有機ＥＬ素子、表示装置、有機ＥＬ素子の製造方法
【課題】 電圧降下の抑制と画質の維持ないし向上が図られた有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】 上部電極となる第２電極５上に、保護膜６及び７が形成され、この保護膜上に、第２電極５に電気的に連結される第３電極８すなわち補助電極が形成された構成とする。
【解決手段】 上部電極となる第２電極５上に、保護膜６及び７が形成され、この保護膜上に、第２電極５に電気的に連結される第３電極８すなわち補助電極が形成された構成とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence；電界発光）素子と、この有機ＥＬ素子を用いた表示装置、ならびに有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、色再現性や応答速度の観点から優れたフラットパネルとして注目され、大画面化に向けて開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、二つの電極（上部電極と下部電極）とそれらの二つの電極に挟まれた有機膜から構成され、二つの電極間に電圧を掛けると有機膜が発光する。
【０００３】
一般的な有機ＥＬ素子の製造においては、まず、第１電極を、赤・緑・青（ＲＧＢ）の各色に対応して、画素ごとに分離してガラスなどの支持基板上に作製する。
次に、少なくとも有機発光材料からなる有機膜を蒸着法などによって作製する。通常、ＲＧＢの各色に対応する有機膜の蒸着は、それぞれの色に対応する部分だけ開口しているメタルマスクを用いて行う。
次に、有機膜の上に、蒸着法などによって第２電極を作製する。
【０００４】
第２電極の作製後、保護膜、接着層などを介して封止基板を備え付けることにより、目的とする有機ＥＬ素子を得る。
【０００５】
ここで、支持基板側から光を取り出す素子（ボトムエミッション型）の場合、支持基板側の第１電極は光透過材料で構成し、支持基板と反対側の第２電極は光反射材料（例えば金属膜）で構成する。
また、支持基板とは反対側から光を取り出す素子（トップエミッション型）の場合には、第１電極を光反射材料で構成し、第２電極を光透過材料で構成する。
【０００６】
有機ＥＬ素子の駆動方式には、パッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式があるが、アクティブマトリックス方式は、応答時間も短く、解像度も高いなどの優れた特徴を有する。
このアクティブマトリクス方式による場合、第１電極と基板との間にＴＦＴ素子が形成されることから、素子構造としてはトップエミッション型であるほうが開口率を大きくでき、より大画面化に適している。
【０００７】
一方、表示画面が大きくなり、画素サイズが小さくなるにつれて、有機膜作成時に使用されるメタルマスクの作製が困難となり、加工精度の限界も指摘されている。そのため、有機膜の蒸着がマスクレスで行われる、いわゆるベタ膜で有機膜が形成される傾向がある。
さらに、トップエミッション型の場合には、上述したように、第２電極を、透明もしくは半透明の光透過性材料で構成する必要があるが、通常用いられる光透過性電極であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの酸化膜や金属薄膜は、スパッタによる作製時に有機膜が損傷を受け有機ＥＬ素子の表示品質の低下が起きることや、抵抗値が高くなるために大画面化したときに電圧降下が起き、画面の中央部と周辺部で発光強度が異なり画質低下が生じることが問題となる。
【０００８】
したがって、有機膜に損傷を与えることなく上部電極を形成し、かつこの上部電極の実質的な抵抗を低減することが要求されている。
これに対し、下部電極すなわち第１電極と同一平面上に、最終的に上部電極が形成される位置と同程度の高さを有するように補助電極となる第３電極を形成し、この第３電極の側面で上部電極すなわち第２電極とのコンタクトをとる方法（例えば特許文献１参照）や、上部電極上に補助配線を直接積層させる方法（例えば特許文献２参照）などが提案されている。
【特許文献１】特開2001-230086号公報
【特許文献２】特開2004-281402号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、下部電極と同一平面上に作製された補助電極の側面でコンタクトを取る方法は、上述したマスクレス法により有機膜が蒸着された場合、有機膜を構成する材料が補助電極の表面に付着もしくは被覆してしまうので、上部電極と補助電極とのコンタクトが不可能もしくは不安定になる。
また、この方法において、例えば補助電極をオーバーハング状に形成した場合にも、補助電極の形成後に有機膜の蒸着を行う限り、補助電極に対する有機膜の付着を抑制することは難しく、上部電極とのコンタクトすなわち電気的連結に支障をきたすおそれがあり、オーバーハング形状を極端に幅広に形成することも、電極の付着が困難になるほか、素子の高精細化を図る上で問題となる。
【００１０】
一方、補助電極を上部電極上に直接積層させる方法は、大画面・高精細化が進むにつれ、上述した有機膜と同様に蒸着マスクの精度が限界になり、補助電極のパターニングが不可能となる。
さらに、リソグラフィーなどの手法によって上部電極や有機膜をパターニングすることは、溶剤・水分などにより、有機層がダメージを受けるため、好ましくない。
【００１１】
本発明は、上記のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、表示品質の良好な、有機膜に損傷を与えることなく上部電極を形成し、かつこの上部電極の実質的な抵抗の低減が図られた有機ＥＬ素子ならびに表示装置と、その上部電極の実質的な抵抗を有機膜の損傷を回避して行う有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１及び第２の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有する有機ＥＬ素子であって、前記第２電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、前記第２電極に電気的に連結される第３電極が形成された構成を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る表示装置は、有機ＥＬ素子を有する表示装置であって、前記有機ＥＬ素子が、第１電極と、第２電極と、前記第１及び第２の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有し、前記第２電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、前記第２電極に電気的に連結される第３電極が形成された構成を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に、第１電極と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜と、第２電極とを積層形成する工程と、前記第２電極上に、保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に、前記第２電極に連結される第３電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る有機ＥＬ素子によれば、上部電極となる第２電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、第２電極に電気的に連結される第３電極すなわち補助電極が形成された構成を有することから、第２電極と第３電極の良好なコンタクトが可能とされ、電圧降下の抑制と画質の維持ないし向上が図られた有機ＥＬ素子を提供することができる。
