有機ＥＬ素子及びその製造方法
【課題】高発光効率且つ色純度の良好な有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に形成され且つ少なくとも第一電極４を含む複数の層を有する中間層１０と、中間層１０上に形成された発光媒体層８と、発光媒体層８上に形成された第二電極１２を備える有機ＥＬ素子１であって、発光媒体層８は、異なる色毎にパターニングして形成された有機発光層３０を含み、中間層１０の膜厚ｄを、４００［ｎｍ］以上９００ｎｍ［ｎｍ］の範囲内とする。
【解決手段】基板２と、基板２上に形成され且つ少なくとも第一電極４を含む複数の層を有する中間層１０と、中間層１０上に形成された発光媒体層８と、発光媒体層８上に形成された第二電極１２を備える有機ＥＬ素子１であって、発光媒体層８は、異なる色毎にパターニングして形成された有機発光層３０を含み、中間層１０の膜厚ｄを、４００［ｎｍ］以上９００ｎｍ［ｎｍ］の範囲内とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子と、その製造方法に関するものであり、特に、有機薄膜のＥＬ現象を利用した有機ＥＬ素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、陽極としての電極と、陰極としての電極との間に、少なくともＥＬ現象を呈する有機発光層を挟持した構造を有しており、電極（陽極と陰極）間に電圧が印加されると、有機発光層に正孔と電子が注入され、この正孔と電子とが有機発光層で再結合することにより、有機発光層が発光する自発光型の素子である。
上記のような有機ＥＬ素子には、発光効率を増大させる等の目的から、陽極と有機発光層との間に、正孔注入層、正孔輸送層、または、有機発光層と陰極との間に、電子輸送層、電子注入層等が、適宜選択して設けられている。
上述した各層は、有機材料や無機材料を用いて形成されている。
【０００３】
ここで、有機材料としては、低分子材料と高分子材料とがある。
低分子材料としては、例えば、正孔注入層に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、正孔輸送層にＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ビフェニル―４，４’ジアミン（ＴＰＤ）、有機発光層にトリス（８―キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、電子輸送層に２―（４―ビフェニリル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチル―フェニル）―１，３，４，―オキサジゾール（ＰＢＤ）、電子注入層にＬｉＦ等を用いたものが挙げられる。
【０００４】
これらの低分子材料よりなる各層は、一般的に、０．１［ｎｍ］以上２００［ｎｍ］以下の範囲内程度の膜厚で、主に、抵抗加熱方式等の真空蒸着法や、スパッタ法等の真空中の乾式法（ドライプロセス）によって成膜されている。
また、低分子系材料は種類が豊富であるため、その組み合わせによって、発光効率や発光輝度、寿命等の向上が期待されている。
【０００５】
一方、高分子材料としては、例えば、有機発光層にポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に低分子の発光色素を溶解させたものや、ポリフェニレンビニレン誘導体（以下、「ＰＰＶ」と記載する場合がある）、ポリアルキルフルオレン誘導体（以下、「ＰＡＦ」と記載する場合がある）等の高分子蛍光体、希土類金属系等の高分子燐光体が用いられている。
【０００６】
これらの高分子材料は、一般的に、溶剤に溶解または分散され、塗布や印刷等の湿式法（ウェットプロセス法）を用いて、１［ｎｍ］以上１００［ｎｍ］以下の範囲内程度の膜厚で成膜されている。
上記のような湿式法を用いた場合、真空蒸着法等、真空中の乾式法を用いた場合と比較して、大気中で成膜が可能、設備が安価、大型化が容易、短時間に効率良く成膜可能である、等の利点がある。
【０００７】
また、上記のような高分子材料を用いて成膜した有機薄膜は、結晶化や凝集が起こりにくく、さらには、他層のピンホールや異物を被覆するため、短絡やダークスポット等の不良を防ぐことが可能となるという利点もある。
そして、有機ＥＬ素子の発光効率や色純度を向上させるための技術として、例えば、特許文献１に記載されている技術を用いることにより、有機発光層から光取り出し方向へ向う光と、有機発光層から反射電極によって反射されてから取り出される光との干渉を引き起こす素子において、光を共振させる共振層を設けることで、高効率且つ視野角依存性の小さい発光素子が得られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特願２００８−３０４６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載されている技術では、例えば、カラーディスプレイのように、青色、緑色、赤色の三色を同時に発光させる表示パネルにおいては、各色の特性を向上させるために、共振層の膜厚を色毎に最適化して設けることが可能だが、成膜工程が煩雑となるという問題がある。
本発明では、成膜工程を簡略化することが可能な、有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のうち、請求項１に記載した発明は、基板と、当該基板上に形成され且つ少なくとも第一電極を含む複数の層を有する中間層と、当該中間層上に形成された発光媒体層と、当該発光媒体層上に形成された第二電極と、を備える有機ＥＬ素子であって、
前記発光媒体層は、異なる色毎にパターニングして形成された有機発光層を含み、
前記中間層の膜厚は、４００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とするものである。
【００１１】
次に、本発明のうち、請求項２に記載した発明は、請求項１に記載した発明であって、前記中間層が有する各層の屈折率は、波長成分が５５０ｎｍの条件下において、１．８以上２．３以下の範囲内であり、
前記各層間における屈折率差は、０．３以下であることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項３に記載した発明は、請求項１または請求項２に記載した発明であって、前記基板、前記中間層、前記発光媒体層及び前記第二電極から形成される多重膜干渉スペクトルの極大波長が、少なくとも三つ存在することを特徴とするものである。
【００１２】
次に、本発明のうち、請求項４に記載した発明は、請求項３に記載した発明であって、前記極大波長は、第一波長、第二波長及び第三波長であり、
前記中間層の膜厚は、前記第一波長が４８０ｎｍ以下、前記第二波長が５１０ｎｍ以上６１０ｎｍ以下の範囲内、前記第三波長が６５０ｎｍ以上となるように設定されていることを特徴とするものである。
【００１３】
次に、本発明のうち、請求項５に記載した発明は、請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載した発明であって、前記有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ層を用いたアクティブマトリックス駆動型の素子であり、
前記ＴＦＴ層を構成する複数の層のうち少なくとも一層は、前記中間層が有する層であることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項６に記載した発明は、請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載した有機ＥＬ素子を製造する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記発光媒体層の形成方法として凸版印刷法を用いることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、中間層の膜厚を、適切な厚さとすることにより、多重膜干渉効果の制御を行うことが可能となるため、高発光効率且つ色純度の良好な有機ＥＬ素子の成膜工程を簡略化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第一実施形態における、有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図である。
【図２】多重膜干渉スペクトルの例を示す図である。
【図３】凸版印刷法に用いる凸版印刷装置の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第一実施形態）
以下、本発明の第一実施形態（以下、「本実施形態」と記載する）について、図面を参照しつつ、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成と、有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
（構成）
まず、図１を用いて、本実施形態の有機ＥＬ素子１の構成を説明する。
図１は、本実施形態における有機ＥＬ素子１の概略構成を示す断面図である。
図１中に示すように、有機ＥＬ素子１は、基板２と、第一電極４と、隔壁６と、発光媒体層８と、中間層１０と、第二電極１２を備えている。
【００１７】
なお、本実施形態では、一例として、有機ＥＬ素子１を、第一電極４を陽極とし、第二電極１２を陰極としたアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ素子とした場合について説明する。この場合、第一電極４は、画素ごとに隔壁６で区画された画素電極として形成され、第二電極１２は、素子全面に形成した対向電極として形成される。
また、有機ＥＬ素子１の構成は、上記の構成に限定するものではなく、例えば、各電極（第一電極４、第二電極１２）がそれぞれ直交するストライプ状とした、パッシプマトリクス駆動型の有機ＥＬ素子であってもよい。
また、第一電極４を陰極とし、第二電極１２を陽極とした逆構造としてもよい。
【００１８】
（基板２の詳細な構成）
以下、図１を参照して、基板２の詳細な構成について説明する。
なお、本実施形態では、基板２として、第一電極４が設けられたＴＦＴ基板を用いた場合を例に挙げて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ素子１が備える基板２は、画素毎に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ層）と第一電極４（画素電極）が設けられている。
薄膜トランジスタと第一電極４とは、電気接続している。
【００１９】
また、薄膜トランジスタは、支持体１４上に設けられている。
支持体１４としては、機械的強度及び絶縁性を有し、寸法安定性に優れていれば如何なる材料も使用することが可能である。
ここで、支持体１４の材料としては、例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートを用いることが可能である。
【００２０】
また、支持体１４の材料としては、例えば、上記のプラスチックフィルムやシートに、酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム等の金属窒化物、酸窒化珪素等の金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂等の高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレス等の金属箔、シート、板等を用いることが可能である。
【００２１】
さらに、支持体１４の材料としては、例えば、上記のプラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属膜を積層させた非透光性基材等を用いることが可能である。
ここで、支持体１４の透光性は、光の取出しをどちらの面から行うかに応じて選択すればよい。
上記の材料からなる支持体１４は、有機ＥＬ素子１内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好適である。特に、発光媒体層８への水分の侵入を避けるために、支持体１４における含水率及びガス透過係数を小さくすることが好適である。
薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることが可能である。
【００２２】
具体的には、主として、ゲート電極１６及びゲート絶縁膜１８、チャネル領域が形成される活性層２０、オーミックコンタクト層２２、ドレイン電極２４、ソース電極２６から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。
ここで、薄膜トランジスタの構造は、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
