有機ＥＬ装置および有機ＥＬ装置の製造方法ならびに電子機器
【課題】第１電極と、第２電極とが短絡しても、有機ＥＬ装置の見かけ上の不良画素数を少なくして、輝点不良を低減することが可能な有機ＥＬ装置および有機ＥＬ装置の製造方法ならびに表示性能の良好な電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ装置１は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置１であって、基板２と、基板２上に形成された複数の第１電極３と、第１電極３と交差する方向に形成された複数の第２電極５と、第１電極３と第２電極５との間に形成された有機機能層としての発光層６と、を備え、第１電極３は、分離可能な接続部５１を備えている。
【解決手段】有機ＥＬ装置１は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置１であって、基板２と、基板２上に形成された複数の第１電極３と、第１電極３と交差する方向に形成された複数の第２電極５と、第１電極３と第２電極５との間に形成された有機機能層としての発光層６と、を備え、第１電極３は、分離可能な接続部５１を備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置および有機ＥＬ装置の製造方法ならびに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ノートパソコン、携帯電話機、電子手帳等の電子機器において、情報を表示する手段として有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと称す）素子を画素に対応させて備える有機ＥＬ装置等といった表示装置が提案されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ装置の１つにパッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の有機ＥＬ装置がある。一般的に、このパッシブマトリクス型の有機ＥＬ装置は、基板上の所定方向に帯状に延在する複数形成された第１電極（陽極）と、この第１電極に対して直交する方向に帯状に複数配置された第２電極（陰極）と、これら第１電極と第２電極との交差領域において第１電極および第２電極に上下に挟み込まれた発光層とを備えている。この発光層は、第１電極および第２電極に電流が流れた場合に発光する。そして、パッシブマトリクス型の有機ＥＬ装置は、発光層を１画素に対応させて複数備えることによって構成されている。
【０００４】
例えば特許文献１および特許文献２に開示されているように、有機ＥＬ装置は、基板上の所定方向に帯状に延在する複数の第１電極と、この第１電極の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータと、このカソードセパレータの下方に設置されるバンク層と、カソードセパレータ同士の間に形成される第２電極とが配置される構成が提案されていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３０３６９９号公報
【特許文献２】特開２００４−３０３７００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、これらのようなパッシブマトリクス型の有機ＥＬ装置は、画素において第１電極と第２電極との間でショートが発生した場合、ショートした画素を交点とした陽極と陰極とのライン上のみではなく、その他のライン上でも発光してしまうことがあった。そして、有機ＥＬ装置は、見かけ上の不良画素数が多くなってしまい、輝点不良が多く発生することにより歩留まりの向上を図ることが困難であった。また、有機ＥＬ装置を形成する上で多くの材料が必要となるから、歩留まりを向上させることができないと、結果的に、材料の節約をすることも困難であった。
【０００７】
本発明の目的は、第１電極と、第２電極とが短絡しても、有機ＥＬ装置の見かけ上の不良画素数を少なくして、輝点不良を低減することが可能な有機ＥＬ装置および有機ＥＬ装置の製造方法ならびに表示性能の良好な電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ装置は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置であって、基板と、前記基板上に形成された複数の第１電極と、前記第１電極と交差する方向に形成された複数の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機機能層と、を備え、前記第１電極は、分離可能な接続部を備えていることを特徴とする。また、短絡箇所は前記第１電極と第２電極との間に形成された有機機能層に逆方向電圧を印加する事により、検査する。
【０００９】
この発明によれば、第１電極と、第２電極とが短絡したら、第１電極と第２電極との間に形成された有機機能層に逆電圧を印加すれば、形成された接続部を切断することで、短絡したところには電流が流れなくなるように電流の流れる方向を変えることができる。そして、短絡によって発生していたライン上での誤った発光を低減することができる。誤った発光を抑制することによって、見かけ上の不良画素数を低減することができるから、輝点不良を低減することができる。輝点不良が低減すれば、有機ＥＬ装置の歩留まりを向上させることができる。歩留まりが向上すれば、有機ＥＬ装置を形成するのに必要な材料も少なくて済む。したがって、材料の節約を図ることもできる。
【００１０】
本発明の有機ＥＬ装置は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置であって、基板と、前記基板上に形成された複数の第１電極と、前記第１電極と交差する方向に形成された複数の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機機能層と、を備え、前記第１電極は、分離可能な接続部と、前記第１電極に接続可能な下地電極と、を備えていることを特徴とする。また、短絡箇所は前記第１電極と第２電極との間に形成された有機機能層に逆方向電圧を印加する事により、判別する。
【００１１】
この発明によれば、第１電極に接続可能な下地電極を備えているから、電流の流れる体積をより大きくすることができるので、電気抵抗を低く抑えることができる。そして、電気抵抗を低く抑えることができるから、ライン上の電圧降下を抑えることができるので、有機ＥＬ装置の輝度むらを低減することができる。
【００１２】
本発明の有機ＥＬ装置は、前記第１電極が、ＩＴＯ、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて形成されていることが望ましい。
【００１３】
この発明によれば、第１電極が、導電性を有する材料で形成されているから、第１電極と第２電極との導通が得やすい有機ＥＬ装置を提供できる。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ装置は、前記接続部の幅が、前記第１電極の幅より細く形成されていることが望ましい。
【００１５】
この発明によれば、接続部の幅が、第１電極の幅より細く形成されているから、少ないエネルギ消費量で接続部を切断することができる。エネルギ消費量が少なければ、切断時間を短くすることができるので、効率的に形成することが可能な有機ＥＬ装置を提供できる。
【００１６】
本発明の電子機器は、前述に記載の有機ＥＬ装置を表示装置として備えることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、第１電極と第２電極とが短絡しても、第２電極に有する接続部を切断することで、輝点不良の少ない有機ＥＬ装置を備えることができるので、良好な表示特性を有する電子機器を提供できる。
