有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法および電子機器
【課題】簡易な製造プロセスで低消費電力化を実現することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、基板上に設けられた第１電極と、第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、第１電極に対向して第１開口、補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２電極とを備える。画素間絶縁膜の第２開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有する。蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、第２開口内の逆テーパ部に対向する領域において、第２電極と補助電極との電気的接続が確保される。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、基板上に設けられた第１電極と、第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、第１電極に対向して第１開口、補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２電極とを備える。画素間絶縁膜の第２開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有する。蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、第２開口内の逆テーパ部に対向する領域において、第２電極と補助電極との電気的接続が確保される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して画像表示を行う有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ（Display）の大型化が進み、低消費電力化が求められている。例えば、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置においても同様の要求があり、低消費電力化のためには、上部電極（カソード電極）に起因する電圧降下を防ぐことが重要である。このような電圧降下を防ぐ手法としては、例えば、いわゆる補助配線（補助電極）を利用した様々な手法が提案されている（例えば、特許文献１〜４）。これらの手法では、駆動基板上に下部電極（アノード電極）、有機層（発光層を含む）および上部電極がこの順に設けられた素子構造において、上記補助電極が、下部電極と電気的に絶縁される一方、上部電極とは電気的に接続された状態で、駆動基板上に配設されている。このような素子構造では、補助電極を駆動基板側に形成することが多いため、補助電極を有機層から露出させ、上部電極と接触させる必要がある。
【０００３】
例えば、特許文献１では、補助電極表面に有機層が付着しないように、下部電極上の選択的な領域にのみ有機層を成膜した後、上部電極を基板全面にわたって成膜することにより、補助電極と上部電極とを接触させている。
【０００４】
また、下部電極上に設けられ、発光領域を区画する絶縁膜（画素間絶縁膜）を有する構造において、この画素間絶縁膜に補助電極へ通じるスルーホールを設け、このスルーホールを用いて補助電極と上部電極とを接続する手法（特許文献２）もある。あるいは、画素間絶縁膜は下部電極に対向して、発光領域を区画するための開口を有するが、この開口部分にのみ有機層を選択的に設け、補助電極については画素間絶縁膜上（開口以外の壁部分）に設ける手法もある（特許文献３）。
【０００５】
更に、下部電極および補助電極が配設された駆動基板の全面にわたって、有機層を形成した後に、補助電極に対向する部分のみをレーザー照射によって選択的に除去して補助電極表面を露出させる手法（特許文献４）もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−０１１８１０号公報
【特許文献２】特開２００５−３２７６７４号公報
【特許文献３】特開２００６−０５９７９６号公報
【特許文献４】特開２００７−０５２９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記特許文献１〜３の手法ではいずれも、有機層を形成する際に、マスク蒸着法または塗布法により有機層を領域毎に塗り分ける必要がある。マスク蒸着法では、マスクとの位置合わせ精度や歩留まりが悪くなり易く、塗布法では高精細化に対応しにくい。一方、特許文献４の手法では、レーザー照射工程を経るために、製造コストが高くなってしまう。このため、そのような塗り分け工程やレーザー照射工程等を経ることなく、簡易な製造プロセスで補助電極を形成し、低消費電力化を実現することが望まれている。
【０００８】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡易な製造プロセスで低消費電力化を実現することが可能な有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の有機ＥＬ表示装置は、基板上に設けられた第１電極と、第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、第１電極に対向して第１開口、補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２電極とを備えている。画素間絶縁膜の第２開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ第２開口の逆テーパ部に対向する領域において第２電極が補助電極に電気的に接続されている。
【００１０】
本開示の有機ＥＬ表示装置では、画素間絶縁膜が第１電極に対向して第１開口、補助電極に対向して第２開口を有し、画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層および第２電極が設けられている。画素間絶縁膜の第２開口が、所定の順テーパ部と逆テーパ部とをそれぞれ有することにより、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、第２開口の逆テーパ部に対向する領域において、第２電極と補助電極との電気的接続が確保される。
【００１１】
本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、第１電極と電気的に絶縁した補助電極を形成する工程と、第１電極に対向して第１開口、補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程と、画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、有機層上に第２電極を形成する工程とを含む。画素間絶縁膜を形成する工程では、第２開口に、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを形成し、第２電極を形成する工程では、第２開口の逆テーパ部に対向する領域において第２電極を補助電極に電気的に接続させる。
【００１２】
本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法では、画素間絶縁膜に、第１電極に対向する第１開口、補助電極に対向する第２開口を形成し、第２開口には、所定の順テーパ部と逆テーパ部とを形成する。このような画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層および第２電極を形成することにより、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、第２開口の逆テーパ部に対向する領域において、第２電極と補助電極との電気的接続が確保される。
【００１３】
本開示の電子機器は、上記本開示の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。
【００１４】
尚、本開示および以下の実施の形態において、「順テーパ部」および「逆テーパ部」とは、基板面（基板の表面または裏面）と非平行な面であり、かつ直交しない面（傾斜面）を有する部分である。また、「順テーパ部」および「逆テーパ部」の基板面とのなす角は、第２開口内において基板面と各傾斜面とがなす角である。即ち、「順テーパ部」では、第２開口内において基板面とのなす角が９０°より大きく１８０°未満のいわゆる鈍角であり、「逆テーパ部」では、第２開口内において基板面とのなす角が０°より大きく９０°未満のいわゆる鋭角となっている。
【発明の効果】
【００１５】
本開示の有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法および電子機器によれば、画素間絶縁膜に、第１電極に対向する第１開口、補助電極に対向する第２開口をそれぞれ設け、第２開口には、所定の順テーパ部と逆テーパ部とを設ける。これにより、発光層を含む有機層を、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく所望の領域に形成しつつ、第２電極と補助電極との電気的接続を確保できる。これによって、第２電極に起因する電圧降下を抑制できる。従って、簡易な製造プロセスで補助電極を形成することができ、低消費電力化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本開示の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表す図である。
【図２】図１に示した第１電極および補助電極の平面レイアウト例を表す模式図である。
【図３】図１に示した第１電極および補助電極付近の拡大図である。
【図４】図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】図４の一部構造に対応する断面図である。
【図６】図４に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１０】比較例１に係る有機ＥＬ表示装置の一部領域に対応する断面図である。
【図１１】比較例２に係る有機ＥＬ表示装置の一部領域に対応する断面図である。
【図１２】第２電極の膜厚を変化させた場合の電流電圧特性にを表す特性図である。
【図１３】変形例１に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表す図である。
【図１４】変形例２に係る製造方法を説明するための要部断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を表す要部断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を表す要部断面図である。
【図１７】変形例３に係る製造方法を説明するための要部断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を表す要部断面図である。
【図１９】実施の形態等に係る表示装置の周辺回路を含む全体構成を表す図である。
【図２０】図１９に示した画素の回路構成を表す図である。
【図２１】図１９に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２２】実施の形態等の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２３】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２４】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２５】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２６】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（駆動基板上の補助電極に対向して逆テーパをもつ絶縁膜開口を設けた例）
２．変形例１（ＴＦＴの電極と同層に補助電極を設けた例）
３．変形例２（逆テーパ形成手法の他の例）
４．変形例３（逆テーパ形成手法の他の例）
５．適用例（電子機器への適用例）
【００１８】
＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えばいわゆるトップエミッション方式（上面発光方式）により発光を生じるものであり、例えば、駆動基板１０上の所定の領域（後述の表示領域１１０）に、複数の有機ＥＬ素子１Ａが例えばマトリクス状に配置されたものである。各有機ＥＬ素子１Ａは、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３つのサブピクセルのいずれかを構成しており、これらの３つのサブピクセルが１つのピクセルとして機能するようになっている。
【００１９】
（駆動基板１０）
駆動基板１０は、例えば、石英、ガラス、金属箔、シリコンまたはプラスチック等からなる基板１０ａ上に、ＴＦＴ１１を含む駆動回路（後述の画素回路４０等）が配設されたものである。
【００２０】
ＴＦＴ１１は、例えば後述の画素回路４０におけるサンプリング用トランジスタ３Ａまたは書き込み用トランジスタ３Ｂに相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。ここでは、一例としてボトムゲート型の薄膜トランジスタを例に挙げる。ＴＦＴ１１は、例えば、基板１０ａ上の選択的な領域にゲート電極１１０を有し、このゲート電極１１０と基板１０ａとを覆うように基板１０ａの全面にわたってゲート絶縁膜１１１が設けられている。ゲート絶縁膜１１１上には、半導体層１１２が形成されている。この半導体層１１２は、チャネルを形成する活性層として機能するものであり、例えば非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコンまたは酸化物半導体等により構成されている。この半導体層１１２上には、貫通孔（コンタクトホールＨ）を有する層間絶縁膜１１３が形成されており、層間絶縁膜１１３上には、そのコンタクトホールＨを埋め込むように、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極１１４が配設されている。このＴＦＴ１１は、駆動基板１０において、平坦化膜１１５により被覆されている。
【００２１】
平坦化膜１１５は、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜よりなる。あるいは、無機絶縁膜、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx），窒化シリコン（ＳｉＮx）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等のうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜より構成されていてもよい。平坦化膜１１５は、コンタクトホールＨ２を有し、このコンタクトホールＨ２を通じてＴＦＴ１１（ソース・ドレイン電極１１４）と、後述の第１電極１２とが電気的に接続されている。
【００２２】
（有機ＥＬ素子１Ａ）
有機ＥＬ素子１Ａは、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板１０の平坦化膜１１５上に、例えば第１電極１２、有機層１５および第２電極１６を備えている。
【００２３】
第１電極１２は、例えば有機ＥＬ素子１Ａ毎に設けられ、例えばアノードとして機能するものである。この第１電極１２は、ここでは（トップエミッション方式の場合には）、光反射性を有する金属膜、またはそのような金属膜と透明導電膜との積層膜により構成される。例えば、第１電極１２は、アルミニウム（Ａｌ）とネオジウム（Ｎｄ）との合金（ＡｌＮｄ合金）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と銀（Ａｇ）との積層膜、または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）と銀との積層膜により構成されている。但し、第１電極１２の最表面には、後述の製造プロセスにおいて所定のエッチング耐性を有する材料、例えばＡｌＮｄ合金が設けられていることが望ましい。この第１電極１２は、第２電極１６および後述の補助電極１３と電気的に絶縁して設けられている。
【００２４】
有機層１５は、例えば白色光を発する有機電界発光層（以下、白色発光層という）含むものであり、第１電極１２および第２電極１６を通じて電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じて、白色光を発生するようになっている。
【００２５】
白色発光層は、詳細には、例えば、赤色光を発する赤色発光層、緑色光を発する緑色発光層および青色光を発する青色発光層を積層した構造（タンデム構造）を有している。赤色発光層は、例えば赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。
【００２６】
この有機層１５は、上記のような発光層の他にも、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを含んでいてもよい。具体的には、第１電極１２が陽極として機能する場合には、第１電極１２側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、白色発光層および電子輸送層を積層した構造であってもよい。また、このような積層構造を有する有機層１５は、駆動基板１０上の全ての有機ＥＬ素子１Ａに共通して形成されていてもよいが、一部の層が有機ＥＬ素子１Ａ毎に設けられ、その他の層が全有機ＥＬ素子１Ａに共通して設けられていてもよい。また、有機層１５と第２電極１６との間には、更に、例えばＬｉＦよりなる電子注入層が設けられていてもよい。
【００２７】
尚、ここでは、白色発光層として、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を積層したものを例示したが、白色発光層の構成はこれに限定されず、混色により白色光を生成可能な構造であればよい。例えば、青色発光層と黄色発光層とを積層した構造、または青色発光層と橙色発光層とを積層した構造であってもよい。
【００２８】
本実施の形態では、この有機層１５が駆動基板１０の全域にわたって形成されており、この有機層１５上の全域にわたって第２電極が形成されている。
【００２９】
第２電極１６は、例えば駆動基板１０上の全ての有機ＥＬ素子１Ａに共通して設けられ、例えばカソードとして機能するものである。この第２電極１６は、例えば酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）および銀の共蒸着膜（ＭｇＡｇ共蒸着膜）により構成されている。この第２電極１６は、後述の画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２内において補助電極１３と電気的に接続されている。