ゲート電極１６としては、一般的にゲート電極として使用されているものを用いることが可能である。すなわち、ゲート電極１６の材料としては、例えば、アルミ、銅等の金属（チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属）や、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。
【００２３】
ゲート絶縁膜１８としては、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＮｘ膜を用いることができる。この場合、例えば、このゲート絶縁膜１８と、後述する誘電体層２８の成膜工程を簡略化するために、同じ膜層で形成することが好適であるが、ＴＦＴ層を構成するその他の層が、中間層１０を構成する層と同じ膜層で形成されてもよい。
活性層２０及びオーミックコンタクト層２２の構成は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、または、チオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することが可能である。
【００２４】
また、上記の活性層２０及びオーミックコンタクト層２２は、例えば、以下の（ａ）から（ｃ）に記載する方法を用いて形成する。
（ａ）アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層し、イオンドーピングする方
法。具体的には、ＳｉＨ４ガスを用いて、ＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法。
（ｂ）Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法により、また、ＳｉＨ４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、さらに、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）。
【００２５】
（ｃ）減圧ＣＶＤ法またはＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、１０００［℃］以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にｎ＋ポリシリコンのゲート電極８を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）。
ドレイン電極２４及びソース電極２６には、ゲート電極１６と同様な材料を用いるとともに、低抵抗であり、加工性があること、オーミックコンタクト層２２と良好なコンタクトが取れること等が要求される。
したがって、ドレイン電極２４及びソース電極２６の材料としては、例えば、アルミ、銅等の金属（チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属）や、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。また、ドレイン電極２４及びソース電極２６は、スパッタ法等で形成される。
【００２６】
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、薄膜トランジスタが有機ＥＬ素子１のスイッチング素子として機能するように接続されている必要がある。このため、薄膜トランジスタのソース電極２６と第一電極４を、電気的に接続している。
なお、薄膜トランジスタの構造は、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が三つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、ＬＤＤ構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、一つの画素中に二つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。
【００２７】
（第一電極４の詳細な構成）
以下、図１を参照して、第一電極４の詳細な構成について説明する。
第一電極４は、透明な電極（透明電極）であり、後述する誘電体層２８上において、画素に応じてパターン化して形成されており、隔壁６によって区画されて、各画素に対応した画素電極（透明電極）を形成している。
【００２８】
第一電極４の材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物や、金、白金等の金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂等に分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものを、いずれも使用することが可能である。
ここで、第一電極４を透明電極とする場合には、ＩＴＯ等の仕事関数の高い材料を選択することが好適である。
【００２９】
また、有機ＥＬ素子１が、下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は、透光性のある材料を選択する必要がある。さらに、必要に応じて、第一電極４の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウム等の金属材料を補助電極として併設してもよい。
また、有機ＥＬ素子１が、上方から光を取り出す、いわゆるトップエミッション構造の場合は、透明であることは必要ではないが、ＩＴＯ、ＩＺＯ(インジウムと亜鉛の複合酸化物)等の導電性金属酸化物を用いて、第一電極４を形成してもよい。
【００３０】
さらに、第一電極４の材料として、ＩＴＯ等の導電性金属酸化物を用いる場合、その下に反射率の高い反射電極（Ｃｒ、 Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ等）を用いることが好適である。この場合、第二電極１２（反射電極）は、導電性金属酸化物よりも抵抗率が低いため、補助電極として機能するとともに、後述する有機発光層３０にて発光される光を、第二電極１２側に反射して、光の有効利用を図ることが可能となる。
【００３１】
（隔壁６の詳細な構成）
以下、図１を参照して、隔壁６の詳細な構成について説明する。
隔壁６は、基板２上に形成されており、第一電極４の周囲（側面）を囲むことにより、画素に対応した発光領域を区画するように形成されている。これは、第一電極４の端部が露出していると、第一電極４の端部に電場が集中し、素子の短絡等の性能劣化が生じるおそれがあるが、絶縁体である隔壁６によって第一電極４の端部を覆うことにより、上記の性能劣化を抑制することが可能となるためである。
【００３２】
ここで、一般的に、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ素子１は、各画素（サブピクセル）に対して第一電極４が形成されており、それぞれの画素が、できるだけ広い面積を占有しようとするため、第一電極４の端部（側面）を覆うように形成される隔壁６の最も好適な形状は、第一電極４を最短距離で区切る格子状を基本とする。
また、隔壁６の材料は、少なくとも、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤及びアルカリ可溶性バインダーを含有する。さらに、隔壁６の材料は、界面活性剤等を含有することが好適であり、溶剤も含有している。
【００３３】
隔壁６の好適な高さは、０．１［μｍ］以上１０［μｍ］以下の範囲内であり、より好適には、０．５［μｍ］以上２［μｍ］以下の範囲内程度である。その理由は、隔壁６の高さが高すぎる場合、第二電極１２（対向電極）の形成及び封止を妨げ、隔壁６の高さが低すぎる場合、第一電極４の端部を覆い切れない、または、発光媒体層８の形成時に、隣接する画素と混色してしまうためである。
【００３４】
隔壁６の断面形状としては、順テーパ形状、逆テーパ形状等の台形状や、半円形等が挙げられ、また、多段状になっていても良い。
ここで、隔壁６の断面形状が多段状である場合には、下の基板側の下段と上の基板側の上段とが異なる材料・形成方法であっても、同じ材料・形成方法であってもよい。この場合、例えば、下段はＳｉＮ等の無機材料からなり、上段は上述した材料からなる構成等が挙げられる。
【００３５】
（発光媒体層８の詳細な構成）
以下、図１を参照して、発光媒体層８の詳細な構成について説明する。
発光媒体層８は、隔壁６内で第一電極４上に形成されて、第一電極４と第二電極１２との間に挟持されており、有機発光層３０と、インターレイヤー層３２を含んでいる。
有機発光層３０は、発光に寄与する層であり、中間層１０上に形成されている。すなわい、発光媒体層８は、中間層１０上に形成されている。なお、有機発光層３０の詳細な構成については、後述する。
インターレイヤー層３２は、有機発光層３０上に形成されて、有機発光層３０と積層している。
インターレイヤー層３２の膜厚は、１［ｎｍ］以上１００［ｎｍ］以下の範囲内であることが好適である。
【００３６】
（有機発光層３０の詳細な構成）
以下、図１を参照して、有機発光層３０の詳細な構成について説明する。
有機発光層３０は、異なる色毎にパターニングされた層であり、電流を流すことにより発光する層である。
有機発光層３０を形成する有機発光材料は、例えば、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系等の発光性色素を、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられるが、本実施形態では、これらの材料に限定するわけではない。
【００３７】
上記の有機発光材料は、溶媒に溶解または安定に分散させることにより、有機発光インキとなる。
ここで、有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独、または、これらの混合溶媒が挙げられる。特に、トルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が、有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、上記の有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されていてもよい。
有機発光層３０の膜厚は、１［ｎｍ］以上１００［ｎｍ］以下の範囲内であることが好適である。
【００３８】
（中間層１０の詳細な構成）
以下、図１を参照して、中間層１０の詳細な構成について説明する。
中間層１０は、基板２上に形成されて、基板２と発光媒体層８との間に形成されており、誘電体層２８と、上述した第一電極４と、正孔輸送層３４を有している。
誘電体層２８は、基板２が備える支持体１４と第一電極との間に設けられている。
第一電極４の構成は、上述した構成である。
【００３９】
正孔輸送層３４は、第一電極４上に形成されており、正孔を輸送する層である。
正孔輸送層３４の材料としては、例えば、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）誘導体、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等が挙げられる。
これらの材料は、溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法や凸版印刷方法を用いることにより、正孔輸送層３４を形成する。
【００４０】
また、正孔輸送層３４の材料として無機材料を用いる場合、無機材料としては、例えば、Ｃｕ２Ｏ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＦｅＯｘ（ｘ〜０．１）、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｐｒ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、ＭｏＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｈＯ２、Ｖ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＭｎＯ２等の無機材料を用いる。
なお、正孔輸送層３４の材料は、上述した材料に限定するものではない。
ここで、正孔輸送層３４は、隔壁６を形成した後に、真空中における抵抗加熱やエレクトロンビーム（ＥＢ）によって蒸着する方法、または、ＡｒガスとＯ２ガスを用いた反応性スパッタによる方法や、ＣＶＤ法等の方法にて形成する。
【００４１】
（中間層１０の膜厚）
中間層１０の膜厚ｄは、４００［ｎｍ］以上９００［ｎｍ］以下の範囲内とする。
ここで、中間層１０が有する各層（誘電体層２８、第一電極４、正孔輸送層３４）間における、多重反射の増幅を抑制するためには、各層の屈折率の差を小さくすることが望ましい。
このため、中間層１０が有する第一電極４を主として、各層の屈折率を、波長成分が５５０［ｎｍ］の条件下において、１．８以上２．３以下の範囲内とし、さらに、各層間における屈折率差を、０．３以下とするように、誘電体層２８、第一電極４及び正孔輸送層３４を形成する。
