有機発光表示装置
【課題】透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、透明領域及び前記透明領域を介して互いに隔離した複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域上に形成された薄膜トランジスター及び蓄電素子と、前記画素領域及び前記透明領域上に形成されて、前記薄膜トランジスター及び前記蓄電素子のうちの一つ以上に各々接続されたゲートライン、データライン、及び共通電源ラインと、前記画素領域上に形成された前記薄膜トランジスター、前記蓄電素子、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを全て覆う画素電極とを含む。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、透明領域及び前記透明領域を介して互いに隔離した複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域上に形成された薄膜トランジスター及び蓄電素子と、前記画素領域及び前記透明領域上に形成されて、前記薄膜トランジスター及び前記蓄電素子のうちの一つ以上に各々接続されたゲートライン、データライン、及び共通電源ラインと、前記画素領域上に形成された前記薄膜トランジスター、前記蓄電素子、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを全て覆う画素電極とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳しくは、透明な有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）は、正孔注入電極、有機発光層、及び電子注入電極を有する複数の有機発光素子を含む。有機発光層の内部で電子及び正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって発光し、これを利用して有機発光表示装置は画像を形成する。
【０００３】
従って、有機発光表示装置は、自発光特性を有して、液晶表示装置とは異なって別途の光源が必要ないため、厚さ及び重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、及び高い反応速度などの高品位特性を有するため、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【０００４】
また、有機発光表示装置は、その特性上、使用者が有機発光表示装置を透過して反対側に位置した事物またはイメージを見ることができる透明表示装置に形成される。具体的に、スイッチオフの状態である時には反対側に位置した事物またはイメージが透過され、スイッチオンの状態である時には有機発光素子から発光した画像が表示されるように有機発光表示装置を製造することができる。
【０００５】
しかし、スイッチオフの状態である時に、反対側に位置した事物またはイメージが有機発光素子だけでなく薄膜トランジスター及び各種配線などのパターンの間の空間を透過して使用者に伝達される。通常、パターンの間の間隔は数百ｎｍ水準であるため、可視光領域の光の波長と同一な水準となって、透過する光の散乱をもたらすようになる。その結果、使用者は歪曲されたイメージの伝達を受けるようになる問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するためのものであって、その目的は、透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態による有機発光表示装置は、透明領域及び前記透明領域を介して互いに隔離した複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域上に形成された薄膜トランジスター及び蓄電素子と、前記画素領域及び前記透明領域上に形成されて、前記薄膜トランジスター及び前記蓄電素子のうちの一つ以上に各々接続されたゲートライン、データライン、及び共通電源ラインと、前記画素領域上に形成された前記薄膜トランジスター、前記蓄電素子、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを全て覆う画素電極とを含む。
【０００８】
前記画素領域は、前記画素電極が覆う領域と実質的に同一であるのが好ましい。
前記画素領域及び前記透明領域の面積全体に対する前記透明領域の面積の比率は、２０％乃至９０％の範囲内であるのが好ましい。
前記画素電極は、反射型導電物質から形成されるのが好ましい。
前記画素電極上に順に形成された有機発光層及び共通電極をさらに含み、前記有機発光層から前記共通電極方向に光を放出して画像を表示するのが好ましい。
前記透明領域上に形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインは、互いに隣接した前記画素領域上に各々形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを互いに接続するのが好ましい。
前記基板部材上に形成された絶縁膜、平坦化膜、及び画素定義膜をさらに含み、前記絶縁膜、前記平坦化膜、及び前記画素定義膜は、透明な物質から形成されるのが好ましい。
前記有機発光表示装置において、 前記基板部材が有する透過率は、前記基板部材上に形成された多様な層が有する全体的な透過率より大きいか同一であるのが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、有機発光表示装置は、透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の配置図である。
【図２】図１の一部を拡大した配置図である。
【図３】図２のＩＩＩ-ＩＩＩ線による断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現することができ、ここで説明する実施形態に限られない。
【００１２】
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであるため、本発明に示されたものに必ずしも限られない。
【００１３】
また、図面では、多くの層及び領域を明確に表示するために、厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似した部分については、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分がある部分の「上に」または「上部に」あるとする場合、これはある部分の「直ぐ上に」ある場合だけでなく、その間にまた他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「直ぐ上に」あるとする場合、これはその中間に他の部分がないことを意味する。
【００１４】
本発明を明確に説明するために、説明上不要な部分は省略した。なお、本明細書及び図面において、同一または類似した構成要素については、同一の符号を付ける。
【００１５】