【００３０】
この第２電極１６上には、保護層１７が設けられている。保護層１７は、例えば厚みが２〜５μｍであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。保護層１７上には、図示しない接着層により封止基板２０が貼り合わせられている。
【００３１】
封止基板２０は、保護層１７と共に、各有機ＥＬ素子１Ａを封止するものであり、例えばＲ，Ｇ，Ｂの各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。この封止基板２０には、図示しないカラーフィルタが設けられていてもよい。カラーフィルタは、例えば赤色，緑色または青色のフィルタを有し、例えば顔料や染料を混入した樹脂より構成されている。このようなカラーフィルタを設けることにより、各有機ＥＬ素子１Ａで発生した光（ここでは白色光）をＲ，Ｇ，Ｂの色光に変換して取り出すことができる。
【００３２】
また、図示しないブラックマトリクス（遮光膜）が設けられていてもよく、これにより、有機ＥＬ素子１Ａ間（サブピクセル間）および配線等において反射された外光を吸収し、コントラストを改善することができる。遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。
【００３３】
（補助電極１３）
上記のような有機ＥＬ素子１Ａを用いて映像表示を行う有機ＥＬ表示装置１では、第２電極１６が、各有機ＥＬ素子１Ａに共通の電極であるために、駆動基板１０上の広い領域にわたって形成される。このため、第２電極１６の形状に起因して電圧降下が生じるが、有機ＥＬ表示装置１は、そのような電圧降下を抑制するために、補助電極１３を備えている。補助電極１３は、駆動基板１０側において、有機ＥＬ素子１Ａにおける第１電極１２と電気的に絶縁される一方、第２電極１６と電気的に接続された状態で配設されている。本実施の形態では、補助電極１３は、駆動基板１０上（詳細には平坦化膜１１５上）の第１電極１２と同層に設けられている。
【００３４】
図２は、この補助電極１３と第１電極１２との平面レイアウト（基板面に平行なＸＹ平面レイアウト）について模式的に示したものである。尚、図１の断面構造は、この図２におけるＩ−Ｉ線に沿った断面の積層構造に対応している。このように、駆動基板１０上には、複数の第１電極１２が、例えばマトリクス状に配置されている。補助電極１３は、例えば各第１電極１２を離隔しつつ囲むように設けられ、全体の形状が例えば格子形状となっている。この補助電極１３の一部、例えば格子形状における交差部が、第２電極１６との接触部分（コンタクト部１３Ａ）となっている。
【００３５】
コンタクト部１３Ａは、後述の画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２に対向して（詳細には、開口Ｓ２の逆テーパ部１４Ｂに対向して）形成されるものであり、図２に示したように、補助電極１３において点在する複数の選択的な領域に対応している。例えば、コンタクト部１３Ａは、格子状における全交差部のうちの選択的な交差部にのみ設けられていてもよいし、または全交差部に設けられていてもよい。また、交差部以外の領域に配置されていてもよい。
【００３６】
但し、補助電極１３のレイアウトはこれに限定されず、表示領域において、第１電極１２と電気的に絶縁されて設けられていればよい。また、格子形状以外の形状であってもよく、例えば、Ｘ方向またはＹ方向の１方向に沿ってのみ延在するストライプ形状であってもよい。また、コンタクト部１３Ａは上記のように点在して形成されてもよいし、例えばＸ方向またはＹ方向の１方向に沿って延在するストライプ状に形成されていてもよい。あるいは、コンタクト部１３Ａは、補助電極１３の全域にわたって形成されていてもよい。
【００３７】
このような補助電極１３は、例えば、チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫および酸化インジウム亜鉛のうちの１種以上を含む単層膜または積層膜により構成されている。但し、補助電極１３の最表面には、後述の製造プロセスにおいて所定のエッチング耐性を有する材料、例えばチタンまたはＡｌＮｄ合金が設けられていることが望ましい。また、第２電極１６とのオーミック接触を確保するため、最表面にはチタンが設けられていることが、より望ましい。
【００３８】
（画素間絶縁膜１４）
上記第１電極１２および補助電極１３が配設された駆動基板１０上には、基板全面にわたって画素間絶縁膜１４が形成されている。画素間絶縁膜１４は、各有機ＥＬ素子１Ａを電気的に分離する（画素開口を区画する）機能を有するものであり、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜により構成され、感光性を有することが望ましい。本実施の形態では、この画素間絶縁膜１４が複数の開口Ｓ１，Ｓ２を有している。
【００３９】
開口Ｓ１（第１開口）は、有機ＥＬ素子１Ａ毎に設けられ、第１電極１２に対向して形成されている。この開口Ｓ１によって各有機ＥＬ素子１Ａが電気的に分離される。
【００４０】
開口Ｓ２（第２開口）は、補助電極１３の少なくとも一部に対向して設けられている。この開口Ｓ２は、順テーパ部１４Ａおよび逆テーパ部１４Ｂを有している。図３に、開口Ｓ２付近の拡大図を示す。これらの順テーパ部１４Ａおよび逆テーパ部１４Ｂは、開口Ｓ２の内壁（内側の側面）の一部に相当するものであり、基板面と非平行かつ直交しない傾斜面を有している。具体的には、順テーパ部１４Ａは、基板面とのなす角αが９０°より大きく１８０°未満の鈍角であり、逆テーパ部１４Ｂでは、基板面とのなす角βが０°より大きく９０°未満の鋭角である。
【００４１】
本実施の形態では、上述のように、基板全面にわたって有機層１５（または有機層１５の一部）と第２電極１６とが積層されるが、開口Ｓ２内の逆テーパ部１４Ｂの上端ｅ１付近において有機層１５が途切れ（分断され）ており、補助電極１３の表面が露出している。第２電極１６は、そのような有機層１５の分断面を被覆すると共に、開口Ｓ２内の逆テーパ部１４Ｂに対向する領域（逆テーパ部１４Ｂと基板面との間の空隙）まで延在形成され、補助電極１３と接触している。補助電極１３の逆テーパ部１４Ｂに対向する領域の一部または全部（第２電極１６と接触した部分）が、上記コンタクト部１３Ａに対応している。
【００４２】
一方、この開口Ｓ２の順テーパ部１４Ａに対向する領域では、有機層１５および第２電極１６が、順テーパ部１４Ａの形状に倣って連続的に（分断されることなく）形成されている。また、これらの有機層１５および第２電極１６が、順テーパ部１４Ａに対向する領域から開口Ｓ１に対向する領域まで、画素間絶縁膜１４の表面形状に倣って連続的に形成されている。
【００４３】
［製造方法］
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。即ち、まず、駆動基板１０を用意する。具体的には、上述した材料よりなる基板１０ａ上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴ１１を含む駆動回路を形成した後、基板１０ａの全面にわたって平坦化膜１１５を、例えばスピンコート法，スリットコート法により成膜する。続いて、成膜した平坦化膜１１５を、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングすると共に、この平坦化膜１１５にコンタクトホールＨ２を形成する。
【００４４】
（第１電極，補助電極の形成工程）
次いで、図４に示したように、駆動基板１０上に、上述した材料よりなる第１電極１２および補助電極１３を同一または異なるパターニング工程により形成する。例えば、まず、第１電極１２としてＡｌＮｄ合金を例えばスパッタ法により基板全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。この際、第１電極１２の一部を平坦化膜１１５のコンタクトホールＨ２に埋め込み、第１電極１２とＴＦＴ１１とを電気的に接続する。この後、補助電極１３としてアルミニウムおよびチタンをこの順にそれぞれスパッタ法により基板全面にわたって堆積させた後、形成した積層膜（Ｔｉ／Ａｌ）をフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。
【００４５】
尚、上記順序とは逆に、補助電極１３を形成した後に、第１電極１２を形成してもよい。第１電極１２および補助電極１３の成膜順序は、各電極材料に応じて適宜設定される。また、第１電極１２と補助電極１３との積層構造および材料が同一の場合には、これらの第１電極１２および補助電極１３を同一工程において一括してパターニングしてもよい。
【００４６】
次に、上記のようにして第１電極１２および補助電極１３を形成した駆動基板１０上に、上記画素間絶縁膜１４、有機層１５および第２電極をこの順に形成する。尚、図５は、図４における第１電極１２および補助電極１３付近の一部の領域Ｄを拡大したものである。以下の工程では、装置全体の断面構造のうちの領域Ｄに相当する部分を示して説明する。
【００４７】
まず、図６に示したように、画素間絶縁膜１４を形成する前に、補助電極１３上に逆テーパ形成用薄膜１２０を形成する。この際、本実施の形態では、例えばアルミニウム等の金属よりなる逆テーパ形成用薄膜１２０を例えばスパッタ法により基板全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたウェットエッチングによりパターニングする。このようにして、側面に順テーパ１２０Ａ１，１２０Ａ２を有する（台形の断面形状を有する）逆テーパ形成用薄膜１２０を補助電極１３上に選択的に形成する。
【００４８】
（画素間絶縁膜形成工程）
続いて、画素間絶縁膜１４を、フォトリソグラフィ法を用いて形成する。具体的には、まず図７に示したように、上述した材料よりなる画素間絶縁膜１４を、例えばスピンコート法，スリットコート法により基板全面にわたって成膜する。この際、画素間絶縁膜１４としては、感光性を有する樹脂材料を用いる。
【００４９】
次いで、図８（Ａ）に示したように、画素間絶縁膜１４の選択的な領域を、所定のフォトマスク１２１を用いて露光する。この際、フォトマスク１２１としては、第１電極１２に対向する領域に開口１２１ａ、補助電極１６の一部に対向する領域に開口１２１ｂを有するものを用いる。これらの開口１２１ａ，１２１ｂのうち、開口１２１ｂは、詳細には、逆テーパ形成用薄膜１２０における順テーパ１２０Ａ１，１２０Ａ２のうちの一方（例えば順テーパ１２０Ａ１）に対向すると共に、他方（例えば順テーパ１２０Ａ２）に非対向となっている。
【００５０】
続いて、露光した画素間絶縁膜１４を現像する。この際、現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ（Tetra-methyl-ammonium-hydroxyde）水溶液を使用する。ＴＭＡＨを用いることにより、画素間絶縁膜１４の現像と同時に、金属（アルミニウム等）によりなる逆テーパ形成用薄膜１２０をウェットエッチングにより除去（リフトオフ）することができる。この際、第１電極１２にＡｌＮｄ合金が用いられていれば、例えばアルミニウム単層で構成する場合に比べてＴＭＡＨに対して耐性を有することから、第１電極１２を電極として残すことができる。
【００５１】
この後、リンス液で洗浄し、更に加熱（ポストベーク）することにより、図８（Ｂ）に示したように、画素間絶縁膜１４では、第１電極１２に対向する領域に、開口Ｓ１が形成される。また、この一方で、補助電極１３に対向する領域には、上述したような順テーパ部１４Ａおよび逆テーパ部１４Ｂを有する開口Ｓ２が形成される。
【００５２】
（有機層形成工程）
次いで、図９（Ａ）に示したように、基板全面にわたって、上述した積層構造および材料等よりなる有機層１５を形成する。この際、有機層１５を、例えば真空蒸着法により成膜する。例えば、白色発光層としてＲ，Ｇ，Ｂの各色の発光層を積層させる場合には、各色の発光材料をそれぞれ真空蒸着法により、例えば基板全面に渡って順に堆積させる。
【００５３】
これにより、画素間絶縁膜１４の全域にわたって有機層１５が成膜されるが、本実施の形態では、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２が逆テーパ部１４Ｂを有しているため、この逆テーパ部１４Ｂのエッジ（図３の上端ｅ１）付近において、有機層１５が分断されて成膜される。これは、有機層１５をカバレッジの低い蒸着法により成膜することから、開口Ｓ２内の逆テーパ部１４Ｂに対向する領域までは有機材料が回り込まないためである。これによって、開口Ｓ２内において補助電極１３の表面の一部が有機層１５から露出する。
【００５４】
（第２電極形成工程）
この後、図９（Ｂ）に示したように、基板全面にわたって、上述した材料よりなる第２電極１６を例えばスパッタ法により成膜する。これにより、上記有機層１５と同様、画素間絶縁膜１４の全域にわたって第２電極１６が形成される。但し、この第２電極１６については、カバレッジのよいスパッタ法を用いて成膜することから、有機層１５の分断面を被覆すると共に、電極材料が、逆テーパ部１４Ｂと基板面との間の空隙部分まで回り込んで堆積し、補助電極１３の露出部分と接触する。このようにして、補助電極１３の一部（逆テーパ部１４Ｂに対向する領域の一部または全部）と第２電極１６との電気的接続が確保される。この際、補助電極１３の最表面をチタンにより形成しておくことにより、第２電極１６とのオーミック接触を確保し易くなる。
【００５５】
次いで、図示はしないが、形成した第２電極１６上の全面を覆って、上述した材料よりなる上述した材料よりなる保護層１７を形成した後、接着層を用いて駆動基板１０と封止基板２０とを貼り合わせる。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１を完成する。
【００５６】
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、各サブピクセル（有機ＥＬ素子１Ａ）に対し、映像信号に基づく駆動電流が第１電極１２および第２電極１６を通じて供給されると、各有機ＥＬ素子１Ａでは、有機層１５（白色発光層）において、正孔と電子との再結合により発光が起こる。このようにして生じた白色光のうち、第１電極１２側（下方）へ放たれた光は、第１電極１２等によって反射された後、封止基板２０の上方より出射する。一方、第２電極１６側（上方）へ放たれた光は、そのまま第２電極１６を透過した後、封止基板２０の上方より出射する。封止基板２０を出射する際には、図示しないカラーフィルタを透過することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの色光が表示光として取り出される。このようにして、トップエミッション方式によるフルカラーの映像表示がなされる。
【００５７】
ここで、有機ＥＬ表示装置１では、上述したように、第２電極１６の形状に起因して電圧降下を生じることがあるが、このような電圧降下を抑制するために補助電極１３が設けられている。具体的には駆動基板１０上の第１電極１２と同層に、かつ第１電極１２と電気的に絶縁された状態で設けられている。
【００５８】
（比較例）
このような補助電極１３は、第２電極１６と電気的に接続させる必要があるが、次のような理由から改善が望まれている。図１０（Ａ）〜（Ｃ）に、比較例１に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の一部（画素間絶縁膜形成後から第２電極形成までの工程）を模式的に示す。この比較例１では、例えば図１０（Ａ）に示したように、画素間絶縁膜１０３を形成する際に、駆動基板１００上の第１電極１０１に対向して開口１０３Ａ、補助電極１０２に対向して開口１０３Ｂをそれぞれ設ける。これらの開口１０３Ａ，１０３Ｂはいすれも通常の順テーパを有するものである。
【００５９】
続いて、図１０（Ｂ）に示したように、画素間絶縁膜１０３の開口１０３Ａに対応する選択的な領域にのみ発光層を含む有機層１０４を、蒸着マスク法または塗布法により形成する（補助電極１０２の表面は露出させておく）。この後、図１０（Ｃ）に示したように、第２電極１０５を基板全面にわたって形成することにより、第２電極１０５と補助電極１０２とを接触させ電気的接続を確保する。
【００６０】
また、図１１（Ａ）〜（Ｃ）には、比較例２に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の一部（画素間絶縁膜形成後から第２電極形成までの工程）を模式的に示す。この比較例２では、例えば図１１（Ａ）に示したように、上記比較例１と同様の画素間絶縁膜１０３上の全域に有機層１０４を形成した後、補助電極１０２に対向する領域にのみレーザー光を照射する。これにより、図１１（Ｂ）に示したように、補助電極１０２上に堆積されていた有機層１０４が選択的に除去される。この後、図１１（Ｃ）に示したように、第２電極１０５を基板全面にわたって形成することにより、第２電極１０５と補助電極１０２とを接触させ電気的接続を確保する。
【００６１】
上記比較例１，２のうち、比較例１の手法では、有機層１０４を塗り分けマスクを用いた蒸着法（マスク蒸着法）または塗布法によりパターニングする必要がある。この際、マスク蒸着法では、マスクとの位置合わせ精度や歩留まりが悪くなり易く、塗布法では高精細化に対応しにくい。一方、比較例２の手法では、有機層１５を選択的に除去するためにレーザー照射工程を経るために、製造コストが高くなってしまう。このため、そのような塗り分け工程やレーザー照射工程等を経ることなく、簡易な製造プロセスで補助電極を形成することが望まれている。
【００６２】
そこで、本実施の形態では、画素間絶縁膜１４に、第１電極１２に対向する開口Ｓ１を設ける一方、補助電極１３に対向して、逆テーパ部１４Ｂを有する開口Ｓ２を設けている。これにより、有機層１５を、全面蒸着した場合であっても、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２内の逆テーパ部１４Ｂに対向する領域において、補助電極１３の表面を有機層１５から露出させておくことができる。この有機層１５上の全域に第２電極１６をスパッタ形成することにより、第２電極１６を、開口Ｓ２内部まで逆テーパ部１４Ｂを回り込むように成膜することができ、補助電極１３の露出部分まで延在形成される。従って、上記比較例１のような蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいは比較例２のようなレーザー照射工程を経ることなく、開口Ｓ２の一部において、第２電極１６と補助電極１３との電気的接続が確保される。
【００６３】
ここで、図１２に、上記のような有機ＥＬ表示装置１において、ＩＺＯよりなる第２電極１６の膜厚を変化させた場合の電流電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）についての実験結果を示す。尚、比較例として、塗り分けマスクを使用して発光画素のみ有機膜を成膜した（補助電極部分は有機膜により被覆されないようにした）ものを作成し（ＩＺＯ膜厚：４０ｎｍ）、同様にＩ−Ｖ特性について測定した。これをこの結果から、第２電極１６の膜厚が大きくなるほど、補助電極との良好なコンタクト性能が得られ、例えばＩＺＯ３０ｎｍ以上では、比較例と同等に電圧降下が抑制されていることがわかる。