したがって、各層の形成方法としては、屈折率に相関のある膜密度を制御可能な方法である、スパッタ法やＣＶＤ法等の乾式法を選択することが望ましい。
【００４２】
上記のように、中間層１０の膜厚ｄを、４００［ｎｍ］以上９００［ｎｍ］以下の範囲内とすることにより、例えば、図２中に示すように、基板２、中間層１０、発光媒体層８及び第二電極１２から形成される多重膜干渉スペクトルの極大波長が少なくとも三つ（λ１、λ２、λ３）存在する、干渉スペクトルを得ることが可能となる。
なお、図２は、多重膜干渉スペクトルの例を示す図である。また、図２中では、破線及び実線により、多重膜干渉スペクトルの一例を示している。また、図２中では、三つの極大波長を、それぞれ、第一波長を符号「λ１」、第二波長を符号「λ２」、第三波長を符号「λ３」により示している。
【００４３】
ここで、例えば、カラーディスプレイのように、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の三色を同時に発光させる表示パネルにおいては、各色の特性を向上させるために、中間層１０の膜厚ｄを、異なる色毎に最適化し設けることも可能であるが、この場合、成膜工程が煩雑となる。
このため、中間層１０の膜厚を一種類に絞り、さらに、各色の特性を同時に向上させるように、三つの極大波長λ１、λ２、λ３の範囲を限定することが望ましい。
【００４４】
ここで、第一波長λ１は、青色（Ｂ）の色純度を向上させるために、４８０［ｎｍ］以下とする。
また、第二波長λ２は、緑色（Ｇ）の色純度及び全色の輝度を向上させるために、５１０［ｎｍ］以上６１０［ｎｍ］以下の範囲内とする。
さらに、第三波長λ３は、赤色（Ｒ）の色純度を向上させるために、６３０［ｎｍ］以下とする。
【００４５】
そして、三つの極大波長λ１、λ２、λ３が、それぞれの範囲に位置するように、中間層１０の膜厚を一種類に絞る。
なお、中間層１０の膜厚ｄは、４００［ｎｍ］以上９００［ｎｍ］以下の範囲内であれば、任意の厚さとすることが可能であるが、誘電体層２８は、１０［ｎｍ］以上１［μｍ］以下の範囲内とすることが好適である。さらに、上述したゲート絶縁膜１８と併用する場合は、ＴＦＴ側で膜が薄すぎると、絶縁性が確保できずに電流のリークが生じることや、膜を厚くすると電流を流すためにゲート電圧が上昇し、消費電力が増大する等の問題が発生するため、これらの問題を考慮して、中間層１０の膜厚ｄを設定することが好適である。
【００４６】
また、第一電極４の膜厚も、誘電体層２８と同様、１０［ｎｍ］以上１［μｍ］以下の範囲内とすることが好適である。
さらに、正孔輸送層３４の膜厚は、配線抵抗やクラック等、膜質劣化の問題を考慮して、電圧降下と、透過率の低下の抑制や劣化要因因子に対するバリア性の十分な確保を両立するために、５［ｎｍ］以上７０［ｎｍ］以下の範囲内とすることが好適である。
【００４７】
（第二電極１２の詳細な構成）
以下、図１を参照して、第二電極１２の詳細な構成について説明する。
第二電極１２は、中間層１０及び発光媒体層８上に形成されており、第一電極４と対向している。
また、第二電極１２は、電子を注入する層である電子注入層、または、電子を輸送する層である電子輸送層と、陰極層を含んで形成されている。
第二電極１２の材料として、電子注入層または電子輸送層には、無機材料を用いて、電子注入効率と安定性を両立することが可能な、仕事関数の小さいアルカリ金属やアルカリ土類金属の単体または化合物、合金系を選択する。
【００４８】
また、電子注入層または電子輸送層の厚さは、数［ｎｍ］の厚さとする。
また、第二電極１２の材料として、陰極層には、仕事関数の低い無機材料として、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ等の金属単体を用いてもよい。
また、第二電極１２の材料として、陰極層には、電子注入効率と安定性を両立させるために、仕事関数が低い材料、具体的には、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属材料を一種以上と、安定なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。この場合、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金系が使用することが可能である。
【００４９】
（封止体について）
有機ＥＬ素子１は、電極（第一電極４、第二電極１２）間に発光材料（発光媒体層８）を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光層３０の材料である有機発光材料は、大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまう。
このため、通常、有機ＥＬ素子１には、外部と遮断するための封止体（図示せず）を設ける。このような封止体は、例えば、封止材上に樹脂層を設けて形成することが可能である。
【００５０】
上記の封止材の材料としては、水分や酸素の透過性が低い基材を用いる必要がある。
ここで、封止材の材料としては、例えば、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルム等を挙げることができる。
耐湿性フィルムとしては、例えば、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルム、または、吸水剤を塗布した重合体フィルム等がある。ここで、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０−６［ｇ／ｍ２／ｄａｙ］以下であることが好適である。
【００５１】
樹脂層の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン樹脂等からなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、二液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物等の熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。
【００５２】
また、樹脂層を封止材の上に形成する方法としては、例えば、溶剤溶液法、押出ラミネーション法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法等を挙げることができる。
この場合、必要に応じて、吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることも可能である。ここで、封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ＥＬ表示装置の大きさや形状により任意に決定されるが、５［μｍ］以上５００［μｍ］以下の範囲内程度が好適である。
なお、上記の説明では、封止体を、封止材上に樹脂層として形成したが、封止体を、有機ＥＬ素子１側に、直接形成することも可能である。
【００５３】
また、有機ＥＬ素子１と封止体との貼り合わせは、封止室で行う。
ここで、封止体を、封止材と樹脂層の二層構造とし、樹脂層に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好適である。一方、樹脂層に熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに、硬化温度で加熱硬化を行うことが好適である。また、樹脂層に光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことが可能である。
【００５４】
なお、上述したような封止材を用いて封止を行う前や、その代わりに、例えば、パッシベーション膜として、ＥＢ蒸着法やＣＶＤ法等のドライプロセスを用いて、窒化珪素膜等無機薄膜による封止体を用いることも可能である。また、これらを組み合わせた封止体を用いることも可能である。
この場合、上述したパシベーション膜の膜厚は、１００［ｎｍ］以上５００［ｎｍ］以下の範囲内とすることが可能である。特に、材料の透湿性や、水蒸気光透過性等により異なるが、パシベーション膜の膜厚を、１５０［ｎｍ］以上３００［ｎｍ］以下の範囲内とすることが好適である。
【００５５】
（有機ＥＬ素子１の製造方法）
以下、図１及び２を参照しつつ、図３を用いて、有機ＥＬ素子１の製造方法を説明する。
有機ＥＬ素子１を製造する際には、まず、基板２上に第一電極４を形成する、第一電極形成工程を行う。すなわち、有機ＥＬ素子１の製造方法には、第一電極形成工程を含む。
第一電極形成工程において、第一電極４を形成する方法としては、第一電極４の材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることが可能である。また、第一電極４を形成する方法としては、乾式成膜法以外にも、グラビア印刷法や、スクリーン印刷法等の湿式成膜法等を用いることが可能である。
ここで、第一電極４のパターニング方法としては、第一電極４の材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法等の既存のパターニング法を用いることが可能である。
【００５６】
そして、基板２上に第一電極４を形成した後、第一電極４の周囲を囲む隔壁６を基板２上に形成する、隔壁形成工程を行う。すなわち、有機ＥＬ素子１の製造方法には、隔壁形成工程を含む。
隔壁形成工程では、第一電極４を形成した基板２上に隔壁６を形成する方法としては、例えば、第一電極４を形成した基板２上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、第一電極４を形成した基板２上に感光性樹脂を積層し、フォトリソ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。
【００５７】
また、必要に応じて、隔壁６の材料に、撥水剤を添加することや、プラズマやＵＶを照射して、隔壁６の形成後に、隔壁６に対して、インクに対する撥液性を付与することも可能である。
隔壁形成工程により基板２上に隔壁６を形成した後、発光媒体層８を第一電極４上に形成する、発光媒体層形成工程を行う。すなわち、有機ＥＬ素子１の製造方法には、発光媒体層形成工程を含む。
発光媒体層形成工程は、有機発光層３０を中間層１０上に形成する有機発光層形成工程を含む。
【００５８】
本実施形態の有機発光層形成工程では、上記のインターレイヤー層３２を形成した後、このインターレイヤー層３２上に、有機発光層３０を、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の順にパターニングして形成する。
具体的には、有機発光層３０の材料に応じて、インクジェット印刷法、ノズルプリント印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法等のウェット成膜法等既存の成膜法を用いる。
【００５９】
上述した方法の中でも、特に、有機発光材料を、溶媒に溶解、または、安定に分散させた有機発光インキを塗布する方法である凸版印刷法は、塗布液の粘性特性が良好な粘度範囲で、基材を傷つけることなく印刷することが可能であり、塗布液材料の利用効率が良いため、有機ＥＬ素子１の製造に好適である。
なお、上述した成膜法以外の方法を用いて、有機発光層３０を形成してもよい。
【００６０】
ここで、図３を用いて、上記の凸版印刷法により、有機発光層３０を形成する手順を説明する。
図３は、凸版印刷法に用いる凸版印刷装置３６の概略構成を示す図である。
図３中に示すように、凸版印刷装置３６は、有機発光材料からなる有機発光インキを、第一電極４及び中間層１０が形成された基板２上にパターン印刷する際に用いる装置であり、インクタンク３８と、インキチャンバー４０と、アニロックスロール４２と、凸部が設けられた凸版４４がマウントされた版胴４６を有している。
【００６１】
インクタンク３８には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー４０には、インクタンク３８から、有機発光インキが送り込まれるようになっている。
アニロックスロール４２は、インキチャンバー４０のインキ供給部に接して、インキチャンバー４０へ回転可能に支持されている。
上記のパターン印刷を行う際には、アニロックスロール４２の回転に伴い、アニロックスロール４２の表面に供給された有機発光インキのインキ層４８が、均一な膜厚に形成される。このインキ層４８のインキは、アニロックスロール４２に近接して回転駆動される版胴４６にマウントされた凸版４４の凸部に転移する。
【００６２】
そして、凸版４４の凸部にあるインキが、ステージ５０（平台）に設置された基板２に対して印刷され、必要に応じて乾燥工程を経て、基板２上に有機発光層３０が形成されることとなる。
なお、発光媒体層８が含む他の層（例えば、インターレイヤー層３２）をインキ化して塗工する場合についても、上記と同様の形成方法を用いて、基板２上に層を形成することが可能である。
【００６３】