また、添付図面では、一つの画素領域に二つの薄膜トランジスター（ＴＦＴ）及び一つの蓄電素子を備えた２Ｔｒ-１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明はこれに限定されない。従って、有機発光表示装置は、一つの画素領域に三つ以上の薄膜トランジスター及び二つ以上の蓄電素子を備えることもでき、別途の配線がさらに形成されて、多様な構造を有するように形成しても良い。ここで、画素領域は、画素が形成された領域をいう。画素は、画像を表示する最小単位であり、有機発光表示装置は、複数の画素によって画像を表示する。
【００１６】
以下、図１〜図３を参照して、本発明の一実施形態を説明する。
【００１７】
図１に示したように、有機発光表示装置１００は、透明領域（ＴＡ）と、透明領域（ＴＡ）を介して互いに隔離した複数の画素領域（ＰＡ）とに区分される。ここで、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が２０％乃至９０％の範囲に属するように画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）が形成される。
【００１８】
図２に示したように、有機発光表示装置１００は、各画素領域（ＰＡ）に形成されたスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、そして有機発光素子（ＯＬＥＤ）７０を含む。
【００１９】
そして、有機発光表示装置１００は、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）上で一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、このゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１と、共通電源ライン１７２とをさらに含む。この時、透明領域（ＴＡ）上に形成されたゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２は、互いに隣接した画素領域（ＰＡ）上に各々形成されたゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を互いに接続するパターンに形成される。つまり、透明領域（ＴＡ）上には最小限のゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２が形成される。
【００２０】
有機発光素子７０は、画素電極７１０と、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０（図３に図示）と、有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０（図３に図示）とを含む。ここで、画素電極７１０は、正孔注入電極である陽（＋）極であり、共通電極７３０は、電子注入電極である陰（-）極である。しかし、本発明はこれに必ずしも限定されず、有機発光表示装置１００の駆動方法によって、画素電極７１０が陰極となり、共通電極７３０が陽極となっても良い。画素電極７１０及び共通電極７３０から正孔及び電子が有機発光層７２０の内部に各々注入される。注入された正孔及び電子が結合した励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に遷移する時に、有機発光層７２０で発光が行われる。
【００２１】
また、画素電極７１０は、画素領域（ＰＡ）全体を覆う。つまり、画素電極７３０が覆う領域は、画素領域（ＰＡ）と実質的に同一である。従って、画素電極７１０は、画素領域（ＰＡ）上に形成されたスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、ゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を全て覆う。
【００２２】
スイッチング薄膜トランジスター１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３、及びスイッチングドレイン電極１７４を含む。駆動薄膜トランジスター２０は、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、及び駆動ドレイン電極１７７を含む。
【００２３】
蓄電素子８０は、ゲート絶縁膜１４０（図３に図示）を介して配置された第１維持電極１５８及び第２維持電極１７８を含む。
【００２４】
スイッチング薄膜トランジスター１０は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１５２は、ゲートライン１５１と接続される。スイッチングソース電極１７３は、データライン１７１と接続される。スイッチングドレイン電極１７４は、スイッチングソース電極１７３から隔離配置されて、第１維持電極１５８と接続される。
【００２５】
駆動薄膜トランジスター２０は、選択した画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は、第１維持電極１５８と接続される。駆動ソース電極１７６及び第２維持電極１７８は、各々共通電源ライン１７２と接続される。駆動ドレイン電極１７７は、接触孔１８２を通じて有機発光素子７０の画素電極７１０と接続される。
【００２６】
このような構造により、スイッチング薄膜トランジスター１０は、ゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動して、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスター２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスター２０に印加される共通電圧及びスイッチング薄膜トランジスター１０から伝達されたデータ電圧の差に相当する電圧が蓄電素子８０に貯められ、蓄電素子８０に貯められた電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスター２０を通して有機発光素子７０に流れて、有機発光素子７０が発光する。
【００２７】
以下、図３を参照して、有機発光表示装置１００の構造について具体的に説明する。図３は駆動薄膜トランジスター２０、有機発光素子７０、及び蓄電素子８０を中心に有機発光表示装置１００を示している。
【００２８】
以下では、駆動薄膜トランジスター２０を例に挙げて薄膜トランジスターの構造について詳しく説明する。また、スイッチング薄膜トランジスター１０については、駆動薄膜トランジスターとの相違点だけを簡略に説明する。
【００２９】
基板部材１１０は、ガラス、石英、セラミック、プラスチックなどからなる透明な絶縁性基板から形成される。そして、基板部材１１０は、基板部材１１０上に形成された多様な層が有する全体的な透過率より大きいか同一な透過率を有する。具体的に、基板部材１１０上には後述するバッファー層１２０、駆動半導体層１３２、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、平坦化膜１８０、有機発光層７２０、そして各種導電配線及び電極などが形成される。
