキシエタン中の１７ｇ（０．１２ｍｏｌ）のシアノ酢酸ｔ−ブチルも滴下して加えた。得られた懸濁液を室温で４５分間撹拌した。
【０１３２】
この懸濁液に、２０ｇ（０．１１ｍｏｌ）の２，３，５−トリクロロピリジン、０．５９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）の（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ｔ−ブチルホスフィン、及び、１．２ｇ（２．２ｍｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を順次添加した。
【０１３３】
得られた黒色の混合物を５時間加熱還流した。冷却後、その反応混合物を１００ｍＬの１Ｎ塩酸に注ぎ入れた。水相をスーパーセル（supersel）で濾過し、酢酸エチル（３×２００ｍＬ）で抽出した。有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、３８．５ｇの粗生成物を褐色の油状物として得た。
【０１３４】
この粗生成物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／クロロホルム：６／４）で精製して、シアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸ｔ−ブチル（１３ｇ；４１％）を黄色の油状物として得た。質量スペクトル：２８７（Ｍ＋１）。
【０１３５】
ステップ２：（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルの調製
１２ｇ（０．０４２ｍｏｌ）のシアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸ｔ−ブチルをジメチルスルホキシド／水の２５／１混合物（５０ｍＬ）に溶解させた溶液に、１．２ｇ（０．０２１ｍｏｌ）の塩化ナトリウムを添加した。
【０１３６】
この混合物を１３０℃で３時間撹拌した。冷却後、その反応混合物を氷水中に注ぎ入れた。水相を酢酸エチル（３×２５０ｍＬ）で抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、８．２ｇの粗生成物を褐色の油状物として得た。
【０１３７】
この粗生成物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：７／３）で精製して、（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリル（５．９ｇ；７６％）を橙色の油状物として得た。質量スペクトル：１８５（Ｍ−１）。
【０１３８】
ステップ３：２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチルカルバミン酸ｔ−ブチルの調製
２．８ｇ（０．０１５ｍｏｌ）の（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルを４０ｍＬのメタノールに溶解させた溶液に、３．９ｇ（０．０１６５ｍｏｌ）の塩化コバルト（ＩＩ）六水和物及び６．５ｇ（０．０３ｍｏｌ）の二炭酸ジ−ｔ−ブチルを素早く添加した。
【０１３９】
この黒ずんだ溶液を−５℃に冷却し、０℃で、３．９６ｇ（０．１ｍｏｌ）のホウ水素化ナトリウムを少量ずつ添加した。得られた反応混合物を室温で１８時間撹拌した。
【０１４０】
その反応混合物を１Ｎ塩酸で中和し、減圧下にメタノールを除去した。水相をジクロロメタンで再抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、４ｇの粗生成物を褐色の油状物として得た。
【０１４１】
この粗生成物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：５／１）で精製して、２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチルカルバミン酸ｔ−ブチル（２．０ｇ；４６％）を黄色の油状物として得た。質量スペクトル：１９２（Ｍ＋１−１０１（ｂｏｃ））。
【０１４２】
ステップ４：２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エタンアミン塩酸塩の調製
２．４ｇ（８．２ｍｍｏｌ）の２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチルカルバミン酸ｔ−ブチルを１００ｍＬのジクロロメタンに溶解させた溶液に、５ｍＬのトリフルオロ酢酸を添加した。
【０１４３】
この混合物を室温で１時間撹拌した。減圧下に溶媒を蒸発させて、４．７ｇの黄色の粗油状物を得た。
【０１４４】
この油状物を１０ｍＬのエチルエーテルに再度溶解させ、５．２ｍＬの２Ｎ塩酸を滴下して加えることにより、塩酸塩が沈澱した。
【０１４５】
濾過により固体を採取し、エチルエーテルで洗浄し、減圧下に乾燥させて、２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エタンアミンをその塩酸塩として得た（１．３ｇ；７０％）。
【０１４６】
ステップ５：Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミド（化合物５）の調製
６０ｍｇ（０．２６ｍｍｏｌ）の２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エタンアミン塩酸塩を１ｍＬのジクロロメタンに懸濁させた懸濁液に、８１μＬ（０．５８ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン及び８５ｍｇ（０．３２ｍｍｏｌ）の２−ヨードベンゾイルクロリドを順次添加した。得られた混合物を室温で１８時間撹拌した。
【０１４７】
反応混合物を水の中に注ぎ入れ、ｐＨを４とした。水相を酢酸エチルで抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。
【０１４８】
溶媒を蒸発させ、残渣をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：８／２）で精製して、Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミドを褐色の固体として得た（４７ｍｇ；４３％）。ｍ．ｐ．＝１３３℃。
【０１４９】
一般式（Ｉ）で表される以下の化合物は、化合物５を調製するのに使用した方法と同等の調製方法により調製する：２、３、４、１３、１６、１７、２１、２２、２３、２５、及び、２６。これらの化合物も、同様に、本発明を例証する。
【０１５０】
調製方法Ｂの実施例：Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミド（化合物１）の調製
ステップ１：シアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸メチルの調製
１００ｍＬの１−メチル−２−ピロリジノンに、０℃で、２４．８ｇ（０．６２ｍｏｌ）の水素化ナトリウム（鉱油中の６０％分散液）を少量ずつゆっくりと添加した。
【０１５１】
この懸濁液に、さらに、５℃で、５０ｍＬの１−メチル−２−ピロリジノン中の３２．７ｇ（０．３３ｍｏｌ）のシアノ酢酸メチルを滴下して加えた。
【０１５２】
この懸濁液を５℃で３０分間撹拌した。この懸濁液を冷却し、次いで、それに、７０ｇ（０．３ｍｏｌ）の２−ブロモ−３，５−ジクロロピリジンを素早く添加した。得られた混合物を１３０℃で５時間加熱した。冷却後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れた。水相をエチルエーテル（３×３００ｍＬ）で抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。
【０１５３】
減圧下に溶媒を蒸発させ、粗生成物をメタノール中で再結晶させて、シアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸メチル（２４．８ｇ；３４％）を褐色の結晶として得た。ｍ．ｐ．＝１０９〜１１０℃。
【０１５４】
ステップ２：（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルの調製
１４．４５ｇ（０．０６ｍｏｌ）のシアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸メチルをジメチルスルホキシド／水の２５／１混合物（７０ｍＬ）に溶解させた溶液に、１．７５ｇ（０．０３ｍｏｌ）の塩化ナトリウムを添加した。
【０１５５】
この混合物を１３０℃で４時間撹拌した。冷却後、反応混合物を氷水に注ぎ入れた。水相をエチルエーテル（３×２５０ｍＬ）で抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、１１．２ｇの粗生成物を褐色の油状物として得た。
【０１５６】
この粗生成物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：７／３）で精製して、（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリル（８．６５ｇ；７７％）を黄色の油状物として得た。質量スペクトル：１８５（Ｍ−１）。
【０１５７】
ステップ３：Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミド（化合物１）の調製
１ｇ（５．４ｍｍｏｌ）の（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルを１５ｍＬのメタノールに溶解させた溶液に、１．３ｇ（５．９ｍｍｏｌ）の塩化コバルト（ＩＩ）六水和物及び３．９ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）の２−トリフルオロメチル安息香酸無水物を素早く添加した。
【０１５８】
得られた暗緑色の溶液を−５℃に冷却し、０℃で、１．４ｇ（３７．４ｍｍｏｌ）のホウ水素化ナトリウムを少量ずつ添加した。
【０１５９】
この反応混合物を室温で１８時間撹拌した。この反応混合物を１Ｎ塩酸で中和し、減圧下にメタノールを除去した。水相を酢酸エチルで再抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、２．６ｇの粗生成物を褐色の油状物として得た。
【０１６０】
この粗生成物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：７／３）で精製して、Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミド（０．８０ｇ；４１％）を白色の結晶として得た。ｍ．ｐ．＝１１８℃。
【０１６１】
一般式（Ｉ）で表される以下の化合物は、化合物１を調製するのに使用した方法と同一の調製方法により調製する：１０、１１、１２、及び１５。これらの化合物も、同様に、本発明を例示するものである。
【０１６２】
調製方法Ｃ／Ｄの実施例：Ｎ−［２−（３−クロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミド（化合物６）の調製
ステップ１：（３−クロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルの調製
５５．５ｍＬ（０．１３８ｍｏｌ）の２．５Ｍブチルリチウムを４００ｍＬの無水テトラヒドロフランに溶解させた溶液に、−７８℃、６．２２ｇ（０．１５３ｍｏｌ）のアセトニトリルを添加した。この反応混合物を、懸濁液が形成されるまで、−７８℃で４５分間撹拌した。
【０１６３】
得られた懸濁液に、−７８℃で、３ｇ（０．０２ｍｏｌ）の２，３−ジクロロピリジンを５０ｍＬの無水テトラヒドロフランに溶解させた溶液をゆっくりと添加した。この反応混合物を−７８℃でさらに２時間撹拌した。
【０１６４】
この反応混合物を５０ｍＬのの水に注ぎ入れた。水相をジクロロメタンで抽出し、有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。
【０１６５】
減圧下に溶媒を蒸発させ、残渣をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）で精製して、（３−クロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルを油状物として得た（１．２ｇ；４０％）。質量スペクトル：１５３（Ｍ＋１）。
【０１６６】
ステップ２：Ｎ−［２−（３−クロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミド（化合物６）の調製
０．１５２ｇ（１ｍｍｏｌ）の（３−クロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルを４ｍＬのメタノールに溶解させた溶液に、０．２３８ｇ（１ｍｍｏｌ）の塩化ニッケル（ＩＩ）六水和物及び０．７２４ｇ（２ｍｍｏｌ）の２−トリフルオロメチル安息香酸無水物を順次添加し、０℃で、０．２６５ｇ（７ｍｍｏｌ）のホウ水素化ナトリウムをゆっくりと添加した。
【０１６７】
この反応混合物を室温で１８時間撹拌した。溶媒を蒸発させ、残渣をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：９／１）で精製して、Ｎ−［２−（３−クロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミドを油状物として得た（９０ｍｇ；２７％）。質量スペクトル：３２９（Ｍ＋１）。
【０１６８】
一般式（Ｉ）で表される以下の化合物は、化合物６を調製するのに使用した方法と同一の調製方法により調製する：７、８、及び９。これらの化合物も、同様に、本発明を例示する。
【０１６９】
調製方法Ｇの実施例：Ｎ−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミド（化合物１４）の調製
ステップ１：５−メチル−２−ビニルピリジンの調製
３ｇ（１７.４ｍｍｏｌ）の２−ブロモ−５−メチルピリジンを３０ｍＬのジメチルホルムアミドに溶解させた溶液に、２ｇ（１.７ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及び５.５２ｇ（１７.４ｍｍｏｌ）のトリブチル（ビニル）スズを順次添加した。得られた反応混合物を１２０℃で１８時間撹拌した。冷却後、反応混合物をフッ化カリウムで飽和した水（５０ｍＬ）に注ぎ入れ、１時間撹拌した。
【０１７０】
この混合物をスーパーセル（supersel）で濾過し、水相をエチルエーテルで抽出した。有機相をフッ化カリウムで飽和した水で２回洗浄し、水で１回洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、３．５ｇの粗混合物を黄色の油状物として得た。
【０１７１】
この混合物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：４／１）で精製して、５−メチル−２−ビニルピリジンを黄色の油状物として得た（０．９ｇ；４３％）。質量スペクトル：１２０（Ｍ＋１）。
【０１７２】
ステップ２：２−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオンの調製
０．５ｍＬの水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム（Ｔｒｉｔｏｎ ＢＴＭ）に、０．５ｇ（４．２ｍｍｏｌ）の５−メチル−２−ビニルピリジン及び０．６１８ｇ（４．２ｍｍｏｌ）のフタルイミドを添加した。得られた混合物を２００℃に３時間加熱した。
【０１７３】
この混合物を室温まで冷却し、シリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：５／１）で直接精製して、２−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオンを白色の結晶として得た（０．６８０ｇ；５９％）。質量スペクトル：２６７（Ｍ＋１）。
【０１７４】
ステップ３：２−（５−メチル−２−ピリジニル）エタンアミンの調製
０．５ｇ（１．８８ｍｍｏｌ）の２−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオンを５ｍＬのメタノールに溶解させた溶液に、０．４５ｇ（７．５ｍｍｏｌ）のヒドラジン水和物を添加した。この反応混合物を、反応が完結するまで１時間還流した。
【０１７５】
減圧下に溶媒を除去し、残渣を１Ｎ塩酸で酸性化した。濾過により、固体のフタルヒドラジドを除去した。濾液を水酸化ナトリウムで塩基性化し、クロロホルムで抽出した。有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。
【０１７６】
溶媒を蒸発させて、純粋な２−（５−メチル−２−ピリジニル）エタンアミンを黄色の油状物として得た（０．２４０ｇ；９４％）。質量スペクトル：１３７（Ｍ＋１）。
【０１７７】
ステップ４：Ｎ−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミド（化合物１４）の調製
３ｍＬのアセトニトリル中で溶液状態にある０．０６ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）の２−（５−メチル−２−ピリジニル）エタンアミンに、０．１１７ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）の２−ヨードベンゾイルクロリド及び０．０７８ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムを順次添加した。
【０１７８】
この反応混合物を室温で１８時間撹拌した。この反応混合物を水性炭酸カリウムに注ぎ入れ、水相を酢酸エチルで抽出した。有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。
【０１７９】
減圧下に溶媒を蒸発させて、純粋なＮ−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミドをベージュ色の結晶として得た（０．０８ｇ；５３％）。質量スペクトル：３６７（Ｍ＋１）。
【０１８０】
化合物１８、化合物１９、化合物２０及び化合物２４は、化合物１４を調製するのに使用した方法と同一の調製方法により調製する。これらの化合物も、同様に、本発明を例示する。
【０１８１】
一般式（Ｉ）で表される化合物の生物学的活性についての実施例
実施例Ａ：Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｂｒａｓｓｉｃａｅ（アブラナ科の植物の斑点病（leaf spot））に対するインビボ試験
試験される活性成分を、ポッター均質化（potter homogenisation）により１００ｇ／Ｌの濃縮された懸濁液型の製剤として調製する。次いで、この懸濁液を水で希釈して、所望の活性物質濃度とする。
【０１８２】
５０／５０の泥炭土−ポゾランの底土に播種し、１８〜２０℃で生育させたスターターカップ（starter cup）内のハツカダイコン植物（品種 Ｐｅｒｎｏｔ）を、子葉期で、上記水性懸濁液を噴霧することにより処理する。
【０１８３】
対照として使用する植物は、活性物質を含んでいない水溶液で処理する。
【０１８４】
２４時間経過した後、Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｂｒａｓｓｉｃａｅの胞子の水性懸濁液（１ｃｍ３当たり４０，０００胞子）を噴霧することにより、該植物を汚染する。その胞子は、１２〜１３日間培養したものから採取する。
【０１８５】
汚染されたハツカダイコン植物を、湿潤雰囲気下、約１８℃で、６〜７日間インキュベートする。
【０１８６】
上記汚染から６〜７日間経過した後、対照植物と比較して、等級付けを行う。
【０１８７】
これらの条件下、以下の化合物を３３０ｐｐｍの薬量で用いると、良好な保護（少なくとも５０％）又は完全な保護が観察される：１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２４、２５、２６、２７、２８、３０、３１、３２、３４、３５、３６、３７、３８、４０、４１、４３、４５、４７、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６７、及び６８。
【０１８８】
実施例Ｂ：Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｇｒａｍｉｎｉｓ ｆ．ｓｐ．ｔｒｉｔｉｃｉ（コムギのうどんこ病）に対するインビボ試験
試験される活性成分を、ポッター均質化により１００ｇ／Ｌの濃縮された懸濁液型の製剤として調製する。次いで、この懸濁液を水で希釈して、所望の活性物質濃度とする。
【０１８９】
５０／５０の泥炭土−ポゾランの底土に播種し、１２℃で生育させたスターターカップ内のコムギ植物（品種 Ａｕｄａｃｅ）を、１葉期（草丈１０ｃｍ）で、上記水性懸濁液を噴霧することにより処理する。
【０１９０】
対照として使用する植物は、活性物質を含んでいない水溶液で処理する。
【０１９１】
２４時間経過した後、Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｇｒａｍｉｎｉｓ ｆ．ｓｐ．ｔｒｉｔｉｃｉの胞子を振りかけることにより、該植物を汚染する。胞子は、発病している植物を用いて振りかける。
【０１９２】
上記汚染から７〜１４日間経過した後、対照植物と比較して、等級付けを行う。
【０１９３】
これらの条件下、以下の化合物を３３０ｐｐｍの薬量で用いると、良好な保護（少なくとも５０％）又は完全な保護が観察される：１、３、４、５、６、８、９、１０、１１、１２、１３、１８、３８、５０、４３、及び４５。
【０１９４】
実施例Ｃ：Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａ（キュウリの灰色かび病）に対するインビボ試験
試験される活性成分を、ポッター均質化により１００ｇ／Ｌの濃縮された懸濁液型の製剤として調製する。次いで、この懸濁液を水で希釈して、所望の活性物質濃度とする。
【０１９５】
５０／５０の泥炭土−ポゾランの底土に播種し、１８〜２０℃で生育させたスターターカップ内のキュウリ植物（品種 Ｍａｒｋｅｔｅｒ）を、子葉Ｚ１１期で、上記水性懸濁液を噴霧することにより処理する。対照として使用する植物は、活性物質を含んでいない水溶液で処理する。
【０１９６】
２４時間経過した後、Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａの胞子の水性懸濁液（１ｍＬ当たり１５０，０００胞子）の液滴を葉の上面にデポジットさせることにより、該植物を汚染する。その胞子は、１５日間培養したものから採取し、
