説明

有機発光素子

【課題】有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物及びこれを含んだ有機膜を具備した有機発光素子である:

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ヘテロ環化合物及びこれを含む有機発光素子に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光素子(organic light emitting device)は、自発光型表示素子であって、視野角が広く、かつコントラストにすぐれるだけではなく、応答時間が速いという長所を有しているために、大きな注目を集めている。
【0003】
かような有機発光素子の種類は、大きく分けて、発光層(emitting layer)に無機化合物を使用する無機発光素子と、有機化合物を使用する有機EL(electroluminescent)素子とがあり、このうち、特に有機EL素子は、無機発光素子に比べて、輝度、駆動電圧及び応答速度特性にすぐれ、かつ多色化が可能であるという点で、多くの研究がなされている。
【0004】
有機発光素子は、一般的に、アノード/有機発光層/カソードの積層構造を有し、前記アノードと発光層との間、あるいは発光層とカソードとの間に、正孔注入層及び/または正孔輸送層、あるいは電子注入層をさらに積層し、アノード/正孔輸送層/有機発光層/カソード、アノード/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/カソードのような構造を有する。
【0005】
このうち、有機発光層材料として、アントラセン誘導体などが使われうるが、これまで公知の有機発光材料を含んだ有機発光素子は、寿命、効率及び消費電力特性面において、満足すべきレベルには達しておらず、改善の余地が多い。また、ヘテロ環化合物も提案されているが(特許文献1)、改善の余地がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2007−520470号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、改善された電気的特性、電荷輸送能及び発光能を有するヘテロ環化合物を提供するものである。
本発明はまた、前記ヘテロ環化合物を含む有機発光素子を提供するものである。
本発明はまた、前記有機発光素子を具備した平板表示装置を提供するものである。
本発明はまた、前記有機発光素子の1層以上の層が前記ヘテロ環化合物を使用した湿式工程で形成される有機発光素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一側面によって、下記化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物が提供される:
【化1】

前記式(1)で、RないしR12は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、C−C50の置換または非置換のアルキル基、C−C50の置換または非置換のシクロアルキル基、C−C50の置換または非置換のアルコキシ基、C−C60の置換または非置換のアリールオキシ基、C−C60の置換または非置換のアリールチオ基、C−C60の置換または非置換のアリール基、C−C60の置換または非置換のヘテロアリール基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基またはカルボキシル基を示し、RないしR12は、隣接する置換基の一組が互いに結合して芳香環を形成していてもよい。
本発明の一態様によれば、前記ヘテロ環化合物のR及びRは、非置換のフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、アントラセニル基、フルオレニル基、及びピレニル基から選択される一環ないし四環のアリール基;カルバゾリル基;C−Cアルキル基、C−Cアルコキシ基、シアノ基、アミノ基、フェノキシ基、フェニル基、ナフチル基またはハロゲン基で置換されたフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、アントラセニル基、フルオレニル基、及びピレニル基から選択される一環ないし四環のアリール基又はカルバゾリル基;C−Cアルキル基、C−Cアルコキシ基、シアノ基、アミノ基、フェノキシ基、アリール基またはハロゲン基で置換されたC12−C50のアミノアリール基でありうる。
本発明の一態様によれば、前記ヘテロ環化合物のR,Rは、同一であるか、R,R,RまたはRは、同一であるか、またはR,R11は、同一でありうる。
本発明の一態様によれば、前記ヘテロ環化合物のR,R,R及びRはそれぞれ独立して、メチル基またはフェニル基でありうる。
本発明の一態様によれば、前記ヘテロ環化合物のR及びR11はそれぞれ独立して、t−ブチル基、フェニル基、ナフチル基またはフルオレニル基でありうる。
本発明の一態様によれば、前記化学式(1)のヘテロ環化合物は、下記化合物のうち一つでありうる:
【化2】

【0009】
本発明の他の側面によって、第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び第2電極間に介在する有機膜を具備した有機発光素子であって、前記有機膜が前記化学式(1)の化合物を含む有機発光素子が提供される。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子の有機膜は、電子注入層または電子輸送層でありうる。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子の有機膜は、電子注入機能及び電子輸送機能を同時に有する単一膜でありうる。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子の有機膜は、発光層でありうる。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子の有機膜は、発光層であり、前記ヘテロ環化合物は、蛍光またはリン光のホストとして使われうる。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子の有機膜は、発光層であり、前記ヘテロ環化合物は、蛍光ドーパントとして使われうる。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子の有機膜は、発光層、電子注入層または電子輸送層であり、前記発光層は、アントラセンもしくはその誘導体を含むことができる。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子の有機膜は、発光層、電子注入層または電子輸送層であり、前記発光層は、アリールアミンもしくはその誘導体を含むことができる。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子の有機膜は、発光層、電子注入層または電子輸送層であり、前記発光層は、スチリルアレーンもしくはその誘導体を含むことができる。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子の有機膜は、電子注入層または電子輸送層であり、有機発光素子は、リン光化合物を含むところの、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層または白色発光層をさらに含むことができる。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、からなる群から選択された1層以上の層をさらに含むことができる。
本発明の一態様によれば、前記有機発光素子は、第1電極/正孔注入層/発光層/第2電極、第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/第2電極、または第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極の構造を有することができる。
本発明のさらに他の側面によって、前記有機発光素子を具備し、前記有機発光素子の第1電極が薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結された平板表示装置が提供される。
本発明のさらに他の側面によって、前記有機発光素子であって、前記有機膜が湿式工程で形成された有機発光素子が提供される。
【発明の効果】
【0010】
本発明のヘテロ環化合物は、電気的特性、電荷輸送能及び発光能にすぐれ、かつガラス転移温度が高く、結晶化し難い材料であり、赤色、緑色、青色、白色などのほぼあらゆるカラーの蛍光又はリン光の素子に適した電子輸送材料、または緑色、青色、白色の発光材料として有用であり、これを利用して、高効率、低電圧、高輝度、長寿命の有機発光素子を製作できる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の有機発光素子の構造の一例を示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のヘテロ環化合物は、下記化学式(1)で表示される:
【化3】