【００３０】
基板部材１１０上にバッファー層１２０が形成される。バッファー層１２０は、不純元素の浸透を防止すると共に、表面を平坦化する役割を果たすもので、このような役割を果たすことができる多様な物質から形成される。例えば、バッファー層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちのいずれか一つが用いられる。しかし、バッファー層１２０は、必ずしも必要なものではないため、基板部材１１０の種類及び工程条件によっては省略することもできる。
【００３１】
バッファー層１２０上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は、多結晶シリコン膜から形成される。また、駆動半導体層１３２は、不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側にｐ+ドーピングされて形成されたソース領域１３６及びドレイン領域１３７とを含む。この時、ドーピングされるイオン物質は、ホウ素（Ｂ）などのＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が使用される。ここで、このような不純物は、薄膜トランジスターの種類によって異なる。
【００３２】
本発明の一実施形態においては、駆動薄膜トランジスター２０としてＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが使用されたが、これに限定されない。従って、駆動薄膜トランジスター２０としてＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが全て用いられる。
【００３３】
また、図３に示された駆動薄膜トランジスター２０は、多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスターであるが、図３に示されていないスイッチング薄膜トランジスター１０は、多結晶薄膜トランジスターであっても良く、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスターであっても良い。
【００３４】
駆動半導体層１３２上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などから形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上に駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成される。ゲート配線は、ゲートライン１５１（図２に図示）、第１維持電極１５８、及びその他の配線をさらに含む。そして、駆動ゲート電極１５５は、駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
【００３５】
ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０及び層間絶縁膜１６０は、駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出する複数の貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などから形成される。
【００３６】
層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。データ配線は、データライン１７１（図２に図示）、共通電源ライン１７２、第２維持電極１７８、及びその他の配線をさらに含む。そして、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７は、各々貫通孔を通じて駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と接続される。
【００３７】
このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、及び駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスター２０が形成される。
【００３８】
駆動薄膜トランジスター２０の構成は、前述した例に限定されず、当該技術分野の専門家や当業者が容易に実施できる公知の構成に多様に変形される。
【００３９】
層間絶縁膜１６０上にはデータ配線１７２、１７６、１７７、１７８を覆う平坦化膜１８０が形成される。平坦化膜１８０は、その上に形成される有機発光素子７０の発光効率を高めるために、段差をなくして平坦化させる役割を果たす。また、平坦化膜１８０は、ドレイン電極１７７の一部を露出させる接触孔１８２を有する。
【００４０】
平坦化膜１８０は、アクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうちの一つ以上の物質などから形成される。
【００４１】
平坦化膜１８０上には有機発光素子７０の画素電極７１０が形成される。画素電極７１０は、平坦化膜１８０の接触孔１８２を通じてドレイン電極１７７と接続される。
【００４２】
画素領域（ＰＡ）内で、ゲート電極１５５、ソース電極１７６、ドレイン電極１７７、第１維持電極１５８、第２維持電極１７８、ゲートライン１５１（図２に図示）、データライン１７１（図２に図示）、及び共通電源ライン１７２は、全て画素電極７１０下に配置される。
【００４３】
また、平坦化膜１８０上には画素電極７１０を露出する開口部を有する画素定義膜１９０が形成される。つまり、画素電極７１０は、画素定義膜１９０の開口部に対応するように配置される。従って、画素定義膜１９０が形成された部分は、画素電極７１０が形成された部分を除いた残りの部分と類似している。つまり、画素定義膜１９０が形成された領域は透明領域（ＴＡ）と類似している。
【００４４】
画素定義膜１９０は、ポリアクリル系樹脂及びポリイミド系樹脂、またはシリカ系の無機物などから形成される。
【００４５】
画素電極７１０上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０上には共通電極７３０が形成される。このように、画素電極７１０、有機発光層７２０、及び共通電極７３０を含む有機発光素子７０が形成される。
【００４６】
有機発光層７２０は、低分子有機物または高分子有機物から構成される。このような有機発光層７２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層、電子輸送層（ＥＴＬ）、そして電子注入層（ＥＩＬ）を含む多重膜から形成される。つまり、正孔注入層は、陽極である画素電極７１０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。
【００４７】
本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００は、前面発光型に形成される。つまり、有機発光層７２０から共通電極７３０方向に光を放出して画像を表示する。
【００４８】