・ ２０ｇ／Ｌのゼラチン
・ ５０ｇ／Ｌのショ糖
・ ２ｇ／ＬのＮＨ４ＮＯ３
・ １ｇ／ＬのＫＨ２ＰＯ４
から構成される栄養溶液に懸濁させる。
【０１９７】
汚染されたキュウリ植物を、５／７日間、１５／１１℃（昼／夜）で相対湿度８０％の人工気象室内に静置する。
【０１９８】
上記汚染から５／７日間経過した後、対照植物と比較して、等級付けを行う。これらの条件下、以下の化合物を３３０ｐｐｍの薬量で用いると、良好な保護（少なくとも５０％）又は完全な保護が観察される：１、２、３、４、５、６、９、１０、１３、１８、２１、２２、２３、２５、２６、２７、２８、２９、３２、３４、３５、３８、４０、４３、４４、４５、４６、４７、５０、５１、５２、５３、５７、及び６２。
【０１９９】
実施例Ｄ：Ｐｙｒｅｎｏｐｈｏｒａ ｔｅｒｅｓ（オオムギの網斑病）に対するインビボ試験
試験される活性成分を、ポッター均質化により１００ｇ／Ｌの濃縮された懸濁液型の製剤として調製する。次いで、この懸濁液を水で希釈して、所望の活性物質濃度とする。
【０２００】
５０／５０の泥炭土−ポゾランの底土に播種し、１２℃で生育させたスターターカップ内のオオムギ植物（品種 Ｅｘｐｒｅｓｓ）を、１葉期（草丈１０ｃｍ）で、上記水性懸濁液を噴霧することにより処理する。対照として使用する植物は、活性物質を含んでいない水溶液で処理する。
【０２０１】
２４時間経過した後、Ｐｙｒｅｎｏｐｈｏｒａ ｔｅｒｅｓの胞子の水性懸濁液（１ｍＬ当たり１２，０００胞子）を噴霧することにより、該植物を汚染する。その胞子は、１２日間培養したものから採取する。汚染されたオオムギ植物を、約２０℃、相対湿度１００％で２４時間インキュベートし、次いで、相対湿度８０％で１２日間インキュベートする。
【０２０２】
上記汚染から１２日間経過した後、対照植物と比較して、等級付けを行う。これらの条件下、以下の化合物を３３０ｐｐｍの薬量で用いると、良好な保護（少なくとも５０％）又は完全な保護が観察される：１、２、３、４、５、９、１０、１１、１２、１３、１６、１８、１９、２１、２８、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４５、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６５、６７、及び６８。
【０２０３】
特許出願ＷＯ０１／１１９６５に開示されているＮ−｛１−メチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］−エチル｝−４−フェニルベンズアミド（表Ｄの化合物３１６を参照されたい）は、３３０ｐｐｍで、Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｂｒａｓｓｉｃａｅに対しては効果が劣り、Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａに対しては効果を示さなかった；同様に特許出願ＷＯ０１／１１９６５に開示されているＮ−｛１−エチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］エチル｝−３−ニトロベンズアミド（表Ｄの化合物３０７を参照されたい）は、３３０ｐｐｍで、Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｂｒａｓｓｉｃａｅに対しては効果が劣り、Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａに対しては効果を示さなかった；同様に特許出願ＷＯ０１／１１９６５に開示されているＮ−｛１−エチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］−エチル｝−ベンズアミド及びＮ−｛１−メチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］エチル｝−ベンズアミド（表Ｄの化合物３０４及び化合物３１４を参照されたい）は、３３０ｐｐｍで、Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａに対して効果を示さなかった；並びに、同様に特許出願ＷＯ０１／１１９６５に開示されているＮ−｛１−エチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］エチル｝−４−クロロベンズアミド、Ｎ−｛１−エチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］エチル｝−２−ブロモベンズアミド及びＮ−｛１−メチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］エチル｝−４−メトキシベンズアミド（表Ｄの化合物３０６、化合物３１０及び化合物３１５を参照されたい）は、３３０ｐｐｍで、Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａに対して効果を示さなかった。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規Ｎ−［２−（２−ピリジニル）エチル］ベンズアミド誘導体、それらを調製する方法、殺真菌剤としてのそれらの使用、特に、殺真菌剤組成物の形態におけるそれらの使用、及び、それら化合物又はそれらの組成物を使用して植物の植物病原性真菌類を防除する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
国際特許出願ＷＯ０１／１１９６５号には、２−ピリジル基が少なくとも１つのハロゲノアルキル基で置換されている広範な一群の殺真菌性化合物が開示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
農業従事者により使用される活性成分に対する耐性菌株の発達を回避するか又はそのような耐性菌株と戦うための新規な農薬活性化合物を使用することは、農業分野において常に高い関心が持たれている。既に知られている化合物の有効性と少なくとも同等の有効性を維持しながら、同時に、農業従事者により使用される活性物質の量を低減させる目的で、当業者に既に知られている化合物よりもさらに活性が高い新規化合物を使用することにも高い関心が持たれている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、上記特性を有する新規な化合物群を見いだした。
【０００５】
従って、本発明は、一般式（Ｉ）：
【０００６】
【化４７】
［式中、
− ｎは、１、２又は３であり；
− Ｘは、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、カルバモイル基、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、カルバメート基、（ヒドロキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ２〜Ｃ８−ハロゲノアルケニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−アルキニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノアルキニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、（Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）オキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、（Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）−Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルアミノ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルケニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルキニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（ベンジルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジルオキシ、ベンジルスルファニル、ベンジルアミノ、フェノキシ、フェニルスルファニル又はフェニルアミノであり；
− Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、カルバモイル基、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、カルバメート基、（ヒドロキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ２〜Ｃ８−ハロゲノアルケニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−アルキニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノアルキニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル−Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルアミノ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルケニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルキニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（ベンジルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジルオキシ、１〜５個のハロゲン原子で場合により置換されていてもよいベンジルスルファニル、ベンジルアミノ、フェノキシ、１〜５個のハロゲン原子で場合により置換されていてもよいフェニルスルファニル、又はフェニルアミノであるが；
但し、ＸとＲ１は、両方とも水素原子であることはなく；
− Ｒ２及びＲ３は、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニルオキシ若しくはＣ１〜Ｃ６−アルキルカルボニルアミノであるか；
又は、Ｒ２とＲ３は、一緒になって、３員、４員、５員若しくは６員の炭素環を形成していてもよく；
− Ｒ４及びＲ５は、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、若しくは１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキルであるか；
又は、Ｒ４とＲ５は、一緒になって、３員、４員、５員若しくは６員の炭素環を形成していてもよく；
− Ｒ６は、水素原子、シアノ基、ホルミル基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルコキシ、Ｃ３〜Ｃ６−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ６−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ６−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−シアノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アミノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲンアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルオキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−ベンジルオキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホニル、又は１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキルスルホニルであり；
− ｐは、１、２、３又は４であり；
− Ｙは、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ−Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、又はＣ１〜Ｃ８−アルキルスルホンアミドであり；および
− Ｒ７は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ−Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、又はＣ１〜Ｃ８−アルキルスルホンアミドである］
で表されるＮ−［２−（２−ピリジニル）エチル］ベンズアミド誘導体、並びに、その塩、Ｎ−オキシド、金属錯体及び半金属錯体に関する。
【０００７】
本発明との関連において：
− ハロゲンは、フッ素、臭素、塩素及びヨウ素を意味する；
− カルボキシは、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨを意味する；
− カルボニルは、−Ｃ（＝Ｏ）−を意味する；
− カルバモイルは、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２を意味する；
− Ｎ−ヒドロキシカルバモイルは、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＯＨを意味する；
− アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基並びにこれらの用語を含んでいる部分は、直鎖又は分枝鎖であり得る。
【０００８】
本発明との関連において、二置換アミノ基及び二置換カルバモイ基の場合は、２つの置換基がそれらを有している窒素原子と一緒になって、３〜７個原子を含んでいる飽和ヘテロ環式環を形成していてもよいことも理解されなければならない。
【０００９】
本発明の化合物は、いずれも、その化合物内の不斉中心の数に応じて、１種類以上の光学異性体又はキラル異性体の形態で存在し得る。従って、本発明は、そのような全ての光学異性体、及び、それらのラセミ混合物又はスカレミック混合物（用語「スカレミック（scalemic）」は、エナンチオマーの異なった比率の混合物を意味する）、及び、全ての可能な立体異性体の全ての比率における混合物に同等に関係する。ジアステレオ異性体及び／又は光学異性体は、それ自体当業者に知られている方法により分離することができる。
【００１０】
本発明の化合物は、いずれも、該化合物内の二重結合の数に応じて、１種類以上の幾何異性体の形態でも存在し得る。従って、本発明は、全ての幾何異性体及び全ての比率における可能な全ての混合物に同等に関係する。幾何異性体は、それ自体当業者に知られている方法により分離することができる。
【００１１】
一般式（Ｉ）［式中、Ｒ１は、ヒドロキシ基若しくはスルファニル基を表し、及び／又は、Ｘは、ヒドロキシ基、スルファニル基若しくはアミノ基を表す］で表される化合物は、いずれも、該ヒドロキシ基、スルファニル基又はアミノ基のプロトンがシフトする結果として、その互変異性体形態で存在し得る。そのような化合物の互変異性体形態も、本発明の一部である。より一般的にいえば、一般式（Ｉ）［式中、Ｒ１は、ヒドロキシ基若しくはスルファニル基を表し、及び／又は、Ｘは、ヒドロキシ基、スルファニル基若しくはアミノ基を表す］で表される化合物の全ての互変異性体形態、及び、上記調製方法において場合により中間体として使用し得る化合物の全ての互変異性体形態、及び、該調製方法の記述において定義される化合物の全ての互変異性体形態も、同様に、本発明の一部である。
【００１２】
本発明によれば、２−ピリジルは、６位がＲ１で置換されており、他の任意の位置は、（Ｘ）ｎで置換され得る。ここで、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりである。好ましくは、本発明は、一般式（Ｉ）で表されるＮ−［２−（２−ピリジニル）エチル］ベンズアミド誘導体に関し、ここで、種々の下記特性は、単独で選択され得るか又は組み合わせて選択され得る：
− Ｒ１に関しては、Ｒ１は、水素原子又はハロゲン原子である；
− ｎに関しては、ｎは、１又は２である；
− Ｘに関しては、Ｘは、ハロゲン原子又はＣ１〜Ｃ８−アルキルである；
− Ｘが置換する２−ピリジル部分の位置に関しては、２−ピリジル部分は、３位及び／又は５位がＸで置換される。
【００１３】
本発明によれば、フェニルは、オルト位がＲ７で置換されており、他の任意の位置は、（Ｙ）ｐで置換され得る。ここで、Ｙ及びｐは、上記で定義されているとおりである。好ましくは、本発明は、一般式（Ｉ）で表されるＮ−［２−（２−ピリジニル）エチル］ベンズアミド誘導体に関し、ここで、種々の下記特性は、単独で選択され得るか又は組み合わせて選択され得る：
− Ｒ７に関しては、Ｒ７は、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、又は、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルである；
− ｐに関しては、ｐは、１又は２であり、さらに好ましくは、ｐは１である；
− Ｙに関しては、Ｙは、水素原子、ハロゲン原子又はＣ１〜Ｃ８−アルキルであり、さらに好ましくは、Ｙは水素原子である；
− Ｙが置換するフェニル部分の位置に関しては、フェニル部分は、優先的に第一にパラ位がＹで置換される。
【００１４】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製する方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００１５】
【化４８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための方法（Ａ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ａ−１）：
【００１６】
【化４９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルであり；Ｕは、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、０℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩ）で表されるシアノアセテート誘導体を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＩＶ）で表される２−（ピリジル）シアノアセテート誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−２）：
【００１７】
【化５０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、水素原子であり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＩＶ）で表される化合物を、塩基性加水分解するか、酸性加水分解するか、又は、ハロゲン化物で置換して、４０℃から還流温度までの温度で加熱することにより、一般式（Ｖａ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−３）：
【００１８】
【化５１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（Ｖａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩＩ）で表される試薬でアルキル化して、一般式（Ｖｂ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−４）：
【００１９】
【化５２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、水素原子又はＣ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ１は、−ＯＲ８基又は−ＯＣＯＲ８基であるように選択される脱離基であり（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、０℃〜１５０℃の温度で、１バール〜１００バールの圧力下、触媒の存在下及び一般式（ＶＩ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−５）：
【００２０】
【化５３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第五ステップ（ここで、該第五ステップは、酸性媒体又は塩基性媒体中で、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護反応に付して、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−６）：
【００２１】
【化５４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ２は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８基（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【００２２】
【化５５】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第六ステップ（ここで、該第六ステップは、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００２３】
本発明による調製方法Ａの第一ステップ（ステップ（Ａ−１））は、塩基の存在下で実施する。好ましくは、該塩基は、無機塩基又は有機塩基であるように選択される。そのような塩基の適切な例は、例えば、アルカリ土類金属又はアルカリ金属の水素化物、水酸化物、アミド、アルコラート、炭酸塩、炭酸水素塩、酢酸塩、又は、第三級アミンであり得る。
【００２４】
本発明による調製方法Ａの第一ステップ（ステップ（Ａ−１））は、０℃〜２００℃の温度で実施する。好ましくは、第一ステップ（ステップ（Ａ−１））は、０℃〜１２０℃の温度で実施し、さらに好ましくは、０℃〜８０℃の温度で実施する。
【００２５】
本発明による調製方法Ａの第一ステップ（ステップ（Ａ−１））は、溶媒の存在下で実施し得る。好ましくは、該溶媒は、水、有機溶媒、又は、水と有機溶媒の混合物であるように選択される。適切な有機溶媒は、例えば、脂肪族溶媒、脂環式溶媒又は芳香族溶媒であり得る。