【００６４】
また、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２に、順テーパ部１４Ａが設けられていることにより、この順テーパ部１４Ａ上の領域では、有機層１５および第２電極１６が、順テーパ部１４Ａの形状に倣って連続的に（分断されることなく）形成される。また、これらの有機層１５および第２電極１６が、順テーパ部１４Ａに対向する領域から開口Ｓ１に対向する領域まで、画素間絶縁膜１４の表面形状に倣って連続的に形成される。これにより、第２電極１６のうち開口Ｓ１上の部分（発光領域直上の電極部分）にまで補助電極１３から電位供給を行うことができる。従って、基板面内の電圧降下をより効果的に抑制することができる。
【００６５】
以上のように本実施の形態では、画素間絶縁膜１４に、第１電極１２に対向する開口Ｓ１、補助電極１３に対向する開口Ｓ２をそれぞれ設け、開口Ｓ２には、順テーパ部１４Ａおよび逆テーパ部１４Ｂ形成する。これにより、有機層１５を、全面蒸着した場合であっても、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２の一部において、補助電極１３の表面を有機層１５から露出させておくことができる。従って、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、開口Ｓ２において、第２電極１６と補助電極１３とを電気的に接続することができる。
【００６６】
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜３）について説明する。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００６７】
＜変形例１＞
図１３は、変形例１に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置２）の断面構成を表したものである。有機ＥＬ表示装置２は、上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置１と同様、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板１０上に、複数の有機ＥＬ素子１Ａが例えばマトリクス状に配置されたものである。また、有機ＥＬ素子１Ａの第１電極１２と電気的に絶縁され、かつ第２電極１６と電気的に接続された、補助電極２１を備えている。そして、画素間絶縁膜１４がその補助電極２１に対向して開口Ｓ３を有しており、開口Ｓ３には、順テーパ部１４Ａと逆テーパ部１４Ｂとが設けられている。
【００６８】
但し、本変形例では、上記実施の形態と異なり、補助電極２１が、第１電極１２と異なる層（第１電極１２よりも下層）に設けられている。具体的には、補助電極２１は、駆動基板１０における層間絶縁膜１１３上（ソース・ドレイン電極１１４と同層）に設けられている。また、この補助電極２１上には平坦化膜１１５が形成されるが、この平坦化膜１１５には、補助電極２１に対向して開口Ｈ３が設けられている。画素間絶縁膜１４は、そのような平坦化膜１１５の開口Ｈ３を埋め込むように形成されている。
【００６９】
本変形例のように、補助電極２１は、第１電極１２よりも下層、例えば駆動基板１０におけるＴＦＴ１１のソース・ドレイン電極１１４と同層に形成されていてもよい。このような場合であっても、例えばソース・ドレイン電極１１４の形成工程において、補助電極２１を同時にパターニング形成し、平坦化膜１１５の補助電極２１に対向する領域を開口すれば、上記実施の形態と同様にして、開口Ｓ１，Ｓ３を有する画素間絶縁膜１４を形成することができる。この画素間絶縁膜１４上に、有機層１５および第２電極１６を形成することにより、上記実施の形態と同様、開口Ｓ３内の逆テーパ部１４Ｂに対向する領域において、第２電極１６と補助電極２１との電気的接続を確保できる。よって、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００７０】
尚、補助電極２１は、ソース・ドレイン電極１１４と別工程において、ソース・ドレイン電極１１４と異なる積層構造または電極材料により形成するようにしてもよい。また、補助電極２１を設ける層は、このソース・ドレイン電極１１４と同層に限らず、他の層、例えばゲート電極１１０と同層であってもよい。
【００７１】
＜変形例２＞
図１４〜図１６は、変形例２に係る画素間絶縁膜の形成方法の断面構成を表したものである。画素間絶縁膜１４において補助電極に対向する開口を形成する手法（逆テーパ形成手法）としては、上記実施の形態で説明した手法の他にも、本変形例のようなリフトオフ層を用いたものが挙げられる。
【００７２】
即ち、図１４（Ａ）に示したように、まず補助電極１３上に、リフトオフ層２２として例えばアルミニウム等からなる薄膜を例えばスパッタ法により成膜した後、このアルミニウム膜上にフォトレジスト膜１２２を塗布し、露光、現像によりパターニングする。この後、フォトレジスト膜１２２をマスクとしたエッチングにより、上記アルミニウム膜をパターニングし、補助電極１３とフォトレジスト膜１２２との間にリフトオフ層２２を形成する。
【００７３】
続いて、図１４（Ｂ）に示したように、フォトレジスト膜１２２をアッシングした後、ポストベークすることにより、側面にテーパ（順テーパ）を形成する。このようにして形成したフォトレジスト膜（逆テーパ形成用薄膜１２２ａ）を、上記実施の形態における逆テーパ形成用薄膜１２０（金属）と同様にして、逆テーパ形成用の薄膜として利用する。即ち、本変形例では、上記リフトオフ層２２のパターニングに使用したフォトレジスト膜１２２を除去せずにリフトオフ層２２上に残存させ、これを逆テーパ形成用に利用する。
【００７４】
次いで、画素間絶縁膜１４を、フォトリソグラフィ法を用いて形成する。具体的には
、まず図１５（Ａ）に示したように、上記実施の形態と同様にして、画素間絶縁膜１４
を基板全面にわたって成膜する。また、この後、図１５（Ｂ）に示したように、画素間
絶縁膜１４の選択的な領域を、上記実施の形態と同様のフォトマスク１２１を用いて露
光する。続いて、上記実施の形態と同様にして画素間絶縁膜１４を現像する。この際、
現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ水溶液を使用することにより、画素間絶縁膜１４の
現像と同時に、逆テーパ形成用薄膜１２２ａの下層にあるリフトオフ層（アルミニウム
等）をウェットエッチングにより溶かすことができる。これにより、フォトレジストよ
りなる逆テーパ形成用薄膜１２２ａを除去（リフトオフ）することができる。この後、
リンス液で洗浄し、更に加熱（ポストベーク）することにより、図１６に示したように
、上記実施の形態と同様の開口Ｓ１，Ｓ２を有する画素間絶縁膜１４を形成できる。
【００７５】
＜変形例３＞
図１７および図１８は、変形例３に係る画素間絶縁膜の形成方法の断面構成を表した
ものである。上記変形例２では、逆テーパ形成手法として、アルミニウム等の金属から
なるリフトオフ層を用いたものを例示したが、以下のようなリフトオフ層を用いると、
より工程を簡易化できる。
【００７６】
即ち、まず図１７（Ａ）に示したように、駆動基板１０上に、上記実施の形態と同様
にして補助電極１３を形成する。この後、上記実施の形態と同様にして第１電極１２を
形成するが、この際、補助電極１３上にも薄膜パターン（リフトオフ層１２Ａ）を同時
に形成する。即ち、基板全面にわたって第１電極１２としての金属膜を成膜した後、フ
ォトレジストの塗布、露光、現像によりパターニングを行い、フォトレジスト膜１２３
，１２４を形成する。この後、図１７（Ｂ）に示したように、フォトレジスト膜１２３
，１２４をマスクとしたエッチングを行うことにより、第１電極１２とリフトオフ層１
２Ａとを一括形成する。
【００７７】
続いて、図１７（Ｃ）に示したように、フォトレジスト膜１２３，１２４をアッシン
グした後、ポストベークすることにより、側面にテーパ（順テーパ）を形成する。この
ようにして形成したフォトレジスト膜（逆テーパ形成用薄膜１２４ａ）を、上記実施の
形態における逆テーパ形成用薄膜１２０（金属）と同様にして、逆テーパ形成用の薄膜
として利用する。即ち、本変形例では、上記リフトオフ層１２Ａのパターニングに使用
したフォトレジスト膜１２４を除去せずにリフトオフ層１２Ａ上に残存させ、これを逆
テーパ形成用に利用する。尚、第１電極１２上にはフォトレジスト膜１２３ａが残存す
るが、これは後の工程において除去すればよい。
【００７８】
次いで、画素間絶縁膜１４を、フォトリソグラフィ法を用いて形成する。具体的には
、まず、上記実施の形態と同様にして、画素間絶縁膜１４を基板全面にわたって成膜し
た後、図１８（Ａ）に示したように、画素間絶縁膜１４の選択的な領域を、上記実施の
形態と同様のフォトマスク１２１を用いて露光する。続いて、上記実施の形態と同様に
して画素間絶縁膜１４を現像する。この際、現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ水溶液
を使用することにより、画素間絶縁膜１４の現像と同時に、逆テーパ形成用薄膜１２４
ａの下層にあるリフトオフ層１２Ａ（ＡｌＮｄ）と補助電極１３の最表面に形成された
Ｔｉとのガルバニ腐食により溶かすことができる。これにより、フォトレジストよりな
る逆テーパ形成用薄膜１２４ａを除去（リフトオフ）することができる。続いて、駆動
基板１０上に残ったフォトレジスト（特にフォトレジスト膜１２３ａ）をアッシングに
より除去する。この後、リンス液で洗浄し、更に加熱（ポストベーク）することにより
、図１８（Ｂ）に示したように、上記実施の形態と同様の開口Ｓ１，Ｓ２を有する画素
間絶縁膜１４を形成できる。
【００７９】
［有機ＥＬ表示装置の全体構成、画素回路構成］
次に、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成および画素回路構成につ
いて説明する。図１９は、有機ＥＬディスプレイとして用いられる表示装置の周辺回路
を含む全体構成を表すものである。このように、例えば駆動基板１０上には、有機ＥＬ
素子を含む複数の画素ＰＸＬＣ（サブピクセル）がマトリクス状に配置されてなる表示
領域３０が形成され、この表示領域３０の周辺に、信号線駆動回路としての水平セレク
タ（ＨＳＥＬ）３１と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ（ＷＳＣＮ）３２と、
電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３３とが設けられている。
【００８０】
表示領域３０において、列方向には複数（整数ｎ個）の信号線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎが
配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線Ｄ
ＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬ
との交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する画素のいずれか１つ）が設けら
れている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ３１に接続され、この水平セレクタ３１から
各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトス
キャナ３２に接続され、このライトスキャナ３２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択
パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ３３に接続さ
れ、この電源スキャナ３３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給される
ようになっている。
【００８１】
図２０は、画素ＰＸＬＣにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素Ｐ
ＸＬＣは、有機ＥＬ素子３Ｄ（上記有機ＥＬ素子１Ａに相当）を含む画素回路４０を有
している。この画素回路４０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トラン
ジスタ３Ｂと、保持容量素子３Ｃと、有機ＥＬ素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動
回路である。
【００８２】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され
、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が
駆動用トランジスタ３Ｂのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、その
ドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機ＥＬ素子３Ｄのアノードに
接続されている。また、この有機ＥＬ素子３Ｄのカソードは、接地配線３Ｈに接続され
ている。なお、この接地配線３Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されてい
る。保持容量素子３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースとゲートとの間に配置され
ている。
【００８３】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パ
ルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位
をサンプリングし、保持容量素子３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂ
は、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保
持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機ＥＬ素子３Ｄへ供給す
るものである。有機ＥＬ素子３Ｄは、この駆動用トランジスタ３Ｂから供給された駆動
電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
【００８４】
このような回路構成では、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応
じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通することにより、信号線ＤＴＬから供給さ
れた映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子３Ｃに保持される。また、
上記第１電位に設定された電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂへ電流が供給され
、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機ＥＬ素子３Ｄへ供
給される。そして、各有機ＥＬ素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信
号電位に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置において、映像信号に基づく映
像表示がなされる。
【００８５】
＜適用例＞
以下、上記のような有機ＥＬ表示装置１等の電子機器への適用例について説明する。
有機ＥＬ表示装置１等は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコ
ンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電
子機器に適用することが可能である。言い換えると、有機ＥＬ表示装置１等は、外部か
ら入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表
示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００８６】
（モジュール）
上記有機ＥＬ表示装置１等は、例えば図２１に示したようなモジュールとして、後述
の適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆
動基板１０の一辺に、封止基板２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域
２１０に、水平セレクタ３１、ライトスキャナ３２および電源スキャナ３３の配線を延
長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号
の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）
２２０が設けられていてもよい。
【００８７】
（適用例１）
図２２は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、
例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３
００を有しており、この映像表示画面部３００が有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
【００８８】
（適用例２）
図２３は、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例え
ば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャ
ッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が有機ＥＬ表示装置１等に相当す
る。
【００８９】
（適用例３）
図２４は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート
型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボ
ード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が有機
ＥＬ表示装置１等に相当する。
【００９０】
（適用例４）
図２５は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、
本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０
，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。この
表示部６４０が有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