また、画素電極７１０は、反射型導電物質から形成される。反射型導電物質としては、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ/Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ/Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などを用いることができる。しかし、本発明の一実施形態は、これに限定されない。従って、画素電極７１０は、透明な導電膜及び反射膜を含む多重層に形成されても良い。
【００４９】
共通電極は、透明な導電物質または半透過型導電物質から形成される。透明な導電物質としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物））、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）などの物質を使用することができる。半透過型導電物質としては、マグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）のうちの一つ以上を含む共蒸着物質を使用したり、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの一つ以上の物質を使用することができる。
【００５０】
また、バッファー層１２０、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、平坦化膜１８０、及び画素定義膜１９０は、透明に形成される。そして、透明領域（ＴＡ）には、一部分が最小限に配置されたゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を除いては、バッファー層１２０、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、平坦化膜１８０、及び画素定義膜１９０などのように透明な構成だけが配置される。
【００５１】
また、前述した図１に示したように、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が２０％乃至９０％の範囲に属するように画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）が形成される。
【００５２】
このような構成により、有機発光表示装置１００は、透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置に形成される。
【００５３】
つまり、使用者が、有機発光表示装置１００がスイッチオフの状態である時には有機発光表示装置１００を透過して反対側に位置した事物またはイメージを歪曲なく見ることができると共に、スイッチオンの状態である時には有機発光素子から発光した画像を見ることができるようになる。
【００５４】
この時、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が２０％より小さいと、有機発光表示装置１００がスイッチオフの状態の時に有機発光表示装置１００を透過する光が少ないため、使用者が反対側に位置した事物またはイメージを見るのが難しい。つまり、有機発光表示装置が透明だとは言えなくなる。
【００５５】
一方で、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が９０％より大きいと、有機発光表示装置１００の画素集積度が過度に低くなって、有機発光素子７０の発光によって安定した画像を実現するのが難しい。つまり、画素領域（ＰＡ）の面積が小さくなるほど、画像を実現するための有機発光素子７０が発光する光の輝度が高くならなければならない。このように、有機発光素子７０を高輝度状態に作動させると、寿命が急激に低下する問題点が発生する。また、一つの画素領域（ＰＡ）の大きさを適正な大きさに維持して、透明領域（ＴＡ）の面積の比率を９０％より大きくすると、画素領域（ＰＡ）の数が減少して、解像度が低下する問題点が発生する。
【００５６】
以上で、本発明を望ましい実施形態を通して説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲の概念及び範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形が可能であることが本発明の属する技術分野に携わる者には簡単に理解される。
【符号の説明】
【００５７】
１０ スイッチング薄膜トランジスター
２０ 駆動薄膜トランジスター
８０ 蓄電素子
７０ 有機発光素子
１００ 有機発光表示装置
１１０ 基板部材
１２０ バッファー層
１３２ 駆動半導体層
１４０ ゲート絶縁膜
１５１ ゲートライン
１５５ ゲート電極
１５８ 第１維持電極
１６０ 層間絶縁膜
１７１ データライン
１７２ 共通電源ライン
１７６ ソース電極
１７７ ドレイン電極
１７８ 第２維持電極
１８０ 平坦化膜
７１０ 画素電極
７２０ 有機発光層
７３０ 共通電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳しくは、透明な有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）は、正孔注入電極、有機発光層、及び電子注入電極を有する複数の有機発光素子を含む。有機発光層の内部で電子及び正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって発光し、これを利用して有機発光表示装置は画像を形成する。
【０００３】
従って、有機発光表示装置は、自発光特性を有して、液晶表示装置とは異なって別途の光源が必要ないため、厚さ及び重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、及び高い反応速度などの高品位特性を有するため、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【０００４】
また、有機発光表示装置は、その特性上、使用者が有機発光表示装置を透過して反対側に位置した事物またはイメージを見ることができる透明表示装置に形成される。具体的に、スイッチオフの状態である時には反対側に位置した事物またはイメージが透過され、スイッチオンの状態である時には有機発光素子から発光した画像が表示されるように有機発光表示装置を製造することができる。
【０００５】
しかし、スイッチオフの状態である時に、反対側に位置した事物またはイメージが有機発光素子だけでなく薄膜トランジスター及び各種配線などのパターンの間の空間を透過して使用者に伝達される。通常、パターンの間の間隔は数百ｎｍ水準であるため、可視光領域の光の波長と同一な水準となって、透過する光の散乱をもたらすようになる。その結果、使用者は歪曲されたイメージの伝達を受けるようになる問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するためのものであって、その目的は、透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態による有機発光表示装置は、透明領域及び前記透明領域を介して互いに隔離した複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域上に形成された薄膜トランジスター及び蓄電素子と、前記画素領域及び前記透明領域上に形成されて、前記薄膜トランジスター及び前記蓄電素子のうちの一つ以上に各々接続されたゲートライン、データライン、及び共通電源ラインと、前記画素領域上に形成された前記薄膜トランジスター、前記蓄電素子、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを全て覆う画素電極とを含む。
