有機ＥＬパネル
【課題】 金属配線にショートを生じさせることなくデッドスペースを低減し、狭額縁化することが可能な有機ＥＬパネルを提供する。
【解決手段】 支持基板１１上に形成される複数の金属配線１５と、支持基板１１上に第一電極ライン１２ａ及び金属配線１５を部分的に覆うように形成され、第一電極ライン１２ａを露出させる開口部１２ｂ１と金属配線１５を露出させるコンタクトホール１２ｂ２を有する絶縁膜１２ｂと、第一電極ライン１２ａ上に形成される有機発光層と、第一電極ライン１２ａと交差するように形成され、コンタクトホール１２ｂ２を介して金属配線１５と接続される複数の第二電極ライン１２ｆと、少なくとも絶縁膜１２ｂ上の金属配線１５がコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の第二電極ライン１２ｆと重なり合う個所に形成される絶縁性の島状部１２ｄと、を備えてなる。
【解決手段】 支持基板１１上に形成される複数の金属配線１５と、支持基板１１上に第一電極ライン１２ａ及び金属配線１５を部分的に覆うように形成され、第一電極ライン１２ａを露出させる開口部１２ｂ１と金属配線１５を露出させるコンタクトホール１２ｂ２を有する絶縁膜１２ｂと、第一電極ライン１２ａ上に形成される有機発光層と、第一電極ライン１２ａと交差するように形成され、コンタクトホール１２ｂ２を介して金属配線１５と接続される複数の第二電極ライン１２ｆと、少なくとも絶縁膜１２ｂ上の金属配線１５がコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の第二電極ライン１２ｆと重なり合う個所に形成される絶縁性の島状部１２ｄと、を備えてなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルに関し、特に１チップ型の有機ＥＬパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬパネルとして、例えば、少なくとも有機発光層を有する有機層をＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等からなる陽極ライン（第一電極ライン）と、アルミニウム（Ａｌ）等からなる陰極ライン（第二電極ライン）とで狭持してなる有機ＥＬ素子を発光画素としてガラス材料からなる支持基板上に複数形成して発光部を構成するものが知られている（例えば特許文献１参照）。かかる有機ＥＬ素子は、陽極から正孔を注入し、また、陰極から電子を注入して正孔及び電子が発光層にて再結合することによって光を発するものである。
【０００３】
また、有機ＥＬ素子を駆動させるためのドライバーＩＣの実装方法としては、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）上にドライバーＩＣを実装するＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｅｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）型や、このドライバーＩＣを支持基板上に直接実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）型が知られている（例えば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３１５９８１号公報
【特許文献２】特開２０００−４０５８５号公報
【特許文献３】特開２００９−３０２０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬパネルにおいては、例えば特許文献３に開示されるように支持基板上に形成される金属配線を介して陽極ライン及び陰極ラインをドライバーＩＣに接続する。ここで、単一のドライバーＩＣにて有機ＥＬ素子の発光駆動制御を行う１チップ型の有機ＥＬパネルにおいては、ドライバーＩＣの実装個所は一方の電極ラインの端部からは近いが他方の電極ラインの端部からは遠い個所となる。通常は、走査線とされる陽極ラインの端部近傍にドライバーＩＣが実装されることが多く、陰極ラインとドライバーＩＣとを接続する金属配線は支持基板上の引き回しが長くなり、抵抗が大きくなる。また、支持基板上に発光部以外に金属配線を引き回し形成するためのデッドスペースが必要となり有機ＥＬパネルの額縁が大きくなる。これに対し、デッドスペースを小さくするために金属配線を陰極ラインとの接続部近傍で折り曲げることが考えられるが、金属配線の折り曲げ個所によっては複数の金属配線が１つの陰極ラインと重なり合う個所が生じる場合がある。かかる場合においては、金属配線と陰極ラインとの間には絶縁膜が形成されるものの絶縁膜にピンホール等の異常が生じると陰極ラインを介して複数の金属配線がショートする可能性があるという問題点があった。