【００１８】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板上に分離可能な接続部を有する第１電極を形成する工程と、前記第１電極と交差する方向に、第２電極を形成する工程と、前記第１電極と前記第２電極との間に有機機能層を形成する工程と、前記第１電極と前記第２電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第１電極に分離部を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、第１電極と第２電極とが短絡したら、第２電極に備えた分離可能な接続部を切断して、分離部を形成する工程を備えているから、接続部に分離部を形成することで、電流の流れる方向が変わる。電流の流れる方向が変わることで、短絡によって発生していたライン上での誤った発光を低減させることができる。そして、誤った発光を抑制することによって、見かけ上の不良画素数を低減することができるから、輝点不良を低減することができるので、歩留まりを向上させることが可能な有機ＥＬ装置を形成することができる。歩留まりが向上すれば、有機ＥＬ装置を形成するのに必要な材料も少なくて済む。したがって、材料の節約を図ることもできる。
【００２０】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板上に下地電極を形成する工程と、前記下地電極に接続可能で、かつ、分離可能な接続部を有する第１電極を形成する工程と、前記第１電極と交差する方向に、第２電極を形成する工程と、前記第１電極と前記第２電極との間に有機機能層を形成する工程と、前記第１電極と前記第２電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第１電極に分離部を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、第１電極に接続可能な下地電極を備えているから、第１電極を太くできるから、第１電極の電気抵抗を低く抑えることができる。第１電極の電気抵抗を低く抑えることができるから、ライン上の電圧降下を抑えることができるので、輝度むらを低減することが可能な有機ＥＬ装置を形成できる。
【００２２】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記第１電極を形成する工程では、前記第１電極の材料が、ＩＴＯ、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて前記第１電極を形成することが望ましい。
【００２３】
この発明によれば、第１電極が、導電性を有する材料で形成されているから、第１電極と第２電極との導通が得やすい有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２４】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記第１電極を形成する工程では、前記接続部の幅が、前記第１電極の幅より細くなるように前記接続部を形成することが望ましい。
【００２５】
この発明によれば、接続部の幅が、第１電極の幅より細く形成されているから、少ないエネルギ消費量で接続部を切断することができる。エネルギ消費量が少なければ、切断時間を短くすることができるので、効率的に有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２６】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記分離部を形成する工程では、前記分離部形成方法が、レーザ光照射方法または加熱方法のうち、いずれかの方法で前記分離部を形成することが望ましい。
【００２７】
この発明によれば、接続部をレーザ光照射または加熱することで、接続部に分離部を形成することが簡単にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の有機ＥＬ装置について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。
【００２９】
（第１実施形態）
有機ＥＬ装置の構造について説明する。
【００３０】
図１〜図３は、本実施形態におけるパッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の有機ＥＬ装置を説明するための図であり、図１は、概略平面図である。図２は、図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示す概略断面図である。図３は、分離部を示す図である。
【００３１】
図１〜図３に示すように、有機ＥＬ装置１は、基板２上の所定方向に帯状に延在する複数の第１電極（陽極）３と、第１電極３の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータ４と、カソードセパレータ４の下方に設置されるバンク層１０と、絶縁層９と、第２電極（陰極）５と、有機機能層としての発光層６とで構成されている。発光層６は、第１電極３と第２電極５との交差領域（発光領域）に形成されており、第１電極３と、第２電極５との間に挟まれている。
【００３２】
図１において、基板２（図２参照）上には、第１電極３が形成されており、この第１電極３には、接続部５１と、絶縁層９とを備えている。この接続部５１の幅ｍは、第１電極３の幅ｎよりなるべく細くなるように形成されている。
【００３３】
図２において、発光層６は、発光層６を上下に挟む第１電極３および第２電極５に電流が流れた場合に所定の波長の光を発光する。有機ＥＬ装置１は、このような発光層６が形成される発光領域をマトリクス状に複数備えることによって、表示装置としての機能を有している。なお、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１において、基板２および第１電極３は透光性を有しており、発光層６から発光された光は基板２側から出射されるように構成されている。また、発光層６は、図示するように、バンク層１０、第１電極３および第２電極５によって囲まれた空間内に収容されている。このため、外部から進入する水分や空気等によって発光層６が劣化するのを防止することができる。
【００３４】
透光性を有する基板２の材料としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。第１電極３の材料としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の金属酸化物からなる透光性の導電材料によって形成されており、短冊状に形状設定され、かつ、各々が所定間隔を空けて複数形成されている。この第１電極３は、発光層６に正孔を注入する役割を果たす。
【００３５】
この第１電極３が形成された基板２上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる絶縁層９が形成されている。
【００３６】
バンク層１０は、絶縁層９の上に形成されている。このバンク層１０の材料としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れた有機材料が用いられる。また、バンク層１０の厚みは、カソードセパレータ４の厚みよりも薄く、かつ、発光層６の厚みより厚く設定されている。
【００３７】
バンク層１０の上に形成されるカソードセパレータ４の材料としては、例えばポリイミド等の感光性樹脂であり、カソードセパレータ４の厚さは約６μｍであり、かつ、各々が所定間隔を空けて複数形成されている。なお、カソードセパレータ４は、例えばカソードセパレータ４をフォトリソグラフィ技術によって形成する際に、バンク層１０がエッチングされないように、バンク層１０とは異なった材料によって構成されている。