【００９１】
（適用例５）
図２６は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば上側筐
体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディ
スプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７
０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ
７５０が、有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
【００９２】
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて説明したが、本開示内容はこれらの
実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等にお
いて説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定される
ものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件
としてもよい。
【００９３】
また、上記実施の形態等では、第２電極１６の成膜手法としてスパッタ法を例示した
が、斜め蒸着（テーパ面に沿った方向からの斜方蒸着）により形成することもできる。
このようにして、逆テーパ部を有する開口Ｓ２内に第２電極１６を堆積させるようにし
てもよい。
【００９４】
更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子としてトップエミッション方式のものを
例示したが、これに限らず、下面発光方式（いわゆるボトムエミッション方式）のもの
にも適用可能である。この場合、第１電極１２を透明導電膜により形成すると共に、第
２電極１６に光反射性を有する金属膜が設けられるようにする。また、この場合、駆動
基板１０のＴＦＴ１１上に、例えばＲ，Ｇ，Ｂ，の各色のカラーフィルタが設けられて
いてもよい。具体的には、ＴＦＴ１１上に無機絶縁膜が設けられ、この無機絶縁膜上の
第１電極１２に対向する領域にカラーフィルタが形成される。
【００９５】
また、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の場合に
ついて説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置への適用も可能
である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実
施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加して
もよい。
【００９６】
尚、本開示は、以下の（１）〜（２０）に記載したような構成であってもよい。
（１）基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に設けられた第２電極とを備え、前記画素間絶縁膜の前記第２開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極が前記補助電極に電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置。
（２）前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域では、前記補助電極の一部が前記有機層から露出し、この露出した領域において前記第２電極が前記補助電極に接触している上記(1)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（３）前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域では、前記有機層が補助電極を被覆すると共に、前記有機層および前記第２電極がそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に設けられている上記(1)または(2)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（４）前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第１開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第２電極が前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に設けられている上記(1)〜(3)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（５）前記補助電極は、前記基板上の前記第１電極と同層に設けられている上記(1)〜(4)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（６）前記基板上に薄膜トランジスタを含む画素回路が設けられ、前記補助電極は、前記薄膜トランジスタにおけるゲート、ソースまたはドレインのいずれかの電極と同層に設けられている上記(1)〜(5のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（７）第１電極は、アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と銀（Ａｇ）との積層膜，または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）と銀との積層膜である上記(1)〜(6)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（８）第２電極は、酸化インジウム錫，酸化インジウム亜鉛，酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはマグネシウム（Ｍｇ）および銀の共蒸着膜よりなる上記(1)〜(7)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（９）前記補助電極は、チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫および酸化インジウム亜鉛のうちの１種以上を含む単層膜または積層膜である上記(1)〜(8)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１０）前記発光層は白色発光層である上記(1)〜(9)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１１）基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極と電気的に絶縁した補助電極を形成する工程と、前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程と、前記画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、前記有機層上に第２電極を形成する工程とを含み、前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記第２開口に、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを形成し、前記第２電極を形成する工程では、前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極を前記補助電極に電気的に接続させる有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１２）前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において、前記補助電極の一部を前記有機層から露出させ、この露出した領域において前記第２電極を前記補助電極に接触させる上記(11)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１３）前記有機層を形成する工程では、前記有機層を蒸着法により形成し、前記第２電極を形成する工程では、前記第２電極をスパッタ法または斜方蒸着法により形成する上記(11)または(12)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１４）前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域において、前記有機層および前記第２電極をそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に形成する上記(1)〜(13)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１５）前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第１開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第２電極を前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に形成する上記(1)〜(14)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１６）前記画素間絶縁膜を形成する工程の前に、前記補助電極上に、側面に順テーパを有する逆テーパ形成用薄膜を形成し、前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記逆テーパ形成用薄膜を覆って絶縁膜材料を成膜した後、前記画素間絶縁膜に前記第１開口を形成し、かつ前記逆テーパ形成用薄膜と、前記絶縁膜材料の前記逆テーパ形成用薄膜の順テーパに対向する一部を除いた部分とを選択的に除去することにより、前記第２開口を形成する上記(1)〜(15)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１７）前記逆テーパ形成用薄膜と前記補助電極との間に、前記逆テーパ形成用薄膜を除去するためのリフトオフ層を形成する上記(16)記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１８）前記リフトオフ層を形成する際に使用したフォトレジスト膜を、前記逆テーパ形成用薄膜として利用する上記(17)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１９）前記補助電極を形成した後、前記リフトオフ層と前記第１電極とを同一工程において一括形成する上記(18)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（２０）基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に設けられた第２電極とを備え、前記画素間絶縁膜の前記第２開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極が前記補助電極に電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
【符号の説明】
【００９７】
１，２…有機ＥＬ表示装置、１Ａ…有機ＥＬ素子、１０…駆動基板、１１…ＴＦＴ、１２…第１電極、１３，２１…補助電極、１４…画素間絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極、１７…保護層、２０…封止基板、Ｓ１〜Ｓ３…開口、１４Ａ…順テーパ部、１４Ｂ…逆テーパ部、１２０，１２２ａ，１２４ａ…逆テーパ形成用薄膜、２２，１２Ａ…リフトオフ層。
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して画像表示を行う有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイ（Display）の大型化が進み、低消費電力化が求められている。例えば、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置においても同様の要求があり、低消費電力化のためには、上部電極（カソード電極）に起因する電圧降下を防ぐことが重要である。このような電圧降下を防ぐ手法としては、例えば、いわゆる補助配線（補助電極）を利用した様々な手法が提案されている（例えば、特許文献１〜４）。これらの手法では、駆動基板上に下部電極（アノード電極）、有機層（発光層を含む）および上部電極がこの順に設けられた素子構造において、上記補助電極が、下部電極と電気的に絶縁される一方、上部電極とは電気的に接続された状態で、駆動基板上に配設されている。このような素子構造では、補助電極を駆動基板側に形成することが多いため、補助電極を有機層から露出させ、上部電極と接触させる必要がある。
【０００３】
例えば、特許文献１では、補助電極表面に有機層が付着しないように、下部電極上の選択的な領域にのみ有機層を成膜した後、上部電極を基板全面にわたって成膜することにより、補助電極と上部電極とを接触させている。
【０００４】
また、下部電極上に設けられ、発光領域を区画する絶縁膜（画素間絶縁膜）を有する構造において、この画素間絶縁膜に補助電極へ通じるスルーホールを設け、このスルーホールを用いて補助電極と上部電極とを接続する手法（特許文献２）もある。あるいは、画素間絶縁膜は下部電極に対向して、発光領域を区画するための開口を有するが、この開口部分にのみ有機層を選択的に設け、補助電極については画素間絶縁膜上（開口以外の壁部分）に設ける手法もある（特許文献３）。
【０００５】
更に、下部電極および補助電極が配設された駆動基板の全面にわたって、有機層を形成した後に、補助電極に対向する部分のみをレーザー照射によって選択的に除去して補助電極表面を露出させる手法（特許文献４）もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−０１１８１０号公報
【特許文献２】特開２００５−３２７６７４号公報
【特許文献３】特開２００６−０５９７９６号公報
【特許文献４】特開２００７−０５２９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記特許文献１〜３の手法ではいずれも、有機層を形成する際に、マスク蒸着法または塗布法により有機層を領域毎に塗り分ける必要がある。マスク蒸着法では、マスクとの位置合わせ精度や歩留まりが悪くなり易く、塗布法では高精細化に対応しにくい。一方、特許文献４の手法では、レーザー照射工程を経るために、製造コストが高くなってしまう。このため、そのような塗り分け工程やレーザー照射工程等を経ることなく、簡易な製造プロセスで補助電極を形成し、低消費電力化を実現することが望まれている。
【０００８】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡易な製造プロセスで低消費電力化を実現することが可能な有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の有機ＥＬ表示装置は、基板上に設けられた第１電極と、第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、第１電極に対向して第１開口、補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２電極とを備えている。画素間絶縁膜の第２開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ第２開口の逆テーパ部に対向する領域において第２電極が補助電極に電気的に接続されている。
【００１０】
本開示の有機ＥＬ表示装置では、画素間絶縁膜が第１電極に対向して第１開口、補助電極に対向して第２開口を有し、画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層および第２電極が設けられている。画素間絶縁膜の第２開口が、所定の順テーパ部と逆テーパ部とをそれぞれ有することにより、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、第２開口の逆テーパ部に対向する領域において、第２電極と補助電極との電気的接続が確保される。
【００１１】
本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に第１電極を形成する工程と、第１電極と電気的に絶縁した補助電極を形成する工程と、第１電極に対向して第１開口、補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程と、画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、有機層上に第２電極を形成する工程とを含む。画素間絶縁膜を形成する工程では、第２開口に、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを形成し、第２電極を形成する工程では、第２開口の逆テーパ部に対向する領域において第２電極を補助電極に電気的に接続させる。
【００１２】
本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法では、画素間絶縁膜に、第１電極に対向する第１開口、補助電極に対向する第２開口を形成し、第２開口には、所定の順テーパ部と逆テーパ部とを形成する。このような画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層および第２電極を形成することにより、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、第２開口の逆テーパ部に対向する領域において、第２電極と補助電極との電気的接続が確保される。
【００１３】
本開示の電子機器は、上記本開示の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。
【００１４】
尚、本開示および以下の実施の形態において、「順テーパ部」および「逆テーパ部」とは、基板面（基板の表面または裏面）と非平行な面であり、かつ直交しない面（傾斜面）を有する部分である。また、「順テーパ部」および「逆テーパ部」の基板面とのなす角は、第２開口内において基板面と各傾斜面とがなす角である。即ち、「順テーパ部」では、第２開口内において基板面とのなす角が９０°より大きく１８０°未満のいわゆる鈍角であり、「逆テーパ部」では、第２開口内において基板面とのなす角が０°より大きく９０°未満のいわゆる鋭角となっている。
【発明の効果】
【００１５】