【００１６】
また、本発明に係る有機ＥＬ素子においては、第３電極の少なくとも一部が画素の周縁に対応して形成される構成や、画素全面に形成されるも光透過材料よりなる構成とすることにより、外部に取り出される光の輝度やコントラスト等の特性を確保することができ、より優れた表示品質・表示品位を有する表示装置を構成することができる。
【００１７】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法によれば、基板上に、第１電極と、有機膜と、第２電極とを積層形成する工程と、第２電極上に保護膜を形成する工程と、保護膜上に第２電極に連結される第３電極を形成する工程とを有することから、有機膜に損傷を与えることなく、第２電極の実質抵抗の低減が図られた有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００１８】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法においては、保護膜を、例えば互いにエッチング耐性が異なる２つ以上の層による多層膜として形成し、この保護膜の一部を、第３電極の形成に先立って選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成することにより、有機膜の損傷を回避しながらも第２電極と第３電極に良好なコンタクトを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
まず、本発明に係る有機ＥＬ素子及び表示装置の実施の形態を説明する。
本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、例えばガラスよりなる基板２上に、少なくとも、第１電極３と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜４と、第２電極５とを有し、第２電極５上に、第１及び第２の保護膜６及び７が積層膜として形成され、その上に、第２電極５に電気的に連結される第３電極８が形成された構成を有する。
なお、図示しないが、第３電極８とその開口に露出する第２保護膜７の上に、これらと有機ＥＬ素子１の側面とを覆うように、接着樹脂と封止基板が形成されることが好ましい。
【００２１】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子１は、第１電極３が陽極、第２電極５が陰極とされ、更に有機膜４における発光が第２電極５の側から外部に取り出される、上面発光すなわちトップエミッション型の構成を有する。
また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１は、基板２と第１電極３との間に、図示しないＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）が設けられ、このＴＦＴ素子によって第１電極が駆動されるアクティブマトリクス型とされる。
【００２２】
第１電極３は、ＴＦＴ配線１１との間に絶縁膜１２を介し、かつ隣り合う画素を構成する第１電極との間に絶縁膜１３を介して、有機ＥＬ素子１を構成する複数の画素１０ごとに対応して、有機膜４で生じる発光を反射する光反射材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）により構成することができる。
【００２３】
有機膜４は、少なくとも有機発光材料からなり、例えば図示しないが、有機発光材料による発光層を中心に、第１電極側に正孔輸送層、第２電極側に電子輸送層を有する構成とすることができる。また、正孔輸送層と電子輸送層の一方が発光層を兼ねる構成とすることもできる。
また、本実施形態においては、有機膜４は、隣り合う画素１０について共通に所謂ベタ膜として形成されている。
【００２４】
第２電極５は、有機膜４上に、隣り合う画素１０について共通に形成されるが、有機膜４で生じる発光を透過する光透過性材料、例えば上述のＭｇ−Ａｇ混合膜によって構成される光透過性薄膜とされる。
【００２５】
第１及び第２の保護膜６及び７は、後述するように、第１保護膜６に比して高い耐エッチング性を有する材料によって第２保護膜７を構成することが好ましく、また、有機膜４で生じる発光を透過する光透過性材料、例えば例えばそれぞれＳｉＮＸ及びＳｉＯＸにより構成される。
【００２６】
第３電極８は、例えばＡｌからなり、第１及び第２の保護膜に形成されたコンタクトホールにコンタクト部９を有し、このコンタクト部９で第２電極と電気的に連結される。
また、第３電極は主に複数の画素１０の周縁に対応して形成されており、各画素１０において有機膜４で生じる発光を阻害しない位置形状とされる。すなわち、第３電極８は、単位画素１０ごと或いは複数の画素１０を取り囲むように形成される。
【００２７】
コンタクト部９は、第３電極８の全形成部に設けることもできるが、複数の画素１０の周縁部すなわち画素間部内で、所望の位置形状を選定して形成することができる。
例えば、図２Ａに示すように、格子状に設けられた複数の画素１０の画素間部に形成される、水平方向に延在する第３電極８と垂直方向に延在する第３電極８の全ての交点に設けることもできるし、図２Ｂに示すように、コンタクトホールを間引いて１つおきの交点に設けることもできる。また、図２Ｃに示すように、画素１０の１つの対角線上に位置する交点のみに、所謂千鳥格子状に設けることもできる。
【００２８】
また、第３電極８についても、必ずしも全ての画素１０を網羅して形成される必要はなく、第２電極５の実質抵抗を十分に低減して電圧降下を抑制できる程度の密度で、例えば図２Ｄに示すように１つおきの画素間部に形成された構成とすることもできる。
第２電極５の補助電極となる第３電極８は、第２電極に比して高い導電性を有することが好ましい。第２電極に比して導電性を高くするには、第２電極に比して小さな比抵抗を有する材料を用いても良いし、第２電極と同等または大きな比抵抗を有する材料を用いながらも第２電極よりも厚く形成するなどして実質抵抗の低減を図っても良い。
【００２９】
本実施の形態に係る有機ＥＬ素子によれば、上部電極となる第２電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、第２電極に電気的に連結される第３電極すなわち補助電極が形成された構成を有することから、第２電極と第３電極の良好なコンタクトが可能とされ、電圧降下の抑制が図られた有機ＥＬ素子を提供することができる。