前記式(1)で、RないしR12は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、C−C50の置換または非置換のアルキル基、C−C50の置換または非置換のシクロアルキル基、C−C50の置換または非置換のアルコキシ基、C−C60の置換または非置換のアリールオキシ基、C−C60の置換または非置換のアリールチオ基、C−C60の置換または非置換のアリール基、C−C60の置換または非置換のヘテロアリール基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基またはカルボキシル基を示し、RないしR12は、隣接する置換基の一組が互いに結合して芳香環を形成していてもよい。
【0013】
背景技術の項で述べたように、有機発光層材料として、アントラセン誘導体が周知である。例えば、フェニルアントラセンの二量体または三量体の化合物を使用した有機発光素子が知られているが、かような化合物を利用した素子は、共役系を介して連結されたアントラセンを2個または3個含んでいるために、エネルギーギャップが小さくなり、青色発光の色純度が落ちるという問題点がある。また、かような化合物は、酸化されやすいという弱点があり、不純物が生じやすく、また精製面で困難であるという点がある。
【0014】
かような問題点を克服するために、アントラセン部分の1,9−位置がナフタレンで置換されたアントラセン化合物や、フェニル基のm−位置に、アリール基が置換されたジフェニルアントラセン化合物を利用した有機発光素子が知られているが、発光効率が低いという短所がある。
【0015】
他の公知化合物として、ナフタレン置換されたモノアントラセン誘導体を使用した有機発光素子が知られているが、発光効率が1cd/Aほどと低く、実用的ではない。
さらに他の公知化合物として、フェニルアントラセン構造を有し、m−位置がアリール基で置換された化合物を使用した有機発光素子が知られているが、かような化合物は、耐熱性にはすぐれるが、発光効率特性が2cd/Aほどと低く、満足すべきレベルに至らず、改善の余地が多い。
【0016】
これに対して、本発明の前記化学式(1)の化合物は、有機発光素子用の発光材料及び/または電子輸送材料として機能するだけでなく、電子注入材料としての機能も有する。また、化学式(1)の分子内にヘテロ環を有するので、ガラス転移温度(Tg)や融点が高い。従って、発光時における有機層内、有機層間、あるいは有機層と金属電極との間で発生するジュール熱に対する耐熱性を有しており、高温環境下での耐性が増大する。
【0017】
アントラセン骨格及びインドール骨格が化学式(1)のように融合された骨格を有する化合物を利用して製造された有機発光素子は、保存時及び駆動時の耐久性が高い。また、フルオレン基、ナフチル基などの置換基の導入によって、フィルム状の分子膜状態が改善され、有機発光素子の特性を向上させるという長所がある。
【0018】
前記化学式(1)の化合物の置換基について、さらに詳細に叙述する。
前記化学式(1)で、R及びRは、非置換のフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、アントラセニル基、フルオレニル基、及びピレニル基から選択される一環ないし四環のアリール基;カルバゾリル基;C−Cアルキル基、C−Cアルコキシ基、シアノ基、アミノ基、フェノキシ基、フェニル基、ナフチル基またはハロゲン基で置換されたフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、アントラセニル基、フルオレニル基、及びピレニル基から選択される一環ないし四環のアリール基またはカルバゾリル基;またはC−Cアルキル基、C−Cアルコキシ基、シアノ基、アミノ基、フェノキシ基、アリール基またはハロゲン基で置換されたC12−C50のアミノアリール基でありうる。
【0019】
前記ヘテロ環化合物のR,Rは、同一であるか、R,R,R及びRは互いに同一であるか、またはR,R11は同一であり、前記化学式(1)のヘテロ環化合物の一部置換基は、部分的に対称的に存在するか、または前記化学式(1)のヘテロ環化合物の置換基全体が対称的に存在しうる。
【0020】
前記化学式(1)で、R,R,R及びRはそれぞれ独立して、具体的に、例えばメチル基またはフェニル基でありうる。
【0021】
前記化学式(1)で、R及びR11はそれぞれ独立して、例えば、具体的にt−ブチル基、フェニル基、ナフチル基またはフルオレニル基でありうる。
【0022】
以下、本発明の化学式(1)で使われた基のうち、代表的な基の定義について述べれば、次の通りである。
前記化学式(1)で、非置換のC−C50アルキル基は、線状型又は分枝型であって、その非制限的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、iso−アミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノナニル基、ドデシル基などを挙げることができ、前記アルキル基のうち、一つ以上の水素原子は、重水素原子、ハロゲン基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン、ヒドラゾン、カルボキシル基やその塩、スルホン酸基やその塩、リン酸やその塩、C−C10アルキル基、C−C10アルコキシ基、C−C10アルケニル基、C−C10アルキニル基、C−C16アリール基、またはC−C16ヘテロアリール基で置換されうる。
【0023】
前記化学式(1)で、非置換のC−C50シクロアルキル基は、C−C50の環状のアルキル基を意味し、前記シクロアルキル基のうち、一つ以上の水素原子は、前述のC−C50アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【0024】
前記化学式(1)で、C−C50の非置換アルコキシ基とは、−OA(ここで、Aは、前述のような非置換のC−C50アルキル基である)の構造を有する基であり、その非制限的な例として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基などを挙げることができる。それらアルコキシ基のうち、少なくとも一つ以上の水素原子は、前述のアルキル基の場合と同じ置換基で置換可能である。
【0025】
前記化学式(1)で、非置換のC−C60アリール基は、単環式もしくは多環式芳香族基を意味し、多環式基である場合、互いに融合されたり、単結合などを介して連結されていてよい。従って、アリールという用語は、フェニル、ナフチル、アントラセニル、ビフェニルのような芳香族基を含む。また、前記アリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述のC−C50アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。アリールオキシ基、アリールチオ基等におけるアリール基においても同様である。
【0026】
置換または非置換のC−C30アリール基の例としては、フェニル基、C−C10アルキルフェニル基(例えば、エチルフェニル基)、ハロフェニル基(例えば、o−,m−及びp−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基)、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、C−C10アルキルビフェニル基、C−C10アルコキシビフェニル基、o−,m−及びp−トリル基、o−,m−及びp−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、(α,α−ジメチルベンゼン)フェニル基、(N,N−ジメチル)アミノフェニル基、(N,N’−ジフェニル)アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、ハロナフチル基(例えば、フルオロナフチル基)、C−C10アルキルナフチル基(例えば、メチルナフチル基)、C−C10アルコキシナフチル基(例えば、メトキシナフチル基)、シアノナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基などを挙げることができる。
【0027】
前記化学式(1)で、C−C60の非置換ヘテロアリール基は、N,O,PまたはSのうち選択された1,2または3個のヘテロ原子を含む、単環式もしくは多環式基を意味し、多環式である場合、それらは、互いに融合されたり、単結合などを介して連結されうる。
【0028】
非置換のC−C60ヘテロアリール基の例としては、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、カルバゾリル基、インドリル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ビピリジル基などを挙げることができる。また、前記ヘテロアリール基のうち、一つ以上の水素原子は、前述のC−C50アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【0029】
前記化学式(1)で、C−C60の非置換アリールオキシ基とは、−OAで表示される基であり、このとき、Aは、前記C−C60アリール基でありうる。前記アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基などを挙げることができる。前記アリールオキシ基のうち、一つ以上の水素原子は、前述のC−C50アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【0030】
前記化学式(1)で、C−C60の非置換アリールチオ基は、−SAで表示される基であり、このとき、Aは、前記C−C60アリール基でありうる。前記アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、あるいはフルオレニルチオ基などを挙げることができる。前記アリールチオ基のうち、一つ以上の水素原子は、前述のC−C50アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【0031】
前記化学式(1)の化合物は、次の概略的な合成過程を介して合成されうる。
【化4】