本開示の有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法および電子機器によれば、画素間絶縁膜に、第１電極に対向する第１開口、補助電極に対向する第２開口をそれぞれ設け、第２開口には、所定の順テーパ部と逆テーパ部とを設ける。これにより、発光層を含む有機層を、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく所望の領域に形成しつつ、第２電極と補助電極との電気的接続を確保できる。これによって、第２電極に起因する電圧降下を抑制できる。従って、簡易な製造プロセスで補助電極を形成することができ、低消費電力化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本開示の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表す図である。
【図２】図１に示した第１電極および補助電極の平面レイアウト例を表す模式図である。
【図３】図１に示した第１電極および補助電極付近の拡大図である。
【図４】図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】図４の一部構造に対応する断面図である。
【図６】図４に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１０】比較例１に係る有機ＥＬ表示装置の一部領域に対応する断面図である。
【図１１】比較例２に係る有機ＥＬ表示装置の一部領域に対応する断面図である。
【図１２】第２電極の膜厚を変化させた場合の電流電圧特性にを表す特性図である。
【図１３】変形例１に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表す図である。
【図１４】変形例２に係る製造方法を説明するための要部断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を表す要部断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を表す要部断面図である。
【図１７】変形例３に係る製造方法を説明するための要部断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を表す要部断面図である。
【図１９】実施の形態等に係る表示装置の周辺回路を含む全体構成を表す図である。
【図２０】図１９に示した画素の回路構成を表す図である。
【図２１】図１９に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２２】実施の形態等の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２３】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２４】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２５】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２６】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（駆動基板上の補助電極に対向して逆テーパをもつ絶縁膜開口を設けた例）
２．変形例１（ＴＦＴの電極と同層に補助電極を設けた例）
３．変形例２（逆テーパ形成手法の他の例）
４．変形例３（逆テーパ形成手法の他の例）
５．適用例（電子機器への適用例）
【００１８】
＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えばいわゆるトップエミッション方式（上面発光方式）により発光を生じるものであり、例えば、駆動基板１０上の所定の領域（後述の表示領域１１０）に、複数の有機ＥＬ素子１Ａが例えばマトリクス状に配置されたものである。各有機ＥＬ素子１Ａは、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３つのサブピクセルのいずれかを構成しており、これらの３つのサブピクセルが１つのピクセルとして機能するようになっている。
【００１９】
（駆動基板１０）
駆動基板１０は、例えば、石英、ガラス、金属箔、シリコンまたはプラスチック等からなる基板１０ａ上に、ＴＦＴ１１を含む駆動回路（後述の画素回路４０等）が配設されたものである。
【００２０】
ＴＦＴ１１は、例えば後述の画素回路４０におけるサンプリング用トランジスタ３Ａまたは書き込み用トランジスタ３Ｂに相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。ここでは、一例としてボトムゲート型の薄膜トランジスタを例に挙げる。ＴＦＴ１１は、例えば、基板１０ａ上の選択的な領域にゲート電極１１０を有し、このゲート電極１１０と基板１０ａとを覆うように基板１０ａの全面にわたってゲート絶縁膜１１１が設けられている。ゲート絶縁膜１１１上には、半導体層１１２が形成されている。この半導体層１１２は、チャネルを形成する活性層として機能するものであり、例えば非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコンまたは酸化物半導体等により構成されている。この半導体層１１２上には、貫通孔（コンタクトホールＨ）を有する層間絶縁膜１１３が形成されており、層間絶縁膜１１３上には、そのコンタクトホールＨを埋め込むように、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極１１４が配設されている。このＴＦＴ１１は、駆動基板１０において、平坦化膜１１５により被覆されている。
【００２１】
平坦化膜１１５は、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜よりなる。あるいは、無機絶縁膜、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx），窒化シリコン（ＳｉＮx）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等のうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜より構成されていてもよい。平坦化膜１１５は、コンタクトホールＨ２を有し、このコンタクトホールＨ２を通じてＴＦＴ１１（ソース・ドレイン電極１１４）と、後述の第１電極１２とが電気的に接続されている。
【００２２】
（有機ＥＬ素子１Ａ）
有機ＥＬ素子１Ａは、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板１０の平坦化膜１１５上に、例えば第１電極１２、有機層１５および第２電極１６を備えている。
【００２３】
第１電極１２は、例えば有機ＥＬ素子１Ａ毎に設けられ、例えばアノードとして機能するものである。この第１電極１２は、ここでは（トップエミッション方式の場合には）、光反射性を有する金属膜、またはそのような金属膜と透明導電膜との積層膜により構成される。例えば、第１電極１２は、アルミニウム（Ａｌ）とネオジウム（Ｎｄ）との合金（ＡｌＮｄ合金）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と銀（Ａｇ）との積層膜、または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）と銀との積層膜により構成されている。但し、第１電極１２の最表面には、後述の製造プロセスにおいて所定のエッチング耐性を有する材料、例えばＡｌＮｄ合金が設けられていることが望ましい。この第１電極１２は、第２電極１６および後述の補助電極１３と電気的に絶縁して設けられている。
【００２４】
有機層１５は、例えば白色光を発する有機電界発光層（以下、白色発光層という）含むものであり、第１電極１２および第２電極１６を通じて電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じて、白色光を発生するようになっている。
【００２５】
白色発光層は、詳細には、例えば、赤色光を発する赤色発光層、緑色光を発する緑色発光層および青色光を発する青色発光層を積層した構造（タンデム構造）を有している。赤色発光層は、例えば赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。
【００２６】
この有機層１５は、上記のような発光層の他にも、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを含んでいてもよい。具体的には、第１電極１２が陽極として機能する場合には、第１電極１２側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、白色発光層および電子輸送層を積層した構造であってもよい。また、このような積層構造を有する有機層１５は、駆動基板１０上の全ての有機ＥＬ素子１Ａに共通して形成されていてもよいが、一部の層が有機ＥＬ素子１Ａ毎に設けられ、その他の層が全有機ＥＬ素子１Ａに共通して設けられていてもよい。また、有機層１５と第２電極１６との間には、更に、例えばＬｉＦよりなる電子注入層が設けられていてもよい。
【００２７】
尚、ここでは、白色発光層として、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を積層したものを例示したが、白色発光層の構成はこれに限定されず、混色により白色光を生成可能な構造であればよい。例えば、青色発光層と黄色発光層とを積層した構造、または青色発光層と橙色発光層とを積層した構造であってもよい。
【００２８】
本実施の形態では、この有機層１５が駆動基板１０の全域にわたって形成されており、この有機層１５上の全域にわたって第２電極が形成されている。
【００２９】
第２電極１６は、例えば駆動基板１０上の全ての有機ＥＬ素子１Ａに共通して設けられ、例えばカソードとして機能するものである。この第２電極１６は、例えば酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）および銀の共蒸着膜（ＭｇＡｇ共蒸着膜）により構成されている。この第２電極１６は、後述の画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２内において補助電極１３と電気的に接続されている。
【００３０】
この第２電極１６上には、保護層１７が設けられている。保護層１７は、例えば厚みが２〜５μｍであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。保護層１７上には、図示しない接着層により封止基板２０が貼り合わせられている。
【００３１】
封止基板２０は、保護層１７と共に、各有機ＥＬ素子１Ａを封止するものであり、例えばＲ，Ｇ，Ｂの各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。この封止基板２０には、図示しないカラーフィルタが設けられていてもよい。カラーフィルタは、例えば赤色，緑色または青色のフィルタを有し、例えば顔料や染料を混入した樹脂より構成されている。このようなカラーフィルタを設けることにより、各有機ＥＬ素子１Ａで発生した光（ここでは白色光）をＲ，Ｇ，Ｂの色光に変換して取り出すことができる。
【００３２】
また、図示しないブラックマトリクス（遮光膜）が設けられていてもよく、これにより、有機ＥＬ素子１Ａ間（サブピクセル間）および配線等において反射された外光を吸収し、コントラストを改善することができる。遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。
【００３３】
（補助電極１３）
上記のような有機ＥＬ素子１Ａを用いて映像表示を行う有機ＥＬ表示装置１では、第２電極１６が、各有機ＥＬ素子１Ａに共通の電極であるために、駆動基板１０上の広い領域にわたって形成される。このため、第２電極１６の形状に起因して電圧降下が生じるが、有機ＥＬ表示装置１は、そのような電圧降下を抑制するために、補助電極１３を備えている。補助電極１３は、駆動基板１０側において、有機ＥＬ素子１Ａにおける第１電極１２と電気的に絶縁される一方、第２電極１６と電気的に接続された状態で配設されている。本実施の形態では、補助電極１３は、駆動基板１０上（詳細には平坦化膜１１５上）の第１電極１２と同層に設けられている。
【００３４】
図２は、この補助電極１３と第１電極１２との平面レイアウト（基板面に平行なＸＹ平面レイアウト）について模式的に示したものである。尚、図１の断面構造は、この図２におけるＩ−Ｉ線に沿った断面の積層構造に対応している。このように、駆動基板１０上には、複数の第１電極１２が、例えばマトリクス状に配置されている。補助電極１３は、例えば各第１電極１２を離隔しつつ囲むように設けられ、全体の形状が例えば格子形状となっている。この補助電極１３の一部、例えば格子形状における交差部が、第２電極１６との接触部分（コンタクト部１３Ａ）となっている。
【００３５】
コンタクト部１３Ａは、後述の画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２に対向して（詳細には、開口Ｓ２の逆テーパ部１４Ｂに対向して）形成されるものであり、図２に示したように、補助電極１３において点在する複数の選択的な領域に対応している。例えば、コンタクト部１３Ａは、格子状における全交差部のうちの選択的な交差部にのみ設けられていてもよいし、または全交差部に設けられていてもよい。また、交差部以外の領域に配置されていてもよい。
【００３６】
但し、補助電極１３のレイアウトはこれに限定されず、表示領域において、第１電極１２と電気的に絶縁されて設けられていればよい。また、格子形状以外の形状であってもよく、例えば、Ｘ方向またはＹ方向の１方向に沿ってのみ延在するストライプ形状であってもよい。また、コンタクト部１３Ａは上記のように点在して形成されてもよいし、例えばＸ方向またはＹ方向の１方向に沿って延在するストライプ状に形成されていてもよい。あるいは、コンタクト部１３Ａは、補助電極１３の全域にわたって形成されていてもよい。
【００３７】
このような補助電極１３は、例えば、チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫および酸化インジウム亜鉛のうちの１種以上を含む単層膜または積層膜により構成されている。但し、補助電極１３の最表面には、後述の製造プロセスにおいて所定のエッチング耐性を有する材料、例えばチタンまたはＡｌＮｄ合金が設けられていることが望ましい。また、第２電極１６とのオーミック接触を確保するため、最表面にはチタンが設けられていることが、より望ましい。
【００３８】
（画素間絶縁膜１４）
上記第１電極１２および補助電極１３が配設された駆動基板１０上には、基板全面にわたって画素間絶縁膜１４が形成されている。画素間絶縁膜１４は、各有機ＥＬ素子１Ａを電気的に分離する（画素開口を区画する）機能を有するものであり、例えばポリイミド，アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜により構成され、感光性を有することが望ましい。本実施の形態では、この画素間絶縁膜１４が複数の開口Ｓ１，Ｓ２を有している。
【００３９】
開口Ｓ１（第１開口）は、有機ＥＬ素子１Ａ毎に設けられ、第１電極１２に対向して形成されている。この開口Ｓ１によって各有機ＥＬ素子１Ａが電気的に分離される。
【００４０】
開口Ｓ２（第２開口）は、補助電極１３の少なくとも一部に対向して設けられている。この開口Ｓ２は、順テーパ部１４Ａおよび逆テーパ部１４Ｂを有している。図３に、開口Ｓ２付近の拡大図を示す。これらの順テーパ部１４Ａおよび逆テーパ部１４Ｂは、開口Ｓ２の内壁（内側の側面）の一部に相当するものであり、基板面と非平行かつ直交しない傾斜面を有している。具体的には、順テーパ部１４Ａは、基板面とのなす角αが９０°より大きく１８０°未満の鈍角であり、逆テーパ部１４Ｂでは、基板面とのなす角βが０°より大きく９０°未満の鋭角である。
【００４１】
本実施の形態では、上述のように、基板全面にわたって有機層１５（または有機層１５の一部）と第２電極１６とが積層されるが、開口Ｓ２内の逆テーパ部１４Ｂの上端ｅ１付近において有機層１５が途切れ（分断され）ており、補助電極１３の表面が露出している。第２電極１６は、そのような有機層１５の分断面を被覆すると共に、開口Ｓ２内の逆テーパ部１４Ｂに対向する領域（逆テーパ部１４Ｂと基板面との間の空隙）まで延在形成され、補助電極１３と接触している。補助電極１３の逆テーパ部１４Ｂに対向する領域の一部または全部（第２電極１６と接触した部分）が、上記コンタクト部１３Ａに対応している。
【００４２】
一方、この開口Ｓ２の順テーパ部１４Ａに対向する領域では、有機層１５および第２電極１６が、順テーパ部１４Ａの形状に倣って連続的に（分断されることなく）形成されている。また、これらの有機層１５および第２電極１６が、順テーパ部１４Ａに対向する領域から開口Ｓ１に対向する領域まで、画素間絶縁膜１４の表面形状に倣って連続的に形成されている。
【００４３】
［製造方法］
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。即ち、まず、駆動基板１０を用意する。具体的には、上述した材料よりなる基板１０ａ上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴ１１を含む駆動回路を形成した後、基板１０ａの全面にわたって平坦化膜１１５を、例えばスピンコート法，スリットコート法により成膜する。続いて、成膜した平坦化膜１１５を、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングすると共に、この平坦化膜１１５にコンタクトホールＨ２を形成する。
【００４４】
（第１電極，補助電極の形成工程）
次いで、図４に示したように、駆動基板１０上に、上述した材料よりなる第１電極１２および補助電極１３を同一または異なるパターニング工程により形成する。例えば、まず、第１電極１２としてＡｌＮｄ合金を例えばスパッタ法により基板全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。この際、第１電極１２の一部を平坦化膜１１５のコンタクトホールＨ２に埋め込み、第１電極１２とＴＦＴ１１とを電気的に接続する。この後、補助電極１３としてアルミニウムおよびチタンをこの順にそれぞれスパッタ法により基板全面にわたって堆積させた後、形成した積層膜（Ｔｉ／Ａｌ）をフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。
【００４５】
尚、上記順序とは逆に、補助電極１３を形成した後に、第１電極１２を形成してもよい。第１電極１２および補助電極１３の成膜順序は、各電極材料に応じて適宜設定される。また、第１電極１２と補助電極１３との積層構造および材料が同一の場合には、これらの第１電極１２および補助電極１３を同一工程において一括してパターニングしてもよい。
【００４６】
次に、上記のようにして第１電極１２および補助電極１３を形成した駆動基板１０上に、上記画素間絶縁膜１４、有機層１５および第２電極をこの順に形成する。尚、図５は、図４における第１電極１２および補助電極１３付近の一部の領域Ｄを拡大したものである。以下の工程では、装置全体の断面構造のうちの領域Ｄに相当する部分を示して説明する。
