有機発光表示装置
【課題】有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に配置され、活性層、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、ソース電極またはドレイン電極と電気的に連結される第１電極と、第１電極と対向するように配置された第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置され、有機発光層を備える中間層と、を備え、ゲート絶縁層は、ゲート電極と活性層とを絶縁するように配置され、複数の離隔したパターン部を備える有機発光表示装置。
【解決手段】基板と、基板上に配置され、活性層、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、ソース電極またはドレイン電極と電気的に連結される第１電極と、第１電極と対向するように配置された第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置され、有機発光層を備える中間層と、を備え、ゲート絶縁層は、ゲート電極と活性層とを絶縁するように配置され、複数の離隔したパターン部を備える有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に係り、さらに詳細には、柔軟性が容易に向上できる有機発光表示装置である。
【背景技術】
【０００２】
最近の表示装置は、ポータブルな薄型の平板表示装置に代替されつつある。平板表示装置の中でも、有機または無機発光表示装置は自発光型表示装置であって、視野角が広くてコントラストに優れるだけでなく、応答速度が速いという長所があるので次世代表示装置として注目されている。また発光層の構成材料が有機材料で構成される有機発光表示装置は、無機発光表示装置に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れて多様な色相を具現できる長所を持っている。
【０００３】
有機発光表示装置は、有機発光層を中心にカソード電極、アノード電極が配置され、これらの両電極に電圧を加えれば、両電極に連結された有機発光層で可視光線を発生させる。
【０００４】
一方、最近にはフレキシブル表示装置についての研究が進んでおり、有機発光表示装置もフレキシブル表示装置の一つとして脚光を浴びている。
【０００５】
しかし、有機発光表示装置は複数の薄膜を備えており、例えば、ゲート絶縁層のような絶縁層を複数備える。
【０００６】
これらの絶縁層は有機発光表示装置の柔軟性を低減させ、特に、無機絶縁層の場合には、柔軟性をさらに低減させる。
【０００７】
これによって、所望の特性を持つフレキシブルな有機発光表示装置を製造するのに限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、柔軟性が容易に向上できる有機発光表示装置を提供できる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板と、前記基板上に配置され、活性層、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）と、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に連結される第１電極と、前記第１電極と対向するように配置された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、有機発光層を備える中間層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と前記活性層とを絶縁するように配置され、複数の離隔したパターン部を備える有機発光表示装置を開示する。
【００１０】
本発明において、前記有機発光表示装置は複数の副画素を備え、前記各副画素には少なくとも一つの前記パターン部が配置される。
【００１１】
本発明において、前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記中間層と重畳しないように形成される。
【００１２】
本発明において、前記基板上に前記ゲート電極が配置され、前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁層が配置され、前記ゲート絶縁層上に前記活性層が配置され、前記活性層上に前記ソース電極及びドレイン電極が配置され、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、前記活性層の所定の部分を露出させるようにパターニングされたエッチングストッパーをさらに備える。
【００１３】
本発明において、前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記エッチングストッパーは前記中間層と重畳しないように形成される。
【００１４】
本発明において、前記基板の厚さ方向を基準に、前記エッチングストッパーの外郭エッジは前記ゲート絶縁層の領域から外れない。
【００１５】
本発明において、前記ＴＦＴ上に、絶縁材料からなってコンタクトホールを備える平坦化層が配置され、前記第１電極は前記平坦化層上に配置され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極または前記ドレイン電極と連結され、前記第１電極上に開口部を備える画素定義層が配置され、前記中間層は、前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結される。
【００１６】
本発明において、前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記開口部と重畳しないように形成される。
【００１７】
本発明において、前記第１電極と前記ゲート電極とは同一層上に形成される。
【００１８】
本発明において、前記基板上に前記活性層が配置され、前記活性層上に前記ゲート絶縁層が配置され、前記ゲート絶縁層上に前記ゲート電極が配置され、前記ゲート電極上に前記ソース電極及びドレイン電極が配置され、前記ゲート電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、前記活性層の所定の部分を露出させるようにパターニングされた層間絶縁層をさらに備える。
【００１９】
本発明において、前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記層間絶縁層は前記中間層と重畳しないように形成される。
【００２０】
本発明において、前記基板の厚さ方向を基準に、前記層間絶縁層の外郭エッジは前記ゲート絶縁層の領域から外れない。
【００２１】
本発明において、記ＴＦＴ上に、絶縁材料からなってコンタクトホールを備える平坦化層が配置され、前記第１電極は前記平坦化層上に配置され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極または前記ドレイン電極と連結され、前記第１電極上に開口部を備える画素定義層が配置され、前記中間層は前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結される。
【００２２】
本発明において、前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記開口部と重畳しないように形成される。
【００２３】
本発明において、前記第１電極と前記活性層とは同一層上に形成される。
【００２４】
本発明において、前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか一つの電極は、一方向に延びて前記第１電極と一体に形成される。
【００２５】
本発明において、前記基板は柔軟な素材で形成される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の有機発光表示装置は、柔軟性が容易に向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図２】図１のＡから見た平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付した図面に図示された本発明に関する実施形態を参照して本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図であり、図２は図１のＡで見た平面図である。
【００３０】
本実施形態の有機発光表示装置１００は、基板１０１上に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３が配置され、各副画素には薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）、第１電極１１０、有機発光層を備える中間層１１２及び第２電極１１３が配置される。
【００３１】
有機発光表示装置１００は複数の副画素を備えるが、図１には、説明の便宜のために３個の副画素を図示し、左側から第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３と定義する。
【００３２】
各副画素にＴＦＴが形成されるが、図１には、各副画素に１個のＴＦＴが配置されたことが図示されたが、本発明はこれらに限定されず、必要な場合に複数のＴＦＴが含まれてもよい。
【００３３】
ＴＦＴは、ゲート電極１０３、ゲート絶縁層１０４、活性層１０５、ソース電極１０７及びドレイン電極１０８を備える。
【００３４】
具体的に図１及び図２を参照しつつ、各部材の構成について説明する。説明の便宜のために、図２には、ゲート絶縁層１０４及び第１電極１１０のみ図示した。
【００３５】
まず基板１０１は、柔軟性のある材料で形成されることが望ましい。基板１０１はプラスチック材質で形成できる。例えば、基板１０１は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなる群から選択される有機材料を含むことができる。
【００３６】
画像が基板１０１方向に具現される背面発光型である場合に、基板１０１は透明な材質で形成せねばならない。しかし、画像が基板１０１の逆方向に具現される前面発光型である場合に、基板１０１は必ずしも透明な材質で形成する必要はない。この場合、金属で基板１０１を形成できる。金属で基板１０１を形成する場合、基板１０１は炭素、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、インバー合金、インコネル合金及びコバール合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これらに限定されるものではない。基板１０１は金属ホイルで形成してもよい。
【００３７】
基板１０１の上面は平滑な面を成しており、基板１０１から後述する基板１０１上の膜への不純物元素の浸透を抑制するために、基板１０１上にバッファ層１０２を形成できる。
【００３８】
バッファ層１０２上に所定パターンのゲート電極１０３を形成する。ゲート電極１０３は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｍｏ、またはＡｌ及びＮｄの合金、Ｍｏ及びＷの合金などの金属または金属の合金からなりうるが、これらに限定されず、隣接層との密着性、平坦性、電気抵抗及び加工性などを考慮して多様な材料が使用できる。ゲート電極１０３は、ＴＦＴのオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。