【００３８】
発光層６は、第１電極３と第２電極５との間に形成されており、発光層６の材料としては、例えばアントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。
【００３９】
発光層６の上に形成される第２電極５の材料としては、例えばＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料が用いられており、発光層６から第２電極５側に発光された光を基板２側に効率的に出射させるようになっている。なお、第２電極５の上には必要に応じてＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の材料を保護層として設けても良い。なお、有機ＥＬ装置１の製造方法は、特許文献の特開２００４−３０３６９９号に開示されている。
【００４０】
図３において、第１電極３に有する接続部５１を切断することで、第１電極３に分離部５２を形成することができる。なお、分離部５２を形成するための前提としては、第１電極３と、第２電極５とが短絡している場合であって、短絡していなければ接続部５１を切断して分離部５２を形成する必要はない。この分離部５２を形成する方法としては、例えば接続部５１にレーザ光を照射させて切断することでできる。使用するレーザ光は、ＹＡＧレーザであり、ＹＡＧレーザの基本波を用いる。ＹＡＧレーザの基本波における波長は、１０６４ｎｍである。また、波長は、このＹＡＧレーザの基本波にこだわることはなく、第２高調波を用いてもかまわない。第２高調波の波長は、５３２ｎｍである。また、分離部５２のその他の形成方法としては、接続部５１を加熱することでも可能である。接続部５１を加熱する方法は、主に電気的に加熱する方法を採用できる。この電気的に加熱する方法としては、発生した熱によって接続部５１を焼き切ることである。
【００４１】
本実施形態における有機ＥＬ装置１の構造は以上のようであって、第１電極３と、第２電極５とが短絡したときの電流Ｉの流れる方向について説明する。
【００４２】
図４は、第１電極を陽極、第２電極を陰極とし、これに逆方向電圧を印加した場合に、電流の流れる方向を説明する図であり、同図（ａ）は、短絡個所した場合の説明図であり、同図（ｂ）は、短絡箇所を修正した場合の説明図である。
【００４３】
図４（ａ）において、通常、第１電極と第２電極の間に有機機能層を形成した有機ＥＬ素子では、ダイオード特性をしめすため、逆方向電圧を印加しても電流はほとんどながれない。ただし、同図に示すように、短絡箇所Ｓ１と、短絡箇所Ｓ２との２箇所が短絡していたら、電流Ｉは、矢印で示すような方向に流れる。そこで、電流Ｉが画素Ｌ１に流れることで、画素Ｌ１が発光する。本来、発光しなくてもよい画素Ｌ１に電流Ｉが流れてしまうために、画素Ｌ１を誤って発光させてしまうことになる。そして、短絡箇所Ｓ１と、短絡箇所Ｓ２以外の多くの箇所で短絡が発生していると、電流Ｉが、あらゆる配線を回り、いろいろな径路をたどって流れていく。すると、様々な箇所で画素Ｌ１のように発光してしまう箇所が増えてしまうので、結果的に、有機ＥＬ装置１が輝点不良を伴いながら発光しているように見えてしまう。
【００４４】
図４（ｂ）において、第１電極３と、第２電極５とが短絡したときに、その短絡箇所Ｓ１、Ｓ２を修正した場合の電流Ｉの流れる方向について説明する。短絡箇所Ｓ１、Ｓ２を修正するということは、第１電極３の接続部５１を切断して、分離部５２を形成するということである。例えば、図４（ｂ）に示すように、短絡箇所Ｓ１（図４（ａ）参照）と、短絡箇所Ｓ２（図４（ａ）参照）とに対応する第１電極３に分離部５２（図３参照）を形成すると、電流Ｉは、Ｓ１において絶縁され、短絡により発光していた画素Ｌ１は光らなくなる。また、Ｓ２の短絡部の修正によっても、他の電極を選択した場合にＳ２の短絡による発光も防止できる。したがって、短絡箇所Ｓ１、Ｓ２の第１電極３に分離部５２を形成することで、電流Ｉが誤った方向に流れることがなくなるので、輝点不良を低減することができる。なお、第１電極３と、第２電極５とが短絡していなければ、逆方向電圧を印加してもすべての画素において発光する事はない。
【００４５】
以上のような第１実施形態では、以下の効果が得られる。
【００４６】
（１）第１電極３と、第２電極５とが短絡したら、短絡箇所Ｓ１、Ｓ２の第１電極３に形成された接続部５１を切断して分離部５２を形成すれば、電流Ｉが短絡したところには流れなくなり、短絡によって発生していたライン上での誤った発光を低減させることができる。誤った発光を抑制させることによって、見かけ上の不良画素数を低減させることができるから、輝点不良を低減させることができる。輝点不良が低減すれば、有機ＥＬ装置１の歩留まりを向上させることができる。歩留まりが向上すれば、有機ＥＬ装置１を形成するのに必要な材料も少なくて済む。したがって、材料の節約を図ることもできる。
（２）第１電極３が、導電性を有する材料で形成されているから、第１電極３と、第２電極５との導通が得やすい有機ＥＬ装置１を提供できる。
（３）接続部５１の幅ｍが、第１電極３の幅ｎより細く形成されているから、少ないエネルギ消費量で接続部５１を切断して、分離部５２を形成することができる。エネルギ消費量が少なければ、切断時間を短くすることができるので、効率的に形成することが可能な有機ＥＬ装置１を提供できる。
【００４７】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、前述の第１実施形態における第１電極の構造が異なるものであって、第１電極に下地電極が接続して形成されている点が異なる。なお、前述の第１実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
【００４８】
図５〜図７は、本実施形態におけるパッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の有機ＥＬ装置を説明するための図であり、図５は、概略平面図である。図６は、図５中のＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示す概略断面図である。図７は、分離部を示す図である。
【００４９】
図５〜図７に示すように、有機ＥＬ装置１は、基板２上の所定方向に帯状に延在する複数の第１電極（陽極）３と、第１電極３の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータ４と、カソードセパレータ４の下方に設置されるバンク層１０と、空隙部としてのスルーホール７を備えた絶縁層９と、第２電極（陰極）５と、有機機能層としての発光層６と、第１電極３に接続可能な下地電極８とで構成されている。発光層６は、第１電極３と第２電極５との交差領域（発光領域）に形成されており、第１電極３と、第２電極５との間に挟まれている。
【００５０】
図５において、基板２（図２参照）上には、第１電極３が形成されており、この第１電極３には、接続部５１と、スルーホール７を備えた絶縁層９（図６参照）とを備えている。この接続部５１の幅ｍは、第１電極３の幅ｎよりなるべく細くなるように形成されている。
【００５１】
図６において、下地電極８は、基板２の上に形成されており、絶縁層９を挟んで第１電極３と接続されている。下地電極８は、第１電極３と接続されることにより、より大きくなるので、電気抵抗を低く抑えることができる。なお、基板２の上に形成される下地電極８の材料としては、例えば第１電極３と同じ材料を用いることが好ましい。
【００５２】
図７において、第１電極３に有する接続部５１を切断することで、第１電極３に分離部５２を形成することができる。そして、第１電極３と、第２電極５とが短絡したら、その短絡箇所Ｓ１、Ｓ２（図４（ａ）参照）の第１電極３に有する接続部５１を切断して、分離部５２を形成すれば、電流Ｉは、第１実施形態と同様に、図４（ｂ）に示すように流れていく。そして、電流Ｉが誤った方向に流れることがなくなるので、輝点不良を低減することができる。なお、分離部５２の形成方法は、第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５３】