ここで、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、発光媒体層８が、有機発光層３０に加え、インターレイヤー層３２を含んでいる。
このため、本実施形態では、有機発光層形成工程の前工程として、インターレイヤー層３２を形成するインターレイヤー層形成工程を行う。すなわち、本実施形態では、発光媒体層形成工程が、インターレイヤー層３２を形成するインターレイヤー層形成工程を含んでいる。
【００６４】
インターレイヤー層形成工程において、インターレイヤー層３２を形成する際には、インターレイヤー層３２の材料として、ポリビニルカルバゾール、またはその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の、芳香族アミンを含むポリマー等を用い、これらの材料を、溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法や凸版印刷法、フレキソ印刷法等の公知の印刷方法といった湿式法を用いて形成する。
【００６５】
上述した発光媒体層形成工程により発光媒体層８を形成した後、隔壁６及び発光媒体層８上に、第二電極１２を形成する、第二電極形成工程を行う。すなわち、有機ＥＬ素子１の製造方法には、第二電極形成工程を含む。
第二電極形成工程において、第二電極１２を形成する方法としては、第二電極１２の材料に応じて、チャンバ内における抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることが可能である。
第二電極１２を形成した後、上述した封止体を形成して、有機ＥＬ素子１の製造を終了する。
【００６６】
（第一実施形態の効果）
以下、第一実施形態の効果を列挙する。
（１）本実施形態の有機ＥＬ素子１であれば、中間層の膜厚を、適切な厚さとすることにより、多重膜干渉効果の制御を行うことが可能となるため、高発光効率且つ色純度の良好な有機ＥＬ素子の成膜工程を簡略化することが可能となる。
（２）本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法であれば、塗布液の粘性特性が良好な粘度範囲で、基材を傷つけることなく印刷することが可能であるため、塗布液材料の利用効率を向上させることが可能となる。
【００６７】
（変形例）
以下、第一実施形態の変形例を列挙する。
（１）本実施形態の有機ＥＬ素子１では、発光媒体層８の構成を、有機発光層３０と、インターレイヤー層３２を含んでいる構成としたが、これに限定するものではなく、発光媒体層８の構成を、インターレイヤー層３２を含んでいない構成としてもよい。
（２）本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法では、発光媒体層形成工程が、インターレイヤー層３２を形成するインターレイヤー層形成工程を含んでいるが、これに限定するものではなく、発光媒体層形成工程が、インターレイヤー層形成工程を含んでいなくともよい。
【００６８】
（実施例）
以下、図１から図３を参照して、上述した第一実施形態の有機ＥＬ素子１と、比較例の有機ＥＬ素子を製造し、両者に対する物性の評価を行った結果について説明する。
なお、以下の説明では、第一実施形態の有機ＥＬ素子１を、「本発明例の有機ＥＬ素子」と記載し、比較例の有機ＥＬ素子１を、「比較例の有機ＥＬ素子」と記載する。
（本発明例）
本発明例の有機ＥＬ素子１を製造する際には、基板２として、基板２上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタと、その上方に形成された第一電極４（画素電極）とを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。
【００６９】
また、アクティブマトリクス基板（基板２）のサイズは、２００［ｍｍ］×２００［ｍｍ］である。さらに、上記のアクティブマトリクス基板は、その中に対角が５インチであり、画素数が３２０×２４０のディスプレイが中央に配置されている。
ここで、誘電体層２８及びゲート絶縁膜１８は、ＳｉＮＸ膜を用いたＰＥＣＶＤ法により、膜厚を３５０［ｎｍ］とし、屈折率を１．９５（波長成分５５０［ｎｍ］時）として形成した。
【００７０】
さらに、誘電体層２８上に第一電極４を形成した。
第一電極４の形成方法としては、まず、スパッタ法を用いて、厚さが２８０［ｎｍ］であり、屈折率が１．９（波長成分５５０［ｎｍ］時）のＩＴＯ膜を形成し、そのＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィー法と酸溶液によるエッチングで、幅が２５［μｍ］となるようにパターニングし、画素数が３２０×２４０の第一電極４を形成した。
【００７１】
さらに、第一電極４の周囲を囲んで画素を区画するような形状で、隔壁６を形成した。
ここで、隔壁６を形成する際には、まず、アクリル系のフォトレジスト材料を、アクティブマトリクス基板の全面にスピンコートした。ここで、スピンコートの条件は、１５０［ｒｐｍ］で５秒間回転させた後、５００［ｒｐｍ］で２０秒間回転させる条件とした。これにより、高さが１．５［μｍ］の塗膜を得た。その後、フォトリソ法により、電極間にライン状の絶縁層を形成して、隔壁６を形成した。
【００７２】
次に、上記のように形成した第一電極４及び隔壁６上に、厚さが２０［ｎｍ］であり、屈折率が２．０（波長成分５５０［ｎｍ］時）の酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を、スパッタリング法により積層して、正孔輸送層３４を形成した。
以上により、誘電体層２８、第一電極４及び正孔輸送層３４を含んで形成した中間層１０の膜厚ｄを、６５０［ｎｍ］とした。
【００７３】
そして、インターレイヤー層３２の材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を、濃度が０．５［％］となるように、トルエンに溶解させたインキを用いて、上記のアクティブマトリクス基板を印刷機にセッティングし、絶縁層に挟まれた第一電極４の真上に、そのラインパターンに合わせて、凸版印刷法で印刷を行った。その結果、印刷・乾燥後のインターレイヤー層３２の膜厚は、２０［ｎｍ］となった。
【００７４】
次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を、その濃度が１［％］となるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用いて、上記のアクティブマトリクス基板を印刷機にセッティングし、隔壁６に挟まれた第一電極４の真上に、そのラインパターンに合わせて、有機発光層３０を、凸版印刷法により、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の順でパターニング成膜した。その結果、印刷・乾燥後の有機発光層３０の膜厚は、各色共に７０［ｎｍ］となった。
【００７５】
次に、第二電極１２として、Ｂａ膜を、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、厚みが４［ｎｍ］となるように成膜した後、アルミニウム膜を、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、厚みが１５０［ｎｍ］となるように成膜した。
そして、上記のように第二電極１２を成膜したアクティブマトリクス基板に対し、封止材としたガラス板を、発光領域全てをカバーするように載せた後、約９０［℃］で一時間程度、接着剤を熱硬化させて封止を行った。
上記のように製造した、本発明例の有機ＥＬ素子１は、中間層１０の膜厚ｄを６５０［ｎｍ］とすることで、図２中に実線で示すように、極大波長が３つ（λ１、λ２、λ３）存在することとなった。
【００７６】
また、図２中に示すように、第一波長λ１＝４７０［ｎｍ］、第二波長λ２＝５６０［ｎｍ］、第三波長λ３＝７００［ｎｍ］に位置する干渉スペクトルを得ることが可能となった。
さらに、印加電圧が７Ｖの際に、青色で、発光効率が７［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．１４３、ｙ＝０．１７１であり、緑色で、発光効率が１４［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．２７１、ｙ＝０．６３５であり、赤色で、発光効率が８［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．６６、ｙ＝０．３１１となり、三色同時に、高発光効率、色純度の良い特性を実現したことが確認された。
【００７７】
（比較例）
比較例の有機ＥＬ素子１は、中間層１０の膜厚ｄを、３００［ｎｍ］とした。
具体的には、誘電体層２８を、膜厚を２００［ｎｍ］とし、屈折率を２．３５（波長成分５５０［ｎｍ］時）として形成した。
また、第一電極４を、膜厚を８０［ｎｍ］とし、屈折率を１．７５（波長成分５５０［ｎｍ］時）として形成した。
さらに、正孔輸送層３４を、膜厚を２０［ｎｍ］とし、屈折率を２．５（波長成分５５０［ｎｍ］時）として形成した。
その他の材料、各層の厚さ、工程は、上述した本発明例と同様とした。
したがって、比較例の有機ＥＬ素子１は、中間層１０の膜厚ｄが、４００［ｎｍ］以上９００［ｎｍ］以下の範囲外であり、さらに、中間層１０が有する各層の屈折率が、１．８以上２．３以下の範囲外（波長成分５５０［ｎｍ］時）であり、各層間における屈折率差を、０．３を超える構成とした。
【００７８】
これにより、比較例の有機ＥＬ素子１では、極大波長が２つしか存在しない干渉スペクトルが得られた。
上記のように製造した、比較例の有機ＥＬ素子１は、本発明例の有機ＥＬ素子１に対して、印加電圧が７Ｖの際に、青色で、発光効率が４［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．１６、ｙ＝０．２２であり、緑色で、発光効率が１０［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．３５、ｙ＝０．６であり、赤色で、発光効率が６［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．６２、ｙ＝０．３１となり、本発明例の有機ＥＬ素子１と比較して、発光効率が低く、また、色純度が悪い特性となっていることが確認された。
【符号の説明】
【００７９】
１ 有機ＥＬ素子
２ 基板
４ 第一電極
６ 隔壁
８ 発光媒体層
１０ 中間層
１２ 第二電極
１４ 支持体
１６ ゲート電極
１８ ゲート絶縁膜
２０ 活性層
２２ オーミックコンタクト層
２４ ドレイン電極
２６ ソース電極
２８ 誘電体層
３０ 有機発光層
３２ インターレイヤー層
３４ 正孔輸送層
３６ 凸版印刷装置
３８ インクタンク
４０ インキチャンバー
４２ アニロックスロール
４４ 凸版
４６ 版胴
４８ インキ層
５０ ステージ
ｄ 中間層１０の膜厚
λ１ 第一波長
λ２ 第二波長
λ３ 第三波長
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子と、その製造方法に関するものであり、特に、有機薄膜のＥＬ現象を利用した有機ＥＬ素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、陽極としての電極と、陰極としての電極との間に、少なくともＥＬ現象を呈する有機発光層を挟持した構造を有しており、電極（陽極と陰極）間に電圧が印加されると、有機発光層に正孔と電子が注入され、この正孔と電子とが有機発光層で再結合することにより、有機発光層が発光する自発光型の素子である。
上記のような有機ＥＬ素子には、発光効率を増大させる等の目的から、陽極と有機発光層との間に、正孔注入層、正孔輸送層、または、有機発光層と陰極との間に、電子輸送層、電子注入層等が、適宜選択して設けられている。
上述した各層は、有機材料や無機材料を用いて形成されている。
【０００３】
ここで、有機材料としては、低分子材料と高分子材料とがある。
低分子材料としては、例えば、正孔注入層に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、正孔輸送層にＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ビフェニル―４，４’ジアミン（ＴＰＤ）、有機発光層にトリス（８―キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、電子輸送層に２―（４―ビフェニリル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチル―フェニル）―１，３，４，―オキサジゾール（ＰＢＤ）、電子注入層にＬｉＦ等を用いたものが挙げられる。
【０００４】
これらの低分子材料よりなる各層は、一般的に、０．１［ｎｍ］以上２００［ｎｍ］以下の範囲内程度の膜厚で、主に、抵抗加熱方式等の真空蒸着法や、スパッタ法等の真空中の乾式法（ドライプロセス）によって成膜されている。