【００３０】
また、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子においては、第３電極の少なくとも一部が画素の周縁に対応して形成される構成とすることにより、外部に取り出される光の輝度やコントラスト等の特性を確保することができ、より優れた表示品質・表示品位を有する表示装置を構成することができる。
【００３１】
なお、本実施の形態において、上述の光反射材料は、少なくとも光透過材料に比して、有機膜で発生する光の波長に関する反射率が高い材料であれば良いし、光透過材料も、必ずしも透明でなくとも、例えば半透明であれば良い。
また、周縁とは、例えば複数並んだ画素間の少なくとも一部を指称し、必ずしも画素の周囲を完全に囲む形状でなくとも良い。
【００３２】
次に、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の実施の形態を説明する。
【００３３】
まず、図３Ａに示すように、ガラスよりなる基板２を用意し、その上にＴＦＴのゲート電極となる配線１１と、ゲート絶縁膜２１と、半導体薄膜２０とからなるＴＦＴ素子１５を形成し、その上部に例えばポリイミド（ＰＩ）による絶縁膜１２を介して例えばＰＩによる平坦化絶縁膜を形成し、リソグラフィ法によって形成したレジストパターンをマスクに用いて平坦化絶縁膜の所定部にＴＦＴ素子１５に通じるコンタクトホールを含む凹部を形成した後、最終的に第１電極（画素電極、いわゆる下部電極）３を構成する電極材料例えばＡｌを、スパッタにより例えば１００ｎｍの厚さで形成し、この電極材料をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、混酸（硝酸、酢酸及び燐酸）や塩素ガスなどによるエッチングによって各画素を構成する第１電極３を形成した後、隣り合う画素を構成する第１電極３の短絡防止のために、第１電極３の端部と絶縁膜１２の露出部とに渡って例えばＰＩによる絶縁膜を形成して、層間絶縁膜１３を形成する。
【００３４】
続いて、図３Ｂに示すように、例えば蒸着法によって、第１電極３と層間絶縁膜１３の露出部とに渡って、複数の画素について共通すなわちベタ膜として、例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さで有機膜４を形成する。なお、図示しないが、有機膜４は少なくとも有機発光材料による発光層を有し、必要に応じて、第１電極３側に正孔輸送層が、後に形成する第２電極５側に電子輸送層が設けられるなど、適宜変更が可能である。材料は、目的とする発光波長などに応じて種々のものを用いることができる。
【００３５】
続いて、図３Ｃに示すように、蒸着法によって、有機膜４の上面に全面的に例えばＭｇ−Ａｇ混合膜による第２電極（対向電極、いわゆる上部電極）５を、例えば１０ｎｍの厚さで形成することにより、第１電極３と、有機膜４と、第２電極５とを積層形成する工程を行う。
【００３６】
続いて、図４Ａに示すように、例えばＳｉＮＸによる第１保護膜６と、例えばＳｉＯＸによる第２保護膜７とを、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相蒸着）法によって、例えばそれぞれ３μｍと１μｍの厚さで積層形成した後、素子間部の所定の位置、すなわち最終的にコンタクト部９の形成位置となる箇所に、リソグラフィー法によって開口を有するレジスト１４を形成する。
【００３７】
続いて、図４Ｂに示すように、レジスト１４の開口部に露出した第２保護膜７のエッチングを行う。ここでのエッチングは、例えばドライエッチング法及びウエットエッチング法を適用することができ、例えばＨＦ（フッ化水素もしくはフッ酸）とＮＨ４Ｆの混合液や、ＣＦ４ガスとＨ２ガスの混合ガスを用いて行うことができる。
【００３８】
続いて、図４Ｃに示すように、第２保護膜７をマスクとして第１保護膜６のエッチングを行う。エッチング方法は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法のいずれも適用可能であるが、第２電極５が薄膜状に形成されていることから、有機膜４の損傷をより確実に回避するために、水分などを使わないドライエッチング法によることが好ましい。ここでのエッチングは、例えばＨＦ（フッ化水素もしくはフッ酸）やＣＦ４ガスを用いて行うことができる。
なおここで、第２保護膜７は、この第１保護膜６に対するエッチングにおけるマスクとなることから、第１保護膜６に比して高い耐エッチング性を有する材料で構成することが好ましい。
【００３９】
続いて、図５Ａに示すように、第２電極５の補助電極となる、例えばＡｌによる第３電極８を、第２電極５とのコンタクト部９を含めて全面的に形成した後、この第３電極８の、各画素の周縁部上すなわち画素間部上に、リソグラフィー法によりレジスト１７を形成する。
【００４０】
続いて、図５Ｂに示すように、第３電極８のレジスト１７の開口に露出する部分を、各画素の周縁部すなわち画素間部を残して、エッチングにより除去した後、レジスト１７を剥離除去することにより、図１Ａ及び図１Ｂに示すような有機ＥＬ素子１を得る。
第３電極８のエッチング方法は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法のいずれも適用可能であるが、水分などを使わないドライエッチング法によることが好ましい。
【００４１】
なお、図６に示すように、レジスト１７の除去後、第３電極８とその開口に露出する第２保護膜７に渡って、これらと有機ＥＬ素子１の側面とを覆うように、接着樹脂１８と封止基板１９を形成することもできる。
【００４２】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法によれば、基板上に、第１電極と、有機膜と、第２電極とを積層形成する工程と、第２電極上に保護膜を形成する工程と、保護膜上に第２電極に連結される第３電極を形成する工程とを有することから、有機膜に損傷を与えることなく、第２電極の実質抵抗の低減が図られた有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００４３】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法においては、保護膜を、例えば互いにエッチング耐性が異なる２つ以上の層による多層膜として形成し、この保護膜の一部を、第３電極の形成に先立って選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成することにより、有機膜の損傷を回避しながらも第２電極と第３電極に良好なコンタクトを形成することができる。
【００４４】
なお、本発明に係る有機ＥＬ素子、表示装置、有機ＥＬ素子の製造方法は、この実施形態に限られるものではない。
【００４５】
例えば、第３電極８すなわち補助電極を構成する材料は、Ａｌに限られず、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）などの低抵抗材料であれば適用できる。