【０００６】
そこで本発明は、前述の問題点に鑑み、特に１チップ型の有機ＥＬパネルにおいて、金属配線にショートを生じさせることなくデッドスペースを低減し、狭額縁化することが可能な有機ＥＬパネルを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するため、支持基板と、前記支持基板上に形成される複数の第一電極ラインと、前記支持基板上に形成される複数の金属配線と、前記支持基板上に前記第一電極ライン及び前記金属配線を部分的に覆うように形成され、前記第一電極ラインを露出させる開口部と前記金属配線を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜と、前記第一電極ライン上に形成される有機発光層と、前記第一電極ラインと交差するように形成され、前記コンタクトホールを介して前記金属配線と接続される複数の第二電極ラインと、少なくとも前記絶縁膜上の前記金属配線が前記コンタクトホールを介して接続されない他の前記第二電極ラインと重なり合う個所に形成される島状部と、を備えてなることを特徴とする。
【０００８】
また、前記絶縁膜上に前記第二電極ラインを互いに分離させるべく前記第一電極ラインと交差するように形成される複数の絶縁性の隔壁を有し、前記島状部は前記隔壁と同一材料からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
以上、本発明によれば、特に１チップ型の有機ＥＬパネルにおいて、金属配線にショートを生じさせることなくデッドスペースを低減し、小型化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態である有機ＥＬパネルを示す上面図。
【図２】同上有機ＥＬパネルの要部拡大図。
【図３】同上有機ＥＬパネルを示す有機ＥＬ素子を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態である有機ＥＬパネルを添付図面に基づき説明する。図１は有機ＥＬパネルの全体図であり、図２及び図３は有機ＥＬパネルの要部拡大図である。なお、図中においては、後述する各配線の一部を省略して図示している。
【００１２】
支持基板１１は、長方形形状の透明ガラス材からなる電気絶縁性の基板である。支持基板１１の一方の面上には発光部１２とドライバーＩＣ１３とが設けられている。また、支持基板１１上には、後述する発光部１２の各陽極ラインと接続される陽極配線１４と後述する発光部１２の各陰極ラインと接続される陰極配線（金属配線）１５とドライバーＩＣ１３を外部回路と電気的に接続するための入力配線１６とが形成されている。なお、支持基板１１上には発光部１２を気密的に覆う封止部材が配設されるが、図１及び図２においては封止部材を省略している。
【００１３】
発光部１２は、図２及び図３に示すように、複数形成される陽極ライン（第一電極ライン）１２ａと、絶縁膜１２ｂと、隔壁１２ｃと、島状部１２ｄと、有機層１２ｅと、複数形成される陰極ライン（第二電極ライン）１２ｆと、から主に構成され、各陽極ライン１２ａと各陰極ライン１２ｆとが交差して有機層１２ｅを挟持する個所からなる複数の発光画素（有機ＥＬ素子）を備えるいわゆるパッシブマトリクス型の発光部である。なお、本実施形態は、支持基板１側から発光部２からの発光を出射するいわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬパネルとなる。また、発光部１２は、図３に示すように、封止部材１２ｇによって気密的に覆われている。
【００１４】
陽極ライン１２ａは、ＩＴＯ等の透光性の導電材料からなる。陽極ライン１２ａは、蒸着法やスパッタリング法等の手段によって支持基板１１上に前記導電材料を層状に形成した後、フォトリソグラフィー法等によって互いに略平行となるように形成される。各陽極ライン１２ａは、端部の一方側（図１における下方側）で各陽極配線１４と接続される。
【００１５】
絶縁膜１２ｂは、例えばポリイミド系の電気絶縁性材料から構成され、支持基板１１上に陽極ライン１２ａ及び陰極配線１５を部分的に覆うように形成される。絶縁膜１２ｂには、各発光画素を画定するとともに輪郭を明確にする開口部１２ｂ１が形成され、開口部１２ｂ１が形成されない領域においては両電極ライン１２ａ，１２ｅの短絡を防止する。また、絶縁膜１２ｂは、陰極配線１５と陰極ライン１２ｆとの間にも延設されており、各陰極配線１５と各陰極ライン１２ｆとを接続させるコンタクトホール１２ｂ２を有する。