また、低分子系材料は種類が豊富であるため、その組み合わせによって、発光効率や発光輝度、寿命等の向上が期待されている。
【０００５】
一方、高分子材料としては、例えば、有機発光層にポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に低分子の発光色素を溶解させたものや、ポリフェニレンビニレン誘導体（以下、「ＰＰＶ」と記載する場合がある）、ポリアルキルフルオレン誘導体（以下、「ＰＡＦ」と記載する場合がある）等の高分子蛍光体、希土類金属系等の高分子燐光体が用いられている。
【０００６】
これらの高分子材料は、一般的に、溶剤に溶解または分散され、塗布や印刷等の湿式法（ウェットプロセス法）を用いて、１［ｎｍ］以上１００［ｎｍ］以下の範囲内程度の膜厚で成膜されている。
上記のような湿式法を用いた場合、真空蒸着法等、真空中の乾式法を用いた場合と比較して、大気中で成膜が可能、設備が安価、大型化が容易、短時間に効率良く成膜可能である、等の利点がある。
【０００７】
また、上記のような高分子材料を用いて成膜した有機薄膜は、結晶化や凝集が起こりにくく、さらには、他層のピンホールや異物を被覆するため、短絡やダークスポット等の不良を防ぐことが可能となるという利点もある。
そして、有機ＥＬ素子の発光効率や色純度を向上させるための技術として、例えば、特許文献１に記載されている技術を用いることにより、有機発光層から光取り出し方向へ向う光と、有機発光層から反射電極によって反射されてから取り出される光との干渉を引き起こす素子において、光を共振させる共振層を設けることで、高効率且つ視野角依存性の小さい発光素子が得られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特願２００８−３０４６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載されている技術では、例えば、カラーディスプレイのように、青色、緑色、赤色の三色を同時に発光させる表示パネルにおいては、各色の特性を向上させるために、共振層の膜厚を色毎に最適化して設けることが可能だが、成膜工程が煩雑となるという問題がある。
本発明では、成膜工程を簡略化することが可能な、有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のうち、請求項１に記載した発明は、基板と、当該基板上に形成され且つ少なくとも第一電極を含む複数の層を有する中間層と、当該中間層上に形成された発光媒体層と、当該発光媒体層上に形成された第二電極と、を備える有機ＥＬ素子であって、
前記発光媒体層は、異なる色毎にパターニングして形成された有機発光層を含み、
前記中間層の膜厚は、４００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とするものである。
【００１１】
次に、本発明のうち、請求項２に記載した発明は、請求項１に記載した発明であって、前記中間層が有する各層の屈折率は、波長成分が５５０ｎｍの条件下において、１．８以上２．３以下の範囲内であり、
前記各層間における屈折率差は、０．３以下であることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項３に記載した発明は、請求項１または請求項２に記載した発明であって、前記基板、前記中間層、前記発光媒体層及び前記第二電極から形成される多重膜干渉スペクトルの極大波長が、少なくとも三つ存在することを特徴とするものである。
【００１２】
次に、本発明のうち、請求項４に記載した発明は、請求項３に記載した発明であって、前記極大波長は、第一波長、第二波長及び第三波長であり、
前記中間層の膜厚は、前記第一波長が４８０ｎｍ以下、前記第二波長が５１０ｎｍ以上６１０ｎｍ以下の範囲内、前記第三波長が６５０ｎｍ以上となるように設定されていることを特徴とするものである。
【００１３】
次に、本発明のうち、請求項５に記載した発明は、請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載した発明であって、前記有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ層を用いたアクティブマトリックス駆動型の素子であり、
前記ＴＦＴ層を構成する複数の層のうち少なくとも一層は、前記中間層が有する層であることを特徴とするものである。
次に、本発明のうち、請求項６に記載した発明は、請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載した有機ＥＬ素子を製造する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記発光媒体層の形成方法として凸版印刷法を用いることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、中間層の膜厚を、適切な厚さとすることにより、多重膜干渉効果の制御を行うことが可能となるため、高発光効率且つ色純度の良好な有機ＥＬ素子の成膜工程を簡略化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第一実施形態における、有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図である。
【図２】多重膜干渉スペクトルの例を示す図である。
【図３】凸版印刷法に用いる凸版印刷装置の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第一実施形態）
以下、本発明の第一実施形態（以下、「本実施形態」と記載する）について、図面を参照しつつ、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成と、有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
（構成）
まず、図１を用いて、本実施形態の有機ＥＬ素子１の構成を説明する。
図１は、本実施形態における有機ＥＬ素子１の概略構成を示す断面図である。
図１中に示すように、有機ＥＬ素子１は、基板２と、第一電極４と、隔壁６と、発光媒体層８と、中間層１０と、第二電極１２を備えている。
【００１７】
なお、本実施形態では、一例として、有機ＥＬ素子１を、第一電極４を陽極とし、第二電極１２を陰極としたアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ素子とした場合について説明する。この場合、第一電極４は、画素ごとに隔壁６で区画された画素電極として形成され、第二電極１２は、素子全面に形成した対向電極として形成される。
また、有機ＥＬ素子１の構成は、上記の構成に限定するものではなく、例えば、各電極（第一電極４、第二電極１２）がそれぞれ直交するストライプ状とした、パッシプマトリクス駆動型の有機ＥＬ素子であってもよい。
また、第一電極４を陰極とし、第二電極１２を陽極とした逆構造としてもよい。
【００１８】
（基板２の詳細な構成）
以下、図１を参照して、基板２の詳細な構成について説明する。
なお、本実施形態では、基板２として、第一電極４が設けられたＴＦＴ基板を用いた場合を例に挙げて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ素子１が備える基板２は、画素毎に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ層）と第一電極４（画素電極）が設けられている。
薄膜トランジスタと第一電極４とは、電気接続している。
【００１９】
また、薄膜トランジスタは、支持体１４上に設けられている。
支持体１４としては、機械的強度及び絶縁性を有し、寸法安定性に優れていれば如何なる材料も使用することが可能である。
ここで、支持体１４の材料としては、例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートを用いることが可能である。
【００２０】
また、支持体１４の材料としては、例えば、上記のプラスチックフィルムやシートに、酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム等の金属窒化物、酸窒化珪素等の金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂等の高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレス等の金属箔、シート、板等を用いることが可能である。
【００２１】
さらに、支持体１４の材料としては、例えば、上記のプラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属膜を積層させた非透光性基材等を用いることが可能である。
ここで、支持体１４の透光性は、光の取出しをどちらの面から行うかに応じて選択すればよい。
上記の材料からなる支持体１４は、有機ＥＬ素子１内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好適である。特に、発光媒体層８への水分の侵入を避けるために、支持体１４における含水率及びガス透過係数を小さくすることが好適である。
薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることが可能である。
【００２２】
具体的には、主として、ゲート電極１６及びゲート絶縁膜１８、チャネル領域が形成される活性層２０、オーミックコンタクト層２２、ドレイン電極２４、ソース電極２６から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。
ここで、薄膜トランジスタの構造は、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
ゲート電極１６としては、一般的にゲート電極として使用されているものを用いることが可能である。すなわち、ゲート電極１６の材料としては、例えば、アルミ、銅等の金属（チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属）や、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。
【００２３】
ゲート絶縁膜１８としては、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＮｘ膜を用いることができる。この場合、例えば、このゲート絶縁膜１８と、後述する誘電体層２８の成膜工程を簡略化するために、同じ膜層で形成することが好適であるが、ＴＦＴ層を構成するその他の層が、中間層１０を構成する層と同じ膜層で形成されてもよい。
活性層２０及びオーミックコンタクト層２２の構成は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、または、チオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することが可能である。
【００２４】
また、上記の活性層２０及びオーミックコンタクト層２２は、例えば、以下の（ａ）から（ｃ）に記載する方法を用いて形成する。
（ａ）アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層し、イオンドーピングする方
法。具体的には、ＳｉＨ４ガスを用いて、ＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法。
（ｂ）Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法により、また、ＳｉＨ４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、さらに、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）。
【００２５】
（ｃ）減圧ＣＶＤ法またはＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、１０００［℃］以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にｎ＋ポリシリコンのゲート電極８を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）。
ドレイン電極２４及びソース電極２６には、ゲート電極１６と同様な材料を用いるとともに、低抵抗であり、加工性があること、オーミックコンタクト層２２と良好なコンタクトが取れること等が要求される。
したがって、ドレイン電極２４及びソース電極２６の材料としては、例えば、アルミ、銅等の金属（チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属）や、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。また、ドレイン電極２４及びソース電極２６は、スパッタ法等で形成される。