【００２６】
本発明による調製方法Ａの第一ステップ（ステップ（Ａ−１））は、さらにまた、触媒の存在下でも実施し得る。好ましくは、該触媒は、パラジウム塩又はパラジウム錯体であるように選択される。さらに好ましくは、該触媒は、パラジウム錯体であるように選択される。適切なパラジウム錯体触媒は、例えば、反応混合物にパラジウム塩と錯体配位子を別々に添加することにより該反応混合物中で直接生成させ得る。適切な配位子は、例えば、バルキーなホスフィン配位子又はアルシン配位子、例えば、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジフェニルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジ−ｔ−ブチルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；又は、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物などであり得る。
【００２７】
本発明による調製方法Ａの第四ステップ（ステップ（Ａ−４））は、水素化物供与体の存在下で実施する。好ましくは、該水素化物供与体は、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＫＢＨ４、Ｂ２Ｈ６などのような金属水素化物又は半金属水素化物であるように選択される。
【００２８】
本発明による調製方法Ａの第四ステップ（ステップ（Ａ−４））は、触媒の存在下で実施する。好ましくは、該触媒は、Ｃｏ（ＩＩ）塩化物、Ｎｉ（ＩＩ）塩化物、アンモニア若しくはその塩の内の１種類、炭素担持パラジウム、ラネーニッケル、ラネーコバルト又は白金であるように選択される。
【００２９】
本発明による調製方法Ａの第四ステップ（ステップ（Ａ−４））は、０℃〜１５０℃で実施する。好ましくは、該温度は、１０℃〜１２０℃である。さらに好ましくは、該温度は、１０℃〜８０℃である。
【００３０】
本発明による調製方法Ａの第四ステップ（ステップ（Ａ−４））は、１バール〜１００バールの圧力下で実施する。好ましくは、該圧力は、１バール〜５０バールである。
【００３１】
本発明による調製方法Ａの第四ステップ（ステップ（Ａ−４））は、有機溶媒の存在下、水の存在下、又は、それらの混合物の存在下で実施し得る。好ましくは、該溶媒は、エーテル、アルコール、カルボン酸、又はそれらと水もしくは純水との混合物であるように選択される。
【００３２】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００３３】
【化５６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための第二の方法（Ｂ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｂ−１）：
【００３４】
【化５７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、一般式（ＩＩＩ）で表されるシアノアセテート誘導体を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＩＶ）で表される２−ピリジルシアノアセテート誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−２）：
【００３５】
【化５８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＩＶ）で表される化合物を、塩基性加水分解するか、酸性加水分解するか、又は、ハロゲン化物で置換して、４０℃から還流温度までの温度で加熱することにより、一般式（Ｖａ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−３）：
【００３６】
【化５９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（Ｖａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩＩ）で表される試薬でアルキル化して、一般式（Ｖｂ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−４）：
【００３７】
【化６０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ３は、−ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、又は、式：
【００３８】
【化６１】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、０℃〜１５０℃の温度で、１バール〜１００バールの圧力下、触媒の存在下及び一般式（ＩＸ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００３９】
本発明による一般式（Ｉａ）の化合物は、調製方法Ｂに準じて調製し得る。
【００４０】
方法Ｂのステップ（Ｂ−１）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−１）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００４１】
方法Ｂのステップ（Ｂ−２）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−２）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００４２】
方法Ｂのステップ（Ｂ−３）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−３）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００４３】
方法Ｂのステップ（Ｂ−４）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−４）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００４４】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００４５】
【化６２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりである］
で表される化合物を調製するための第三の方法（Ｃ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｃ−１）：
【００４６】
【化６３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、−１００℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩｂ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（Ｖｂ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−２）：
【００４７】
【化６４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｌ１は、−ＯＲ８基又は−ＯＣＯＲ８基であるように選択される脱離基であり（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＶＩ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−３）：
【００４８】
【化６５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、酸性媒体又は塩基性媒体中で、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護反応に付して、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−４）：
【００４９】
【化６６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８基（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【００５０】
【化６７】
【００５１】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００５２】
本発明による調製方法Ｃの第一ステップ（ステップ（Ｃ−１））は、−１００℃〜２００℃の温度で実施する。好ましくは、第一ステップ（ステップ（Ｃ−１））は、−８０℃〜１２０℃の温度で実施し、さらに好ましくは、−８０℃〜８０℃の温度で実施する。
【００５３】
本発明による調製方法Ｃの第一ステップ（ステップ（Ｃ−１））は、塩基の存在下で実施する。好ましくは、該塩基は、無機塩基又は有機塩基であるように選択される。そのような塩基の適切な例は、例えば、アルカリ土類金属又はアルカリ金属の水素化物、水酸化物、アミド、アルコラート、炭酸塩、炭酸水素塩、酢酸塩、又は、第三級アミンであり得る。
【００５４】
本発明による調製方法Ｃの第一ステップ（ステップ（Ｃ−１））は、溶媒の存在下で実施し得る。好ましくは、該溶媒は、水、有機溶媒、又は、水と有機溶媒の混合物であるように選択される。適切な有機溶媒は、例えば、脂肪族溶媒、脂環式溶媒又は芳香族溶媒であり得る。
【００５５】
本発明による調製方法Ｃの第一ステップ（ステップ（Ｃ−１））は、さらにまた、触媒の存在下でも実施し得る。好ましくは、該触媒は、パラジウム塩又はパラジウム錯体であるように選択される。さらに好ましくは、該触媒は、パラジウム錯体であるように選択される。適切なパラジウム錯体触媒は、例えば、反応混合物にパラジウム塩と錯体配位子を別々に添加することにより該反応混合物中で直接生成させ得る。適切な配位子は、例えば、バルキーなホスフィン配位子又はアルシン配位子、例えば、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジフェニルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジ−ｔ−ブチルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；又は、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物などであり得る。
【００５６】
方法Ｃのステップ（Ｃ−２）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−４）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００５７】
方法Ｃのステップ（Ｃ−３）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−５）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００５８】
方法Ｃのステップ（Ｃ−４）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−６）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００５９】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００６０】
【化６８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための第四の方法（Ｄ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｄ−１）：
【００６１】
【化６９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、−１００℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩｂ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（Ｖｂ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｄ−２）：
【００６２】
【化７０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ３は、−ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、又は、式：
【００６３】
【化７１】
【００６４】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＩＸ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００６５】
本発明による一般式（Ｉａ）の化合物は、調製方法Ｄに準じて調製し得る。
【００６６】
方法Ｄのステップ（Ｄ−１）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ｃのステップ（Ｃ−１）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００６７】
方法Ｄのステップ（Ｄ−２）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−４）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００６８】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００６９】
【化７２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり、Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【００７０】
【化７３】
【００７１】
で表される基であるように選択される脱離基である］
で表される化合物を調製するための第五の方法（Ｅ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｅ−１）：
【００７２】
【化７４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、一般式（Ｘ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＸＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−２）：
【００７３】
【化７５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式Ｒ５−Ｍ（式中、Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり、Ｍは、金属種である）を添加することにより、一般式（ＸＩ）で表される化合物を一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物に変換することを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−３）：
【００７４】
【化７６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を一般式（ＸＩＶ）で表される化合物に変換することにより、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を活性化することを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−４）：
【００７５】
【化７７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＸＩＶ）で表される化合物をフタルイミド誘導体又はその塩の内の１種類で置換して、一般式（ＸＶａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−５）：
【００７６】
【化７８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルである］
による第五ステップ（ここで、該第五ステップは、一般式（ＸＶａ）で表される化合物をヒドラジン水和物又はヒドラジン塩と反応させることにより、一般式（ＸＶａ）で表される化合物を脱保護して、一般式（ＶＩＩＩｃ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−６）：
【００７７】
【化７９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【００７８】
【化８０】
【００７９】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第六ステップ（ここで、該第六ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００８０】
本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、調製方法Ｅに準じて調製し得る。
【００８１】
方法Ｅのステップ（Ｅ−６）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−６）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００８２】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、一般式（Ｉａ）：
【００８３】
【化８１】
［式中、Ｒ１、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり、Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
で表される化合物を調製するための第六の方法（Ｆ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｆ−１）：
【００８４】
【化８２】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基であり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択され；Ｍは、金属種又は半金属種である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、０℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体と一般式（ＸＶＩ）で表されるビニル誘導体のカップリング反応を行って、一般式（ＸＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−２）：
【００８５】
【化８３】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＸＶＩＩ）で表される化合物にフタルイミド又はその塩の内の１種類を添加して、一般式（ＸＶｂ）を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−３）：
【００８６】
【化８４】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（ＸＶｂ）で表される化合物をヒドラジン水和物又はヒドラジン塩で脱保護して、一般式（ＶＩＩＩｄ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−４）：
【００８７】
【化８５】
［式中、Ｒ１、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択され；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【００８８】
【化８６】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【００８９】
本発明による調製方法Ｆの第一ステップ（ステップ（Ｆ−１））は、一般式（ＸＶＩ）［式中、Ｍは、金属種又は半金属種であり得る。好ましくは、Ｍは、スズ誘導体又はホウ素誘導体である。さらに好ましくは、Ｍは、トリ−ｎ−ブチルスズ基である］で表されるビニル基を含んでいる化学種の存在下で実施する。
【００９０】
本発明による調製方法Ｆの第一ステップ（ステップ（Ｆ−１））は、０℃〜２００℃の温度で実施する。好ましくは、ステップ（Ｇ−１）は、６０℃〜１６０℃の温度で実施し、さらに好ましくは、８０℃〜１４０℃の温度で実施する。
【００９１】
本発明による調製方法Ｆの第一ステップ（ステップ（Ｆ−１））は、溶媒の存在下で実施し得る。好ましくは、該溶媒は、水、有機溶媒、又は、水と有機溶媒の混合物であるように選択される。適切な有機溶媒は、例えば、脂肪族溶媒、脂環式溶媒又は芳香族溶媒であり得る。
【００９２】
本発明による調製方法Ｆの第一ステップ（ステップ（Ｆ−１））は、さらにまた、触媒の存在下でも実施し得る。好ましくは、該触媒は、パラジウム塩又はパラジウム錯体であるように選択される。さらに好ましくは、該触媒は、パラジウム錯体であるように選択される。適切なパラジウム錯体触媒は、例えば、反応混合物にパラジウム塩と錯体配位子を別々に添加することにより該反応混合物中で直接生成させ得る。適切な配位子は、例えば、バルキーなホスフィン配位子又はアルシン配位子、例えば、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジフェニルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジ−ｔ−ブチルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物；又は、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルジシクロヘキシルホスフィン及びその対応するエナンチオマー若しくはそれら両方の混合物などであり得る。
【００９３】
本発明による調製方法Ｆの第一ステップ（ステップ（Ｆ−１））は、さらにまた、塩基の存在下で実施し得る。好ましくは、該塩基は、無機塩基又は有機塩基であるように選択される。そのような塩基の適切な例は、例えば、アルカリ土類金属又はアルカリ金属の水素化物、水酸化物、アミド、アルコラート、炭酸塩、炭酸水素塩、酢酸塩、又は、第三級アミンであり得る。
【００９４】
方法Ｆのステップ（Ｆ−３）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ｅのステップ（Ｅ−５）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００９５】