【００１６】
隔壁１２ｃは、例えばフェノール系の電気絶縁性材料からなり、絶縁膜１２ｂ上に形成される。隔壁１２ｃは、その断面が絶縁膜１２ｂに対して逆テーパー形状となるようにフォトリソグラフィー法等の手段によって形成されるものである。また、隔壁１２ｃは、陽極ライン１２ａと直交する方向に等間隔に複数のライン状に形成される。隔壁１２ｃは、その上方から蒸着法やスパッタリング法等によって有機層１２ｅ及び陰極ライン１２ｆを形成する場合に有機層１２ｅ及び陰極ライン１２ｆがそれぞれ分断される構造を得るものである。
【００１７】
島状部１２ｄは、例えば隔壁１２ｃと同一の電気絶縁性材料からなり、隔壁１２ｃと同一工程にて絶縁膜１２ｂ上に形成される。島状部１２ｄは、隔壁１２ｃ間に隔壁１２ｃとは接触しない状態で形成されるものであり、少なくとも陰極配線１５がコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の第二電極ライン１２ｆと重なり合う個所Ｓ（図２における着色個所）に形成される。例えば、陰極ライン１２ｆの第一列目（図２における最上列）とコンタクトホール１２ｂ２を介して接続される陰極配線１５の第一列目は、折り曲げ形成されることでコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない陰極ライン１２ｆの第二列目（他の陰極ライン）と重なり合う個所Ｓが生じる。これに対し、かかる個所Ｓにおいては陰極配線１５の第一列目と陰極ライン１２ｆの第二列目との間には絶縁膜１２ｂに加えてさらに島状部１２ｄが形成されることとなる。なお、本実施形態においては、陰極配線１５のショート防止を確実とするべく、島状部１２ｄは、陰極配線１５がコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の第二電極ライン１２ｆと重なり合う個所Ｓよりも広く形成されており、陰極配線１５間の隙間及びコンタクトホール１２ｂ２を介して陰極ライン１２ｆと接続される陰極配線１５の一部とも対向し、陰極ライン１２ｆの端部よりも陰極ライン１２ｆと平行方向に延設して形成されている。また、島状部１２ｄは隔壁１２ｃと同等の高さに形成される。
【００１８】
有機層１２ｅは、陽極ライン１２ａ上に形成されるものであり、少なくとも有機発光層を含むものである。なお、本実施形態においては、有機層１２ｅは正孔注入層，正孔輸送層，有機発光層及び電子輸送層を蒸着法やスパッタリング法等の手段によって順次積層形成してなるものである。
【００１９】
陰極ライン１２ｆは、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム銀（Ｍｇ：Ａｇ）等の陽極ライン１２ａよりも導電率が高い金属性導電材料を蒸着法等の手段により陽極ライン１２ａと交差するように複数形成してなるものである。また、各陰極ライン１２ｆは、絶縁膜１２ｂに設けられるコンタクトホール１２ｂ２を介して各陰極配線１５と接続される。
【００２０】
封止部材１２ｇは、例えばガラス材料からなり、接着剤１２ｈを介して支持基板１上に配設され発光部１２を気密的に収納するものである。
【００２１】
ドライバーＩＣ１３は、発光部１２を発光駆動させる駆動回路を構成し、信号線駆動回路及び走査線駆動回路等を備えるものである。ドライバーＩＣ１３は、ＣＯＧ実装技術によって支持基板１１上に発光部１２に応じて実装され、各陽極配線１４及び各陰極配線１５を介して各陽極ライン１２ａ及び各陰極ライン１２ｆと電気的に接続され、外部回路からの駆動信号に基づいて各陽極ライン１２ａと各陰極ライン１２ｆとの間に駆動電流を印加する。
【００２２】
陽極配線１４は、陽極ライン１２ａとドライバーＩＣ１３と接続する配線であり、例えば陽極ライン１２ａと同材料であるＩＴＯ、クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなる。陽極配線１４は、支持基板１１上に陽極ライン１２ａと一体的に形成される、あるいは陽極ライン１２ａと接続されるように別体に形成される。
【００２３】