【００２６】
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、薄膜トランジスタが有機ＥＬ素子１のスイッチング素子として機能するように接続されている必要がある。このため、薄膜トランジスタのソース電極２６と第一電極４を、電気的に接続している。
なお、薄膜トランジスタの構造は、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が三つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、ＬＤＤ構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、一つの画素中に二つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。
【００２７】
（第一電極４の詳細な構成）
以下、図１を参照して、第一電極４の詳細な構成について説明する。
第一電極４は、透明な電極（透明電極）であり、後述する誘電体層２８上において、画素に応じてパターン化して形成されており、隔壁６によって区画されて、各画素に対応した画素電極（透明電極）を形成している。
【００２８】
第一電極４の材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物や、金、白金等の金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂等に分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものを、いずれも使用することが可能である。
ここで、第一電極４を透明電極とする場合には、ＩＴＯ等の仕事関数の高い材料を選択することが好適である。
【００２９】
また、有機ＥＬ素子１が、下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は、透光性のある材料を選択する必要がある。さらに、必要に応じて、第一電極４の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウム等の金属材料を補助電極として併設してもよい。
また、有機ＥＬ素子１が、上方から光を取り出す、いわゆるトップエミッション構造の場合は、透明であることは必要ではないが、ＩＴＯ、ＩＺＯ(インジウムと亜鉛の複合酸化物)等の導電性金属酸化物を用いて、第一電極４を形成してもよい。
【００３０】
さらに、第一電極４の材料として、ＩＴＯ等の導電性金属酸化物を用いる場合、その下に反射率の高い反射電極（Ｃｒ、 Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ等）を用いることが好適である。この場合、第二電極１２（反射電極）は、導電性金属酸化物よりも抵抗率が低いため、補助電極として機能するとともに、後述する有機発光層３０にて発光される光を、第二電極１２側に反射して、光の有効利用を図ることが可能となる。
【００３１】
（隔壁６の詳細な構成）
以下、図１を参照して、隔壁６の詳細な構成について説明する。
隔壁６は、基板２上に形成されており、第一電極４の周囲（側面）を囲むことにより、画素に対応した発光領域を区画するように形成されている。これは、第一電極４の端部が露出していると、第一電極４の端部に電場が集中し、素子の短絡等の性能劣化が生じるおそれがあるが、絶縁体である隔壁６によって第一電極４の端部を覆うことにより、上記の性能劣化を抑制することが可能となるためである。
【００３２】
ここで、一般的に、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ素子１は、各画素（サブピクセル）に対して第一電極４が形成されており、それぞれの画素が、できるだけ広い面積を占有しようとするため、第一電極４の端部（側面）を覆うように形成される隔壁６の最も好適な形状は、第一電極４を最短距離で区切る格子状を基本とする。
また、隔壁６の材料は、少なくとも、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤及びアルカリ可溶性バインダーを含有する。さらに、隔壁６の材料は、界面活性剤等を含有することが好適であり、溶剤も含有している。
【００３３】
隔壁６の好適な高さは、０．１［μｍ］以上１０［μｍ］以下の範囲内であり、より好適には、０．５［μｍ］以上２［μｍ］以下の範囲内程度である。その理由は、隔壁６の高さが高すぎる場合、第二電極１２（対向電極）の形成及び封止を妨げ、隔壁６の高さが低すぎる場合、第一電極４の端部を覆い切れない、または、発光媒体層８の形成時に、隣接する画素と混色してしまうためである。
【００３４】
隔壁６の断面形状としては、順テーパ形状、逆テーパ形状等の台形状や、半円形等が挙げられ、また、多段状になっていても良い。
ここで、隔壁６の断面形状が多段状である場合には、下の基板側の下段と上の基板側の上段とが異なる材料・形成方法であっても、同じ材料・形成方法であってもよい。この場合、例えば、下段はＳｉＮ等の無機材料からなり、上段は上述した材料からなる構成等が挙げられる。
【００３５】
（発光媒体層８の詳細な構成）
以下、図１を参照して、発光媒体層８の詳細な構成について説明する。
発光媒体層８は、隔壁６内で第一電極４上に形成されて、第一電極４と第二電極１２との間に挟持されており、有機発光層３０と、インターレイヤー層３２を含んでいる。
有機発光層３０は、発光に寄与する層であり、中間層１０上に形成されている。すなわい、発光媒体層８は、中間層１０上に形成されている。なお、有機発光層３０の詳細な構成については、後述する。
インターレイヤー層３２は、有機発光層３０上に形成されて、有機発光層３０と積層している。
インターレイヤー層３２の膜厚は、１［ｎｍ］以上１００［ｎｍ］以下の範囲内であることが好適である。
【００３６】
（有機発光層３０の詳細な構成）
以下、図１を参照して、有機発光層３０の詳細な構成について説明する。
有機発光層３０は、異なる色毎にパターニングされた層であり、電流を流すことにより発光する層である。
有機発光層３０を形成する有機発光材料は、例えば、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系等の発光性色素を、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられるが、本実施形態では、これらの材料に限定するわけではない。
【００３７】
上記の有機発光材料は、溶媒に溶解または安定に分散させることにより、有機発光インキとなる。
ここで、有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独、または、これらの混合溶媒が挙げられる。特に、トルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が、有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、上記の有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されていてもよい。
有機発光層３０の膜厚は、１［ｎｍ］以上１００［ｎｍ］以下の範囲内であることが好適である。
【００３８】
（中間層１０の詳細な構成）
以下、図１を参照して、中間層１０の詳細な構成について説明する。
中間層１０は、基板２上に形成されて、基板２と発光媒体層８との間に形成されており、誘電体層２８と、上述した第一電極４と、正孔輸送層３４を有している。
誘電体層２８は、基板２が備える支持体１４と第一電極との間に設けられている。
第一電極４の構成は、上述した構成である。
【００３９】
正孔輸送層３４は、第一電極４上に形成されており、正孔を輸送する層である。
正孔輸送層３４の材料としては、例えば、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）誘導体、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）等が挙げられる。
これらの材料は、溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法や凸版印刷方法を用いることにより、正孔輸送層３４を形成する。
【００４０】
また、正孔輸送層３４の材料として無機材料を用いる場合、無機材料としては、例えば、Ｃｕ２Ｏ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＦｅＯｘ（ｘ〜０．１）、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｐｒ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、ＭｏＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｈＯ２、Ｖ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＭｎＯ２等の無機材料を用いる。
なお、正孔輸送層３４の材料は、上述した材料に限定するものではない。
ここで、正孔輸送層３４は、隔壁６を形成した後に、真空中における抵抗加熱やエレクトロンビーム（ＥＢ）によって蒸着する方法、または、ＡｒガスとＯ２ガスを用いた反応性スパッタによる方法や、ＣＶＤ法等の方法にて形成する。
【００４１】
（中間層１０の膜厚）
中間層１０の膜厚ｄは、４００［ｎｍ］以上９００［ｎｍ］以下の範囲内とする。
ここで、中間層１０が有する各層（誘電体層２８、第一電極４、正孔輸送層３４）間における、多重反射の増幅を抑制するためには、各層の屈折率の差を小さくすることが望ましい。
このため、中間層１０が有する第一電極４を主として、各層の屈折率を、波長成分が５５０［ｎｍ］の条件下において、１．８以上２．３以下の範囲内とし、さらに、各層間における屈折率差を、０．３以下とするように、誘電体層２８、第一電極４及び正孔輸送層３４を形成する。
したがって、各層の形成方法としては、屈折率に相関のある膜密度を制御可能な方法である、スパッタ法やＣＶＤ法等の乾式法を選択することが望ましい。
【００４２】
上記のように、中間層１０の膜厚ｄを、４００［ｎｍ］以上９００［ｎｍ］以下の範囲内とすることにより、例えば、図２中に示すように、基板２、中間層１０、発光媒体層８及び第二電極１２から形成される多重膜干渉スペクトルの極大波長が少なくとも三つ（λ１、λ２、λ３）存在する、干渉スペクトルを得ることが可能となる。
なお、図２は、多重膜干渉スペクトルの例を示す図である。また、図２中では、破線及び実線により、多重膜干渉スペクトルの一例を示している。また、図２中では、三つの極大波長を、それぞれ、第一波長を符号「λ１」、第二波長を符号「λ２」、第三波長を符号「λ３」により示している。
【００４３】
ここで、例えば、カラーディスプレイのように、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の三色を同時に発光させる表示パネルにおいては、各色の特性を向上させるために、中間層１０の膜厚ｄを、異なる色毎に最適化し設けることも可能であるが、この場合、成膜工程が煩雑となる。
このため、中間層１０の膜厚を一種類に絞り、さらに、各色の特性を同時に向上させるように、三つの極大波長λ１、λ２、λ３の範囲を限定することが望ましい。
【００４４】
ここで、第一波長λ１は、青色（Ｂ）の色純度を向上させるために、４８０［ｎｍ］以下とする。
また、第二波長λ２は、緑色（Ｇ）の色純度及び全色の輝度を向上させるために、５１０［ｎｍ］以上６１０［ｎｍ］以下の範囲内とする。
さらに、第三波長λ３は、赤色（Ｒ）の色純度を向上させるために、６３０［ｎｍ］以下とする。
【００４５】
そして、三つの極大波長λ１、λ２、λ３が、それぞれの範囲に位置するように、中間層１０の膜厚を一種類に絞る。
なお、中間層１０の膜厚ｄは、４００［ｎｍ］以上９００［ｎｍ］以下の範囲内であれば、任意の厚さとすることが可能であるが、誘電体層２８は、１０［ｎｍ］以上１［μｍ］以下の範囲内とすることが好適である。さらに、上述したゲート絶縁膜１８と併用する場合は、ＴＦＴ側で膜が薄すぎると、絶縁性が確保できずに電流のリークが生じることや、膜を厚くすると電流を流すためにゲート電圧が上昇し、消費電力が増大する等の問題が発生するため、これらの問題を考慮して、中間層１０の膜厚ｄを設定することが好適である。
【００４６】
また、第一電極４の膜厚も、誘電体層２８と同様、１０［ｎｍ］以上１［μｍ］以下の範囲内とすることが好適である。
さらに、正孔輸送層３４の膜厚は、配線抵抗やクラック等、膜質劣化の問題を考慮して、電圧降下と、透過率の低下の抑制や劣化要因因子に対するバリア性の十分な確保を両立するために、５［ｎｍ］以上７０［ｎｍ］以下の範囲内とすることが好適である。
【００４７】
（第二電極１２の詳細な構成）
以下、図１を参照して、第二電極１２の詳細な構成について説明する。
第二電極１２は、中間層１０及び発光媒体層８上に形成されており、第一電極４と対向している。