【０００８】
前記画素領域は、前記画素電極が覆う領域と実質的に同一であるのが好ましい。
前記画素領域及び前記透明領域の面積全体に対する前記透明領域の面積の比率は、２０％乃至９０％の範囲内であるのが好ましい。
前記画素電極は、反射型導電物質から形成されるのが好ましい。
前記画素電極上に順に形成された有機発光層及び共通電極をさらに含み、前記有機発光層から前記共通電極方向に光を放出して画像を表示するのが好ましい。
前記透明領域上に形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインは、互いに隣接した前記画素領域上に各々形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを互いに接続するのが好ましい。
前記基板部材上に形成された絶縁膜、平坦化膜、及び画素定義膜をさらに含み、前記絶縁膜、前記平坦化膜、及び前記画素定義膜は、透明な物質から形成されるのが好ましい。
前記有機発光表示装置において、 前記基板部材が有する透過率は、前記基板部材上に形成された多様な層が有する全体的な透過率より大きいか同一であるのが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、有機発光表示装置は、透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の配置図である。
【図２】図１の一部を拡大した配置図である。
【図３】図２のＩＩＩ-ＩＩＩ線による断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現することができ、ここで説明する実施形態に限られない。
【００１２】
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであるため、本発明に示されたものに必ずしも限られない。
【００１３】
また、図面では、多くの層及び領域を明確に表示するために、厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似した部分については、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分がある部分の「上に」または「上部に」あるとする場合、これはある部分の「直ぐ上に」ある場合だけでなく、その間にまた他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「直ぐ上に」あるとする場合、これはその中間に他の部分がないことを意味する。
【００１４】
本発明を明確に説明するために、説明上不要な部分は省略した。なお、本明細書及び図面において、同一または類似した構成要素については、同一の符号を付ける。
【００１５】
また、添付図面では、一つの画素領域に二つの薄膜トランジスター（ＴＦＴ）及び一つの蓄電素子を備えた２Ｔｒ-１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明はこれに限定されない。従って、有機発光表示装置は、一つの画素領域に三つ以上の薄膜トランジスター及び二つ以上の蓄電素子を備えることもでき、別途の配線がさらに形成されて、多様な構造を有するように形成しても良い。ここで、画素領域は、画素が形成された領域をいう。画素は、画像を表示する最小単位であり、有機発光表示装置は、複数の画素によって画像を表示する。
【００１６】
以下、図１〜図３を参照して、本発明の一実施形態を説明する。
【００１７】
図１に示したように、有機発光表示装置１００は、透明領域（ＴＡ）と、透明領域（ＴＡ）を介して互いに隔離した複数の画素領域（ＰＡ）とに区分される。ここで、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が２０％乃至９０％の範囲に属するように画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）が形成される。
【００１８】
図２に示したように、有機発光表示装置１００は、各画素領域（ＰＡ）に形成されたスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、そして有機発光素子（ＯＬＥＤ）７０を含む。
【００１９】
そして、有機発光表示装置１００は、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）上で一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、このゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１と、共通電源ライン１７２とをさらに含む。この時、透明領域（ＴＡ）上に形成されたゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２は、互いに隣接した画素領域（ＰＡ）上に各々形成されたゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を互いに接続するパターンに形成される。つまり、透明領域（ＴＡ）上には最小限のゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２が形成される。
【００２０】
有機発光素子７０は、画素電極７１０と、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０（図３に図示）と、有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０（図３に図示）とを含む。ここで、画素電極７１０は、正孔注入電極である陽（＋）極であり、共通電極７３０は、電子注入電極である陰（-）極である。しかし、本発明はこれに必ずしも限定されず、有機発光表示装置１００の駆動方法によって、画素電極７１０が陰極となり、共通電極７３０が陽極となっても良い。画素電極７１０及び共通電極７３０から正孔及び電子が有機発光層７２０の内部に各々注入される。注入された正孔及び電子が結合した励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に遷移する時に、有機発光層７２０で発光が行われる。
【００２１】