【0032】
以下、本発明の前記化学式(1)で表現される化合物の具体的な例として、下記化合物1ないし120を挙げることができる。しかし、本発明の化学式(1)で表現される化合物が、それらの化合物に限定されるものではない。
【化5】








【0033】
これらのうち、下記のものが好ましい。
【化6】

【0034】
本発明の一具現例による有機発光素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び第2電極間に、前述のような化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物を含んだ有機膜を具備する。
【0035】
本発明の前記化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物を含んだ有機膜は、電子注入層または電子輸送層であって、電子注入機能及び電子輸送機能を同時に有する単一膜でもありうる。または、前記化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物を含んだ有機膜は、発光層でもありうる。前記有機膜が発光層である場合、前記化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物は、蛍光またはリン光のホストとして使われたり、または蛍光ドーパントとして使われもする。
【0036】
本発明の一態様による前記有機発光素子の発光層、電子注入層または電子輸送層が、前記化合物を含む場合、前記発光層は、公知のアントラセンもしくはその誘導体、アリールアミンもしくはその誘導体またはスチリルアレーンもしくはその誘導体を含むことができる。
【0037】
本発明の一態様による有機発光素子の電子注入層または電子輸送層が、前記化合物を含む場合、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層または白色発光層が公知のリン光化合物を含むことができる。
【0038】
一方、前記第1電極はアノードであり、前記第2電極はカソードであるが、それと反対の場合ももちろん可能である。
【0039】
前述のような有機発光素子は、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、のうち1層以上の層をさらに具備できる。
例えば、本発明の一態様による有機発光素子は、第1電極/正孔注入層/発光層/第2電極、第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/第2電極、または第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極の構造を有することができる。または、前記有機発光素子は、第1電極/正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜/発光層/電子輸送層/第2電極、または第1電極/正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一膜/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極の構造を有することができる。
【0040】
本発明の一態様による有機発光素子は、前面発光型、背面発光型など、多様な構造で適用可能である。
【0041】
以下、本発明による有機発光素子の製造方法について、図1に図示された有機発光素子を参照しつつ説明する。図1の有機発光素子は、基板(図示せず)、第1電極(例えばアノード)、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び第2電極(例えばカソード)を具備している。
まず、基板上部に、大きい仕事関数を有する第1電極用物質を、蒸着法またはスパッタリング法などによって堆積させ、第1電極を形成する。前記第1電極は、アノードまたはカソードでありうる。ここで、基板としては、一般的な有機発光素子で使われる基板を使用するが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれるガラス基板または透明プラスチック基板が望ましい。第1電極用物質としては、伝導性にすぐれる酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、Al、Ag、Mgなどを利用でき、透明電極または反射電極として形成されうる。
【0042】
次に、前記第1電極上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB(Langmuir-Blodgett)法のような多様な方法を利用し、正孔注入層(HIL)を形成できる。
【0043】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性あんどによって異なるが、一般的に、蒸着温度100ないし500℃、真空度10−8ないし10−3torr、蒸着速度0.01ないし100Å/secの範囲で適切に選択することが望ましい。
【0044】
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、約2,000rpmないし5,000rpmのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約80℃ないし200℃の温度範囲で適切に選択することが望ましい。
【0045】
前記正孔注入層物質としては、前述のような化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物を利用できる。または、公知の正孔注入材料を使用することもできるが、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、(TCTA)、4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(NPB)、4,4’,4”−トリス{N,Nジフェニルアミノ}トリフェニルアミン(TDATA)、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(2−TNATA)、ポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸(Pani/DBSA)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4−スチレンスルホネート)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/カンファースルホン酸(Pani/CSA)またはポリアニリン/ポリ(4−スチレンスルホネート)(PANI/PSS)などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
【化7】