【００３９】
ゲート電極１０３上にゲート絶縁層１０４が配置される。ゲート絶縁層１０４は、活性層１０５とゲート電極１０３とを絶縁するためのものであって、有機材料またはＳｉＮｘ、ＳｉＯ２などの無機材料で形成できる。
【００４０】
この時、ゲート絶縁層１０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層１０４は一体に延びた形態に形成されない。
【００４１】
ゲート絶縁層１０４は、第１パターン部１０４ａ、第２パターン部１０４ｂ、及び第３パターン部１０４ｃを備える。第１パターン部１０４ａは第１副画素ＳＰ１に配置され、第２パターン部１０４ｂは第２副画素ＳＰ２に配置され、第３パターン部１０４ｃは第３副画素ＳＰ３に配置される。そして、第１パターン部１０４ａ、第２パターン部１０４ｂ、第３パターン部１０４ｃは互いに離隔している。
【００４２】
ゲート絶縁層１０４の第１パターン部１０４ａ、第２パターン部１０４ｂ、及び第３パターン部１０４ｃの形状は同一である。しかし、本発明はこれらに限定されない。すなわち、ゲート絶縁層１０４のパターン部の形状は、有機発光表示装置１００に備えられたＴＦＴの形態によって変わる。すなわち、ゲート絶縁層１０４の各パターン部は、ゲート電極１０３と活性層１０５とを絶縁するための適宜な形態で形成される。この時、ゲート絶縁層１０４のパターン部は、ゲート電極１０３と活性層１０５とを絶縁するための最小のサイズに形成されることが望ましい。パターン部のサイズが大きいとゲート絶縁層１０４の各パターン部間の離隔した空間が広くなる。
【００４３】
第１パターン部１０４ａ、第２パターン部１０４ｂ、第３パターン部１０４ｃは説明の便宜のためのものであって、図２に示したように、ゲート絶縁層１０４は、３個以上の複数のパターン部を備えることができる。
【００４４】
またゲート絶縁層１０４は、第４パターン部１０４ｄ及び第５パターン部１０４ｅを備えるが、これは、有機発光表示装置１００のスキャンライン（図示せず）とデータライン（図示せず）とが重畳する部分、及びスキャンラインと電源ライン（図示せず）とが重畳する部分に配置される。第４パターン部１０４ｄ及び第５パターン部１０４ｅは、スキャンラインとデータラインとが重畳する部分、及びスキャンラインと電源ラインとが重畳する部分を絶縁するための最小のサイズに形成される。
【００４５】
ゲート絶縁層１０４上に活性層１０５が配置される。活性層１０５は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンのような無機半導体や有機半導体で形成され、ソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域を備える。
【００４６】
ソース及びドレイン領域は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンで形成した活性層１０５に不純物をドーピングして形成できる。３族元素であるホウ素（Ｂ）などでドーピングすれば、ｐ型半導体を形成し、５族元素である窒素（Ｎ）などでドーピングすれば、ｎ型半導体を形成できる。
【００４７】
活性層１０５とソース電極１０７及びドレイン電極１０８との間にエッチングストッパー１０６が配置される。エッチングストッパー１０６は、活性層１０５にチャネルを形成するために絶縁材料で形成され、活性層１０５の所定の領域を露出させるようにパターニングされ、これらの活性層１０５の露出された部分にソース電極１０７及びドレイン電極１０８が連結される。
【００４８】
この時、エッチングストッパー１０６の外郭エッジは、ゲート絶縁層１０４の領域から外れないようにする。すなわち、図１のＡ方向から見た時、エッチングストッパー１０６はゲート絶縁層１０４と重畳する。
【００４９】
ソース電極１０７及びドレイン電極１０８は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ａｌ、及びＭｏを含むことができる。またソース電極１０７及びドレイン電極１０８は、Ａｌ：Ｎｄ合金、ＭｏＷ合金などの２種以上の金属からなる合金が使用できるが、これらに限定されない。
【００５０】
ソース電極１０７及びドレイン電極１０８上に平坦化層１０９が配置される。平坦化層１０９はコンタクトホール１０９ａを備え、コンタクトホール１０９ａを通じてドレイン電極１０８の所定の領域が露出される。平坦化層１０９は多様な絶縁材料で形成できる。
【００５１】
コンタクトホール１０９ａを通じて第１電極１１０をドレイン電極１０８と当接させる。第１電極１１０は透明電極または反射電極で形成できる。第１電極１１０を透明電極で形成する時は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成でき、反射電極で形成する時には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物で反射層を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で層を形成することによって形成できる。
【００５２】
第１電極１１０上に画素定義層１１１が形成される。画素定義層１１１は絶縁材料で形成される。画素定義層１１１は、第１電極１１０を露出させるように開口部１１１ａを備える。
【００５３】
開口部１１１ａ内に第１電極１１０と当接するように中間層１１２を形成する。中間層１１２は有機発光層を備えるが、有機発光層は第１電極１１０と第２電極１１３との電気的駆動により発光する。
【００５４】
中間層１１２は下部のゲート絶縁層１０４と重畳しない。このために、第１電極１１０及び開口部１１１ａの位置を調節する。
【００５５】
中間層１１２は有機材料で形成されるが、中間層１１２の有機発光層が低分子有機材料で形成される場合、有機発光層を中心に第１電極１１０の方向にホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）及びホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）などが積層され、第２電極１１３方向に電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが積層される。それ以外にも、必要に応じて多様な層が積層されうる。中間層１１２に使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様な適用例が含まれうる。
【００５６】
一方、中間層１１２の有機発光層が高分子有機材料で形成される場合には、有機発光層を中心に第１電極１１０の方向にホール輸送層（ＨＴＬ）のみ含まれうる。前記高分子ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用してインクジェットプリンティングやスピンコーティングの方法により画素電極２１２上に形成され、高分子有機発光層はＰＰＶ、可溶性ＰＰＶ、シアノＰＰＶ、ポリフルオレンなどが使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。
【００５７】
この時、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３に備えられたそれぞれの中間層１１２は、相異なる可視光線を発光する有機発光層を備えることができる。
【００５８】
中間層１１２上に第２電極１１３が形成される。第２電極１１３は、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明導電材料を蒸着して形成できる。
【００５９】
本実施形態では、第１電極１１０をアノード、第２電極１１３をカソードと定義して説明したが、これらの極性は互いに逆になってもよい。
【００６０】
第２電極１１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素などから中間層１１２及びその他の層を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このためにガラス、プラスチックまたは有機材料と無機材料との複数の重畳した構造であってもよい。
【００６１】
本実施形態の有機発光表示装置１００のゲート絶縁層１０４は、複数の離隔したパターン部を持つように形成される。すなわち、ゲート絶縁層１０４が一体に形成されない。
【００６２】
ゲート絶縁層１０４は通常無機材料で形成するが、これらの無機層は柔軟性が少なくて有機発光表示装置１００の柔軟性を向上させるのに問題がありうる。しかし、本実施形態では、ゲート絶縁層１０４をパターニングして該ゲート絶縁層１０４にパターン部を持たせてゲート絶縁層１０４のサイズを最小化し、有機発光表示装置１００の柔軟性を向上させることができる。
【００６３】
またゲート絶縁層１０４が離隔したパターン部を持つので、パターン部間に離隔した空間が存在する。そして、これらの空間は、有機発光表示装置１００の外部から加えられた圧力を緩衝し、これによって有機発光表示装置１００の柔軟性向上効果が増大する。
【００６４】
またゲート絶縁層１０４のパターン部を形成する時、可視光線が発生する中間層１１２と重畳させない。これによって、有機発光表示装置１００の領域のうち、特に中間層１１２に対応する部分の柔軟性を向上させることができ、有機発光表示装置１００の適用分野を多様にすることができる。
【００６５】
一方、本実施形態の有機発光表示装置１００はエッチングストッパー１０６を備えるが、エッチングストッパー１０６の外郭エッジがゲート絶縁層１０４の領域から外れないようにする。エッチングストッパー１０６を無機材料で形成する時、エッチングストッパー１０６も有機発光表示装置１００の柔軟性に影響を与える。しかし、本実施形態では、エッチングストッパー１０６をパターニングする時にゲート絶縁層１０４の領域から外れないようにする。これによって、ゲート絶縁層１０４の形態による有機発光表示装置１００の柔軟性向上効果を増大させる。
【００６６】
図３は、本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００６７】
図３には１個の副画素のみ図示されているが、これは説明の便宜のためのものであって、前述した実施形態の図１と同様に複数の副画素が含まれ得ることはいうまでもない。
【００６８】
有機発光表示装置２００は、基板２０１、ＴＦＴ、第１電極２１０、中間層２１２及び第２電極２１３を備える。
【００６９】
ＴＦＴは、ゲート電極２０３、ゲート絶縁層２０４、活性層２０５、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８を備える。
【００７０】
具体的に、基板２０１上にバッファ層２０２が配置され、バッファ層２０２上に所定パターンのゲート電極２０３を形成する。ゲート電極２０３上にゲート絶縁層２０４が配置される。この時、ゲート絶縁層２０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層２０４は一体に延びた形態に形成されない。
【００７１】
図示していないが、ゲート絶縁層２０４は、図１及び図２に示したように、各副画素別に分離されて離隔したパターン部を備える。
【００７２】