陰極配線１５は、陰極ライン１２ｆとドライバーＩＣ１３と接続する配線であり、例えば陽極ライン１２ａと同材料であるＩＴＯ、クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなる。陰極配線１５は、支持基板１１上の側方に各陰極ライン１２ｆに引き回し形成される配線であり、一端が陰極ライン１２ｆと接続され他端がドライバーＩＣ１３と接続される。陰極配線１５は、図３に示すように、コンタクトホール１２ｂ２を介して陰極ライン１２ｆと接続可能とするべく少なくとも陰極ライン１２ｆとの接続個所となる端部が絶縁膜１２ｂを介して陰極ライン１２ｆの下方に位置するように形成される。また、陰極配線１５は、図２に示すように支持基板１１上のデッドスペースを低減するべく陰極ライン１２ｆとの接続個所近傍で支持基板１１上の下方（ドライバーＩＣ１３の実装側）に向かって折り曲げ形成されるものであり、コンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の陰極ライン１２ｆと重なり合う個所Ｓを有する。
【００２４】
入力配線１６は、ドライバーＩＣ１３と外部回路とを電気的に接続するための配線であり、例えば陽極ライン１２ａと同材料であるＩＴＯ、クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなる。入力配線１６は、支持基板１１上のドライバーＩＣ１３近傍に引き回し形成され、一端がドライバーＩＣ１３と接続され他端がＡＣＦを介してＦＰＣ（図示しない）と接続される。
【００２５】
以上の各部によって有機ＥＬパネルが構成されている。
【００２６】
かかる有機ＥＬパネルは、少なくとも絶縁膜１２ｂ上の陰極配線１５がコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の陰極ライン１２ｆと重なり合う個所Ｓに形成される絶縁性の島状部１２ｄを備えるものである。これにより、支持基板１１上のデッドスペースを低減するために陰極配線１５を折り曲げ形成する場合に、絶縁膜１２ｂにピンホール等の異常が生じたとしても陰極配線１５のショートを良好に防止することができる。したがって、陰極配線１５にショートを生じさせることなくデッドスペースを低減し、狭額縁化することができる。なお、島状部１２ｄは隔壁１２ｃとは接触しないため、隔壁１２ｃによる陰極ライン１２ｆの分断を阻害することもない。また、島状部１２ｄと隔壁１２ｃとの間に隙間が生じることで、陰極配線１５がコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の陰極ライン１２ｆと重なり合う個所Ｓの全てには島状部１２ｄが形成されない場合も生じうるが、かかる個所Ｓの大部分に島状部１２ｄが形成されれば十分なショート防止効果を得ることができる。
【００２７】
また、島状部１２ｄを隔壁１２ｃと同一材料にて形成することによって、隔壁１２ｃと同一工程で島状部１２ｄを形成することができ、作業工程を増加させることがなく容易に陰極配線１５のショートを防止することができる。
【００２８】
本実施形態においては第二電極ラインは陰極ライン１２ｆであり、金属配線は陰極配線１５であったが、本発明においては第二電極ラインが陽極ラインであり金属配線が陽極配線であってもよい。また、本実施形態はＣＯＧ型の有機ＥＬパネルであったが、本発明は支持基板上に金属配線が引き回し形成される有機ＥＬパネルであれば適用可能であり、ＦＰＣ上にドライバーＩＣが実装されるＴＣＰ型の有機ＥＬパネルであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明は、有機ＥＬパネルに好適であり、特に１チップ型の有機ＥＬパネルに好適である。
【符号の説明】
【００３０】
１１ 支持基板
１２ 発光部
１２ａ 陽極ライン（第一電極ライン）
１２ｂ 絶縁膜
１２ｃ 隔壁
１２ｄ 島状部
１２ｅ 有機層
１２ｆ 陰極ライン（第二電極ライン）
１２ｇ 封止部材
１３ ドライバーＩＣ
１４ 陽極配線
１５ 陰極配線（金属配線）
１６ 入力配線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルに関し、特に１チップ型の有機ＥＬパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬパネルとして、例えば、少なくとも有機発光層を有する有機層をＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等からなる陽極ライン（第一電極ライン）と、アルミニウム（Ａｌ）等からなる陰極ライン（第二電極ライン）とで狭持してなる有機ＥＬ素子を発光画素としてガラス材料からなる支持基板上に複数形成して発光部を構成するものが知られている（例えば特許文献１参照）。かかる有機ＥＬ素子は、陽極から正孔を注入し、また、陰極から電子を注入して正孔及び電子が発光層にて再結合することによって光を発するものである。