方法Ｆのステップ（Ｆ−４）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−６）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【００９６】
上記で記載した調製方法Ａ〜調製方法Ｆは、いずれも、場合により、反応スキーム（Ｇ）：
【００９７】
【化８７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｌ５は、ハロゲン原子、４−メチルフェニルスルホニルオキシ又は、メチルスルホニルオキシであるように選択される脱離基である］
による更なるステップ（ここで、該更なるステップは、一般式（Ｉａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩ）で表される化合物と反応させて、一般式（Ｉｂ）で表される化合物を生成させることを含む）を必要に応じて含むことができる。
【００９８】
本発明は、さらにまた、一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための別の方法にも関する。従って、本発明のさらに別の態様により、上記で定義されている一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための第七の方法（Ｈ）が提供され、ここで、該方法は、
・ 反応スキーム（Ｈ−１）：
【００９９】
【化８８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、０℃〜２００℃の温度で、一般式（Ｘ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＸＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−２）：
【０１００】
【化８９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＸＩ）で表される化合物を式Ｒ６−ＮＨ２で表されるアミンと反応させて、一般式（ＸＩＩ）で表されるイミン誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−３）：
【０１０１】
【化９０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＸＩＩ）で表されるイミン誘導体を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−４）：
【０１０２】
【化９１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、上記で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【０１０３】
【化９２】
【０１０４】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む。
【０１０５】
本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、調製方法Ｈに準じて調製し得る。
【０１０６】
方法Ｈのステップ（Ｈ−１）を実施するのに好ましい条件は、上記方法Ａのステップ（Ａ−１）を実施するのに好ましい条件と同じである。
【０１０７】
本発明による調製方法Ｈの第三ステップ（ステップ（Ｈ−３））は、水素化物供与体の存在下で実施する。好ましくは、該水素化物供与体は、ＬｉＡｌＨ４、ＮａＢＨ４、ＫＢＨ４、Ｂ２Ｈ６などのような金属水素化物又は半金属水素化物であるように選択される。
【０１０８】
本発明の化合物は、上記で記述した一般的な調製方法に準じて調製することができる。しかしながら、当業者が、自分の一般的な知識及び利用可能な刊行物に基づいて、合成することが望まれる化合物のそれぞれの特性に照らして該方法を適合させることができるということは理解されるであろう。
【０１０９】
本発明は、さらに、有効量の一般式（Ｉ）で表される活性物質を含んでいる殺真菌剤組成物にも関する。従って、本発明により、活性成分としての有効量の上記で定義されている一般式（Ｉ）の化合物、及び、農業上許容される支持体、担体又は増量剤を含んでいる殺真菌剤組成物が提供される。
【０１１０】
本明細書において、用語「支持体（support）」は、該活性物質と組み合わせて、特に植物の一部分に対して、より容易に施用できるようにする、天然又は合成の有機又は無機物質を意味する。このような支持体は、従って、一般に不活性であり、また、農業上許容されるものであるべきである。支持体は、固体であってもよいし、又は、液体であってもよい。適切な支持体の例としては、クレー、天然又は合成のシリケート、シリカ、樹脂、蝋、固形肥料、水、アルコール（特に、ブタノール）、有機溶媒、鉱油及び植物油、並びに、それらの誘導体などを挙げることができる。このような支持体の混合物を使用することもできる。
【０１１１】
上記組成物は、さらにまた、付加的な成分も含有することができる。特に、該組成物は、さらに界面活性剤を含有することができる。該界面活性剤は、イオン性若しくは非イオン性のタイプの乳化剤、分散剤若しくは湿潤剤であることが可能であるか、又は、そのような界面活性剤の混合物であることが可能である。例えば、以下のものを挙げることができる：ポリアクリル酸塩、リグノスルホン酸塩、フェノールスルホン酸塩若しくはナフタレンスルホン酸塩、エチレンオキシドと脂肪アルコールの重縮合物、エチレンオキシドと脂肪酸の重縮合物若しくはエチレンオキシドと脂肪アミンの重縮合物、置換されているフェノール（特に、アルキルフェノール又はアリールフェノール）、スルホコハク酸エステルの塩、タウリン誘導体（特に、アルキルタウレート）、ポリオキシエチル化アルコールのリン酸エステル若しくはポリオキシエチル化フェノールのリン酸エステル、ポリオールの脂肪酸エステル、並びに、硫酸官能基、スルホン酸官能基又はリン酸官能基を含んでいる上記化合物の誘導体。該活性物質及び／又は該不活性支持体が水不溶性である場合、及び、施用のための媒介物（vector agent）が水である場合、一般に、少なくとも１種類の界面活性剤を存在させることが必要である。好ましくは、界面活性剤の含有量は、該組成物の５〜４０重量％であり得る。
【０１１２】
場合により、さらなる成分、例えば、保護コロイド、粘着剤、増粘剤、チキソトロープ剤、浸透剤、安定化剤、金属イオン封鎖剤などを含ませることもできる。さらに一般的には、該活性物質は、通常の製剤技術に従う固体又は液体の任意の添加剤と組み合わせることが可能である。
【０１１３】
一般に、本発明の組成物は、０.０５〜９９（重量）％の活性物質、好ましくは、１０〜７０重量％の活性物質を含有することができる。
【０１１４】
本発明の組成物は、エーロゾルディスペンサー（aerosol dispenser）、カプセル懸濁液剤（capsule suspension）、冷煙霧濃厚剤（cold fogging concentrate）、散粉性粉剤（dustable powder）、乳剤、水中油型エマルション剤、油中水型エマルション剤、カプセル化粒剤、細粒剤（fine granule）、種子処理用フロアブル剤（flowable concentrate for seed treatment）、ガス剤（gas）（加圧下）、ガス生成剤（gas generating product）、粒剤、温煙霧濃厚剤（hot fogging concentrate）、大型粒剤（macrogranule）、微粒剤（microgranule）、油分散性粉剤（oil dispersible powder）、油混和性フロアブル剤（oil miscible flowable concentrate）、油混和性液剤（oil miscible liquid）、ペースト剤、植物用棒状剤（plant rodlet）、乾燥種子処理用粉剤（powder for dry seed treatment）、農薬粉衣種子（seed coated with a pesticide）、可溶性濃厚剤（soluble concentrate）、可溶性粉剤（soluble powder）、種子処理用溶液剤（solution for seed treatment）、懸濁液剤（フロアブル剤）、微量散布用液剤（ultra low volume (ulv) liquid）、微量散布用懸濁液剤（ultra low volume (ulv) suspension）、顆粒水和剤（water dispersible granule）、水分散性錠剤（water dispersible tablet）、泥水処理用水和剤（water dispersible powder for slurry treatment）、水溶性顆粒剤（water soluble granule）、水溶性錠剤（water soluble tablet）、種子処理用水溶性粉剤（water soluble powder for seed treatment）、及び、水和剤のような、さまざまな形態で使用することが可能である。
【０１１５】
これらの組成物には、処理対象の植物又は種子に対して噴霧装置又は散粉装置のような適切な装置により施用される状態にある組成物のみではなく、作物に対して施用する前に希釈することが必要な市販の濃厚組成物も包含される。
【０１１６】
さらにまた、本発明の化合物は、１種類以上の殺虫剤、殺真菌剤、殺細菌剤、誘引性殺ダニ剤若しくはフェロモン、又は、生物学的活性を有する別の化合物と混合することもできる。そのようにして得られた混合物は、拡大された活性スペクトルを有する。別の殺真菌剤との混合物が特に有利である。
【０１１７】
本発明の殺真菌剤組成物を使用して、作物の植物病原性真菌類を治療的又は予防的に防除することができる。従って、本発明のさらに別の態様により、作物の植物病原性真菌類を治療的又は予防的に防除する方法が提供され、ここで、該方法は、上記で定義した殺真菌剤組成物を、種子、植物及び／若しくは植物の果実に施用するか、又は、植物が成育している土壌若しくは植物を栽培するのが望ましい土壌に施用することを特徴とする。
【０１１８】
作物の植物病原性真菌類に対して使用する本発明の組成物は、有効で且つ植物に対して毒性を示さない量の一般式（Ｉ）の活性物質を含有している。
【０１１９】
「有効で且つ植物に対して毒性を示さない量」という表現は、作物上に存在しているか又はおそらく出現するであろう真菌類を防除又は駆除するのに充分で、且つ、該作物について植物毒性の感知可能などのような症状も引き起こすことのない、本発明組成物の量を意味する。そのような量は、防除対象の真菌類、作物のタイプ、気候条件、及び、本発明の殺真菌剤組成物に含まれている化合物に応じて、広い範囲で変動し得る。
【０１２０】
そのような量は、当業者が実行可能な範囲内にある体系的な圃場試験により決定することが可能である。
【０１２１】
本発明による処置方法は、塊茎又は根茎のような繁殖材料を処置するのに有効であるのみではなく、種子、実生又は移植実生（seedlings pricking out）及び植物又は移植植物（plants pricking out）を処置するのにも有効である。この処置方法は、根を処置するのにも有効であり得る。本発明による処置方法は、関係している植物の樹幹、茎又は柄、葉、花及び果実のような植物の地上部を処置するのにも有効であり得る。
【０１２２】
本発明の方法で保護可能な植物の中で、以下のものを挙げることができる：ワタ；アマ；ブドウ；果実作物又は野菜作物、例えば、Ｒｏｓａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、種子果（pip fruit）、例えば、リンゴ及びナシ、さらに、石果、例えば、アンズ、アーモンド及びモモ）、Ｒｉｂｅｓｉｏｉｄａｅ ｓｐ．、Ｊｕｇｌａｎｄａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｂｅｔｕｌａｃｅａｅ ｓｐ．、Ａｎａｃａｒｄｉａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｆａｇａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｍｏｒａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｏｌｅａｃｅａｅ ｓｐ．、Ａｃｔｉｎｉｄａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｌａｕｒａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｍｕｓａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、バナナの木及びプランタン）、Ｒｕｂｉａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｔｈｅａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｓｔｅｒｃｕｌｉｃｅａｅ ｓｐ．、Ｒｕｔａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、レモン、オレンジ及びグレープフルーツ）；マメ科作物、例えば、Ｓｏｌａｎａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、トマト）、Ｌｉｌｉａｃｅａｅ ｓｐ．、Ａｓｔｅｒａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、レタス）、Ｕｍｂｅｌｌｉｆｅｒａｅ ｓｐ．、Ｃｒｕｃｉｆｅｒａｅ ｓｐ．、Ｃｈｅｎｏｐｏｄｉａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｃｕｃｕｒｂｉｔａｃｅａｅ ｓｐ．、Ｐａｐｉｌｉｏｎａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、エンドウ）、Ｒｏｓａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、イチゴ）；大型作物（big crop）、例えば、Ｇｒａｍｉｎａｅ ｓｐ．（例えば、トウモロコシ、芝又は禾穀類、例えば、コムギ、イネ、オオムギ及びライコムギ）、Ａｓｔｅｒａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、ヒマワリ）、Ｃｒｕｃｉｆｅｒａｅ ｓｐ．（例えば、ナタネ）、Ｐａｐｉｌｉｏｎａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、ダイズ）、Ｓｏｌａｎａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、ジャガイモ）、Ｃｈｅｎｏｐｏｄｉａｃｅａｅ ｓｐ．（例えば、ビート（beetroot））；園芸作物及び森林作物（forest crops）；さらに、これら作物の遺伝的に修飾された相同物。
【０１２３】
本発明の方法で保護される植物及びそれら植物の可能性のある病害の中で、以下のものを挙げることができる：
・ コムギ〔以下に示す種子の病害の防除に関して〕：フザリア（fusaria）（Ｍｉｃｒｏｄｏｃｈｉｕｍ ｎｉｖａｌｅ、及び、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｒｏｓｅｕｍ）、なまぐさ黒穂病（Ｔｉｌｌｅｔｉａ ｃａｒｉｅｓ、Ｔｉｌｌｅｔｉａ ｃｏｎｔｒｏｖｅｒｓａ、又は、Ｔｉｌｌｅｔｉａ ｉｎｄｉｃａ）、セプトリア病（Ｓｅｐｔｏｒｉａ ｎｏｄｏｒｕｍ）、及び、裸黒穂病；
・ コムギ〔以下に示すコムギ植物の地上部の病害の防除に関して〕：穀類眼紋病（cereal eyespot）（Ｔａｐｅｓｉａ ｙａｌｌｕｎｄａｅ、Ｔａｐｅｓｉａ ａｃｕｉｆｏｒｍｉｓ）、立枯病（Ｇａｅｕｍａｎｎｏｍｙｃｅｓ ｇｒａｍｉｎｉｓ）、赤かび病（foot blight）（Ｆ．ｃｕｌｍｏｒｕｍ、Ｆ．ｇｒａｍｉｎｅａｒｕｍ）、ブラックスペック（black speck）（Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｃｅｒｅａｌｉｓ）、うどんこ病（Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｇｒａｍｉｎｉｓ ｆｏｒｍａ ｓｐｅｃｉｅ ｔｒｉｔｉｃｉ）、さび病（Ｐｕｃｃｉｎｉａ ｓｔｒｉｉｆｏｒｍｉｓ、及び、Ｐｕｃｃｉｎｉａ ｒｅｃｏｎｄｉｔａ）、及び、セプトリア病（Ｓｅｐｔｏｒｉａ ｔｒｉｔｉｃｉ、及び、Ｓｅｐｔｏｒｉａ ｎｏｄｏｒｕｍ）；
・ コムギ及びオオムギ〔細菌病及びウイルス病の防除に関して〕：例えば、オオムギ縞萎縮病（barley yellow mosaic）；
・ オオムギ〔以下に示す種子の病害の防除に関して）：網斑病（Ｐｙｒｅｎｏｐｈｏｒａ ｇｒａｍｉｎｅａ、Ｐｙｒｅｎｏｐｈｏｒａ ｔｅｒｅｓ、及び、Ｃｏｃｈｌｉｏｂｏｌｕｓ ｓａｔｉｖｕｓ）、裸黒穂病（Ｕｓｔｉｌａｇｏ ｎｕｄａ）、及び、フザリア（fusaria）（Ｍｉｃｒｏｄｏｃｈｉｕｍ ｎｉｖａｌｅ、及び、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｒｏｓｅｕｍ）；
・ オオムギ〔以下に示すオオムギ植物の地上部の病害の防除に関して〕：穀類眼紋病（cereal eyespot）（Ｔａｐｅｓｉａ ｙａｌｌｕｎｄａｅ）、網斑病（Ｐｙｒｅｎｏｐｈｏｒａ ｔｅｒｅｓ、及び、Ｃｏｃｈｌｉｏｂｏｌｕｓ ｓａｔｉｖｕｓ）、うどんこ病（Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｇｒａｍｉｎｉｓ ｆｏｒｍａ ｓｐｅｃｉｅ ｈｏｒｄｅｉ）、小さび病（Ｐｕｃｃｉｎｉａ ｈｏｒｄｅｉ）、及び、雲形病（Ｒｈｙｎｃｈｏｓｐｏｒｉｕｍ ｓｅｃａｌｉｓ）；
・ ジャガイモ〔塊茎の病害の防除に関して〕：（特に、Ｈｅｌｍｉｎｔｈｏｓｐｏｒｉｕｍ ｓｏｌａｎｉ、Ｐｈｏｍａ ｔｕｂｅｒｏｓａ、Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｓｏｌａｎｉ）、べと病（Ｐｈｙｔｏｐｔｈｏｒａ ｉｎｆｅｓｔａｎｓ）、及び、特定のウイルス（ウイルスＹ）；
・ ジャガイモ〔以下に示す茎葉部の病害の防除に関して〕：夏疫病（Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｓｏｌａｎｉ）、べと病（Ｐｈｙｔｏｐｈｔｈｏｒａ ｉｎｆｅｓｔａｎｓ）；
・ ワタ〔種子から生育した幼植物の以下に示す病害の防除に関して〕：立枯病及び地際部腐敗（collar rot）（Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｏｘｙｓｐｏｒｕｍ）、及び、黒根腐病（black root rot）（Ｔｈｉｅｌａｖｉｏｐｓｉｓ ｂａｓｉｃｏｌａ）；
・ 蛋白質産生作物（protein yielding crop）、例えば、エンドウ〔以下に示す種子の病害の防除に関して〕：炭疽病（Ａｓｃｏｃｈｙｔａ ｐｉｓｉ、Ｍｙｃｏｓｐｈａｅｒｅｌｌａ ｐｉｎｏｄｅｓ）、フザリア（fusaria）（Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｏｘｙｓｐｏｒｕｍ）、灰色かび病（Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａ）、及び、べと病（Ｐｅｒｏｎｏｓｐｏｒａ ｐｉｓｉ）；
・ 油料作物（oil-bearing crop）、例えば、ナタネ〔以下に示す種子の病害の防除に関して〕：Ｐｈｏｍａ ｌｉｎｇａｍ、Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｂｒａｓｓｉｃａｅ、及び、Ｓｃｌｅｒｏｔｉｎｉａ ｓｃｌｅｒｏｔｉｏｒｕｍ；
・ トウモロコシ〔種子の病害の防除に関して〕：（Ｒｈｉｚｏｐｕｓ ｓｐ．、Ｐｅｎｉｃｉｌｌｉｕｍ ｓｐ．、Ｔｒｉｃｈｏｄｅｒｍａ ｓｐ．、Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｓｐ．、及び、Ｇｉｂｂｅｒｅｌｌａ ｆｕｊｉｋｕｒｏｉ）；
・ アマ〔種子の病害の防除に関して〕：Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｌｉｎｉｃｏｌａ；
・ 森林樹〔立枯病の防除に関して〕：（Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｏｘｙｓｐｏｒｕｍ、Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ）；
・ イネ〔以下に示す地上部の病害の防除に関して〕：いもち病（Ｍａｇｎａｐｏｒｔｈｅ ｇｒｉｓｅａ）、紋枯病（bordered sheath spot）（Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ）；
・ マメ科作物〔種子又は種子から生育した幼植物の以下に示す病害の防除に関して〕：立枯病及び地際部腐敗（collar rot）（Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｏｘｙｓｐｏｒｕｍ、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｒｏｓｅｕｍ、Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ、Ｐｙｔｈｉｕｍ ｓｐ．）；
・ マメ科作物〔以下に示す地上部の病害の防除に関して〕：灰色かび病（Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｓｐ．）、うどんこ病（特に、Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｃｉｃｈｏｒａｃｅａｒｕｍ、Ｓｐｈａｅｒｏｔｈｅｃａ ｆｕｌｉｇｉｎｅａ、及び、Ｌｅｖｅｉｌｌｕｌａ ｔａｕｒｉｃａ）、フザリア（fusaria）（Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｏｘｙｓｐｏｒｕｍ、Ｆｕｓａｒｉｕｍ ｒｏｓｅｕｍ）、斑点病（Ｃｌａｄｏｓｐｏｒｉｕｍ ｓｐ．）、褐点病（alternaria leaf spot）（Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｓｐ．）、炭疽病（Ｃｏｌｌｅｔｏｔｒｉｃｈｕｍ ｓｐ．）、セプトリア斑点病（septoria leaf spot）（Ｓｅｐｔｏｒｉａ ｓｐ．）、ブラックスペック（black speck）（Ｒｈｉｚｏｃｔｏｎｉａ ｓｏｌａｎｉ）、べと病（例えば、Ｂｒｅｍｉａ ｌａｃｔｕｃａｅ、Ｐｅｒｏｎｏｓｐｏｒａ ｓｐ．、Ｐｓｅｕｄｏｐｅｒｏｎｏｓｐｏｒａ ｓｐ．、Ｐｈｙｔｏｐｈｔｈｏｒａ ｓｐ．）；