ゲート絶縁層２０４上に活性層２０５が配置され、活性層２０５上にエッチングストッパー２０６が配置される。活性層２０５と連結されるように、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８が形成される。この時、エッチングストッパー２０６の外郭エッジはゲート絶縁層２０４の領域から外れないようにする。
【００７３】
ソース電極２０７及びドレイン電極２０８と連結されるように第１電極２１０が形成される。この時、第１電極２１０はバッファ層２０２上に形成される。すなわち、第１電極２１０はゲート電極２０３と同じ層に配置される。
【００７４】
第１電極２１０、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８上に画素定義層２１１が形成される。画素定義層２１１は、第１電極２１０を露出させるように開口部２１１ａを備える。
【００７５】
開口部２１１ａ内に第１電極２１０と当接するように中間層２１２を形成する。中間層２１２は有機発光層（図示せず）を備える。
【００７６】
中間層２１２は、下部のゲート絶縁層２０４と重畳しない。このために、第１電極２１０及び開口部２１１ａの位置を調節する。
【００７７】
中間層２１２上に第２電極２１３が形成される。第２電極２１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。
【００７８】
本実施形態の有機発光表示装置２００のゲート絶縁層２０４は複数の離隔したパターン部を持つように形成され、可視光線が発生する中間層２１２と重畳しないように形成されるので有機発光表示装置２００の柔軟性が向上できる。一方、エッチングストッパー２０６の外郭エッジがゲート絶縁層２０４の領域から外れないようにして、有機発光表示装置２００の柔軟性向上効果を増大させる。
【００７９】
また本実施形態の有機発光表示装置２００は、第１電極２１０がゲート電極２０３と同様にバッファ層２０２上に配置される。すなわち、本実施形態の有機発光表示装置２００は、平坦化層に対応する絶縁層の厚さが薄くなる。使われる絶縁層を薄くして有機発光表示装置２００の柔軟性をさらに増大させ、フレキシブル表示装置を容易に実現する。
【００８０】
図４は、本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００８１】
図４には、１個の副画素のみ図示されているが、これは説明の便宜上のためのものであって、前述した実施形態の図１と同様に複数の副画素が含まれ得ることは言うまでもない。
【００８２】
有機発光表示装置３００は、基板３０１、ＴＦＴ、第１電極３１０、中間層３１２及び第２電極３１３を備える。
【００８３】
ＴＦＴは、ゲート電極３０３、ゲート絶縁層３０４、活性層３０５、ソース電極３０７及びドレイン電極３０８を備える。
【００８４】
具体的には、基板３０１上にバッファ層３０２が配置され、バッファ層３０２上に所定パターンのゲート電極３０３を形成する。ゲート電極３０３上にゲート絶縁層３０４が配置される。この時、ゲート絶縁層３０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層３０４は一体に延びた形態に形成されない。
【００８５】
図示していないが、ゲート絶縁層３０４は、図１及び図２に示したように各副画素別に分離されて離隔したパターン部を備える。
【００８６】
ゲート絶縁層３０４上に活性層３０５が配置され、活性層３０５上にエッチングストッパー３０６が配置される。活性層３０５と連結されるようにソース電極３０７及びドレイン電極３０８が形成される。この時、エッチングストッパー３０６の外郭エッジはゲート絶縁層３０４の領域から外れないようにする。
【００８７】
ソース電極３０７及びドレイン電極３０８のうちいずれか一つの電極と一体に第１電極３１０が形成される。図４には、ドレイン電極３０８が長く延びるように形成されていることが図示されている。ドレイン電極３０８は長く延びてドレイン電極３０８の一端は第１電極３１０になるが、第１電極３１０はバッファ層３０２上に形成される。すなわち、第１電極３１０はゲート電極３０３と同じ層に配置される。
【００８８】
第１電極３１０、ソース電極３０７及びドレイン電極３０８上に画素定義層３１１が形成される。画素定義層３１１は、第１電極３１０を露出させるように開口部３１１ａを備える。
【００８９】
開口部３１１ａ内に第１電極３１０と当接するように中間層３１２を形成する。中間層３１２は有機発光層（図示せず）を備える。
【００９０】
中間層３１２は下部のゲート絶縁層３０４と重畳しない。このために第１電極３１０及び開口部３１１ａの位置を調節する。
【００９１】
中間層３１２上に第２電極３１３が形成される。第２電極３１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。
【００９２】
本実施形態の有機発光表示装置３００のゲート絶縁層３０４は、複数の離隔したパターン部を持つように形成され、可視光線が発生する中間層３１２と重畳しないように形成されるので、有機発光表示装置３００の柔軟性を向上できる。一方、エッチングストッパー２０６の外郭エッジがゲート絶縁層３０４の領域から外れないようにして、有機発光表示装置３００の柔軟性向上効果を増大させる。
【００９３】
また本実施形態の有機発光表示装置３００は、第１電極３１０がドレイン電極３０８と一体に形成され、ゲート電極３０３と同様にバッファ層３０２上に配置される。すなわち、本実施形態の有機発光表示装置３００は、平坦化層に対応する絶縁層の厚さが薄くなる。これによって有機発光表示装置３００の柔軟性がさらに増大し、フレキシブル表示装置を容易に実現できる。
【００９４】
また第１電極３１０とソース電極３０７及びドレイン電極３０８とを同時に形成できるので、工程の効率性が向上する。
【００９５】
図５は、本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００９６】
図５には、１個の副画素のみ図示されているが、これは説明の便宜のためのものであって、前述した実施形態の図１と同様に複数の副画素が含まれ得ることは言うまでもない。
【００９７】
有機発光表示装置４００は、基板４０１、ＴＦＴ、第１電極４１０、中間層４１２及び第２電極４１３を備える。
【００９８】
ＴＦＴは、活性層４０３、ゲート絶縁層４０４、ゲート電極４０５、ソース電極４０７及びドレイン電極４０８を備える。
【００９９】
具体的に、基板４０１上にバッファ層４０２が配置され、バッファ層４０２上に所定パターンの活性層４０３を形成する。活性層４０３上にゲート絶縁層４０４が配置される。この時、ゲート絶縁層４０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層４０４は一体に延びた形態に形成されない。
【０１００】
図示していないが、ゲート絶縁層４０４は、図１及び図２に示したように各副画素別に分離されて離隔したパターン部を備える。
【０１０１】
ゲート絶縁層４０４上にゲート電極４０５が配置され、ゲート電極４０５上に層間絶縁層４０６が配置される。層間絶縁層４０６は、ゲート電極４０５とソース電極４０７及びドレイン電極４０８とを絶縁するように絶縁材料で形成される。層間絶縁層４０６は、活性層４０６の所定の領域を露出させるように形成され、このような活性層４０６の露出された領域と連結されるように、ソース電極４０７及びドレイン電極４０８が連結される。
【０１０２】
この時、層間絶縁層４０６の外郭エッジは、ゲート絶縁層４０４の領域から外れないようにする。すなわち、図５の基板４０１と厚さ方向を基準に、層間絶縁層４０６は、ゲート絶縁層４０４と重畳するように形成される。
【０１０３】
ソース電極４０７及びドレイン電極４０８上に平坦化層４０９が配置される。平坦化層４０９はコンタクトホール４０９ａを備え、コンタクトホール４０９ａを通じてドレイン電極４０８の所定の領域が露出される。
【０１０４】
ドレイン電極４０８と連結されるように第１電極４１０が形成される。第１電極４１０上に画素定義層４１１が形成される。画素定義層４１１は、第１電極４１０を露出させるように開口部４１１ａを備える。
【０１０５】
開口部４１１ａ内に第１電極４１０と当接するように中間層４１２を形成する。中間層４１２は有機発光層（図示せず）を備える。
【０１０６】
中間層４１２は下部のゲート絶縁層４０４と重畳しない。このために、第１電極４１０及び開口部４１１ａの位置を調節する。
【０１０７】
中間層４１２上に第２電極４１３が形成される。第２電極４１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。
【０１０８】
本実施形態の有機発光表示装置４００のゲート絶縁層４０４は、複数の離隔したパターン部を持つように形成され、可視光線が発生する中間層４１２と重畳しないように形成されるので、有機発光表示装置４００の柔軟性を向上できる。一方、層間絶縁層４０６の外郭エッジがゲート絶縁層４０４の領域から外れないようにして、有機発光表示装置４００の柔軟性向上効果を増大させる。
【０１０９】
図６は、本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と相異な点を中心に説明する。
【０１１０】
図６には、１個の副画素のみが図示されているが、これは説明の便宜のためのものであって、前述した実施形態の図１と同様に、複数の副画素が含まれ得ることは言うまでもない。
【０１１１】
有機発光表示装置５００は、基板５０１、ＴＦＴ、第１電極５１０、中間層５１２及び第２電極５１３を備える。
【０１１２】
ＴＦＴは、活性層５０３、ゲート絶縁層５０４、ゲート電極５０５、ソース電極５０７及びドレイン電極５０８を備える。
【０１１３】
具体的に、基板５０１上にバッファ層５０２が配置され、バッファ層５０２上に所定パターンの活性層５０３を形成する。活性層５０３上にゲート絶縁層５０４が配置される。この時、ゲート絶縁層５０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層５０４は一体に延びた形態に形成されない。
【０１１４】
図示していないが、ゲート絶縁層５０４は、図１及び図２に示したように各副画素別に分離されて、離隔したパターン部を備える。
【０１１５】
ゲート絶縁層５０４上にゲート電極５０５が配置され、ゲート電極５０５上に層間絶縁層５０６が配置される。層間絶縁層５０６は、ゲート電極５０５とソース電極５０７及びドレイン電極５０８とを絶縁するように絶縁材料で形成される。層間絶縁層５０６は、活性層５０６の所定の領域を露出させるように形成され、このような活性層５０６の露出された領域と連結されるように、ソース電極５０７及びドレイン電極５０８が連結される。
【０１１６】
この時、層間絶縁層５０６の外郭エッジはゲート絶縁層５０４の領域から外れないようにする。
【０１１７】
ソース電極５０７及びドレイン電極５０８と一体に第１電極５１０が形成される。すなわち、ソース電極５０７及びドレイン電極５０８のうち一つの電極は、長く延びた形態に形成される。図６には、ドレイン電極５０８が長く延びるように形成されていることが図示されている。ドレイン電極５０８は長く延びて、ドレイン電極５０８の一端は第１電極５１０になるが、第１電極５１０はバッファ層５０２上に形成される。すなわち、第１電極５１０は活性層５０３と同じ層に配置される。
【０１１８】
第１電極５１０、ソース電極５０７及びドレイン電極５０８上に画素定義層５１１が形成される。画素定義層５１１は、第１電極５１０を露出させるように開口部５１１ａを備える。