【０００３】
また、有機ＥＬ素子を駆動させるためのドライバーＩＣの実装方法としては、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）上にドライバーＩＣを実装するＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｅｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）型や、このドライバーＩＣを支持基板上に直接実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）型が知られている（例えば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３１５９８１号公報
【特許文献２】特開２０００−４０５８５号公報
【特許文献３】特開２００９−３０２０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬパネルにおいては、例えば特許文献３に開示されるように支持基板上に形成される金属配線を介して陽極ライン及び陰極ラインをドライバーＩＣに接続する。ここで、単一のドライバーＩＣにて有機ＥＬ素子の発光駆動制御を行う１チップ型の有機ＥＬパネルにおいては、ドライバーＩＣの実装個所は一方の電極ラインの端部からは近いが他方の電極ラインの端部からは遠い個所となる。通常は、走査線とされる陽極ラインの端部近傍にドライバーＩＣが実装されることが多く、陰極ラインとドライバーＩＣとを接続する金属配線は支持基板上の引き回しが長くなり、抵抗が大きくなる。また、支持基板上に発光部以外に金属配線を引き回し形成するためのデッドスペースが必要となり有機ＥＬパネルの額縁が大きくなる。これに対し、デッドスペースを小さくするために金属配線を陰極ラインとの接続部近傍で折り曲げることが考えられるが、金属配線の折り曲げ個所によっては複数の金属配線が１つの陰極ラインと重なり合う個所が生じる場合がある。かかる場合においては、金属配線と陰極ラインとの間には絶縁膜が形成されるものの絶縁膜にピンホール等の異常が生じると陰極ラインを介して複数の金属配線がショートする可能性があるという問題点があった。
【０００６】
そこで本発明は、前述の問題点に鑑み、特に１チップ型の有機ＥＬパネルにおいて、金属配線にショートを生じさせることなくデッドスペースを低減し、狭額縁化することが可能な有機ＥＬパネルを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するため、支持基板と、前記支持基板上に形成される複数の第一電極ラインと、前記支持基板上に形成される複数の金属配線と、前記支持基板上に前記第一電極ライン及び前記金属配線を部分的に覆うように形成され、前記第一電極ラインを露出させる開口部と前記金属配線を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜と、前記第一電極ライン上に形成される有機発光層と、前記第一電極ラインと交差するように形成され、前記コンタクトホールを介して前記金属配線と接続される複数の第二電極ラインと、少なくとも前記絶縁膜上の前記金属配線が前記コンタクトホールを介して接続されない他の前記第二電極ラインと重なり合う個所に形成される島状部と、を備えてなることを特徴とする。
【０００８】
また、前記絶縁膜上に前記第二電極ラインを互いに分離させるべく前記第一電極ラインと交差するように形成される複数の絶縁性の隔壁を有し、前記島状部は前記隔壁と同一材料からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
以上、本発明によれば、特に１チップ型の有機ＥＬパネルにおいて、金属配線にショートを生じさせることなくデッドスペースを低減し、小型化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態である有機ＥＬパネルを示す上面図。
【図２】同上有機ＥＬパネルの要部拡大図。
【図３】同上有機ＥＬパネルを示す有機ＥＬ素子を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態である有機ＥＬパネルを添付図面に基づき説明する。図１は有機ＥＬパネルの全体図であり、図２及び図３は有機ＥＬパネルの要部拡大図である。なお、図中においては、後述する各配線の一部を省略して図示している。
【００１２】