【0046】
前記正孔注入層の厚みは、約100Åないし1,0000Å、望ましくは、100Åないし1,000Åでありうる。前記正孔注入層の厚みが前記範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔注入特性を得ることができる。
【0047】
次に、前記正孔注入層の上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような多様な方法を利用し、正孔輸送層(HTL)を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択される。
【0048】
前記正孔輸送層物質は、前述のような化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物でありうる。または、公知の正孔輸送層物質を利用することもできるが、例えば、N−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、NPB、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)などの芳香族縮合環を有するアミン誘導体などを使用できる。このうち、例えば、TCTAの場合、正孔輸送役割以外にも、発光層からの励起子拡散を防止する役割も果たすことができる。
【化8】

【0049】
前記正孔輸送層の厚みは、約50Åないし1,000Å、望ましくは、100Åないし600Åでありうる。前記正孔輸送層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔輸送特性を得ることができる。
【0050】
次に、前記正孔輸送層の上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような方法を利用し、発光層(EML)を形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって発光層を形成する場合、その蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択される。
【0051】
前記発光層は、前述のような化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物を含むことができる。例えば、化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物は、ホストまたはドーパントとして使われうる。前記化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物以外に、発光層は、公知の多様な発光物質を利用して形成されうるが、公知のホスト及びドーパントを利用して形成することもできる。前記ドーパントの場合、公知の蛍光ドーパント及び公知のリン光ドーパントをいずれも使用できる。
【0052】
例えば、ホストとしては、トリス(8−キノラト)アルミニウム(Alq3)、4,4’−N,N’−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)、9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン(ADN)、またはジスチリルアリーレン(DSA)などを使用できるが、これらに限定されるものではない。
【0053】
一方、公知の赤色ドーパントとして、PtOEP、Ir(piq)、BtpIr(acac)、4−(ジシアノメチレン)−2−t−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン(DCJTB)などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
【化9】

【0054】
また、公知の緑色ドーパントとして、Ir(ppy)(ppy=フェニルピリジン)、Ir(ppy)(acac)、Ir(mpyp)、C545Tなどを利用できるが、これらに限定されるものではない。
【化10】

【0055】
一方、公知の青色ドーパントとして、FIrpic、(Fppy)Ir(tmd)、Ir(dfppz)、ter−フルオレン、4,4’−ビス(4−ジフェニルアミノスチリル)ビフェニル(DPAVBi)、2,5,8,11−テトラ−t−ブチルペリレン(TBP)などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
【化11】

【0056】
前記ドーパントの含有量は、発光層形成材料100重量部(すなわち、ホストとドーパントとの総重量は、100重量部である)を基準として、0.1ないし20重量部、特に0.5〜12重量部であることが望ましい。ドーパントの含有量が前記範囲を満足するならば、濃度消光現象が実質的に防止されうる。
【0057】
前記発光層の厚みは、約100Åないし1,000Å、望ましくは、200Åないし600Åでありうる。前記発光層の厚みが前記範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な発光特性を得ることができる。
【0058】
発光層がリン光ドーパントを含む場合、三重項励起子または正孔が電子輸送層に拡散する現象を防止するために、正孔阻止層(HBL)を発光層の上部に形成できる(図1には図示せず)。このとき、使用できる正孔阻止層の物質は、特別に制限されず、公知の正孔阻止層物質のうち任意に選択して利用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ビス−(2−メチル−8−キ ノリノラト)−4−(フェニルフェノラート)アルミニウム(BAlq)、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP)などを利用できる。
【0059】
前記正孔阻止層の厚みは、約50Åないし1,000Å、望ましくは、100Åないし300Åでありうる。前記正孔阻止層の厚みが50Å未満である場合、正孔阻止特性が低下し、前記正孔阻止層の厚みが1,000Åを超える場合、駆動電圧が上昇しうるためである。
【0060】
次に、電子輸送層(ETL)を真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を利用して形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって電子輸送層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択される。
【0061】
前記電子輸送層物質は、前述のような化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物でありうる。または、公知の電子輸送層の形成材料のうち任意に選択されうる。例えば、その例としては、キノリン誘導体、特にAlq3、1,2,4−トリアゾール誘導体(TAZ)、Balqのような公知の材料を使用することができるが、これらに限定されるものではない。
【化12】