また、第二電極１２は、電子を注入する層である電子注入層、または、電子を輸送する層である電子輸送層と、陰極層を含んで形成されている。
第二電極１２の材料として、電子注入層または電子輸送層には、無機材料を用いて、電子注入効率と安定性を両立することが可能な、仕事関数の小さいアルカリ金属やアルカリ土類金属の単体または化合物、合金系を選択する。
【００４８】
また、電子注入層または電子輸送層の厚さは、数［ｎｍ］の厚さとする。
また、第二電極１２の材料として、陰極層には、仕事関数の低い無機材料として、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ等の金属単体を用いてもよい。
また、第二電極１２の材料として、陰極層には、電子注入効率と安定性を両立させるために、仕事関数が低い材料、具体的には、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属材料を一種以上と、安定なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。この場合、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金系が使用することが可能である。
【００４９】
（封止体について）
有機ＥＬ素子１は、電極（第一電極４、第二電極１２）間に発光材料（発光媒体層８）を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光層３０の材料である有機発光材料は、大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまう。
このため、通常、有機ＥＬ素子１には、外部と遮断するための封止体（図示せず）を設ける。このような封止体は、例えば、封止材上に樹脂層を設けて形成することが可能である。
【００５０】
上記の封止材の材料としては、水分や酸素の透過性が低い基材を用いる必要がある。
ここで、封止材の材料としては、例えば、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルム等を挙げることができる。
耐湿性フィルムとしては、例えば、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルム、または、吸水剤を塗布した重合体フィルム等がある。ここで、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０−６［ｇ／ｍ２／ｄａｙ］以下であることが好適である。
【００５１】
樹脂層の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン樹脂等からなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、二液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物等の熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。
【００５２】
また、樹脂層を封止材の上に形成する方法としては、例えば、溶剤溶液法、押出ラミネーション法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法等を挙げることができる。
この場合、必要に応じて、吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることも可能である。ここで、封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ＥＬ表示装置の大きさや形状により任意に決定されるが、５［μｍ］以上５００［μｍ］以下の範囲内程度が好適である。
なお、上記の説明では、封止体を、封止材上に樹脂層として形成したが、封止体を、有機ＥＬ素子１側に、直接形成することも可能である。
【００５３】
また、有機ＥＬ素子１と封止体との貼り合わせは、封止室で行う。
ここで、封止体を、封止材と樹脂層の二層構造とし、樹脂層に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好適である。一方、樹脂層に熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに、硬化温度で加熱硬化を行うことが好適である。また、樹脂層に光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことが可能である。
【００５４】
なお、上述したような封止材を用いて封止を行う前や、その代わりに、例えば、パッシベーション膜として、ＥＢ蒸着法やＣＶＤ法等のドライプロセスを用いて、窒化珪素膜等無機薄膜による封止体を用いることも可能である。また、これらを組み合わせた封止体を用いることも可能である。
この場合、上述したパシベーション膜の膜厚は、１００［ｎｍ］以上５００［ｎｍ］以下の範囲内とすることが可能である。特に、材料の透湿性や、水蒸気光透過性等により異なるが、パシベーション膜の膜厚を、１５０［ｎｍ］以上３００［ｎｍ］以下の範囲内とすることが好適である。
【００５５】
（有機ＥＬ素子１の製造方法）
以下、図１及び２を参照しつつ、図３を用いて、有機ＥＬ素子１の製造方法を説明する。
有機ＥＬ素子１を製造する際には、まず、基板２上に第一電極４を形成する、第一電極形成工程を行う。すなわち、有機ＥＬ素子１の製造方法には、第一電極形成工程を含む。
第一電極形成工程において、第一電極４を形成する方法としては、第一電極４の材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることが可能である。また、第一電極４を形成する方法としては、乾式成膜法以外にも、グラビア印刷法や、スクリーン印刷法等の湿式成膜法等を用いることが可能である。
ここで、第一電極４のパターニング方法としては、第一電極４の材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法等の既存のパターニング法を用いることが可能である。
【００５６】
そして、基板２上に第一電極４を形成した後、第一電極４の周囲を囲む隔壁６を基板２上に形成する、隔壁形成工程を行う。すなわち、有機ＥＬ素子１の製造方法には、隔壁形成工程を含む。
隔壁形成工程では、第一電極４を形成した基板２上に隔壁６を形成する方法としては、例えば、第一電極４を形成した基板２上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、第一電極４を形成した基板２上に感光性樹脂を積層し、フォトリソ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。
【００５７】
また、必要に応じて、隔壁６の材料に、撥水剤を添加することや、プラズマやＵＶを照射して、隔壁６の形成後に、隔壁６に対して、インクに対する撥液性を付与することも可能である。
隔壁形成工程により基板２上に隔壁６を形成した後、発光媒体層８を第一電極４上に形成する、発光媒体層形成工程を行う。すなわち、有機ＥＬ素子１の製造方法には、発光媒体層形成工程を含む。
発光媒体層形成工程は、有機発光層３０を中間層１０上に形成する有機発光層形成工程を含む。
【００５８】
本実施形態の有機発光層形成工程では、上記のインターレイヤー層３２を形成した後、このインターレイヤー層３２上に、有機発光層３０を、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の順にパターニングして形成する。
具体的には、有機発光層３０の材料に応じて、インクジェット印刷法、ノズルプリント印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法等のウェット成膜法等既存の成膜法を用いる。
【００５９】
上述した方法の中でも、特に、有機発光材料を、溶媒に溶解、または、安定に分散させた有機発光インキを塗布する方法である凸版印刷法は、塗布液の粘性特性が良好な粘度範囲で、基材を傷つけることなく印刷することが可能であり、塗布液材料の利用効率が良いため、有機ＥＬ素子１の製造に好適である。
なお、上述した成膜法以外の方法を用いて、有機発光層３０を形成してもよい。
【００６０】
ここで、図３を用いて、上記の凸版印刷法により、有機発光層３０を形成する手順を説明する。
図３は、凸版印刷法に用いる凸版印刷装置３６の概略構成を示す図である。
図３中に示すように、凸版印刷装置３６は、有機発光材料からなる有機発光インキを、第一電極４及び中間層１０が形成された基板２上にパターン印刷する際に用いる装置であり、インクタンク３８と、インキチャンバー４０と、アニロックスロール４２と、凸部が設けられた凸版４４がマウントされた版胴４６を有している。
【００６１】
インクタンク３８には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー４０には、インクタンク３８から、有機発光インキが送り込まれるようになっている。
アニロックスロール４２は、インキチャンバー４０のインキ供給部に接して、インキチャンバー４０へ回転可能に支持されている。
上記のパターン印刷を行う際には、アニロックスロール４２の回転に伴い、アニロックスロール４２の表面に供給された有機発光インキのインキ層４８が、均一な膜厚に形成される。このインキ層４８のインキは、アニロックスロール４２に近接して回転駆動される版胴４６にマウントされた凸版４４の凸部に転移する。
【００６２】
そして、凸版４４の凸部にあるインキが、ステージ５０（平台）に設置された基板２に対して印刷され、必要に応じて乾燥工程を経て、基板２上に有機発光層３０が形成されることとなる。
なお、発光媒体層８が含む他の層（例えば、インターレイヤー層３２）をインキ化して塗工する場合についても、上記と同様の形成方法を用いて、基板２上に層を形成することが可能である。
【００６３】
ここで、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、発光媒体層８が、有機発光層３０に加え、インターレイヤー層３２を含んでいる。
このため、本実施形態では、有機発光層形成工程の前工程として、インターレイヤー層３２を形成するインターレイヤー層形成工程を行う。すなわち、本実施形態では、発光媒体層形成工程が、インターレイヤー層３２を形成するインターレイヤー層形成工程を含んでいる。
【００６４】
インターレイヤー層形成工程において、インターレイヤー層３２を形成する際には、インターレイヤー層３２の材料として、ポリビニルカルバゾール、またはその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の、芳香族アミンを含むポリマー等を用い、これらの材料を、溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法や凸版印刷法、フレキソ印刷法等の公知の印刷方法といった湿式法を用いて形成する。
【００６５】
上述した発光媒体層形成工程により発光媒体層８を形成した後、隔壁６及び発光媒体層８上に、第二電極１２を形成する、第二電極形成工程を行う。すなわち、有機ＥＬ素子１の製造方法には、第二電極形成工程を含む。
第二電極形成工程において、第二電極１２を形成する方法としては、第二電極１２の材料に応じて、チャンバ内における抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることが可能である。
第二電極１２を形成した後、上述した封止体を形成して、有機ＥＬ素子１の製造を終了する。
【００６６】
（第一実施形態の効果）
以下、第一実施形態の効果を列挙する。
（１）本実施形態の有機ＥＬ素子１であれば、中間層の膜厚を、適切な厚さとすることにより、多重膜干渉効果の制御を行うことが可能となるため、高発光効率且つ色純度の良好な有機ＥＬ素子の成膜工程を簡略化することが可能となる。
（２）本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法であれば、塗布液の粘性特性が良好な粘度範囲で、基材を傷つけることなく印刷することが可能であるため、塗布液材料の利用効率を向上させることが可能となる。
【００６７】
（変形例）
以下、第一実施形態の変形例を列挙する。
（１）本実施形態の有機ＥＬ素子１では、発光媒体層８の構成を、有機発光層３０と、インターレイヤー層３２を含んでいる構成としたが、これに限定するものではなく、発光媒体層８の構成を、インターレイヤー層３２を含んでいない構成としてもよい。
（２）本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法では、発光媒体層形成工程が、インターレイヤー層３２を形成するインターレイヤー層形成工程を含んでいるが、これに限定するものではなく、発光媒体層形成工程が、インターレイヤー層形成工程を含んでいなくともよい。
【００６８】
（実施例）