【００４７】
まず、図６に示したように、画素間絶縁膜１４を形成する前に、補助電極１３上に逆テーパ形成用薄膜１２０を形成する。この際、本実施の形態では、例えばアルミニウム等の金属よりなる逆テーパ形成用薄膜１２０を例えばスパッタ法により基板全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたウェットエッチングによりパターニングする。このようにして、側面に順テーパ１２０Ａ１，１２０Ａ２を有する（台形の断面形状を有する）逆テーパ形成用薄膜１２０を補助電極１３上に選択的に形成する。
【００４８】
（画素間絶縁膜形成工程）
続いて、画素間絶縁膜１４を、フォトリソグラフィ法を用いて形成する。具体的には、まず図７に示したように、上述した材料よりなる画素間絶縁膜１４を、例えばスピンコート法，スリットコート法により基板全面にわたって成膜する。この際、画素間絶縁膜１４としては、感光性を有する樹脂材料を用いる。
【００４９】
次いで、図８（Ａ）に示したように、画素間絶縁膜１４の選択的な領域を、所定のフォトマスク１２１を用いて露光する。この際、フォトマスク１２１としては、第１電極１２に対向する領域に開口１２１ａ、補助電極１６の一部に対向する領域に開口１２１ｂを有するものを用いる。これらの開口１２１ａ，１２１ｂのうち、開口１２１ｂは、詳細には、逆テーパ形成用薄膜１２０における順テーパ１２０Ａ１，１２０Ａ２のうちの一方（例えば順テーパ１２０Ａ１）に対向すると共に、他方（例えば順テーパ１２０Ａ２）に非対向となっている。
【００５０】
続いて、露光した画素間絶縁膜１４を現像する。この際、現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ（Tetra-methyl-ammonium-hydroxyde）水溶液を使用する。ＴＭＡＨを用いることにより、画素間絶縁膜１４の現像と同時に、金属（アルミニウム等）によりなる逆テーパ形成用薄膜１２０をウェットエッチングにより除去（リフトオフ）することができる。この際、第１電極１２にＡｌＮｄ合金が用いられていれば、例えばアルミニウム単層で構成する場合に比べてＴＭＡＨに対して耐性を有することから、第１電極１２を電極として残すことができる。
【００５１】
この後、リンス液で洗浄し、更に加熱（ポストベーク）することにより、図８（Ｂ）に示したように、画素間絶縁膜１４では、第１電極１２に対向する領域に、開口Ｓ１が形成される。また、この一方で、補助電極１３に対向する領域には、上述したような順テーパ部１４Ａおよび逆テーパ部１４Ｂを有する開口Ｓ２が形成される。
【００５２】
（有機層形成工程）
次いで、図９（Ａ）に示したように、基板全面にわたって、上述した積層構造および材料等よりなる有機層１５を形成する。この際、有機層１５を、例えば真空蒸着法により成膜する。例えば、白色発光層としてＲ，Ｇ，Ｂの各色の発光層を積層させる場合には、各色の発光材料をそれぞれ真空蒸着法により、例えば基板全面に渡って順に堆積させる。
【００５３】
これにより、画素間絶縁膜１４の全域にわたって有機層１５が成膜されるが、本実施の形態では、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２が逆テーパ部１４Ｂを有しているため、この逆テーパ部１４Ｂのエッジ（図３の上端ｅ１）付近において、有機層１５が分断されて成膜される。これは、有機層１５をカバレッジの低い蒸着法により成膜することから、開口Ｓ２内の逆テーパ部１４Ｂに対向する領域までは有機材料が回り込まないためである。これによって、開口Ｓ２内において補助電極１３の表面の一部が有機層１５から露出する。
【００５４】
（第２電極形成工程）
この後、図９（Ｂ）に示したように、基板全面にわたって、上述した材料よりなる第２電極１６を例えばスパッタ法により成膜する。これにより、上記有機層１５と同様、画素間絶縁膜１４の全域にわたって第２電極１６が形成される。但し、この第２電極１６については、カバレッジのよいスパッタ法を用いて成膜することから、有機層１５の分断面を被覆すると共に、電極材料が、逆テーパ部１４Ｂと基板面との間の空隙部分まで回り込んで堆積し、補助電極１３の露出部分と接触する。このようにして、補助電極１３の一部（逆テーパ部１４Ｂに対向する領域の一部または全部）と第２電極１６との電気的接続が確保される。この際、補助電極１３の最表面をチタンにより形成しておくことにより、第２電極１６とのオーミック接触を確保し易くなる。
【００５５】
次いで、図示はしないが、形成した第２電極１６上の全面を覆って、上述した材料よりなる上述した材料よりなる保護層１７を形成した後、接着層を用いて駆動基板１０と封止基板２０とを貼り合わせる。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１を完成する。
【００５６】
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、各サブピクセル（有機ＥＬ素子１Ａ）に対し、映像信号に基づく駆動電流が第１電極１２および第２電極１６を通じて供給されると、各有機ＥＬ素子１Ａでは、有機層１５（白色発光層）において、正孔と電子との再結合により発光が起こる。このようにして生じた白色光のうち、第１電極１２側（下方）へ放たれた光は、第１電極１２等によって反射された後、封止基板２０の上方より出射する。一方、第２電極１６側（上方）へ放たれた光は、そのまま第２電極１６を透過した後、封止基板２０の上方より出射する。封止基板２０を出射する際には、図示しないカラーフィルタを透過することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの色光が表示光として取り出される。このようにして、トップエミッション方式によるフルカラーの映像表示がなされる。
【００５７】
ここで、有機ＥＬ表示装置１では、上述したように、第２電極１６の形状に起因して電圧降下を生じることがあるが、このような電圧降下を抑制するために補助電極１３が設けられている。具体的には駆動基板１０上の第１電極１２と同層に、かつ第１電極１２と電気的に絶縁された状態で設けられている。
【００５８】
（比較例）
このような補助電極１３は、第２電極１６と電気的に接続させる必要があるが、次のような理由から改善が望まれている。図１０（Ａ）〜（Ｃ）に、比較例１に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の一部（画素間絶縁膜形成後から第２電極形成までの工程）を模式的に示す。この比較例１では、例えば図１０（Ａ）に示したように、画素間絶縁膜１０３を形成する際に、駆動基板１００上の第１電極１０１に対向して開口１０３Ａ、補助電極１０２に対向して開口１０３Ｂをそれぞれ設ける。これらの開口１０３Ａ，１０３Ｂはいすれも通常の順テーパを有するものである。
【００５９】
続いて、図１０（Ｂ）に示したように、画素間絶縁膜１０３の開口１０３Ａに対応する選択的な領域にのみ発光層を含む有機層１０４を、蒸着マスク法または塗布法により形成する（補助電極１０２の表面は露出させておく）。この後、図１０（Ｃ）に示したように、第２電極１０５を基板全面にわたって形成することにより、第２電極１０５と補助電極１０２とを接触させ電気的接続を確保する。
【００６０】
また、図１１（Ａ）〜（Ｃ）には、比較例２に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の一部（画素間絶縁膜形成後から第２電極形成までの工程）を模式的に示す。この比較例２では、例えば図１１（Ａ）に示したように、上記比較例１と同様の画素間絶縁膜１０３上の全域に有機層１０４を形成した後、補助電極１０２に対向する領域にのみレーザー光を照射する。これにより、図１１（Ｂ）に示したように、補助電極１０２上に堆積されていた有機層１０４が選択的に除去される。この後、図１１（Ｃ）に示したように、第２電極１０５を基板全面にわたって形成することにより、第２電極１０５と補助電極１０２とを接触させ電気的接続を確保する。
【００６１】
上記比較例１，２のうち、比較例１の手法では、有機層１０４を塗り分けマスクを用いた蒸着法（マスク蒸着法）または塗布法によりパターニングする必要がある。この際、マスク蒸着法では、マスクとの位置合わせ精度や歩留まりが悪くなり易く、塗布法では高精細化に対応しにくい。一方、比較例２の手法では、有機層１５を選択的に除去するためにレーザー照射工程を経るために、製造コストが高くなってしまう。このため、そのような塗り分け工程やレーザー照射工程等を経ることなく、簡易な製造プロセスで補助電極を形成することが望まれている。
【００６２】
そこで、本実施の形態では、画素間絶縁膜１４に、第１電極１２に対向する開口Ｓ１を設ける一方、補助電極１３に対向して、逆テーパ部１４Ｂを有する開口Ｓ２を設けている。これにより、有機層１５を、全面蒸着した場合であっても、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２内の逆テーパ部１４Ｂに対向する領域において、補助電極１３の表面を有機層１５から露出させておくことができる。この有機層１５上の全域に第２電極１６をスパッタ形成することにより、第２電極１６を、開口Ｓ２内部まで逆テーパ部１４Ｂを回り込むように成膜することができ、補助電極１３の露出部分まで延在形成される。従って、上記比較例１のような蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいは比較例２のようなレーザー照射工程を経ることなく、開口Ｓ２の一部において、第２電極１６と補助電極１３との電気的接続が確保される。
【００６３】
ここで、図１２に、上記のような有機ＥＬ表示装置１において、ＩＺＯよりなる第２電極１６の膜厚を変化させた場合の電流電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）についての実験結果を示す。尚、比較例として、塗り分けマスクを使用して発光画素のみ有機膜を成膜した（補助電極部分は有機膜により被覆されないようにした）ものを作成し（ＩＺＯ膜厚：４０ｎｍ）、同様にＩ−Ｖ特性について測定した。これをこの結果から、第２電極１６の膜厚が大きくなるほど、補助電極との良好なコンタクト性能が得られ、例えばＩＺＯ３０ｎｍ以上では、比較例と同等に電圧降下が抑制されていることがわかる。
【００６４】
また、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２に、順テーパ部１４Ａが設けられていることにより、この順テーパ部１４Ａ上の領域では、有機層１５および第２電極１６が、順テーパ部１４Ａの形状に倣って連続的に（分断されることなく）形成される。また、これらの有機層１５および第２電極１６が、順テーパ部１４Ａに対向する領域から開口Ｓ１に対向する領域まで、画素間絶縁膜１４の表面形状に倣って連続的に形成される。これにより、第２電極１６のうち開口Ｓ１上の部分（発光領域直上の電極部分）にまで補助電極１３から電位供給を行うことができる。従って、基板面内の電圧降下をより効果的に抑制することができる。
【００６５】
以上のように本実施の形態では、画素間絶縁膜１４に、第１電極１２に対向する開口Ｓ１、補助電極１３に対向する開口Ｓ２をそれぞれ設け、開口Ｓ２には、順テーパ部１４Ａおよび逆テーパ部１４Ｂ形成する。これにより、有機層１５を、全面蒸着した場合であっても、画素間絶縁膜１４の開口Ｓ２の一部において、補助電極１３の表面を有機層１５から露出させておくことができる。従って、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、開口Ｓ２において、第２電極１６と補助電極１３とを電気的に接続することができる。
【００６６】
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜３）について説明する。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００６７】
＜変形例１＞
図１３は、変形例１に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置２）の断面構成を表したものである。有機ＥＬ表示装置２は、上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置１と同様、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板１０上に、複数の有機ＥＬ素子１Ａが例えばマトリクス状に配置されたものである。また、有機ＥＬ素子１Ａの第１電極１２と電気的に絶縁され、かつ第２電極１６と電気的に接続された、補助電極２１を備えている。そして、画素間絶縁膜１４がその補助電極２１に対向して開口Ｓ３を有しており、開口Ｓ３には、順テーパ部１４Ａと逆テーパ部１４Ｂとが設けられている。
【００６８】
但し、本変形例では、上記実施の形態と異なり、補助電極２１が、第１電極１２と異なる層（第１電極１２よりも下層）に設けられている。具体的には、補助電極２１は、駆動基板１０における層間絶縁膜１１３上（ソース・ドレイン電極１１４と同層）に設けられている。また、この補助電極２１上には平坦化膜１１５が形成されるが、この平坦化膜１１５には、補助電極２１に対向して開口Ｈ３が設けられている。画素間絶縁膜１４は、そのような平坦化膜１１５の開口Ｈ３を埋め込むように形成されている。
【００６９】
本変形例のように、補助電極２１は、第１電極１２よりも下層、例えば駆動基板１０におけるＴＦＴ１１のソース・ドレイン電極１１４と同層に形成されていてもよい。このような場合であっても、例えばソース・ドレイン電極１１４の形成工程において、補助電極２１を同時にパターニング形成し、平坦化膜１１５の補助電極２１に対向する領域を開口すれば、上記実施の形態と同様にして、開口Ｓ１，Ｓ３を有する画素間絶縁膜１４を形成することができる。この画素間絶縁膜１４上に、有機層１５および第２電極１６を形成することにより、上記実施の形態と同様、開口Ｓ３内の逆テーパ部１４Ｂに対向する領域において、第２電極１６と補助電極２１との電気的接続を確保できる。よって、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００７０】
尚、補助電極２１は、ソース・ドレイン電極１１４と別工程において、ソース・ドレイン電極１１４と異なる積層構造または電極材料により形成するようにしてもよい。また、補助電極２１を設ける層は、このソース・ドレイン電極１１４と同層に限らず、他の層、例えばゲート電極１１０と同層であってもよい。
【００７１】
＜変形例２＞
図１４〜図１６は、変形例２に係る画素間絶縁膜の形成方法の断面構成を表したものである。画素間絶縁膜１４において補助電極に対向する開口を形成する手法（逆テーパ形成手法）としては、上記実施の形態で説明した手法の他にも、本変形例のようなリフトオフ層を用いたものが挙げられる。
【００７２】
即ち、図１４（Ａ）に示したように、まず補助電極１３上に、リフトオフ層２２として例えばアルミニウム等からなる薄膜を例えばスパッタ法により成膜した後、このアルミニウム膜上にフォトレジスト膜１２２を塗布し、露光、現像によりパターニングする。この後、フォトレジスト膜１２２をマスクとしたエッチングにより、上記アルミニウム膜をパターニングし、補助電極１３とフォトレジスト膜１２２との間にリフトオフ層２２を形成する。
【００７３】
続いて、図１４（Ｂ）に示したように、フォトレジスト膜１２２をアッシングした後、ポストベークすることにより、側面にテーパ（順テーパ）を形成する。このようにして形成したフォトレジスト膜（逆テーパ形成用薄膜１２２ａ）を、上記実施の形態における逆テーパ形成用薄膜１２０（金属）と同様にして、逆テーパ形成用の薄膜として利用する。即ち、本変形例では、上記リフトオフ層２２のパターニングに使用したフォトレジスト膜１２２を除去せずにリフトオフ層２２上に残存させ、これを逆テーパ形成用に利用する。
【００７４】
次いで、画素間絶縁膜１４を、フォトリソグラフィ法を用いて形成する。具体的には
、まず図１５（Ａ）に示したように、上記実施の形態と同様にして、画素間絶縁膜１４
を基板全面にわたって成膜する。また、この後、図１５（Ｂ）に示したように、画素間
絶縁膜１４の選択的な領域を、上記実施の形態と同様のフォトマスク１２１を用いて露
光する。続いて、上記実施の形態と同様にして画素間絶縁膜１４を現像する。この際、
現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ水溶液を使用することにより、画素間絶縁膜１４の
現像と同時に、逆テーパ形成用薄膜１２２ａの下層にあるリフトオフ層（アルミニウム
等）をウェットエッチングにより溶かすことができる。これにより、フォトレジストよ
りなる逆テーパ形成用薄膜１２２ａを除去（リフトオフ）することができる。この後、
リンス液で洗浄し、更に加熱（ポストベーク）することにより、図１６に示したように
、上記実施の形態と同様の開口Ｓ１，Ｓ２を有する画素間絶縁膜１４を形成できる。
【００７５】
＜変形例３＞
図１７および図１８は、変形例３に係る画素間絶縁膜の形成方法の断面構成を表した
ものである。上記変形例２では、逆テーパ形成手法として、アルミニウム等の金属から
なるリフトオフ層を用いたものを例示したが、以下のようなリフトオフ層を用いると、
より工程を簡易化できる。
【００７６】
即ち、まず図１７（Ａ）に示したように、駆動基板１０上に、上記実施の形態と同様
にして補助電極１３を形成する。この後、上記実施の形態と同様にして第１電極１２を
形成するが、この際、補助電極１３上にも薄膜パターン（リフトオフ層１２Ａ）を同時
に形成する。即ち、基板全面にわたって第１電極１２としての金属膜を成膜した後、フ
ォトレジストの塗布、露光、現像によりパターニングを行い、フォトレジスト膜１２３
，１２４を形成する。この後、図１７（Ｂ）に示したように、フォトレジスト膜１２３
，１２４をマスクとしたエッチングを行うことにより、第１電極１２とリフトオフ層１
２Ａとを一括形成する。
【００７７】
続いて、図１７（Ｃ）に示したように、フォトレジスト膜１２３，１２４をアッシン
グした後、ポストベークすることにより、側面にテーパ（順テーパ）を形成する。この
ようにして形成したフォトレジスト膜（逆テーパ形成用薄膜１２４ａ）を、上記実施の
形態における逆テーパ形成用薄膜１２０（金属）と同様にして、逆テーパ形成用の薄膜
として利用する。即ち、本変形例では、上記リフトオフ層１２Ａのパターニングに使用
したフォトレジスト膜１２４を除去せずにリフトオフ層１２Ａ上に残存させ、これを逆
テーパ形成用に利用する。尚、第１電極１２上にはフォトレジスト膜１２３ａが残存す
るが、これは後の工程において除去すればよい。
【００７８】
次いで、画素間絶縁膜１４を、フォトリソグラフィ法を用いて形成する。具体的には
、まず、上記実施の形態と同様にして、画素間絶縁膜１４を基板全面にわたって成膜し
た後、図１８（Ａ）に示したように、画素間絶縁膜１４の選択的な領域を、上記実施の
形態と同様のフォトマスク１２１を用いて露光する。続いて、上記実施の形態と同様に
して画素間絶縁膜１４を現像する。この際、現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ水溶液