また、例えば、図７に示すように、第３電極が各画素１０全面に形成されるも光透過材料よりなる構成とすることにより、有機ＥＬ素子の外部に取り出される光の輝度やコントラスト等の特性を確保することができ、より優れた表示品質・表示品位を有する表示装置を構成することができる。この場合の光透過材料としては、ＩＴＯなどを用いることができる。
【００４６】
また、例えば、本実施形態では上面発光型すなわちトップエミッション型の有機ＥＬ素子の例を説明したが、本発明は、ＴＦＴ側から光を取り出す所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子にも適用できるし、アクティブマトリクス方式による場合に限らず、パッシブマトリクス方式による構成とすることも可能である。
【００４７】
また、第１電極すなわち下部電極を構成する材料は、Ａｌに限られず、Ａｇなどの高反射金属であれば適用可能である。
また、絶縁膜を構成する材料も、ＰＩに限られず、他の有機材料やＳｉＯ２などの酸化膜でも適用可能である。
また、第２電極すなわち上部電極を構成する材料も、Ｍｇ−Ａｇ混合膜に限られず、例えばごく薄いＡｌやＩＴＯによる光透過性材料が適用可能である。
また、第１及び第２の保護膜を構成する材料も、ＳｉＯＸ、ＳｉＮＸに限られず、逆の組み合わせ、もしくはＡｌ２Ｏ３のような材料でも適用可能である。また、第１保護膜、第２保護膜が同一の材料であっても、例えば組成比を互いに異なる構成とすることによるなどして、エッチング耐性が異なる構成とすれば、同一材料による構成とすることも可能である。
【００４８】
また、本実施形態では、第１電極を陽極、第２電極を陰極としたが、これらを逆とした構成も可能であるなど、本発明は、種々の変更及び変形をなされうる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】Ａ，Ｂ 本発明に係る有機ＥＬ素子の一例の構成を示す概略斜視図と、一部を断面とする概略斜視図である。
【図２】Ａ〜Ｄ それぞれ、本発明に係る有機ＥＬ素子の、第３電極及びコンタクト部と画素との構成例を示す模式図である。
【図３】Ａ〜Ｃ 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一例の説明に供する工程図である。
【図４】Ａ〜Ｃ 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一例の説明に供する工程図である。
【図５】Ａ，Ｂ 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一例の説明に供する工程図である。
【図６】本発明に係る有機ＥＬ素子の他の例の構成を示す概略断面図である。
【図７】本発明に係る有機ＥＬ素子の他の例の構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・有機ＥＬ素子、２・・・基板、３・・・第１電極（下部電極、画素電極）、４・・・有機膜、５・・・第２電極、６・・・第１保護膜、７・・・第２保護膜、８・・・第３電極、９・・・コンタクト部、１０・・・画素、１１・・・ＴＦＴ配線、１２・・・絶縁膜、１３・・・層間絶縁膜、１４・・・レジスト、１５・・・ＴＦＴ素子、１６・・・コンタクトホール、１７・・・レジスト、１８・・・樹脂、１９・・・封止基板、２０・・・半導体薄膜、２１・・・ゲート絶縁膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence；電界発光）素子と、この有機ＥＬ素子を用いた表示装置、ならびに有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、色再現性や応答速度の観点から優れたフラットパネルとして注目され、大画面化に向けて開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、二つの電極（上部電極と下部電極）とそれらの二つの電極に挟まれた有機膜から構成され、二つの電極間に電圧を掛けると有機膜が発光する。
【０００３】
一般的な有機ＥＬ素子の製造においては、まず、第１電極を、赤・緑・青（ＲＧＢ）の各色に対応して、画素ごとに分離してガラスなどの支持基板上に作製する。
次に、少なくとも有機発光材料からなる有機膜を蒸着法などによって作製する。通常、ＲＧＢの各色に対応する有機膜の蒸着は、それぞれの色に対応する部分だけ開口しているメタルマスクを用いて行う。
次に、有機膜の上に、蒸着法などによって第２電極を作製する。
【０００４】
第２電極の作製後、保護膜、接着層などを介して封止基板を備え付けることにより、目的とする有機ＥＬ素子を得る。
【０００５】
ここで、支持基板側から光を取り出す素子（ボトムエミッション型）の場合、支持基板側の第１電極は光透過材料で構成し、支持基板と反対側の第２電極は光反射材料（例えば金属膜）で構成する。
また、支持基板とは反対側から光を取り出す素子（トップエミッション型）の場合には、第１電極を光反射材料で構成し、第２電極を光透過材料で構成する。
【０００６】
有機ＥＬ素子の駆動方式には、パッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式があるが、アクティブマトリックス方式は、応答時間も短く、解像度も高いなどの優れた特徴を有する。
このアクティブマトリクス方式による場合、第１電極と基板との間にＴＦＴ素子が形成されることから、素子構造としてはトップエミッション型であるほうが開口率を大きくでき、より大画面化に適している。
【０００７】
一方、表示画面が大きくなり、画素サイズが小さくなるにつれて、有機膜作成時に使用されるメタルマスクの作製が困難となり、加工精度の限界も指摘されている。そのため、有機膜の蒸着がマスクレスで行われる、いわゆるベタ膜で有機膜が形成される傾向がある。
さらに、トップエミッション型の場合には、上述したように、第２電極を、透明もしくは半透明の光透過性材料で構成する必要があるが、通常用いられる光透過性電極であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの酸化膜や金属薄膜は、スパッタによる作製時に有機膜が損傷を受け有機ＥＬ素子の表示品質の低下が起きることや、抵抗値が高くなるために大画面化したときに電圧降下が起き、画面の中央部と周辺部で発光強度が異なり画質低下が生じることが問題となる。
【０００８】
したがって、有機膜に損傷を与えることなく上部電極を形成し、かつこの上部電極の実質的な抵抗を低減することが要求されている。
これに対し、下部電極すなわち第１電極と同一平面上に、最終的に上部電極が形成される位置と同程度の高さを有するように補助電極となる第３電極を形成し、この第３電極の側面で上部電極すなわち第２電極とのコンタクトをとる方法（例えば特許文献１参照）や、上部電極上に補助配線を直接積層させる方法（例えば特許文献２参照）などが提案されている。
【特許文献１】特開2001-230086号公報
【特許文献２】特開2004-281402号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、下部電極と同一平面上に作製された補助電極の側面でコンタクトを取る方法は、上述したマスクレス法により有機膜が蒸着された場合、有機膜を構成する材料が補助電極の表面に付着もしくは被覆してしまうので、上部電極と補助電極とのコンタクトが不可能もしくは不安定になる。