また、画素電極７１０は、画素領域（ＰＡ）全体を覆う。つまり、画素電極７３０が覆う領域は、画素領域（ＰＡ）と実質的に同一である。従って、画素電極７１０は、画素領域（ＰＡ）上に形成されたスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、ゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を全て覆う。
【００２２】
スイッチング薄膜トランジスター１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３、及びスイッチングドレイン電極１７４を含む。駆動薄膜トランジスター２０は、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、及び駆動ドレイン電極１７７を含む。
【００２３】
蓄電素子８０は、ゲート絶縁膜１４０（図３に図示）を介して配置された第１維持電極１５８及び第２維持電極１７８を含む。
【００２４】
スイッチング薄膜トランジスター１０は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１５２は、ゲートライン１５１と接続される。スイッチングソース電極１７３は、データライン１７１と接続される。スイッチングドレイン電極１７４は、スイッチングソース電極１７３から隔離配置されて、第１維持電極１５８と接続される。
【００２５】
駆動薄膜トランジスター２０は、選択した画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は、第１維持電極１５８と接続される。駆動ソース電極１７６及び第２維持電極１７８は、各々共通電源ライン１７２と接続される。駆動ドレイン電極１７７は、接触孔１８２を通じて有機発光素子７０の画素電極７１０と接続される。
【００２６】
このような構造により、スイッチング薄膜トランジスター１０は、ゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動して、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスター２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスター２０に印加される共通電圧及びスイッチング薄膜トランジスター１０から伝達されたデータ電圧の差に相当する電圧が蓄電素子８０に貯められ、蓄電素子８０に貯められた電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスター２０を通して有機発光素子７０に流れて、有機発光素子７０が発光する。
【００２７】
以下、図３を参照して、有機発光表示装置１００の構造について具体的に説明する。図３は駆動薄膜トランジスター２０、有機発光素子７０、及び蓄電素子８０を中心に有機発光表示装置１００を示している。
【００２８】
以下では、駆動薄膜トランジスター２０を例に挙げて薄膜トランジスターの構造について詳しく説明する。また、スイッチング薄膜トランジスター１０については、駆動薄膜トランジスターとの相違点だけを簡略に説明する。
【００２９】
基板部材１１０は、ガラス、石英、セラミック、プラスチックなどからなる透明な絶縁性基板から形成される。そして、基板部材１１０は、基板部材１１０上に形成された多様な層が有する全体的な透過率より大きいか同一な透過率を有する。具体的に、基板部材１１０上には後述するバッファー層１２０、駆動半導体層１３２、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、平坦化膜１８０、有機発光層７２０、そして各種導電配線及び電極などが形成される。
【００３０】
基板部材１１０上にバッファー層１２０が形成される。バッファー層１２０は、不純元素の浸透を防止すると共に、表面を平坦化する役割を果たすもので、このような役割を果たすことができる多様な物質から形成される。例えば、バッファー層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちのいずれか一つが用いられる。しかし、バッファー層１２０は、必ずしも必要なものではないため、基板部材１１０の種類及び工程条件によっては省略することもできる。
【００３１】
バッファー層１２０上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は、多結晶シリコン膜から形成される。また、駆動半導体層１３２は、不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側にｐ+ドーピングされて形成されたソース領域１３６及びドレイン領域１３７とを含む。この時、ドーピングされるイオン物質は、ホウ素（Ｂ）などのＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が使用される。ここで、このような不純物は、薄膜トランジスターの種類によって異なる。
【００３２】
本発明の一実施形態においては、駆動薄膜トランジスター２０としてＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが使用されたが、これに限定されない。従って、駆動薄膜トランジスター２０としてＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが全て用いられる。
【００３３】
また、図３に示された駆動薄膜トランジスター２０は、多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスターであるが、図３に示されていないスイッチング薄膜トランジスター１０は、多結晶薄膜トランジスターであっても良く、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスターであっても良い。
【００３４】
駆動半導体層１３２上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などから形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上に駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成される。ゲート配線は、ゲートライン１５１（図２に図示）、第１維持電極１５８、及びその他の配線をさらに含む。そして、駆動ゲート電極１５５は、駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
【００３５】
ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０及び層間絶縁膜１６０は、駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出する複数の貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などから形成される。
【００３６】
層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。データ配線は、データライン１７１（図２に図示）、共通電源ライン１７２、第２維持電極１７８、及びその他の配線をさらに含む。そして、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７は、各々貫通孔を通じて駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と接続される。