【０１１９】
開口部５１１ａ内に第１電極５１０と当接するように中間層５１２を形成する。中間層５１２は有機発光層（図示せず）を備える。
【０１２０】
中間層５１２は下部のゲート絶縁層５０４と重畳しない。このために第１電極５１０及び開口部５１１ａの位置を調節する。
【０１２１】
中間層５１２上に第２電極５１３が形成される。第２電極５１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。
【０１２２】
本実施形態の有機発光表示装置５００のゲート絶縁層５０４は、複数の離隔したパターン部を持つように形成され、可視光線が発生する中間層５１２と重畳しないように形成されるので、有機発光表示装置５００の柔軟性が向上できる。一方、層間絶縁層５０６の外郭エッジがゲート絶縁層５０４の領域から外れないようにして、有機発光表示装置５００の柔軟性向上効果を増大させる。
【０１２３】
また本実施形態の有機発光表示装置５００は、第１電極５１０がドレイン電極５０８と一体に形成され、活性層５０３と同様にバッファ層５０２上に配置される。すなわち、本実施形態の有機発光表示装置５００は、平坦化層に対応する絶縁層の厚さが薄くなる。これによって有機発光表示装置５００の柔軟性がさらに増大し、フレキシブル表示装置を実現しやすくなる。
【０１２４】
また第１電極５１０とソース電極５０７及びドレイン電極５０８とを同時に形成できるので、工程の効率性が向上する。
【０１２５】
図７は、本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と相異な点を中心に説明する。
【０１２６】
図７には１個の副画素のみ図示されているが、これは説明の便宜上のためのものであって、前述した実施形態の図１と同様に複数の副画素が含まれ得ることは言うまでもない。
【０１２７】
有機発光表示装置６００は、基板６０１、ＴＦＴ、第１電極６１０、中間層６１２及び第２電極６１３を備える。
【０１２８】
ＴＦＴは、活性層６０３、ゲート絶縁層６０４、ゲート電極６０５、ソース電極６０７及びドレイン電極６０８を備える。
【０１２９】
具体的に、基板６０１上にバッファ層６０２が配置され、バッファ層６０２上に所定パターンの活性層６０３を形成する。活性層６０３上にゲート絶縁層６０４が配置される。この時、ゲート絶縁層６０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層６０４は一体に延びた形態に形成されない。
【０１３０】
図示していないが、ゲート絶縁層６０４は、図１及び図２に示したように各副画素別に分離されて離隔したパターン部を備える。
【０１３１】
ゲート絶縁層６０４上にゲート電極６０５が配置され、ゲート電極６０５上に層間絶縁層６０６が配置される。層間絶縁層６０６は、ゲート電極６０５とソース電極６０７及びドレイン電極６０８とを絶縁するように絶縁材料で形成される。層間絶縁層６０６は、活性層６０６の所定の領域を露出させるように形成され、このような活性層６０６の露出された領域と連結されるように、ソース電極６０７及びドレイン電極６０８が連結される。
【０１３２】
この時、層間絶縁層６０６の外郭エッジはゲート絶縁層６０４の領域から外れないようにする。
【０１３３】
ソース電極６０７及びドレイン電極６０８と連結されるように第１電極６１０が形成される。この時、第１電極６１０はバッファ層６０２上に形成される。すなわち、第１電極６１０は活性層６０３と同じ層に配置される。
【０１３４】
第１電極６１０、ソース電極６０７及びドレイン電極６０８上に画素定義層６１１が形成される。画素定義層６１１は、第１電極６１０を露出させるように開口部６１１ａを備える。
【０１３５】
開口部６１１ａ内に第１電極６１０と当接するように中間層６１２を形成する。中間層６１２は有機発光層（図示せず）を備える。
【０１３６】
中間層６１２は、下部のゲート絶縁層６０４と重畳しない。このために、第１電極６１０及び開口部６１１ａの位置を調節する。
【０１３７】
中間層６１２上に第２電極６１３が形成される。第２電極６１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。
【０１３８】
本実施形態の有機発光表示装置６００のゲート絶縁層６０４は、複数の離隔したパターン部を持つように形成され、可視光線が発生する中間層６１２と重畳しないように形成されるので、有機発光表示装置６００の柔軟性が向上できる。一方、層間絶縁層６０６の外郭エッジがゲート絶縁層６０４の領域から外れないようにして、有機発光表示装置６００の柔軟性向上効果を増大させる。
【０１３９】
また本実施形態の有機発光表示装置６００は、第１電極６１０がゲート電極６０３と同様にバッファ層６０２上に配置される。すなわち、本実施形態の有機発光表示装置６００は、平坦化層に対応する絶縁層の厚さが薄くなる。これによって有機発光表示装置６００の柔軟性がさらに増大し、フレキシブル表示装置を実現しやすくなる。
【０１４０】
図面に図示された実施形態を参考にして説明してきたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【０１４１】
本発明は、有機発光表示装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１４２】
１００、２００、３００、４００、５００、６００ 有機発光表示装置
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１ 基板
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２ バッファ層
１０３、２０３、３０３、４０５、５０５、６０５ ゲート電極
１０４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４ ゲート絶縁層
１０５、２０５、３０５、４０３、５０３、６０３ 活性層
１０６、２０６、３０６ エッチングストッパー
４０６、５０６、６０６ 層間絶縁層
１０９、４０９ 平坦化層
１１０、２０１、３１０、４１０、５１０ 第１電極
１１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１ 画素定義層
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２ 中間層
１１３、２１３、３１３、４１３、５１３、６１３ 第２電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に係り、さらに詳細には、柔軟性が容易に向上できる有機発光表示装置である。
【背景技術】
【０００２】
最近の表示装置は、ポータブルな薄型の平板表示装置に代替されつつある。平板表示装置の中でも、有機または無機発光表示装置は自発光型表示装置であって、視野角が広くてコントラストに優れるだけでなく、応答速度が速いという長所があるので次世代表示装置として注目されている。また発光層の構成材料が有機材料で構成される有機発光表示装置は、無機発光表示装置に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れて多様な色相を具現できる長所を持っている。
【０００３】
有機発光表示装置は、有機発光層を中心にカソード電極、アノード電極が配置され、これらの両電極に電圧を加えれば、両電極に連結された有機発光層で可視光線を発生させる。
【０００４】
一方、最近にはフレキシブル表示装置についての研究が進んでおり、有機発光表示装置もフレキシブル表示装置の一つとして脚光を浴びている。
【０００５】
しかし、有機発光表示装置は複数の薄膜を備えており、例えば、ゲート絶縁層のような絶縁層を複数備える。
【０００６】
これらの絶縁層は有機発光表示装置の柔軟性を低減させ、特に、無機絶縁層の場合には、柔軟性をさらに低減させる。
【０００７】
これによって、所望の特性を持つフレキシブルな有機発光表示装置を製造するのに限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、柔軟性が容易に向上できる有機発光表示装置を提供できる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板と、前記基板上に配置され、活性層、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）と、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に連結される第１電極と、前記第１電極と対向するように配置された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、有機発光層を備える中間層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と前記活性層とを絶縁するように配置され、複数の離隔したパターン部を備える有機発光表示装置を開示する。
【００１０】
本発明において、前記有機発光表示装置は複数の副画素を備え、前記各副画素には少なくとも一つの前記パターン部が配置される。
【００１１】
本発明において、前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記中間層と重畳しないように形成される。
【００１２】
本発明において、前記基板上に前記ゲート電極が配置され、前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁層が配置され、前記ゲート絶縁層上に前記活性層が配置され、前記活性層上に前記ソース電極及びドレイン電極が配置され、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、前記活性層の所定の部分を露出させるようにパターニングされたエッチングストッパーをさらに備える。
【００１３】
本発明において、前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記エッチングストッパーは前記中間層と重畳しないように形成される。
【００１４】
本発明において、前記基板の厚さ方向を基準に、前記エッチングストッパーの外郭エッジは前記ゲート絶縁層の領域から外れない。
【００１５】
本発明において、前記ＴＦＴ上に、絶縁材料からなってコンタクトホールを備える平坦化層が配置され、前記第１電極は前記平坦化層上に配置され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極または前記ドレイン電極と連結され、前記第１電極上に開口部を備える画素定義層が配置され、前記中間層は、前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結される。
【００１６】
本発明において、前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記開口部と重畳しないように形成される。
【００１７】
本発明において、前記第１電極と前記ゲート電極とは同一層上に形成される。
【００１８】
本発明において、前記基板上に前記活性層が配置され、前記活性層上に前記ゲート絶縁層が配置され、前記ゲート絶縁層上に前記ゲート電極が配置され、前記ゲート電極上に前記ソース電極及びドレイン電極が配置され、前記ゲート電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、前記活性層の所定の部分を露出させるようにパターニングされた層間絶縁層をさらに備える。