支持基板１１は、長方形形状の透明ガラス材からなる電気絶縁性の基板である。支持基板１１の一方の面上には発光部１２とドライバーＩＣ１３とが設けられている。また、支持基板１１上には、後述する発光部１２の各陽極ラインと接続される陽極配線１４と後述する発光部１２の各陰極ラインと接続される陰極配線（金属配線）１５とドライバーＩＣ１３を外部回路と電気的に接続するための入力配線１６とが形成されている。なお、支持基板１１上には発光部１２を気密的に覆う封止部材が配設されるが、図１及び図２においては封止部材を省略している。
【００１３】
発光部１２は、図２及び図３に示すように、複数形成される陽極ライン（第一電極ライン）１２ａと、絶縁膜１２ｂと、隔壁１２ｃと、島状部１２ｄと、有機層１２ｅと、複数形成される陰極ライン（第二電極ライン）１２ｆと、から主に構成され、各陽極ライン１２ａと各陰極ライン１２ｆとが交差して有機層１２ｅを挟持する個所からなる複数の発光画素（有機ＥＬ素子）を備えるいわゆるパッシブマトリクス型の発光部である。なお、本実施形態は、支持基板１側から発光部２からの発光を出射するいわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬパネルとなる。また、発光部１２は、図３に示すように、封止部材１２ｇによって気密的に覆われている。
【００１４】
陽極ライン１２ａは、ＩＴＯ等の透光性の導電材料からなる。陽極ライン１２ａは、蒸着法やスパッタリング法等の手段によって支持基板１１上に前記導電材料を層状に形成した後、フォトリソグラフィー法等によって互いに略平行となるように形成される。各陽極ライン１２ａは、端部の一方側（図１における下方側）で各陽極配線１４と接続される。
【００１５】
絶縁膜１２ｂは、例えばポリイミド系の電気絶縁性材料から構成され、支持基板１１上に陽極ライン１２ａ及び陰極配線１５を部分的に覆うように形成される。絶縁膜１２ｂには、各発光画素を画定するとともに輪郭を明確にする開口部１２ｂ１が形成され、開口部１２ｂ１が形成されない領域においては両電極ライン１２ａ，１２ｅの短絡を防止する。また、絶縁膜１２ｂは、陰極配線１５と陰極ライン１２ｆとの間にも延設されており、各陰極配線１５と各陰極ライン１２ｆとを接続させるコンタクトホール１２ｂ２を有する。
【００１６】
隔壁１２ｃは、例えばフェノール系の電気絶縁性材料からなり、絶縁膜１２ｂ上に形成される。隔壁１２ｃは、その断面が絶縁膜１２ｂに対して逆テーパー形状となるようにフォトリソグラフィー法等の手段によって形成されるものである。また、隔壁１２ｃは、陽極ライン１２ａと直交する方向に等間隔に複数のライン状に形成される。隔壁１２ｃは、その上方から蒸着法やスパッタリング法等によって有機層１２ｅ及び陰極ライン１２ｆを形成する場合に有機層１２ｅ及び陰極ライン１２ｆがそれぞれ分断される構造を得るものである。
【００１７】
島状部１２ｄは、例えば隔壁１２ｃと同一の電気絶縁性材料からなり、隔壁１２ｃと同一工程にて絶縁膜１２ｂ上に形成される。島状部１２ｄは、隔壁１２ｃ間に隔壁１２ｃとは接触しない状態で形成されるものであり、少なくとも陰極配線１５がコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の第二電極ライン１２ｆと重なり合う個所Ｓ（図２における着色個所）に形成される。例えば、陰極ライン１２ｆの第一列目（図２における最上列）とコンタクトホール１２ｂ２を介して接続される陰極配線１５の第一列目は、折り曲げ形成されることでコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない陰極ライン１２ｆの第二列目（他の陰極ライン）と重なり合う個所Ｓが生じる。これに対し、かかる個所Ｓにおいては陰極配線１５の第一列目と陰極ライン１２ｆの第二列目との間には絶縁膜１２ｂに加えてさらに島状部１２ｄが形成されることとなる。なお、本実施形態においては、陰極配線１５のショート防止を確実とするべく、島状部１２ｄは、陰極配線１５がコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の第二電極ライン１２ｆと重なり合う個所Ｓよりも広く形成されており、陰極配線１５間の隙間及びコンタクトホール１２ｂ２を介して陰極ライン１２ｆと接続される陰極配線１５の一部とも対向し、陰極ライン１２ｆの端部よりも陰極ライン１２ｆと平行方向に延設して形成されている。また、島状部１２ｄは隔壁１２ｃと同等の高さに形成される。
【００１８】