【0062】
前記電子輸送層の厚みは、約100Åないし1,000Å、望ましくは、100Åないし500Åでありうる。前記電子輸送層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な電子輸送特性を得ることができる。
【0063】
また、電子輸送層の上部に、カソードから電子の注入を容易にする機能を有する物質である電子注入層(EIL)が積層されうる。
【0064】
電子注入層物質としては、前述のような化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物でありうる。または、LiF、NaCl、CsF、LiO、BaOのような電子注入層の形成材料として公知の任意の物質を利用できる。前記電子注入層の蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択される。
【0065】
前記電子注入層の厚みは、約1Åないし100Å、望ましくは、5Åないし90Åでありうる。前記電子注入層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な電子注入特性を得ることができる。
【0066】
最後に、電子注入層の上部に、真空蒸着法やスパッタリング法のような方法を利用し、第2電極を形成できる。前記第2電極は、カソードまたはアノードとして使われうる。前記第2電極形成用物質としては、小さい仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物及びそれらの混合物を使用できる。具体的な例としては、リチウム(Li)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、アルミニウム−リチウム(Al−Li)、カルシウム(Ca)、マグネシウム−インジウム(Mg−In)、マグネシウム−銀(Mg−Ag)などを挙げることができる。また、前面発光素子を得るために、ITO、IZOを使用した透明カソードを使用することもできる。
【0067】
本発明による有機発光素子は、多様な形態の平板表示装置、例えば受動マトリックス有機発光表示装置及び能動マトリックス有機発光表示装置に備えられ得る。特に、能動マトリックス有機発光表示装置に備えられる場合、基板側に備えられた第1電極は、画素電極であって、薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結されうる。また、前記有機発光素子は、両面に画面を表示できる平板表示装置に備えられてもよい。
【0068】
また、本発明の一態様による有機発光素子の1層以上の層は、前記化学式(1)の化合物を使用し、蒸着方法で形成されたり、または溶液に調製された化学式(1)の化合物をコーティングする湿式方法でも形成されうる。
【実施例】
【0069】
以下、本発明について、化合物11,29,43,56,74及び82の望ましい合成例及び実施例を具体的に例示するが、本発明が下記の実施例に限定されることを意味するものではない。
【0070】
<合成例1:化合物11の合成>
下記工程により、化合物11を合成した。
【化13】

【0071】
<中間体1の合成>
2,6−ジアミノアントラキノン2.38g(10mmol)を48重量%濃度のHBr水溶液に分散させた後、20℃でNaNO 1.41g(20.4mmol)を徐々に加えた。ガス発生が終わった後、48重量%濃度のHBr水溶液6.3mLに、CuBr 2.95g(20.6mmol)を溶かした溶液を、少量のエタノール5.0mLと共に徐々に加えた。反応物の温度を常温まで徐々に上げた後、1時間還流させた。常温に冷却後、水を加えて生成された沈殿物を濾過し、水で洗った後、真空乾燥させた。得られた固体をクロロホルムに溶かし、シリカゲルを通過させた後で減圧し、溶媒を除去した。シリカゲル・カラムクロマトグラフィで分離精製して中間体1を1.0g(収率28%)得た。生成された化合物は、HR−MS(high resolution mass spectrometry)を用いて確認した。
【0072】
<中間体2の合成>
窒素雰囲気下で、中間体1の3.66g(10mmol)を、精製されたテトラヒドロフラン(THF)50mLに溶かし、−78℃に冷却した後、塩化tert−ブチルマグネシウム15mL(ジエチルエーテル中で2.0M)を徐々に加えた。同一温度で30分間撹拌した後、冷却器を除去して常温に温度を上げた。1時間撹拌して、反応が終結した後、0℃にした後、塩化アンモニウム水溶液10mLを徐々に入れた。ジエチルエーテル40mLで二回抽出し、集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて濾過した後、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲル・カラムクロマトグラフィで分離精製し、中間体2を3.1g(収率65%)得た。生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0073】
<中間体3の合成>
中間体2を3.1g(6.43mmol)、ヨウ化カリウム10.7g(64.7mmol)、次亜リン酸ナトリウム水和物11.4g(129mmol)の混合物を、オルソ−ジクロロベンゼン600mLと酢酸80mLとの混合溶液で24時間還流した。常温に冷却した後、混合物をクロロホルムで抽出し、無水硫酸マグネシウムで水分を除去した後、減圧して溶媒を除去した。得られた残留物をシリカゲル・カラムクロマトグラフィで分離精製し、中間体3を2.0g(収率69%)得た。生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0074】
<中間体4の合成>
中間体32.0g(4.5mmol)、ベンゾフェノンヒドラゾン1.92g(9.8mmol)、t−BuONa 1.3g(13.6mmol)、Pd(OAc) 40mg(0.2mmol)、2−ジクロロヘキシルホスフィノ−2’、4’、6’−トリイソプロピルビフェニル96mg(0.2mmol)をトルエン30mLに溶かした後、90℃で3時間撹拌した。常温に冷やした反応物に蒸溜水を加え、ジエチルエーテル80mLで二回、ジクロロメタン80mLで一回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて濾過した後、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲル・カラムクロマトグラフィで分離精製し、中間体4を2.5g(収率82%)得た。生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0075】
<中間体5の合成>
中間体4の2.5g(3.8mmol)とp−トルエンスルホン酸一水和物1.4g(15mmol)とに、メチルエチルケトン30mLを加えた後、110℃で24時間撹拌した。常温に冷やした反応物に蒸溜水を加え、ジエチルエーテル40mLで二回、ジクロロメタン40mLで二回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて濾過した後、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲル・カラムクロマトグラフィで分離精製し、中間体5を1.2g(収率77%)得た。生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0076】
<中間体6の合成>
1−ブロモ−4−ナフタレンボロン酸2.51g(10mmol)、2−ブロモナフタレン2.07g(10mmol)、Pd(PPh 0.58g(0.5mmol)そしてKCO 5.53g(40mmol)を、50mLのTHF/HO(2:1)混合溶液に溶かし、80℃で5時間撹拌した。反応液をジエチルエーテル100mlで三回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸発させて得られた残留物をジクロロメタンとノルマルヘキサンとで再結晶させ、中間体6を2.5g(収率76%)合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0077】
<化合物11の合成>
窒素下で、中間体5を2.97g(7.0mmol)、中間体6を5.6g(16.8mmol)、t−BuONa 4.0g(42mmol)、Pd(dba) 260mg(0.28mmol)そしてP(t−Bu)356mg(0.28mmol)を、トルエン30mLに溶かした後、90℃で3時間撹拌した。前記反応が完結した後、常温に冷やし、これを蒸溜水とジエチルエーテル50mLとで三回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲル・カラムクロマトグラフィで分離精製し、化合物11を4g(収率68%)得た。生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した(calc.;928.4756、found;928.4745)(1H−NMR、400MHz、CD2Cl2:δ8.02−7.37(m、30H)、δ2.30(s、6H)、δ2.25(s、6H)、δ1.47(s、18H)、13C−NMR:143.5、136.1、134.5、133.2、132.1、130.5、130.2、129.3、128.7、128.6、128.4、128.0、126.3、124.8、124.5、124.3、123.3、123.1、121.5、121.9、121.4、121.1、120.5、120.4、120.0、116.3、115、8、32.3、31.4、7.0、5.3)。
【0078】
[合成例2:化合物29の合成]
<中間体7の合成>
【化14】