【００１９】
本発明において、前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記層間絶縁層は前記中間層と重畳しないように形成される。
【００２０】
本発明において、前記基板の厚さ方向を基準に、前記層間絶縁層の外郭エッジは前記ゲート絶縁層の領域から外れない。
【００２１】
本発明において、記ＴＦＴ上に、絶縁材料からなってコンタクトホールを備える平坦化層が配置され、前記第１電極は前記平坦化層上に配置され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極または前記ドレイン電極と連結され、前記第１電極上に開口部を備える画素定義層が配置され、前記中間層は前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結される。
【００２２】
本発明において、前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記開口部と重畳しないように形成される。
【００２３】
本発明において、前記第１電極と前記活性層とは同一層上に形成される。
【００２４】
本発明において、前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか一つの電極は、一方向に延びて前記第１電極と一体に形成される。
【００２５】
本発明において、前記基板は柔軟な素材で形成される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の有機発光表示装置は、柔軟性が容易に向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図２】図１のＡから見た平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付した図面に図示された本発明に関する実施形態を参照して本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図であり、図２は図１のＡで見た平面図である。
【００３０】
本実施形態の有機発光表示装置１００は、基板１０１上に副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３が配置され、各副画素には薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）、第１電極１１０、有機発光層を備える中間層１１２及び第２電極１１３が配置される。
【００３１】
有機発光表示装置１００は複数の副画素を備えるが、図１には、説明の便宜のために３個の副画素を図示し、左側から第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２、第３副画素ＳＰ３と定義する。
【００３２】
各副画素にＴＦＴが形成されるが、図１には、各副画素に１個のＴＦＴが配置されたことが図示されたが、本発明はこれらに限定されず、必要な場合に複数のＴＦＴが含まれてもよい。
【００３３】
ＴＦＴは、ゲート電極１０３、ゲート絶縁層１０４、活性層１０５、ソース電極１０７及びドレイン電極１０８を備える。
【００３４】
具体的に図１及び図２を参照しつつ、各部材の構成について説明する。説明の便宜のために、図２には、ゲート絶縁層１０４及び第１電極１１０のみ図示した。
【００３５】
まず基板１０１は、柔軟性のある材料で形成されることが望ましい。基板１０１はプラスチック材質で形成できる。例えば、基板１０１は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなる群から選択される有機材料を含むことができる。
【００３６】
画像が基板１０１方向に具現される背面発光型である場合に、基板１０１は透明な材質で形成せねばならない。しかし、画像が基板１０１の逆方向に具現される前面発光型である場合に、基板１０１は必ずしも透明な材質で形成する必要はない。この場合、金属で基板１０１を形成できる。金属で基板１０１を形成する場合、基板１０１は炭素、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、インバー合金、インコネル合金及びコバール合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これらに限定されるものではない。基板１０１は金属ホイルで形成してもよい。
【００３７】
基板１０１の上面は平滑な面を成しており、基板１０１から後述する基板１０１上の膜への不純物元素の浸透を抑制するために、基板１０１上にバッファ層１０２を形成できる。
【００３８】
バッファ層１０２上に所定パターンのゲート電極１０３を形成する。ゲート電極１０３は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｍｏ、またはＡｌ及びＮｄの合金、Ｍｏ及びＷの合金などの金属または金属の合金からなりうるが、これらに限定されず、隣接層との密着性、平坦性、電気抵抗及び加工性などを考慮して多様な材料が使用できる。ゲート電極１０３は、ＴＦＴのオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。
【００３９】
ゲート電極１０３上にゲート絶縁層１０４が配置される。ゲート絶縁層１０４は、活性層１０５とゲート電極１０３とを絶縁するためのものであって、有機材料またはＳｉＮｘ、ＳｉＯ２などの無機材料で形成できる。
【００４０】
この時、ゲート絶縁層１０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層１０４は一体に延びた形態に形成されない。
【００４１】
ゲート絶縁層１０４は、第１パターン部１０４ａ、第２パターン部１０４ｂ、及び第３パターン部１０４ｃを備える。第１パターン部１０４ａは第１副画素ＳＰ１に配置され、第２パターン部１０４ｂは第２副画素ＳＰ２に配置され、第３パターン部１０４ｃは第３副画素ＳＰ３に配置される。そして、第１パターン部１０４ａ、第２パターン部１０４ｂ、第３パターン部１０４ｃは互いに離隔している。
【００４２】
ゲート絶縁層１０４の第１パターン部１０４ａ、第２パターン部１０４ｂ、及び第３パターン部１０４ｃの形状は同一である。しかし、本発明はこれらに限定されない。すなわち、ゲート絶縁層１０４のパターン部の形状は、有機発光表示装置１００に備えられたＴＦＴの形態によって変わる。すなわち、ゲート絶縁層１０４の各パターン部は、ゲート電極１０３と活性層１０５とを絶縁するための適宜な形態で形成される。この時、ゲート絶縁層１０４のパターン部は、ゲート電極１０３と活性層１０５とを絶縁するための最小のサイズに形成されることが望ましい。パターン部のサイズが大きいとゲート絶縁層１０４の各パターン部間の離隔した空間が広くなる。
【００４３】
第１パターン部１０４ａ、第２パターン部１０４ｂ、第３パターン部１０４ｃは説明の便宜のためのものであって、図２に示したように、ゲート絶縁層１０４は、３個以上の複数のパターン部を備えることができる。
【００４４】
またゲート絶縁層１０４は、第４パターン部１０４ｄ及び第５パターン部１０４ｅを備えるが、これは、有機発光表示装置１００のスキャンライン（図示せず）とデータライン（図示せず）とが重畳する部分、及びスキャンラインと電源ライン（図示せず）とが重畳する部分に配置される。第４パターン部１０４ｄ及び第５パターン部１０４ｅは、スキャンラインとデータラインとが重畳する部分、及びスキャンラインと電源ラインとが重畳する部分を絶縁するための最小のサイズに形成される。
【００４５】
ゲート絶縁層１０４上に活性層１０５が配置される。活性層１０５は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンのような無機半導体や有機半導体で形成され、ソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域を備える。
【００４６】
ソース及びドレイン領域は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンで形成した活性層１０５に不純物をドーピングして形成できる。３族元素であるホウ素（Ｂ）などでドーピングすれば、ｐ型半導体を形成し、５族元素である窒素（Ｎ）などでドーピングすれば、ｎ型半導体を形成できる。
【００４７】
活性層１０５とソース電極１０７及びドレイン電極１０８との間にエッチングストッパー１０６が配置される。エッチングストッパー１０６は、活性層１０５にチャネルを形成するために絶縁材料で形成され、活性層１０５の所定の領域を露出させるようにパターニングされ、これらの活性層１０５の露出された部分にソース電極１０７及びドレイン電極１０８が連結される。
【００４８】
この時、エッチングストッパー１０６の外郭エッジは、ゲート絶縁層１０４の領域から外れないようにする。すなわち、図１のＡ方向から見た時、エッチングストッパー１０６はゲート絶縁層１０４と重畳する。
【００４９】
ソース電極１０７及びドレイン電極１０８は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ａｌ、及びＭｏを含むことができる。またソース電極１０７及びドレイン電極１０８は、Ａｌ：Ｎｄ合金、ＭｏＷ合金などの２種以上の金属からなる合金が使用できるが、これらに限定されない。
【００５０】
ソース電極１０７及びドレイン電極１０８上に平坦化層１０９が配置される。平坦化層１０９はコンタクトホール１０９ａを備え、コンタクトホール１０９ａを通じてドレイン電極１０８の所定の領域が露出される。平坦化層１０９は多様な絶縁材料で形成できる。
【００５１】
コンタクトホール１０９ａを通じて第１電極１１０をドレイン電極１０８と当接させる。第１電極１１０は透明電極または反射電極で形成できる。第１電極１１０を透明電極で形成する時は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成でき、反射電極で形成する時には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物で反射層を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で層を形成することによって形成できる。
【００５２】
第１電極１１０上に画素定義層１１１が形成される。画素定義層１１１は絶縁材料で形成される。画素定義層１１１は、第１電極１１０を露出させるように開口部１１１ａを備える。
【００５３】
開口部１１１ａ内に第１電極１１０と当接するように中間層１１２を形成する。中間層１１２は有機発光層を備えるが、有機発光層は第１電極１１０と第２電極１１３との電気的駆動により発光する。
【００５４】
中間層１１２は下部のゲート絶縁層１０４と重畳しない。このために、第１電極１１０及び開口部１１１ａの位置を調節する。
【００５５】
中間層１１２は有機材料で形成されるが、中間層１１２の有機発光層が低分子有機材料で形成される場合、有機発光層を中心に第１電極１１０の方向にホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）及びホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）などが積層され、第２電極１１３方向に電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが積層される。それ以外にも、必要に応じて多様な層が積層されうる。中間層１１２に使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様な適用例が含まれうる。