以上のような第２実施形態では、前述の第１実施形態と同様の効果が得られる他に以下の効果が得られる。
【００５４】
（４）第１電極３は、この第１電極３に接続可能な下地電極８を備えているから、電流Ｉの流れる体積をより大きくすることができるので、電気抵抗を低く抑えることができる。そして、電気抵抗を低く抑えることができるから、ライン上の電圧降下を抑えることができるので、有機ＥＬ装置１の輝度むらを低減することができる。
【００５５】
図８は、本実施形態の電子機器を示す図である。
【００５６】
図８に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯電話１００は、上述した有機ＥＬ装置１を表示手段として搭載している。有機ＥＬ装置１は、表示部１０１を備えている。このように本発明に係る電子機器としての携帯電話１００は、輝点不良の少ない有機ＥＬ装置１を備えることができるので、良好な表示特性を有する電子機器としての携帯電話１００を提供できる。しかも、歩留まりが向上して製造コストを低くすることが可能となる。また、電子機器としては、携帯電話１００にこだわることはなく、例えばその他の表示機器を用いたものでもよい。
【００５７】
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
【００５８】
（変形例１）前述の第１実施形態で、接続部５１を備えた第１電極３を形成したが、これに限らない。例えば図９に示すように、接続部５１を備えた第１電極３を下地電極８に接続するように構成してもよい。このようにしても、下地電極８が形成されているので、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果が得られる。
【００５９】
（変形例２）前述の第１実施形態で、接続部５１を備えた第１電極３を形成したが、これに限らない。例えば図１０に示すように、接続部５１を備えた第１電極３を下地電極８に接続するように構成してもよい。このようにしても、下地電極８が形成されているので、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果が得られる。
【００６０】
（変形例３）前述の第１実施形態および第２実施形態で、接続部５１の幅ｍを第１電極３の幅ｎよりなるたけ細くなるように形成したが、これに限らない。例えば第１電極３の幅ｎより多少細くなっている形状にしてもよい。このようにしても、接続部５１をレーザ加工によって切断することで、分離部５２を形成することができるので、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１実施形態における有機ＥＬ装置の概略平面図。
【図２】図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示す概略断面図。
【図３】分離部を示す図。
【図４】電流の流れる方向を説明する図であり、（ａ）は、短絡した場合の説明図であり、（ｂ）は、短絡箇所を修正した場合の説明図。
【図５】第２実施形態における有機ＥＬ装置の概略平面図。
【図６】図５中のＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示す概略断面図。
【図７】分離部を示す図。
【図８】電子機器を示す図。
【図９】変形例１における有機ＥＬ装置の概略平面図。
【図１０】変形例２における有機ＥＬ装置の概略平面図。
【符号の説明】
【００６２】
１…有機ＥＬ装置、２…基板、３…第１電極、５…第２電極、６…有機機能層としての発光層、８…下地電極、５１…接続部、５２…分離部、１００…電子機器としての携帯電話、ｍ…接続部の幅、ｎ…第１電極の幅。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置および有機ＥＬ装置の製造方法ならびに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ノートパソコン、携帯電話機、電子手帳等の電子機器において、情報を表示する手段として有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと称す）素子を画素に対応させて備える有機ＥＬ装置等といった表示装置が提案されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ装置の１つにパッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の有機ＥＬ装置がある。一般的に、このパッシブマトリクス型の有機ＥＬ装置は、基板上の所定方向に帯状に延在する複数形成された第１電極（陽極）と、この第１電極に対して直交する方向に帯状に複数配置された第２電極（陰極）と、これら第１電極と第２電極との交差領域において第１電極および第２電極に上下に挟み込まれた発光層とを備えている。この発光層は、第１電極および第２電極に電流が流れた場合に発光する。そして、パッシブマトリクス型の有機ＥＬ装置は、発光層を１画素に対応させて複数備えることによって構成されている。
【０００４】
例えば特許文献１および特許文献２に開示されているように、有機ＥＬ装置は、基板上の所定方向に帯状に延在する複数の第１電極と、この第１電極の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータと、このカソードセパレータの下方に設置されるバンク層と、カソードセパレータ同士の間に形成される第２電極とが配置される構成が提案されていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３０３６９９号公報
【特許文献２】特開２００４−３０３７００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、これらのようなパッシブマトリクス型の有機ＥＬ装置は、画素において第１電極と第２電極との間でショートが発生した場合、ショートした画素を交点とした陽極と陰極とのライン上のみではなく、その他のライン上でも発光してしまうことがあった。そして、有機ＥＬ装置は、見かけ上の不良画素数が多くなってしまい、輝点不良が多く発生することにより歩留まりの向上を図ることが困難であった。また、有機ＥＬ装置を形成する上で多くの材料が必要となるから、歩留まりを向上させることができないと、結果的に、材料の節約をすることも困難であった。
【０００７】
本発明の目的は、第１電極と、第２電極とが短絡しても、有機ＥＬ装置の見かけ上の不良画素数を少なくして、輝点不良を低減することが可能な有機ＥＬ装置および有機ＥＬ装置の製造方法ならびに表示性能の良好な電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ装置は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置であって、基板と、前記基板上に形成された複数の第１電極と、前記第１電極と交差する方向に形成された複数の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機機能層と、を備え、前記第１電極は、分離可能な接続部を備えていることを特徴とする。また、短絡箇所は前記第１電極と第２電極との間に形成された有機機能層に逆方向電圧を印加する事により、検査する。
【０００９】