・ 果樹〔地上部の病害に関して〕：モニリア病（Ｍｏｎｉｌｉａ ｆｒｕｃｔｉｇｅｎａｅ、Ｍ．ｌａｘａ）、瘡痂病（Ｖｅｎｔｕｒｉａ ｉｎａｅｑｕａｌｉｓ）、うどんこ病（Ｐｏｄｏｓｐｈａｅｒａ ｌｅｕｃｏｔｒｉｃｈａ）；
・ ブドウ〔茎葉部の病害に関して〕：特に、灰色かび病（Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａ）、うどんこ病（Ｕｎｃｉｎｕｌａ ｎｅｃａｔｏｒ）、黒腐病（Ｇｕｉｇｎａｒｄｉａ ｂｉｗｅｌｌｉ）、及び、べと病（Ｐｌａｓｍｏｐａｒａ ｖｉｔｉｃｏｌａ）；
・ ビート（beetroot）〔以下に示す地上部の病害に関して〕：サーコスポラ葉枯病（cercospora blight）（Ｃｅｒｃｏｓｐｏｒａ ｂｅｔｉｃｏｌａ）、うどんこ病（Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｂｅｔｉｃｏｌａ）、斑点病（Ｒａｍｕｌａｒｉａ ｂｅｔｉｃｏｌａ）。
【０１２４】
本発明の殺真菌剤組成物は、木材の表面又は内部で発生するであろう真菌病に対しても使用することができる。用語「材木」は、全ての種類の木、そのような木を建築用に加工した全てのタイプのもの、例えば、ソリッドウッド、高密度木材、積層木材及び合板などを意味する。本発明による材木の処理方法は、主に、本発明の１種類以上の化合物又は本発明の組成物を接触させることにより行う。これには、例えば、直接的な施用、噴霧、浸漬、注入、又は、別の適切な任意の方法が包含される。
【０１２５】
本発明の処理において通常施用される活性物質の薬量は、一般に、また、有利には、茎葉処理における施用では、１０〜８００ｇ／ｈａ、好ましくは、５０〜３００ｇ／ｈａである。種子処理の場合は、活性物質の施用薬量は、一般に、また、有利には、種子１００ｋｇ当たり２〜２００ｇ、好ましくは、種子１００ｋｇ当たり３〜１５０ｇである。上記で示されている薬量が本発明を例証するための例として挙げられていることは、明確に理解される。当業者は、処理対象の作物の種類に基づいて、該施用薬量を適合させる方法を理解するであろう。
【０１２６】
さらにまた、本発明の殺真菌剤組成物は、遺伝的に改変されている生物の本発明化合物又は本発明農薬組成物による処理においても使用することができる。遺伝的に改変されている植物は、興味深い蛋白質をコードする異種の遺伝子がゲノムに安定的に組み込まれている植物である。「興味深い蛋白質をコードする異種の遺伝子（heterologous gene encoding a protein of interest）」という表現は、本質的に、形質転換される植物に新しい農業的特性を付与する遺伝子を意味するか、又は、形質転換される植物の農業的特性を改善する遺伝子を意味する。
【０１２７】
さらにまた、本発明の組成物は、例えば、真菌症、皮膚病、白癬菌性疾患（trichophyton disease）及びカンジダ症、又は、Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｓｐｐ．（例えば、Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｆｕｍｉｇａｔｕｓ）に起因する疾患のようなヒト及び動物の真菌病を、治療的又は予防的に処置するのにも使用することもできる。
【０１２８】
本発明の態様について、化合物についての下記表及び実施例を参照して説明する。以下の表は、本発明の殺真菌性化合物の例について非限定的に例証している。下記実施例において、「Ｍ＋１」（又は、「Ｍ−１」）は、それぞれ、質量分析において観察された分子イオンピークプラス１ａ．ｍ．ｕ．（原子質量単位）又はマイナス１ａ．ｍ．ｕ．（原子質量単位）を意味し、「Ｍ（ＡｐｃＩ＋）」は、質量分析において、正の大気圧化学イオン化（positive atmospheric pressure chemical ionisation）により得られた分子イオンピークを意味する。
【０１２９】
【表１】
【実施例】
【０１３０】
一般式（Ｉ）で表される化合物の調製方法についての実施例
調製方法Ａの実施例：Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミド（化合物５）の調製
ステップ１：シアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸ｔ−ブチルの調製
５０ｍＬのジメトキシエタンに、０℃で、８．８ｇ（０．２２ｍｏｌ）の水素化ナトリウム（鉱油中の６０％分散液）を少量ずつゆっくりと添加した。
【０１３１】
この懸濁液に、さらに、５℃で、５０ｍＬのジメトキシエタン中の１７ｇ（０．１２ｍｏｌ）のシアノ酢酸ｔ−ブチルも滴下して加えた。得られた懸濁液を室温で４５分間撹拌した。
【０１３２】
この懸濁液に、２０ｇ（０．１１ｍｏｌ）の２，３，５−トリクロロピリジン、０．５９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）の（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ｔ−ブチルホスフィン、及び、１．２ｇ（２．２ｍｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を順次添加した。
【０１３３】
得られた黒色の混合物を５時間加熱還流した。冷却後、その反応混合物を１００ｍＬの１Ｎ塩酸に注ぎ入れた。水相をスーパーセル（supersel）で濾過し、酢酸エチル（３×２００ｍＬ）で抽出した。有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、３８．５ｇの粗生成物を褐色の油状物として得た。
【０１３４】
この粗生成物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／クロロホルム：６／４）で精製して、シアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸ｔ−ブチル（１３ｇ；４１％）を黄色の油状物として得た。質量スペクトル：２８７（Ｍ＋１）。
【０１３５】
ステップ２：（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルの調製
１２ｇ（０．０４２ｍｏｌ）のシアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸ｔ−ブチルをジメチルスルホキシド／水の２５／１混合物（５０ｍＬ）に溶解させた溶液に、１．２ｇ（０．０２１ｍｏｌ）の塩化ナトリウムを添加した。
【０１３６】
この混合物を１３０℃で３時間撹拌した。冷却後、その反応混合物を氷水中に注ぎ入れた。水相を酢酸エチル（３×２５０ｍＬ）で抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、８．２ｇの粗生成物を褐色の油状物として得た。
【０１３７】
この粗生成物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：７／３）で精製して、（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリル（５．９ｇ；７６％）を橙色の油状物として得た。質量スペクトル：１８５（Ｍ−１）。
【０１３８】
ステップ３：２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチルカルバミン酸ｔ−ブチルの調製
２．８ｇ（０．０１５ｍｏｌ）の（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルを４０ｍＬのメタノールに溶解させた溶液に、３．９ｇ（０．０１６５ｍｏｌ）の塩化コバルト（ＩＩ）六水和物及び６．５ｇ（０．０３ｍｏｌ）の二炭酸ジ−ｔ−ブチルを素早く添加した。
【０１３９】
この黒ずんだ溶液を−５℃に冷却し、０℃で、３．９６ｇ（０．１ｍｏｌ）のホウ水素化ナトリウムを少量ずつ添加した。得られた反応混合物を室温で１８時間撹拌した。
【０１４０】
その反応混合物を１Ｎ塩酸で中和し、減圧下にメタノールを除去した。水相をジクロロメタンで再抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、４ｇの粗生成物を褐色の油状物として得た。
【０１４１】
この粗生成物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：５／１）で精製して、２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチルカルバミン酸ｔ−ブチル（２．０ｇ；４６％）を黄色の油状物として得た。質量スペクトル：１９２（Ｍ＋１−１０１（ｂｏｃ））。
【０１４２】
ステップ４：２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エタンアミン塩酸塩の調製
２．４ｇ（８．２ｍｍｏｌ）の２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチルカルバミン酸ｔ−ブチルを１００ｍＬのジクロロメタンに溶解させた溶液に、５ｍＬのトリフルオロ酢酸を添加した。
【０１４３】
この混合物を室温で１時間撹拌した。減圧下に溶媒を蒸発させて、４．７ｇの黄色の粗油状物を得た。
【０１４４】
この油状物を１０ｍＬのエチルエーテルに再度溶解させ、５．２ｍＬの２Ｎ塩酸を滴下して加えることにより、塩酸塩が沈澱した。
【０１４５】
濾過により固体を採取し、エチルエーテルで洗浄し、減圧下に乾燥させて、２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エタンアミンをその塩酸塩として得た（１．３ｇ；７０％）。
【０１４６】
ステップ５：Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミド（化合物５）の調製
６０ｍｇ（０．２６ｍｍｏｌ）の２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エタンアミン塩酸塩を１ｍＬのジクロロメタンに懸濁させた懸濁液に、８１μＬ（０．５８ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン及び８５ｍｇ（０．３２ｍｍｏｌ）の２−ヨードベンゾイルクロリドを順次添加した。得られた混合物を室温で１８時間撹拌した。
【０１４７】
反応混合物を水の中に注ぎ入れ、ｐＨを４とした。水相を酢酸エチルで抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。
【０１４８】
溶媒を蒸発させ、残渣をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：８／２）で精製して、Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミドを褐色の固体として得た（４７ｍｇ；４３％）。ｍ．ｐ．＝１３３℃。
【０１４９】
一般式（Ｉ）で表される以下の化合物は、化合物５を調製するのに使用した方法と同等の調製方法により調製する：２、３、４、１３、１６、１７、２１、２２、２３、２５、及び、２６。これらの化合物も、同様に、本発明を例証する。
【０１５０】
調製方法Ｂの実施例：Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミド（化合物１）の調製
ステップ１：シアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸メチルの調製
１００ｍＬの１−メチル−２−ピロリジノンに、０℃で、２４．８ｇ（０．６２ｍｏｌ）の水素化ナトリウム（鉱油中の６０％分散液）を少量ずつゆっくりと添加した。
【０１５１】
この懸濁液に、さらに、５℃で、５０ｍＬの１−メチル−２−ピロリジノン中の３２．７ｇ（０．３３ｍｏｌ）のシアノ酢酸メチルを滴下して加えた。
【０１５２】
この懸濁液を５℃で３０分間撹拌した。この懸濁液を冷却し、次いで、それに、７０ｇ（０．３ｍｏｌ）の２−ブロモ−３，５−ジクロロピリジンを素早く添加した。得られた混合物を１３０℃で５時間加熱した。冷却後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れた。水相をエチルエーテル（３×３００ｍＬ）で抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。
【０１５３】
減圧下に溶媒を蒸発させ、粗生成物をメタノール中で再結晶させて、シアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸メチル（２４．８ｇ；３４％）を褐色の結晶として得た。ｍ．ｐ．＝１０９〜１１０℃。
【０１５４】
ステップ２：（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルの調製
１４．４５ｇ（０．０６ｍｏｌ）のシアノ（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）酢酸メチルをジメチルスルホキシド／水の２５／１混合物（７０ｍＬ）に溶解させた溶液に、１．７５ｇ（０．０３ｍｏｌ）の塩化ナトリウムを添加した。
【０１５５】
この混合物を１３０℃で４時間撹拌した。冷却後、反応混合物を氷水に注ぎ入れた。水相をエチルエーテル（３×２５０ｍＬ）で抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、１１．２ｇの粗生成物を褐色の油状物として得た。
【０１５６】
この粗生成物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：７／３）で精製して、（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリル（８．６５ｇ；７７％）を黄色の油状物として得た。質量スペクトル：１８５（Ｍ−１）。
【０１５７】
ステップ３：Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミド（化合物１）の調製
１ｇ（５．４ｍｍｏｌ）の（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルを１５ｍＬのメタノールに溶解させた溶液に、１．３ｇ（５．９ｍｍｏｌ）の塩化コバルト（ＩＩ）六水和物及び３．９ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）の２−トリフルオロメチル安息香酸無水物を素早く添加した。
【０１５８】
得られた暗緑色の溶液を−５℃に冷却し、０℃で、１．４ｇ（３７．４ｍｍｏｌ）のホウ水素化ナトリウムを少量ずつ添加した。
【０１５９】
この反応混合物を室温で１８時間撹拌した。この反応混合物を１Ｎ塩酸で中和し、減圧下にメタノールを除去した。水相を酢酸エチルで再抽出し、有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、２．６ｇの粗生成物を褐色の油状物として得た。
【０１６０】
この粗生成物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：７／３）で精製して、Ｎ−［２−（３，５−ジクロロ−２−ピリジニル）エチル−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミド（０．８０ｇ；４１％）を白色の結晶として得た。ｍ．ｐ．＝１１８℃。
【０１６１】
一般式（Ｉ）で表される以下の化合物は、化合物１を調製するのに使用した方法と同一の調製方法により調製する：１０、１１、１２、及び１５。これらの化合物も、同様に、本発明を例示するものである。
【０１６２】
調製方法Ｃ／Ｄの実施例：Ｎ−［２−（３−クロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミド（化合物６）の調製
ステップ１：（３−クロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルの調製
５５．５ｍＬ（０．１３８ｍｏｌ）の２．５Ｍブチルリチウムを４００ｍＬの無水テトラヒドロフランに溶解させた溶液に、−７８℃、６．２２ｇ（０．１５３ｍｏｌ）のアセトニトリルを添加した。この反応混合物を、懸濁液が形成されるまで、−７８℃で４５分間撹拌した。
【０１６３】
得られた懸濁液に、−７８℃で、３ｇ（０．０２ｍｏｌ）の２，３−ジクロロピリジンを５０ｍＬの無水テトラヒドロフランに溶解させた溶液をゆっくりと添加した。この反応混合物を−７８℃でさらに２時間撹拌した。
【０１６４】
この反応混合物を５０ｍＬのの水に注ぎ入れた。水相をジクロロメタンで抽出し、有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。
【０１６５】
減圧下に溶媒を蒸発させ、残渣をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）で精製して、（３−クロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルを油状物として得た（１．２ｇ；４０％）。質量スペクトル：１５３（Ｍ＋１）。
【０１６６】
ステップ２：Ｎ−［２−（３−クロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミド（化合物６）の調製
０．１５２ｇ（１ｍｍｏｌ）の（３−クロロ−２−ピリジニル）アセトニトリルを４ｍＬのメタノールに溶解させた溶液に、０．２３８ｇ（１ｍｍｏｌ）の塩化ニッケル（ＩＩ）六水和物及び０．７２４ｇ（２ｍｍｏｌ）の２−トリフルオロメチル安息香酸無水物を順次添加し、０℃で、０．２６５ｇ（７ｍｍｏｌ）のホウ水素化ナトリウムをゆっくりと添加した。
【０１６７】
この反応混合物を室温で１８時間撹拌した。溶媒を蒸発させ、残渣をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：９／１）で精製して、Ｎ−［２−（３−クロロ−２−ピリジニル）エチル］−２−（トリフルオロメチル）ベンズアミドを油状物として得た（９０ｍｇ；２７％）。質量スペクトル：３２９（Ｍ＋１）。
【０１６８】
一般式（Ｉ）で表される以下の化合物は、化合物６を調製するのに使用した方法と同一の調製方法により調製する：７、８、及び９。これらの化合物も、同様に、本発明を例示する。
【０１６９】
調製方法Ｇの実施例：Ｎ−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミド（化合物１４）の調製
ステップ１：５−メチル−２−ビニルピリジンの調製
３ｇ（１７.４ｍｍｏｌ）の２−ブロモ−５−メチルピリジンを３０ｍＬのジメチルホルムアミドに溶解させた溶液に、２ｇ（１.７ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及び５.５２ｇ（１７.４ｍｍｏｌ）のトリブチル（ビニル）スズを順次添加した。得られた反応混合物を１２０℃で１８時間撹拌した。冷却後、反応混合物をフッ化カリウムで飽和した水（５０ｍＬ）に注ぎ入れ、１時間撹拌した。
【０１７０】
この混合物をスーパーセル（supersel）で濾過し、水相をエチルエーテルで抽出した。有機相をフッ化カリウムで飽和した水で２回洗浄し、水で１回洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。減圧下に溶媒を蒸発させて、３．５ｇの粗混合物を黄色の油状物として得た。
【０１７１】
この混合物をシリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：４／１）で精製して、５−メチル−２−ビニルピリジンを黄色の油状物として得た（０．９ｇ；４３％）。質量スペクトル：１２０（Ｍ＋１）。
【０１７２】
ステップ２：２−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオンの調製
０．５ｍＬの水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム（Ｔｒｉｔｏｎ ＢＴＭ）に、０．５ｇ（４．２ｍｍｏｌ）の５−メチル−２−ビニルピリジン及び０．６１８ｇ（４．２ｍｍｏｌ）のフタルイミドを添加した。得られた混合物を２００℃に３時間加熱した。
【０１７３】
この混合物を室温まで冷却し、シリカゲルでのフラッシュクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル：５／１）で直接精製して、２−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオンを白色の結晶として得た（０．６８０ｇ；５９％）。質量スペクトル：２６７（Ｍ＋１）。
【０１７４】
ステップ３：２−（５−メチル−２−ピリジニル）エタンアミンの調製
０．５ｇ（１．８８ｍｍｏｌ）の２−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−１Ｈ−イソインドール−１，３（２Ｈ）−ジオンを５ｍＬのメタノールに溶解させた溶液に、０．４５ｇ（７．５ｍｍｏｌ）のヒドラジン水和物を添加した。この反応混合物を、反応が完結するまで１時間還流した。
【０１７５】
減圧下に溶媒を除去し、残渣を１Ｎ塩酸で酸性化した。濾過により、固体のフタルヒドラジドを除去した。濾液を水酸化ナトリウムで塩基性化し、クロロホルムで抽出した。有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。
【０１７６】
溶媒を蒸発させて、純粋な２−（５−メチル−２−ピリジニル）エタンアミンを黄色の油状物として得た（０．２４０ｇ；９４％）。質量スペクトル：１３７（Ｍ＋１）。
【０１７７】
ステップ４：Ｎ−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミド（化合物１４）の調製
３ｍＬのアセトニトリル中で溶液状態にある０．０６ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）の２−（５−メチル−２−ピリジニル）エタンアミンに、０．１１７ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）の２−ヨードベンゾイルクロリド及び０．０７８ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムを順次添加した。
【０１７８】
この反応混合物を室温で１８時間撹拌した。この反応混合物を水性炭酸カリウムに注ぎ入れ、水相を酢酸エチルで抽出した。有機相をブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで脱水した。
【０１７９】
減圧下に溶媒を蒸発させて、純粋なＮ−［２−（５−メチル−２−ピリジニル）エチル］−２−（ヨード）ベンズアミドをベージュ色の結晶として得た（０．０８ｇ；５３％）。質量スペクトル：３６７（Ｍ＋１）。