【００５６】
一方、中間層１１２の有機発光層が高分子有機材料で形成される場合には、有機発光層を中心に第１電極１１０の方向にホール輸送層（ＨＴＬ）のみ含まれうる。前記高分子ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用してインクジェットプリンティングやスピンコーティングの方法により画素電極２１２上に形成され、高分子有機発光層はＰＰＶ、可溶性ＰＰＶ、シアノＰＰＶ、ポリフルオレンなどが使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。
【００５７】
この時、第１副画素ＳＰ１、第２副画素ＳＰ２及び第３副画素ＳＰ３に備えられたそれぞれの中間層１１２は、相異なる可視光線を発光する有機発光層を備えることができる。
【００５８】
中間層１１２上に第２電極１１３が形成される。第２電極１１３は、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明導電材料を蒸着して形成できる。
【００５９】
本実施形態では、第１電極１１０をアノード、第２電極１１３をカソードと定義して説明したが、これらの極性は互いに逆になってもよい。
【００６０】
第２電極１１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素などから中間層１１２及びその他の層を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このためにガラス、プラスチックまたは有機材料と無機材料との複数の重畳した構造であってもよい。
【００６１】
本実施形態の有機発光表示装置１００のゲート絶縁層１０４は、複数の離隔したパターン部を持つように形成される。すなわち、ゲート絶縁層１０４が一体に形成されない。
【００６２】
ゲート絶縁層１０４は通常無機材料で形成するが、これらの無機層は柔軟性が少なくて有機発光表示装置１００の柔軟性を向上させるのに問題がありうる。しかし、本実施形態では、ゲート絶縁層１０４をパターニングして該ゲート絶縁層１０４にパターン部を持たせてゲート絶縁層１０４のサイズを最小化し、有機発光表示装置１００の柔軟性を向上させることができる。
【００６３】
またゲート絶縁層１０４が離隔したパターン部を持つので、パターン部間に離隔した空間が存在する。そして、これらの空間は、有機発光表示装置１００の外部から加えられた圧力を緩衝し、これによって有機発光表示装置１００の柔軟性向上効果が増大する。
【００６４】
またゲート絶縁層１０４のパターン部を形成する時、可視光線が発生する中間層１１２と重畳させない。これによって、有機発光表示装置１００の領域のうち、特に中間層１１２に対応する部分の柔軟性を向上させることができ、有機発光表示装置１００の適用分野を多様にすることができる。
【００６５】
一方、本実施形態の有機発光表示装置１００はエッチングストッパー１０６を備えるが、エッチングストッパー１０６の外郭エッジがゲート絶縁層１０４の領域から外れないようにする。エッチングストッパー１０６を無機材料で形成する時、エッチングストッパー１０６も有機発光表示装置１００の柔軟性に影響を与える。しかし、本実施形態では、エッチングストッパー１０６をパターニングする時にゲート絶縁層１０４の領域から外れないようにする。これによって、ゲート絶縁層１０４の形態による有機発光表示装置１００の柔軟性向上効果を増大させる。
【００６６】
図３は、本発明の他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００６７】
図３には１個の副画素のみ図示されているが、これは説明の便宜のためのものであって、前述した実施形態の図１と同様に複数の副画素が含まれ得ることはいうまでもない。
【００６８】
有機発光表示装置２００は、基板２０１、ＴＦＴ、第１電極２１０、中間層２１２及び第２電極２１３を備える。
【００６９】
ＴＦＴは、ゲート電極２０３、ゲート絶縁層２０４、活性層２０５、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８を備える。
【００７０】
具体的に、基板２０１上にバッファ層２０２が配置され、バッファ層２０２上に所定パターンのゲート電極２０３を形成する。ゲート電極２０３上にゲート絶縁層２０４が配置される。この時、ゲート絶縁層２０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層２０４は一体に延びた形態に形成されない。
【００７１】
図示していないが、ゲート絶縁層２０４は、図１及び図２に示したように、各副画素別に分離されて離隔したパターン部を備える。
【００７２】
ゲート絶縁層２０４上に活性層２０５が配置され、活性層２０５上にエッチングストッパー２０６が配置される。活性層２０５と連結されるように、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８が形成される。この時、エッチングストッパー２０６の外郭エッジはゲート絶縁層２０４の領域から外れないようにする。
【００７３】
ソース電極２０７及びドレイン電極２０８と連結されるように第１電極２１０が形成される。この時、第１電極２１０はバッファ層２０２上に形成される。すなわち、第１電極２１０はゲート電極２０３と同じ層に配置される。
【００７４】
第１電極２１０、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８上に画素定義層２１１が形成される。画素定義層２１１は、第１電極２１０を露出させるように開口部２１１ａを備える。
【００７５】
開口部２１１ａ内に第１電極２１０と当接するように中間層２１２を形成する。中間層２１２は有機発光層（図示せず）を備える。
【００７６】
中間層２１２は、下部のゲート絶縁層２０４と重畳しない。このために、第１電極２１０及び開口部２１１ａの位置を調節する。
【００７７】
中間層２１２上に第２電極２１３が形成される。第２電極２１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。
【００７８】
本実施形態の有機発光表示装置２００のゲート絶縁層２０４は複数の離隔したパターン部を持つように形成され、可視光線が発生する中間層２１２と重畳しないように形成されるので有機発光表示装置２００の柔軟性が向上できる。一方、エッチングストッパー２０６の外郭エッジがゲート絶縁層２０４の領域から外れないようにして、有機発光表示装置２００の柔軟性向上効果を増大させる。
【００７９】
また本実施形態の有機発光表示装置２００は、第１電極２１０がゲート電極２０３と同様にバッファ層２０２上に配置される。すなわち、本実施形態の有機発光表示装置２００は、平坦化層に対応する絶縁層の厚さが薄くなる。使われる絶縁層を薄くして有機発光表示装置２００の柔軟性をさらに増大させ、フレキシブル表示装置を容易に実現する。
【００８０】
図４は、本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００８１】
図４には、１個の副画素のみ図示されているが、これは説明の便宜上のためのものであって、前述した実施形態の図１と同様に複数の副画素が含まれ得ることは言うまでもない。
【００８２】
有機発光表示装置３００は、基板３０１、ＴＦＴ、第１電極３１０、中間層３１２及び第２電極３１３を備える。
【００８３】
ＴＦＴは、ゲート電極３０３、ゲート絶縁層３０４、活性層３０５、ソース電極３０７及びドレイン電極３０８を備える。
【００８４】
具体的には、基板３０１上にバッファ層３０２が配置され、バッファ層３０２上に所定パターンのゲート電極３０３を形成する。ゲート電極３０３上にゲート絶縁層３０４が配置される。この時、ゲート絶縁層３０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層３０４は一体に延びた形態に形成されない。
【００８５】
図示していないが、ゲート絶縁層３０４は、図１及び図２に示したように各副画素別に分離されて離隔したパターン部を備える。
【００８６】
ゲート絶縁層３０４上に活性層３０５が配置され、活性層３０５上にエッチングストッパー３０６が配置される。活性層３０５と連結されるようにソース電極３０７及びドレイン電極３０８が形成される。この時、エッチングストッパー３０６の外郭エッジはゲート絶縁層３０４の領域から外れないようにする。
【００８７】
ソース電極３０７及びドレイン電極３０８のうちいずれか一つの電極と一体に第１電極３１０が形成される。図４には、ドレイン電極３０８が長く延びるように形成されていることが図示されている。ドレイン電極３０８は長く延びてドレイン電極３０８の一端は第１電極３１０になるが、第１電極３１０はバッファ層３０２上に形成される。すなわち、第１電極３１０はゲート電極３０３と同じ層に配置される。
【００８８】
第１電極３１０、ソース電極３０７及びドレイン電極３０８上に画素定義層３１１が形成される。画素定義層３１１は、第１電極３１０を露出させるように開口部３１１ａを備える。
【００８９】
開口部３１１ａ内に第１電極３１０と当接するように中間層３１２を形成する。中間層３１２は有機発光層（図示せず）を備える。
【００９０】
中間層３１２は下部のゲート絶縁層３０４と重畳しない。このために第１電極３１０及び開口部３１１ａの位置を調節する。
【００９１】
中間層３１２上に第２電極３１３が形成される。第２電極３１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。
【００９２】
本実施形態の有機発光表示装置３００のゲート絶縁層３０４は、複数の離隔したパターン部を持つように形成され、可視光線が発生する中間層３１２と重畳しないように形成されるので、有機発光表示装置３００の柔軟性を向上できる。一方、エッチングストッパー２０６の外郭エッジがゲート絶縁層３０４の領域から外れないようにして、有機発光表示装置３００の柔軟性向上効果を増大させる。
【００９３】
また本実施形態の有機発光表示装置３００は、第１電極３１０がドレイン電極３０８と一体に形成され、ゲート電極３０３と同様にバッファ層３０２上に配置される。すなわち、本実施形態の有機発光表示装置３００は、平坦化層に対応する絶縁層の厚さが薄くなる。これによって有機発光表示装置３００の柔軟性がさらに増大し、フレキシブル表示装置を容易に実現できる。
【００９４】
また第１電極３１０とソース電極３０７及びドレイン電極３０８とを同時に形成できるので、工程の効率性が向上する。
【００９５】
図５は、本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００９６】
図５には、１個の副画素のみ図示されているが、これは説明の便宜のためのものであって、前述した実施形態の図１と同様に複数の副画素が含まれ得ることは言うまでもない。
【００９７】
有機発光表示装置４００は、基板４０１、ＴＦＴ、第１電極４１０、中間層４１２及び第２電極４１３を備える。
【００９８】
ＴＦＴは、活性層４０３、ゲート絶縁層４０４、ゲート電極４０５、ソース電極４０７及びドレイン電極４０８を備える。