有機層１２ｅは、陽極ライン１２ａ上に形成されるものであり、少なくとも有機発光層を含むものである。なお、本実施形態においては、有機層１２ｅは正孔注入層，正孔輸送層，有機発光層及び電子輸送層を蒸着法やスパッタリング法等の手段によって順次積層形成してなるものである。
【００１９】
陰極ライン１２ｆは、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム銀（Ｍｇ：Ａｇ）等の陽極ライン１２ａよりも導電率が高い金属性導電材料を蒸着法等の手段により陽極ライン１２ａと交差するように複数形成してなるものである。また、各陰極ライン１２ｆは、絶縁膜１２ｂに設けられるコンタクトホール１２ｂ２を介して各陰極配線１５と接続される。
【００２０】
封止部材１２ｇは、例えばガラス材料からなり、接着剤１２ｈを介して支持基板１上に配設され発光部１２を気密的に収納するものである。
【００２１】
ドライバーＩＣ１３は、発光部１２を発光駆動させる駆動回路を構成し、信号線駆動回路及び走査線駆動回路等を備えるものである。ドライバーＩＣ１３は、ＣＯＧ実装技術によって支持基板１１上に発光部１２に応じて実装され、各陽極配線１４及び各陰極配線１５を介して各陽極ライン１２ａ及び各陰極ライン１２ｆと電気的に接続され、外部回路からの駆動信号に基づいて各陽極ライン１２ａと各陰極ライン１２ｆとの間に駆動電流を印加する。
【００２２】
陽極配線１４は、陽極ライン１２ａとドライバーＩＣ１３と接続する配線であり、例えば陽極ライン１２ａと同材料であるＩＴＯ、クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなる。陽極配線１４は、支持基板１１上に陽極ライン１２ａと一体的に形成される、あるいは陽極ライン１２ａと接続されるように別体に形成される。
【００２３】
陰極配線１５は、陰極ライン１２ｆとドライバーＩＣ１３と接続する配線であり、例えば陽極ライン１２ａと同材料であるＩＴＯ、クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなる。陰極配線１５は、支持基板１１上の側方に各陰極ライン１２ｆに引き回し形成される配線であり、一端が陰極ライン１２ｆと接続され他端がドライバーＩＣ１３と接続される。陰極配線１５は、図３に示すように、コンタクトホール１２ｂ２を介して陰極ライン１２ｆと接続可能とするべく少なくとも陰極ライン１２ｆとの接続個所となる端部が絶縁膜１２ｂを介して陰極ライン１２ｆの下方に位置するように形成される。また、陰極配線１５は、図２に示すように支持基板１１上のデッドスペースを低減するべく陰極ライン１２ｆとの接続個所近傍で支持基板１１上の下方（ドライバーＩＣ１３の実装側）に向かって折り曲げ形成されるものであり、コンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の陰極ライン１２ｆと重なり合う個所Ｓを有する。
【００２４】
入力配線１６は、ドライバーＩＣ１３と外部回路とを電気的に接続するための配線であり、例えば陽極ライン１２ａと同材料であるＩＴＯ、クロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料またはこれら導電材料の積層体からなる。入力配線１６は、支持基板１１上のドライバーＩＣ１３近傍に引き回し形成され、一端がドライバーＩＣ１３と接続され他端がＡＣＦを介してＦＰＣ（図示しない）と接続される。
【００２５】
以上の各部によって有機ＥＬパネルが構成されている。
【００２６】
かかる有機ＥＬパネルは、少なくとも絶縁膜１２ｂ上の陰極配線１５がコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の陰極ライン１２ｆと重なり合う個所Ｓに形成される絶縁性の島状部１２ｄを備えるものである。これにより、支持基板１１上のデッドスペースを低減するために陰極配線１５を折り曲げ形成する場合に、絶縁膜１２ｂにピンホール等の異常が生じたとしても陰極配線１５のショートを良好に防止することができる。したがって、陰極配線１５にショートを生じさせることなくデッドスペースを低減し、狭額縁化することができる。なお、島状部１２ｄは隔壁１２ｃとは接触しないため、隔壁１２ｃによる陰極ライン１２ｆの分断を阻害することもない。また、島状部１２ｄと隔壁１２ｃとの間に隙間が生じることで、陰極配線１５がコンタクトホール１２ｂ２を介して接続されない他の陰極ライン１２ｆと重なり合う個所Ｓの全てには島状部１２ｄが形成されない場合も生じうるが、かかる個所Ｓの大部分に島状部１２ｄが形成されれば十分なショート防止効果を得ることができる。
【００２７】