中間体4を1.2g(3.0mmol)、p−トルエンスルホン酸一水和物2.28g(12.0mmol)そしてベンジルフェニルケトン2.4g(12.0mmol)の混合物に、エタノール16mLとトルエン4mLとを加えた後、110℃で24時間撹拌した。常温に冷やした反応物に蒸溜水を加え、ジエチルエーテル25mLで二回、ジクロロメタン25mLで二回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させて濾過した後、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲル・カラムクロマトグラフィで分離精製し、中間体7を1.5g(収率76%)得た。生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0079】
[化合物29の合成]
【化15】

前記の化合物11の合成と同じ方法で、中間体5の代わりに中間体7を、中間体6の代わりに(4−ブロモフェニル)−ジフェニルアミンを反応させ、化合物29を71%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した(calc.;1,158.5,600、found;1158.5612)(1H−NMR、400MHz、CD2Cl2:δ8.01−6.50(m、52H)、δ1.50(s、18H)、13C−NMR:143.4、136.9、134.4、134.2、131.1、131.5、130.2、129.3、128.7、128.6、128.4、128.0、126.3、124.8、124.5、124.3、123.3、121.5、121.9、121.4、121.1、120.4、116.3、115、8、32.3、31.4、7.2、5.4)。
【0080】
[合成例3:化合物43の合成]
下記中間体8〜11を順に合成し、化合物43を合成した。
【化16】

【0081】
<中間体8の合成>
前記の中間体2の合成と同じ方法で、塩化tert−ブチルマグネシウムの代わりに、塩化フェニルマグネシウム(THF中で2.0M)を反応させ、中間体8を65%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0082】
<中間体9の合成>
前記の中間体3の合成と同じ方法で、中間体2の代わりに中間体8を反応させ、中間体9を52%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0083】
<中間体10の合成>
前記の中間体4の合成と同じ方法で、中間体3の代わりに中間体9を反応させ、中間体10を68%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0084】
<中間体11の合成>
前記の中間体5の合成と同じ方法で、中間体4の代わりに中間体10を反応させ、中間体11を75%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0085】
[化合物43の合成]
【化17】

前記の化合物11の合成と同じ方法で、中間体5の代わりに中間体11を、中間体6の代わりに3−ヨード−9−フェニルカルバゾールを反応させ、化合物43を73%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した(calc.;946.4035、found;946.4025)、(1H−NMR、400MHz、CD2Cl2:δ8.21−7.80(m、4H)、δ7.65−6.90(m、4H)、δ2.30(s、6H)、δ2.21(s、6H)13C−NMR:143.4、136.9、136.2、134.4、134.2、131.1、131.5、130.2、129.3、128.7、128.6、128.4、128.0、127.6、126.3、124.8、124.5、124.3、123.9、123.3、121.5、121.9、121.4、121.1、120.4、116.3、115、8、12.5、10.8)。
【0086】
[合成例4:化合物56の合成]
<中間体12の合成>
【化18】

前記の中間体7の合成と同じ方法で、中間体4の代わりに中間体10を反応させ、中間体12を68%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0087】
<化合物56の合成>
【化19】

前記の化合物11の合成と同じ方法で、中間体5の代わりに中間体12を、中間体6の代わりに1−(2−ナフチル)−4−ナフタレンボロン酸を反応させ、化合物56を70%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した(calc.;1,216.4756、found;1,216.4745)、(1H−NMR、400MHz、CD2Cl2:δ7.80−6.90(m、60H)13C−NMR:138.4、136.9、136.2、135.4、135.1、133.4、133.1、132.6、131.2、131.1、131.0、130.6、130.2、129.6、129.3、128.7、128.6、128.4、128.0、127.6、127.2、126.3、125.5、125.1、124.8、124.5、124.3、123.9、123.3、121.5、121.9、121.4、121.1、120.4、116.3、115、8)。
【0088】
[合成例5:化合物74の合成]
下記中間体13〜16を順に合成し、化合物74を合成した。
【化20】