【００９９】
具体的に、基板４０１上にバッファ層４０２が配置され、バッファ層４０２上に所定パターンの活性層４０３を形成する。活性層４０３上にゲート絶縁層４０４が配置される。この時、ゲート絶縁層４０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層４０４は一体に延びた形態に形成されない。
【０１００】
図示していないが、ゲート絶縁層４０４は、図１及び図２に示したように各副画素別に分離されて離隔したパターン部を備える。
【０１０１】
ゲート絶縁層４０４上にゲート電極４０５が配置され、ゲート電極４０５上に層間絶縁層４０６が配置される。層間絶縁層４０６は、ゲート電極４０５とソース電極４０７及びドレイン電極４０８とを絶縁するように絶縁材料で形成される。層間絶縁層４０６は、活性層４０６の所定の領域を露出させるように形成され、このような活性層４０６の露出された領域と連結されるように、ソース電極４０７及びドレイン電極４０８が連結される。
【０１０２】
この時、層間絶縁層４０６の外郭エッジは、ゲート絶縁層４０４の領域から外れないようにする。すなわち、図５の基板４０１と厚さ方向を基準に、層間絶縁層４０６は、ゲート絶縁層４０４と重畳するように形成される。
【０１０３】
ソース電極４０７及びドレイン電極４０８上に平坦化層４０９が配置される。平坦化層４０９はコンタクトホール４０９ａを備え、コンタクトホール４０９ａを通じてドレイン電極４０８の所定の領域が露出される。
【０１０４】
ドレイン電極４０８と連結されるように第１電極４１０が形成される。第１電極４１０上に画素定義層４１１が形成される。画素定義層４１１は、第１電極４１０を露出させるように開口部４１１ａを備える。
【０１０５】
開口部４１１ａ内に第１電極４１０と当接するように中間層４１２を形成する。中間層４１２は有機発光層（図示せず）を備える。
【０１０６】
中間層４１２は下部のゲート絶縁層４０４と重畳しない。このために、第１電極４１０及び開口部４１１ａの位置を調節する。
【０１０７】
中間層４１２上に第２電極４１３が形成される。第２電極４１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。
【０１０８】
本実施形態の有機発光表示装置４００のゲート絶縁層４０４は、複数の離隔したパターン部を持つように形成され、可視光線が発生する中間層４１２と重畳しないように形成されるので、有機発光表示装置４００の柔軟性を向上できる。一方、層間絶縁層４０６の外郭エッジがゲート絶縁層４０４の領域から外れないようにして、有機発光表示装置４００の柔軟性向上効果を増大させる。
【０１０９】
図６は、本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と相異な点を中心に説明する。
【０１１０】
図６には、１個の副画素のみが図示されているが、これは説明の便宜のためのものであって、前述した実施形態の図１と同様に、複数の副画素が含まれ得ることは言うまでもない。
【０１１１】
有機発光表示装置５００は、基板５０１、ＴＦＴ、第１電極５１０、中間層５１２及び第２電極５１３を備える。
【０１１２】
ＴＦＴは、活性層５０３、ゲート絶縁層５０４、ゲート電極５０５、ソース電極５０７及びドレイン電極５０８を備える。
【０１１３】
具体的に、基板５０１上にバッファ層５０２が配置され、バッファ層５０２上に所定パターンの活性層５０３を形成する。活性層５０３上にゲート絶縁層５０４が配置される。この時、ゲート絶縁層５０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層５０４は一体に延びた形態に形成されない。
【０１１４】
図示していないが、ゲート絶縁層５０４は、図１及び図２に示したように各副画素別に分離されて、離隔したパターン部を備える。
【０１１５】
ゲート絶縁層５０４上にゲート電極５０５が配置され、ゲート電極５０５上に層間絶縁層５０６が配置される。層間絶縁層５０６は、ゲート電極５０５とソース電極５０７及びドレイン電極５０８とを絶縁するように絶縁材料で形成される。層間絶縁層５０６は、活性層５０６の所定の領域を露出させるように形成され、このような活性層５０６の露出された領域と連結されるように、ソース電極５０７及びドレイン電極５０８が連結される。
【０１１６】
この時、層間絶縁層５０６の外郭エッジはゲート絶縁層５０４の領域から外れないようにする。
【０１１７】
ソース電極５０７及びドレイン電極５０８と一体に第１電極５１０が形成される。すなわち、ソース電極５０７及びドレイン電極５０８のうち一つの電極は、長く延びた形態に形成される。図６には、ドレイン電極５０８が長く延びるように形成されていることが図示されている。ドレイン電極５０８は長く延びて、ドレイン電極５０８の一端は第１電極５１０になるが、第１電極５１０はバッファ層５０２上に形成される。すなわち、第１電極５１０は活性層５０３と同じ層に配置される。
【０１１８】
第１電極５１０、ソース電極５０７及びドレイン電極５０８上に画素定義層５１１が形成される。画素定義層５１１は、第１電極５１０を露出させるように開口部５１１ａを備える。
【０１１９】
開口部５１１ａ内に第１電極５１０と当接するように中間層５１２を形成する。中間層５１２は有機発光層（図示せず）を備える。
【０１２０】
中間層５１２は下部のゲート絶縁層５０４と重畳しない。このために第１電極５１０及び開口部５１１ａの位置を調節する。
【０１２１】
中間層５１２上に第２電極５１３が形成される。第２電極５１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。
【０１２２】
本実施形態の有機発光表示装置５００のゲート絶縁層５０４は、複数の離隔したパターン部を持つように形成され、可視光線が発生する中間層５１２と重畳しないように形成されるので、有機発光表示装置５００の柔軟性が向上できる。一方、層間絶縁層５０６の外郭エッジがゲート絶縁層５０４の領域から外れないようにして、有機発光表示装置５００の柔軟性向上効果を増大させる。
【０１２３】
また本実施形態の有機発光表示装置５００は、第１電極５１０がドレイン電極５０８と一体に形成され、活性層５０３と同様にバッファ層５０２上に配置される。すなわち、本実施形態の有機発光表示装置５００は、平坦化層に対応する絶縁層の厚さが薄くなる。これによって有機発光表示装置５００の柔軟性がさらに増大し、フレキシブル表示装置を実現しやすくなる。
【０１２４】
また第１電極５１０とソース電極５０７及びドレイン電極５０８とを同時に形成できるので、工程の効率性が向上する。
【０１２５】
図７は、本発明のさらに他の実施形態に関する有機発光表示装置を図示した概略的な断面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と相異な点を中心に説明する。
【０１２６】
図７には１個の副画素のみ図示されているが、これは説明の便宜上のためのものであって、前述した実施形態の図１と同様に複数の副画素が含まれ得ることは言うまでもない。
【０１２７】
有機発光表示装置６００は、基板６０１、ＴＦＴ、第１電極６１０、中間層６１２及び第２電極６１３を備える。
【０１２８】
ＴＦＴは、活性層６０３、ゲート絶縁層６０４、ゲート電極６０５、ソース電極６０７及びドレイン電極６０８を備える。
【０１２９】
具体的に、基板６０１上にバッファ層６０２が配置され、バッファ層６０２上に所定パターンの活性層６０３を形成する。活性層６０３上にゲート絶縁層６０４が配置される。この時、ゲート絶縁層６０４は複数の離隔したパターン部を備える。すなわち、ゲート絶縁層６０４は一体に延びた形態に形成されない。
【０１３０】
図示していないが、ゲート絶縁層６０４は、図１及び図２に示したように各副画素別に分離されて離隔したパターン部を備える。
【０１３１】
ゲート絶縁層６０４上にゲート電極６０５が配置され、ゲート電極６０５上に層間絶縁層６０６が配置される。層間絶縁層６０６は、ゲート電極６０５とソース電極６０７及びドレイン電極６０８とを絶縁するように絶縁材料で形成される。層間絶縁層６０６は、活性層６０６の所定の領域を露出させるように形成され、このような活性層６０６の露出された領域と連結されるように、ソース電極６０７及びドレイン電極６０８が連結される。
【０１３２】
この時、層間絶縁層６０６の外郭エッジはゲート絶縁層６０４の領域から外れないようにする。
【０１３３】
ソース電極６０７及びドレイン電極６０８と連結されるように第１電極６１０が形成される。この時、第１電極６１０はバッファ層６０２上に形成される。すなわち、第１電極６１０は活性層６０３と同じ層に配置される。
【０１３４】
第１電極６１０、ソース電極６０７及びドレイン電極６０８上に画素定義層６１１が形成される。画素定義層６１１は、第１電極６１０を露出させるように開口部６１１ａを備える。
【０１３５】
開口部６１１ａ内に第１電極６１０と当接するように中間層６１２を形成する。中間層６１２は有機発光層（図示せず）を備える。
【０１３６】
中間層６１２は、下部のゲート絶縁層６０４と重畳しない。このために、第１電極６１０及び開口部６１１ａの位置を調節する。
【０１３７】
中間層６１２上に第２電極６１３が形成される。第２電極６１３上に密封部材（図示せず）が配置されうる。
【０１３８】
本実施形態の有機発光表示装置６００のゲート絶縁層６０４は、複数の離隔したパターン部を持つように形成され、可視光線が発生する中間層６１２と重畳しないように形成されるので、有機発光表示装置６００の柔軟性が向上できる。一方、層間絶縁層６０６の外郭エッジがゲート絶縁層６０４の領域から外れないようにして、有機発光表示装置６００の柔軟性向上効果を増大させる。
【０１３９】
また本実施形態の有機発光表示装置６００は、第１電極６１０がゲート電極６０３と同様にバッファ層６０２上に配置される。すなわち、本実施形態の有機発光表示装置６００は、平坦化層に対応する絶縁層の厚さが薄くなる。これによって有機発光表示装置６００の柔軟性がさらに増大し、フレキシブル表示装置を実現しやすくなる。
【０１４０】
図面に図示された実施形態を参考にして説明してきたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【０１４１】
本発明は、有機発光表示装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１４２】
１００、２００、３００、４００、５００、６００ 有機発光表示装置
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１ 基板
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２ バッファ層
１０３、２０３、３０３、４０５、５０５、６０５ ゲート電極
１０４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４ ゲート絶縁層
１０５、２０５、３０５、４０３、５０３、６０３ 活性層
１０６、２０６、３０６ エッチングストッパー
４０６、５０６、６０６ 層間絶縁層
１０９、４０９ 平坦化層
１１０、２０１、３１０、４１０、５１０ 第１電極
１１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１ 画素定義層
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２ 中間層