また、島状部１２ｄを隔壁１２ｃと同一材料にて形成することによって、隔壁１２ｃと同一工程で島状部１２ｄを形成することができ、作業工程を増加させることがなく容易に陰極配線１５のショートを防止することができる。
【００２８】
本実施形態においては第二電極ラインは陰極ライン１２ｆであり、金属配線は陰極配線１５であったが、本発明においては第二電極ラインが陽極ラインであり金属配線が陽極配線であってもよい。また、本実施形態はＣＯＧ型の有機ＥＬパネルであったが、本発明は支持基板上に金属配線が引き回し形成される有機ＥＬパネルであれば適用可能であり、ＦＰＣ上にドライバーＩＣが実装されるＴＣＰ型の有機ＥＬパネルであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明は、有機ＥＬパネルに好適であり、特に１チップ型の有機ＥＬパネルに好適である。
【符号の説明】
【００３０】
１１ 支持基板
１２ 発光部
１２ａ 陽極ライン（第一電極ライン）
１２ｂ 絶縁膜
１２ｃ 隔壁
１２ｄ 島状部
１２ｅ 有機層
１２ｆ 陰極ライン（第二電極ライン）
１２ｇ 封止部材
１３ ドライバーＩＣ
１４ 陽極配線
１５ 陰極配線（金属配線）
１６ 入力配線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に形成される複数の第一電極ラインと、
前記支持基板上に形成される複数の金属配線と、
前記支持基板上に前記第一電極ライン及び前記金属配線を部分的に覆うように形成され、前記第一電極ラインを露出させる開口部と前記金属配線を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜と、
前記第一電極ライン上に形成される有機発光層と、
前記第一電極ラインと交差するように形成され、前記コンタクトホールを介して前記金属配線と接続される複数の第二電極ラインと、
少なくとも前記絶縁膜上の前記金属配線が前記コンタクトホールを介して接続されない他の前記第二電極ラインと重なり合う個所に形成される絶縁性の島状部と、を備えてなることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記絶縁膜上に前記第二電極ラインを互いに分離させるべく前記第一電極ラインと交差するように形成される複数の絶縁性の隔壁を有し、前記島状部は前記隔壁と同一材料からなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に形成される複数の第一電極ラインと、
前記支持基板上に形成される複数の金属配線と、
前記支持基板上に前記第一電極ライン及び前記金属配線を部分的に覆うように形成され、前記第一電極ラインを露出させる開口部と前記金属配線を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜と、
前記第一電極ライン上に形成される有機発光層と、
前記第一電極ラインと交差するように形成され、前記コンタクトホールを介して前記金属配線と接続される複数の第二電極ラインと、
少なくとも前記絶縁膜上の前記金属配線が前記コンタクトホールを介して接続されない他の前記第二電極ラインと重なり合う個所に形成される絶縁性の島状部と、を備えてなることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記絶縁膜上に前記第二電極ラインを互いに分離させるべく前記第一電極ラインと交差するように形成される複数の絶縁性の隔壁を有し、前記島状部は前記隔壁と同一材料からなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１１−２０３３９７（Ｐ２０１１−２０３３９７Ａ）
【公開日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−６９１３７（Ｐ２０１０−６９１３７）
【出願日】平成２２年３月２５日（２０１０．３．２５）
【出願人】（０００２３１５１２）日本精機株式会社 (1,561)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月１３日（２０１１．１０．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月２５日（２０１０．３．２５）
【出願人】（０００２３１５１２）日本精機株式会社 (1,561)
【Ｆターム（参考）】
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