この発明によれば、第１電極と、第２電極とが短絡したら、第１電極と第２電極との間に形成された有機機能層に逆電圧を印加すれば、形成された接続部を切断することで、短絡したところには電流が流れなくなるように電流の流れる方向を変えることができる。そして、短絡によって発生していたライン上での誤った発光を低減することができる。誤った発光を抑制することによって、見かけ上の不良画素数を低減することができるから、輝点不良を低減することができる。輝点不良が低減すれば、有機ＥＬ装置の歩留まりを向上させることができる。歩留まりが向上すれば、有機ＥＬ装置を形成するのに必要な材料も少なくて済む。したがって、材料の節約を図ることもできる。
【００１０】
本発明の有機ＥＬ装置は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置であって、基板と、前記基板上に形成された複数の第１電極と、前記第１電極と交差する方向に形成された複数の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機機能層と、を備え、前記第１電極は、分離可能な接続部と、前記第１電極に接続可能な下地電極と、を備えていることを特徴とする。また、短絡箇所は前記第１電極と第２電極との間に形成された有機機能層に逆方向電圧を印加する事により、判別する。
【００１１】
この発明によれば、第１電極に接続可能な下地電極を備えているから、電流の流れる体積をより大きくすることができるので、電気抵抗を低く抑えることができる。そして、電気抵抗を低く抑えることができるから、ライン上の電圧降下を抑えることができるので、有機ＥＬ装置の輝度むらを低減することができる。
【００１２】
本発明の有機ＥＬ装置は、前記第１電極が、ＩＴＯ、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて形成されていることが望ましい。
【００１３】
この発明によれば、第１電極が、導電性を有する材料で形成されているから、第１電極と第２電極との導通が得やすい有機ＥＬ装置を提供できる。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ装置は、前記接続部の幅が、前記第１電極の幅より細く形成されていることが望ましい。
【００１５】
この発明によれば、接続部の幅が、第１電極の幅より細く形成されているから、少ないエネルギ消費量で接続部を切断することができる。エネルギ消費量が少なければ、切断時間を短くすることができるので、効率的に形成することが可能な有機ＥＬ装置を提供できる。
【００１６】
本発明の電子機器は、前述に記載の有機ＥＬ装置を表示装置として備えることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、第１電極と第２電極とが短絡しても、第２電極に有する接続部を切断することで、輝点不良の少ない有機ＥＬ装置を備えることができるので、良好な表示特性を有する電子機器を提供できる。
【００１８】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板上に分離可能な接続部を有する第１電極を形成する工程と、前記第１電極と交差する方向に、第２電極を形成する工程と、前記第１電極と前記第２電極との間に有機機能層を形成する工程と、前記第１電極と前記第２電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第１電極に分離部を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、第１電極と第２電極とが短絡したら、第２電極に備えた分離可能な接続部を切断して、分離部を形成する工程を備えているから、接続部に分離部を形成することで、電流の流れる方向が変わる。電流の流れる方向が変わることで、短絡によって発生していたライン上での誤った発光を低減させることができる。そして、誤った発光を抑制することによって、見かけ上の不良画素数を低減することができるから、輝点不良を低減することができるので、歩留まりを向上させることが可能な有機ＥＬ装置を形成することができる。歩留まりが向上すれば、有機ＥＬ装置を形成するのに必要な材料も少なくて済む。したがって、材料の節約を図ることもできる。
【００２０】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板上に下地電極を形成する工程と、前記下地電極に接続可能で、かつ、分離可能な接続部を有する第１電極を形成する工程と、前記第１電極と交差する方向に、第２電極を形成する工程と、前記第１電極と前記第２電極との間に有機機能層を形成する工程と、前記第１電極と前記第２電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第１電極に分離部を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、第１電極に接続可能な下地電極を備えているから、第１電極を太くできるから、第１電極の電気抵抗を低く抑えることができる。第１電極の電気抵抗を低く抑えることができるから、ライン上の電圧降下を抑えることができるので、輝度むらを低減することが可能な有機ＥＬ装置を形成できる。
【００２２】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記第１電極を形成する工程では、前記第１電極の材料が、ＩＴＯ、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて前記第１電極を形成することが望ましい。
【００２３】
この発明によれば、第１電極が、導電性を有する材料で形成されているから、第１電極と第２電極との導通が得やすい有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２４】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記第１電極を形成する工程では、前記接続部の幅が、前記第１電極の幅より細くなるように前記接続部を形成することが望ましい。
【００２５】
この発明によれば、接続部の幅が、第１電極の幅より細く形成されているから、少ないエネルギ消費量で接続部を切断することができる。エネルギ消費量が少なければ、切断時間を短くすることができるので、効率的に有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２６】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記分離部を形成する工程では、前記分離部形成方法が、レーザ光照射方法または加熱方法のうち、いずれかの方法で前記分離部を形成することが望ましい。
【００２７】
この発明によれば、接続部をレーザ光照射または加熱することで、接続部に分離部を形成することが簡単にできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の有機ＥＬ装置について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。
【００２９】
（第１実施形態）
有機ＥＬ装置の構造について説明する。
【００３０】
図１〜図３は、本実施形態におけるパッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の有機ＥＬ装置を説明するための図であり、図１は、概略平面図である。図２は、図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示す概略断面図である。図３は、分離部を示す図である。
【００３１】
図１〜図３に示すように、有機ＥＬ装置１は、基板２上の所定方向に帯状に延在する複数の第１電極（陽極）３と、第１電極３の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータ４と、カソードセパレータ４の下方に設置されるバンク層１０と、絶縁層９と、第２電極（陰極）５と、有機機能層としての発光層６とで構成されている。発光層６は、第１電極３と第２電極５との交差領域（発光領域）に形成されており、第１電極３と、第２電極５との間に挟まれている。