１１３、２１３、３１３、４１３、５１３、６１３ 第２電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されると共に、活性層、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に連結される第１電極と、
前記第１電極と対向するように配置された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置されると共に、有機発光層を有する中間層と、を備え、
前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と前記活性層とを絶縁するように配置され、複数の離隔したパターン部を備える有機発光表示装置。
【請求項２】
前記有機発光表示装置は複数の副画素を備え、
前記各副画素には少なくとも一つの前記パターン部が配置される請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記中間層と重畳しないように形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記基板上に前記ゲート電極が配置され、前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁層が配置され、前記ゲート絶縁層上に前記活性層が配置され、前記活性層上に前記ソース電極及びドレイン電極が配置され、
前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、前記活性層の所定の部分を露出させるようにパターニングされたエッチングストッパーをさらに備える請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記エッチングストッパーは前記中間層と重畳しないように形成される請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記基板の厚さ方向を基準に、前記エッチングストッパーの外郭エッジは前記ゲート絶縁層の領域から外れない請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタ上に、絶縁材料からなってコンタクトホールを備える平坦化層が配置され、前記第１電極は前記平坦化層上に配置され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極または前記ドレイン電極と連結され、
前記第１電極上に開口部を備える画素定義層が配置され、前記中間層は、前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結される請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記開口部と重畳しないように形成される請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１電極と前記ゲート電極とは同一層上に形成される請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記基板上に前記活性層が配置され、前記活性層上に前記ゲート絶縁層が配置され、前記ゲート絶縁層上に前記ゲート電極が配置され、前記ゲート電極上に前記ソース電極及び前記ドレイン電極が配置され、
前記ゲート電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、前記活性層の所定の部分を露出させるようにパターニングされた層間絶縁層をさらに備える請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記層間絶縁層は前記中間層と重畳しないように形成される請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記基板の厚さ方向を基準に、前記層間絶縁層の外郭エッジは前記ゲート絶縁層の領域から外れない請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記薄膜トランジスタ上に、絶縁材料からなると共にコンタクトホールを有する平坦化層が配置され、前記第１電極は前記平坦化層上に配置され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極または前記ドレイン電極と連結され、
前記第１電極上に開口部を備える画素定義層が配置され、前記中間層は前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結される請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記開口部と重畳しないように形成される請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第１電極と前記活性層とは同一層上に形成される請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか一つの電極は、一方向に延びると共に前記第１電極と一体に形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記基板は柔軟な素材で形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されると共に、活性層、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に連結される第１電極と、
前記第１電極と対向するように配置された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置されると共に、有機発光層を有する中間層と、を備え、
前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と前記活性層とを絶縁するように配置され、複数の離隔したパターン部を備える有機発光表示装置。
【請求項２】
前記有機発光表示装置は複数の副画素を備え、
前記各副画素には少なくとも一つの前記パターン部が配置される請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記中間層と重畳しないように形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記基板上に前記ゲート電極が配置され、前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁層が配置され、前記ゲート絶縁層上に前記活性層が配置され、前記活性層上に前記ソース電極及びドレイン電極が配置され、
前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、前記活性層の所定の部分を露出させるようにパターニングされたエッチングストッパーをさらに備える請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記エッチングストッパーは前記中間層と重畳しないように形成される請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記基板の厚さ方向を基準に、前記エッチングストッパーの外郭エッジは前記ゲート絶縁層の領域から外れない請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタ上に、絶縁材料からなってコンタクトホールを備える平坦化層が配置され、前記第１電極は前記平坦化層上に配置され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極または前記ドレイン電極と連結され、
前記第１電極上に開口部を備える画素定義層が配置され、前記中間層は、前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結される請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記開口部と重畳しないように形成される請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１電極と前記ゲート電極とは同一層上に形成される請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記基板上に前記活性層が配置され、前記活性層上に前記ゲート絶縁層が配置され、前記ゲート絶縁層上に前記ゲート電極が配置され、前記ゲート電極上に前記ソース電極及び前記ドレイン電極が配置され、
前記ゲート電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、前記活性層の所定の部分を露出させるようにパターニングされた層間絶縁層をさらに備える請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記層間絶縁層は前記中間層と重畳しないように形成される請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記基板の厚さ方向を基準に、前記層間絶縁層の外郭エッジは前記ゲート絶縁層の領域から外れない請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記薄膜トランジスタ上に、絶縁材料からなると共にコンタクトホールを有する平坦化層が配置され、前記第１電極は前記平坦化層上に配置され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース電極または前記ドレイン電極と連結され、
前記第１電極上に開口部を備える画素定義層が配置され、前記中間層は前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結される請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記基板の厚さ方向と平行な方向を基準に、前記ゲート絶縁層は前記開口部と重畳しないように形成される請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第１電極と前記活性層とは同一層上に形成される請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか一つの電極は、一方向に延びると共に前記第１電極と一体に形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記基板は柔軟な素材で形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１３５０４３（Ｐ２０１１−１３５０４３Ａ）
【公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２６４４４（Ｐ２０１０−２２６４４４）
【出願日】平成２２年１０月６日（２０１０．１０．６）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月６日（２０１０．１０．６）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
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