【００３７】
このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、及び駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスター２０が形成される。
【００３８】
駆動薄膜トランジスター２０の構成は、前述した例に限定されず、当該技術分野の専門家や当業者が容易に実施できる公知の構成に多様に変形される。
【００３９】
層間絶縁膜１６０上にはデータ配線１７２、１７６、１７７、１７８を覆う平坦化膜１８０が形成される。平坦化膜１８０は、その上に形成される有機発光素子７０の発光効率を高めるために、段差をなくして平坦化させる役割を果たす。また、平坦化膜１８０は、ドレイン電極１７７の一部を露出させる接触孔１８２を有する。
【００４０】
平坦化膜１８０は、アクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうちの一つ以上の物質などから形成される。
【００４１】
平坦化膜１８０上には有機発光素子７０の画素電極７１０が形成される。画素電極７１０は、平坦化膜１８０の接触孔１８２を通じてドレイン電極１７７と接続される。
【００４２】
画素領域（ＰＡ）内で、ゲート電極１５５、ソース電極１７６、ドレイン電極１７７、第１維持電極１５８、第２維持電極１７８、ゲートライン１５１（図２に図示）、データライン１７１（図２に図示）、及び共通電源ライン１７２は、全て画素電極７１０下に配置される。
【００４３】
また、平坦化膜１８０上には画素電極７１０を露出する開口部を有する画素定義膜１９０が形成される。つまり、画素電極７１０は、画素定義膜１９０の開口部に対応するように配置される。従って、画素定義膜１９０が形成された部分は、画素電極７１０が形成された部分を除いた残りの部分と類似している。つまり、画素定義膜１９０が形成された領域は透明領域（ＴＡ）と類似している。
【００４４】
画素定義膜１９０は、ポリアクリル系樹脂及びポリイミド系樹脂、またはシリカ系の無機物などから形成される。
【００４５】
画素電極７１０上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０上には共通電極７３０が形成される。このように、画素電極７１０、有機発光層７２０、及び共通電極７３０を含む有機発光素子７０が形成される。
【００４６】
有機発光層７２０は、低分子有機物または高分子有機物から構成される。このような有機発光層７２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層、電子輸送層（ＥＴＬ）、そして電子注入層（ＥＩＬ）を含む多重膜から形成される。つまり、正孔注入層は、陽極である画素電極７１０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。
【００４７】
本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００は、前面発光型に形成される。つまり、有機発光層７２０から共通電極７３０方向に光を放出して画像を表示する。
【００４８】
また、画素電極７１０は、反射型導電物質から形成される。反射型導電物質としては、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ/Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ/Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などを用いることができる。しかし、本発明の一実施形態は、これに限定されない。従って、画素電極７１０は、透明な導電膜及び反射膜を含む多重層に形成されても良い。
【００４９】
共通電極は、透明な導電物質または半透過型導電物質から形成される。透明な導電物質としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物））、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）などの物質を使用することができる。半透過型導電物質としては、マグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）のうちの一つ以上を含む共蒸着物質を使用したり、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの一つ以上の物質を使用することができる。
【００５０】
また、バッファー層１２０、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、平坦化膜１８０、及び画素定義膜１９０は、透明に形成される。そして、透明領域（ＴＡ）には、一部分が最小限に配置されたゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を除いては、バッファー層１２０、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、平坦化膜１８０、及び画素定義膜１９０などのように透明な構成だけが配置される。
【００５１】
また、前述した図１に示したように、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が２０％乃至９０％の範囲に属するように画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）が形成される。
【００５２】
このような構成により、有機発光表示装置１００は、透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置に形成される。
【００５３】
つまり、使用者が、有機発光表示装置１００がスイッチオフの状態である時には有機発光表示装置１００を透過して反対側に位置した事物またはイメージを歪曲なく見ることができると共に、スイッチオンの状態である時には有機発光素子から発光した画像を見ることができるようになる。
【００５４】
この時、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が２０％より小さいと、有機発光表示装置１００がスイッチオフの状態の時に有機発光表示装置１００を透過する光が少ないため、使用者が反対側に位置した事物またはイメージを見るのが難しい。つまり、有機発光表示装置が透明だとは言えなくなる。
【００５５】
一方で、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が９０％より大きいと、有機発光表示装置１００の画素集積度が過度に低くなって、有機発光素子７０の発光によって安定した画像を実現するのが難しい。つまり、画素領域（ＰＡ）の面積が小さくなるほど、画像を実現するための有機発光素子７０が発光する光の輝度が高くならなければならない。このように、有機発光素子７０を高輝度状態に作動させると、寿命が急激に低下する問題点が発生する。また、一つの画素領域（ＰＡ）の大きさを適正な大きさに維持して、透明領域（ＴＡ）の面積の比率を９０％より大きくすると、画素領域（ＰＡ）の数が減少して、解像度が低下する問題点が発生する。