また、この方法において、例えば補助電極をオーバーハング状に形成した場合にも、補助電極の形成後に有機膜の蒸着を行う限り、補助電極に対する有機膜の付着を抑制することは難しく、上部電極とのコンタクトすなわち電気的連結に支障をきたすおそれがあり、オーバーハング形状を極端に幅広に形成することも、電極の付着が困難になるほか、素子の高精細化を図る上で問題となる。
【００１０】
一方、補助電極を上部電極上に直接積層させる方法は、大画面・高精細化が進むにつれ、上述した有機膜と同様に蒸着マスクの精度が限界になり、補助電極のパターニングが不可能となる。
さらに、リソグラフィーなどの手法によって上部電極や有機膜をパターニングすることは、溶剤・水分などにより、有機層がダメージを受けるため、好ましくない。
【００１１】
本発明は、上記のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、表示品質の良好な、有機膜に損傷を与えることなく上部電極を形成し、かつこの上部電極の実質的な抵抗の低減が図られた有機ＥＬ素子ならびに表示装置と、その上部電極の実質的な抵抗を有機膜の損傷を回避して行う有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１及び第２の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有する有機ＥＬ素子であって、前記第２電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、前記第２電極に電気的に連結される第３電極が形成された構成を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る表示装置は、有機ＥＬ素子を有する表示装置であって、前記有機ＥＬ素子が、第１電極と、第２電極と、前記第１及び第２の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有し、前記第２電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、前記第２電極に電気的に連結される第３電極が形成された構成を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に、第１電極と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜と、第２電極とを積層形成する工程と、前記第２電極上に、保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に、前記第２電極に連結される第３電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る有機ＥＬ素子によれば、上部電極となる第２電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、第２電極に電気的に連結される第３電極すなわち補助電極が形成された構成を有することから、第２電極と第３電極の良好なコンタクトが可能とされ、電圧降下の抑制と画質の維持ないし向上が図られた有機ＥＬ素子を提供することができる。
【００１６】
また、本発明に係る有機ＥＬ素子においては、第３電極の少なくとも一部が画素の周縁に対応して形成される構成や、画素全面に形成されるも光透過材料よりなる構成とすることにより、外部に取り出される光の輝度やコントラスト等の特性を確保することができ、より優れた表示品質・表示品位を有する表示装置を構成することができる。
【００１７】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法によれば、基板上に、第１電極と、有機膜と、第２電極とを積層形成する工程と、第２電極上に保護膜を形成する工程と、保護膜上に第２電極に連結される第３電極を形成する工程とを有することから、有機膜に損傷を与えることなく、第２電極の実質抵抗の低減が図られた有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００１８】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法においては、保護膜を、例えば互いにエッチング耐性が異なる２つ以上の層による多層膜として形成し、この保護膜の一部を、第３電極の形成に先立って選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成することにより、有機膜の損傷を回避しながらも第２電極と第３電極に良好なコンタクトを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
まず、本発明に係る有機ＥＬ素子及び表示装置の実施の形態を説明する。
本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、例えばガラスよりなる基板２上に、少なくとも、第１電極３と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜４と、第２電極５とを有し、第２電極５上に、第１及び第２の保護膜６及び７が積層膜として形成され、その上に、第２電極５に電気的に連結される第３電極８が形成された構成を有する。
なお、図示しないが、第３電極８とその開口に露出する第２保護膜７の上に、これらと有機ＥＬ素子１の側面とを覆うように、接着樹脂と封止基板が形成されることが好ましい。
【００２１】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子１は、第１電極３が陽極、第２電極５が陰極とされ、更に有機膜４における発光が第２電極５の側から外部に取り出される、上面発光すなわちトップエミッション型の構成を有する。
また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１は、基板２と第１電極３との間に、図示しないＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）が設けられ、このＴＦＴ素子によって第１電極が駆動されるアクティブマトリクス型とされる。
【００２２】
第１電極３は、ＴＦＴ配線１１との間に絶縁膜１２を介し、かつ隣り合う画素を構成する第１電極との間に絶縁膜１３を介して、有機ＥＬ素子１を構成する複数の画素１０ごとに対応して、有機膜４で生じる発光を反射する光反射材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）により構成することができる。
【００２３】
有機膜４は、少なくとも有機発光材料からなり、例えば図示しないが、有機発光材料による発光層を中心に、第１電極側に正孔輸送層、第２電極側に電子輸送層を有する構成とすることができる。また、正孔輸送層と電子輸送層の一方が発光層を兼ねる構成とすることもできる。