【０１８０】
化合物１８、化合物１９、化合物２０及び化合物２４は、化合物１４を調製するのに使用した方法と同一の調製方法により調製する。これらの化合物も、同様に、本発明を例示する。
【０１８１】
一般式（Ｉ）で表される化合物の生物学的活性についての実施例
実施例Ａ：Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｂｒａｓｓｉｃａｅ（アブラナ科の植物の斑点病（leaf spot））に対するインビボ試験
試験される活性成分を、ポッター均質化（potter homogenisation）により１００ｇ／Ｌの濃縮された懸濁液型の製剤として調製する。次いで、この懸濁液を水で希釈して、所望の活性物質濃度とする。
【０１８２】
５０／５０の泥炭土−ポゾランの底土に播種し、１８〜２０℃で生育させたスターターカップ（starter cup）内のハツカダイコン植物（品種 Ｐｅｒｎｏｔ）を、子葉期で、上記水性懸濁液を噴霧することにより処理する。
【０１８３】
対照として使用する植物は、活性物質を含んでいない水溶液で処理する。
【０１８４】
２４時間経過した後、Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｂｒａｓｓｉｃａｅの胞子の水性懸濁液（１ｃｍ３当たり４０，０００胞子）を噴霧することにより、該植物を汚染する。その胞子は、１２〜１３日間培養したものから採取する。
【０１８５】
汚染されたハツカダイコン植物を、湿潤雰囲気下、約１８℃で、６〜７日間インキュベートする。
【０１８６】
上記汚染から６〜７日間経過した後、対照植物と比較して、等級付けを行う。
【０１８７】
これらの条件下、以下の化合物を３３０ｐｐｍの薬量で用いると、良好な保護（少なくとも５０％）又は完全な保護が観察される：１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２４、２５、２６、２７、２８、３０、３１、３２、３４、３５、３６、３７、３８、４０、４１、４３、４５、４７、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６７、及び６８。
【０１８８】
実施例Ｂ：Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｇｒａｍｉｎｉｓ ｆ．ｓｐ．ｔｒｉｔｉｃｉ（コムギのうどんこ病）に対するインビボ試験
試験される活性成分を、ポッター均質化により１００ｇ／Ｌの濃縮された懸濁液型の製剤として調製する。次いで、この懸濁液を水で希釈して、所望の活性物質濃度とする。
【０１８９】
５０／５０の泥炭土−ポゾランの底土に播種し、１２℃で生育させたスターターカップ内のコムギ植物（品種 Ａｕｄａｃｅ）を、１葉期（草丈１０ｃｍ）で、上記水性懸濁液を噴霧することにより処理する。
【０１９０】
対照として使用する植物は、活性物質を含んでいない水溶液で処理する。
【０１９１】
２４時間経過した後、Ｅｒｙｓｉｐｈｅ ｇｒａｍｉｎｉｓ ｆ．ｓｐ．ｔｒｉｔｉｃｉの胞子を振りかけることにより、該植物を汚染する。胞子は、発病している植物を用いて振りかける。
【０１９２】
上記汚染から７〜１４日間経過した後、対照植物と比較して、等級付けを行う。
【０１９３】
これらの条件下、以下の化合物を３３０ｐｐｍの薬量で用いると、良好な保護（少なくとも５０％）又は完全な保護が観察される：１、３、４、５、６、８、９、１０、１１、１２、１３、１８、３８、５０、４３、及び４５。
【０１９４】
実施例Ｃ：Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａ（キュウリの灰色かび病）に対するインビボ試験
試験される活性成分を、ポッター均質化により１００ｇ／Ｌの濃縮された懸濁液型の製剤として調製する。次いで、この懸濁液を水で希釈して、所望の活性物質濃度とする。
【０１９５】
５０／５０の泥炭土−ポゾランの底土に播種し、１８〜２０℃で生育させたスターターカップ内のキュウリ植物（品種 Ｍａｒｋｅｔｅｒ）を、子葉Ｚ１１期で、上記水性懸濁液を噴霧することにより処理する。対照として使用する植物は、活性物質を含んでいない水溶液で処理する。
【０１９６】
２４時間経過した後、Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａの胞子の水性懸濁液（１ｍＬ当たり１５０，０００胞子）の液滴を葉の上面にデポジットさせることにより、該植物を汚染する。その胞子は、１５日間培養したものから採取し、
・ ２０ｇ／Ｌのゼラチン
・ ５０ｇ／Ｌのショ糖
・ ２ｇ／ＬのＮＨ４ＮＯ３
・ １ｇ／ＬのＫＨ２ＰＯ４
から構成される栄養溶液に懸濁させる。
【０１９７】
汚染されたキュウリ植物を、５／７日間、１５／１１℃（昼／夜）で相対湿度８０％の人工気象室内に静置する。
【０１９８】
上記汚染から５／７日間経過した後、対照植物と比較して、等級付けを行う。これらの条件下、以下の化合物を３３０ｐｐｍの薬量で用いると、良好な保護（少なくとも５０％）又は完全な保護が観察される：１、２、３、４、５、６、９、１０、１３、１８、２１、２２、２３、２５、２６、２７、２８、２９、３２、３４、３５、３８、４０、４３、４４、４５、４６、４７、５０、５１、５２、５３、５７、及び６２。
【０１９９】
実施例Ｄ：Ｐｙｒｅｎｏｐｈｏｒａ ｔｅｒｅｓ（オオムギの網斑病）に対するインビボ試験
試験される活性成分を、ポッター均質化により１００ｇ／Ｌの濃縮された懸濁液型の製剤として調製する。次いで、この懸濁液を水で希釈して、所望の活性物質濃度とする。
【０２００】
５０／５０の泥炭土−ポゾランの底土に播種し、１２℃で生育させたスターターカップ内のオオムギ植物（品種 Ｅｘｐｒｅｓｓ）を、１葉期（草丈１０ｃｍ）で、上記水性懸濁液を噴霧することにより処理する。対照として使用する植物は、活性物質を含んでいない水溶液で処理する。
【０２０１】
２４時間経過した後、Ｐｙｒｅｎｏｐｈｏｒａ ｔｅｒｅｓの胞子の水性懸濁液（１ｍＬ当たり１２，０００胞子）を噴霧することにより、該植物を汚染する。その胞子は、１２日間培養したものから採取する。汚染されたオオムギ植物を、約２０℃、相対湿度１００％で２４時間インキュベートし、次いで、相対湿度８０％で１２日間インキュベートする。
【０２０２】
上記汚染から１２日間経過した後、対照植物と比較して、等級付けを行う。これらの条件下、以下の化合物を３３０ｐｐｍの薬量で用いると、良好な保護（少なくとも５０％）又は完全な保護が観察される：１、２、３、４、５、９、１０、１１、１２、１３、１６、１８、１９、２１、２８、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４５、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６５、６７、及び６８。
【０２０３】
特許出願ＷＯ０１／１１９６５に開示されているＮ−｛１−メチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］−エチル｝−４−フェニルベンズアミド（表Ｄの化合物３１６を参照されたい）は、３３０ｐｐｍで、Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｂｒａｓｓｉｃａｅに対しては効果が劣り、Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａに対しては効果を示さなかった；同様に特許出願ＷＯ０１／１１９６５に開示されているＮ−｛１−エチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］エチル｝−３−ニトロベンズアミド（表Ｄの化合物３０７を参照されたい）は、３３０ｐｐｍで、Ａｌｔｅｒｎａｒｉａ ｂｒａｓｓｉｃａｅに対しては効果が劣り、Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａに対しては効果を示さなかった；同様に特許出願ＷＯ０１／１１９６５に開示されているＮ−｛１−エチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］−エチル｝−ベンズアミド及びＮ−｛１−メチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］エチル｝−ベンズアミド（表Ｄの化合物３０４及び化合物３１４を参照されたい）は、３３０ｐｐｍで、Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａに対して効果を示さなかった；並びに、同様に特許出願ＷＯ０１／１１９６５に開示されているＮ−｛１−エチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］エチル｝−４−クロロベンズアミド、Ｎ−｛１−エチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］エチル｝−２−ブロモベンズアミド及びＮ−｛１−メチルカルバモイル−２−［３−クロロ−５−（トリフルオロメチル）−２−ピリジニル］エチル｝−４−メトキシベンズアミド（表Ｄの化合物３０６、化合物３１０及び化合物３１５を参照されたい）は、３３０ｐｐｍで、Ｂｏｔｒｙｔｉｓ ｃｉｎｅｒｅａに対して効果を示さなかった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）：
【化１】
［式中、
− ｎは、１、２又は３であり；
− Ｘは、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、カルバモイル基、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、カルバメート基、（ヒドロキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ２〜Ｃ８−ハロゲノアルケニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−アルキニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノアルキニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、（Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）オキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、（Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）−Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルアミノ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルケニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルキニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（ベンジルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジルオキシ、ベンジルスルファニル、ベンジルアミノ、フェノキシ、フェニルスルファニル又はフェニルアミノであり；
− Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、カルバモイル基、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、カルバメート基、（ヒドロキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ２〜Ｃ８−ハロゲノアルケニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−アルキニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノアルキニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル−Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルアミノ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルケニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルキニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（ベンジルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジルオキシ、１〜５個のハロゲン原子で場合により置換されていてもよいベンジルスルファニル、ベンジルアミノ、フェノキシ、１〜５個のハロゲン原子で場合により置換されていてもよいフェニルスルファニル、又はフェニルアミノであるが；
但し、ＸとＲ１は、両方とも水素原子であることはなく；
− Ｒ２及びＲ３は、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニルオキシ若しくはＣ１〜Ｃ６−アルキルカルボニルアミノであるか；
又は、Ｒ２とＲ３は、一緒になって、３員、４員、５員若しくは６員の炭素環を形成していてもよく；
− Ｒ４及びＲ５は、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、若しくは１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキルであるか；
又は、Ｒ４とＲ５は、一緒になって、３員、４員、５員若しくは６員の炭素環を形成していてもよく；
− Ｒ６は、水素原子、シアノ基、ホルミル基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルコキシ、Ｃ３〜Ｃ６−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ６−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ６−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−シアノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アミノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲンアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルオキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−ベンジルオキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホニル、又は１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキルスルホニルであり；
− ｐは、１、２、３又は４であり；
− Ｙは、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ−Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、又はＣ１〜Ｃ８−アルキルスルホンアミドであり；および
− Ｒ７は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ−Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、又はＣ１〜Ｃ８−アルキルスルホンアミドである］
で表される化合物、並びに、その塩、Ｎ−オキシド、金属錯体及び半金属錯体。
【請求項２】
Ｒ１が水素原子又はハロゲン原子であることを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
ｎが１又は２であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｘがハロゲン原子又はＣ１〜Ｃ８−アルキルであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の化合物。
【請求項５】
２−ピリジルが３位及び／又は５位においてＸで置換されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ７がハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、又は１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の化合物。
【請求項７】
ｐが１又は２であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の化合物。
【請求項８】
ｐが１であることを特徴とする、請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
Ｙが水素原子、ハロゲン原子又はＣ１〜Ｃ８−アルキルであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の化合物。
【請求項１０】
Ｙが水素原子であることを特徴とする、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
フェニルが優先的に第一にパラ位においてＹで置換されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の化合物。
【請求項１２】
一般式（Ｉａ）：
【化２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための方法（Ａ）であって、
・ 反応スキーム（Ａ−１）：
【化３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルであり；Ｕは、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、０℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩ）で表されるシアノアセテート誘導体を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＩＶ）で表される２−（ピリジル）シアノアセテート誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−２）：
【化４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、水素原子であり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＩＶ）で表される化合物を、塩基性加水分解するか、酸性加水分解するか、又は、ハロゲン化物で置換して、４０℃から還流温度までの温度で加熱することにより、一般式（Ｖａ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−３）：
【化５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（Ｖａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩＩ）で表される試薬でアルキル化して、一般式（Ｖｂ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−４）：
【化６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、水素原子又はＣ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ１は、−ＯＲ８基又は−ＯＣＯＲ８基であるように選択される脱離基であり（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、０℃〜１５０℃の温度で、１バール〜１００バールの圧力下、触媒の存在下及び一般式（ＶＩ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−５）：
【化７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第五ステップ（ここで、該第五ステップは、酸性媒体又は塩基性媒体中で、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護反応に付して、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−６）：
【化８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ２は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８基（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化９】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第六ステップ（ここで、該第六ステップは、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１３】
一般式（Ｉａ）：
【化１０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための方法（Ｂ）であって、
・ 反応スキーム（Ｂ−１）：
【化１１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、一般式（ＩＩＩ）で表されるシアノアセテート誘導体を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＩＶ）で表される２−ピリジルシアノアセテート誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−２）：
【化１２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＩＶ）で表される化合物を、塩基性加水分解するか、酸性加水分解するか、又は、ハロゲン化物で置換して、４０℃から還流温度までの温度で加熱することにより、一般式（Ｖａ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−３）：