を使用することにより、画素間絶縁膜１４の現像と同時に、逆テーパ形成用薄膜１２４
ａの下層にあるリフトオフ層１２Ａ（ＡｌＮｄ）と補助電極１３の最表面に形成された
Ｔｉとのガルバニ腐食により溶かすことができる。これにより、フォトレジストよりな
る逆テーパ形成用薄膜１２４ａを除去（リフトオフ）することができる。続いて、駆動
基板１０上に残ったフォトレジスト（特にフォトレジスト膜１２３ａ）をアッシングに
より除去する。この後、リンス液で洗浄し、更に加熱（ポストベーク）することにより
、図１８（Ｂ）に示したように、上記実施の形態と同様の開口Ｓ１，Ｓ２を有する画素
間絶縁膜１４を形成できる。
【００７９】
［有機ＥＬ表示装置の全体構成、画素回路構成］
次に、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成および画素回路構成につ
いて説明する。図１９は、有機ＥＬディスプレイとして用いられる表示装置の周辺回路
を含む全体構成を表すものである。このように、例えば駆動基板１０上には、有機ＥＬ
素子を含む複数の画素ＰＸＬＣ（サブピクセル）がマトリクス状に配置されてなる表示
領域３０が形成され、この表示領域３０の周辺に、信号線駆動回路としての水平セレク
タ（ＨＳＥＬ）３１と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ（ＷＳＣＮ）３２と、
電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３３とが設けられている。
【００８０】
表示領域３０において、列方向には複数（整数ｎ個）の信号線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎが
配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線Ｄ
ＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬ
との交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する画素のいずれか１つ）が設けら
れている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ３１に接続され、この水平セレクタ３１から
各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトス
キャナ３２に接続され、このライトスキャナ３２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択
パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ３３に接続さ
れ、この電源スキャナ３３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給される
ようになっている。
【００８１】
図２０は、画素ＰＸＬＣにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素Ｐ
ＸＬＣは、有機ＥＬ素子３Ｄ（上記有機ＥＬ素子１Ａに相当）を含む画素回路４０を有
している。この画素回路４０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トラン
ジスタ３Ｂと、保持容量素子３Ｃと、有機ＥＬ素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動
回路である。
【００８２】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され
、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が
駆動用トランジスタ３Ｂのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、その
ドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機ＥＬ素子３Ｄのアノードに
接続されている。また、この有機ＥＬ素子３Ｄのカソードは、接地配線３Ｈに接続され
ている。なお、この接地配線３Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されてい
る。保持容量素子３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースとゲートとの間に配置され
ている。
【００８３】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パ
ルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位
をサンプリングし、保持容量素子３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂ
は、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保
持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機ＥＬ素子３Ｄへ供給す
るものである。有機ＥＬ素子３Ｄは、この駆動用トランジスタ３Ｂから供給された駆動
電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
【００８４】
このような回路構成では、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応
じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通することにより、信号線ＤＴＬから供給さ
れた映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子３Ｃに保持される。また、
上記第１電位に設定された電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂへ電流が供給され
、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機ＥＬ素子３Ｄへ供
給される。そして、各有機ＥＬ素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信
号電位に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置において、映像信号に基づく映
像表示がなされる。
【００８５】
＜適用例＞
以下、上記のような有機ＥＬ表示装置１等の電子機器への適用例について説明する。
有機ＥＬ表示装置１等は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコ
ンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電
子機器に適用することが可能である。言い換えると、有機ＥＬ表示装置１等は、外部か
ら入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表
示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００８６】
（モジュール）
上記有機ＥＬ表示装置１等は、例えば図２１に示したようなモジュールとして、後述
の適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆
動基板１０の一辺に、封止基板２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域
２１０に、水平セレクタ３１、ライトスキャナ３２および電源スキャナ３３の配線を延
長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号
の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）
２２０が設けられていてもよい。
【００８７】
（適用例１）
図２２は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、
例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３
００を有しており、この映像表示画面部３００が有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
【００８８】
（適用例２）
図２３は、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例え
ば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャ
ッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が有機ＥＬ表示装置１等に相当す
る。
【００８９】
（適用例３）
図２４は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート
型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボ
ード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が有機
ＥＬ表示装置１等に相当する。
【００９０】
（適用例４）
図２５は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、
本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０
，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。この
表示部６４０が有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
【００９１】
（適用例５）
図２６は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば上側筐
体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディ
スプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７
０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ
７５０が、有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
【００９２】
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて説明したが、本開示内容はこれらの
実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等にお
いて説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定される
ものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件
としてもよい。
【００９３】
また、上記実施の形態等では、第２電極１６の成膜手法としてスパッタ法を例示した
が、斜め蒸着（テーパ面に沿った方向からの斜方蒸着）により形成することもできる。
このようにして、逆テーパ部を有する開口Ｓ２内に第２電極１６を堆積させるようにし
てもよい。
【００９４】
更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子としてトップエミッション方式のものを
例示したが、これに限らず、下面発光方式（いわゆるボトムエミッション方式）のもの
にも適用可能である。この場合、第１電極１２を透明導電膜により形成すると共に、第
２電極１６に光反射性を有する金属膜が設けられるようにする。また、この場合、駆動
基板１０のＴＦＴ１１上に、例えばＲ，Ｇ，Ｂ，の各色のカラーフィルタが設けられて
いてもよい。具体的には、ＴＦＴ１１上に無機絶縁膜が設けられ、この無機絶縁膜上の
第１電極１２に対向する領域にカラーフィルタが形成される。
【００９５】
また、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の場合に
ついて説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置への適用も可能
である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実
施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加して
もよい。
【００９６】
尚、本開示は、以下の（１）〜（２０）に記載したような構成であってもよい。
（１）基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に設けられた第２電極とを備え、前記画素間絶縁膜の前記第２開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極が前記補助電極に電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置。
（２）前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域では、前記補助電極の一部が前記有機層から露出し、この露出した領域において前記第２電極が前記補助電極に接触している上記(1)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（３）前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域では、前記有機層が補助電極を被覆すると共に、前記有機層および前記第２電極がそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に設けられている上記(1)または(2)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（４）前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第１開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第２電極が前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に設けられている上記(1)〜(3)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（５）前記補助電極は、前記基板上の前記第１電極と同層に設けられている上記(1)〜(4)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（６）前記基板上に薄膜トランジスタを含む画素回路が設けられ、前記補助電極は、前記薄膜トランジスタにおけるゲート、ソースまたはドレインのいずれかの電極と同層に設けられている上記(1)〜(5のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（７）第１電極は、アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と銀（Ａｇ）との積層膜，または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）と銀との積層膜である上記(1)〜(6)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（８）第２電極は、酸化インジウム錫，酸化インジウム亜鉛，酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはマグネシウム（Ｍｇ）および銀の共蒸着膜よりなる上記(1)〜(7)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（９）前記補助電極は、チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫および酸化インジウム亜鉛のうちの１種以上を含む単層膜または積層膜である上記(1)〜(8)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１０）前記発光層は白色発光層である上記(1)〜(9)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１１）基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極と電気的に絶縁した補助電極を形成する工程と、前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程と、前記画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、前記有機層上に第２電極を形成する工程とを含み、前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記第２開口に、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを形成し、前記第２電極を形成する工程では、前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極を前記補助電極に電気的に接続させる有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１２）前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において、前記補助電極の一部を前記有機層から露出させ、この露出した領域において前記第２電極を前記補助電極に接触させる上記(11)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１３）前記有機層を形成する工程では、前記有機層を蒸着法により形成し、前記第２電極を形成する工程では、前記第２電極をスパッタ法または斜方蒸着法により形成する上記(11)または(12)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１４）前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域において、前記有機層および前記第２電極をそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に形成する上記(1)〜(13)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１５）前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第１開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第２電極を前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に形成する上記(1)〜(14)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１６）前記画素間絶縁膜を形成する工程の前に、前記補助電極上に、側面に順テーパを有する逆テーパ形成用薄膜を形成し、前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記逆テーパ形成用薄膜を覆って絶縁膜材料を成膜した後、前記画素間絶縁膜に前記第１開口を形成し、かつ前記逆テーパ形成用薄膜と、前記絶縁膜材料の前記逆テーパ形成用薄膜の順テーパに対向する一部を除いた部分とを選択的に除去することにより、前記第２開口を形成する上記(1)〜(15)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１７）前記逆テーパ形成用薄膜と前記補助電極との間に、前記逆テーパ形成用薄膜を除去するためのリフトオフ層を形成する上記(16)記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１８）前記リフトオフ層を形成する際に使用したフォトレジスト膜を、前記逆テーパ形成用薄膜として利用する上記(17)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１９）前記補助電極を形成した後、前記リフトオフ層と前記第１電極とを同一工程において一括形成する上記(18)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（２０）基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に設けられた第２電極とを備え、前記画素間絶縁膜の前記第２開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極が前記補助電極に電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