また、本実施形態においては、有機膜４は、隣り合う画素１０について共通に所謂ベタ膜として形成されている。
【００２４】
第２電極５は、有機膜４上に、隣り合う画素１０について共通に形成されるが、有機膜４で生じる発光を透過する光透過性材料、例えば上述のＭｇ−Ａｇ混合膜によって構成される光透過性薄膜とされる。
【００２５】
第１及び第２の保護膜６及び７は、後述するように、第１保護膜６に比して高い耐エッチング性を有する材料によって第２保護膜７を構成することが好ましく、また、有機膜４で生じる発光を透過する光透過性材料、例えば例えばそれぞれＳｉＮＸ及びＳｉＯＸにより構成される。
【００２６】
第３電極８は、例えばＡｌからなり、第１及び第２の保護膜に形成されたコンタクトホールにコンタクト部９を有し、このコンタクト部９で第２電極と電気的に連結される。
また、第３電極は主に複数の画素１０の周縁に対応して形成されており、各画素１０において有機膜４で生じる発光を阻害しない位置形状とされる。すなわち、第３電極８は、単位画素１０ごと或いは複数の画素１０を取り囲むように形成される。
【００２７】
コンタクト部９は、第３電極８の全形成部に設けることもできるが、複数の画素１０の周縁部すなわち画素間部内で、所望の位置形状を選定して形成することができる。
例えば、図２Ａに示すように、格子状に設けられた複数の画素１０の画素間部に形成される、水平方向に延在する第３電極８と垂直方向に延在する第３電極８の全ての交点に設けることもできるし、図２Ｂに示すように、コンタクトホールを間引いて１つおきの交点に設けることもできる。また、図２Ｃに示すように、画素１０の１つの対角線上に位置する交点のみに、所謂千鳥格子状に設けることもできる。
【００２８】
また、第３電極８についても、必ずしも全ての画素１０を網羅して形成される必要はなく、第２電極５の実質抵抗を十分に低減して電圧降下を抑制できる程度の密度で、例えば図２Ｄに示すように１つおきの画素間部に形成された構成とすることもできる。
第２電極５の補助電極となる第３電極８は、第２電極に比して高い導電性を有することが好ましい。第２電極に比して導電性を高くするには、第２電極に比して小さな比抵抗を有する材料を用いても良いし、第２電極と同等または大きな比抵抗を有する材料を用いながらも第２電極よりも厚く形成するなどして実質抵抗の低減を図っても良い。
【００２９】
本実施の形態に係る有機ＥＬ素子によれば、上部電極となる第２電極上に、保護膜が形成され、この保護膜上に、第２電極に電気的に連結される第３電極すなわち補助電極が形成された構成を有することから、第２電極と第３電極の良好なコンタクトが可能とされ、電圧降下の抑制が図られた有機ＥＬ素子を提供することができる。
【００３０】
また、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子においては、第３電極の少なくとも一部が画素の周縁に対応して形成される構成とすることにより、外部に取り出される光の輝度やコントラスト等の特性を確保することができ、より優れた表示品質・表示品位を有する表示装置を構成することができる。
【００３１】
なお、本実施の形態において、上述の光反射材料は、少なくとも光透過材料に比して、有機膜で発生する光の波長に関する反射率が高い材料であれば良いし、光透過材料も、必ずしも透明でなくとも、例えば半透明であれば良い。
また、周縁とは、例えば複数並んだ画素間の少なくとも一部を指称し、必ずしも画素の周囲を完全に囲む形状でなくとも良い。
【００３２】
次に、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の実施の形態を説明する。
【００３３】
まず、図３Ａに示すように、ガラスよりなる基板２を用意し、その上にＴＦＴのゲート電極となる配線１１と、ゲート絶縁膜２１と、半導体薄膜２０とからなるＴＦＴ素子１５を形成し、その上部に例えばポリイミド（ＰＩ）による絶縁膜１２を介して例えばＰＩによる平坦化絶縁膜を形成し、リソグラフィ法によって形成したレジストパターンをマスクに用いて平坦化絶縁膜の所定部にＴＦＴ素子１５に通じるコンタクトホールを含む凹部を形成した後、最終的に第１電極（画素電極、いわゆる下部電極）３を構成する電極材料例えばＡｌを、スパッタにより例えば１００ｎｍの厚さで形成し、この電極材料をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、混酸（硝酸、酢酸及び燐酸）や塩素ガスなどによるエッチングによって各画素を構成する第１電極３を形成した後、隣り合う画素を構成する第１電極３の短絡防止のために、第１電極３の端部と絶縁膜１２の露出部とに渡って例えばＰＩによる絶縁膜を形成して、層間絶縁膜１３を形成する。
【００３４】
続いて、図３Ｂに示すように、例えば蒸着法によって、第１電極３と層間絶縁膜１３の露出部とに渡って、複数の画素について共通すなわちベタ膜として、例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さで有機膜４を形成する。なお、図示しないが、有機膜４は少なくとも有機発光材料による発光層を有し、必要に応じて、第１電極３側に正孔輸送層が、後に形成する第２電極５側に電子輸送層が設けられるなど、適宜変更が可能である。材料は、目的とする発光波長などに応じて種々のものを用いることができる。
【００３５】
続いて、図３Ｃに示すように、蒸着法によって、有機膜４の上面に全面的に例えばＭｇ−Ａｇ混合膜による第２電極（対向電極、いわゆる上部電極）５を、例えば１０ｎｍの厚さで形成することにより、第１電極３と、有機膜４と、第２電極５とを積層形成する工程を行う。
【００３６】
続いて、図４Ａに示すように、例えばＳｉＮＸによる第１保護膜６と、例えばＳｉＯＸによる第２保護膜７とを、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相蒸着）法によって、例えばそれぞれ３μｍと１μｍの厚さで積層形成した後、素子間部の所定の位置、すなわち最終的にコンタクト部９の形成位置となる箇所に、リソグラフィー法によって開口を有するレジスト１４を形成する。
【００３７】
続いて、図４Ｂに示すように、レジスト１４の開口部に露出した第２保護膜７のエッチングを行う。ここでのエッチングは、例えばドライエッチング法及びウエットエッチング法を適用することができ、例えばＨＦ（フッ化水素もしくはフッ酸）とＮＨ４Ｆの混合液や、ＣＦ４ガスとＨ２ガスの混合ガスを用いて行うことができる。
【００３８】
続いて、図４Ｃに示すように、第２保護膜７をマスクとして第１保護膜６のエッチングを行う。エッチング方法は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法のいずれも適用可能であるが、第２電極５が薄膜状に形成されていることから、有機膜４の損傷をより確実に回避するために、水分などを使わないドライエッチング法によることが好ましい。ここでのエッチングは、例えばＨＦ（フッ化水素もしくはフッ酸）やＣＦ４ガスを用いて行うことができる。
なおここで、第２保護膜７は、この第１保護膜６に対するエッチングにおけるマスクとなることから、第１保護膜６に比して高い耐エッチング性を有する材料で構成することが好ましい。