以下、図１から図３を参照して、上述した第一実施形態の有機ＥＬ素子１と、比較例の有機ＥＬ素子を製造し、両者に対する物性の評価を行った結果について説明する。
なお、以下の説明では、第一実施形態の有機ＥＬ素子１を、「本発明例の有機ＥＬ素子」と記載し、比較例の有機ＥＬ素子１を、「比較例の有機ＥＬ素子」と記載する。
（本発明例）
本発明例の有機ＥＬ素子１を製造する際には、基板２として、基板２上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタと、その上方に形成された第一電極４（画素電極）とを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。
【００６９】
また、アクティブマトリクス基板（基板２）のサイズは、２００［ｍｍ］×２００［ｍｍ］である。さらに、上記のアクティブマトリクス基板は、その中に対角が５インチであり、画素数が３２０×２４０のディスプレイが中央に配置されている。
ここで、誘電体層２８及びゲート絶縁膜１８は、ＳｉＮＸ膜を用いたＰＥＣＶＤ法により、膜厚を３５０［ｎｍ］とし、屈折率を１．９５（波長成分５５０［ｎｍ］時）として形成した。
【００７０】
さらに、誘電体層２８上に第一電極４を形成した。
第一電極４の形成方法としては、まず、スパッタ法を用いて、厚さが２８０［ｎｍ］であり、屈折率が１．９（波長成分５５０［ｎｍ］時）のＩＴＯ膜を形成し、そのＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィー法と酸溶液によるエッチングで、幅が２５［μｍ］となるようにパターニングし、画素数が３２０×２４０の第一電極４を形成した。
【００７１】
さらに、第一電極４の周囲を囲んで画素を区画するような形状で、隔壁６を形成した。
ここで、隔壁６を形成する際には、まず、アクリル系のフォトレジスト材料を、アクティブマトリクス基板の全面にスピンコートした。ここで、スピンコートの条件は、１５０［ｒｐｍ］で５秒間回転させた後、５００［ｒｐｍ］で２０秒間回転させる条件とした。これにより、高さが１．５［μｍ］の塗膜を得た。その後、フォトリソ法により、電極間にライン状の絶縁層を形成して、隔壁６を形成した。
【００７２】
次に、上記のように形成した第一電極４及び隔壁６上に、厚さが２０［ｎｍ］であり、屈折率が２．０（波長成分５５０［ｎｍ］時）の酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を、スパッタリング法により積層して、正孔輸送層３４を形成した。
以上により、誘電体層２８、第一電極４及び正孔輸送層３４を含んで形成した中間層１０の膜厚ｄを、６５０［ｎｍ］とした。
【００７３】
そして、インターレイヤー層３２の材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を、濃度が０．５［％］となるように、トルエンに溶解させたインキを用いて、上記のアクティブマトリクス基板を印刷機にセッティングし、絶縁層に挟まれた第一電極４の真上に、そのラインパターンに合わせて、凸版印刷法で印刷を行った。その結果、印刷・乾燥後のインターレイヤー層３２の膜厚は、２０［ｎｍ］となった。
【００７４】
次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を、その濃度が１［％］となるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用いて、上記のアクティブマトリクス基板を印刷機にセッティングし、隔壁６に挟まれた第一電極４の真上に、そのラインパターンに合わせて、有機発光層３０を、凸版印刷法により、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の順でパターニング成膜した。その結果、印刷・乾燥後の有機発光層３０の膜厚は、各色共に７０［ｎｍ］となった。
【００７５】
次に、第二電極１２として、Ｂａ膜を、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、厚みが４［ｎｍ］となるように成膜した後、アルミニウム膜を、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、厚みが１５０［ｎｍ］となるように成膜した。
そして、上記のように第二電極１２を成膜したアクティブマトリクス基板に対し、封止材としたガラス板を、発光領域全てをカバーするように載せた後、約９０［℃］で一時間程度、接着剤を熱硬化させて封止を行った。
上記のように製造した、本発明例の有機ＥＬ素子１は、中間層１０の膜厚ｄを６５０［ｎｍ］とすることで、図２中に実線で示すように、極大波長が３つ（λ１、λ２、λ３）存在することとなった。
【００７６】
また、図２中に示すように、第一波長λ１＝４７０［ｎｍ］、第二波長λ２＝５６０［ｎｍ］、第三波長λ３＝７００［ｎｍ］に位置する干渉スペクトルを得ることが可能となった。
さらに、印加電圧が７Ｖの際に、青色で、発光効率が７［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．１４３、ｙ＝０．１７１であり、緑色で、発光効率が１４［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．２７１、ｙ＝０．６３５であり、赤色で、発光効率が８［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．６６、ｙ＝０．３１１となり、三色同時に、高発光効率、色純度の良い特性を実現したことが確認された。
【００７７】
（比較例）
比較例の有機ＥＬ素子１は、中間層１０の膜厚ｄを、３００［ｎｍ］とした。
具体的には、誘電体層２８を、膜厚を２００［ｎｍ］とし、屈折率を２．３５（波長成分５５０［ｎｍ］時）として形成した。
また、第一電極４を、膜厚を８０［ｎｍ］とし、屈折率を１．７５（波長成分５５０［ｎｍ］時）として形成した。
さらに、正孔輸送層３４を、膜厚を２０［ｎｍ］とし、屈折率を２．５（波長成分５５０［ｎｍ］時）として形成した。
その他の材料、各層の厚さ、工程は、上述した本発明例と同様とした。
したがって、比較例の有機ＥＬ素子１は、中間層１０の膜厚ｄが、４００［ｎｍ］以上９００［ｎｍ］以下の範囲外であり、さらに、中間層１０が有する各層の屈折率が、１．８以上２．３以下の範囲外（波長成分５５０［ｎｍ］時）であり、各層間における屈折率差を、０．３を超える構成とした。
【００７８】
これにより、比較例の有機ＥＬ素子１では、極大波長が２つしか存在しない干渉スペクトルが得られた。
上記のように製造した、比較例の有機ＥＬ素子１は、本発明例の有機ＥＬ素子１に対して、印加電圧が７Ｖの際に、青色で、発光効率が４［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．１６、ｙ＝０．２２であり、緑色で、発光効率が１０［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．３５、ｙ＝０．６であり、赤色で、発光効率が６［ｃｄ／Ａ］、ＣＩＥ色度がｘ＝０．６２、ｙ＝０．３１となり、本発明例の有機ＥＬ素子１と比較して、発光効率が低く、また、色純度が悪い特性となっていることが確認された。
【符号の説明】
【００７９】
１ 有機ＥＬ素子
２ 基板
４ 第一電極
６ 隔壁
８ 発光媒体層
１０ 中間層
１２ 第二電極
１４ 支持体
１６ ゲート電極
１８ ゲート絶縁膜
２０ 活性層
２２ オーミックコンタクト層
２４ ドレイン電極
２６ ソース電極
２８ 誘電体層
３０ 有機発光層
３２ インターレイヤー層
３４ 正孔輸送層
３６ 凸版印刷装置
３８ インクタンク
４０ インキチャンバー
４２ アニロックスロール
４４ 凸版
４６ 版胴
４８ インキ層
５０ ステージ
ｄ 中間層１０の膜厚
λ１ 第一波長
λ２ 第二波長
λ３ 第三波長
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、当該基板上に形成され且つ少なくとも第一電極を含む複数の層を有する中間層と、当該中間層上に形成された発光媒体層と、当該発光媒体層上に形成された第二電極と、を備える有機ＥＬ素子であって、
前記発光媒体層は、異なる色毎にパターニングして形成された有機発光層を含み、
前記中間層の膜厚は、４００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記中間層が有する各層の屈折率は、波長成分が５５０ｎｍの条件下において、１．８以上２．３以下の範囲内であり、
前記各層間における屈折率差は、０．３以下であることを特徴とする請求項１に記載した有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記基板、前記中間層、前記発光媒体層及び前記第二電極から形成される多重膜干渉スペクトルの極大波長が、少なくとも三つ存在することを特徴とする請求項１または請求項２に記載した有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記極大波長は、第一波長、第二波長及び第三波長であり、
前記中間層の膜厚は、前記第一波長が４８０ｎｍ以下、前記第二波長が５１０ｎｍ以上６１０ｎｍ以下の範囲内、前記第三波長が６５０ｎｍ以上となるように設定されていることを特徴とする請求項３に記載した有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ層を用いたアクティブマトリックス駆動型の素子であり、
前記ＴＦＴ層を構成する複数の層のうち少なくとも一層は、前記中間層が有する層であることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載した有機ＥＬ素子。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載した有機ＥＬ素子を製造する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記発光媒体層の形成方法として凸版印刷法を用いることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１】
基板と、当該基板上に形成され且つ少なくとも第一電極を含む複数の層を有する中間層と、当該中間層上に形成された発光媒体層と、当該発光媒体層上に形成された第二電極と、を備える有機ＥＬ素子であって、
前記発光媒体層は、異なる色毎にパターニングして形成された有機発光層を含み、
前記中間層の膜厚は、４００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記中間層が有する各層の屈折率は、波長成分が５５０ｎｍの条件下において、１．８以上２．３以下の範囲内であり、
前記各層間における屈折率差は、０．３以下であることを特徴とする請求項１に記載した有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記基板、前記中間層、前記発光媒体層及び前記第二電極から形成される多重膜干渉スペクトルの極大波長が、少なくとも三つ存在することを特徴とする請求項１または請求項２に記載した有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記極大波長は、第一波長、第二波長及び第三波長であり、
前記中間層の膜厚は、前記第一波長が４８０ｎｍ以下、前記第二波長が５１０ｎｍ以上６１０ｎｍ以下の範囲内、前記第三波長が６５０ｎｍ以上となるように設定されていることを特徴とする請求項３に記載した有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ層を用いたアクティブマトリックス駆動型の素子であり、
前記ＴＦＴ層を構成する複数の層のうち少なくとも一層は、前記中間層が有する層であることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載した有機ＥＬ素子。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載した有機ＥＬ素子を製造する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記発光媒体層の形成方法として凸版印刷法を用いることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−７４２３７（Ｐ２０１２−７４２３７Ａ）
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１７８１５（Ｐ２０１０−２１７８１５）
【出願日】平成２２年９月２８日（２０１０．９．２８）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２８日（２０１０．９．２８）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
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