【００５６】
以上で、本発明を望ましい実施形態を通して説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲の概念及び範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形が可能であることが本発明の属する技術分野に携わる者には簡単に理解される。
【符号の説明】
【００５７】
１０ スイッチング薄膜トランジスター
２０ 駆動薄膜トランジスター
８０ 蓄電素子
７０ 有機発光素子
１００ 有機発光表示装置
１１０ 基板部材
１２０ バッファー層
１３２ 駆動半導体層
１４０ ゲート絶縁膜
１５１ ゲートライン
１５５ ゲート電極
１５８ 第１維持電極
１６０ 層間絶縁膜
１７１ データライン
１７２ 共通電源ライン
１７６ ソース電極
１７７ ドレイン電極
１７８ 第２維持電極
１８０ 平坦化膜
７１０ 画素電極
７２０ 有機発光層
７３０ 共通電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明領域及び前記透明領域を介して互いに隔離した複数の画素領域を含む基板部材;
前記画素領域上に形成された薄膜トランジスター及び蓄電素子;
前記画素領域及び前記透明領域上に形成されて、前記薄膜トランジスター及び前記蓄電素子のうちの一つ以上に各々接続されたゲートライン、データライン、及び共通電源ライン;
前記画素領域上に形成された前記薄膜トランジスター、前記蓄電素子、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを全て覆う画素電極；を含む、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記画素領域は、前記画素電極が覆う領域と実質的に同一である、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記画素領域及び前記透明領域の面積全体に対する前記透明領域の面積の比率は、２０％乃至９０％の範囲内である、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記画素電極は、反射型導電物質から形成される、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記画素電極上に順に形成された有機発光層及び共通電極をさらに含み、
前記有機発光層から前記共通電極方向に光を放出して画像を表示する、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記透明領域上に形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインは、互いに隣接した前記画素領域上に各々形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを互いに接続する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記基板部材上に形成された絶縁膜、平坦化膜、及び画素定義膜をさらに含み、
前記絶縁膜、前記平坦化膜、及び前記画素定義膜は、透明な物質から形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記基板部材が有する透過率は、前記基板部材上に形成された多様な層が有する全体的な透過率より大きいか同一である、請求項１から７のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１】
透明領域及び前記透明領域を介して互いに隔離した複数の画素領域を含む基板部材;
前記画素領域上に形成された薄膜トランジスター及び蓄電素子;
前記画素領域及び前記透明領域上に形成されて、前記薄膜トランジスター及び前記蓄電素子のうちの一つ以上に各々接続されたゲートライン、データライン、及び共通電源ライン;
前記画素領域上に形成された前記薄膜トランジスター、前記蓄電素子、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを全て覆う画素電極；を含む、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記画素領域は、前記画素電極が覆う領域と実質的に同一である、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記画素領域及び前記透明領域の面積全体に対する前記透明領域の面積の比率は、２０％乃至９０％の範囲内である、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記画素電極は、反射型導電物質から形成される、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記画素電極上に順に形成された有機発光層及び共通電極をさらに含み、
前記有機発光層から前記共通電極方向に光を放出して画像を表示する、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記透明領域上に形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインは、互いに隣接した前記画素領域上に各々形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを互いに接続する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記基板部材上に形成された絶縁膜、平坦化膜、及び画素定義膜をさらに含み、
前記絶縁膜、前記平坦化膜、及び前記画素定義膜は、透明な物質から形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記基板部材が有する透過率は、前記基板部材上に形成された多様な層が有する全体的な透過率より大きいか同一である、請求項１から７のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１１−２３３４０（Ｐ２０１１−２３３４０Ａ）
【公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１２６７３７（Ｐ２０１０−１２６７３７）
【出願日】平成２２年６月２日（２０１０．６．２）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月２日（２０１０．６．２）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Ｆターム（参考）】
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