【００３９】
続いて、図５Ａに示すように、第２電極５の補助電極となる、例えばＡｌによる第３電極８を、第２電極５とのコンタクト部９を含めて全面的に形成した後、この第３電極８の、各画素の周縁部上すなわち画素間部上に、リソグラフィー法によりレジスト１７を形成する。
【００４０】
続いて、図５Ｂに示すように、第３電極８のレジスト１７の開口に露出する部分を、各画素の周縁部すなわち画素間部を残して、エッチングにより除去した後、レジスト１７を剥離除去することにより、図１Ａ及び図１Ｂに示すような有機ＥＬ素子１を得る。
第３電極８のエッチング方法は、ドライエッチング法、ウエットエッチング法のいずれも適用可能であるが、水分などを使わないドライエッチング法によることが好ましい。
【００４１】
なお、図６に示すように、レジスト１７の除去後、第３電極８とその開口に露出する第２保護膜７に渡って、これらと有機ＥＬ素子１の側面とを覆うように、接着樹脂１８と封止基板１９を形成することもできる。
【００４２】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法によれば、基板上に、第１電極と、有機膜と、第２電極とを積層形成する工程と、第２電極上に保護膜を形成する工程と、保護膜上に第２電極に連結される第３電極を形成する工程とを有することから、有機膜に損傷を与えることなく、第２電極の実質抵抗の低減が図られた有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００４３】
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法においては、保護膜を、例えば互いにエッチング耐性が異なる２つ以上の層による多層膜として形成し、この保護膜の一部を、第３電極の形成に先立って選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成することにより、有機膜の損傷を回避しながらも第２電極と第３電極に良好なコンタクトを形成することができる。
【００４４】
なお、本発明に係る有機ＥＬ素子、表示装置、有機ＥＬ素子の製造方法は、この実施形態に限られるものではない。
【００４５】
例えば、第３電極８すなわち補助電極を構成する材料は、Ａｌに限られず、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）などの低抵抗材料であれば適用できる。
また、例えば、図７に示すように、第３電極が各画素１０全面に形成されるも光透過材料よりなる構成とすることにより、有機ＥＬ素子の外部に取り出される光の輝度やコントラスト等の特性を確保することができ、より優れた表示品質・表示品位を有する表示装置を構成することができる。この場合の光透過材料としては、ＩＴＯなどを用いることができる。
【００４６】
また、例えば、本実施形態では上面発光型すなわちトップエミッション型の有機ＥＬ素子の例を説明したが、本発明は、ＴＦＴ側から光を取り出す所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子にも適用できるし、アクティブマトリクス方式による場合に限らず、パッシブマトリクス方式による構成とすることも可能である。
【００４７】
また、第１電極すなわち下部電極を構成する材料は、Ａｌに限られず、Ａｇなどの高反射金属であれば適用可能である。
また、絶縁膜を構成する材料も、ＰＩに限られず、他の有機材料やＳｉＯ２などの酸化膜でも適用可能である。
また、第２電極すなわち上部電極を構成する材料も、Ｍｇ−Ａｇ混合膜に限られず、例えばごく薄いＡｌやＩＴＯによる光透過性材料が適用可能である。
また、第１及び第２の保護膜を構成する材料も、ＳｉＯＸ、ＳｉＮＸに限られず、逆の組み合わせ、もしくはＡｌ２Ｏ３のような材料でも適用可能である。また、第１保護膜、第２保護膜が同一の材料であっても、例えば組成比を互いに異なる構成とすることによるなどして、エッチング耐性が異なる構成とすれば、同一材料による構成とすることも可能である。
【００４８】
また、本実施形態では、第１電極を陽極、第２電極を陰極としたが、これらを逆とした構成も可能であるなど、本発明は、種々の変更及び変形をなされうる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】Ａ，Ｂ 本発明に係る有機ＥＬ素子の一例の構成を示す概略斜視図と、一部を断面とする概略斜視図である。
【図２】Ａ〜Ｄ それぞれ、本発明に係る有機ＥＬ素子の、第３電極及びコンタクト部と画素との構成例を示す模式図である。
【図３】Ａ〜Ｃ 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一例の説明に供する工程図である。
【図４】Ａ〜Ｃ 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一例の説明に供する工程図である。
【図５】Ａ，Ｂ 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一例の説明に供する工程図である。
【図６】本発明に係る有機ＥＬ素子の他の例の構成を示す概略断面図である。
【図７】本発明に係る有機ＥＬ素子の他の例の構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・有機ＥＬ素子、２・・・基板、３・・・第１電極（下部電極、画素電極）、４・・・有機膜、５・・・第２電極、６・・・第１保護膜、７・・・第２保護膜、８・・・第３電極、９・・・コンタクト部、１０・・・画素、１１・・・ＴＦＴ配線、１２・・・絶縁膜、１３・・・層間絶縁膜、１４・・・レジスト、１５・・・ＴＦＴ素子、１６・・・コンタクトホール、１７・・・レジスト、１８・・・樹脂、１９・・・封止基板、２０・・・半導体薄膜、２１・・・ゲート絶縁膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、前記第１及び第２の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有する有機ＥＬ素子であって、
前記第２電極上に、保護膜が形成され、
該保護膜上に、前記第２電極に電気的に連結される第３電極が形成された構成を有する
ことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記第３電極と前記第２電極との連結が、画素の周縁部で選択的になされる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記第３電極と前記第２電極との連結が、前記保護膜内に形成されたコンタクトホールにおいてなされる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記第３電極が、少なくとも一部、画素の周縁に対応して形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記第３電極が、光透過材料よりなる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記第３電極が、前記第２電極に比して高い導電性を示す