【化１３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（Ｖａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩＩ）で表される試薬でアルキル化して、一般式（Ｖｂ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−４）：
【化１４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ３は、−ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、又は、式：
【化１５】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、０℃〜１５０℃の温度で、１バール〜１００バールの圧力下、触媒の存在下及び一般式（ＩＸ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１４】
一般式（Ｉａ）：
【化１６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりである］
で表される化合物を調製するための方法（Ｃ）であって、
・ 反応スキーム（Ｃ−１）：
【化１７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、−１００℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩｂ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（Ｖｂ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−２）：
【化１８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｌ１は、−ＯＲ８基又は−ＯＣＯＲ８基であるように選択される脱離基であり（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＶＩ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−３）：
【化１９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、酸性媒体又は塩基性媒体中で、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護反応に付して、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−４）：
【化２０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８基（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化２１】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１５】
一般式（Ｉａ）：
【化２２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための方法（Ｄ）であって、
・ 反応スキーム（Ｄ−１）：
【化２３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、−１００℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩｂ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（Ｖｂ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｄ−２）：
【化２４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ３は、−ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、又は、式：
【化２５】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＩＸ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１６】
一般式（Ｉａ）：
【化２６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり、Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化２７】
で表される基であるように選択される脱離基である］
で表される化合物を調製するための方法（Ｅ）であって、
・ 反応スキーム（Ｅ−１）：
【化２８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、一般式（Ｘ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＸＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−２）：
【化２９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式Ｒ５−Ｍ（式中、Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり、Ｍは、金属種である）で表わされる化合物を添加することにより、一般式（ＸＩ）で表される化合物を一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物に変換することを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−３）：
【化３０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を一般式（ＸＩＶ）で表される化合物に変換することにより、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を活性化することを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−４）：
【化３１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＸＩＶ）で表される化合物をフタルイミド誘導体又はその塩の内の１種類で置換して、一般式（ＸＶａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−５）：
【化３２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルである］
による第五ステップ（ここで、該第五ステップは、一般式（ＸＶａ）で表される化合物をヒドラジン水和物又はヒドラジン塩と反応させることにより、一般式（ＸＶａ）で表される化合物を脱保護して、一般式（ＶＩＩＩｃ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−６）：
【化３３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化３４】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第六ステップ（ここで、該第六ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１７】
一般式（Ｉａ）：
【化３５】
［式中、Ｒ１、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり、Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
で表される化合物を調製するための方法（Ｆ）であって、
・ 反応スキーム（Ｆ−１）：
【化３６】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基であり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択され；Ｍは、金属種又は半金属種である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、０℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体と一般式（ＸＶＩ）で表されるビニル誘導体のカップリング反応を行って、一般式（ＸＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−２）：
【化３７】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＸＶＩＩ）で表される化合物にフタルイミド又はその塩の内の１種類を添加して、一般式（ＸＶｂ）を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−３）：
【化３８】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（ＸＶｂ）で表される化合物をヒドラジン水和物又はヒドラジン塩で脱保護して、一般式（ＶＩＩＩｄ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−４）：
【化３９】
［式中、Ｒ１、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択され；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化４０】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１８】
反応スキーム（Ｇ）：
【化４１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｌ５は、ハロゲン原子、４−メチルフェニルスルホニルオキシ又は、メチルスルホニルオキシであるように選択される脱離基である］
によるステップ（ここで、該ステップは、一般式（Ｉａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩ）で表される化合物と反応させて、一般式（Ｉｂ）で表される化合物を生成させることを含む）をさらに含む、請求項１２〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
請求項１で定義されている一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための方法であって、
・ 反応スキーム（Ｈ−１）：
【化４２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、０℃〜２００℃の温度で、一般式（Ｘ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＸＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−２）：
【化４３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＸＩ）で表される化合物を式Ｒ６−ＮＨ２で表されるアミンと反応させて、一般式（ＸＩＩ）で表されるイミン誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−３）：
【化４４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＸＩＩ）で表されるイミン誘導体を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表される化合物又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−４）：
【化４５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化４６】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項２０】
有効量の請求項１に記載の化合物及び農業上許容される支持体を含有している殺真菌剤組成物。
【請求項２１】
作物の植物病原性真菌類を予防的又は治療的に防除する方法であって、有効で且つ植物に対して毒性を示さない量の請求項２０に記載の組成物を、植物の種子、植物の葉及び／若しくは植物の果実に施用するか、又は、植物が成育している土壌若しくは植物を栽培するのが望ましい土壌に施用することを特徴とする、前記方法。
【請求項１】
一般式（Ｉ）：
【化１】
［式中、
− ｎは、１、２又は３であり；
− Ｘは、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、カルバモイル基、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、カルバメート基、（ヒドロキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ２〜Ｃ８−ハロゲノアルケニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−アルキニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノアルキニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、（Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）オキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、（Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）−Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルアミノ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルケニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルキニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（ベンジルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジルオキシ、ベンジルスルファニル、ベンジルアミノ、フェノキシ、フェニルスルファニル又はフェニルアミノであり；
− Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、カルバモイル基、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、カルバメート基、（ヒドロキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ２〜Ｃ８−ハロゲノアルケニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−アルキニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノアルキニルオキシ、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ８−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルバモイル、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル−Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルバモイル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルアミノ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルオキシカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルケニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６−アルキニルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、（ベンジルオキシイミノ）−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジルオキシ、１〜５個のハロゲン原子で場合により置換されていてもよいベンジルスルファニル、ベンジルアミノ、フェノキシ、１〜５個のハロゲン原子で場合により置換されていてもよいフェニルスルファニル、又はフェニルアミノであるが；
但し、ＸとＲ１は、両方とも水素原子であることはなく；
− Ｒ２及びＲ３は、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニルオキシ若しくはＣ１〜Ｃ６−アルキルカルボニルアミノであるか；
又は、Ｒ２とＲ３は、一緒になって、３員、４員、５員若しくは６員の炭素環を形成していてもよく；
− Ｒ４及びＲ５は、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、若しくは１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキルであるか；
又は、Ｒ４とＲ５は、一緒になって、３員、４員、５員若しくは６員の炭素環を形成していてもよく；
− Ｒ６は、水素原子、シアノ基、ホルミル基、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルコキシ、Ｃ３〜Ｃ６−シクロアルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ３〜Ｃ６−ハロゲノシクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ６−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−シアノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アミノアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲンアルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルオキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−ベンジルオキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホニル、又は１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ６−ハロゲノアルキルスルホニルであり；
− ｐは、１、２、３又は４であり；
− Ｙは、同一であるか又は異なっていて、そして、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ−Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、又はＣ１〜Ｃ８−アルキルスルホンアミドであり；および
− Ｒ７は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、スルファニル基、ペンタフルオロ−λ６−スルファニル基、ホルミル基、ホルミルオキシ基、ホルミルアミノ基、カルボキシ基、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキル、Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８−アルキニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、ジ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ−Ｃ２〜Ｃ８−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルファニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルファニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシカルボニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルカルボニルオキシ、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルカルボニルオキシ、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフェニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフェニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルフィニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルフィニル、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルスルホニル、１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルスルホニル、又はＣ１〜Ｃ８−アルキルスルホンアミドである］
で表される化合物、並びに、その塩、Ｎ−オキシド、金属錯体及び半金属錯体。
【請求項２】
Ｒ１が水素原子又はハロゲン原子であることを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
ｎが１又は２であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｘがハロゲン原子又はＣ１〜Ｃ８−アルキルであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の化合物。
【請求項５】
２−ピリジルが３位及び／又は５位においてＸで置換されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ７がハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、又は１〜５個のハロゲン原子を有するＣ１〜Ｃ８−ハロゲノアルキルであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の化合物。
【請求項７】
ｐが１又は２であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の化合物。