【0089】
<中間体13の合成>
前記の中間体2の合成と同じ方法で、塩化tert−ブチルマグネシウムの代わりに塩化2−ナフチルマグネシウム(0.5MinTHF)を反応させ、中間体13を55%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0090】
<中間体14の合成>
前記の中間体3の合成と同じ方法で、中間体2の代わりに中間体13を反応させ、中間体14を61%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0091】
<中間体15の合成>
前記の中間体4の合成と同じ方法で、中間体3の代わりに中間体14を反応させ、中間体15を73%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0092】
<中間体16の合成>
前記の中間体5の合成と同じ方法で、中間体4の代わりに中間体15を反応させ、中間体16を71%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0093】
[化合物74の合成]
【化21】

前記の化合物11の合成と同じ方法で、中間体5の代わりに中間体16を、中間体6の代わりに(4−ブロモフェニル)−ジフェニルアミンを反応させ、化合物74を74%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した(calc.;1,050.4661、found;1,050.4654)、(1H−NMR、400MHz、CD2Cl2:δ7.80−6.90(m、46H)、δ2.13(s、6H)、δ2.03(s、6H)、13C−NMR:139.4、138.9、136.9、135.3、135.0、133.1、131.1、131.0、129.6、129.3、128.7、128.6、128.4、128.0、127.6、127.2、126.3、125.5、124.5、124.3、123.9、123.3、121.5、121.9、121.4、121.1、115、8.13.2、11.4)。
【0094】
[合成例6:化合物82の合成]
<中間体17の合成>
【化22】

前記の中間体7の合成と同じ方法で、中間体4の代わりに中間体15を反応させて中間体17を75%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した。
【0095】
<化合物82の合成>
【化23】

前記の化合物11の合成と同じ方法で、中間体5の代わりに中間体17を、中間体6の代わりに9−ブロモフェナントレンを反応させ、化合物82を66%の収率で合成し、生成された化合物は、HR−MSを用いて確認した(calc.;1,164.4443、found;1,164.4434)、(1H−NMR、400MHz、CD2Cl2:δ7.80−6.90(m、56H)、13C−NMR:142.2、141.5、140.5、139.0、138.4、136.9、136.0、135.7、135.1、133.4、133.1、132.6、131.2、131.0、130.6、130.2、129.6、129.1、128.7、128.6、128.4、128.0、127.6、125.3、125.5、125.1、124.8、124.5、124.3、123.9、123.3、122.5、121.9、121.4、121.1、120.6、116.5、115、4)。
【実施例1】
【0096】
アノードは、コーニング(Corning)15Ωcm(1,200Å)ITOガラス基板を50mm×50mm×0.7mmサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とを利用し、それぞれ5分間超音波洗浄した後、30分間紫外線を照射し、オゾンに露出させて洗浄して調製し、真空蒸着装置にこのガラス基板を設置した。
前記基板上部に、まず正孔注入層として公知物質である2−TNATAを真空蒸着し、600Å厚に形成した後、次に正孔輸送性化合物として、公知物質である4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)を300Å厚に真空蒸着し、正孔輸送層を形成した。
前記正孔輸送層の上部に、公知の緑色蛍光ホストであるAlq3と、緑色蛍光ドーパントとしての本発明の化合物11とを、重量比98:2で同時蒸着し、300Å厚に発光層を形成した。
次に、前記発光層の上部に、電子輸送層としてAlq3を300Å厚に蒸着した後、この電子輸送層の上部に、ハロゲン化アルカリ金属であるLiFを電子注入層として10Å厚に蒸着し、Alを3,000Å(カソード電極)厚に真空蒸着し、LiF/Al電極を形成することによって、有機発光素子を製造した。
この素子は、電流密度50mA/cmでの駆動電圧6.20V、発光輝度8,642cd/mの高輝度を示し、発光効率は18.70cd/Aであった。
【実施例2】
【0097】
発光層の形成時、前記化合物11の代わりに化合物29を利用したことを除いては、実施例1と同様にして有機発光素子を製作した。
この素子は、電流密度50mA/cmでの駆動電圧6.14V、発光輝度7,804cd/mの高輝度を示し、発光効率は18.09cd/Aであった。
【実施例3】
【0098】
発光層の形成時、前記化合物11の代わりに化合物43を利用したことを除いては、実施例1と同様にして有機発光素子を製作した。
この素子は、電流密度50mA/cmでの駆動電圧6.15V、発光輝度7,856cd/mの高輝度を示し、発光効率は18.82cd/Aであった。
【実施例4】
【0099】
発光層の形成時、前記化合物11の代わりに化合物56を利用したことを除いては、実施例1と同様にして有機発光素子を製作した。
この素子は、電流密度50mA/cmでの駆動電圧6.54V、発光輝度8,357cd/mの高輝度を示し、発光効率は19.04cd/Aであった。
【実施例5】
【0100】
発光層の形成時、前記化合物11の代わりに化合物74を利用したことを除いては、実施例1と同様にして有機発光素子を製作した。
この素子は、電流密度50mA/cmでの駆動電圧6.65V、発光輝度8,571cd/mの高輝度を示し、発光効率は18.74cd/Aであった。
【実施例6】
【0101】
発光層の形成時、前記化合物11の代わりに化合物82を利用したことを除いては、実施例1と同様にして有機発光素子を製作した。
この素子は、電流密度50mA/cmでの駆動電圧6.32V、発光輝度7,936cd/mの高輝度を示し、発光効率は18.14cd/Aであった。
【実施例7】
【0102】
電子輸送層の形成時、Alq3の代わりに化合物82を利用したことを除いては、実施例1と同様にして有機発光素子を製作した。
この素子は、電流密度50mA/cmでの駆動電圧6.38V、発光輝度8,576cd/mの高輝度を示し、発光効率は17.94cd/Aであった。
【0103】
[比較例1]
発光層の形成時、前記化合物11の代わりに、公知の緑色蛍光ドーパントであるC545Tを利用したことを除いては、実施例1と同様にして有機発光素子を製作した。
この素子は、電流密度50mA/cmでの駆動電圧7.85V、発光輝度5,641cd/mの輝度を示し、発光効率は13.12cd/Aであった。
【0104】
本発明による化学式(1)の構造を有する化合物を発光層または電子輸送層の材料として有機発光素子に使用した結果、いずれも公知物質であるC545Tと比較し、駆動電圧が1V以上低くなり、効率が向上した優秀なI−V−L特性を示し、特に寿命改善効果にすぐれた。また、いずれの実施例も、比較例1に比べて、寿命が100%以上向上するという結果を示した。寿命結果などを要約し、下記表1に示した。
【表1】