【００３２】
図１において、基板２（図２参照）上には、第１電極３が形成されており、この第１電極３には、接続部５１と、絶縁層９とを備えている。この接続部５１の幅ｍは、第１電極３の幅ｎよりなるべく細くなるように形成されている。
【００３３】
図２において、発光層６は、発光層６を上下に挟む第１電極３および第２電極５に電流が流れた場合に所定の波長の光を発光する。有機ＥＬ装置１は、このような発光層６が形成される発光領域をマトリクス状に複数備えることによって、表示装置としての機能を有している。なお、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１において、基板２および第１電極３は透光性を有しており、発光層６から発光された光は基板２側から出射されるように構成されている。また、発光層６は、図示するように、バンク層１０、第１電極３および第２電極５によって囲まれた空間内に収容されている。このため、外部から進入する水分や空気等によって発光層６が劣化するのを防止することができる。
【００３４】
透光性を有する基板２の材料としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。第１電極３の材料としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の金属酸化物からなる透光性の導電材料によって形成されており、短冊状に形状設定され、かつ、各々が所定間隔を空けて複数形成されている。この第１電極３は、発光層６に正孔を注入する役割を果たす。
【００３５】
この第１電極３が形成された基板２上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる絶縁層９が形成されている。
【００３６】
バンク層１０は、絶縁層９の上に形成されている。このバンク層１０の材料としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れた有機材料が用いられる。また、バンク層１０の厚みは、カソードセパレータ４の厚みよりも薄く、かつ、発光層６の厚みより厚く設定されている。
【００３７】
バンク層１０の上に形成されるカソードセパレータ４の材料としては、例えばポリイミド等の感光性樹脂であり、カソードセパレータ４の厚さは約６μｍであり、かつ、各々が所定間隔を空けて複数形成されている。なお、カソードセパレータ４は、例えばカソードセパレータ４をフォトリソグラフィ技術によって形成する際に、バンク層１０がエッチングされないように、バンク層１０とは異なった材料によって構成されている。
【００３８】
発光層６は、第１電極３と第２電極５との間に形成されており、発光層６の材料としては、例えばアントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。
【００３９】
発光層６の上に形成される第２電極５の材料としては、例えばＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料が用いられており、発光層６から第２電極５側に発光された光を基板２側に効率的に出射させるようになっている。なお、第２電極５の上には必要に応じてＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の材料を保護層として設けても良い。なお、有機ＥＬ装置１の製造方法は、特許文献の特開２００４−３０３６９９号に開示されている。
【００４０】
図３において、第１電極３に有する接続部５１を切断することで、第１電極３に分離部５２を形成することができる。なお、分離部５２を形成するための前提としては、第１電極３と、第２電極５とが短絡している場合であって、短絡していなければ接続部５１を切断して分離部５２を形成する必要はない。この分離部５２を形成する方法としては、例えば接続部５１にレーザ光を照射させて切断することでできる。使用するレーザ光は、ＹＡＧレーザであり、ＹＡＧレーザの基本波を用いる。ＹＡＧレーザの基本波における波長は、１０６４ｎｍである。また、波長は、このＹＡＧレーザの基本波にこだわることはなく、第２高調波を用いてもかまわない。第２高調波の波長は、５３２ｎｍである。また、分離部５２のその他の形成方法としては、接続部５１を加熱することでも可能である。接続部５１を加熱する方法は、主に電気的に加熱する方法を採用できる。この電気的に加熱する方法としては、発生した熱によって接続部５１を焼き切ることである。
【００４１】
本実施形態における有機ＥＬ装置１の構造は以上のようであって、第１電極３と、第２電極５とが短絡したときの電流Ｉの流れる方向について説明する。
【００４２】
図４は、第１電極を陽極、第２電極を陰極とし、これに逆方向電圧を印加した場合に、電流の流れる方向を説明する図であり、同図（ａ）は、短絡個所した場合の説明図であり、同図（ｂ）は、短絡箇所を修正した場合の説明図である。
【００４３】
図４（ａ）において、通常、第１電極と第２電極の間に有機機能層を形成した有機ＥＬ素子では、ダイオード特性をしめすため、逆方向電圧を印加しても電流はほとんどながれない。ただし、同図に示すように、短絡箇所Ｓ１と、短絡箇所Ｓ２との２箇所が短絡していたら、電流Ｉは、矢印で示すような方向に流れる。そこで、電流Ｉが画素Ｌ１に流れることで、画素Ｌ１が発光する。本来、発光しなくてもよい画素Ｌ１に電流Ｉが流れてしまうために、画素Ｌ１を誤って発光させてしまうことになる。そして、短絡箇所Ｓ１と、短絡箇所Ｓ２以外の多くの箇所で短絡が発生していると、電流Ｉが、あらゆる配線を回り、いろいろな径路をたどって流れていく。すると、様々な箇所で画素Ｌ１のように発光してしまう箇所が増えてしまうので、結果的に、有機ＥＬ装置１が輝点不良を伴いながら発光しているように見えてしまう。
【００４４】
図４（ｂ）において、第１電極３と、第２電極５とが短絡したときに、その短絡箇所Ｓ１、Ｓ２を修正した場合の電流Ｉの流れる方向について説明する。短絡箇所Ｓ１、Ｓ２を修正するということは、第１電極３の接続部５１を切断して、分離部５２を形成するということである。例えば、図４（ｂ）に示すように、短絡箇所Ｓ１（図４（ａ）参照）と、短絡箇所Ｓ２（図４（ａ）参照）とに対応する第１電極３に分離部５２（図３参照）を形成すると、電流Ｉは、Ｓ１において絶縁され、短絡により発光していた画素Ｌ１は光らなくなる。また、Ｓ２の短絡部の修正によっても、他の電極を選択した場合にＳ２の短絡による発光も防止できる。したがって、短絡箇所Ｓ１、Ｓ２の第１電極３に分離部５２を形成することで、電流Ｉが誤った方向に流れることがなくなるので、輝点不良を低減することができる。なお、第１電極３と、第２電極５とが短絡していなければ、逆方向電圧を印加してもすべての画素において発光する事はない。
【００４５】
以上のような第１実施形態では、以下の効果が得られる。
【００４６】
（１）第１電極３と、第２電極５とが短絡したら、短絡箇所Ｓ１、Ｓ２の第１電極３に形成された接続部５１を切断して分離部５２を形成すれば、電流Ｉが短絡したところには流れなくなり、短絡によって発生していたライン上での誤った発光を低減させることができる。誤った発光を抑制させることによって、見かけ上の不良画素数を低減させることができるから、輝点不良を低減させることができる。輝点不良が低減すれば、有機ＥＬ装置１の歩留まりを向上させることができる。歩留まりが向上すれば、有機ＥＬ装置１を形成するのに必要な材料も少なくて済む。したがって、材料の節約を図ることもできる。
（２）第１電極３が、導電性を有する材料で形成されているから、第１電極３と、第２電極５との導通が得やすい有機ＥＬ装置１を提供できる。