【請求項８】
ｐが１であることを特徴とする、請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
Ｙが水素原子、ハロゲン原子又はＣ１〜Ｃ８−アルキルであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の化合物。
【請求項１０】
Ｙが水素原子であることを特徴とする、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
フェニルが優先的に第一にパラ位においてＹで置換されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の化合物。
【請求項１２】
一般式（Ｉａ）：
【化２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための方法（Ａ）であって、
・ 反応スキーム（Ａ−１）：
【化３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルであり；Ｕは、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、０℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩ）で表されるシアノアセテート誘導体を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＩＶ）で表される２−（ピリジル）シアノアセテート誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−２）：
【化４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、水素原子であり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＩＶ）で表される化合物を、塩基性加水分解するか、酸性加水分解するか、又は、ハロゲン化物で置換して、４０℃から還流温度までの温度で加熱することにより、一般式（Ｖａ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−３）：
【化５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（Ｖａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩＩ）で表される試薬でアルキル化して、一般式（Ｖｂ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−４）：
【化６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、水素原子又はＣ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ１は、−ＯＲ８基又は−ＯＣＯＲ８基であるように選択される脱離基であり（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、０℃〜１５０℃の温度で、１バール〜１００バールの圧力下、触媒の存在下及び一般式（ＶＩ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−５）：
【化７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第五ステップ（ここで、該第五ステップは、酸性媒体又は塩基性媒体中で、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護反応に付して、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ａ−６）：
【化８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ２は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８基（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化９】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第六ステップ（ここで、該第六ステップは、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１３】
一般式（Ｉａ）：
【化１０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための方法（Ｂ）であって、
・ 反応スキーム（Ｂ−１）：
【化１１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、一般式（ＩＩＩ）で表されるシアノアセテート誘導体を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＩＶ）で表される２−ピリジルシアノアセテート誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−２）：
【化１２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＩＶ）で表される化合物を、塩基性加水分解するか、酸性加水分解するか、又は、ハロゲン化物で置換して、４０℃から還流温度までの温度で加熱することにより、一般式（Ｖａ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−３）：
【化１３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（Ｖａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩＩ）で表される試薬でアルキル化して、一般式（Ｖｂ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｂ−４）：
【化１４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ３は、−ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、又は、式：
【化１５】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、０℃〜１５０℃の温度で、１バール〜１００バールの圧力下、触媒の存在下及び一般式（ＩＸ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１４】
一般式（Ｉａ）：
【化１６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりである］
で表される化合物を調製するための方法（Ｃ）であって、
・ 反応スキーム（Ｃ−１）：
【化１７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、−１００℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩｂ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（Ｖｂ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−２）：
【化１８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｌ１は、−ＯＲ８基又は−ＯＣＯＲ８基であるように選択される脱離基であり（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＶＩ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−３）：
【化１９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；ＰＧは、−ＣＯＯＲ８基又は−ＣＯＲ８基であり得る保護基を表す（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、酸性媒体又は塩基性媒体中で、一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護反応に付して、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｃ−４）：
【化２０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８基（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化２１】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩａ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１５】
一般式（Ｉａ）：
【化２２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである］
で表される化合物を調製するための方法（Ｄ）であって、
・ 反応スキーム（Ｄ−１）：
【化２３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、−１００℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩＩｂ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（Ｖｂ）で表される２−ピリジルアセトニトリル誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｄ−２）：
【化２４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルであり；Ｌ３は、−ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、又は、式：
【化２５】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＩＸ）で表される化合物の存在下で、一般式（Ｖａ）で表される化合物又は一般式（Ｖｂ）で表される化合物を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１６】
一般式（Ｉａ）：
【化２６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり、Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化２７】
で表される基であるように選択される脱離基である］
で表される化合物を調製するための方法（Ｅ）であって、
・ 反応スキーム（Ｅ−１）：
【化２８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、一般式（Ｘ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＸＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−２）：
【化２９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式Ｒ５−Ｍ（式中、Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり、Ｍは、金属種である）で表わされる化合物を添加することにより、一般式（ＸＩ）で表される化合物を一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物に変換することを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−３）：
【化３０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を一般式（ＸＩＶ）で表される化合物に変換することにより、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を活性化することを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−４）：
【化３１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｗは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネート又は４−メチル−フェニルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＸＩＶ）で表される化合物をフタルイミド誘導体又はその塩の内の１種類で置換して、一般式（ＸＶａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−５）：
【化３２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルである］
による第五ステップ（ここで、該第五ステップは、一般式（ＸＶａ）で表される化合物をヒドラジン水和物又はヒドラジン塩と反応させることにより、一般式（ＸＶａ）で表される化合物を脱保護して、一般式（ＶＩＩＩｃ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｅ−６）：
【化３３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化３４】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第六ステップ（ここで、該第六ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１７】
一般式（Ｉａ）：
【化３５】
［式中、Ｒ１、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり、Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
で表される化合物を調製するための方法（Ｆ）であって、
・ 反応スキーム（Ｆ−１）：
【化３６】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基であり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択され；Ｍは、金属種又は半金属種である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、０℃〜２００℃の温度で、一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体と一般式（ＸＶＩ）で表されるビニル誘導体のカップリング反応を行って、一般式（ＸＶＩＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−２）：
【化３７】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＸＶＩＩ）で表される化合物にフタルイミド又はその塩の内の１種類を添加して、一般式（ＸＶｂ）を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−３）：
【化３８】
［式中、Ｒ１、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択される］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、一般式（ＸＶｂ）で表される化合物をヒドラジン水和物又はヒドラジン塩で脱保護して、一般式（ＶＩＩＩｄ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｆ−４）：
【化３９】
［式中、Ｒ１、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ２、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであるように選択され；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化４０】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉａ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項１８】
反応スキーム（Ｇ）：
【化４１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｌ５は、ハロゲン原子、４−メチルフェニルスルホニルオキシ又は、メチルスルホニルオキシであるように選択される脱離基である］
によるステップ（ここで、該ステップは、一般式（Ｉａ）で表される化合物を一般式（ＸＶＩ）で表される化合物と反応させて、一般式（Ｉｂ）で表される化合物を生成させることを含む）をさらに含む、請求項１２〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
請求項１で定義されている一般式（Ｉ）で表される化合物を調製するための方法であって、
・ 反応スキーム（Ｈ−１）：
【化４２】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｕは、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホネート又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルスルホネートであるように選択される脱離基である］
による第一ステップ（ここで、該第一ステップは、塩基の存在下、０℃〜２００℃の温度で、一般式（Ｘ）で表される化合物を一般式（ＩＩ）で表されるピリジン誘導体でアリール化して、一般式（ＸＩ）で表される化合物を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−２）：
【化４３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルである］
による第二ステップ（ここで、該第二ステップは、一般式（ＸＩ）で表される化合物を式Ｒ６−ＮＨ２で表されるアミンと反応させて、一般式（ＸＩＩ）で表されるイミン誘導体を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−３）：
【化４４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ及びｎは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルである］
による第三ステップ（ここで、該第三ステップは、同一のポット又は異なったポット内で、一般式（ＸＩＩ）で表されるイミン誘導体を、水素化により還元するか又は水素化物供与体により還元して、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表される化合物又はその塩の内の１種類を生成させることを含む）；
・ 反応スキーム（Ｈ−４）：
【化４５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｘ、Ｙ、ｎ及びｐは、請求項１で定義されているとおりであり；Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ６−ハロアルキルであり；Ｒ６は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ又はＣ３〜Ｃ７−シクロアルキルであり；Ｌ４は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、−ＯＣＨＯ、−ＳＣＳＮ（Ｍｅ）２、ＯＲ８基、ＯＣＯＲ８（ここで、Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、ベンジル、４−メトキシベンジル又はペンタフルオロフェニルである）、又は、式：
【化４６】
で表される基であるように選択される脱離基である］
による第四ステップ（ここで、該第四ステップは、一般式（ＶＩＩＩｂ）で表されるアミン誘導体又はその塩の内の１種類と式（ＩＸ）で表されるカルボン酸誘導体のカップリング反応を行って、一般式（Ｉ）で表される化合物を生成させることを含む）；
を含む、前記方法。
【請求項２０】
有効量の請求項１に記載の化合物及び農業上許容される支持体を含有している殺真菌剤組成物。
【請求項２１】
作物の植物病原性真菌類を予防的又は治療的に防除する方法であって、有効で且つ植物に対して毒性を示さない量の請求項２０に記載の組成物を、植物の種子、植物の葉及び／若しくは植物の果実に施用するか、又は、植物が成育している土壌若しくは植物を栽培するのが望ましい土壌に施用することを特徴とする、前記方法。
【公表番号】特表２００６−５２８６１３（Ｐ２００６−５２８６１３Ａ）
【公表日】平成１８年１２月２１日（２００６．１２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５２０８２０（Ｐ２００６−５２０８２０）
【出願日】平成１６年７月１９日（２００４．７．１９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００４／００９１４５
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０１４５４５
【国際公開日】平成１７年２月１７日（２００５．２．１７）
【出願人】（５０３３２５５３８）バイエル・クロツプサイエンス・エス・アー (73)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１８年１２月２１日（２００６．１２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月１９日（２００４．７．１９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００４／００９１４５
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０１４５４５
【国際公開日】平成１７年２月１７日（２００５．２．１７）
【出願人】（５０３３２５５３８）バイエル・クロツプサイエンス・エス・アー (73)
【Ｆターム（参考）】
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