【0105】
本発明について、前記合成例及び実施例を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、本発明に属する技術分野の当業者であるならば、それらからから多様な変形及び均等な他実施例が可能であるという点を理解するであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるものである。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記化学式(1)で表示されるヘテロ環化合物:
【化1】

前記式(1)で、RないしR12は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、C−C50の置換または非置換のアルキル基、C−C50の置換または非置換のシクロアルキル基、C−C50の置換または非置換のアルコキシ基、C−C60の置換または非置換のアリールオキシ基、C−C60の置換または非置換のアリールチオ基、C−C60の置換または非置換のアリール基、C−C60の置換または非置換のヘテロアリール基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基またはカルボキシル基を示し、RないしR12は、隣接する置換基の一組が互いに結合して芳香環を形成していてもよい。
【請求項2】
前記R及びRは、それぞれ独立して、非置換のフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、アントラセニル基、フルオレニル基、及びピレニル基から選択される一環ないし四環のアリール基;カルバゾリル基;C−Cアルキル基、C−Cアルコキシ基、シアノ基、アミノ基、フェノキシ基、フェニル基、ナフチル基またはハロゲン基で置換されたフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、アントラセニル基、フルオレニル基、及びピレニル基から選択される一環ないし四環のアリール基またはカルバゾリル基;またはC−Cアルキル基、C−Cアルコキシ基、シアノ基、アミノ基、フェノキシ基、アリール基またはハロゲン基で置換されたC12−C50のアミノアリール基であることを特徴とする請求項1に記載のヘテロ環化合物。
【請求項3】
前記R,Rが同一であるか、R,R,R及びRが互いに同一であるか、またはR,R11が同じであることを特徴とする請求項1または2に記載のヘテロ環化合物。
【請求項4】
前記R,R,R及びRはそれぞれ独立して、メチル基またはフェニル基であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のヘテロ環化合物。
【請求項5】
前記R及びR11はそれぞれ独立して、t−ブチル基、フェニル基、ナフチル基またはフルオレニル基であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のヘテロ環化合物。
【請求項6】
前記化学式(1)の化合物が、下記化合物のうちの一つであることを特徴とする請求項1に記載のヘテロ環化合物:
【化2】


【請求項7】
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極及び第2電極間に介在する有機膜とを具備した有機発光素子であって、
前記有機膜が請求項1〜6のいずれか1項に記載のヘテロ環化合物を含む有機発光素子。
【請求項8】
前記有機発光素子の有機膜が、電子注入層または電子輸送層であることを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子。
【請求項9】
前記有機発光素子の有機膜が、電子注入機能及び電子輸送機能を同時に有する単一膜であることを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子。
【請求項10】
前記有機発光素子の有機膜が、発光層であることを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子。
【請求項11】
前記有機発光素子の有機膜が発光層であり、前記化合物が蛍光またはリン光のホストとして使われることを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子。
【請求項12】
前記有機発光素子の有機膜が発光層であり、前記化合物が蛍光ドーパントとして使われることを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子。
【請求項13】
前記有機発光素子の有機膜が、発光層、電子注入層または電子輸送層であり、前記発光層は、アントラセンもしくはその誘導体を含むことを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子。
【請求項14】
前記有機発光素子の有機膜が、発光層、電子注入層または電子輸送層であり、前記発光層は、アリールアミンもしくはその誘導体を含むことを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子。
【請求項15】
前記有機発光素子の有機膜が、発光層、電子注入層または電子輸送層であり、前記発光層は、スチリルアレーンもしくはその誘導体を含むことを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子。
【請求項16】
前記有機発光素子の有機膜が、電子注入層または電子輸送層であり、該有機発光素子がリン光化合物を含むところの、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層または白色発光層をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の有機発光素子。
【請求項17】
前記有機発光素子が、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、及び正孔阻止層、からなる群から選択された1層以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項7〜16のいずれか1項に記載の有機発光素子。
【請求項18】
前記素子が、第1電極/正孔注入層/発光層/第2電極、第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/第2電極、または第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極の構造を有することを特徴とする請求項17に記載の有機発光素子。
【請求項19】
請求項7〜18のいずれか1項に記載の有機発光素子を具備し、前記有機発光素子の第1電極が、薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結された平板表示装置。
【請求項20】
請求項7〜18のいずれか1項に記載の有機発光素子を具備し、前記有機膜が、湿式工程で形成された有機発光素子。

【図1】
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【公開番号】特開2011−37831(P2011−37831A)
【公開日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−132059(P2010−132059)
【出願日】平成22年6月9日(2010.6.9)
【出願人】(308040351)三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Fターム(参考)】