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
前記保護膜が、少なくとも２層以上の多層膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項８】
前記有機膜が、少なくとも一部、隣り合う画素間で共通に形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項９】
前記第１電極が、光反射材料よりなり、前記第２電極が、光透過材料よりなる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
有機ＥＬ素子を有する表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子が、
第１電極と、第２電極と、前記第１及び第２の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有し、
前記第２電極上に、保護膜が形成され、
該保護膜上に、前記第２電極に電気的に連結される第３電極が形成された構成を有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
基板上に、第１電極と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜と、第２電極とを積層形成する工程と、
前記第２電極上に、保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に、前記第２電極に連結される第３電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第３電極の形成に先立って、前記保護膜の一部を選択的にエッチングする
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第３電極を、少なくとも一部、画素の周縁に対応させて形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第３電極を、光透過材料により構成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１５】
前記保護膜を、少なくとも２層以上の多層膜として形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１６】
前記有機膜を、少なくとも一部、隣り合う画素について共通に形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、前記第１及び第２の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有する有機ＥＬ素子であって、
前記第２電極上に、保護膜が形成され、
該保護膜上に、前記第２電極に電気的に連結される第３電極が形成された構成を有する
ことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記第３電極と前記第２電極との連結が、画素の周縁部で選択的になされる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記第３電極と前記第２電極との連結が、前記保護膜内に形成されたコンタクトホールにおいてなされる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記第３電極が、少なくとも一部、画素の周縁に対応して形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記第３電極が、光透過材料よりなる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記第３電極が、前記第２電極に比して高い導電性を示す
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
前記保護膜が、少なくとも２層以上の多層膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項８】
前記有機膜が、少なくとも一部、隣り合う画素間で共通に形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項９】
前記第１電極が、光反射材料よりなり、前記第２電極が、光透過材料よりなる
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
有機ＥＬ素子を有する表示装置であって、
前記有機ＥＬ素子が、
第１電極と、第２電極と、前記第１及び第２の電極間に設けられ、少なくとも有機発光材料からなる有機膜とを有し、
前記第２電極上に、保護膜が形成され、
該保護膜上に、前記第２電極に電気的に連結される第３電極が形成された構成を有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
基板上に、第１電極と、少なくとも有機発光材料からなる有機膜と、第２電極とを積層形成する工程と、
前記第２電極上に、保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に、前記第２電極に連結される第３電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第３電極の形成に先立って、前記保護膜の一部を選択的にエッチングする
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第３電極を、少なくとも一部、画素の周縁に対応させて形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第３電極を、光透過材料により構成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１５】
前記保護膜を、少なくとも２層以上の多層膜として形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１６】
前記有機膜を、少なくとも一部、隣り合う画素について共通に形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００６−２６１０５８（Ｐ２００６−２６１０５８Ａ）
【公開日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−８０１３１（Ｐ２００５−８０１３１）
【出願日】平成１７年３月１８日（２００５．３．１８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月１８日（２００５．３．１８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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