（３）接続部５１の幅ｍが、第１電極３の幅ｎより細く形成されているから、少ないエネルギ消費量で接続部５１を切断して、分離部５２を形成することができる。エネルギ消費量が少なければ、切断時間を短くすることができるので、効率的に形成することが可能な有機ＥＬ装置１を提供できる。
【００４７】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、前述の第１実施形態における第１電極の構造が異なるものであって、第１電極に下地電極が接続して形成されている点が異なる。なお、前述の第１実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
【００４８】
図５〜図７は、本実施形態におけるパッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の有機ＥＬ装置を説明するための図であり、図５は、概略平面図である。図６は、図５中のＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示す概略断面図である。図７は、分離部を示す図である。
【００４９】
図５〜図７に示すように、有機ＥＬ装置１は、基板２上の所定方向に帯状に延在する複数の第１電極（陽極）３と、第１電極３の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータ４と、カソードセパレータ４の下方に設置されるバンク層１０と、空隙部としてのスルーホール７を備えた絶縁層９と、第２電極（陰極）５と、有機機能層としての発光層６と、第１電極３に接続可能な下地電極８とで構成されている。発光層６は、第１電極３と第２電極５との交差領域（発光領域）に形成されており、第１電極３と、第２電極５との間に挟まれている。
【００５０】
図５において、基板２（図２参照）上には、第１電極３が形成されており、この第１電極３には、接続部５１と、スルーホール７を備えた絶縁層９（図６参照）とを備えている。この接続部５１の幅ｍは、第１電極３の幅ｎよりなるべく細くなるように形成されている。
【００５１】
図６において、下地電極８は、基板２の上に形成されており、絶縁層９を挟んで第１電極３と接続されている。下地電極８は、第１電極３と接続されることにより、より大きくなるので、電気抵抗を低く抑えることができる。なお、基板２の上に形成される下地電極８の材料としては、例えば第１電極３と同じ材料を用いることが好ましい。
【００５２】
図７において、第１電極３に有する接続部５１を切断することで、第１電極３に分離部５２を形成することができる。そして、第１電極３と、第２電極５とが短絡したら、その短絡箇所Ｓ１、Ｓ２（図４（ａ）参照）の第１電極３に有する接続部５１を切断して、分離部５２を形成すれば、電流Ｉは、第１実施形態と同様に、図４（ｂ）に示すように流れていく。そして、電流Ｉが誤った方向に流れることがなくなるので、輝点不良を低減することができる。なお、分離部５２の形成方法は、第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５３】
以上のような第２実施形態では、前述の第１実施形態と同様の効果が得られる他に以下の効果が得られる。
【００５４】
（４）第１電極３は、この第１電極３に接続可能な下地電極８を備えているから、電流Ｉの流れる体積をより大きくすることができるので、電気抵抗を低く抑えることができる。そして、電気抵抗を低く抑えることができるから、ライン上の電圧降下を抑えることができるので、有機ＥＬ装置１の輝度むらを低減することができる。
【００５５】
図８は、本実施形態の電子機器を示す図である。
【００５６】
図８に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯電話１００は、上述した有機ＥＬ装置１を表示手段として搭載している。有機ＥＬ装置１は、表示部１０１を備えている。このように本発明に係る電子機器としての携帯電話１００は、輝点不良の少ない有機ＥＬ装置１を備えることができるので、良好な表示特性を有する電子機器としての携帯電話１００を提供できる。しかも、歩留まりが向上して製造コストを低くすることが可能となる。また、電子機器としては、携帯電話１００にこだわることはなく、例えばその他の表示機器を用いたものでもよい。
【００５７】
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
【００５８】
（変形例１）前述の第１実施形態で、接続部５１を備えた第１電極３を形成したが、これに限らない。例えば図９に示すように、接続部５１を備えた第１電極３を下地電極８に接続するように構成してもよい。このようにしても、下地電極８が形成されているので、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果が得られる。
【００５９】
（変形例２）前述の第１実施形態で、接続部５１を備えた第１電極３を形成したが、これに限らない。例えば図１０に示すように、接続部５１を備えた第１電極３を下地電極８に接続するように構成してもよい。このようにしても、下地電極８が形成されているので、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果が得られる。
【００６０】
（変形例３）前述の第１実施形態および第２実施形態で、接続部５１の幅ｍを第１電極３の幅ｎよりなるたけ細くなるように形成したが、これに限らない。例えば第１電極３の幅ｎより多少細くなっている形状にしてもよい。このようにしても、接続部５１をレーザ加工によって切断することで、分離部５２を形成することができるので、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１実施形態における有機ＥＬ装置の概略平面図。
【図２】図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示す概略断面図。
【図３】分離部を示す図。
【図４】電流の流れる方向を説明する図であり、（ａ）は、短絡した場合の説明図であり、（ｂ）は、短絡箇所を修正した場合の説明図。
【図５】第２実施形態における有機ＥＬ装置の概略平面図。
【図６】図５中のＢ−Ｂ線に沿った断面構造を示す概略断面図。
【図７】分離部を示す図。
【図８】電子機器を示す図。
【図９】変形例１における有機ＥＬ装置の概略平面図。
【図１０】変形例２における有機ＥＬ装置の概略平面図。
【符号の説明】
【００６２】
１…有機ＥＬ装置、２…基板、３…第１電極、５…第２電極、６…有機機能層としての発光層、８…下地電極、５１…接続部、５２…分離部、１００…電子機器としての携帯電話、ｍ…接続部の幅、ｎ…第１電極の幅。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置であって、
基板と、
前記基板上に形成された複数の第１電極と、
前記第１電極と交差する方向に形成された複数の第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機機能層と、を備え、
前記第１電極は、分離可能な接続部を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置であって、
基板と、
前記基板上に形成された複数の第１電極と、
前記第１電極と交差する方向に形成された複数の第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機機能層と、を備え、
前記第１電極は、分離可能な接続部と、前記第１電極に接続可能な下地電極と、を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ装置において、
前記第１電極が、ＩＴＯ、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置において、