【符号の説明】
【００９７】
１，２…有機ＥＬ表示装置、１Ａ…有機ＥＬ素子、１０…駆動基板、１１…ＴＦＴ、１２…第１電極、１３，２１…補助電極、１４…画素間絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極、１７…保護層、２０…封止基板、Ｓ１〜Ｓ３…開口、１４Ａ…順テーパ部、１４Ｂ…逆テーパ部、１２０，１２２ａ，１２４ａ…逆テーパ形成用薄膜、２２，１２Ａ…リフトオフ層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、
前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、
前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第２電極とを備え、
前記画素間絶縁膜の前記第２開口は、
基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、
基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ
前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極が前記補助電極に電気的に接続されている
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域では、
前記補助電極の一部が前記有機層から露出し、この露出した領域において前記第２電極が前記補助電極に接触している
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域では、前記有機層が補助電極を被覆すると共に、前記有機層および前記第２電極がそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第１開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第２電極が前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記補助電極は、前記基板上の前記第１電極と同層に設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記基板上に薄膜トランジスタを含む画素回路が設けられ、
前記補助電極は、前記薄膜トランジスタにおけるゲート、ソースまたはドレインのいずれかの電極と同層に設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
第１電極は、アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と銀（Ａｇ）との積層膜，または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）と銀との積層膜である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
第２電極は、酸化インジウム錫，酸化インジウム亜鉛，酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはマグネシウム（Ｍｇ）および銀の共蒸着膜よりなる
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記補助電極は、チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫および酸化インジウム亜鉛のうちの１種以上を含む単層膜または積層膜である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記発光層は白色発光層である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極と電気的に絶縁した補助電極を形成する工程と、
前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程と、
前記画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層上に第２電極を形成する工程とを含み、
前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記第２開口に、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを形成し、
前記第２電極を形成する工程では、前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極を前記補助電極に電気的に接続させる
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において、前記補助電極の一部を前記有機層から露出させ、この露出した領域において前記第２電極を前記補助電極に接触させる
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記有機層を形成する工程では、前記有機層を蒸着法により形成し、
前記第２電極を形成する工程では、前記第２電極をスパッタ法または斜方蒸着法により形成する
請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域において、前記有機層および前記第２電極をそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に形成する
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第１開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第２電極を前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に形成する
請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記画素間絶縁膜を形成する工程の前に、前記補助電極上に、側面に順テーパを有する逆テーパ形成用薄膜を形成し、
前記画素間絶縁膜を形成する工程では、
前記逆テーパ形成用薄膜を覆って絶縁膜材料を成膜した後、
前記画素間絶縁膜に前記第１開口を形成し、かつ
前記逆テーパ形成用薄膜と、前記絶縁膜材料の前記逆テーパ形成用薄膜の順テーパに対向する一部を除いた部分とを選択的に除去することにより、前記第２開口を形成する
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記逆テーパ形成用薄膜と前記補助電極との間に、前記逆テーパ形成用薄膜を除去するためのリフトオフ層を形成する
請求項１６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記リフトオフ層を形成する際に使用したフォトレジスト膜を、前記逆テーパ形成用薄膜として利用する
請求項１７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記補助電極を形成した後、
前記リフトオフ層と前記第１電極とを同一工程において一括形成する
請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２０】
基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、
前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、
前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第２電極とを備え、
前記画素間絶縁膜の前記第２開口は、
基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、
基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ
前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極が前記補助電極に電気的に接続されている
有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
【請求項１】
基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、
前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、
前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第２電極とを備え、
前記画素間絶縁膜の前記第２開口は、
基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、
基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ
前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極が前記補助電極に電気的に接続されている
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域では、
前記補助電極の一部が前記有機層から露出し、この露出した領域において前記第２電極が前記補助電極に接触している
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域では、前記有機層が補助電極を被覆すると共に、前記有機層および前記第２電極がそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第１開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第２電極が前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記補助電極は、前記基板上の前記第１電極と同層に設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記基板上に薄膜トランジスタを含む画素回路が設けられ、
前記補助電極は、前記薄膜トランジスタにおけるゲート、ソースまたはドレインのいずれかの電極と同層に設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
第１電極は、アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と銀（Ａｇ）との積層膜，または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）と銀との積層膜である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
第２電極は、酸化インジウム錫，酸化インジウム亜鉛，酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはマグネシウム（Ｍｇ）および銀の共蒸着膜よりなる
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記補助電極は、チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ合金），酸化インジウム錫および酸化インジウム亜鉛のうちの１種以上を含む単層膜または積層膜である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記発光層は白色発光層である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極と電気的に絶縁した補助電極を形成する工程と、
前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程と、
前記画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層上に第２電極を形成する工程とを含み、
前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記第２開口に、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを形成し、
前記第２電極を形成する工程では、前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極を前記補助電極に電気的に接続させる
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において、前記補助電極の一部を前記有機層から露出させ、この露出した領域において前記第２電極を前記補助電極に接触させる
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記有機層を形成する工程では、前記有機層を蒸着法により形成し、
前記第２電極を形成する工程では、前記第２電極をスパッタ法または斜方蒸着法により形成する
請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域において、前記有機層および前記第２電極をそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に形成する
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第１開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第２電極を前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に形成する
請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記画素間絶縁膜を形成する工程の前に、前記補助電極上に、側面に順テーパを有する逆テーパ形成用薄膜を形成し、
前記画素間絶縁膜を形成する工程では、
前記逆テーパ形成用薄膜を覆って絶縁膜材料を成膜した後、
前記画素間絶縁膜に前記第１開口を形成し、かつ
前記逆テーパ形成用薄膜と、前記絶縁膜材料の前記逆テーパ形成用薄膜の順テーパに対向する一部を除いた部分とを選択的に除去することにより、前記第２開口を形成する
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記逆テーパ形成用薄膜と前記補助電極との間に、前記逆テーパ形成用薄膜を除去するためのリフトオフ層を形成する
請求項１６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記リフトオフ層を形成する際に使用したフォトレジスト膜を、前記逆テーパ形成用薄膜として利用する
請求項１７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記補助電極を形成した後、
前記リフトオフ層と前記第１電極とを同一工程において一括形成する
請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２０】
基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、
前記第１電極に対向して第１開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、
前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第２電極とを備え、
前記画素間絶縁膜の前記第２開口は、
基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、
基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ
前記第２開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第２電極が前記補助電極に電気的に接続されている
有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【公開番号】特開２０１３−５４９７９（Ｐ２０１３−５４９７９Ａ）
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９３５４２（Ｐ２０１１−１９３５４２）
【出願日】平成２３年９月６日（２０１１．９．６）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月６日（２０１１．９．６）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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