前記接続部の幅が、前記第１電極の幅より細く形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を表示装置として備えることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載される有機ＥＬ装置の検査方法において、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機機能層に逆方向電圧を印加する事により、前記第１電極と前記第２電極との短絡箇所を検査する検査方法。
【請求項７】
パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
基板上に分離可能な接続部を有する第１電極を形成する工程と、
前記第１電極と交差する方向に、第２電極を形成する工程と、
前記第１電極と前記第２電極との間に有機機能層を形成する工程と、
前記第１電極と前記第２電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第１電極に分離部を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
基板上に下地電極を形成する工程と、
前記下地電極に接続可能で、かつ、分離可能な接続部を有する第１電極を形成する工程と、
前記第１電極と交差する方向に、第２電極を形成する工程と、
前記第１電極と前記第２電極との間に有機機能層を形成する工程と、
前記第１電極と前記第２電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第１電極に分離部を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記第１電極を形成する工程では、
前記第１電極の材料が、ＩＴＯ、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて前記第１電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記第１電極を形成する工程では、
前記接続部の幅が、前記第１電極の幅より細くなるように前記接続部を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜請求項９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記分離部を形成する工程では、
前記分離部形成方法が、レーザ光照射方法または加熱方法のうち、いずれかの方法で前記分離部を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１】
パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置であって、
基板と、
前記基板上に形成された複数の第１電極と、
前記第１電極と交差する方向に形成された複数の第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機機能層と、を備え、
前記第１電極は、分離可能な接続部を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置であって、
基板と、
前記基板上に形成された複数の第１電極と、
前記第１電極と交差する方向に形成された複数の第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機機能層と、を備え、
前記第１電極は、分離可能な接続部と、前記第１電極に接続可能な下地電極と、を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ装置において、
前記第１電極が、ＩＴＯ、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置において、
前記接続部の幅が、前記第１電極の幅より細く形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を表示装置として備えることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載される有機ＥＬ装置の検査方法において、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機機能層に逆方向電圧を印加する事により、前記第１電極と前記第２電極との短絡箇所を検査する検査方法。
【請求項７】
パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
基板上に分離可能な接続部を有する第１電極を形成する工程と、
前記第１電極と交差する方向に、第２電極を形成する工程と、
前記第１電極と前記第２電極との間に有機機能層を形成する工程と、
前記第１電極と前記第２電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第１電極に分離部を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
パッシブマトリックス型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
基板上に下地電極を形成する工程と、
前記下地電極に接続可能で、かつ、分離可能な接続部を有する第１電極を形成する工程と、
前記第１電極と交差する方向に、第２電極を形成する工程と、
前記第１電極と前記第２電極との間に有機機能層を形成する工程と、
前記第１電極と前記第２電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第１電極に分離部を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記第１電極を形成する工程では、
前記第１電極の材料が、ＩＴＯ、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて前記第１電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記第１電極を形成する工程では、
前記接続部の幅が、前記第１電極の幅より細くなるように前記接続部を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜請求項９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記分離部を形成する工程では、
前記分離部形成方法が、レーザ光照射方法または加熱方法のうち、いずれかの方法で前記分離部を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００７−１５７４１８（Ｐ２００７−１５７４１８Ａ）
【公開日】平成１９年６月２１日（２００７．６．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３４８９０２（Ｐ２００５−３４８９０２）
【出願日】平成１７年１２月２日（２００５．１２．２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【出願人】（５９７０６５３２９）学校法人 龍谷大学 (120)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月２１日（２００７．６．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１２月２日（２００５．１２．２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【出願人】（５９７０６５３２９）学校法人 龍谷大学 (120)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]